WO2023228293A1 - ボンディング装置及びボンディング方法 - Google Patents

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WO2023228293A1
WO2023228293A1 PCT/JP2022/021310 JP2022021310W WO2023228293A1 WO 2023228293 A1 WO2023228293 A1 WO 2023228293A1 JP 2022021310 W JP2022021310 W JP 2022021310W WO 2023228293 A1 WO2023228293 A1 WO 2023228293A1
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WO
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bonding
stage
wafer
bonding stage
rotary table
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PCT/JP2022/021310
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English (en)
French (fr)
Inventor
穂隆 山口
秀紀 吉野
Original Assignee
株式会社カイジョー
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation

Definitions

  • the present invention relates to a bonding device and a bonding method, and particularly to a bonding device and a bonding method for bonding bumps or wires to a substrate placed on a bonding stage.
  • bonding devices are known that form bumps as connection terminals on electrodes of semiconductor chips.
  • Patent Document 1 discloses a bonding method for forming bumps on electrodes of semiconductor chips formed on a wafer. According to Patent Document 1, an X-axis drive mechanism equipped with a bonding stage moves the bonding stage to a position where it pulls out a carrier tape on which a wafer is mounted from a magazine, and the carrier tape pushed out from the magazine is transferred to the wafer by an X-axis drive mechanism. Transport to the location.
  • the bonding stage is moved to the wafer transfer position, the carrier tape is held on the bonding stage, and the bonding stage is moved to the bonding area by the X-axis drive mechanism to perform bonding after preheating.
  • the bonding stage is transported to the wafer transfer position by the X-axis drive mechanism, and the carrier tape is pushed out using the arm of the X-axis drive mechanism and stored in the magazine. After that, the carrier tape to be bonded next is pulled out from the magazine and bonding is performed.
  • the wafer placed on the bonding stage is replaced using the following procedure.
  • temperature control is particularly important because rapid heating and cooling of thin wafers may cause the wafers to crack.
  • the bonding stage In order to prevent the wafer from cracking due to the influence of heat, the bonding stage is maintained at a temperature of several tens of degrees Celsius to about 100 degrees Celsius, at which the wafer is difficult to break, and the wafer is mounted on the bonding stage. 2. After mounting the wafer, the vacuum suction mechanism of the bonding stage is turned on to fix the wafer. 3. Further, the heater of the bonding stage is turned on to heat the wafer. 4. The bonding stage then moves to the bonding position. 5. After confirming that the temperature of the bonding stage has risen to a predetermined bonding temperature, bonding is started. 6. After bonding is completed, turn off the heater of the bonding stage. 7. Also, the bonding stage moves to the cooling position. 8.
  • the temperature of the bonding stage falls to a predetermined temperature for cooling, either by cooling air blow or naturally. 9.
  • the temperature of the bonding stage is slowly cooled to about several tens of degrees Celsius to 100 degrees Celsius (a temperature at which the wafer is difficult to break due to the influence of heat), the wafer is discharged from the bonding stage.
  • the wafer is loaded onto the bonding stage, bonded, and the bonded wafer is discharged.
  • the procedure from 1 is repeated for bonding the next wafer.
  • the inventor of the present invention has repeatedly considered and experimented to improve the above problems, and has found that conventionally, the bonding operation was stopped during wafer exchange, wafer heating, and wafer cooling;
  • the bonding stage into two stages, one for wafer exchange and the other for bonding, and rotated the rotary table on which the two bonding stages were mounted to exchange the wafer exchange and bonding stages.
  • an object of the present invention is to provide a bonding apparatus and a bonding method that can improve the productivity of substrates such as wafers in bonding with a simple configuration.
  • a bonding apparatus is a bonding apparatus for bonding bumps or wires to a substrate placed on a bonding stage via a bonding head, the bonding stage having a first It consists of a bonding stage and a second bonding stage, and the first bonding stage and the second bonding stage are connected to a rotary table having a ⁇ -axis rotation mechanism capable of rotating around the ⁇ -axis via the ⁇ -axis.
  • the first bonding stage and the second bonding stage are arranged to face each other, and are configured such that the positions of the first bonding stage and the second bonding stage can be exchanged by rotating the rotary table around the ⁇ axis by the ⁇ axis rotation mechanism.
  • the bonding apparatus is characterized in that it has an XY moving mechanism that can move the rotary table in the XY directions.
  • first bonding stage and the second bonding stage in the bonding apparatus transfer the substrate to and from the bonding area and the outside of the bonding apparatus by rotating and moving the rotary table in the X and Y directions. It is characterized by being movable to different positions.
  • each of the first bonding stage and the second bonding stage in the bonding apparatus according to the present invention is arranged on the rotary table so as to be rotatable about the center of the main surface of the substrate by a stage rotation mechanism. It is characterized by
  • the bonding method according to the present invention is a bonding method using a bonding device that bonds bumps to a wafer placed on a bonding stage via a bonding head, and each of the bonding stages has a heater.
  • the first bonding stage and the second bonding stage are configured to be heated by heating, and the first bonding stage and the second bonding stage have a ⁇ -axis rotation mechanism that can rotate around the ⁇ -axis.
  • the bonding device is configured such that the first bonding stage and the second bonding stage are arranged opposite to each other via the ⁇ axis on a rotary table having a has an XY moving mechanism capable of moving the wafer in the XY directions, and while bonding bumps to the first wafer placed on the first bonding stage and heated to a predetermined temperature by the heater, the second bonding a first step of heating a second wafer placed on a stage with the heater; a first step of heating the second wafer placed on the stage; a step of heating the first wafer on which the bonding has been completed; a second step of exchanging positions with the placed second bonding stage by rotating the rotary table; and a second step of exchanging the position of the second bonding stage placed on the second bonding stage and heated to a predetermined temperature by the heater.
  • the placed first wafer cools down to a predetermined temperature
  • bonding to the second wafer placed on the second bonding stage is interrupted, and the rotary table is moved by the XY movement mechanism.
  • the first bonding stage is moved to a wafer transfer position with the outside of the bonding apparatus, the first wafer is ejected, a third wafer is carried in, and the first bonding stage is transferred to the outside of the bonding apparatus.
  • each of the first bonding stage and the second bonding stage is arranged on the rotary table so as to be rotatable about the center of the main surface of the wafer by a stage rotation mechanism.
  • the present invention is characterized in that the bondable area of the wafer is expanded by a rotational movement during bonding.
  • the bonding stage includes a first bonding stage and a second bonding stage, and the first bonding stage and the second bonding stage have a ⁇ -axis rotation mechanism that is rotatable around the ⁇ -axis.
  • the first bonding stage and the second bonding stage are arranged opposite to each other via the ⁇ axis on a rotary table having a
  • the rotary table on which two bonding stages are mounted can be rotated and their positions exchanged, so that while wafers are being exchanged on one bonding stage, bonding can be performed on the other bonding stage.
  • each of the first bonding stage and the second bonding stage is arranged on the rotary table so as to be rotatable about the center of the main surface of the wafer by the stage rotation mechanism, so that the first bonding stage and the second bonding stage are rotated during bonding.
  • the operation can expand the bondable area of the first bonding stage or second bonding stage wafer.
  • the present invention when the first wafer placed on the first bonding stage is cooled to a predetermined temperature, bonding to the second wafer placed on the second bonding stage is interrupted. , by moving the rotary table using the XY movement mechanism, the first bonding stage is moved to the wafer transfer position with the outside of the bonding apparatus, the first wafer is ejected, and the third wafer is loaded. The second wafer is placed on the first bonding stage, and the rotary table is moved by the XY movement mechanism to restart and continue bonding to the second wafer placed on the second bonding stage.
  • the third wafer placed on the first bonding stage is heated without waiting for the completion of bonding of the second wafer placed on the second bonding stage. wafers can be heated. This allows the bonding of the second wafer placed on the second bonding stage and the heating of the third wafer placed on the first bonding stage to be performed in parallel. Wafer production losses due to time can be reduced.
  • the temperature of one bonding stage holding a bonded wafer falls to the predetermined cooling temperature and the bonded wafer is not replaced until the other bonding stage completes bonding, the temperature of one bonding stage that is waiting When the next wafer is replaced, the heating start temperature of the bonding stage becomes lower, and it takes time to heat the wafer.
  • the temperature of the bonded wafer while it is on standby becomes lower. The decline can be prevented.
  • the wafer is heated by interrupting bonding on one bonding stage, placing a new wafer on the bonding stage and heating it, and restarting bonding after placing the wafer on the other bonding stage. and bonding can be performed in parallel.
  • FIG. 1A and 1B are diagrams showing the configuration of a bonding apparatus that performs bump bonding on a wafer, etc., in which (a) is a plan view and (b) is a front view.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a bonding stage, rotary table, and XY table of the bonding apparatus shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a process in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation of the rotary table and the bonding stage in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation of the rotary table and the bonding stage in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation of the rotary table and the bonding stage in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 6 is a diagram showing the operation of the rotary table and the bonding stage in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating expansion of the bonding area of a wafer placed on a bonding stage by the rotational operation of a stage rotation mechanism during bonding. It is a flowchart showing the operation of a rotary table and a bonding stage in a bonding process. It is a figure explaining the movement and rotation of the rotary table, and the operation
  • FIG. 7 is a flowchart showing the movement and rotation of the rotary table and the operation of the bonding stage when a wafer is received at the bonding position without moving the XY table in the bonding process.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating movement and rotation of a rotary table and operation of a bonding stage when a wafer is received at a bonding position without movement of an XY table in a bonding process.
  • the present invention provides a bonding apparatus and a bonding method for bonding bumps or wires to a substrate placed on a bonding stage via a bonding head, and the bonding stage includes a first bonding stage and a second bonding stage.
  • the first bonding stage and the second bonding stage are configured such that the positions of the first bonding stage and the second bonding stage can be exchanged by rotating the rotary table.
  • the present invention provides a bonding device and a bonding method that can improve productivity.
  • FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a bonding apparatus that performs bump bonding on a wafer etc. ) is a plan view, and (b) is a front view.
  • FIG. 2 is a perspective view showing the bonding stage, rotary table, and XY table of the bonding apparatus shown in FIG. 1.
  • the bonding apparatus 1 includes a bonding stage 5, a rotary table 25, an XY table 35, and a bonding head 3.
  • the bonding stage 5 of the bonding apparatus 1 includes a first bonding stage 6 and a second bonding stage 8. Each is provided with a stage rotation mechanism 10, a wafer elevating mechanism, a vacuum suction mechanism, a heating mechanism, and a cooling mechanism.
  • the stage rotation mechanism 10 of the bonding stage 5 shown by the dotted line in FIG. It is a mechanism that rotates as shown by the thin arrow in 1(a).
  • the stage rotation mechanism 10 of the bonding stage 5 can, for example, rotate 180 degrees clockwise, and in that state, rotate 180 degrees counterclockwise. Thereby, in the wafer 51 placed on the bonding stage 5, the half area of the wafer 51 located in front on the opposite side from the bonding head 3 is positioned on the bonding head 3 side by the rotation of the stage rotation mechanism 10. I can do it.
  • the wafer lifting mechanism is a mechanism that lifts the wafer 51 on the bonding stage 5 in the vertical direction.
  • lift pins 13 which are rod-shaped pins, are raised from three locations on the surface of the bonding stage 5 to raise the wafer 51 while keeping it parallel to the surface of the bonding stage 5. Further, the lift pins 13 are lowered to lower the wafer 51.
  • the vacuum suction mechanism holds the wafer 51 on the surface of the bonding stage 5 by suction by making a plurality of suction holes 16 provided on the surface of the bonding stage 5 into a vacuum state.
  • the vacuum suction mechanism can be controlled to be in a vacuum or atmospheric state by turning on/off.
  • the heating mechanism (not shown) heats the surface of the bonding stage 5 using a heater built into the bonding stage 5.
  • the heating mechanism heats the bonding stage 5 so that its surface temperature reaches a predetermined temperature, and after reaching the predetermined temperature, controls the bonding stage 5 to maintain the predetermined temperature.
  • the cooling mechanism (not shown) lowers the surface temperature of the bonding stage 5 by blowing air, etc., and is designed to stop the cooling operation when the surface temperature of the bonding stage 5 reaches a predetermined temperature or less. Control. Incidentally, when lowering the surface temperature of the bonding stage 5 in a natural state, it is not necessary to provide a cooling mechanism.
  • the rotary table 25 of the bonding apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2 has a ⁇ -axis rotation mechanism 26 (shown by a dotted line in FIG. 1B) that can rotate around a ⁇ -axis 27 that is perpendicular to the horizontal plane.
  • a rotary table 25 having a ⁇ -axis rotation mechanism 26 is provided with a first bonding stage 6 and a second bonding stage 8 facing each other via a ⁇ -axis 27, and as shown by the thick arrow in FIG. The positions of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 can be exchanged by rotating them about the shaft 27 by the ⁇ -axis rotation mechanism 26.
  • the positions of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are exchanged, and in this state, by rotating the rotary table 25 180 degrees counterclockwise, the positions of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are exchanged.
  • the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 return to their original positions.
  • the XY table 35 placed in the casing 43 of the bonding apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2 has an XY movement mechanism that can move the rotary table 25 in the XY directions. It consists of an X-axis table 36 that moves the rotary table 25 in the X direction, and a Y-axis table 40 that moves the rotary table 25 in the Y direction.
  • the X-axis table 36 is provided with an X-axis guide 37, and the X-axis table 36 can move the rotating table 25 in the X-axis direction indicated by the black arrow along the X-axis guide 37.
  • the Y-axis table 40 is provided with a Y-axis guide 41, and the Y-axis table 40 is configured so that the rotary table 25 can be moved in the Y-axis direction indicated by the white arrow along the Y-axis guide 41. It has become.
  • An X-axis table 36 is attached to the Y-axis table 40.
  • the bonding position is controlled by driving the X-axis table 36 and the Y-axis table 40 simultaneously.
  • the XY table 35 may have a Y-axis table 40 provided on the X-axis table 36.
  • the first bonding stage 6 and second bonding stage 8 arranged on the rotary table 25 are moved to predetermined positions such as a bonding position, a wafer transfer position, and a rotary table rotation position. Is possible.
  • the bonding head 3 of the bonding apparatus 1 attaches a capillary as a bonding tool to a wafer 51 mounted on either a first bonding stage 6 or a second bonding stage 8 located in a bonding area. 4 (see FIG. 1(b)) to bond bumps or wires, and the bonding head 3 is movably attached to an XY moving table 45 which is a separate mechanism from the XY table 35. This XY moving table 45 allows bumps or wires to be bonded to the wafer 51 located in the bonding area. Note that the bonding head of the bonding device is well known, and its explanation will be omitted.
  • stage rotation mechanism 10 the XY movement mechanism, and the ⁇ -axis rotation mechanism 26 are configured by a combination of a motor drive mechanism, a cam mechanism, a slide mechanism, a lock mechanism that locks during movement and rotation stop, and the like.
  • a transfer robot (not shown) that exchanges the wafer 51 to the bonding stage 5 is installed on the left side of the bonding apparatus 1 shown in FIG. 1 on the paper.
  • the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are arranged facing each other around the ⁇ axis 27, but the number of bonding stages on the rotary table 25 is limited to two. However, it is also possible to arrange three or more bonding stages. For example, three bonding stages may be arranged at intervals of 120 degrees around the ⁇ axis 27 in a triangular shape.
  • FIG. 3 is a flowchart showing the steps in an initial state at the start of bonding.
  • 4 to 6 are diagrams showing the operation of the rotary table and the bonding stage in an initial state at the start of bonding.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating expansion of the bonding area of a wafer placed on a bonding stage by the rotational operation of the stage rotation mechanism during bonding.
  • the first bonding stage 6 is located on the bonding head 3 side, and the second bonding stage 8 is located on the wafer transfer position side. It is assumed that
  • the wafer transfer position, bonding position, and rotary table rotation position indicating the position of the rotary table 25 described below indicate the position from the origin of the XY table, and the rotation
  • the symbol is a.
  • the rotary table 25 is at the bonding position, the symbol is b.
  • the rotary table 25 is at the rotary table rotation position, the symbol is c.
  • the positions of the rotary table 25 are shown using FIG.
  • the rotary table rotation position c is a rotation operation performed by the rotary table 25 to exchange the positions of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8, as shown by the dotted circle in FIG. 4(c). This is the position to which the rotary table 25 moves in order to prevent interference between the rotary table 25 and the XY moving table 45 on which the bonding head 3 is mounted due to rotation.
  • the XY table 35 on which the rotary table 25 is mounted moves from the bonding position b shown in FIG. 4(a) to the rotary table rotation position c (step S1 shown in FIG. 3).
  • the rotary table 25 on which the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are mounted rotates 180 degrees, as shown by the arrow in FIG. 4(c).
  • the first bonding stage 6 moves toward the wafer transfer position a (step S2).
  • step S3 the delivery of the wafer 51 at the bonding stage 5 is not limited to the transfer robot, but may be performed by another wafer exchange mechanism such as an elevator mechanism having a magazine for ejecting and storing the wafer.
  • the bonding apparatus 1 turns on the vacuum suction mechanism of the first bonding stage 6, lowers the lift pins 13, and suctions the wafer 51.
  • the wafer 51 is fixed on the bonding stage 6 (step S4).
  • the heater of the heating mechanism in the first bonding stage 6 is turned on to heat the wafer 51 (step S5).
  • the rotary table 25 moves to the rotary table rotation position c (step S6), and as shown in FIG. 5(b), the rotary table 25 moves to the rotary table rotation position c. Afterwards, the rotary table 25 rotates 180 degrees, and the second bonding stage 8 moves toward the wafer transfer position as shown by the arrow in FIG. 5(c) (step S7). Further, after the rotary table 25 rotates, the first bonding stage 6 is located on the bonding head 3 side.
  • the lift pin 13 which is the wafer lifting mechanism of the second bonding stage 8, rises and receives the wafer 51 from the transfer robot (step S8). ).
  • the vacuum suction mechanism of the second bonding stage 8 is turned ON and the lift pins are lowered to suction the wafer 51 and place the wafer on the second bonding stage 8. 51 is fixed (step S9).
  • the heater of the second bonding stage 8 is turned on to heat the wafer 51 (step S10).
  • the rotary table 25 then moves to the bonding position b (step S11).
  • the wafer 51 on the first bonding stage 6 is located in the bonding area 50 shown in FIG.
  • step S12 bonding is started. Further, the temperature of the second bonding stage 8 is also monitored while the first bonding stage 6 is being bonded.
  • each of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 The mechanism 10 allows the wafer 51 to rotate around the center of its main surface, so after bonding half the area of the wafer 51, the bonding stage 5 is rotated 180 degrees to bond the remaining half area of the wafer. It is possible to do so.
  • the bonding area 50 of the wafer placed on the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 can be expanded by the rotational operation of the stage rotation mechanism 10 during bonding.
  • the wafer 51 is mounted on the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 in the initial state at the start of bonding in the bonding apparatus 1, and the wafer 51 on the first bonding stage 6 is kept at a predetermined temperature. Bonding begins after the temperature rises to .
  • FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the rotary table and bonding stage in the bonding process.
  • 9 and 10 are diagrams for explaining the movement and rotation of the rotary table and the operation of the bonding stage in the bonding process.
  • step S20 bonding of the wafer 51 on the first bonding stage 6 is completed (step S20), and after the bonding is completed, the heater of the first bonding stage 6 is turned off (step S21). Further, when the cooling function is used, the cooling mechanism of the first bonding stage 6 is turned on.
  • the rotary table 25 moves from the bonding position b to the rotary table rotation position c (step S22), and after the rotary table 25 moves to the rotary table rotation position c, the rotary table 25 moves to the 180 As shown in FIG. 9(b), the positions of the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are exchanged by rotation (step S23). That is, after the rotary table 25 rotates, the second bonding stage 8 is located on the bonding head 3 side.
  • the rotary table 25 moves to the bonding position b (step S24), and after the rotary table 25 moves to the bonding position b, the second bonding stage 8 starts bonding at a predetermined temperature. When the temperature rises, bonding is started (step S25).
  • the second bonding stage 8 also monitors the temperature of the first bonding stage 6 while it is being cooled during bonding.
  • step S26 If the temperature of the first bonding stage 6 drops to a predetermined temperature while performing the bonding of the second bonding stage 8, the bonding operation of the second bonding stage 8 is temporarily interrupted (step S26). As shown by the arrow in FIG. 9(d), the first bonding stage 6 is moved to the wafer transfer position a by the rotary table 25 (step S27). Further, when the cooling function is used, the cooling mechanism of the first bonding stage 6 is turned off.
  • the first bonding stage 6 moves to the wafer transfer position a, turns off the vacuum suction mechanism of the first bonding stage 6, and then lifts the lift pin of the first bonding stage 6. (Step S28).
  • the bonded wafer 51 on the first bonding stage 6 is discharged by the transfer robot (step S29).
  • step S30 After discharging the bonded wafer 51, the next wafer 51 is received by the first bonding stage 6 as shown by the arrow in FIG. 10(c) (step S30).
  • step S31 Turn on the vacuum suction mechanism of the first bonding stage 6, lower the lift pins, and suction the wafer 51 on the first bonding stage 6 to fix the wafer 51 on the first bonding stage 6 (step S31). ).
  • step S32 Turn on the heater of the first bonding stage 6 (step S32).
  • step S33 bonding of the wafer 51 on the second bonding stage 8 is resumed.
  • step S34 the heater of the second bonding stage 8 is turned off. Further, when the cooling function is used, the cooling mechanism of the second bonding stage 8 is turned on.
  • step S22 the process moves to step S22.
  • the sequence from step S22 to step S34 is such that the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are exchanged each time step S34 is completed, and the first bonding stage 6 is replaced with the second bonding stage 8. , the second bonding stage 8 shall be replaced (read) with the first bonding stage 6.
  • the bonding of the first bonding stage 6 is completed, the bonding of the second bonding stage 8 is started and interrupted, the wafer 51 is ejected and mounted on the first bonding stage 6, the bonding of the second bonding stage 8 is restarted, The bonding of the second bonding stage 8 is completed, and the wafer 51 is ejected and mounted.
  • the bonding stage consists of a first bonding stage and a second bonding stage, and by rotating the rotary table on which the two bonding stages are mounted and exchanging the positions, one of the bonding stages can be replaced. It becomes possible to perform bonding on the other bonding stage while wafers are being exchanged on one bonding stage, and with a simple configuration, it is possible to reduce the loss of bonding operation time during wafer exchange and increase production volume.
  • the present invention is capable of interrupting bonding to the second wafer placed on the second bonding stage when the first wafer placed on the first bonding stage is cooled to a predetermined temperature.
  • the first bonding stage is moved to the wafer transfer position with the outside of the bonding apparatus, the first wafer is ejected, the third wafer is carried in and placed on the first bonding stage, and then the second wafer is transferred.
  • the third wafer placed on the first bonding stage is heated by a heater, and the second wafer is placed on the second bonding stage. Since bonding of the second wafer placed on the stage and heating of the third wafer placed on the first bonding stage can be performed in parallel, the production loss of wafers due to heating time can be reduced with a simple configuration. can.
  • the temperature of one bonding stage holding a bonded wafer falls to the predetermined cooling temperature and the bonded wafer is not replaced until the other bonding stage completes bonding, the temperature of one bonding stage that is waiting When the next wafer is replaced, the heating start temperature of the bonding stage becomes lower, and it takes time to heat the wafer.
  • the temperature of the bonded wafer while it is on standby becomes lower. The decline can be prevented.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the movement and rotation of the rotary table and the operation of the bonding stage when a wafer is received at the bonding position without moving the XY table in the bonding process.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the movement and rotation of the rotary table and the operation of the bonding stage when a wafer is received at the bonding position without moving the XY table in the bonding process.
  • the transfer arm of the transfer robot is long, for example, the wafer can be exchanged at the bonding position b of the rotary table 25, and the rotary table 25 can transfer the wafer from the bonding position b. There is no need to move to and from position a.
  • step S50 after the bonding of the wafer 51 on the first bonding stage 6 is completed (step S50), the heater of the first bonding stage 6 is turned off. If the cooling function is being used, the cooling mechanism of the first bonding stage 6 is turned on (step S51).
  • the rotary table 25 moves to the rotary table rotation position c (step S52), and after the movable table 25 moves to the rotary table rotation position c, the rotary table 25 is rotated, and the first bonding stage 6 and the second bonding stage are rotated. 8 is replaced (step S53). That is, after the rotary table 25 rotates, the second bonding stage 8 is located on the bonding head side.
  • the rotary table 25 moves to the bonding position b (step S54), and when the second bonding stage 8 rises to the bonding start temperature after the rotary table 25 moves to the bonding position b, bonding is started (step S55).
  • the second bonding stage 8 also monitors the temperature of the first bonding stage 6 during bonding.
  • the cooling of the first bonding stage 6 is performed. Turn off the mechanism. Further, the vacuum suction mechanism of the first bonding stage 6 is turned off, and then the lift pin 13 of the first bonding stage 6 is raised (step S56).
  • the bonded wafer 51 from the first bonding stage 6 is discharged by the transfer robot (step S57).
  • step S58 After the bonded wafer 51 is discharged, the next wafer 51 is received by the first bonding stage 6 as shown by the arrow in FIG. 12(b) (step S58).
  • the vacuum suction mechanism of the first bonding stage 6 is turned ON and the lift pins are lowered to suction the wafer 51 on the first bonding stage 6 (step S59).
  • step S60 Turn on the heater of the first bonding stage 6 (step S60).
  • the heater of the second bonding stage 8 is turned off. Furthermore, if a cooling mechanism is used, the cooling mechanism of the second bonding stage 8 is turned on (step S61).
  • the bonding operation of the second bonding stage 8 is temporarily interrupted. It is also possible to continue the bonding operation of the second bonding stage 8 after the bonded wafer 51 is discharged and the next wafer 51 is received by the first bonding stage 6. For example, the bonding operation may be stopped while the wafer 51 is being replaced in order to avoid the effects of replacing the wafer 51.
  • step S52 the process moves to step S52.
  • step S61 the sequence from step S52 to step S61 is such that the first bonding stage 6 and the second bonding stage 8 are exchanged each time step S61 is completed, and the first bonding stage 6 is replaced with the second bonding stage 8. , the second bonding stage 8 shall be replaced (read) with the first bonding stage 6.
  • the transfer robot can receive the wafer from one bonding stage at the bonding position without moving the moving table 25. Therefore, there is no need to interrupt bonding at the other bonding stage, making it possible to increase the number of wafers produced.
  • the bonding stage includes a first bonding stage and a second bonding stage, and the first bonding stage and the second bonding stage rotate around the ⁇ axis.
  • the first bonding stage and the second bonding stage are arranged opposite to each other via the ⁇ -axis to a rotary table having a ⁇ -axis rotation mechanism capable of rotating the rotary table in the XY direction.
  • a rotary table having a ⁇ -axis rotation mechanism capable of rotating the rotary table in the XY direction.
  • each of the first bonding stage and the second bonding stage is arranged on the rotary table so as to be rotatable about the center of the main surface of the wafer by the stage rotation mechanism, so that the bonding stage is It is sometimes possible to enlarge the bondable area of the first bonding stage or second bonding stage wafer by the rotational movement.
  • the present invention when the first wafer placed on the first bonding stage is cooled to a predetermined temperature, bonding to the second wafer placed on the second bonding stage is interrupted. Then, by moving the rotary table using the XY movement mechanism, the first bonding stage is moved to the wafer transfer position with the outside of the bonding apparatus, the first wafer is ejected, and the third wafer is loaded. The wafer is placed on the first bonding stage, and the rotary table is moved by the XY movement mechanism to restart and continue bonding to the second wafer placed on the second bonding stage.
  • the third wafer placed on the first bonding stage can be placed on the first bonding stage without waiting for the completion of bonding of the second wafer placed on the second bonding stage. It is possible to heat the third wafer. This allows the bonding of the second wafer placed on the second bonding stage and the heating of the third wafer placed on the first bonding stage to be performed in parallel. Wafer production losses due to time can be reduced.
  • the temperature of one bonding stage holding a bonded wafer falls to the predetermined cooling temperature and the bonded wafer is not replaced until the other bonding stage completes bonding, the temperature of one bonding stage that is waiting When the next wafer is replaced, the heating start temperature of the bonding stage becomes lower, and it takes time to heat the wafer.
  • the temperature of the bonded wafer while it is on standby becomes lower. The decline can be prevented.
  • the wafer is heated by interrupting bonding on one bonding stage, placing a new wafer on the bonding stage and heating it, and restarting bonding after placing the wafer on the other bonding stage. and bonding can be performed in parallel.
  • the rotary table when the rotary table is located at the wafer transfer position and the bonding position at the same time, it is possible to receive the wafer from one bonding stage at the bonding position without moving the movable table. Since there is no need to interrupt stage bonding, it is possible to increase the number of wafers produced.
  • Bonding device 1 Bonding device 3 Bonding head 4 Bonding tool (capillary) 5 Bonding stage 6 First bonding stage 8 Second bonding stage 10 Stage rotation mechanism 13 Lift pin (wafer lifting mechanism) 16 Suction hole (vacuum suction mechanism) 25 Rotary table 26 ⁇ -axis rotation mechanism 27 ⁇ -axis 35 XY table (XY movement mechanism) 36 X-axis table 37 X-axis guide 40 Y-axis table 41 Y-axis guide 43 Housing 45 XY moving table 50 Bonding area 51 Wafer a Wafer transfer position b Bonding position c Rotary table rotation position

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Abstract

ウエハ等の基板のバンプ又はワイヤのボンディングにおける基板の生産性を簡素な構成で向上することが可能なボンディング装置及びボンディング方法を提供する。　ボンディングステージ（５）は、第１のボンディングステージ（６）と第２のボンディングステージ（８）とからなり、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージは、θ軸（２７）を中心に回転可能なθ軸回転機構（２６）を有する回転テーブル（２５）にθ軸を介して対向して配されて、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、ボンディング装置（１）は、回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構（３５）を有する。

Description

ボンディング装置及びボンディング方法
　本発明は、ボンディング装置及びボンディング方法に関し、特に、ボンディングステージに載置された基板に対してバンプ又はワイヤをボンディングするボンディング装置及びボンディング方法に関する。
　従来より、半導体チップの電極上に接続端子としてバンプを形成するボンディング装置が知られている。
　特許文献１には、ウエハに形成された半導体チップの電極上にバンプを形成するボンディング方法が開示されている。特許文献１によれば、ボンディングステージを搭載したＸ軸駆動機構によりボンディングステージがウエハを搭載したキャリアテープをマガジンから引き出す位置まで移動し、マガジンから押し出されたキャリアテープをＸ軸駆動機構によりウエハ受け渡し位置まで搬送する。
　その後、ボンディングステージをウエハ受け渡し位置まで移動させて、ボンディングステージにキャリアテープを保持し、Ｘ軸駆動機構によりボンディングステージをボンディングエリアに移動して、予熱後ボンディングを行う。
　ウエハのボンディング終了後に、Ｘ軸駆動機構によりボンディングステージをウエハ受け渡し位置まで搬送し、Ｘ軸駆動機構のアームを使用してキャリアテープを押し出してマガジンに収納する。その後、次にボンディングするキャリアテープをマガジンから引き出して、ボンディングを行う。
特許第６４０９０３３号公報
　バンプ又はワイヤのボンディングでは、ボンディングステージに載置されたウエハの交換を以下の手順で行っている。その際、特に、薄いウエハに対しては急加熱、急冷を行うとウエハが割れてしまう恐れがあるため、温度管理が重要となる。
１．ボンディングステージは、ウエハが熱の影響で割れるのを防止するために、ウエハが割れにくい数１０℃～１００℃程度の温度を維持して、ボンディングステージにウエハを搭載する。
２．ウエハを搭載後にボンディングステージの真空吸着機構をＯＮしてウエハを固定する。
３．また、ボンディングステージのヒータをＯＮしてウエハの加熱を行う。
４．その後ボンディングステージはボンディング位置に移動する。
５．ボンディングステージの温度が所定のボンディング温度に上昇したことを確認し、ボンディングを開始する。
６．ボンディング終了後にボンディングステージのヒータをＯＦＦにする。
７．また、ボンディングステージは冷却位置へ移動する。
８．冷却用エアブローによる冷却又は自然にボンディングステージの温度が冷却の所定温度まで下がるまで待機する。
９．ボンディングステージの温度が数十度～１００℃程度(ウエハが熱の影響で割れにくい温度)まで徐冷されたらウエハをボンディングステージから排出する。
　以上により、ウエハのボンディングステージへの搭載、ボンディング、ボンディング済みウエハの排出が行われる。次のウエハのボンディングに対しても１からの手順を繰り返す。
　上記の手順により、ウエハ１枚のボンディングを行う毎にボンディングステージの温度が待機温度からボンディング温度まで上昇する加熱時間とボンディング温度から待機温度まで下がる冷却時間が必要となり、この加熱及び冷却期間中はボンディングを行うことができないため生産性が低下する。
　このように従来技術では、ウエハがボンディング完了してから冷却、ウエハ交換、ウエハ加熱と、ウエハ交換に時間を要していた。例えば１５０℃から１００℃へ冷却するのに６～７分、ウエハ交換後１００℃から１５０℃へ加熱するのに同じくらいの時間が必要となる。
　このため、ウエハ交換に１３～１５分程度必要とし、その間ボンディングステージはボンディングに使用することができないため、その間ボンディング動作を停止していた。
　このような状況で、本件発明者は、上記課題を改善すべく検討、実験を重ね、従来は、ウエハの交換、ウエハの加熱、ウエハの冷却中にボンディング動作を停止していたが、この状態を解決すべくボンディングステージを、ウエハ交換を行うステージとボンディングを行うステージの２つのステージに分け、２つのボンディングステージが搭載された回転テーブルを回転させてウエハ交換とボンディングを行うステージとを交換して、一方のステージがウエハ交換中に他方のステージでボンディングを行うようにしたことにより、簡素な構成によって、ウエハ交換に伴うボンディング動作時間のロスを減らして、生産数を増加させることが可能となる本発明に想到したものである。
　これにより本発明は、簡素な構成でボンディングにおけるウエハ等の基板の生産性を向上することが可能なボンディング装置及びボンディング方法を提供することを目的とする。
　上記目的達成のため、本発明に係るボンディング装置は、ボンディングステージに載置された基板に対してボンディングヘッドを介してバンプ又はワイヤをボンディングするボンディング装置であって、前記ボンディングステージは、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブルに当該θ軸を介して対向して配されて、前記θ軸回転機構によって前記回転テーブルを前記θ軸を中心に回転させることにより当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、前記ボンディング装置は、前記回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有することを特徴とする。
　また、本発明に係るボンディング装置における前記第１のボンディングステージ及び前記第２のボンディングステージは、前記回転テーブルの回転及びＸＹ方向への移動により、ボンディングエリア及び前記ボンディング装置外との前記基板の受け渡し位置へと移動可能であることを特徴とする。
　また、本発明に係るボンディング装置における前記第１のボンディングステージと前記第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構により前記基板の主面の中心を回転中心として回転自在に前記回転テーブルに配されていることを特徴とする。
　また、本発明に係るボンディング方法は、ボンディングステージに載置されたウエハに対してボンディングヘッドを介してバンプをボンディングするボンディング装置を用いたボンディング方法であって、前記ボンディングステージは、各々ヒータを有して加熱可能に構成された第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブル上に当該θ軸を介して対向して配されて、当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成され、前記ボンディング装置は、前記回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有し、前記第１のボンディングステージに載置されて前記ヒータにより所定温度まで加熱された第１のウエハにバンプをボンディングしつつ、前記第２のボンディングステージに載置された第２のウエハを前記ヒータにより加熱する第１の工程と、ボンディングが完了した前記第１のウエハが載置された前記第１のボンディングステージと、前記第２のウエハが載置された前記第２のボンディングステージとの位置を前記回転テーブルの回転により入れ替える第２の工程と、前記第２のボンディングステージに載置されて前記ヒータにより所定温度まで加熱された前記第２のウエハにバンプをボンディングしつつ、前記第１のボンディングステージに載置された前記第１のウエハが前記ヒータのオフ状態により所定温度まで冷ます第３の工程と、前記第１のボンディングステージに載置された前記第１のウエハが所定温度まで冷めたことにより、前記第２のボンディングステージに載置された前記第２のウエハに対するボンディングを中断して、前記ＸＹ移動機構により前記回転テーブルを移動することにより、前記第１のボンディングステージを前記ボンディング装置外とのウエハの受け渡し位置に移動させて、前記第１のウエハを排出して、第３のウエハを搬入して前記第１のボンディングステージに載置する第４の工程と、前記ＸＹ移動機構により前記回転テーブルを移動させて、前記第２のボンディングステージに載置された前記第２のウエハに対するボンディングを再開して続行しつつ、前記第１のボンディングステージに載置された前記第３のウエハを前記ヒータにより加熱する第５の工程とからなることを特徴とする。
また、本発明に係るボンディング方法における前記第１のボンディングステージと前記第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構により前記ウエハの主面の中心を回転中心として回転自在に前記回転テーブルに配されて、ボンディング時に回転動作により前記ウエハのボンディング可能領域を拡大することを特徴とする。
　本発明によれば、ボンディングステージは、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブルにθ軸を介して対向して配されて、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構であるＸＹテーブルを有することにより、２つのボンディングステージが搭載された回転テーブルを回転して位置を交換することにより、一方のボンディングステージでウエハ交換中に他方のボンディングステージでボンディングを行うことが可能となり、簡素な構成によって、ウエハ交換でのボンディング動作時間のロスを減らして、ウエハの生産数を増加させることが可能である。
　本発明によれば、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構によりウエハの主面の中心を回転中心として回転自在に回転テーブルに配されているため、ボンディング時に回転動作により第１のボンディングステージ又は第２のボンディングステージウエハのボンディング可能領域を拡大することが可能である。
　本発明によれば、第１のボンディングステージに載置された第１のウエハが所定温度まで冷却されたことにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを中断して、ＸＹ移動機構により回転テーブルを移動することにより、第１のボンディングステージをボンディング装置外とのウエハの受け渡し位置に移動させて、第１のウエハを排出して、第３のウエハを搬入して第１のボンディングステージに載置し、ＸＹ移動機構により回転テーブルを移動させて、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを再開して続行しつつ、第１のボンディングステージに載置された第３のウエハをヒータにより加熱することにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハのボンディング完了を待たずに第１のボンディングステージに載置された第３のウエハを加熱することが可能である。これにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハのボンディングと第１のボンディングステージに載置された第３のウエハの加熱とが並行して行えるため、簡素な構成により、加熱時間によるウエハの生産ロスを減らすことができる。
　また、ボンディング済みウエハを有する一方のボンディングステージの温度が冷却の所定温度まで下がって、他方のボンディングステージがボンディングを完了するまでボンディング済みのウエハを交換しないと、待機中の一方のボンディングステージの温度が更に下がってしまい、次のウエハを交換したときにボンディングステージの加熱開始温度が低くなり、ウエハの加熱に時間を要してしまうが、本発明によればボンディング済みのウエハの待機中の温度低下を防ぐことができる。
　また、本発明によれば、一方のボンディングステージのボンディングを中断して新たなウエハをボンディングステージに載置して加熱し、他方のボンディングステージウエハを載置後にボンディングを再開することによりウエハの加熱とボンディングとを並行して行うことができる。
ウエハ等にバンプボンディングを行うボンディング装置の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。 図１に示すボンディング装置のボンディングステージ、回転テーブル、ＸＹテーブルを示す斜視図である。 ボンディング開始時の初期状態での工程を示すフローチャートである。 ボンディング開始時の初期状態での回転テーブル、ボンディングステージの動作を示す図である。 ボンディング開始時の初期状態での回転テーブル、ボンディングステージの動作を示す図である。 ボンディング開始時の初期状態での回転テーブル、ボンディングステージの動作を示す図である。 ボンディング時にステージ回転機構の回転動作によりボンディングステージに載置されたウエハのボンディングエリアの拡大を説明する図である。 ボンディング工程における回転テーブル、ボンディングステージの動作を示すフローチャートである。 ボンディング工程における回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を説明する図である。 ボンディング工程における回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を説明する図である。 ボンディング工程におけるＸＹテーブルの移動無しでボンディング位置でウエハを受け取る場合の回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を示すフローチャートである。 ボンディング工程におけるＸＹテーブルの移動無しでボンディング位置でウエハを受け取る場合の回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を説明する図である。
　以下図面を参照して、本発明によるボンディング装置及びボンディング方法を実施するための形態について説明する。尚、本発明は、ボンディングステージに載置された基板に対してボンディングヘッドを介してバンプ又はワイヤをボンディングするボンディング装置及びボンディング方法であって、ボンディングステージは、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージは、回転テーブルの回転により、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有するようにして、一方のボンディングステージでウエハ交換中に他方のボンディングステージでボンディングを行うことが可能となり、簡素な構成によって、ウエハ等の基板のボンディングにおける生産性を向上することが可能なボンディング装置及びボンディング方法を提供するものである。
　［ボンディング装置の構成］
　最初に、ウエハ等にバンプボンディングを行うボンディング装置の構成について図１及び図２を参照して説明する、図１は、ウエハ等にバンプボンディングを行うボンディング装置の構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。図２は、図１に示すボンディング装置のボンディングステージ、回転テーブル、ＸＹテーブルを示す斜視図である。
　図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、ボンディング装置１は、ボンディングステージ５、回転テーブル２５、ＸＹテーブル３５、ボンディングヘッド３を有している。
　図１及び図２に示すように、ボンディング装置１のボンディングステージ５は、第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８とからなり、第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８の各々は、ステージ回転機構１０、ウエハ昇降機構、真空吸着機構、加熱機構、冷却機構が設けられている。
　図１（ｂ）に点線で示すボンディングステージ５のステージ回転機構１０は、θ回転軸を中心にボンディングステージ５上に載置されたウエハ５１等の基板の主面の中心を回転中心として、図１（ａ）に細い矢印で示すように回転させる機構である。ボンディングステージ５のステージ回転機構１０は、例えば、時計回りの方向に１８０度回転し、その状態で反時計回りの方向に１８０度回転することが可能である。これにより、ボンディングステージ５上に載置されたウエハ５１は、ボンディングヘッド３と反対側の手前に位置するウエハ５１の半分の領域が、ステージ回転機構１０の回転によりボンディングヘッド３側に位置することができる。
　ウエハ昇降機構は、ボンディングステージ５上のウエハ５１を垂直の方向に上昇させる機構である。例えば、図２に示すようにウエハ昇降機構は、ボンディングステージ５の表面の３箇所から棒状のピンであるリフトピン１３が上がってウエハ５１をボンディングステージ５の表面と平行を保った状態で上昇させ、また、リフトピン１３が下がってウエハ５１を下降させる。
　真空吸着機構は、ボンディングステージ５の表面に設けられた複数の吸着孔１６を真空状態として、ボンディングステージ５の表面のウエハ５１を吸着により保持するものである。真空吸着機構は、ＯＮ／ＯＦＦにより真空、大気状態に制御することが可能である。
　加熱機構（図示せず）は、ボンディングステージ５に内蔵されたヒータによりボンディングステージ５の表面を加熱するものである。加熱機構は、ボンディングステージ５の表面温度が所定の温度となるように加熱し、所定の温度に達した以後は、所定の温度を維持するように制御する。
　冷却機構（図示せず）は、ボンディングステージ５の表面温度をエアー等の吹き付けにより下げるものであり、ボンディングステージ５の表面温度が所定温度以下に達した場合には、冷却動作を停止するように制御する。尚、ボンディングステージ５の表面温度を自然状態で下げる場合には、冷却機構を設けなくてもよい。
　図１及び図２に示すボンディング装置１の回転テーブル２５は、水平面と垂直をなすθ軸２７を中心に回転可能なθ軸回転機構２６（図１（ｂ）に点線で示す）を有している。θ軸回転機構２６を有する回転テーブル２５にはθ軸２７を介して第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８が対向して設けられており、図２に太い矢印で示すようにθ軸２７を中心にθ軸回転機構２６により回転することにより、第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８との位置を入れ替えることが可能となっている。
　例えば、回転テーブル２５は、時計方向に１８０度回転することにより第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８との位置が入れ替わり、この状態で、反時計方向に１８０度回転することにより第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８は元の位置に戻る。
　図１及び図２に示すボンディング装置１の筐体４３に載置されたＸＹテーブル３５は、回転テーブル２５をＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有しており、ＸＹ移動機構は、回転テーブル２５をＸ方向に移動するＸ軸テーブル３６と回転テーブル２５をＹ方向に移動するＹ軸テーブル４０とからなる。
　Ｘ軸テーブル３６にはＸ軸ガイド３７が設けられており、Ｘ軸テーブル３６はＸ軸ガイド３７に沿って黒塗りの矢印のＸ軸方向に回転テーブル２５を移動させることができるようになっている。また、Ｙ軸テーブル４０にはＹ軸ガイド４１が設けられており、Ｙ軸テーブル４０はＹ軸ガイド４１に沿って白抜きの矢印のＹ軸方向に回転テーブル２５を移動させることができるようになっている。Ｙ軸テーブル４０にはＸ軸テーブル３６が取り付けられている。ＸＹテーブル３５は、Ｘ軸テーブル３６、Ｙ軸テーブル４０それぞれが単独で駆動することも可能であるが、Ｘ軸テーブル３６とＹ軸テーブル４０とを同時に駆動させてボンディング位置を制御している。尚、ＸＹテーブル３５は、Ｘ軸テーブル３６上にＹ軸テーブル４０を設けるようにしてもよい。
　ＸＹテーブル３５を駆動することにより、回転テーブル２５に配された第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８とを所定の位置であるボンディング位置、ウエハ受け渡し位置、回転テーブル回転位置に移動することが可能である。
　図１に示すように、ボンディング装置１のボンディングヘッド３は、ボンディングエリアに位置する第１のボンディングステージ６、第２のボンディングステージ８のいずれかに搭載されているウエハ５１にボンディングツールとしてのキャピラリ４（図１（ｂ）参照）を用いて、バンプ又はワイヤをボンディングするものであり、ボンディングヘッド３は、ＸＹテーブル３５とは別機構のＸＹ移動テーブル４５に移動可能に取り付けられている。このＸＹ移動テーブル４５により、ボンディングエリアに位置するウエハ５１にバンプ又はワイヤのボンディングを行うことが可能となる。尚、ボンディング装置のボンディングヘッドに関しては公知であり、説明は省略する。
　また、上記のステージ回転機構１０、XY移動機構及びθ軸回転機構２６は、モータ駆動機構、カム機構、スライド機構、移動及び回転停止中にロックを行うロック機構等の組合せにより構成されている。
　尚、ボンディングステージ５へのウエハ５１の交換を行う搬送ロボット（図示せず）は、図１に示すボンディング装置１の紙面上の左側に設置されている。
　以上述べた回転テーブル２５は、第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８とがθ軸２７を中心に対向して配されているが、回転テーブル２５のボンディングステージは２個に限定するものではなく、ボンディングステージを３個以上配することも可能であり、例えば、θ軸２７を中心としてボンディングステージを１２０度毎に三俣状に配して３個設けるようにしてもよい。
　［ボンディング開始時の初期状態での工程］
　次に、ボンディング装置１におけるボンディング開始時の初期状態での第１のボンディングステージ６及び第２のボンディングステージ８へのウエハの搭載及び第１のボンディングステージ６のウエハが所定温度まで上昇後にボンディングが開始されるまでの工程について図面を参照して説明する。図３は、ボンディング開始時の初期状態での工程を示すフローチャートである。図４乃至図６は、ボンディング開始時の初期状態での回転テーブル、ボンディングステージの動作を示す図である。図７は、ボンディング時にステージ回転機構の回転動作によりボンディングステージに載置されたウエハのボンディングエリアの拡大を説明する図である。
　尚、図４（ａ）に示すように、ボンディング装置１におけるボンディング開始時の初期状態では、第１のボンディングステージ６がボンディングヘッド３側に、第２のボンディングステージ８はウエハ受け渡し位置側に位置しているものとする。
　また、以下に述べる回転テーブル２５の位置を示すウエハ受け渡し位置、ボンディング位置及び回転テーブル回転位置は、ＸＹテーブルの原点からの位置を示し、図面上の回転テーブル２５のθ軸２７の場所に、回転テーブル２５がウエハ受け渡し位置に位置しているときにはａの符号、回転テーブル２５がボンディング位置に位置しているときにはｂの符号、回転テーブル２５が回転テーブル回転位置に位置しているときにはｃの符号を用いて回転テーブル２５のそれぞれの位置を示す。尚、回転テーブル回転位置ｃは、回転テーブル２５が第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８との位置を入れ替えるために行う回転動作で、図４（ｃ）に点線の円で示すように回転により回転テーブル２５とボンディングヘッド３を搭載したＸＹ移動テーブル４５との干渉を防ぐために、回転テーブル２５が移動する位置である。
　最初に、図４（ｂ）に示すように、回転テーブル２５を搭載したＸＹテーブル３５が図４（ａ）に示すボンディング位置ｂから回転テーブル回転位置ｃに移動し（図３に示すステップＳ１）、回転テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動後に第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８が搭載されている回転テーブル２５が１８０度回転し、図４（ｃ）に矢印で示すように、第１のボンディングステージ６がウエハ受け渡し位置ａ側へ移動する（ステップＳ２）。
　図４（ｄ）に示すように、回転テーブル２５がウエハ受け渡し位置ａへ移動後に、第１のボンディングステージ６のウエハ昇降機構であるリフトピン１３（図２に示す）が上昇し、搬送ロボットからウエハ５１を受け取る（ステップＳ３）。尚、ボンディングステージ５でのウエハ５１の受け渡しは、搬送ロボットに限らず、ウエハを排出、収納するマガジンを有するエレベータ機構等、他のウエハ交換機構であってもよい。
　図５（ａ）に示すように、ボンディング装置１は、ウエハ５１を受け取り後に第１のボンディングステージ６の真空吸着機構をＯＮにしながらリフトピン１３を下げて、ウエハ５１の吸着を行って第１のボンディングステージ６上にウエハ５１を固定する（ステップＳ４）。
　ウエハ５１を固定した後に第１のボンディングステージ６における加熱機構のヒータをＯＮにしてウエハ５１の加熱を行う（ステップＳ５）。
　図５（ａ）に矢印で示すように、回転テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動し（ステップＳ６）、図５（ｂ）に示すように、回転テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動後に回転テーブル２５が１８０度回転し、図５（ｃ）に矢印で示すように、第２のボンディングステージ８がウエハ受け渡し位置側へ移動する（ステップＳ７）。また、回転テーブル２５が回転後に第１のボンディングステージ６はボンディングヘッド３側に位置する。
　図５（ｄ）に示すように、回転テーブル２５がウエハ受け渡し位置ａへ移動後に、第２のボンディングステージ８のウエハ昇降機構であるリフトピン１３が上昇し、搬送ロボットからウエハ５１を受け取る（ステップＳ８）。
　図６（ａ）に示すように、ウエハ５１を受け取り後に第２のボンディングステージ８の真空吸着機構をＯＮにしながらリフトピンを下げて、ウエハ５１の吸着を行って第２のボンディングステージ８上にウエハ５１を固定する（ステップＳ９）。
　ウエハ５１を固定した後に第２のボンディングステージ８のヒータをＯＮにしてウエハ５１の加熱を行う（ステップＳ１０）。
　図６（ａ）に矢印で示すように、その後回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動する（ステップＳ１１）。これにより図６（ｂ）に示すように、第１のボンディングステージ６のウエハ５１が図７に示すボンディングエリア５０に位置する。
　回転テーブル２５がボンディングエリア５０に移動後に第１のボンディングステージ６が所定温度であるボンディング開始温度まで上昇したら、ボンディングを開始する（ステップＳ１２）。また、第１のボンディングステージ６をボンディング中に第２のボンディングステージ８の温度監視も行う。
　また、図７に示すように、ボンディング時に点線で示すボンディングエリア５０がウエハ５１の全体をカバーしていない場合には、第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８の各々は、ステージ回転機構１０によりウエハ５１の主面の中心を回転中心として回転することができるため、ウエハ５１の半分のエリアをボンディング後に、ボンディングステージ５を１８０度回転させて、残りのウエハの半分のエリアをボンディングすることが可能である。
　これにより、ボンディング時にステージ回転機構１０の回転動作により第１のボンディングステージ６及び第２のボンディングステージ８に載置されたウエハのボンディングエリア５０を拡大することができる。
　以上により、ボンディング装置１におけるボンディング開始時の初期状態での第１のボンディングステージ６及び第２のボンディングステージ８へのウエハ５１の搭載が行われ、第１のボンディングステージ６のウエハ５１が所定温度まで上昇後にボンディングが開始される。
　［ボンディングの工程］
　次に、第１のボンディングステージ６及び第２のボンディングステージ８にウエハが搭載され、第１のボンディングステージ６及び第２のボンディングステージ８におけるボンディング工程を図８乃至図１０を参照して説明する。
　図８は、ボンディング工程における回転テーブル、ボンディングステージの動作を示すフローチャートである。図９及び図１０は、ボンディング工程における回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を説明する図である。
　図８に示すように、第１のボンディングステージ６上のウエハ５１のボンディングが終了し（ステップＳ２０）、ボンディングが終了後に第１のボンディングステージ６のヒータをＯＦＦにする（ステップＳ２１）。また、冷却機能を使用している場合には、第１のボンディングステージ６の冷却機構をＯＮにする。
　図９（ａ）に矢印で示すように、回転テーブル２５がボンディング位置ｂから回転テーブル回転位置ｃに移動し（ステップＳ２２）、回転テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動後に回転テーブル２５が１８０度回転し、図９（ｂ）に示すように、回転により第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８の位置を入れ替える（ステップＳ２３）。即ち、回転テーブル２５が回転後に第２のボンディングステージ８はボンディングヘット３側に位置する。
　図９（ｃ）に矢印で示すように、回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動し（ステップＳ２４）、回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動後に第２のボンディングステージ８が所定温度であるボンディング開始温度まで上昇したら、ボンディングを開始する（ステップＳ２５）。また、第２のボンディングステージ８がボンディング中に第１のボンディングステージ６の冷却中の温度監視も行う。
　第２のボンディングステージ８のボンディングを行っている間に、第１のボンディングステージ６の温度が所定の温度まで下がった場合、第２のボンディングステージ８のボンディング動作を一時中断して（ステップＳ２６）図９（ｄ）に矢印で示すように、回転テーブル２５により第１のボンディングステージ６をウエハ受け渡し位置ａに移動させる（ステップＳ２７）。また、冷却機能を使用している場合には、第１のボンディングステージ６の冷却機構をＯＦＦにする。
　図１０（ａ）に示すように、第１のボンディングステージ６がウエハ受け渡し位置ａに移動し、第１のボンディングステージ６の真空吸着機構をＯＦＦし、その後第１のボンディングステージ６のリフトピンを上昇させる（ステップＳ２８）。
　図１０（ｂ）に矢印で示すように、第１のボンディングステージ６のボンディング済みウエハ５１を搬送ロボットにて排出する（ステップＳ２９）。
　ボンディング済みウエハ５１を排出後に、図１０（ｃ）に矢印で示すように、次のウエハ５１を第１のボンディングステージ６で受け取る（ステップＳ３０）。
　第１のボンディングステージ６の真空吸着機構をＯＮにしながらリフトピンを下げて、第１のボンディングステージ６にてウエハ５１の吸着を行って第１のボンディングステージ６上にウエハ５１を固定する（ステップＳ３１）。
　第１のボンディングステージ６のヒータをＯＮにする（ステップＳ３２）。
　図１０（ｃ）に矢印で示すように、回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動し、図１０（ｄ）に示すように、第２のボンディングステージ８上のウエハ５１のボンディングを再開する（ステップＳ３３）。
　第２のボンディングステージ８上のウエハ５１のボンディングが終了後、第２のボンディングステージ８のヒータをＯＦＦにする（ステップＳ３４）。また、冷却機能を使用している場合には、第２のボンディングステージ８の冷却機構をＯＮにする。
　その後、ステップＳ２２に移行する。尚、ステップＳ２２からステップＳ３４でのシーケンスは、ステップＳ３４完了毎に第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８とを入れ替えるようにし、第１のボンディングステージ６は第２のボンディングステージ８に、第２のボンディングステージ８は第１のボンディングステージ６に置き（読み）替えるものとする。
　以上により、第１のボンディングステージ６のボンディング終了、第２のボンディングステージ８のボンディングの開始及び中断、第１のボンディングステージ６のウエハ５１の排出及び搭載、第２のボンディングステージ８のボンディング再開、第２のボンディングステージ８のボンディング終了、ウエハ５１の排出及び搭載が行われる。
　このように本発明においては、ボンディングステージが、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、２つのボンディングステージが搭載された回転テーブルを回転して位置を交換することにより、一方のボンディングステージでウエハ交換中に他方のボンディングステージでボンディングを行うことが可能となり、簡素な構成でウエハ交換でのボンディング動作時間のロスを減らして、生産数を増加させることが可能である。
　また、本発明は、第１のボンディングステージに載置された第１のウエハが所定温度まで冷却されたことにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを中断して、第１のボンディングステージをボンディング装置外とのウエハの受け渡し位置に移動させて、第１のウエハを排出して、第３のウエハを搬入して第１のボンディングステージに載置しその後第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを再開して続行しつつ、第１のボンディングステージに載置された第３のウエハをヒータにより加熱することにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハのボンディングと第１のボンディングステージに載置された第３のウエハの加熱とが並行して行えるため、簡素な構成によって加熱時間によるウエハの生産ロスを減らすことができる。
　また、ボンディング済みウエハを有する一方のボンディングステージの温度が冷却の所定温度まで下がって、他方のボンディングステージがボンディングを完了するまでボンディング済みのウエハを交換しないと、待機中の一方のボンディングステージの温度が更に下がってしまい、次のウエハを交換したときにボンディングステージの加熱開始温度が低くなり、ウエハの加熱に時間を要してしまうが、本発明によればボンディング済みのウエハの待機中の温度低下を防ぐことができる。
　［回転テーブルのボンディング位置でウエハ交換を行う形態］
　次に、ＸＹテーブル３５の移動無しでボンディング位置でウエハ受け取りことが可能であり、回転テーブル２５がウエハ受け渡し位置とボンディング位置に同時に位置している場合について、回転テーブルのボンディング位置でウエハ交換を行う実施形態について図１１、図１２を参照して説明する。図１１は、ボンディング工程におけるＸＹテーブルの移動無しでボンディング位置でウエハを受け取る場合の回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を示すフローチャートである。図１２は、ボンディング工程におけるＸＹテーブルの移動無しでボンディング位置でウエハを受け取る場合の回転テーブルの移動及び回転、ボンディングステージの動作を説明する図である。
　図８に示すボンディング動作、ウエハ交換動作では、回転テーブル２５がボンディング位置ｂからウエハ受け渡し位置ａに移動する場合や、ウエハ受け渡し位置ａからボンディング位置ｂに移動する場合には、回転テーブル２５の移動動作が必要であったが、例えば、搬送ロボットの移載アームが長いような場合は、回転テーブル２５のボンディング位置ｂでウエハの交換を行うことができ、回転テーブル２５はボンディング位置ｂとウエハ受け渡し位置ａとの間の移動が不要となる。
　以下の説明では、図３に示すボンディング開始時の初期状態での工程は終了しているものとする。図１１に示すように、第１のボンディングステージ６上のウエハ５１のボンディングが終了後、（ステップＳ５０）、第１のボンディングステージ６のヒータをＯＦＦにする。また、冷却機能を使用している場合には、第１のボンディングステージ６の冷却機構をＯＮにする（ステップＳ５１）。
　回転テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動し（ステップＳ５２）、移動テーブル２５が回転テーブル回転位置ｃに移動後に回転テーブル２５を回転させ、回転により第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８の位置を入れ替える（ステップＳ５３）。即ち、回転テーブル２５が回転後に第２のボンディングステージ８はボンディングヘット側に位置する。
　回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動し（ステップＳ５４）、回転テーブル２５がボンディング位置ｂに移動後に第２のボンディングステージ８がボンディング開始温度まで上昇したら、ボンディングを開始する（ステップＳ５５）。また、第２のボンディングステージ８がボンディング中に第１のボンディングステージ６の温度監視も行う。
　第２のボンディングステージ８のボンディングを行っている間に、第１のボンディングステージ６の温度が所定温度まで下がったときには、冷却機能を使用している場合には、第１のボンディングステージ６の冷却機構をＯＦＦにする。また、第１のボンディングステージ６の真空吸着機構をＯＦＦし、その後第１のボンディングステージ６のリフトピン１３を上昇させる（ステップＳ５６）。
　尚、ステップＳ５６で第１のボンディングステージ６の温度が目標温度まで下がった場合でも、第２のボンディングステージ８のボンディング動作を中断することなく継続する。
　図１２（ａ）に矢印で示すように、第１のボンディングステージ６のボンディング済みウエハ５１を搬送ロボットにて排出する（ステップＳ５７）。
　ボンディング済みウエハ５１を排出後に、図１２（ｂ）に矢印で示すように、次のウエハ５１を第１のボンディングステージ６で受け取る（ステップＳ５８）。
　第１のボンディングステージ６の真空吸着機構をＯＮにしながらリフトピンを下げて、第１のボンディングステージ６にてウエハ５１の吸着を行う（ステップＳ５９）。
　第１のボンディングステージ６のヒータをＯＮにする（ステップＳ６０）。
　第２のボンディングステージ８上のウエハ５１のボンディングが終了後、第２のボンディングステージ８のヒータをＯＦＦにする。また、冷却機構を使用している場合には、第２のボンディングステージ８の冷却機構をＯＮにする（ステップＳ６１）。
　尚、ステップＳ５６で第２のボンディングステージ８のボンディングを行っている間に、第１のボンディングステージ６の温度が目標温度まで下がったときには、第２のボンディングステージ８のボンディング動作を一時中断して、ボンディング済みウエハ５１を排出し、次のウエハ５１を第１のボンディングステージ６で受け取り後に、第２のボンディングステージ８のボンディング動作を継続することも可能である。例えば、ウエハ５１の交換に伴う影響を避けるために、ウエハ５１の交換中のボンディング動作を停止してもよい。
　その後、ステップＳ５２に移行する。尚、ステップＳ５２からステップＳ６１でのシーケンスは、ステップＳ６１完了毎に第１のボンディングステージ６と第２のボンディングステージ８とを入れ替えるようにし、第１のボンディングステージ６は第２のボンディングステージ８に、第２のボンディングステージ８は第１のボンディングステージ６に置き（読み）替えるものとする。
　このように、回転テーブル２５がウエハ受け渡し位置ａとボンディング位置ｂに同時に位置している場合には、搬送ロボットによって移動テーブル２５の移動無しでボンディング位置で一方のボンディングステージのウエハ受け取りことが可能でるため、他方のボンディングステージのボンディングを中断する必要がないため、ウエハの生産数を増やすことが可能となる。
　以上述べたように、本発明によれば、ボンディングステージは、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブルにθ軸を介して対向して配されて、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構であるＸＹテーブルを有することにより、２つのボンディングステージが搭載された回転テーブルを回転して位置を交換することにより、一方のボンディングステージでウエハ交換中に他方のボンディングステージでボンディングを行うことが可能となり、簡素な構成によって、ウエハ交換でのボンディング動作時間のロスを減らして、ウエハの生産数を増加させることが可能である。
　また、本発明によれば、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構によりウエハの主面の中心を回転中心として回転自在に回転テーブルに配されているため、ボンディング時に回転動作により第１のボンディングステージ又は第２のボンディングステージウエハのボンディング可能領域を拡大することが可能である。
　また、本発明によれば、第１のボンディングステージに載置された第１のウエハが所定温度まで冷却されたことにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを中断して、ＸＹ移動機構により回転テーブルを移動することにより、第１のボンディングステージをボンディング装置外とのウエハの受け渡し位置に移動させて、第１のウエハを排出して、第３のウエハを搬入して第１のボンディングステージに載置し、ＸＹ移動機構により回転テーブルを移動させて、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハに対するボンディングを再開して続行しつつ、第１のボンディングステージに載置された第３のウエハをヒータにより加熱することにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハのボンディング完了を待たずに第１のボンディングステージに載置された第３のウエハを加熱することが可能である。これにより、第２のボンディングステージに載置された第２のウエハのボンディングと第１のボンディングステージに載置された第３のウエハの加熱とが並行して行えるため、簡素な構成で、加熱時間によるウエハの生産ロスを減らすことができる。
　また、ボンディング済みウエハを有する一方のボンディングステージの温度が冷却の所定温度まで下がって、他方のボンディングステージがボンディングを完了するまでボンディング済みのウエハを交換しないと、待機中の一方のボンディングステージの温度が更に下がってしまい、次のウエハを交換したときにボンディングステージの加熱開始温度が低くなり、ウエハの加熱に時間を要してしまうが、本発明によればボンディング済みのウエハの待機中の温度低下を防ぐことができる。
　また、本発明によれば、一方のボンディングステージのボンディングを中断して新たなウエハをボンディングステージに載置して加熱し、他方のボンディングステージウエハを載置後にボンディングを再開することによりウエハの加熱とボンディングとを並行して行うことができる。
　また、本発明は、回転テーブルがウエハ受け渡し位置とボンディング位置に同時に位置している場合には、移動テーブルの移動無しでボンディング位置で一方のボンディングステージのウエハ受け取りことが可能でるため、他方のボンディングステージのボンディングを中断する必要がないため、ウエハの生産数を増やすことが可能となる。
　この発明は、その本質的特性から逸脱することなく数多くの形式のものとして具体化することができる。よって、上述した実施形態は専ら説明上のものであり、本発明を制限するものではないことは言うまでもない。
１　　　ボンディング装置
３　　　ボンディングヘッド
４　　　ボンディングツール（キャピラリ）
５　　　ボンディングステージ
６　　　第１のボンディングステージ
８　　　第２のボンディングステージ
１０　　ステージ回転機構
１３　　リフトピン（ウエハ昇降機構）
１６　　吸着孔（真空吸着機構）
２５　　回転テーブル
２６　　θ軸回転機構
２７　　θ軸
３５　　ＸＹテーブル（ＸＹ移動機構）
３６　　Ｘ軸テーブル
３７　　Ｘ軸ガイド
４０　　Ｙ軸テーブル
４１　　Ｙ軸ガイド
４３　　筐体
４５　　ＸＹ移動テーブル
５０　　ボンディングエリア
５１　　ウエハ
ａ　　　ウエハ受け渡し位置
ｂ　　　ボンディング位置
ｃ　　　回転テーブル回転位置

 

Claims (5)

  1. 　ボンディングステージに載置された基板に対してボンディングヘッドを介してバンプ又はワイヤをボンディングするボンディング装置であって、
    　前記ボンディングステージは、第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、
    　当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブルに当該θ軸を介して対向して配されて、前記θ軸回転機構によって前記回転テーブルを前記θ軸を中心に回転させることにより当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成されており、
    　前記ボンディング装置は、前記回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有することを特徴とするボンディング装置。
  2. 　前記第１のボンディングステージ及び前記第２のボンディングステージは、前記回転テーブルの回転及びＸＹ方向への移動により、ボンディングエリア及び前記ボンディング装置外との前記基板の受け渡し位置へと移動可能であることを特徴とする請求項１に記載のボンディング装置。
  3. 　前記第１のボンディングステージと前記第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構により前記基板の主面の中心を回転中心として回転自在に前記回転テーブルに配されていることを特徴とする請求項１に記載のボンディング装置。
  4. 　ボンディングステージに載置されたウエハに対してボンディングヘッドを介してバンプをボンディングするボンディング装置を用いたボンディング方法であって、
    　前記ボンディングステージは、各々ヒータを有して加熱可能に構成された第１のボンディングステージと第２のボンディングステージとからなり、
    当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージは、θ軸を中心に回転可能なθ軸回転機構を有する回転テーブル上に当該θ軸を介して対向して配されて、当該第１のボンディングステージと当該第２のボンディングステージとの位置を入れ替え可能に構成され、
    前記ボンディング装置は、前記回転テーブルをＸＹ方向に移動可能なＸＹ移動機構を有し、
    　前記第１のボンディングステージに載置されて前記ヒータにより所定温度まで加熱された第１のウエハにバンプをボンディングしつつ、前記第２のボンディングステージに載置された第２のウエハを前記ヒータにより加熱する第１の工程と、
    　ボンディングが完了した前記第１のウエハが載置された前記第１のボンディングステージと、前記第２のウエハが載置された前記第２のボンディングステージとの位置を前記回転テーブルの回転により入れ替える第２の工程と、
    　前記第２のボンディングステージに載置されて前記ヒータにより所定温度まで加熱された前記第２のウエハにバンプをボンディングしつつ、前記第１のボンディングステージに載置された前記第１のウエハが前記ヒータのオフ状態により所定温度まで冷ます第３の工程と、
    　前記第１のボンディングステージに載置された前記第１のウエハが所定温度まで冷めたことにより、前記第２のボンディングステージに載置された前記第２のウエハに対するボンディングを中断して、前記ＸＹ移動機構により前記回転テーブルを移動することにより、前記第１のボンディングステージを前記ボンディング装置外とのウエハの受け渡し位置に移動させて、前記第１のウエハを排出して、第３のウエハを搬入して前記第１のボンディングステージに載置する第４の工程と、
    　前記ＸＹ移動機構により前記回転テーブルを移動させて、前記第２のボンディングステージに載置された前記第２のウエハに対するボンディングを再開して続行しつつ、前記第１のボンディングステージに載置された前記第３のウエハを前記ヒータにより加熱する第５の工程と
    からなることを特徴とするボンディング方法。
  5. 　前記第１のボンディングステージと前記第２のボンディングステージの各々は、ステージ回転機構により前記ウエハの主面の中心を回転中心として回転自在に前記回転テーブルに配されて、ボンディング時に回転動作により前記ウエハのボンディング可能領域を拡大することを特徴とする請求項４に記載のボンディング方法。

     
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