WO2017188336A1 - 三次元成形回路部品 - Google Patents

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WO2017188336A1
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thin film
dimensional molded
circuit component
molded circuit
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遊佐　敦
智史 山本
朗子 鬼頭
寛紀 太田
英斗 後藤
直樹 臼杵
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日立マクセル株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a three-dimensional molded circuit component in which a circuit pattern is formed on a base material including a metal part and a resin part.
  • MID Mobile Interconnected Device
  • MID is a device in which a three-dimensional circuit is formed on a surface of a molded body with a metal film, and can contribute to reducing the weight and thickness of a product and reducing the number of parts.
  • LEDs light emitting diodes
  • Patent Document 1 proposes a composite part in which MID and a metal heat dissipation material are integrated. According to Patent Document 1, this composite component achieves both heat dissipation and miniaturization of MID. On the other hand, the adhesion between a metal with high heat dissipation and a resin material is generally low.
  • Patent Document 2 proposes nanomolding technology (NMT) that improves the adhesion between a metal and a resin material. In nano molding technology (NMT), a metal surface is chemically roughened to provide nano-level irregularities and then integrally molded with a resin material.
  • NMT nanomolding technology
  • Patent Document 2 when nanomolding technology (NMT) is used, the contact area of the joint interface between the metal and the resin material is remarkably enlarged to improve the adhesion, and between the metal and the resin material in the heat shock test. Peeling is suppressed, and heat dissipation is improved.
  • Patent Document 3 proposes an LED heat dissipation lamp manufactured by joining a metal and a resin material using nano molding technology (NMT).
  • the present invention solves these problems, and provides a three-dimensional molded circuit component that has high heat dissipation, is easy to mold, and has high productivity.
  • a three-dimensional molded circuit component comprising a base material including a metal part and a resin part, a circuit pattern formed on the resin part, and the base material
  • a mounting component that is mounted and electrically connected to the circuit pattern is included, and the resin portion includes, as a part thereof, a thermoplastic resin having a thickness of 0.01 mm to 0.5 mm.
  • a three-dimensional molded circuit component comprising a resin thin film, wherein the resin thin film is formed on the metal part, and the mounting component is disposed on the metal part via the resin thin film.
  • the area of the resin thin film per one mounted component arranged on the resin thin film may be 0.1 cm 2 to 25 cm 2 .
  • the base material may be an integrally formed body of the metal part and the resin part.
  • the three-dimensional molded circuit component is a base material including a metal portion and a resin portion, a circuit pattern formed on the resin portion, and the metal portion.
  • a formed three-dimensional circuit having a resin thin film containing a thermosetting resin or a photocurable resin, and a mounting component mounted on the resin thin film and electrically connected to the circuit pattern. Parts are provided.
  • the thickness of the resin thin film may be 0.01 mm to 0.5 mm.
  • the resin thin film may contain an insulating heat dissipation material.
  • the resin portion may include a foam cell, and the resin thin film may not substantially include the foam cell.
  • the metal part may be a heat radiating fin.
  • the mounting component may be an LED.
  • a nickel phosphorous film may be formed on the surface of the metal part.
  • the recessed part is divided on the said base material by the side wall formed with the said resin part, and the bottom formed with the said resin thin film.
  • One mounting component may be mounted on the recess, and the shape and area of the bottom of the recess may be substantially the same as the shape and area of the surface of the mounting component that contacts the bottom.
  • the present invention provides a three-dimensional molded circuit component that has high heat dissipation, is easy to mold, and has high productivity.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a three-dimensional molded circuit component manufactured in the first embodiment.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the periphery of the mounted component in the schematic cross-sectional view of the three-dimensional molded circuit component shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of another example of the three-dimensional molded circuit component manufactured in the first embodiment.
  • 4A and 4B are schematic cross-sectional views of still another example of the three-dimensional molded circuit component manufactured in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a three-dimensional molded circuit component manufactured in Modification 1 of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a three-dimensional molded circuit component manufactured in Modification 2 of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a three-dimensional molded circuit component manufactured in the second embodiment.
  • the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 includes a base material 10 including a metal part 11 and a resin part 12, a circuit pattern 14 formed of a plating film on the resin part 12, and a recess 13 formed on the base material 10. And a mounting component 15 that is electrically connected to the circuit pattern 14.
  • the side wall 13 a of the recess 13 is formed by the resin portion 12, and the bottom 13 b of the recess 13 is formed by the resin thin film 16.
  • the mounting component 15 is disposed on the metal part 11 via the resin thin film 16.
  • the resin thin film 16 is a part of the resin portion 12. Therefore, the resin thin film 16 is formed of the same resin as the resin portion 12.
  • any material can be used as the base material 10 as long as the metal part 11 and the resin part 12 are joined together.
  • the metal part 11 and the resin part 12 are integrally molded. Use the body.
  • integral molding means not the adhesion and joining (secondary adhesion or mechanical joining) of separately created members, but the process of joining each member when molding the member (typically insert molding). To do.
  • the metal part 11 radiates heat generated by the mounting component 15 mounted on the base material 10. Therefore, it is preferable to use a metal with heat dissipation for the metal part 11, and for example, iron, copper, aluminum, titanium, magnesium, stainless steel (SUS), or the like can be used.
  • a metal with heat dissipation for the metal part 11 for example, iron, copper, aluminum, titanium, magnesium, stainless steel (SUS), or the like can be used.
  • SUS stainless steel
  • magnesium and aluminum are preferably used from the viewpoints of weight reduction, heat dissipation, and cost. These metals may be used alone or in combination of two or more.
  • Resin portion 12 insulates circuit pattern 14 formed thereon and metal portion 11 which is a conductor.
  • the resin part 12 is preferably made of a heat-resistant, high melting point thermoplastic resin having solder reflow resistance.
  • aromatic polyamides such as 6T nylon (6TPA), 9T nylon (9TPA), 10T nylon (10TPA), 12T nylon (12TPA), MXD6 nylon (MXDPA), and alloy materials thereof, polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymer (LCP), polyetheretherketone (PEEK), polyetherimide (PEI) and the like can be used.
  • These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin thin film 16 on which the mounting component 15 is mounted by soldering is a part of the resin portion 12.
  • the resin used for the resin portion 12 preferably has a melting point of 260 ° C. or higher, and more preferably 290 ° C. or higher so that soldering is possible. Note that this is not the case when low-temperature solder is used for mounting the mounting component 15.
  • these thermoplastic resins may contain an inorganic filler such as a glass filler or a mineral filler.
  • the shapes and sizes of the metal part 11 and the resin part 12 can be set to arbitrary shapes and sizes depending on the application of the three-dimensional molded circuit component 100. Since the circuit pattern 14 is three-dimensionally formed on the resin portion 12, the resin portion 12 has a plurality of surfaces or a three-dimensional surface including a spherical surface.
  • a resin portion 12 that is a thermoplastic resin layer is integrally formed on a metal portion 11 that is a bent metal plate. Thereby, the thermoplastic resin layer (resin portion 12) is bent along the bent metal plate (metal portion 11) and has a plurality of surfaces.
  • the thickness t 11 of the metal plate (metal part 11) is a thickness in a direction perpendicular to the interface with the resin part 12.
  • the thickness t 12 of the thermoplastic resin layer (resin part 12), from the standpoint of ease of molding, is for example 0.5mm or more, preferably at least 1mm Ku, while the view of cost, for example 5mm or less Yes, it is preferably 3 mm or less.
  • the thickness t 12 of the thermoplastic resin layer (resin portion 12) is the thickness of the portion other than the recess 13 where the mounting component 15 is mounted, and the thickness in the direction perpendicular to the interface with the metal portion 11. That's it.
  • the thermoplastic resin layer (resin portion 12) is provided to insulate the circuit pattern 14 and the metal portion 11, the thermoplastic resin layer (resin portion 12) is provided on the portion where the circuit pattern 14 is not formed. It does not have to be provided.
  • the metal part 11 is not limited to a metal plate, and it is also possible to use a metal having a complicated shape formed by die casting.
  • the circuit pattern 14 is preferably formed by electroless plating because it is formed on the resin part 12 which is an insulator. Therefore, the circuit pattern 14 may include, for example, an electroless plating film such as an electroless nickel phosphorus plating film, an electroless copper plating film, and an electroless nickel plating film, and among them, may include an electroless nickel phosphorus plating film. preferable.
  • an electroless plating film such as an electroless nickel phosphorus plating film, an electroless copper plating film, and an electroless nickel plating film, and among them, may include an electroless nickel phosphorus plating film. preferable.
  • a nickel phosphorous film (electroless nickel phosphorous plating film) 18 can be simultaneously formed on the surface of the metal part 11 and the corrosion resistance of the metal part 11 can be improved.
  • the circuit pattern 14 may be further laminated with another type of electroless plating film or electrolytic plating film on the electroless plating film.
  • the plating film laminated on the electroless plating film is preferably an electroless copper plating film, an electrolytic copper plating film, an electrolytic nickel plating film, or the like.
  • a plating film of tin, gold, silver, or the like may be formed on the outermost surface of the circuit pattern 14.
  • the circuit pattern 14 is three-dimensionally formed over a plurality of surfaces of the resin portion 12 or along a three-dimensional surface including a spherical surface.
  • the circuit pattern 14 is a three-dimensional electric circuit that is three-dimensionally formed over a plurality of surfaces of the resin portion 12 or along a three-dimensional surface including a spherical surface and has conductivity.
  • the circuit pattern 14 may be formed on the side wall 13 a and the bottom 13 b of the recess 13 in order to be electrically connected to the mounting component 15 mounted in the recess 13.
  • the mounting component 15 is electrically connected to the circuit pattern 14 by the solder 17 and generates heat when energized to become a heat generation source.
  • the mounting component 15 include an LED (light emitting diode), a power module, an IC (integrated circuit), and a thermal resistance.
  • an LED is used as the mounting component 15.
  • the three-dimensional molded circuit component 100 of the present embodiment can efficiently dissipate the heat generated by the LED even if an LED with a large calorific value is used as a mounting component. Further, the LED generates heat from the back surface opposite to the light emitting surface.
  • the three-dimensional molded circuit component 100 of the present embodiment can efficiently dissipate the heat generated by the LED by disposing the metal part 11 serving as a heat dissipation member on the back side of the LED (mounting component 15).
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 13 formed on the base material 10.
  • One mounting component 15 may be mounted on one recess 13, or a plurality of mounting components 15 may be mounted.
  • the side wall 13 a of the recess 13 is formed by the resin portion 12, and the bottom 13 b of the recess 13 is formed by the resin thin film 16.
  • the mounting component 15 is disposed on the metal part 11 via the resin thin film 16.
  • the resin thin film 16 is a part of the resin portion 12. That is, in this embodiment, the recessed part 13 is formed in a thermoplastic resin layer (resin part 12), and the resin thin film 16 is a thin part of the thermoplastic resin layer. Therefore, the resin thin film 16 is formed of the same thermoplastic resin as the resin portion 12.
  • the metal part 11 and the resin part 12 including the resin thin film 16 constitute the base material 10.
  • the thickness t 16 of the resin film 16 is 0.01 mm ⁇ 0.5 mm. Since the resin material having a heat insulating property, the thickness t 16 of the resin thin film 16 is from 1 to about 5mm in thickness of a general injection molded articles, it is insufficient heat dissipation. The thickness t 16 of the resin film 16 by a 0.5mm or less, the heat mount components 15 emits sufficiently radiated by the metal part 11. Further, since the mounting component 15 is electrically connected to the circuit pattern 14, the wiring may also be formed on the resin thin film 16 by a plating film.
  • the resin thin film 16 needs to have a thickness that prevents the film from penetrating by laser drawing. Furthermore, since the resin thin film 16 of this embodiment is shape
  • the thickness of the average value of the resin thin film 16 is 0.01 mm ⁇ 0.5 mm, preferably, 0.1 mm ⁇ 0. 2 mm.
  • the average value (average thickness) of the resin thin film 16 is, for example, three thicknesses of the resin thin film 16 in the cross section of the resin thin film 16 in the direction perpendicular to the interface between the resin thin film 16 and the metal part 11. Or more, and can be obtained as an average value of the measured values.
  • the thickness t 16 of the resin film 16 is preferably fluctuates within a range of 0.01 mm ⁇ 0.5 mm, 0.
  • the resin thin film 16 may be an area where the thickness t 16 is in the range of 0.1 mm to 0.2 mm, preferably in the range of 0.1 mm to 0.2 mm.
  • Area of the resin film 16, i.e., the area of the bottom 13b of the recess 13, per mounted component 15,1 pieces disposed on the resin film 16 is preferably 0.1cm 2 ⁇ 25cm 2.
  • the resin thin film 16 with high heat dissipation is limited to the portion where the mounting component 15 is mounted. As a result, the thin film portion that is difficult to form is minimized, the ease of forming is increased, and as a result, the productivity of the three-dimensional formed circuit component is increased.
  • the area of the resin thin film 16 is, for example, the area of the region S 16 having a thickness t 16 that is thinner than the thickness t 12 of the surrounding resin portion 12 as shown in FIG. This is the area of the bottom 13b.
  • the area S 16 is not limited to the area where mounting components 15 are in contact, as shown in FIG. 2, the mounting part 15 may be a wider space than S 15 in contact.
  • the recess 13 can be used as a positioning recess for the mounting position of the mounting component 15.
  • the mounting position of the mounting component must be determined in three directions, and it is difficult to position the mounting position as compared with the two-dimensional circuit (planar circuit).
  • the mounting position can be easily detected by setting the mounting position of the mounting component 15 as a recess.
  • the recess 13 is used as a positioning recess for the mounting component 15, for example, as shown in FIG. 3, one mounting component 15 is mounted on one recess 13, and the shape of the bottom 13 b of the recess 13 is formed.
  • the area is preferably substantially the same as the shape and area of the surface of the mounting component 15 in contact with the bottom 13b.
  • the area of the resin thin film 16 (area of the region S 16 ) is substantially the same as the area of the region S 15 in contact with the mounting component 15. This further facilitates positioning of the mounting position of the mounting component 15.
  • the nickel phosphorous film 18 may be formed on the surface of the metal part 11 of the present embodiment. Since the nickel phosphorous film 18 has high corrosion resistance, the corrosion resistance of the metal part 11 can be improved.
  • the base material 10 including the metal part 11 and the resin part 12 is manufactured.
  • the base material 10 is manufactured by insert molding (integral molding) in which a resin part 12 is formed by injection filling a thermoplastic resin in a mold in which the metal part 11 is first arranged.
  • nano molding technology (NMT) disclosed in Patent Document 2 or 3 may be used.
  • the surface shape of the metal part 11 and the resin part 12 may be a shape that does not physically separate.
  • the resin thin film 16 is a part of the resin portion 12, and the recess 13 is formed on the surface of the resin portion 12. Therefore, in this embodiment, the resin part 12 including the resin thin film 16 is molded using a mold in which a convex part corresponding to the concave part 13 is formed in the cavity.
  • a circuit pattern 14 formed of a plating film is formed on the resin portion 12.
  • the method for forming the circuit pattern 14 is not particularly limited, and a general-purpose method can be used. For example, patterning the plating film with photoresist and removing the plating film other than the circuit pattern by etching, irradiating the part where the circuit pattern is to be formed with a laser beam, or roughening the substrate And a method of forming a plating film only on the portion irradiated with laser light.
  • the circuit pattern 14 is formed by the method described below. First, a catalytic activity blocking layer is formed on the surface of the resin portion 12. Next, a portion where the electroless plating film is formed, that is, a portion where the circuit pattern 14 is formed is laser-drawn on the surface of the resin portion 12 on which the catalytic activity blocking layer is formed. An electroless plating catalyst is applied to the surface of the resin portion 12 drawn by laser, and then an electroless plating solution is contacted. In this method, the catalytic activity blocking layer prevents (blocks) the catalytic activity of the electroless plating catalyst applied thereon. For this reason, formation of an electroless plating film is suppressed on the catalytic activity interference layer. On the other hand, since the disturbing layer is removed from the laser drawing portion, an electroless plating film is generated. Thereby, the circuit pattern 14 can be formed on the surface of the resin portion 12 by the electroless plating film.
  • the catalytic activity interference layer preferably includes, for example, a polymer having at least one of an amide group and an amino group (hereinafter, appropriately described as “amide group / amino group-containing polymer”).
  • the amide group / amino group-containing polymer acts as a catalytic activity hindering agent that prevents (impedes) or reduces the catalytic activity of the electroless plating catalyst.
  • the mechanism by which the amide group / amino group-containing polymer hinders the catalytic activity of the electroless plating catalyst is not clear, but the amide group and amino group are adsorbed, coordinated, reacted, etc. on the electroless plating catalyst. It is estimated that the plating catalyst can no longer act as a catalyst.
  • Any amide group / amino group-containing polymer can be used.
  • a polymer having an amide group is preferable, and a branched polymer having a side chain is preferable.
  • the side chain preferably contains at least one of an amide group and an amino group, and the side chain more preferably contains an amide group.
  • the branched polymer is preferably a dendritic polymer. Dendritic polymers are polymers composed of molecular structures that frequently repeat regular branching, and are classified into dendrimers and hyperbranched polymers.
  • a dendrimer is a spherical polymer with a diameter of several nanometers with a structure that is regularly and completely dendritically centered on a core molecule, and a hyperbranched polymer is different from a dendrimer having a complete dendritic structure.
  • a polymer with complete dendritic branching is preferable as a branched polymer of this embodiment because it is relatively easy to synthesize and is inexpensive.
  • the laser beam and electroless plating catalyst used for laser drawing are not particularly limited, and general-purpose ones can be appropriately selected and used.
  • the electroless plating solution is not particularly limited, and a general-purpose one can be appropriately selected and used, but a neutral electroless nickel phosphorus plating solution is preferable for the reason described below.
  • the “neutral” electroless nickel phosphorus plating solution refers to, for example, an electroless nickel phosphorus plating solution having a pH of 5.5 to 7.0. According to the study by the present inventors, it has been found that the metal part 11 may be corroded and corroded by the electroless plating solution depending on the type of metal used. For example, when an alkaline electroless copper plating solution is used, corrosion does not occur when magnesium is used for the metal part 11, but corrosion occurs when aluminum is used.
  • the range of selection of the metal used for the metal part 11 is widened.
  • aluminum cheaper than magnesium can be used for the metal part 11.
  • a weakly acidic electroless nickel phosphorus plating solution having a pH of about 4.0 to 5.5 may be used. In this case, since the growth rate of the nickel phosphorus plating film on the aluminum surface is faster than the rate of aluminum erosion by the acidic solution, the plating film can be coated and the aluminum is not damaged.
  • Aluminum is known to have improved corrosion resistance by an anodic oxidation method (alumite treatment) in which an oxide film is formed on the surface, but the alumite treatment causes an increase in cost.
  • alumite treatment an anodic oxidation method
  • the nickel phosphorous film 18 can be formed on the aluminum surface simultaneously with the formation of the circuit pattern 14. 11 corrosion resistance can be improved.
  • another type of electroless plating film or electrolytic plating film may be further laminated on the electroless plating film.
  • the nickel phosphorous film 18 is formed on the surface of the metal part 11, corrosion of the metal part 11 by another electroless plating solution or electrolytic plating solution can be suppressed.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 13 formed on the base material 10 and is electrically connected to the circuit pattern 14. Thereby, the three-dimensional molded circuit component 100 of this embodiment is obtained.
  • the mounting method is not particularly limited, and a general-purpose method can be used. For example, a solder reflow method in which the substrate 10 in which the mounting component 15 is arranged in a high-temperature reflow furnace is passed, or laser light is applied to the substrate 10 and the mounting component.
  • the mounting component 15 may be soldered to the substrate 10 by a laser soldering method (spot mounting) in which soldering is performed by irradiating the interface 15.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 13 formed on the base material 10, but the present embodiment is not limited to this.
  • the mounting component 15 is mounted.
  • the component 15 does not necessarily have to be mounted in the recess. Even if the mounting component 15 is not mounted in the recess, the metal part 11 can sufficiently dissipate the heat generated by the mounting component 15 by mounting it on the resin thin film 16.
  • the resin portion 32 includes a foam cell 39.
  • the resin thin film 36 does not substantially contain foam cells.
  • “the resin thin film 36 substantially does not include foam cells” means that the resin thin film 36 does not include foam cells at all, and the resin thin film 36 does not adversely affect the heat dissipation and reflow. Including a small amount of foam cells.
  • the density of the foam cells contained in the resin thin film 36 is the same as that of the foam cells 39 included in the resin portion 32 of the portion other than the resin thin film 36. Lower than density.
  • the configuration of the three-dimensional molded circuit component 300 other than the resin portion 32 is the same as that of the three-dimensional molded circuit component 100.
  • the resin part 32 includes the foamed cells 39, so that the weight of the entire component can be reduced and the dimensional accuracy can be improved.
  • the resin thin film 36 substantially does not include the foam cell 39, the heat dissipation of the resin thin film 36 is maintained.
  • the base material 30 including the metal part 11 and the resin part 32 is manufactured by integral molding.
  • the resin portion 32 is foam-molded.
  • the resin part 32 is preferably foam-molded using a physical foaming agent such as carbon dioxide or nitrogen.
  • a physical foaming agent such as carbon dioxide or nitrogen.
  • chemical foaming agents and physical foaming agents as types of foaming agents.
  • chemical foaming agents have a low decomposition temperature, it is difficult to foam a resin material having a high melting point.
  • the resin portion 32 it is preferable to use a resin having a high melting point and high heat resistance. If a physical foaming agent is used, the resin part 32 can be foam-molded using a high melting point resin.
  • MuCell registered trademark
  • a low-pressure foam molding method that eliminates the need for high-pressure equipment proposed by the present inventors (for example, in WO2013 / 027615) Can be used.
  • the melted resin viscosity is lowered by the dissolution of the physical foaming agent.
  • the flow of the molten resin in a narrow region corresponding to the resin thin film 36 in the mold cavity is promoted, and the resin thin film 36 can be easily molded.
  • the foamed cell is difficult to grow because the solidification speed of the molten resin is high. As a result, the foamed cells 39 are hardly formed on the resin thin film 36.
  • the thickness t 36 of the resin thin film 36 is preferably 0.01 mm to 0.3 mm, more preferably 0.01 mm to 0.2 mm, and Even more preferred is 01 mm to 0.1 mm.
  • the circuit pattern 14 formed of a plating film is formed on the resin portion 32 by the same method as the above-described three-dimensional molded circuit component 100.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 33 formed on the base material 30 and electrically connected to the circuit pattern 14.
  • the three-dimensional molded circuit component 300 of this modification is obtained.
  • spot mounting For example, when the mounting component 15 is mounted by the solder reflow method, it is necessary to pass the substrate 30 through a reflow furnace having a temperature of 230 to 240 ° C. or more.
  • the surface of the resin portion 32 that is a foamed molded body may swell due to expansion of moisture or the like inside.
  • the laser soldering method spot mounting
  • the portion irradiated with the laser beam is the resin thin film 36 in which the foamed cells are not substantially present, even if heated by the laser beam, the surface is hardly swelled.
  • the three-dimensional molded circuit component 400 includes a base material 40 including a metal part 41 and a resin part 42, a circuit pattern 14 formed of a plating film on the resin part 42, and a recess 43 formed on the base material 40.
  • the mounting component 15 is mounted and electrically connected to the circuit pattern 14.
  • the side wall 43 a of the recess 43 is formed by the resin portion 42, and the bottom 43 b of the recess 43 is formed by the resin thin film 46.
  • the mounting component 15 is disposed on the metal part 41 via the resin thin film 46.
  • the resin thin film 16 is a part of the resin portion 12 and is formed of a thermoplastic resin.
  • the resin thin film 46 is not a part of the resin portion 42 but is formed of a thermosetting resin or a photocurable resin.
  • the base material 40 is a composite body in which the metal part 41 and the resin part 42 are joined
  • an arbitrary material can be used as in the first embodiment.
  • this embodiment is not limited to this.
  • the same material as in the first embodiment can be used.
  • a metal block is used as the metal part 41.
  • a thermoplastic resin having high heat resistance is used for the resin portion 12.
  • the present embodiment is not limited to this.
  • the resin thin film 46 and the resin portion 42 are formed of different resins, the resin thin film 46 is formed of a resin having high heat resistance, and the resin portion 42 is formed of a relatively inexpensive resin having low heat resistance. it can. Thereby, the overall cost of the three-dimensional molded circuit component 400 can be reduced.
  • the resin portion 42 is not required to have solder reflow resistance. Therefore, ABS resin, polycarbonate (PC), which is a general-purpose engineering plastic, polymer alloy of ABS resin and PC ( ABS / PC) or the like can be used. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin part 42 of this embodiment may have a foam cell inside similarly to the resin part 32 of the modification 2 of 1st Embodiment shown in FIG. By having the foam cell inside, the weight of the three-dimensional molded circuit component 400 can be reduced.
  • the circuit pattern 14 and the mounting component 15 can be the same as those in the first embodiment.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 43 formed on the base material 40.
  • the area of the bottom 43b of the recess 43 and the depth of the recess 43 are the same as those of the recess 13 of the first embodiment.
  • the resin thin film 46 of this embodiment is formed of a thermosetting resin or a photocurable resin. Since the thermosetting resin and the photocurable resin before curing have low viscosity, the resin thin film 46 can be easily thinned. Further, the cured thermosetting resin and photocurable resin have high heat resistance and high density, and are suitable as a material for forming the bottom 43b of the recess 43 to which the mounting component 15 is soldered.
  • the resin forming the resin thin film 46 preferably has a melting point of 260 ° C. or higher, and more preferably 290 ° C. or higher.
  • a heat resistant resin such as an epoxy resin, a silicone resin, or a polyimide resin can be used.
  • thermosetting resin for example, a polyimide resin, an epoxy resin, or the like can be used.
  • thermosetting resins may be used alone or in combination of two or more.
  • photocurable resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the resin thin film 46 may contain an insulating heat dissipation material. Since the circuit pattern 14 is formed on the resin thin film 46, an inexpensive conductive heat dissipation material such as carbon cannot be used. Insulating heat radiating materials are expensive, but by containing them only in the resin thin film 46 on which the mounting component 15 is mounted, it is possible to achieve both suppression of cost increase and improvement of heat dissipation. Examples of the insulating heat dissipation material include ceramic powders such as aluminum oxide, boron nitride, and aluminum nitride, which are inorganic powders having high thermal conductivity.
  • the resin thin film 46 preferably contains 10% to 90% by weight of insulating heat dissipation material, and more preferably 30% to 80% by weight.
  • the thickness t 46 of the resin thin film 46 of this embodiment is preferably 0.01 mm to 0.5 mm. If the thickness t 46 of the mounting part 15 and the resin film 46 existing between the metal part 41 is in this range, the heat mount components 15 emitted can be sufficiently radiated by the metal portion 41, also onto the resin thin film 46 Laser drawing is also possible. From the viewpoint described above, the thickness t 46 of the resin thin film 46 is preferably 0.01 mm to 0.1 mm, and more preferably 0.03 mm to 0.05 mm.
  • a resin thin film 46 formed of a thermosetting resin or a photocurable resin is formed on the surface 41 a of the metal part 41 (metal block) of the base material 40.
  • the resin thin film 46 is obtained, for example, by dissolving a thermosetting resin or a photocurable resin in a solvent to form a resin solution, applying the resin solution to the surface 41a of the metal part 41 and drying, and then heating or irradiating with light. Can be formed. Since the resin solution has a low viscosity, it is easy to form a thin film.
  • the metal part 41 on which the resin thin film 46 is formed and the resin part 42 are joined to manufacture the base material 40.
  • the method for joining the metal part 41 and the resin part 42 is not particularly limited, and any method can be used.
  • integral molding may be performed by insert molding or the like.
  • the side wall 43 a is formed by the resin portion 42 around the resin thin film 46. Thereby, the recessed part 43 divided by the side wall 43a and the bottom 43b is formed in the surface of the base material 40.
  • the circuit pattern 14 formed of a plating film is formed on the resin portion 42.
  • the same method as that of the first embodiment can be used.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 43 formed on the base material 40 and is electrically connected to the circuit pattern 14.
  • the mounting method is not particularly limited, and a general-purpose method can be used as in the first embodiment, but in this embodiment, a laser soldering method or a local heating method (spot mounting) using a spot heater is used. Is preferred. In the local heating method using a laser soldering method or a spot heater, only the resin thin film 46 is heated. Therefore, a relatively inexpensive resin having low heat resistance can be used for the resin portion 42, and the entire three-dimensional molded circuit component 400 can be used. Cost reduction can be achieved.
  • the mounting component 15 is mounted in the recess 43 formed on the base material 40, but the present embodiment is not limited to this.
  • the mounting component 15 if the mounting component 15 is mounted on the resin thin film 46, the mounting component 15 does not necessarily have to be mounted in the recess. Even if the mounting component 15 is not mounted in the recess, the metal part 41 can sufficiently dissipate heat generated by the mounting component 15 by mounting it on the resin thin film 46.
  • the three-dimensional molded circuit component 100 is manufactured using the base material 10 in which the metal part 11 and the resin part 12 are integrally formed and the resin thin film 16 is a part of the resin part 12 shown in FIG. did. Further, an LED (light emitting diode) was used as the mounting component 15.
  • the base material 10 was manufactured by insert molding using an aluminum plate for the metal part 11 and an aromatic polyamide containing inorganic filler (Toyobo, Viramide GP2X-5, melting point 310 ° C.) for the resin part 12.
  • an aromatic polyamide containing inorganic filler Toyobo, Viramide GP2X-5, melting point 310 ° C.
  • a mold having a cavity corresponding to the base material 10 which is a bent plate-like body shown in FIG. 1 was prepared.
  • the thickness of the cavity corresponding to the thickness t 10 of the substrate 10 was set to 2 mm.
  • the portion corresponding to the recess 13 projection in the cavity
  • An aluminum plate having a thickness of 1 mm was bent in accordance with the shape of the mold cavity.
  • NMT nano molding technology
  • the surface of the bent aluminum plate was etched.
  • the etched aluminum plate was placed at an appropriate position in the cavity of the mold, and an aromatic polyamide was injected and filled into an empty area in the cavity to perform insert molding.
  • a general-purpose injection molding apparatus was used, and the mold temperature was 140 ° C. and the resin temperature was 340 ° C.
  • the resulting substrate 10 the thickness t 11 of the metal portion 11 (the metal plate) is 1 mm, the thickness t 12 of the resin portion 12 (the thermoplastic resin layer) was 1 mm.
  • the depth d 13 of the concave portion 13 was set to 1.8 mm.
  • circuit pattern 14 formed of a plating film on the resin portion 12 was formed by the method described below.
  • a hyperbranched polymer represented by the formula (1) (1.3 g, dithiocarbamate group: 4.9 mmol), N-isopropylacrylamide (NIPAM) (1.10 g, 9.8 mmol), ⁇ , ⁇ ′-azo Bisisobutyronitrile (AIBN) (81 mg, 0.49 mmol) and dehydrated tetrahydrofuran (THF) (10 mL) were added to the Schlenk tube, and freeze deaeration was performed three times. Then, it was made to react by stirring overnight (18 hours) at 70 ° C. using an oil bath. After the reaction was completed, the reaction mixture was cooled with ice water and diluted appropriately with THF.
  • NIPAM N-isopropylacrylamide
  • AIBN ⁇ , ⁇ ′-azo Bisisobutyronitrile
  • THF dehydrated tetrahydrofuran
  • the yield of the hyperbranched polymer represented by the formula (2) was 92%.
  • the part was laser-drawn.
  • the line width of the drawing pattern was 0.3 mm, and the minimum distance between adjacent drawing lines was 0.5 mm.
  • the catalytic activity interference layer in the laser drawing portion could be removed. Further, the laser drawing portion was roughened, and the filler contained in the resin portion 12 was exposed.
  • a circuit pattern 14 was formed by laminating an electrolytic copper plating film of 10 ⁇ m, an electrolytic nickel plating film of 1 ⁇ m, and an electrolytic gold plating film of 0.1 ⁇ m in this order by a general-purpose method. .
  • the circuit pattern 14 was also formed on the resin thin film 16 without disconnection.
  • solder and resistors (not shown) were arranged in portions other than the recess 13 on the base material 10.
  • the mounting component 15 and the resistor (not shown) are arranged at positions where they can be electrically connected to the circuit pattern 14.
  • the base material 10 was passed through a reflow furnace.
  • the substrate 10 was heated in the reflow furnace, the maximum temperature reached by the substrate 10 was about 240 ° C., and the time during which the substrate 10 was heated at the maximum temperature was about 30 seconds.
  • the mounting component 15 was mounted on the base material 10 by the solder 17 to obtain the three-dimensional molded circuit component 100 of this example.
  • Example 2 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the thickness of the resin thin film 16 was 0.05 mm.
  • Example 3 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the thickness of the resin thin film 16 was 0.1 mm.
  • Example 4 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the thickness of the resin thin film 16 was 0.5 mm.
  • Example 5 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the area of the resin thin film 16 was 4 cm 2 (2 cm ⁇ 2 cm).
  • Example 6 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the area of the resin thin film 16 was 16 cm 2 (4 cm ⁇ 4 cm).
  • Example 7 the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the area of the resin thin film 16 was 25 cm 2 (5 cm ⁇ 5 cm).
  • Comparative Example 1 In this comparative example, the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the thickness of the resin thin film 16 was 0.008 mm.
  • Comparative Example 2 In this comparative example, the three-dimensional molded circuit component 100 shown in FIG. 1 was manufactured by the same method as in Example 1 except that the thickness of the resin thin film 16 was changed to 0.7 mm.
  • Comparative Example 1 where the thickness of the resin thin film was as thin as 0.008 mm, an unfilled portion of the molten resin was generated and the moldability was poor. For this reason, in the comparative example 1, evaluation of the heat dissipation of a three-dimensional molded circuit component was not performed. In Comparative Example 2 where the thickness of the resin thin film was as thick as 0.7 mm, the heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component was poor.
  • Example 8 a three-dimensional molded circuit component was manufactured by the same method as in Example 1 except that aluminum radiating fins were used instead of the aluminum plate as the metal part. That is, the three-dimensional molded circuit component manufactured in this embodiment is a three-dimensional molded circuit component 200 shown in FIG.
  • Example 1 As in Example 1, (1) moldability of resin thin film and (2) heat dissipation of three-dimensional molded circuit components were evaluated. The moldability of the resin thin film was good. The heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component was also good, and the LED surface temperature one hour after lighting was 70 ° C., which was 10 ° C. lower than Example 1. From this result, it was confirmed that the heat radiation performance was improved by using the heat radiation fin for the metal part.
  • Example 9 In this example, the thickness of the resin thin film was 0.15 mm, the resin part of the base material was foam-molded, and the mounting component (LED) was mounted on the base material by laser soldering (spot mounting).
  • a three-dimensional molded circuit component was manufactured in the same manner as in Example 1. That is, the three-dimensional molded circuit component manufactured in this embodiment is a three-dimensional molded circuit component 300 shown in FIG.
  • the base material was integrally formed by insert molding using the same mold as that used in Example 1, but the molding apparatus disclosed in FIG. 11 of WO2013 / 027615 is used as the molding apparatus.
  • the resin part was subjected to foam molding using pressurized nitrogen as a physical foaming agent. The filling pressure of nitrogen was 10 MPa, and the back pressure valve pressure of the vent pressure reducing part was 6 MPa.
  • the specific gravity of the resin part 32 of the obtained three-dimensional molded circuit component 300 was about 8% lower than that of solid (non-foamed material).
  • the cross section of the resin part 32 and the resin thin film 36 was observed with a microscope.
  • the cell diameter of the cell 39 of the resin part 32 was as fine as 30 to 80 ⁇ m.
  • no foam cell was found in the cross section of the resin thin film 36. That is, the resin thin film 36 did not substantially contain foam cells.
  • the laser soldering method (spot mounting) of the mounting component (LED) no swelling was observed in the resin thin film 36 irradiated with the laser beam.
  • the resin portion 32 including the foamed cell 39 was irradiated with the same laser light as that used in the laser soldering method (spot mounting).
  • spot mounting the same laser light as that used in the laser soldering method (spot mounting).
  • the resin part 32 including the foam cell 39 was swollen. From this result, it was found that the heat resistance of the resin portion 32 is reduced by performing foam molding, but the heat resistance of the resin thin film 36 on which the LED is mounted can be maintained by not forming the foam cell in the resin thin film 36.
  • the three-dimensional molded circuit component 300 of this example succeeded in reducing the weight of the entire component while maintaining the heat resistance of the LED mounting portion.
  • a three-dimensional molded circuit component 400 is manufactured using a base material 40 in which a metal part 41 and a resin part 42 are integrally formed and a resin thin film 46 is formed of a thermosetting resin, as shown in FIG. did. Further, an LED (light emitting diode) was used as the mounting component 15.
  • the resin thin film 46 was made of polyimide, which is a thermosetting resin, containing boron nitride powder having an average particle diameter of 4 ⁇ m as an insulating heat dissipation material.
  • polyamic acid and boron nitride powder which are polyimide precursors, are dispersed and dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) to obtain a resin having a polyimide concentration (solid content concentration) of 12% by weight and a boron nitride concentration of 50% by weight.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • a slurry solution was prepared.
  • the prepared resin slurry solution was applied to the surface 41a of the metal part 41, and cured by heating at 350 ° C. for 30 minutes to form a resin thin film 46.
  • the area of the resin thin film 46 was 1 cm 2 (1 cm ⁇ 1 cm), and the thickness t 46 was 20 ⁇ m.
  • the content of boron nitride powder in the resin thin film 46 was set to 70% by volume.
  • a mold having a cavity corresponding to the base material 40 shown in FIG. 7 was prepared.
  • a portion corresponding to the concave portion 43 (a convex portion in the cavity) was provided in the cavity of the mold.
  • NMT nano molding technology
  • the surface of the metal part 41 (aluminum block) was etched.
  • the etched metal part 41 was placed at an appropriate position in the cavity of the mold, and an aromatic polyamide was injected and filled into an empty area in the cavity to perform insert molding.
  • Insert molding was performed using the same injection molding apparatus as in Example 1 under the same molding conditions (mold temperature 140 ° C., resin temperature 340 ° C.).
  • the obtained base material 40 was formed with a recess 43 defined by a side wall 43 a formed by the resin portion 42 and a bottom 43 b formed by the resin thin film 46.
  • the depth of the recess 43 was 1.8 mm.
  • the heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component was evaluated by the same method as in Example 1.
  • the heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component was good, and the LED surface temperature one hour after lighting was 65 ° C., which was 15 ° C. lower than Example 1. From this result, it was confirmed that the heat dissipation was enhanced by making the resin thin film thinner and further containing a heat dissipation material. Moreover, it has confirmed that a thin resin thin film can be manufactured easily by using a thermosetting resin.
  • Example 11 In this example, in the formation of the circuit pattern, in place of the neutral electroless nickel phosphorus plating solution, a strongly basic electroless copper plating solution (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., pH 12) was used. A three-dimensional molded circuit component was manufactured by the same method.
  • the surface of the metal part (aluminum plate) of the three-dimensional molded circuit component obtained in this example was corroded, and copper was deposited in part.
  • the deposited copper had low adhesion and was easily peeled off.
  • the heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component was evaluated by the same method as in Example 1.
  • the heat dissipation of the three-dimensional molded circuit component of this example was good, and the LED surface temperature one hour after lighting was 80 ° C., which was equivalent to Example 1. From this result, it was found that when aluminum is used for the metal part and a strongly basic plating solution is used for the plating solution, the metal part is corroded. However, it was confirmed that there was no problem in practical use of the three-dimensional molded circuit component by removing the corroded portion and the copper on the surface of the metal portion.
  • the three-dimensional molded circuit component of the present invention has high heat dissipation, and is easy to mold and highly productive. For this reason, it can suppress that a three-dimensional molded circuit component becomes high temperature by heat_generation
  • the three-dimensional molded circuit component of the present invention can be applied to smartphones and automobile components.

Abstract

高い放熱性を有し、更に、成形が容易で生産性が高い三次元成形回路部品を提供する。三次元成形回路部品であって、金属部と樹脂部とを含む基材と、前記樹脂部上に形成されている回路パターンと、前記基材上に実装されており、前記回路パターンと電気的に接続している実装部品とを有し、前記樹脂部の一部は、厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍである熱可塑性樹脂を含む樹脂薄膜を前記金属部上に形成しており、前記実装部品は、前記樹脂薄膜を介して前記金属部上に配置されている。

Description

三次元成形回路部品
　本発明は、金属部と樹脂部とを含む基材に回路パターンが形成された三次元成形回路部品に関する。
　近年、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）が、スマートフォン等で実用化されており、今後、自動車分野での応用拡大が期待されている。ＭＩＤは、成形体の表面に金属膜で三次元回路を形成したデバイスであり、製品の軽量化、薄肉化及び部品点数削減に貢献できる。
　発光ダイオード（ＬＥＤ）が実装されたＭＩＤも提案されている。ＬＥＤは、通電により発熱するため背面からの排熱が必要であり、ＭＩＤの放熱性を高めることが重要となる。
　特許文献１では、ＭＩＤと金属製の放熱材料とを一体化した複合部品が提案されている。特許文献１によれは、この複合部品は、ＭＩＤの放熱性と小型化を両立している。一方、放熱性の高い金属と樹脂材料との接着性は一般的に低い。特許文献２では、金属と樹脂材料の密着性を向上させるナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）が提案されている。ナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）では、金属の表面を化学的に粗化してナノレベルの大きさの凹凸設けた後、樹脂材料と一体成形する。特許文献２によれば、ナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）を用いると、金属と樹脂材料との接合界面の接触面積が著しく拡大して密着性が向上し、ヒートショック試験における金属と樹脂材料との間での剥離が抑制され、放熱性も向上する。特許文献３では、ナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）を用いて、金属と樹脂材料を接合して製造したＬＥＤ用放熱ランプが提案されている。
特許第３４４３８７２号公報 特開２００９－６７２１号公報 特許第５６８１０７６号公報
　しかし、近年、電子機器は高性能化及び小型化し、これに用いられるＭＩＤも高密度、高機能化が進み、より高い放熱性が要求されている。本発明は、これらの課題を解決するものであり、高い放熱性を有し、更に、成形が容易で生産性が高い三次元成形回路部品を提供する。
　本発明の第１の態様に従えば、三次元成形回路部品であって、金属部と樹脂部とを含む基材と、前記樹脂部上に形成されている回路パターンと、前記基材上に実装されており、前記回路パターンと電気的に接続している実装部品とを有し、前記樹脂部は、その一部として、厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍである熱可塑性樹脂を含む樹脂薄膜を含み、前記樹脂薄膜は前記金属部上に形成されており、前記実装部品は、前記樹脂薄膜を介して前記金属部上に配置されていることを特徴とする三次元成形回路部品が提供される。
　本態様において、前記樹脂薄膜上に配置される前記実装部品１個当たりの前記樹脂薄膜の面積が、０．１ｃｍ２～２５ｃｍ２であってもよい。前記基材が、前記金属部と前記樹脂部との一体成形体であってもよい。
　本発明の第２の態様に従えば、三次元成形回路部品であって、金属部と樹脂部とを含む基材と、前記樹脂部上に形成されている回路パターンと、前記金属部上に形成されている、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を含む樹脂薄膜と、前記樹脂薄膜上に実装されており、前記回路パターンと電気的に接続している実装部品とを有する三次元成形回路部品が提供される。
　本態様において、前記樹脂薄膜の厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍであってもよい。また、前記樹脂薄膜には、絶縁性の放熱材料が含有されていてもよい。
　本発明の第１及び第２の態様において、前記樹脂部が発泡セルを含んでもよく、更に、前記樹脂薄膜が実質的に発泡セルを含まなくてもよい。前記金属部が、放熱フィンであってもよい。前記実装部品がＬＥＤであってもよい。前記金属部の表面には、ニッケルリン膜が形成されていてもよい。
　本発明の第１及び第２の態様において、前記基材上には、前記樹脂部により形成される側壁と、前記樹脂薄膜により形成される底とによって凹部が区画されており、１個の前記凹部に対して１個の前記実装部品が実装されており、前記凹部の底の形状及び面積が、前記底と接触する前記実装部品の面の形状及び面積と略同一であってもよい。
　本発明は、高い放熱性を有し、更に、成形が容易で生産性が高い三次元成形回路部品を提供する。
図１は、第１の実施形態で製造する三次元成形回路部品の断面模式図である。 図２は、図１に示す三次元成形回路部品の断面模式図における実装部品周辺の拡大図である。 図３は、第１の実施形態で製造する三次元成形回路部品の他の例の断面模式図である。 図４（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態で製造する三次元成形回路部品の更に他の例の断面模式図である。 図５は、第１の実施形態の変形例１で製造する三次元成形回路部品の断面模式図である。 図６は、第１の実施形態の変形例２で製造する三次元成形回路部品の断面模式図である。 図７は、第２の実施形態で製造する三次元成形回路部品の断面模式図である。
［第１の実施形態］
（１）三次元成形回路部品
　本実施形態では、図１に示す三次元成形回路部品１００について説明する。三次元成形回路部品１００は、金属部１１と樹脂部１２とを含む基材１０と、樹脂部１２上に、メッキ膜により形成された回路パターン１４と、基材１０上に形成された凹部１３に実装され、回路パターン１４と電気的に接続する実装部品１５とを有する。図２に示すように、凹部１３の側壁１３ａは、樹脂部１２により形成され、凹部１３の底１３ｂは樹脂薄膜１６により形成される。実装部品１５は、樹脂薄膜１６を介して金属部１１上に配置される。本実施形態では、樹脂薄膜１６は樹脂部１２の一部である。したがって、樹脂薄膜１６は樹脂部１２と同一の樹脂により形成される。
　基材１０は、金属部１１と樹脂部１２とを接合した複合体であれば任意のものを用いることができるが、本実施形態では、金属部１１と樹脂部１２とを一体成形した一体成形体を用いる。ここで、一体成形とは、別個に作成された部材の接着や接合（二次接着や機械的接合）ではなく、部材の成形時に各部材を接合する加工（典型的にはインサート成形）を意味する。
　金属部１１は、基材１０に実装される実装部品１５が発する熱を放熱する。したがって、金属部１１には放熱性のある金属を用いることが好ましく、例えば、鉄、銅、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等を用いることができる。中でも、軽量化、放熱性及びコストの観点から、マグネシウム、アルミニウムを用いることが好ましい。これらの金属は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。
　樹脂部１２は、その上に形成される回路パターン１４と導体である金属部１１を絶縁させる。樹脂部１２は、ハンダリフロー耐性を有する耐熱性のある高融点の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。例えば、６Ｔナイロン（６ＴＰＡ）、９Ｔナイロン（９ＴＰＡ）、１０Ｔナイロン（１０ＴＰＡ）、１２Ｔナイロン（１２ＴＰＡ）、ＭＸＤ６ナイロン（ＭＸＤＰＡ）等の芳香族ポリアミド及びこれらのアロイ材料、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等を用いることができる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。また、本実施形態では、実装部品１５がハンダ付けにより実装される樹脂薄膜１６は、樹脂部１２の一部である。このため、樹脂部１２に用いる樹脂は、ハンダ付けが可能なように、融点が２６０℃以上であることが好ましく、２９０℃以上であることがより好ましい。尚、実装部品１５の実装に、低温ハンダを用いる場合はこの限りではない。また、寸法安定性や剛性向上の観点から、これらの熱可塑性樹脂には、ガラスフィラーやミネラルフィラー等の無機フィラーが含有されてもよい。
　金属部１１及び樹脂部１２の形状及び大きさは、三次元成形回路部品１００の用途に応じて任意の形状及び大きさとすることができる。樹脂部１２上には回路パターン１４が立体的に形成されるため、樹脂部１２は、複数の面を有するか、又は球面等を含む立体形状の面を有する。本実施形態では、図１に示すように、屈曲した金属板である金属部１１上に、熱可塑性樹脂層である樹脂部１２を一体に成形する。これにより、熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）は、屈曲した金属板（金属部１１）に沿って屈曲し、複数の面を有する。金属板（金属部１１）の厚さｔ１１は、放熱性の観点から、例えば、０．５ｍｍ以上であり、好ましくは、１ｍｍ以上であり、一方で、重量及びコストの低減、並びに加工性向上の観点から、例えば２０ｍｍ以下であり、１０ｍｍ以下であることが好ましい。ここで、金属板（金属部１１）の厚さｔ１１とは、樹脂部１２との界面に垂直な方向における厚さである。熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）の厚さｔ１２は、成形の容易性という観点から、例えば０．５ｍｍ以上であり、１ｍｍ以上が好ましいく、一方で、コストの観点から、例えば５ｍｍ以下であり、３ｍｍ以下であることが好ましい。ここで、熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）の厚さｔ１２とは、実装部品１５が実装される凹部１３以外の部分の厚さであり、金属部１１との界面に垂直な方向における厚さである。また、熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）は、回路パターン１４と金属部１１の絶縁のために設けられるため、回路パターン１４が形成されていない部分には熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）を設けなくてもよい。
　尚、本実施形態では、金属部１１は金属板に限定されず、ダイカストで成形される複雑形状の金属を用いることも可能である。
　回路パターン１４は、絶縁体である樹脂部１２上に形成されるため、無電解メッキにより形成されることが好ましい。したがって、回路パターン１４は、例えば、無電解ニッケルリンメッキ膜、無電解銅メッキ膜、無電解ニッケルメッキ膜等の無電解メッキ膜を含んでもよく、中でも、無電解ニッケルリンメッキ膜を含むことが好ましい。回路パターン１４を無電解ニッケルリンメッキ膜で形成すると、同時に金属部１１の表面にニッケルリン膜（無電解ニッケルリンメッキ膜）１８を形成でき、金属部１１の耐食性を向上できる。回路パターン１４は、無電解メッキ膜の上に、更に、他の種類の無電解メッキ膜や電解メッキ膜が積層されていてもよい。メッキ膜の総厚さを厚くすることで回路パターン１４の電気抵抗を小さくできる。電気抵抗を下げる観点から、無電解メッキ膜上に積層するメッキ膜は、無電解銅メッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ膜等が好ましい。また、ハンダリフローに対応できるようメッキ膜のハンダ濡れ性を向上させるために、錫、金、銀等のメッキ膜を回路パターン１４の最表面に形成してもよい。
　回路パターン１４は、樹脂部１２の複数の面に亘って、又は球面等を含む立体形状の面に沿って立体的に形成される。回路パターン１４は、樹脂部１２の複数の面に亘って、又は球面等を含む立体形状の表面に沿って立体的に形成され、且つ導電性を有する立体電気回路である。回路パターン１４は凹部１３に実装される実装部品１５と電気的に接続するために、凹部１３の側壁１３ａ及び底１３ｂ上に形成されてもよい。
　実装部品１５は、ハンダ１７により回路パターン１４と電気的に接続し、通電により熱を発生して発熱源となる。実装部品１５としては、例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）、パワーモジュール、ＩＣ（集積回路）、熱抵抗等が挙げられる。本実施形態では、実装部品１５としてＬＥＤを用いる。本実施形態の三次元成形回路部品１００は、発熱量の大きいＬＥＤを実装部品として用いても、ＬＥＤの発する熱を効率的に放熱できる。また、ＬＥＤは発光面とは反対側の背面から発熱する。本実施形態の三次元成形回路部品１００は、ＬＥＤ（実装部品１５）の背面側に放熱部材となる金属部１１を配置することにより、ＬＥＤの発する熱を効率的に放熱できる。
　実装部品１５は、基材１０上に形成された凹部１３に実装される。１つの凹部１３に対して、１つ実装部品１５が実装されてもよいし、複数の実装部品１５が実装されてもよい。凹部１３の側壁１３ａは、樹脂部１２により形成され、凹部１３の底１３ｂは樹脂薄膜１６により形成される。実装部品１５は、樹脂薄膜１６を介して金属部１１上に配置される。本実施形態では、樹脂薄膜１６は樹脂部１２の一部である。即ち、本実施形態では、凹部１３は熱可塑性樹脂層（樹脂部１２）に形成され、樹脂薄膜１６は熱可塑性樹脂層の厚さの薄い部分である。したがって、樹脂薄膜１６は樹脂部１２と同一の熱可塑性樹脂により形成される。本実施形態において、金属部１１と、樹脂薄膜１６を含む樹脂部１２とが、基材１０を構成している。
　放熱の観点からは、実装部品１５を直接、金属部１１上に配置することが望ましいが、実装部品１５と金属部１１は絶縁する必要があるため、直接の実装は難しい。本実施形態では、薄い樹脂薄膜１６を介して実装部品１５を金属部１１上に配置することで、実装部品１５と金属部１１との絶縁と放熱性を両立している。
　樹脂薄膜１６の厚さｔ１６は、０．０１ｍｍ～０．５ｍｍである。樹脂材料は断熱性を有するため、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６が一般的な射出成形体の厚さである１～５ｍｍ程度であると、放熱性が不十分となる。樹脂薄膜１６の厚さｔ１６を０．５ｍｍ以下とすることで、実装部品１５が発する熱を金属部１１により十分に放熱できる。また、実装部品１５は回路パターン１４と電気的に接続するため、樹脂薄膜１６上にも配線がメッキ膜により形成されてもよい。詳細は後述するが、メッキ膜からなる配線の形成にはレーザー描画を用いるため、樹脂薄膜１６にはレーザー描画によって膜が貫通しない厚さが必要である。更に、本実施形態の樹脂薄膜１６は、例えば、インサート成形等により成形されるため、溶融樹脂が流動可能な厚さが必要である。樹脂薄膜１６の厚さｔ１６が０．０１ｍｍ以上であれば、樹脂薄膜１６上へのレーザー描画を用いた配線の形成が可能であり、またインサート成形を用いた樹脂薄膜１６の成形も可能となる。以上説明した観点から、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６は、更に、０．１ｍｍ～０．２ｍｍが好ましい。
　尚、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６が一定でない場合、樹脂薄膜１６の厚さの平均値（平均厚さ）が、０．０１ｍｍ～０．５ｍｍであり、好ましくは、０．１ｍｍ～０．２ｍｍである。樹脂薄膜１６の厚さの平均値（平均厚さ）は、例えば、樹脂薄膜１６と金属部１１との界面に垂直な方向における、樹脂薄膜１６の断面において、樹脂薄膜１６の厚さを３箇所、又はそれ以上測定し、測定値の平均値として求めることができる。また、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６が一定でない場合であっても、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６は、０．０１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲内で変動していることが好ましく、０．１ｍｍ～０．２ｍｍの範囲内で変動していることがより好ましい。即ち、厚さｔ１６が０．１ｍｍ～０．２ｍｍの範囲、好ましくは、０．１ｍｍ～０．２ｍｍの範囲である領域が、樹脂薄膜１６であってもよい。
　樹脂薄膜１６の面積、即ち、凹部１３の底１３ｂの面積は、樹脂薄膜１６上に配置される実装部品１５、１個当たり、０．１ｃｍ２～２５ｃｍ２であることが好ましい。樹脂薄膜１６の面積が広い程、放熱効果は高くなるが、成形が難しくなる。樹脂薄膜１６の面積を上記範囲内とすれば、高い放熱効果と成形の容易性とを両立できる。本実施形態では、放熱性の高い樹脂薄膜１６を実装部品１５の実装される部分に限定する。これにより、成形し難い薄膜部分を最小限とし、成形の容易性を高め、結果として、三次元成形回路部品の生産性を高めている。
　本実施形態において、樹脂薄膜１６の面積とは、図２に示すように、例えば、周囲の樹脂部１２の厚みｔ１２よりも薄い、厚みｔ１６を有する領域Ｓ１６の面積であり、凹部１３の底１３ｂの面積である。尚、領域Ｓ１６は、実装部品１５が接触している領域に限定されず、図２に示すように、実装部品１５が接触している領域Ｓ１５より広い領域であってもよい。
　凹部１３は、実装部品１５の実装位置の位置決め用凹部として用いることができる。三次元回路（立体回路）では、３方向において実装部品の実装位置を決定しなくてはならず、二次元回路（平面回路）と比較して実装位置の位置決めが困難である。本実施形態の三次元成形回路部品１００では、実装部品１５の実装位置を凹部とすることで、実装位置の検出が容易となる。凹部１３を実装部品１５の位置決め用凹部として用いる場合には、例えば、図３に示すように、１個の凹部１３に対して１個の実装部品１５を実装し、凹部１３の底１３ｂの形状及び面積が、底１３ｂと接する実装部品１５の面の形状及び面積と略同一であることが好ましい。この場合、図３に示すように、樹脂薄膜１６の面積（領域Ｓ１６の面積）は、実装部品１５が接触している領域Ｓ１５の面積と略同一である。これにより、更に、実装部品１５の実装位置の位置決めが容易となる。実装部品１５の実装位置の位置決めを容易とする観点から、凹部１３の深さｄ１３は、０．１ｍｍ～５ｍｍが好ましい。
　本実施形態の金属部１１の表面には、ニッケルリン膜１８が形成されていてもよい。ニッケルリン膜１８は耐食性が高いため、金属部１１の耐食性を高められる。
（２）三次元成形回路部品の製造方法
　三次元成形回路部品１００の製造方法について説明する。まず、金属部１１と樹脂部１２とを含む基材１０を製造する。本実施形態では、金属部１１を先に配置した金型内に、熱可塑性樹脂を射出充填して樹脂部１２を成形するインサート成形（一体成形）によって、基材１０を製造する。金属部１１と樹脂部１２との密着性を向上させるために、例えば、特許文献２又は３に開示されているナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）を用いてもよい。また、金属部１１と樹脂部１２との密着性を向上させる他の方法として、金属部１１と樹脂部１２との表面形状を物理的に離脱しない形状としてもよい。
　本実施形態では、樹脂薄膜１６は樹脂部１２の一部であり、凹部１３は樹脂部１２の表面に形成される。したがって、本実施形態では、キャビティ内に凹部１３に対応する凸部が形成された金型を用いて、樹脂薄膜１６を含む樹脂部１２を成形する。
　次に、樹脂部１２上にメッキ膜により形成された回路パターン１４を形成する。回路パターン１４を形成する方法は、特に限定されず、汎用の方法を用いることができる。例えば、メッキ膜にフォトレジストでパターニングし、エッチングにより回路パターン以外の部分のメッキ膜を除去する方法、回路パターンを形成したい部分にレーザー光を照射して基材を粗化する、又は官能基を付与してレーザー光照射部分のみにメッキ膜を形成する方法等が挙げられる。
　本実施形態では、以下に説明する方法により回路パターン１４を形成する。まず、樹脂部１２の表面に、触媒活性妨害層を形成する。次に、触媒活性妨害層が形成された樹脂部１２の表面に、無電解メッキ膜を形成する部分、即ち、回路パターン１４を形成する部分をレーザー描画する。レーザー描画した樹脂部１２の表面に無電解メッキ触媒を付与し、次に、無電解メッキ液を接触させる。この方法においては、触媒活性妨害層は、その上に付与される無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる（妨害する）。このため、触媒活性妨害層上では、無電解メッキ膜の生成が抑制される。一方、レーザー描画部分は、妨害層が除去されるため、無電解メッキ膜が生成する。これにより、樹脂部１２の表面に無電解メッキ膜により回路パターン１４を形成できる。
　触媒活性妨害層は、例えば、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマー（以下、適宜「アミド基／アミノ基含有ポリマー」と記載する）を含むことが好ましい。アミド基／アミノ基含有ポリマーは、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる（妨害する）又は低下させる触媒活性妨害剤として作用する。アミド基／アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げるメカニズムは定かではないが、アミド基及びアミノ基が、無電解メッキ触媒に吸着、配位、反応等し、これにより、無電解メッキ触媒が触媒として作用できなくなると推測される。
　アミド基／アミノ基含有ポリマーは、任意のものを用いることができるが、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる観点からは、アミド基を有するポリマーが好ましく、また、側鎖を有する分岐ポリマーが好ましい。分岐ポリマーにおいては、側鎖がアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を含むことが好ましく、側鎖がアミド基を含むことがより好ましい。分岐ポリマーは、デンドリティックポリマーであることが好ましい。デンドリティックポリマーとは、頻繁に規則的な分岐を繰り返す分子構造で構成されたポリマーであり、デンドリマーとハイパーブランチポリマーに分類される。デンドリマーは、核となる分子を中心に、規則正しく完全に樹状分岐した構造をもつ、直径数ｎｍの球形のポリマーであり、ハイパーブランチポリマーは、完全な樹状構造をもつデンドリマーとは異なり、不完全な樹状分岐をもつポリマーである。デンドリティックポリマーの中でも、ハイパーブランチポリマーは、比較的合成が容易で且つ安価であるため、本実施形態の分岐ポリマーとして好ましい。
　レーザー描画に用いるレーザー光及び無電解メッキ触媒は、特に限定されず、汎用のものを適宜選択して用いることができる。
　無電解メッキ液は、特に限定されず、汎用のものを適宜選択して用いることができるが、以下に説明する理由により、中性の無電解ニッケルリンメッキ液が好ましい。ここで、「中性」の無電解ニッケルリンメッキ液とは、例えば、ｐＨが５．５～７．０である無電解ニッケルリンメッキ液をいう。本発明者らの検討によれば、金属部１１は、使用する金属の種類によっては、無電解メッキ液に侵食され、腐食する虞があることがわかった。例えば、アルカリ性の無電解銅メッキ液を用いると、金属部１１にマグネシウムを用いた場合には腐食は生じないが、アルミニウムを用いた場合には腐食が生じる。一方、中性の無電解ニッケルリンメッキ液を用いると、アルミニウムの腐食を抑制できる。したがって、無電解ニッケルリンメッキ液を用いることで、金属部１１に用いる金属の選択の幅が広がり、例えば、マグネシウムより安価なアルミニウムを金属部１１に用いることができる。また、メッキ反応性を高める観点からは、ｐＨ４．０～５．５程度の弱酸性の無電解ニッケルリンメッキ液を用いてもよい。この場合、酸性液によるアルミニウムの浸蝕速度よりもアルミ表面へのニッケルリンメッキ膜の成長速度が速くなるため、メッキ膜を被覆させることができ、アルミニウムにダメージを与えることがない。尚、アルミニウムは、表面に酸化被膜を形成する陽極酸化法（アルマイト処理）により、耐食性が向上することが知られているが、アルマイト処理はコストアップの要因となる。本実施形態では、アルマイト処理を行わずとも、回路パターン１４の形成に無電解ニッケルリンメッキ液を用いることで、回路パターン１４の形成と同時にアルミニウムの表面にニッケルリン膜１８を形成でき、金属部１１の耐食性を向上できる。
　回路パターン１４の形成においては、無電解メッキ膜の上に、更に、他の種類の無電解メッキ膜や電解メッキ膜を積層してもよい。このとき、金属部１１の表面にニッケルリン膜１８が形成されていると、他の無電解メッキ液又は電解メッキ液による金属部１１の腐食を抑制できる。
　樹脂部１２に回路パターン１４を形成した後、基材１０上に形成された凹部１３に実装部品１５を実装し、回路パターン１４と電気的に接続させる。これにより、本実施形態の三次元成形回路部品１００が得られる。実装方法は特に限定されず、汎用の方法を用いることができ、例えば、高温のリフロー炉に実装部品１５を配置した基材１０を通過させるハンダリフロー法、又はレーザー光を基材１０と実装部品１５の界面に照射してハンダ付けを行うレーザーハンダ付け法（スポット実装）により、実装部品１５を基材１０にハンダ付けしてもよい。
　尚、以上説明した本実施形態の三次元成形回路部品１００では、基材１０上に形成された凹部１３に実装部品１５を実装するが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、実装部品１５が、厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍの樹脂薄膜１６を介して金属部１１上に配置されていれば、実装部品１５は必ずしも凹部に実装されている必要はない。実装部品１５を凹部に実装しなくとも、樹脂薄膜１６上に実装することで、実装部品１５が発する熱を金属部１１により十分に放熱できる。
［変形例１］
　次に、図５に示す本実施形態の変形例１について説明する。上述の図１に示す三次元成形回路部品１００では、金属部１１として屈曲した金属板を用いたが、図５に示す変形例１の三次元成形回路部品２００では、金属部２１として放熱フィンを用いる。金属部２１に放熱フィンを用いたこと以外の三次元成形回路部品２００の構成は、三次元成形回路部品１００と同様である。三次元成形回路部品２００は、金属部２１に放熱フィンを用いたこと以外は、三次元成形回路部品１００と同様の方法により製造できる。三次元成形回路部品２００は、金属部２１に放熱フィンを用いることで、放熱効果を更に高められる。
［変形例２］
　次に、図６に示す本実施形態の変形例２について説明する。図６に示す変形例２の三次元成形回路部品３００では、樹脂部３２が発泡セル３９を含む。一方、樹脂薄膜３６は実質的に発泡セルを含まない。ここで、樹脂薄膜３６が「実質的に発泡セルを含まない」とは、樹脂薄膜３６が全く発泡セルを含まない場合に加え、樹脂薄膜３６がその放熱性及び、リフロー時に悪影響を与えない程度の少量の発泡セルを含む場合も含む。即ち、樹脂薄膜３６に発泡セルが含まれるとしても、その量は僅かであり、樹脂薄膜３６に含まれる発泡セルの密度は、樹脂薄膜３６以外の部分の樹脂部３２に含まれる発泡セル３９の密度よりも低い。樹脂部３２以外の三次元成形回路部品３００の構成は、三次元成形回路部品１００と同様である。
　本変形例の三次元成形回路部品３００は、樹脂部３２が発泡セル３９を有することで、部品全体の軽量化及び寸法精度向上が図れる。一方、樹脂薄膜３６は実質的に発泡セル３９を含まないため、樹脂薄膜３６の放熱性は維持される。
　本変形例の三次元成形回路部品３００の製造方法について説明する。まず、金属部１１と樹脂部３２を含む基材３０を一体成形により製造する。このとき、樹脂部３２を発泡成形する。樹脂部３２は、二酸化炭素や窒素等の物理発泡剤を用いて発泡成形することが好ましい。発泡剤の種類には、化学発泡剤と物理発泡剤があるが、化学発泡剤は分解温度が低いため高融点の樹脂材料を発泡させることが難しい。樹脂部３２には、高融点の耐熱性の高い樹脂を用いることが好ましい。物理発泡剤を用いれば、高融点樹脂を用いて、樹脂部３２を発泡成形できる。物理発泡剤を用いた成形法としては、超臨界流体を用いたＭｕＣｅｌｌ（登録商標）や、本発明者らが提案する高圧設備を不要とする低圧発泡成形法（例えば、ＷＯ２０１３／０２７６１５号公報に記載）を用いることができる。
　本変形例では、樹脂部３２の成形において、物理発泡剤の溶解により溶融樹脂粘度が低下する。これにより、金型キャビティ内の樹脂薄膜３６に対応する狭い領域における溶融樹脂の流動が促され、樹脂薄膜３６の成形が容易となる。また、金型キャビティ内の樹脂薄膜３６に対応する狭い領域では、溶融樹脂の固化速度が速いため、発泡セルが成長し難い。これにより、樹脂薄膜３６には、実質的に発泡セル３９が形成され難い。樹脂薄膜３６内での発泡セルの形成を抑制する観点からは、樹脂薄膜３６の厚さｔ３６は、０．０１ｍｍ～０．３ｍｍが好ましく、０．０１ｍｍ～０．２ｍｍがより好ましく、０．０１ｍｍ～０．１ｍｍが更により好ましい。
　次に、上述した三次元成形回路部品１００と同様の方法により、樹脂部３２にメッキ膜により形成された回路パターン１４を形成する。回路パターン１４を形成した後、基材３０上に形成された凹部３３に実装部品１５を実装し、回路パターン１４と電気的に接続させる。これにより、本変形例の三次元成形回路部品３００が得られる。本変形例では、実装部品１５をレーザーハンダ付け法（スポット実装）により実装することが好ましい。例えば、実装部品１５をハンダリフロー法により実装する場合には、基材３０を温度２３０～２４０℃以上のリフロー炉に通す必要がある。このとき、樹脂部３２にリフロー温度よりも高い融点を有する熱可塑性樹脂を用いても、発泡成形体である樹脂部３２は、内部の水分等の膨張により表面が膨れる虞がある。一方、レーザーハンダ付け法（スポット実装）は、高温になる範囲を最小限に留められる。レーザー光を照射する部分は、発泡セルが実質的に存在しない樹脂薄膜３６であるので、レーザー光により加熱されても、表面の膨れが生じ難い。
［第２の実施形態］
（１）三次元成形回路部品
　本実施形態では、図７に示す三次元成形回路部品４００について説明する。三次元成形回路部品４００は、金属部４１と樹脂部４２とを含む基材４０と、樹脂部４２上にメッキ膜により形成された回路パターン１４と、基材４０上に形成された凹部４３に実装され、回路パターン１４と電気的に接続する実装部品１５とを有する。凹部４３の側壁４３ａは、樹脂部４２により形成され、凹部４３の底４３ｂは樹脂薄膜４６により形成される。実装部品１５は、樹脂薄膜４６を介して金属部４１上に配置される。第１の実施形態では、図１に示すように、樹脂薄膜１６は樹脂部１２の一部であり、熱可塑性樹脂により形成される。一方、本実施形態では、図７に示すように、樹脂薄膜４６は樹脂部４２の一部ではなく、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂により形成される。
　基材４０は、金属部４１と樹脂部４２とを接合した複合体であれば、第１の実施形態と同様に任意のものを用いることができる。また、第１の実施形態では、金属部１１と樹脂部１２とを一体成形した一体成形体を用いたが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、トリアジンチオール誘導体を用いた接合技術により、金属部４１と樹脂部４２とを接合した基材４０を用いてもよい。
　金属部４１と樹脂部４２の材料としては、第１の実施形態と同様のものを用いることができる。本実施形態では、金属部４１として金属ブロックを用いる。また、第１の実施形態では、樹脂薄膜１６が樹脂部１２の一部であるため、樹脂部１２には耐熱性の高い熱可塑性樹脂を用いるが、本実施形態はこの限りではない。本実施形態では、樹脂薄膜４６と樹脂部４２とは異なる樹脂で形成されるため、樹脂薄膜４６を耐熱性の高い樹脂で形成し、樹脂部４２を比較的安価な耐熱性の低い樹脂で形成できる。これにより、三次元成形回路部品４００の全体的なコストを低減できる。例えば、実装部品１５を基材４０にハンダリフローにより実装しない場合、樹脂部４２はハンダリフロー耐性が要求されないため、汎用エンプラであるＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＡＢＳ樹脂とＰＣとのポリマーアロイ（ＡＢＳ／ＰＣ）等を用いることができる。これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。また、本実施形態の樹脂部４２は、図６に示す第１の実施形態の変形例２の樹脂部３２と同様に、内部に発泡セルを有してもよい。内部に発泡セルを有することで、三次元成形回路部品４００の軽量化を図れる。
　回路パターン１４及び実装部品１５は、第１の実施形態と同様のものを用いることができる。実装部品１５は、基材４０上に形成された凹部４３に実装される。凹部４３の底４３ｂの面積、凹部４３の深さは、第１の実施形態の凹部１３と同様である。
　本実施形態の樹脂薄膜４６は、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂により形成される。硬化前の熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂は低粘度であるため、樹脂薄膜４６の薄膜化が容易である。また、硬化後の熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂は、高耐熱性及び高密度であり、実装部品１５がハンダ付けされる凹部４３の底４３ｂを形成する材料として適している。樹脂薄膜４６を形成する樹脂は、融点が２６０℃以上であることが好ましく、２９０℃以上であることがより好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱樹脂を用いることができ、光硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。同様に、これらの光硬化性樹脂は、単独で用いてもよいに、２種類以上を混合して用いてもよい。
　樹脂薄膜４６は、絶縁性の放熱材料を含有してもよい。樹脂薄膜４６上には、回路パターン１４が形成されるため、カーボン等の安価な導電性の放熱材料を用いることができない。絶縁性の放熱材料は高価であるが、実装部品１５が実装される樹脂薄膜４６のみに含有することで、コスト上昇の抑制と放熱性向上を両立できる。絶縁性の放熱材料としては、例えば、高熱伝導率の無機粉末である、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等のセラミックス粉が挙げられる。樹脂薄膜４６中に絶縁性の放熱材料は、１０重量％～９０重量％含まれることが好ましく、３０重量％～８０重量％含まれることがより好ましい。
　本実施形態の樹脂薄膜４６の厚さｔ４６は、０．０１ｍｍ～０．５ｍｍであることが好ましい。実装部品１５と金属部４１の間に存在する樹脂薄膜４６の厚さｔ４６がこの範囲であれば、実装部品１５が発する熱を金属部４１により十分に放熱でき、また、樹脂薄膜４６上へのレーザー描画も可能である。以上説明した観点から、更に、樹脂薄膜４６の厚さｔ４６は、０．０１ｍｍ～０．１ｍｍが好ましく、０．０３ｍｍ～０．０５ｍｍがより好ましい。
（２）三次元成形回路部品の製造方法
　三次元成形回路部品４００の製造方法について説明する。まず、基材４０の金属部４１（金属ブロック）の表面４１ａに、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂により形成される樹脂薄膜４６を成膜する。樹脂薄膜４６は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を溶媒に溶解して樹脂溶液とし、樹脂溶液を金属部４１の表面４１ａに塗布して乾燥し、その後、加熱又は光照射することで形成できる。樹脂溶液は低粘度であるため、薄膜の形成が容易である。
　次に、樹脂薄膜４６が形成された金属部４１と樹脂部４２とを接合して基材４０を製造する。金属部４１と樹脂部４２とを接合する方法は、特に限定されず、任意の方法を用いることができる。例えば、第１の実施形態と同様に、インサート成形等により一体成形してもよい。
　基材４０の製造において、樹脂薄膜４６の周囲に、樹脂部４２により側壁４３ａを形成する。これにより、基材４０の表面に、側壁４３ａと底４３ｂにより区画される凹部４３が形成される。
　次に、樹脂部４２上にメッキ膜により形成された回路パターン１４を形成する。回路パターン１４を形成する方法としては、第１の実施形態と同様の方法を用いることができる。
　樹脂部４２に回路パターン１４を形成した後、基材４０上に形成された凹部４３に実装部品１５を実装し、回路パターン１４と電気的に接続させる。これにより、本実施形態の三次元成形回路部品４００が得られる。実装方法は特に限定されず、第１の実施形態と同様に、汎用の方法を用いることができるが、本実施形態では、レーザーハンダ付け法やスポットヒータによる局所加熱法（スポット実装）を用いることが好ましい。レーザーハンダ付け法やスポットヒータによる局所加熱法では、樹脂薄膜４６のみが加熱されるので、樹脂部４２に比較的安価な耐熱性の低い樹脂を用いることができ、三次元成形回路部品４００全体の低コスト化が図れる。
　尚、以上説明した本実施形態の三次元成形回路部品４００では、基材４０上に形成された凹部４３に実装部品１５を実装するが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、上述した第１の実施形態と同様に、実装部品１５が樹脂薄膜４６上に実装されていれば、実装部品１５は必ずしも凹部に実装されている必要はない。実装部品１５を凹部に実装しなくも、樹脂薄膜４６上に実装することで、実装部品１５が発する熱を金属部４１により十分に放熱できる。
　以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。
　[実施例１]
　本実施例では、図１に示す、金属部１１と樹脂部１２とが一体成形され、樹脂薄膜１６が樹脂部１２の一部である基材１０を用いて、三次元成形回路部品１００を製造した。また、実装部品１５として、ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いた。
（１）基材の製造
　金属部１１にアルミニウム板、樹脂部１２に無機フィラー含有芳香族ポリアミド（東洋紡製、バイロアミドＧＰ２Ｘ－５、融点３１０℃）を用い、インサート成形により基材１０を製造した。
　図１に示す、屈曲した板状体である基材１０に対応するキャビティを有する金型を用意した。基材１０の厚さｔ１０に対応するキャビティの厚さは、２ｍｍとした。金型のキャビティにおいて、凹部１３に対応する部分（キャビティ内の凸部）は、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６及び面積を可変できるように、入れ子を用いて形状を変更可能とした。
　金型のキャビティの形状に合わせて、板厚１ｍｍのアルミニウム板を曲げ加工した。ナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）により金属部１１と樹脂部１２の密着力を向上させるため、曲げ加工したアルミニウム板の表面をエッチング処理した。エッチング処理したアルミニウム板を金型のキャビティ内の適当な位置に配置し、キャビティ内の空き領域に芳香族ポリアミドを射出充填してインサート成形した。インサート成形には、汎用の射出成形装置を用い、金型温度１４０℃、樹脂温度３４０℃とした。得られた基材１０は、金属部１１（金属板）の厚さｔ１１が１ｍｍ、樹脂部１２（熱可塑性樹脂層）の厚さｔ１２が１ｍｍであった。また、金型キャビティ内の入れ子の大きさを調整することにより、樹脂薄膜１６の厚さｔ１６を０．２ｍｍ、面積を０．４９ｃｍ２（０．７ｃｍ×０．７ｃｍ）とした。凹部１３の深さｄ１３は、１．８ｍｍとした。
（２）回路パターンの形成
　本実施例では、以下に説明する方法により、樹脂部１２上にメッキ膜により形成された回路パターン１４を形成した。
（ａ）触媒活性妨害剤の合成
　式（１）で表される、市販のハイパーブランチポリマー（日産化学工業製、ハイパーテック　ＨＰＳ－２００）にアミド基を導入して、式（２）で表されるハイパーブランチポリマーを合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　まず、式（１）で表されるハイパーブランチポリマー（１．３ｇ、ジチオカルバメート基：４．９ｍｍｏｌ）、Ｎ‐イソプロピルアクリルアミド（ＮＩＰＡＭ）（１．１０ｇ、９．８ｍｍｏｌ）、α,α’‐アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）（８１ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）をシュレンク管へ加え、凍結脱気を３回行った。その後、オイルバスを用いて７０℃で一晩（１８時間）撹拌して反応させ、反応終了後、氷水によって冷却し、ＴＨＦで適度に希釈した。次に、ヘキサン中で再沈殿させ、得られた固体の生成物を６０℃で一晩真空乾燥させた。生成物のＮＭＲ（核磁気共鳴）測定及びＩＲ（赤外吸収スペクトル）測定を行った。この結果、式（１）で表される市販のハイパーブランチポリマーにアミド基が導入されて、式（２）で表されるポリマーが生成していることが確認できた。次に、生成物の分子量をＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）で測定した。分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）＝９,９４６、重量平均分子量（Ｍｗ）＝２４,７９２であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）とが大きく異なった値であった。式（２）で表されるハイパーブランチポリマーの収率は、９２％であった。
（ｂ）触媒活性妨害層の形成
　合成した式（２）で表されるポリマーをメチルエチルケトンに溶解して、ポリマー濃度０．５重量％のポリマー液を調製した。成形した基材１０を調製したポリマー液に室温で５秒間ディッピングし、その後、８５℃乾燥機中で５分間乾燥した。これにより、基材１０表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層の膜厚は、約７０ｎｍであった。
（ｃ）レーザー描画
　触媒活性妨害層を形成した樹脂部１２の表面に、３Ｄレーザーマーカ（キーエンス製、ファイバーレーザー、出力５０Ｗ）を用いて、２０００ｍｍ／ｓの加工速度で、回路パターン１４に対応する部分をレーザー描画した。描画パターンの線幅は０．３ｍｍ、隣り合う描画線間の最小距離は０．５ｍｍとした。レーザー描画により、レーザー描画部分の触媒活性妨害層を除去できた。また、レーザー描画部分は粗化され、樹脂部１２内に含まれていたフィラーが露出した。
（ｄ）無電解メッキ触媒の付与及びメッキ膜の形成
　レーザー描画を行った基材１０を３０℃の塩化パラジウム溶液（奥野製薬工業製、アクチベータ）に５分浸漬し、無電解メッキ触媒を付与した。基材１０を水洗し、次に、６０℃の無電解ニッケルリンメッキ液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＰＨ－Ｌ、ｐＨ６．５）に、基材１０を１０分浸漬させた。樹脂部１２上のレーザー描画部に選択的に、ニッケルリン膜（無電解ニッケルリンメッキ膜）が約１μｍ成長した。同時に、金属部１１（アルミニウム板）の表面にも、ニッケルリン膜１８が約１μｍ形成された。
　レーザー描画部のニッケルリン膜上に、更に、汎用の方法により、電解銅メッキ膜を１０μｍ、電解ニッケルメッキ膜を１μｍ、電解金メッキ膜を０．１μｍ、この順に積層し、回路パターン１４を形成した。本実施例では、樹脂薄膜１６上にも、断線することなく、回路パターン１４が形成された。
（３）実装部品の実装
　基材１０上に形成された凹部１３に、ハンダ１７、実装部品（ＬＥＤ）１５を配置した。更に、基材１０上の凹部１３以外の部分に、図示しないハンダ及び抵抗を配置した。実装部品１５及び抵抗（不図示）は、回路パターン１４と電気的に接続可能な位置に配置した。次に、基材１０をリフロー炉に通した。リフロー炉内で基材１０は加熱され、基材１０の最高到達温度は約２４０℃となり、基材１０が最高到達温度で加熱された時間は約３０秒であった。ハンダ１７により、実装部品１５は基材１０に実装され、本実施例の三次元成形回路部品１００を得た。
［実施例２］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の厚さを０．０５ｍｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［実施例３］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の厚さを０．１ｍｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［実施例４］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の厚さを０．５ｍｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［実施例５］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の面積を４ｃｍ２（２ｃｍ×２ｃｍ）とした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［実施例６］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の面積を１６ｃｍ２（４ｃｍ×４ｃｍ）とした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［実施例７］
　本実施例では、樹脂薄膜１６の面積を２５ｃｍ２（５ｃｍ×５ｃｍ）とした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［比較例１］
　本比較例では、樹脂薄膜１６の厚さを０．００８ｍｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［比較例２］
　本比較例では、樹脂薄膜１６の厚さを０．７ｍｍとした以外は、実施例１と同様の方法により、図１に示す三次元成形回路部品１００を製造した。
［三次元成形回路部品の評価］
　実施例１～７及び比較例１及び２で製造した三次元成形回路部品について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
（１）樹脂薄膜の成形性
　基材の一体成形における樹脂薄膜の成形性について、以下の評価基準に従って評価した。
＜樹脂薄膜の成形性の評価基準＞
○：樹脂薄膜に、溶融樹脂の未充填部分が発生しなかった。
×：樹脂薄膜に、溶融樹脂の未充填部分が発生した。
（２）三次元成形回路部品の放熱性
　製造した三次元成形回路部品に所定の電圧を印可してＬＥＤを点灯させた。点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度をサーモグラフィで測定した。以下の評価基準に従って、三次元成形回路部品の放熱性を評価した。
＜三次元成形回路部品の放熱性の評価基準＞
○：点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度が１００℃以下であった。
×：点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度が１００℃を越えた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１に示すように、樹脂薄膜の厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍの範囲内である実施例１～７では、樹脂薄膜の成形性及び三次元成形回路部品の放熱性が共に良好であった。樹脂薄膜の厚さのみが異なる実施例１～４を比較すると、樹脂薄膜の厚さ薄い程、点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度が低く、三次元成形回路部品の放熱性が高いことがわかった。また、樹脂薄膜の面積のみが異なる実施例１及び５～７を比較すると、樹脂薄膜の面積が大きい程、点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度が低く、三次元成形回路部品の放熱性が高いことがわかった。樹脂薄膜の面積が大きい程、樹脂薄膜の成形は困難となるが、樹脂薄膜が２５ｃｍ２である実施例７においても、溶融樹脂の未充填部分は発生せず、成形性は良好であった。
　一方、樹脂薄膜の厚さが０．００８ｍｍと薄い比較例１では、溶融樹脂の未充填部分が発生し、成形性は不良であった。このため、比較例１では、三次元成形回路部品の放熱性の評価は行わなかった。樹脂薄膜の厚さが０.７ｍｍと厚い比較例２では、三次元成形回路部品の放熱性が不良であった。
 [実施例８]
　本実施例では、金属部としてアルミニウム板の代わりに、アルミニウム製の放熱フィンを用いた以外は、実施例１と同様の方法により三次元成形回路部品を製造した。即ち、本実施例で製造した三次元成形回路部品は、図５に示す三次元成形回路部品２００である。
　実施例１と同様に、（１）樹脂薄膜の成形性及び（２）三次元成形回路部品の放熱性について評価した。樹脂薄膜の成形性は良好であった。三次元成形回路部品の放熱性も良好であり、点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度は７０℃と、実施例１よりも１０℃低かった。この結果から、金属部に放熱フィンを用いることで、放熱性が向上することが確認できた。
 [実施例９]
　本実施例では、樹脂薄膜の厚さを０．１５ｍｍとし、基材の樹脂部を発泡成形し、実装部品（ＬＥＤ）をレーザーハンダ付け法（スポット実装）により基材に実装した。それ以外は、実施例１と同様の方法により三次元成形回路部品を製造した。即ち、本実施例で製造した三次元成形回路部品は、図６に示す三次元成形回路部品３００である。尚、本実施例では、実施例１に用いたものと同様の金型を用いてインサート成形により基材を一体成形したが、成形装置としてＷＯ２０１３／０２７６１５号公報の図１１に開示される成形装置を用い、物理発泡剤として加圧窒素を用いて、樹脂部を発泡成形した。窒素の充填圧力は１０ＭＰａとし、ベント減圧部の背圧弁圧力は６ＭＰａとした。
　得られた三次元成形回路部品３００の樹脂部３２は、ソリッド（無発泡体）と比較して比重が約８％低くなった。樹脂部３２及び樹脂薄膜３６の断面を顕微鏡観察した。樹脂部３２のセル３９のセル径は、３０～８０μｍと微細であった。一方、樹脂薄膜３６の断面に発泡セルは発見されなかった。即ち、樹脂薄膜３６は実質的に発泡セルを含んでいなかった。また、実装部品（ＬＥＤ）のレーザーハンダ付け法（スポット実装）において、レーザー光が照射された樹脂薄膜３６に膨れは認められなかった。
　更に、得られた三次元成形回路部品３００において、発泡セル３９を含む樹脂部３２に、レーザーハンダ付け法（スポット実装）に用いたものと同じレーザー光を照射する実験を行った。レーザー光を照射すると、発泡セル３９を含む樹脂部３２には膨れが生じた。この結果から、発泡成形を行うことで樹脂部３２の耐熱性は低下するが、樹脂薄膜３６に発泡セルを形成しないことで、ＬＥＤが実装される樹脂薄膜３６の耐熱性を維持できることがわかった。本実施例の三次元成形回路部品３００は、ＬＥＤ実装部分の耐熱性を維持しながら、部品全体を軽量化することに成功した。
 [実施例１０]
　本実施例では、図７に示す、金属部４１と樹脂部４２とが一体成形され、樹脂薄膜４６が熱硬化性樹脂により形成された基材４０を用いて、三次元成形回路部品４００を製造した。また、実装部品１５として、ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いた。
（１）基材の製造
　金属部４１にはアルミニウムブロックを用い、樹脂部４２には、実施例１に用いた樹脂と同様の無機フィラー含有芳香族ポリアミド（東洋紡製、バイロアミドＧＰ２Ｘ－５、融点３１０℃）を用いた。また、樹脂薄膜４６には、絶縁性の放熱材料として平均粒子径４μｍの窒化ホウ素粉を含有した、熱硬化性樹脂であるポリイミドを用いた。
　まず、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸及び窒化ホウ素粉をＮ-メチル-２-ピロリドン（ＮＭＰ）に分散および溶解して、ポリイミド濃度（固形分濃度）１２重量％、窒化ホウ素濃度５０重量％の樹脂スラリー溶液を調製した。調製した樹脂スラリー溶液を金属部４１の表面４１ａに塗布し、３５０℃で３０分間加熱して硬化させ、樹脂薄膜４６を形成した。樹脂薄膜４６の面積は、１ｃｍ２（１ｃｍ×１ｃｍ）とし、厚さｔ４６は、２０μｍとした。また、樹脂薄膜４６中の窒化ホウ素粉の含有量は、７０体積％とした。
　図７に示す基材４０に対応するキャビティを有する金型を用意した。金型のキャビティには、凹部４３に対応する部分（キャビティ内の凸部）を設けた。ナノモールディングテクノロジー（ＮＭＴ）により金属部４１と樹脂部４２の密着力を向上させるため、金属部４１（アルミニウムブロック）の表面をエッチング処理した。エッチング処理した金属部４１を金型のキャビティ内の適当な位置に配置し、キャビティ内の空き領域に芳香族ポリアミドを射出充填してインサート成形した。インサート成形は、実施例１と同様の射出成形装置を用い、同様の成形条件（金型温度１４０℃、樹脂温度３４０℃）で行った。得られた基材４０には、樹脂部４２により形成される側壁４３ａと、樹脂薄膜４６とから形成される底４３ｂにより区画される凹部４３が形成された。凹部４３の深さは、１．８ｍｍとした。
（２）回路パターンの形成及び実装部品の実装
　実施例１と同様の方法により、樹脂部４２上にメッキ膜により形成された回路パターン１４を形成した。本実施例では、樹脂薄膜４６上にも、断線することなく、回路パターン１４が形成された。次に、実施例１と同様の方法により、基材４０上に形成された凹部４３に、実装部品（ＬＥＤ）１５を実装した。これにより、図７に示す三次元成形回路部品４００が得られた。
　実施例１と同様の方法により、三次元成形回路部品の放熱性を評価した。三次元成形回路部品の放熱性は良好であり、点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度は６５℃と、実施例１よりも１５℃低かった。この結果から、樹脂薄膜を薄くし、更に放熱材料を含有することで放熱性が高まることが確認できた。また、熱硬化性樹脂を用いることで、薄い樹脂薄膜を容易に製造できることが確認できた。
 [実施例１１]
　本実施例では、回路パターンの形成において、中性の無電解ニッケルリンメッキ液に代えて、強塩基性の無電解銅メッキ液（奥野製薬工業製、ｐＨ１２）を用いた以外は実施例１と同様の方法により、三次元成形回路部品を製造した。
　本実施例で得られた三次元成形回路部品の金属部（アルミニウム板）の表面は腐食され、一部に銅が析出していた。析出している銅の密着性は低く、容易に剥離した。金属部表面の腐食部分及び銅を剥離して除去した後に、実施例１と同様の方法により、三次元成形回路部品の放熱性を評価した。本実施例の三次元成形回路部品の放熱性は良好であり、点灯してから１時間後のＬＥＤ表面温度は８０℃であり、実施例１と同等であった。この結果から、金属部にアルミニウムを用い、メッキ液に強塩基性のメッキ液を用いると、金属部の腐食を生じることがわかった。但し、金属部表面の腐食部分及び銅の除去を行えば、三次元成形回路部品の実用には問題がないことが確認できた。
　本発明の三次元成形回路部品は、高い放熱性を有し、更に、成形が容易で生産性が高い。このため、ＬＥＤ等の実装部品の発熱によって、三次元成形回路部品が高温となることを抑制できる。本発明の三次元成形回路部品は、スマートフォンや、自動車部品に応用可能である。
１０，３０，４０　　基材
１１，２１，４１　　金属部
１２，３２，４２　　樹脂部
１４　　　　　　　　回路パターン
１３，３３，４３　　凹部
１３ａ，４３ａ　　　凹部の側壁
１３ｂ，４３ｂ　　　凹部の底
１５　　　　　　　　実装部品
１６，３６，４６　　樹脂薄膜
３９　　　　　　　　発泡セル
１００，２００，３００，４００　三次元成形回路部品

Claims (12)

  1. 　三次元成形回路部品であって、
    　金属部と樹脂部とを含む基材と、
    　前記樹脂部上に形成されている回路パターンと、
    　前記基材上に実装されており、前記回路パターンと電気的に接続している実装部品とを有し、
    　前記樹脂部は、その一部として、厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍである熱可塑性樹脂を含む樹脂薄膜を含み、前記樹脂薄膜は前記金属部上に形成されており、
    　前記実装部品は、前記樹脂薄膜を介して前記金属部上に配置されていることを特徴とする三次元成形回路部品。
  2. 　前記樹脂薄膜上に配置される前記実装部品１個当たりの前記樹脂薄膜の面積が、０．１ｃｍ２～２５ｃｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の三次元成形回路部品。
  3. 　前記基材が、前記金属部と前記樹脂部との一体成形体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の三次元成形回路部品。
  4. 　三次元成形回路部品であって、
    　金属部と樹脂部とを含む基材と、
    　前記樹脂部上に形成されている回路パターンと、
    　前記金属部上に形成されている、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を含む樹脂薄膜と、
    　前記樹脂薄膜上に実装されており、前記回路パターンと電気的に接続している実装部品とを有する三次元成形回路部品。
  5. 　前記樹脂薄膜の厚さが０．０１ｍｍ～０．５ｍｍであることを特徴とする請求項４に記載の三次元成形回路部品。
  6. 　前記樹脂薄膜には、絶縁性の放熱材料が含有されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の三次元成形回路部品。
  7. 　前記樹脂部が発泡セルを含むことを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の三次元成形回路部品。
  8. 　前記樹脂部が発泡セルを含み、前記樹脂薄膜が実質的に発泡セルを含まないことを特徴とする請求項７に記載の三次元成形回路部品。
  9. 　前記金属部が、放熱フィンであることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の三次元成形回路部品。
  10. 　前記実装部品がＬＥＤであることを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の三次元成形回路部品。
  11. 　前記金属部の表面には、ニッケルリン膜が形成されていることを特徴とする請求項１～１０のいずれか一項に記載の三次元成形回路部品。
  12. 　前記基材上には、前記樹脂部により形成される側壁と、前記樹脂薄膜により形成される底とによって凹部が区画されており、
    　１個の前記凹部に対して１個の前記実装部品が実装されており、
    　前記凹部の底の形状及び面積が、前記底と接触する前記実装部品の面の形状及び面積と略同一であることを特徴とする請求項１～１１のいずれか一項に記載の三次元成形回路部品。
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