WO2017187623A1 - 太陽電池の製造方法および太陽電池 - Google Patents

太陽電池の製造方法および太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
WO2017187623A1
WO2017187623A1 PCT/JP2016/063448 JP2016063448W WO2017187623A1 WO 2017187623 A1 WO2017187623 A1 WO 2017187623A1 JP 2016063448 W JP2016063448 W JP 2016063448W WO 2017187623 A1 WO2017187623 A1 WO 2017187623A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
main surface
surface side
diffusion layer
film
solar cell
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/063448
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
篤郎 濱
Original Assignee
三菱電機株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP2018514073A priority Critical patent/JPWO2017187623A1/ja
Priority to PCT/JP2016/063448 priority patent/WO2017187623A1/ja
Publication of WO2017187623A1 publication Critical patent/WO2017187623A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell manufacturing method and a solar cell.
  • a thin film called a passivation film is used for the purpose of removing the center that suppresses the carrier recombination rate on the wafer surface when forming a diffusion layer.
  • the passivation film functions by directly reducing the number of recombination centers at the interface depending on the relationship between the material constituting the thin film and silicon, or processing before and after the film formation.
  • the passivation film can be formed by causing a barrier against electric field by including a fixed charge at the interface and suppressing the recombination rate by the electric field effect, depending on the relationship with silicon of the material constituting the thin film or processing before and after the film formation. It is functioning.
  • the passivation film is a p-type substrate
  • a dielectric film including silicon oxide SiO 2 and silicon nitride SiN is used on the n-type diffusion layer side, and the p-type substrate side
  • a dielectric film such as aluminum oxide Al 2 O 3 or SiN is used.
  • Patent Document 1 the solar cell manufacturing method disclosed in Patent Document 1 has a problem in that a sufficient performance cannot be obtained and a solar cell with sufficient performance cannot be obtained.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to obtain a passivation film having a good passivation ability by a simple process.
  • the present invention differs from the first conductivity type on the first main surface with respect to the first conductivity type semiconductor substrate having the first and second main surfaces. It is a manufacturing method of a solar cell including a step of forming a first main surface side diffusion layer showing a second conductivity type and a step of forming a passivation film.
  • the step of forming a passivation film includes a step of immersing the first main surface side diffusion layer and the second main surface side of the semiconductor substrate in a hydrofluoric acid aqueous solution, a first main surface side diffusion layer and a semiconductor immersed in the hydrofluoric acid aqueous solution. Cleaning the surface of the second main surface side of the substrate with water containing ozone.
  • the figure showing the cross section of the solar cell produced by the manufacturing method of the solar cell concerning Embodiment 1 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a solar cell according to a first embodiment.
  • FIG. FIG. 1 is a diagram showing a solar cell obtained in the production process showing Embodiment 1 of the method for producing a solar cell according to the present invention
  • FIG. 2 is a flowchart showing the production process of the solar cell of Embodiment 1.
  • 3 is a flowchart showing a substrate surface cleaning process in the manufacturing process of the solar cell of the first embodiment
  • FIGS. 4 to 12 are process cross-sectional views showing the manufacturing process of the solar cell of the first embodiment.
  • the solar cell according to the first embodiment is formed on the n-type single crystal silicon substrate 1 that is the first conductive type crystalline silicon substrate and the light receiving surface 1A that is the first main surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.
  • the p-type diffusion layer 2 as the second conductivity type diffusion layer is formed, and the n-type diffusion layer 3 as the first conductivity type diffusion layer formed on the back surface 1B side as the second main surface.
  • an ozone oxide film (SiO 2 film) which is the light receiving surface side passivation film 4a, a passivation film 6 having a field effect, and an antireflection film 7 are provided.
  • an SiO 2 film and a back surface insulating film 8 which are back surface side passivation films 4b are formed on the back surface 1B side.
  • An electrode 9 is formed on the antireflection film 7 and the back insulating film 8, and a light receiving surface electrode 9a that is a metal electrode is provided on the light receiving surface 1A side, and a back electrode 9b that is a metal electrode is provided on the back surface 1B side.
  • the crystalline silicon substrate includes a single crystal silicon substrate and a polycrystalline silicon substrate, and a single crystal silicon substrate having a (100) plane on the surface, that is, the main surface is particularly preferable.
  • the crystalline silicon substrate may be a p-type conductive silicon substrate or an n-type conductive silicon substrate. In the first embodiment, a case where an n-type single crystal silicon substrate 1 is used will be described.
  • the method for manufacturing a solar cell according to the first embodiment includes an ozone water treatment and an ozone oxidation after a step of removing a glass layer in one facility in a step of removing a glass layer formed on a substrate surface at the same time when forming a diffusion layer.
  • the film removal process is continuously performed.
  • the process of removing the glass layer is referred to as a glass layer removing process.
  • the solar cell manufacturing method of the first embodiment by performing a process similar to the glass layer removing process a plurality of times, no special equipment such as a film forming facility is required for forming the passivation film. It is possible to form a passivation film on the light receiving surface 1A side which is the main surface.
  • the n-type single crystal silicon substrate 1 is usually cut by slicing an ingot obtained by pulling up, a natural oxide film, structural defects, and contamination by metal are present on the surface. Therefore, in the damaged layer removing step S10, the n-type single crystal silicon substrate 1 is cleaned and damaged layer etched.
  • the surface contamination or damage caused during wafer slicing is immersed in an alkaline solution in which, for example, 1 wt% or more and less than 10 wt% sodium hydroxide is dissolved. Remove.
  • texture formation step S20 an additive such as isopropyl alcohol or caprylic acid is added to the light receiving surface 1A of the n-type single crystal silicon substrate 1 in an alkaline solution of, for example, 0.1 wt% or more and less than 10 wt%.
  • a texture which is unevenness for obtaining an antireflection structure is formed by immersing in a solution.
  • the texture may be formed not only on the light receiving surface 1A but also on the back surface 1B. In FIGS. 1 and 4 to 12, the texture is not shown for easy understanding, and both the light receiving surface and the back surface are shown as flat surfaces.
  • the p-type diffusion layer 2 of the second conductivity type is formed on the light receiving surface 1A side.
  • vapor phase diffusion using BBr 3 as a diffusion source is generally used, but a BSG (boron silicate glass) film is once formed using SiH 4 and B 2 H 6 as source gases.
  • BSG boron silicate glass
  • solid phase diffusion by subsequent heat treatment may be used.
  • the p-type diffusion layer 2 can be formed by a method such as local heating with a laser or application of a doping material containing boron, if necessary, in a portion having a high diffusion concentration.
  • the first conductivity type n-type single crystal silicon substrate is formed on the back surface 1B side as shown in FIG.
  • the n-type diffusion layer 3 having a concentration higher than 1 is formed.
  • the n-type diffusion layer 3 is generally vapor-phase diffusion is used to spread source POCl 3, but once deposited PSG (phosphosilicate glass) film using SiH 4, PH 3 as a source gas, Solid phase diffusion by subsequent heat treatment may be used.
  • the n-type diffusion layer 3 is also subjected to a method of locally heating a portion having a high diffusion concentration with a laser or a method of applying a doping material containing phosphorus as necessary. Can be formed.
  • the p-type diffusion layer 2 and the n-type diffusion layer 3 are separated. Since the direct relationship with the essential part of the present invention is thin, it is simplified in FIGS. 5 and 6, but the p-type diffusion layer 2 and the n-type diffusion layer 3 are also provided on the side surface portion of the n-type single crystal silicon substrate 1. In many cases, it is formed, and an appropriate separation process is required to prevent a leakage current through the side surface portion.
  • an end face etching process is used in which several tens to several hundreds of n-type single crystal silicon substrates 1 that have undergone the processes up to the first conductivity type diffusion layer forming step S40 are stacked, and the side surfaces are etched by plasma discharge. It is done.
  • a substrate surface cleaning step S60 is performed.
  • a glass layer of several nanometers to several tens of nanometers is formed in the vicinity of the surface together with the p-type diffusion layer 2 and the n-type diffusion layer 3. Therefore, the substrate surface is cleaned by hydrofluoric acid treatment to remove them.
  • FIG. 3 shows details of the substrate surface cleaning step S60.
  • the substrate surface cleaning step S60 includes a glass layer removing step S61 and an ozone oxide film forming step S67.
  • the glass layer removing step S61 the glass layer on the surface is removed with a hydrofluoric acid aqueous solution.
  • the substrate cleaning step 60 includes an ozone water cleaning step S63, an ozone oxide film removing step S65, and a final ozone water cleaning step S67.
  • the ozone water cleaning step S63 the substrate surface is cleaned with ozone water by immersing in ozone water in which 3 ppm to 15 ppm of ozone is dissolved for 3 minutes.
  • a silicon oxide film which is an ozone oxide film, is formed on the light receiving surface 1A side and the back surface 1B side, thereby constituting the light receiving surface passivation film 4a and the back surface passivation film 4b.
  • the ozone concentration of the ozone water used in the ozone water cleaning step S63 is desirably 5 ppm or more. This is because when the ozone concentration of ozone water is less than 5 ppm, the oxidation rate becomes too low, and it becomes difficult to form an ozone oxide film having a required thickness in a short time.
  • the ozone concentration of ozone water used in the final ozone water cleaning step S63 is desirably 5 ppm or more. This is because an ozone oxide film having a desired film thickness is efficiently formed at the final stage.
  • the glass layer removal step S61, the ozone water cleaning step S63, the ozone oxide film removal step S65, the ozone water cleaning step S67 that is the final ozone oxide film forming step, and the drying step S69 are sequentially performed.
  • the water washing steps S62, S64, S66, and S68 are executed between the steps.
  • the ozone oxide film on the substrate surface is removed by immersing in a hydrofluoric acid aqueous solution having a hydrofluoric acid concentration of 3 wt% to 10 wt% for 30 seconds. Furthermore, the hydrofluoric acid concentration of the hydrofluoric acid aqueous solution used in the ozone oxide film removing step S65 is desirably 5 wt%.
  • the washing step is preferably 3 minutes.
  • the substrate surface cleaning step S60 uses equipment having an etching section using hydrofluoric acid, a water washing section, and a drying section.
  • the ozone water cleaning section and the ozone oxide film removing section are provided between the water washing section and the drying section.
  • a film can be formed.
  • Specified multiple times here is specifically 2 to 5 times. If only once, the effect of cleaning the outermost surface is small, and if it is six times or more, the processing becomes redundant, increasing the cost of equipment or processing, and increasing the risk that consumption of silicon on the outermost surface cannot be ignored.
  • the repetition of the ozone water cleaning unit and the ozone oxide film removing unit is shown as a loop flow in FIG. 3, but in an actual processing facility, the loop is repeated according to the flow.
  • the equipment may be configured to perform the above process, or the equipment may be configured so that the ozone water cleaning unit and the ozone oxide film removing unit for a plurality of times are connected in series.
  • the ozone water treatment forms an ozone oxide film of several nanometers, specifically 2 nanometers to 5 nanometers, on the surface of the p-type diffusion layer 2 and the n-type diffusion layer 3, but the ozone oxide film is formed. At the same time, silicon on the outermost surfaces of both diffusion layers is consumed. Subsequent ozone oxide film removal makes it possible to remove defects or recombination centers present on the outermost surface of the diffusion layer. In order to obtain a sufficient passivation effect, the thickness of the ozone oxide film is preferably 2 nanometers or more. On the other hand, when the thickness of the ozone oxide film is 5 nanometers or more, contact formation by fire-through becomes insufficient for electrode formation, and sufficient contact properties cannot be obtained. Furthermore, when the ozone oxide film is formed by the ozone water treatment, a very long time is required to make the film thickness larger than 6 nanometers, and the productivity is deteriorated. Is preferably 6 nanometers or less.
  • the impurity concentration due to the dopant is unnecessarily high especially on the outermost surface of the n-type diffusion layer 3, and the impurity concentration is about 10 21 to 10 22 cm ⁇ 3 There are many cases. In order to improve power generation efficiency, it is necessary to reduce the dopant concentration to about 10 20 cm ⁇ 3 .
  • Oxidation with ozone water generally has a much slower oxide film formation rate than thermal oxidation used for forming an oxide film. Therefore, the thickness of the n-type diffusion layer 3 is obtained by repeatedly performing ozone water treatment and ozone oxide film removal. As shown in FIG. 8, the etched portion 5 is removed by etching while reducing the dopant concentration on the outermost surface, and a clean n-type diffusion layer can be exposed on the outermost surface. Further, since the treatment is performed at room temperature, the surface is not damaged, and the impurity concentration profile does not fluctuate. Therefore, by sequentially performing etching, a surface having a desired impurity concentration can be obtained. Can be obtained.
  • the initial outermost surface concentration is not as high as that of the n-type diffusion layer 3, and thus the effect is not significant. It is possible to expose a clean n-type diffusion layer on the outermost surface while reducing.
  • the above treatment is repeated a plurality of times as described above, and the desired step is repeated 2 to 5 times, and then the final step is completed with ozone water treatment, so that ozone is applied to the surfaces of the p-type diffusion layer 2 and the n-type diffusion layer 3.
  • the light-receiving surface passivation film 4a and the back surface passivation film 4b which are oxide films, are formed and taken out to the outside while maintaining a clean silicon interface, as shown in FIG. 9, and an effective passivation film can be formed.
  • an ozone oxide film having a sufficient thickness can be formed by using ozone water having a higher ozone concentration.
  • a passivation film forming step S70 is performed, and an electrolytic effect type passivation film 6 made of an aluminum oxide film is formed on the light receiving surface 1A side as shown in FIG.
  • a film having no electric field effect such as a silicon oxide film or a silicon nitride film may be used.
  • a silicon oxide film in addition to general thermal oxidation, an oxide film generated by washing with water or ozone-containing water as described above may be used as it is as the light-receiving surface side passivation film 4a.
  • an aluminum oxide film is used for the passivation film 6 having a field effect, it is formed by, for example, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition).
  • a fixed charge included in the film formation is more preferable because it has an effect of enhancing the passivation ability by the electric field effect.
  • an aluminum oxide film is laminated on the light-receiving surface side passivation film 4a made of the above-described ozone oxide film, and the ozone oxide film can also function as a part of the film for exhibiting the passivation function.
  • the back surface insulating film 8 made of a silicon nitride film is formed on the back surface 1B by using, for example, plasma CVD.
  • the lamination of the ozone oxide film constituting the back surface side passivation film 4b and the back surface insulating film 8 has an effect of having a passivation function.
  • an insulating film having a field effect for the back surface insulating film 8 it is possible to further improve the passivation property.
  • SiO 2 can be used as an insulating film having a field effect on the n-type diffusion layer.
  • thermal oxidation is generally used.
  • the light receiving surface antireflection film 7 is formed on the light receiving surface 1A side in the same manner by, for example, forming a silicon nitride film using plasma CVD. .
  • the order of formation of the light-receiving surface antireflection film 7, the back surface insulating film 8, and both of the passivation layers is not necessarily limited to the above-described order. good.
  • the light receiving surface electrode 9a and the back surface electrode 9b are formed on the light receiving surface 1A side and the back surface 1B side, respectively.
  • the electrode material for example, copper, silver, aluminum, or a mixture thereof is used.
  • a paste made by mixing a metal powder of copper, silver, aluminum or a mixture thereof, glass, a ceramic component powder, and an organic solvent is formed into a pattern of a desired shape by, for example, screen printing, and then dried. And formed by firing.
  • the light-receiving surface antireflection film 7, the back-surface insulating film 8, the light-receiving surface-side passivation layer 4a, and the back-surface-side passivation layer 4b on the light-receiving surface 1A side and the back surface 1B are penetrated by fire-through.
  • Good junctions between the surface electrode 9a and the p-type diffusion layer 2 and between the back electrode 9b and the n-type diffusion layer 3 are formed.
  • a passivation film or an antireflection film is formed on the back surface, the inside of the laminated film of the silicon oxide film and the silicon nitride film formed on the back surface may be joined by fire-through. In this way, the solar cell shown in FIG. 1 is completed.
  • the dopant concentration of the n-type diffusion layer is controlled without adding a special passivation film forming step, and a good passivation film can be formed in a single step. It becomes possible to form.
  • the passivation film is composed of the two-layer structure of the light-receiving surface side passivation film 4a and the passivation film 6 having the electric field effect.
  • the light-receiving surface side passivation film 4a that is an ozone oxide film is used. May be. This is because the impurity concentration on the surface of the p-type diffusion layer 2 can be controlled with high accuracy by cleaning with ozone water, so that a concentration at which recombination hardly occurs can be obtained and the passivation effect can be made effective. In that case, there is an effect that the thickness of the passivation film can be reduced and the fire-through is facilitated.
  • the slice damage removing process, the texture forming process, and the cleaning process after the texture formation are examples used for explaining the process of the first embodiment, and are not limited to the above. Any process may be used.
  • any process may be used and is not limited to the above process.
  • the order from the step of forming the n-type diffusion layer 3 to the step of forming the electrode may be appropriately changed as long as it functions as a solar cell, and the order is not limited.
  • the substrate may be another silicon-based crystal substrate such as a polycrystalline silicon substrate or silicon carbide, and the conductivity type is not limited to an n-type substrate.
  • a mold substrate may be used.
  • the diffusion layer on the second main surface side which is a diffusion layer formed on the light receiving surface and the back surface, whether p-type or n-type is formed and the impurity element forming the diffusion layer can be appropriately selected. . Further, when the impurity concentration of the semiconductor substrate is a desired value, it is not necessary to form an impurity diffusion layer on the back surface side.
  • the configuration described in the above embodiment shows an example of the contents of the present invention, and can be combined with another known technique, and can be combined with other configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit and change the part.
  • 1 n-type single crystal silicon substrate 1A light-receiving surface, 1B back surface, 2 p-type diffusion layer, 3 n-type diffusion layer, 4a light-receiving surface passivation film, 4b back surface passivation film, 5 etching part, 6 passivation film having electric field effect, 7 Light-receiving surface antireflection film, 8 Back surface insulating film, 9 electrodes, 9a Light-receiving surface electrode, 9b Back surface electrode.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

第１および第２主面を有する第１導電型の半導体基板に対し、第１主面に前記第１導電型とは異なる第２導電型を示す第１主面側拡散層を形成する工程と、パッシベーション膜を形成する工程を含む太陽電池の製造方法である。パッシベーション膜を形成する工程が、第１主面側拡散層および半導体基板の第２主面側をフッ酸水溶液に浸漬するガラス層除去ステップＳ６１と、フッ酸水溶液に浸漬させた第１主面側拡散層および半導体基板の第２主面側表面をオゾンを含有させた水を用いて洗浄するオゾン水洗浄ステップＳ６３とを含む。

Description

太陽電池の製造方法および太陽電池
　本発明は、太陽電池の製造方法および太陽電池に関する。
　従来、太陽電池においては、一例を特許文献１に示すように、拡散層を形成する際にウェハー表面のキャリア再結合速度を抑制する中心を取り除く目的で、パッシベーション膜と呼ばれる薄膜を用いている。パッシベーション膜は、当該薄膜を構成する物質のシリコンとの関係性あるいは成膜前後の処理により、その界面における再結合中心を直接減少させることで機能している。あるいはパッシベーション膜は、当該薄膜を構成する物質のシリコンとの関係性あるいは成膜前後の処理により、界面に固定電荷を含むことで電界障壁を生じさせ、電界効果によって再結合速度を抑制させることで機能している。太陽電池に使用する基板の導電型によって、パッシベーション膜は、ｐ型基板であればｎ型拡散層側には酸化シリコンＳｉＯ2、窒化シリコンＳｉＮをはじめとする誘電体膜を用い、ｐ型基板側には酸化アルミニウムＡｌ2Ｏ3、ＳｉＮをはじめとする誘電体膜を用いる。
特許第５６４９５８０号公報
　しかしながら、上記特許文献１に示される太陽電池の製造方法にあっては、十分なパッシベーション能力が得られずに十分な性能の太陽電池が得られないという課題が生じる。
　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易なプロセスで良好なパッシベーション能力を備えたパッシベーション膜を得ることを目的としている。
　本発明は、上述した課題を解決し、目的を達成するために、第１および第２主面を有する第１導電型の半導体基板に対し、第１主面に前記第１導電型とは異なる第２導電型を示す第１主面側拡散層を形成する工程と、パッシベーション膜を形成する工程を含む太陽電池の製造方法である。パッシベーション膜を形成する工程が、第１主面側拡散層および半導体基板の第２主面側をフッ酸水溶液に浸漬する工程と、フッ酸水溶液に浸漬させた第１主面側拡散層および半導体基板の第２主面側表面をオゾンを含有させた水を用いて洗浄する工程とを含む。
　本発明によれば、簡易なプロセスで良好なパッシベーション能力を備えたパッシベーション膜を得ることが可能となる。
実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法により作製される太陽電池の断面を表す図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示すフローチャート 図１のうち、基板表面洗浄ステップの詳細なフローチャート 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図 実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法を示す工程断面図
　以下に、本発明にかかる太陽電池の製造方法および太陽電池の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため各層あるいは各部材の縮尺が現実と異なる場合があり、各図面間においても同様である。また、平面図であっても、図面を見易くするためにハッチングを付す場合がある。
実施の形態１．
　図１は、本発明にかかる太陽電池の製造方法の実施の形態１を示す製造工程で得られた太陽電池を示す図、図２は、実施の形態１の太陽電池の製造工程を示すフローチャート、図３は、実施の形態１の太陽電池の製造工程における基板表面洗浄工程を示すフローチャート、図４から図１２は、実施の形態１の太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
　実施の形態１にかかる太陽電池は、第１導電型の結晶系シリコン基板であるｎ型単結晶シリコン基板１と、ｎ型単結晶シリコン基板１の第１主面である受光面１Ａ側に形成された第２導電型の拡散層であるｐ型拡散層２と、第２主面である裏面１Ｂ側に形成された第１導電型の拡散層であるｎ型拡散層３とを備える。受光面側には、受光面側パッシベーション膜４ａであるオゾン酸化膜（ＳｉＯ２膜）および電界効果を有するパッシベーション膜６と、反射防止膜７とを備える。裏面１Ｂ側には、裏面側パッシベーション膜４ｂであるＳｉＯ２膜および裏面絶縁膜８が形成されている。そして反射防止膜７および裏面絶縁膜８の上層に電極９が形成されるが、受光面１Ａ側には、金属電極である受光面電極９ａ、裏面１Ｂ側には金属電極である裏面電極９ｂを備える。
　結晶系シリコン基板は、単結晶シリコン基板および多結晶シリコン基板を含むが、特に（１００）面が表面上、すなわち主面に形成されている単結晶シリコン基板が好ましい。また、結晶系シリコン基板は、ｐ型の導電性を有するシリコン基板を用いてもよく、ｎ型の導電性を有するシリコン基板を用いてもよい。実施の形態１では、ｎ型単結晶シリコン基板１を用いた場合について説明する。
　実施の形態１にかかる太陽電池の製造方法は、拡散層形成時に同時に基板表面に形成されるガラス層を除去する工程において、１つの設備内でガラス層を除去する工程後にオゾン水処理とオゾン酸化膜除去工程を連続して処理することを特徴とするものである。以下、ガラス層を除去する工程をガラス層除去工程というものとする。
　つまり実施の形態１の太陽電池の製造方法では、ガラス層除去工程と類似の工程を複数回実施することにより、パッシベーション膜形成に成膜設備をはじめとする特別な設備を必要とせず、第１主面である受光面１Ａ側のパッシベーション膜の形成が可能となる。
　ｎ型単結晶シリコン基板１は、通常、引き上げにより得られたインゴットをスライスすることにより切り出されたものであるため、表面に自然酸化膜、および構造的欠陥、金属による汚染をはらんでいる。従って、ダメージ層除去ステップＳ１０で、ｎ型単結晶シリコン基板１に対して洗浄および、ダメージ層エッチングを行う。
　つまり、まず図４に示すように、ダメージ層除去ステップＳ１０で、ウエハスライス時に生じた表面の汚染あるいはダメージを、例えば１ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満の水酸化ナトリウムを溶解させたアルカリ溶液に浸漬させて除去する。除去後、テクスチャー形成ステップＳ２０で、ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面１Ａに、例えば０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％未満のアルカリ溶液中にイソプロピルアルコールあるいはカプリル酸をはじめとする添加剤を加えて溶液に浸漬させて反射防止構造を得るための凹凸であるテクスチャーを形成する。
　なお、スライス汚染およびダメージの除去と、テクスチャーの形成とは、同時に個別に行ってもよいし、あるいは個別に行ってもよい。テクスチャーの形成は受光面１Ａのみならず裏面１Ｂにも形成してもよい。なお、図１および図４から図１２においては理解を容易にするためテクスチャーは図示せず、受光面、裏面共に平坦面で示す。
　次に、第２導電型の拡散層形成ステップＳ３０で、図５に示すように受光面１Ａ側に第２導電型であるｐ型拡散層２を形成する。ｐ型拡散層２については一般的にはＢＢｒ3を拡散源とする気相拡散が用いられるが、原料ガスにＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6を用いてＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜を一旦成膜し、続く熱処理による固相拡散を用いても良い。またｐ型拡散層２については必要に応じて部分的に拡散濃度の高い部分をレーザーによる局所加熱またはボロンを含むドーピング材を塗布するなどの方法により形成することができる。
　上記第２導電型の拡散層形成ステップＳ３０に引き続き、第１導電型の拡散層形成ステップＳ４０で、図６に示すように裏面１Ｂ側に、第１導電型であり、ｎ型単結晶シリコン基板１より高濃度のｎ型拡散層３を形成する。ｎ型拡散層３については一般的にはＰＯＣｌ3を拡散源とする気相拡散が用いられるが、原料ガスにＳｉＨ4、ＰＨ3を用いてＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜を一旦成膜し、続く熱処理による固相拡散を用いても良い。またｎ型拡散層３についても前述のｐ型拡散層２と同様に必要に応じて部分的に拡散濃度の高い部分をレーザーにより局所加熱する方法またはリンを含むドーピング材を塗布するなどの方法により形成することができる。
　続いてｐｎ接合分離ステップＳ５０では、ｐ型拡散層２とｎ型拡散層３を分離する。本発明の本質部分との直接的関係は薄い為、図５および図６では簡略化しているが、ｐ型拡散層２およびｎ型拡散層３はｎ型単結晶シリコン基板１の側面部分にも形成されることが多く、側面部分を介したリーク電流を防ぐ為には、適切な分離処理を要する。具体的には、第１導電型の拡散層形成ステップＳ４０までの工程を経たｎ型単結晶シリコン基板１を数十から数百枚積み重ね、側面部をプラズマ放電によりエッチング処理する端面エッチング処理が用いられる。あるいは、受光面１Ａあるいは裏面１ｂの側端部、または基板側面にレーザーを照射溶融して行うレーザー分離処理をはじめとする種々の処理を行うことが望ましい。
　次に、基板表面洗浄ステップＳ６０を実施する。第２導電型の拡散層形成ステップＳ３０および第１導電型の拡散層形成ステップＳ４０では、ｐ型拡散層２とｎ型拡散層３と共に、表面付近に数ナノメートルから数十ナノメートルのガラス層が形成されるため、これらを除去するためにフッ酸処理による基板表面洗浄を実施する。
　図３に基板表面洗浄ステップＳ６０の詳細を示す。基板表面洗浄ステップＳ６０は、ガラス層除去ステップＳ６１とオゾン酸化膜形成ステップＳ６７とを有する。ガラス層除去ステップＳ６１では、フッ酸水溶液により表面のガラス層を除去する。
　基板洗浄ステップ６０は、オゾン水洗浄ステップＳ６３と、オゾン酸化膜除去ステップＳ６５と、最終段のオゾン水洗浄ステップＳ６７を有する。オゾン水洗浄ステップＳ６３では、３ｐｐｍから１５ｐｐｍのオゾンが溶解したオゾン水に３分間浸漬することにより、基板表面をオゾン水で洗浄する。かかるステップにより図７に示すように受光面１Ａ側および裏面１Ｂ側にオゾン酸化膜であるシリコン酸化膜が形成され、受光面パッシベーション膜４ａ、裏面パッシベーション膜４ｂを構成する。さらには、オゾン水洗浄ステップＳ６３で用いられるオゾン水のオゾン濃度は５ｐｐｍ以上が望ましい。オゾン水のオゾン濃度が５ｐｐｍを下回ると酸化速度が小さくなりすぎ、短時間で必要な厚さのオゾン酸化膜を形成するのが困難となるためである。最終段のオゾン水洗浄ステップＳ６３で用いられるオゾン水のオゾン濃度は５ｐｐｍ以上が望ましい。最終段では効率よく所望の膜厚のオゾン酸化膜を形成するためである。以上のように、順次実行されるガラス層除去ステップＳ６１、オゾン水洗浄ステップＳ６３、オゾン酸化膜除去ステップＳ６５と、最終段のオゾン酸化膜形成ステップであるオゾン水洗浄ステップＳ６７と、乾燥ステップＳ６９とを含み、各ステップの間には、水洗ステップＳ６２，Ｓ６４，Ｓ６６，Ｓ６８が実行される。
　オゾン酸化膜除去ステップＳ６５では、フッ酸濃度３ｗｔ％から１０ｗｔ％のフッ酸水溶液に３０秒間浸漬することにより、基板表面のオゾン酸化膜を除去する。さらには、オゾン酸化膜除去ステップＳ６５で用いられるフッ酸水溶液のフッ酸濃度は５ｗｔ％が望ましい。
　各工程間には水洗工程を設けることにより、前工程の薬液を洗い流すことが望ましい。水洗工程は３分間が望ましい。
　通常、基板表面洗浄ステップＳ６０にはフッ酸によるエッチング部と水洗部と乾燥部とを備えた設備が使用されるが、水洗部と乾燥部との間にオゾン水洗浄部とオゾン酸化膜除去部とを交互に複数回追加し、化学反応を伴う処理ステップの最終ステップはオゾン水洗浄ステップＳ６７の処理で完了することにより、ｎ型拡散層の表面にオゾン酸化膜を形成し、裏面側のパッシベーション膜の形成が可能となる。
　ここで言う複数回とは、具体的には２回から５回の繰り返しが望ましい。１回のみでは、最表面の清浄化効果が少なく、６回以上では処理が冗長化して、設備あるいは処理のコストが増すリスクに加え、最表面部分のシリコンの消費が無視できないリスクも高まる。
　なお、オゾン水洗浄部とオゾン酸化膜除去部の繰り返しは、概念上の簡便さの為に、図３ではループ状のフローで示しているが、実際の処理設備においては、フロー通りにループ状の処理を行なうように設備を構成しても良いし、或いは複数回分のオゾン水洗浄部とオゾン酸化膜除去部を、直列状に接続する様、設備構成しても差し支えない。
　オゾン水処理によりｐ型拡散層２およびｎ型拡散層３の表面に数ナノメートル、具体的には２ナノメートルから５ナノメートルのオゾン酸化膜が形成されるが、オゾン酸化膜が形成される際双方の拡散層最表面のシリコンを消費する。続けて行われるオゾン酸化膜除去により拡散層最表面に存在する欠陥あるいは再結合中心を除去することが可能となる。パッシベーション効果を十分に得るためにはオゾン酸化膜の膜厚は、２ナノメートル以上であることが望ましい。またオゾン酸化膜の膜厚は、５ナノメートル以上になると、電極形成にあたり、ファイアスルーによるコンタクトの形成が不十分となり、十分なコンタクト性を得ることができない。さらにまた、オゾン水処理によりオゾン酸化膜を形成する場合、６ナノメートルより大きい膜厚とするためには非常に長時間の処理が必要となり、生産性が悪化するので、オゾン酸化膜の膜厚は、６ナノメートル以下であることが望ましい。
　また特に気相拡散あるいは固相拡散により拡散層を形成する場合、特にｎ型拡散層３の最表面は不必要にドーパントによる不純物濃度が高く、不純物濃度は１０21から１０22ｃｍ－3程度になる場合が多い。発電効率向上のためには１０20ｃｍ－3程度までドーパント濃度を減らす必要がある。
　オゾン水による酸化は一般的に酸化膜形成に用いられる熱酸化に比べて酸化膜形成レートが非常に遅いため、オゾン水処理とオゾン酸化膜除去を繰り返し行うことによりｎ型拡散層３の厚さを大幅に減らすことなく、図８に示すように、最表面のドーパント濃度を低減しながらエッチング部分５がエッチング除去され、清浄なｎ型拡散層を最表面に露出させることが可能となる。また、常温での処理であるため、表面にダメージを与えたりすることもなく、また不純物の濃度プロファイルが変動することもないため、順次、エッチングを行うことで、所望の不純物濃度を持つ表面を得ることが可能となる。
　なお、ｐ型拡散層２に関しては、初期の最表面濃度がｎ型拡散層３ほどには高濃度ではない為、効果は顕著ではないが、本質的には上述と同様に最表面のドーパント濃度を低減しながら清浄なｎ型拡散層を最表面に露出させることが可能となる。
　上述の処理を複数回、前述通り望ましきは２回から５回繰り返し、更に続いて最終ステップをオゾン水処理で完了することにより、ｐ型拡散層２およびｎ型拡散層３の表面にオゾン酸化膜である受光面パッシベーション膜４ａ、裏面パッシベーション膜４ｂを形成し、図９に示すように清浄なシリコン界面を維持したまま外部に取出し、有効なパッシベーション膜の形成が可能となる。
　なお、最終ステップのオゾン水処理ステップＳ６７では、よりオゾン濃度の高いオゾン水を用いることで、十分な膜厚のオゾン酸化膜を形成することができる。
　さらに、最終ステップを含むすべてのオゾン水処理ステップＳ６７を同一濃度の水溶液を用いることで、バッチ処理が容易であり、順次並行して処理を実現できることから生産性を向上することができる。
　続いてパッシベーション膜形成ステップＳ７０を実施し、図１０に示すように受光面１Ａ側に酸化アルミニウム膜からなる電解効果型パッシベーション膜６を形成する。受光面側の電界効果を有するパッシベーション膜６に代えて、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜をはじめとする電界効果をもたない膜を用いても良い。シリコン酸化膜が用いられる場合は、一般的な熱酸化の他、前述の様に水洗あるいはオゾン含有水の洗浄により生成される酸化膜を受光面側パッシベーション膜４ａとしてそのまま用いても良い。
　また電界効果を有するパッシベーション膜６に、酸化アルミニウム膜が用いられる場合は、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学的気相成長法）あるいはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子堆積法）により形成される。この場合、成膜時に内包される固定電荷が、電界効果によりパッシベーション能力を高める効果を持つため、より好ましい。前述のオゾン酸化膜からなる受光面側パッシベーション膜４ａの上に酸化アルミニウム膜を積層させ、オゾン酸化膜もパッシベーション機能を発揮させるための膜の一部として機能させることも出来、更に好ましい。
　その後、裏面絶縁膜形成ステップＳ８０では、裏面１Ｂに、例えばプラズマＣＶＤを用いて窒化シリコン膜からなる裏面絶縁膜８が形成される。裏面側については裏面側パッシベーション膜４ｂを構成するオゾン酸化膜と裏面絶縁膜８の積層により、パッシベーション機能を有する効果を持つ。裏面絶縁膜８に、電界効果を有する絶縁膜を用いることでさらなるパッシベーション性の向上を図ることも可能である。
　ｎ型拡散層に対して電界効果を有する絶縁膜として、例えばＳｉＯ2を用いることができる。この場合、十分な電界効果を得るためには１０ナノメートル以上の膜厚が必要となるため、一般的には熱酸化が用いられる。
　続いて、反射防止膜形成ステップＳ９０では、図１１に示すように受光面１Ａ側にも同様に、例えばプラズマＣＶＤを用いた窒化シリコン膜を形成することにより、受光面反射防止膜７を形成する。
　なお、受光面反射防止膜７と裏面絶縁膜８および双方のパッシベーション層の形成順については、必ずしも上記の順番のみに限定されるものではなく、上記以外の順番を適宜選択し、形成しても良い。
　その後、電極形成ステップＳ１００で、図１２に示すように、受光面１Ａ側と裏面１Ｂ側にそれぞれ、受光面電極９ａと裏面電極９ｂとが形成される。電極材料としては、例えば銅、銀、アルミニウム、あるいはその混合物、などが用いられる。
　例えば、銅、銀、アルミニウムあるいはその混合物の金属紛体と、ガラス、セラミック成分の紛体と、有機溶剤とを混ぜてペースト状にしたものを、例えばスクリーン印刷により所望の形状のパターンに形成し、乾燥および焼成することで形成される。
　このとき、高温で焼成することで、ファイアスルーにより、受光面１Ａ側と裏面１Ｂの受光面反射防止膜７と裏面絶縁膜８および受光面側パッシベーション層４ａ、裏面側パッシベーション層４ｂを突き破って受光面電極９ａとｐ型拡散層２、裏面電極９ｂとｎ型拡散層３との良好な接合が形成される。また、裏面にもパッシベーション膜あるいは反射防止膜を形成している場合には、裏面に形成されたシリコン酸化膜および窒化シリコン膜の積層膜内をファイアスルーして接合させても良い。このようにして図１に示した太陽電池が完成する。
　以上説明してきたように、実施の形態１の方法によれば、特別なパッシベーション膜形成工程を追加することなく、ｎ型拡散層のドーパント濃度を制御し、良好なパッシベーション膜をただ一つの工程で形成することが可能となる。
　なお、実施の形態１では、受光面側パッシベーション膜４ａと電界効果を有するパッシベーション膜６との２層構造でパッシベーション膜を構成したが、オゾン酸化膜である受光面側パッシベーション膜４ａのみで構成してもよい。ｐ型拡散層２表面の不純物濃度をオゾン水洗浄により、高精度に制御することができるため、再結合の生じにくい濃度を得ることができ、パッシベーション効果を有効にすることができるためである。その場合は、パッシベーション膜の膜厚を小さくすることができ、ファイアスルーも容易となるという効果を奏する。
　また、スライスダメージの除去工程と、テクスチャーの形成工程と、テクスチャー形成後の洗浄処理工程とは、実施の形態１の工程を説明するために用いた例であり、上記に限定されるものではなく、どのような工程が用いられてもよい。同様に、裏面のｎ型拡散層３の形成工程と、ｐｎ接合の分離工程と、受光面反射防止膜７と裏面絶縁膜８の形成工程と、受光面電極９ａと裏面電極９ｂの形成工程についても、どのような工程が用いられてもよく、上記工程に限定されるものではない。加えてｎ型拡散層３の形成工程から電極の形成工程までは太陽電池として機能するのであれば適宜順序を入れ替えてもよく、記載の順序に制限されるものではない。
　また、実施の形態１では、ｎ型単結晶シリコン基板１と、受光面１Ａ側にｐ型拡散層２、裏面１Ｂ側にｎ型拡散層３とを用いた構造の場合について説明したが、かかる構成に限定されるものでもない。太陽電池として機能する材料であれば、基板については、多結晶シリコン基板、シリコンカーバイドなど他のシリコン系結晶基板を用いてもよく、導電型についてもｎ型の基板に限定されることなく、ｐ型の基板を用いてもよい。また受光面と裏面に形成する拡散層である第２主面側の拡散層についても、ｐ型、ｎ型の何れを形成するか、および拡散層を形成する不純物元素は、適宜選択可能である。また、半導体基板の不純物濃度が所望の値であるときは、裏面側には不純物拡散層の形成をおこなわずともよい。
　以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略および変更することも可能である。
　１　ｎ型単結晶シリコン基板、１Ａ　受光面、１Ｂ　裏面、２　ｐ型拡散層、３　ｎ型拡散層、４ａ　受光面パッシベーション膜、４ｂ　裏面パッシベーション膜、５　エッチング部、６　電界効果を有するパッシベーション膜、７　受光面反射防止膜、８　裏面絶縁膜、９　電極、９ａ　受光面電極、９ｂ　裏面電極。

Claims (9)

  1. 　第１および第２主面を有する第１導電型の半導体基板に対し、
    　前記第１主面に前記第１導電型とは異なる第２導電型を示す第１主面側拡散層を形成する工程と、
    　パッシベーション膜を形成する工程を含み、
    　前記パッシベーション膜を形成する工程が、
    　前記前記第１主面側拡散層および前記半導体基板の前記第２主面側をフッ酸水溶液に浸漬する工程と、
    　前記フッ酸水溶液に浸漬させた前記第１主面側拡散層および前記半導体基板の第２主面側表面をオゾンを含有させた水を用いて洗浄する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
  2. 　前記パッシベーション膜を形成する工程は、
    　前記洗浄する工程後に、
    　電界効果を有する膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
  3. 　前記電解効果を有する膜を形成する工程は、
    　酸化アルミニウム膜を形成する工程であることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
  4. 　前記洗浄する工程に先立ち、
    　前記半導体基板の前記第２主面側に、前記半導体基板と同一の第１導電型であり前記半導体基板の不純物濃度より高い不純物濃度を有する第２主面側拡散層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
  5. 　前記フッ酸水溶液に浸漬する工程と、前記オゾンを含有させた水を用いて洗浄する工程とを２回から５回繰り返すことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 　第１および第２主面を有する第１導電型の半導体基板と、
    　前記第１主面に設けられ、前記第１導電型とは異なる第２導電型を示す第１主面側拡散層と、
    　前記第１主面側拡散層の表面に形成された第１主面側パッシベーション膜と、
    　前記半導体基板の前記第２主面に形成された第２主面側パッシベーション膜と
    を含み、
    　前記第１主面側パッシベーション膜と前記第２主面側パッシベーション膜とのうちの少なくとも一方が２ナノメートル以上５ナノメートル未満の厚さのシリコン酸化膜を含むことを特徴とする太陽電池。
  7. 　前記半導体基板の前記第２主面に設けられ、前記半導体基板の不純物濃度より高い濃度で第１導電型の不純物を含む第２主面側拡散層を備え、
    　前記第２主面側パッシベーション膜は前記半導体基板の前記第２主面側拡散層の表面に形成されたことを特徴とする請求項６に記載の太陽電池。
  8. 　前記第１主面側パッシベーション膜は、前記２ナノメートル以上５ナノメートル未満の厚さのシリコン酸化膜と酸化アルミニウム膜の積層を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の太陽電池。
  9. 　前記第２主面側パッシベーション膜は、前記２ナノメートル以上５ナノメートル未満の厚さのシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層膜を含むことを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の太陽電池。
PCT/JP2016/063448 2016-04-28 2016-04-28 太陽電池の製造方法および太陽電池 WO2017187623A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018514073A JPWO2017187623A1 (ja) 2016-04-28 2016-04-28 太陽電池の製造方法および太陽電池
PCT/JP2016/063448 WO2017187623A1 (ja) 2016-04-28 2016-04-28 太陽電池の製造方法および太陽電池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/063448 WO2017187623A1 (ja) 2016-04-28 2016-04-28 太陽電池の製造方法および太陽電池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017187623A1 true WO2017187623A1 (ja) 2017-11-02

Family

ID=60161447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/063448 WO2017187623A1 (ja) 2016-04-28 2016-04-28 太陽電池の製造方法および太陽電池

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2017187623A1 (ja)
WO (1) WO2017187623A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018137430A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
JP6916972B1 (ja) * 2021-02-23 2021-08-11 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054609A (ja) * 2009-11-17 2012-03-15 Shirakuseru Kk シリコン太陽電池セルの製造方法
JP2014075440A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Hyogo Prefecture 界面安定化膜を備えた太陽電池
JP2014096459A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池用半導体基板の表面処理方法、太陽電池用半導体基板の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池製造装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4933071B2 (ja) * 2005-09-08 2012-05-16 コバレントマテリアル株式会社 シリコンウエハの洗浄方法
WO2015182503A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法並びに太陽電池モジュール

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054609A (ja) * 2009-11-17 2012-03-15 Shirakuseru Kk シリコン太陽電池セルの製造方法
JP2014075440A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Hyogo Prefecture 界面安定化膜を備えた太陽電池
JP2014096459A (ja) * 2012-11-08 2014-05-22 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池用半導体基板の表面処理方法、太陽電池用半導体基板の製造方法、太陽電池の製造方法及び太陽電池製造装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018137430A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
JP7149708B2 (ja) 2017-02-23 2022-10-07 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池の製造方法
JP6916972B1 (ja) * 2021-02-23 2021-08-11 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
AU2021201617B1 (en) * 2021-02-23 2021-10-07 Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, method for producing same and solar module
JP2022128577A (ja) * 2021-02-23 2022-09-02 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド 太陽電池およびその製造方法、太陽電池モジュール
US11605748B2 (en) 2021-02-23 2023-03-14 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, method for producing same and solar module
US11749768B2 (en) 2021-02-23 2023-09-05 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Solar cell, method for producing same and solar module

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2017187623A1 (ja) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5019397B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法
EP1892767A1 (en) Photovoltaic cell and production thereof
JP5885891B2 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池
US20170133545A1 (en) Passivated contacts for photovoltaic cells
JP4974756B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP5756352B2 (ja) 裏面電極型太陽電池の製造方法
JP6021392B2 (ja) 光電変換装置の製造方法
JP5861604B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP5817046B2 (ja) 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法
WO2017187623A1 (ja) 太陽電池の製造方法および太陽電池
JP2007042940A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2016139762A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP6139466B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6114171B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6559326B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR101024322B1 (ko) 태양전지용 웨이퍼 제조 방법, 그 방법으로 제조된 태양전지용 웨이퍼 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법
JP2012094739A (ja) 製膜方法および半導体装置の製造方法
JP6116616B2 (ja) 裏面電極型太陽電池及びその製造方法
US20180158977A1 (en) Method of manufacturng solar cell
JP2014086590A (ja) 結晶太陽電池の製造方法および結晶太陽電池
JP4832727B2 (ja) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
KR20190073362A (ko) 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조방법
JP6239156B2 (ja) 太陽電池の製造方法
KR101090397B1 (ko) 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조 방법
JP5494511B2 (ja) 太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018514073

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16900493

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16900493

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1