WO2017122496A1 - 圧力センサ - Google Patents
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Abstract
本発明に係る圧力センサ(100)は、ダイアフラム(3)と、ひずみゲージを構成する複数の抵抗(R1~R4)が形成され、平面視正方形状の半導体チップ(1)と、一端においてダイアフラムの第1主面(1A)に圧力が加わったときに変形するダイアフラムの第2主面(3B)の領域に接合され、他端において半導体チップの4隅に夫々接続され、第2主面に垂設された4つの第1構造体(2a~2d)と、一端において平面視で第2主面におけるダイアフラムの中心(30)に接合され、他端において平面視で半導体チップの中心(10)に接合され、第2主面に垂設された第2構造体(2e)とを有することを特徴とする。
Description
本発明は、圧力センサに関し、例えばサニタリー用圧力センサに関する。
一般に、衛生的な配慮が必要な食品や医薬品等の製造現場等で用いられるサニタリー用圧力センサには、耐食性、清浄性、信頼性、および汎用性等に関する厳しい要件を満足することが求められる。
例えば、耐食性の要件を満足するために、サニタリー用圧力センサの、圧力の測定対象の流体(例えば液体)が接触する接液部分に耐食性の高い材料、例えば、ステンレス鋼(SUS)、セラミックス、およびチタン等を用いなければならない。また、清浄性の要件を満足するために、サニタリー用圧力センサは、洗浄しやすいフラッシュダイアフラム構造を有し、且つ蒸気洗浄に対する高い耐熱衝撃性を有していなければならない。また、信頼性の要件を満足するために、サニタリー用圧力センサ、封入剤を使用しない構造(オイルフリー構造)、およびダイアフラムが破れ難い構造(バリア高剛性)を有していなければならない。更に、汎用性の要件を満足するために、サニタリー用圧力センサの、測定対象の流体が流れる配管との接続部分が継手形状でなければならない。
このように、サニタリー用圧力センサに使用する材料や構造が他の圧力センサに比べて制限されるため、サニタリー用圧力センサの高感度化が容易ではない。例えば、ダイアフラムが破れ難い構造を実現するために、ダイアフラムの膜厚を大きくする(ダイアフラムの厚みに対する径のアスペクト比を小さくする)とダイアフラムの変形量が微小となり、センサ感度が低下するという問題がある。そのため、サニタリー用圧力センサでは、ダイアフラムの微小な変形を精度良く検出するための技術が求められている。
例えば、特許文献1,2に開示された荷重変換型の圧力センサは、拡散抵抗から成るひずみゲージが形成されたSi等の半導体チップ(ビーム部材)に、ダイアフラムの中心部分の変位のみを伝達し、上記半導体チップの歪に基づくピエゾ抵抗効果による拡散抵抗の抵抗値の変化を検出することでセンサの高感度化を狙っている。
具体的に、特許文献1、2に開示された従来の荷重変換型の圧力センサでは、平面視長方形状の半導体チップの中心部分をダイアフラムの中心部分において支持するとともに、上記半導体チップの両端を実質的に変動しない位置に固定している。例えば、特許文献1では、短冊状の半導体チップの中心をピボットと呼ばれる棒状部材によってダイアフラムの中心において支持するとともに、半導体チップの長手方向の両端を、絶縁架台を介してダイアフラムの外周縁に形成された厚肉部分に固定している。また、特許文献2では、矩形状の半導体チップの中心をダイアフラムの中心に固定するとともに、半導体チップの長手方向の両端を変動しない台座上に固定している。
ところで、一般に、サニタリー用圧力センサでは、測定対象の流体が流れる配管との接続部分に継手(例えばフェルール継手)が採用されている。
配管とサニタリー用圧力センサとの接続は、図17に示すようなクランプと呼ばれる接続部材を用いることによって実現される。具体的には、図18に示すように、配管200の継手とサニタリー用圧力センサ300の継手とが対向して配置される。また、その2つの継手が、クランプ50のリング状の固定部51A,51Bによって挟み込まれる。更に、ねじ52によって固定部51A,51Bが締め付けられることによって、配管200とサニタリー用圧力センサ300とが接続される。
配管とサニタリー用圧力センサとの接続は、図17に示すようなクランプと呼ばれる接続部材を用いることによって実現される。具体的には、図18に示すように、配管200の継手とサニタリー用圧力センサ300の継手とが対向して配置される。また、その2つの継手が、クランプ50のリング状の固定部51A,51Bによって挟み込まれる。更に、ねじ52によって固定部51A,51Bが締め付けられることによって、配管200とサニタリー用圧力センサ300とが接続される。
しかしながら、クランプを用いて配管とサニタリー用圧力センサとを接続した場合、サニタリー用圧力センサのダイアフラムが少なからず変形し、センサ出力のゼロ点(オフセット)がシフトするおそれがある。上記特許文献1,2に開示されているような、平面視長方形の半導体チップを有する圧力センサの場合、クランプを固定することによるゼロ点のシフト量は、クランプを締め付けるねじの位置によってばらつくため、ゼロ点を補正することは容易ではない。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、測定対象の流体が流れる配管と圧力センサとをクランプによって接続したときのセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを抑えることにある。
本発明に係る圧力センサは、測定対象の流体の圧力を受ける第1主面と、第1主面の反対側の第2主面とを有するダイアフラムと、一の面にひずみゲージを構成する複数の抵抗が形成された、平面視正方形状の半導体チップと、第2主面に垂設され、一端において第2主面に加わる圧力よりも大きな圧力が第1主面に加わったときにダイアフラムが変形する第2主面の領域内に接合され、他端において半導体チップの他の面の4隅に夫々接続された4つの第1構造体と、第2主面に垂設され、一端において平面視で第2主面におけるダイアフラムの中心に接合され、他端において平面視で半導体チップの他の面の中心に接合された第2構造体とを有し、複数の抵抗は、平面視で半導体チップと中心を共通にする円の円周上に夫々形成され、上記複数の抵抗は、平面視で半導体チップの中心と半導体チップの夫々の辺の中点とを結ぶ直線上に夫々形成されていることを特徴とする。
以上説明したことにより、本発明によれば、測定対象の流体が流れる配管と圧力センサとをクランプによって接続したときのセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを抑えることが可能となる。
先ず、本発明に係る圧力センサの概要について説明する。
本発明に係る圧力センサ(100,102)は、測定対象の流体の圧力を受ける第1主面(3A)と、第1主面の反対側の第2主面(3B)とを有するダイアフラム(3)と、一の面(1A)にひずみゲージを構成する複数の抵抗(R1~R4)が形成された、平面視正方形状の半導体チップ(1)と、第2主面に垂設され、一端において第2主面に加わる圧力よりも大きな圧力が第1主面に加わったときにダイアフラムが変形する第2主面の領域内に接合され、他端において半導体チップの他の面(1B)の4隅に夫々接続された4つの第1構造体(2a~2d)と、第2主面に垂設され、一端において平面視で第2主面におけるダイアフラムの中心(30)に接合され、他端において平面視で半導体チップの他の面の中心(10)に接合された第2構造体(2e)とを有し、複数の抵抗は、平面視で半導体チップと中心を共通にする円(1C)の円周上に夫々形成され、上記複数の抵抗は、平面視で半導体チップの中心と半導体チップの夫々の辺の中点とを結ぶ直線(13,14)上に夫々形成されていることを特徴とする。
上記圧力センサにおいて、半導体チップは、上記他の面(1B)に形成された凹部(1C,1E)を有し、複数の抵抗は、半導体チップの上記一の面における上記凹部の内側に対応する領域に形成されていてもよい。
上記圧力センサにおいて、凹部(1C)は、平面視円形状に形成されていてもよい。
上記圧力センサにおいて、凹部(1E)は、平面視矩形状に形成されていてもよい。
なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の参照符号を括弧を付して記載している。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、それらの構成要素についての繰り返しの説明を省略する。
≪実施の形態1≫
図1~3は、実施の形態1に係る圧力センサの構成を示す図である。
図1には、実施の形態1に係る圧力センサ100の斜視図が示されている。図2には、図1のZ方向から見たときの圧力センサ100の平面構造が示されている。図3には、図2のA-A断面における圧力センサ100の断面構造が示されている。なお、図1では、ハウジング4のみ180度の断面構造が示されている。
図1~3は、実施の形態1に係る圧力センサの構成を示す図である。
図1には、実施の形態1に係る圧力センサ100の斜視図が示されている。図2には、図1のZ方向から見たときの圧力センサ100の平面構造が示されている。図3には、図2のA-A断面における圧力センサ100の断面構造が示されている。なお、図1では、ハウジング4のみ180度の断面構造が示されている。
図1~3に示される圧力センサ100は、測定対象の流体の圧力によってダイアフラムが撓んだときのダイアフラムの変位を、ひずみゲージが形成された半導体チップに伝達することにより、上記流体の圧力を検知する装置である。
具体的に、圧力センサ100は、半導体チップ1、支持部材2a,2b,2c,2d,2e、ダイアフラム3、およびハウジング4を含む。なお、図1~3には、圧力センサ100におけるダイアフラム3の撓みを半導体チップ1に伝達する機構が図示されているが、半導体チップ1から出力される信号を処理する回路等のその他の機能部は省略されている。また、圧力センサ100は、検知した圧力の値等の各種情報をユーザに提示するための表示部(例えば液晶ディスプレイ)等を更に有していてもよい。
半導体チップ1、ダイアフラム3、および支持部材2a~2eは、耐食性の高い金属材料から成るハウジング4に収容されている。ハウジング4は、図1~3に示されるように、筒状に形成されている。ハウジング4の一方の端部4Aは、測定対象の流体が流れる配管と接続するための継手形状を有している。ハウジング4の内部は、例えば空気で満たされており、内壁4B側の圧力は例えば大気圧である。
ダイアフラム3は、測定対象の流体の圧力を受ける膜である。ダイアフラム3は、例えば、ステンレス鋼(SUS)、セラミックス、およびチタン等の耐食性の高い材料によって構成され、例えば平面視円形状に形成されている。ダイアフラム3は、半導体チップ1および支持部材2を支持する。
ダイアフラム3は、ハウジング4の端部4A側に固定され、ハウジング4の端部4Aの開口部分を塞いでいる。例えば、ダイアフラム3は、その外周縁がハウジング4の端部4A側の内壁4Bと隙間なく接合されている。
ダイアフラム3は、測定対象の流体と接する受圧面(接液面)3Aと、受圧面3Aの反対側の面であって半導体チップ1および支持部2を支持する支持面3Bとを有している。ダイアフラム3は、支持面3Bに加わる圧力(例えば大気圧)よりも大きな圧力が測定対象の流体から受圧面3Aに加えられることにより、撓む。
半導体チップ1は、平面視正方形状に形成され、Si等の半導体基板から構成されている。半導体チップ1は、半導体チップ1の応力によって発生するひずみを抵抗値の変化として検知するひずみゲージが形成された主面1Aと、主面1Aの反対側の面であって、支持部材2が接合される裏面1Bとを有している。
図4は、半導体チップ1の裏面1B側の斜視図である。
同図に示されるように、半導体チップ1の裏面1Bには、凹部(ザグリ)1Cが形成されている。図2~4に示されるように、凹部1Cは、半導体チップ1のダイアフラムと対向する面、すなわち半導体チップ1の裏面1Bに形成された、半導体チップ1の中心10を中心点とした平面視円形状の窪みである。
同図に示されるように、半導体チップ1の裏面1Bには、凹部(ザグリ)1Cが形成されている。図2~4に示されるように、凹部1Cは、半導体チップ1のダイアフラムと対向する面、すなわち半導体チップ1の裏面1Bに形成された、半導体チップ1の中心10を中心点とした平面視円形状の窪みである。
例えば、平面視円形状の凹部1Cの中心、すなわち裏面1Bにおける半導体チップ1の中心10には、半導体チップ1と支持部材2eとを接合するための台座1Dが形成されている。台座1Dは、例えば半導体チップ1と一体形成されている。例えば、半導体チップ1Bの裏面1Bを裏面1Bの中心部分を残して削ることにより、平面視円形状の非貫通孔を形成する。この場合に、削り取られた部分を凹部1Cとし、削り残った部分を裏面1Bの四隅と同じ高さ(Z軸方向の長さ)を有する台座1Dとすることができる。
支持部材2a~2e(総称する場合には、単に「支持部材2」と表記することがある。)は、ダイアフラム3上で半導体チップ1を支持する構造体である。支持部材2は、柱状、例えば角柱状(例えば四角柱状)に形成されている。また、支持部材2は、電気的な絶縁性を有する材料によって構成されている。より好ましくは、支持部材2は、電気的な絶縁性を有し、且つ熱伝導率のより小さい材料によって構成されている。支持部材2の材料としては、ガラス(例えばホウケイ酸ガラス(パイレックス(登録商標)))を例示することができる。
第1構造体としての支持部材2a~2dは、支持面3Bに夫々垂設されている。具体的には、図1~3に示されるように、支持部材2a~2dの一端は、支持面3Bに加わる圧力よりも大きな圧力が受圧面3Aに加わったときにダイアフラム3が変形する支持面3Bの領域に夫々接合されている。また、支持部材2a~2dの他端は、半導体チップの裏面1Bの4隅に夫々接合されている。
また、第2構造体としての支持部材2eは、支持面3Bに垂設されている。具体的には、図1~3に示されるように、支持部材2eの一端は、平面視で支持面3Bにおけるダイアフラム3の中心30に接合されている。また、支持部材2eの他端は、平面視で半導体チップ1の中心10に接合されている。より具体的には、支持部材2eの他端は、半導体チップ1の裏面1Bの凹部1Cに形成された台座1Dに接合されている。
なお、支持部材2eは、ダイアフラム3の支持面3Bにおいて支持部材2eの底面の中心とダイアフラム3の中心30とが一致して設けることが望ましいが、支持部材2eの底面の中心がダイアフラム3の中心30から多少ずれていてもよい。
支持部材2a~2eは、例えば、夫々の高さ(Z軸方向の長さ)が等しく形成されている。また、支持部材2a~2eは、半導体チップ1の主面1Aとダイアフラム3の支持面3Bとが平行となるように、支持面3Bにおいて半導体チップ1を支持している。
次に、実施の形態1に係る圧力センサ100の動作原理について説明する。
圧力センサ100において、ダイアフラム3の受圧面3Aに支持面3Bに加わる圧力(大気圧)よりも大きな圧力が加わるとダイアフラム3が撓む。このとき、支持部材2eの一端がダイアフラム3の中心30に固定されていることから、支持部材2eの他端は、Z軸方向に大きく変位するが、X軸方向およびY軸方向にはほとんど変位しない。
圧力センサ100において、ダイアフラム3の受圧面3Aに支持面3Bに加わる圧力(大気圧)よりも大きな圧力が加わるとダイアフラム3が撓む。このとき、支持部材2eの一端がダイアフラム3の中心30に固定されていることから、支持部材2eの他端は、Z軸方向に大きく変位するが、X軸方向およびY軸方向にはほとんど変位しない。
これに対し、支持部材2a~2dの一端がダイアフラム3の中心30から離れた位置において支持面3Bと略垂直に固定されていることから、支持部材2a~2dの他端は、Z軸に対して傾く。すなわち、支持部材2a~2dの他端は、は、Z軸方向の変位のみならず、X軸およびY軸方向にも変位が生じる。より具体的には、支持部材2a~2dの他端は、は、ダイアフラム3の中心30(支持部材2e)から離れる方向(ハウジング4の内壁4Bに近づく方向)に夫々に傾く。
これにより、半導体チップ1が外側に引っ張られ、半導体チップ1の内部には引張応力が生じる。すなわち、支持部材2eと支持部材2a~2dとの間のX軸方向およびY軸方向の夫々の変位差に応じた引張応力が半導体チップ1の内部に発生する。したがって、半導体チップ1における上記引張応力が生じる領域に、上述したひずみゲージ(ブリッジ回路)を構成する抵抗R1~R4を適切に形成しておくことにより、測定対象の流体の圧力を高精度に検知することが可能となる。
次に、半導体チップ1におけるひずみゲージについて具体的に説明する。
図5に示すように、上記ひずみゲージは、例えば半導体チップ1に形成された4つの抵抗(例えば拡散抵抗)R1~R4から成るブリッジ回路10によって構成されている。圧力センサ100は、ブリッジ回路10に一定の電流を流した状態において、半導体チップ1内部に応力が発生したとき、その応力による抵抗R1~R4の抵抗値の変化を電圧の変化として検出することにより、測定対象の流体の圧力を測定することができる。
図5に示すように、上記ひずみゲージは、例えば半導体チップ1に形成された4つの抵抗(例えば拡散抵抗)R1~R4から成るブリッジ回路10によって構成されている。圧力センサ100は、ブリッジ回路10に一定の電流を流した状態において、半導体チップ1内部に応力が発生したとき、その応力による抵抗R1~R4の抵抗値の変化を電圧の変化として検出することにより、測定対象の流体の圧力を測定することができる。
図6に、抵抗R1~R4の半導体チップ1上の配置例を示す。
抵抗R1~R4は、流体の圧力によってダイアフラム3が撓んだときに、半導体チップ1に生じる応力が正(+)となる領域、すなわち半導体チップ1の内部に引張応力が生じる領域に形成されている。具体的には、抵抗R1~R4は、主面1Aの凹部1Cの内側に対応する領域12内において、半導体チップ1と中心を共通にする円11の円周上に夫々形成されている。より具体的には、図6に示すように、抵抗R1~R4は、平面視で半導体チップ1の中心10と半導体チップ1の夫々の辺の中点とを結ぶ直線13,14上に夫々形成されている。
抵抗R1~R4は、流体の圧力によってダイアフラム3が撓んだときに、半導体チップ1に生じる応力が正(+)となる領域、すなわち半導体チップ1の内部に引張応力が生じる領域に形成されている。具体的には、抵抗R1~R4は、主面1Aの凹部1Cの内側に対応する領域12内において、半導体チップ1と中心を共通にする円11の円周上に夫々形成されている。より具体的には、図6に示すように、抵抗R1~R4は、平面視で半導体チップ1の中心10と半導体チップ1の夫々の辺の中点とを結ぶ直線13,14上に夫々形成されている。
ここで、抵抗R1~R4は、それらの少なくとも一部が円11の円周上および上記直線上に形成されていればよい。
上記の構造を有する圧力センサ100によれば、測定対象の流体が流れる配管と圧力センサ100とをクランプによって接続したときのセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを抑えることが可能となる。以下、詳細に説明する。
図7は、実施の形態1に係る圧力センサ100のダイアフラムの受圧面に流体からの圧力が加わっていない状態においてクランプを固定するねじの位置を変えたときに半導体チップに発生する応力のシミュレーション結果を示す図である。図7において、横軸はダイアフラム3の中心30を原点とした半導体チップ1のX軸方向の位置を表し、縦軸は半導体チップ1に発生する応力の大きさを表している。
図7には、図17に示したクランプ50によって、図18に示すように圧力センサ100と配管200とが接続され、且つダイアフラム3の受圧面3Aに流体からの圧力が加わっていない状態において、クランプ50を固定するねじ52の位置を変えたときの半導体チップ1の応力分布が夫々示されている。
図7において、参照符号P1は、クランプ50のねじ52が図8に示す位置P1に固定された場合の半導体チップ1の応力分布を示し、参照符号P2は、クランプ50のねじ52を図8に示す位置P2に固定した場合の半導体チップ1の応力分布を示し、参照符号P3は、クランプ50のねじ52を図8に示す位置P3に固定した場合の半導体チップ1の応力分布を示している。
一方、図9は、圧力センサ100の比較例として、図10に示す平面視長方形の半導体チップ1Xをダイアフラム3の支持面3Bの中心30付近に配置した圧力センサ301において、ダイアフラムの受圧面に流体からの圧力が加わっていない状態でクランプを固定するねじの位置を変えたときに半導体チップ1Xに発生する応力のシミュレーション結果を示す図である。図9において、横軸はダイアフラム3の中心30を原点とした半導体チップ1XのX軸方向の位置を表し、縦軸は半導体チップ1Xに発生する応力の大きさを表している。
図9には、図17に示したクランプ50によって図18に示すように圧力センサ301と配管200とが接続され、ダイアフラム3の受圧面3Aに流体からの圧力が加わっていない状態において、クランプ50を固定するねじ52の位置を変えたときの半導体チップ1の応力分布が夫々示されている。図9において、参照符号P1は、クランプ50のねじ52を図10に示す位置P1に固定した場合の半導体チップ1Xの応力分布を示している。参照符号P2は、クランプ50のねじ52を図10に示す位置P2に固定した場合の半導体チップ1Xの応力分布を示している。参照符号P3は、クランプ50のねじ52を図10に示す位置P3に固定した場合の半導体チップ1Xの応力分布を示している。
先ず、長方形状の半導体チップ1Xを備える圧力センサ301の場合、図9に示すように、クランプ50のねじ52の締め付け位置によって応力分布の傾向が大きく変わることが理解される。その結果、圧力センサ301のセンサ出力のゼロ点のシフト量がねじ52の位置によって大きくばらつくため、圧力センサ301を使用する場合には、クランプ50をねじ52で締め付ける最適な位置を指定しなければならない。
これに対し、実施の形態1に係る圧力センサ100の場合、図7に示すように、クランプ50のねじ52の締め付け位置によって応力分布の傾向はほとんど変わらない。また、発生応力の絶対値のばらつきも、上記比較例の圧力センサ301に比べて小さくなる。したがって、実施の形態1に係る圧力センサ100によれば、従来の長方形状の半導体チップを有する圧力センサに比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを低減することができる。
以上、実施の形態1に係る圧力センサ100は、半導体チップを平面視正方形状とし、ダイアフラム3の支持面3Bの中心において半導体チップ1の中心10と4隅を支持部材2a~2eによって夫々支持する構造を有している。この構造によれば、半導体チップ1の適切な位置にひずみゲージを構成する抵抗R1~R4を形成することにより、圧力センサ100と配管200とを接続するためのクランプ50のねじ52の締め付け位置に依存する半導体チップ1の発生応力のばらつきを抑えることが可能となる。例えば、抵抗R1~R4を平面視で半導体チップ1と中心を共通にする円11の円周上に夫々形成することにより、上記ばらつきを効果的に抑えることができる。
これにより、従来の長方形状の半導体チップを有する圧力センサに比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを低減することが可能となる。
これにより、従来の長方形状の半導体チップを有する圧力センサに比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを低減することが可能となる。
特に、抵抗R1~R4を平面視で半導体チップ1の中心10と半導体チップ10の夫々の辺の中点とを結ぶ直線上に夫々形成することにより、ねじ52の締め付け位置に依存する半導体チップ1の発生応力のばらつきを効果的に低減することができる。これにより、センサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきの更なる低減が可能となる。
また、半導体チップ1の裏面1Bに凹部1Cを設け、抵抗R1~R4を平面視で凹部1Cの内側の領域に形成することにより、ダイアフラム3の受圧面3Aに加わる圧力に対する圧力センサ100のセンサ感度を更に高めることができる。
≪実施の形態2≫
図11は、実施の形態2に係る圧力センサの構成を示す図である。
図11には、図2と同様に実施の形態2に係る圧力センサ101の平面構造が示されている。なお、図11では、ダイアフラム3およびハウジング4の図示を省略している。
図11は、実施の形態2に係る圧力センサの構成を示す図である。
図11には、図2と同様に実施の形態2に係る圧力センサ101の平面構造が示されている。なお、図11では、ダイアフラム3およびハウジング4の図示を省略している。
実施の形態2に係る圧力センサ101は、ひずみゲージを構成する抵抗R1~R4が形成される位置が異なる点において、実施の形態1に係る圧力センサ100と相違し、その他の点においては、実施の形態1に係る圧力センサと同様である。
図11に示されるように、ひずみゲージを構成する抵抗R1~R4は、半導体チップ1aにおいて、平面視で半導体チップ1aの対角線上に夫々形成されている。具体的に、抵抗R1~R4は、平面視で半導体チップ1aの中心10と半導体チップの4隅とを夫々結ぶ直線上に夫々形成されている。
ここで、抵抗R1~R4は、それらの少なくとも一部が上記直線上に形成されていればよい。
図12は、実施の形態2に係る圧力センサ101のダイアフラムの受圧面に流体からの圧力が加わっていない状態においてクランプを固定するねじの位置を変えたときに半導体チップ1aに発生する応力のシミュレーション結果である。図12において、横軸はダイアフラム3の中心30を原点とした半導体チップ1aの対角線方向(中心10と半導体チップ1の四隅とを結ぶ直線方向)の位置を表し、縦軸は半導体チップ1aに発生する応力の大きさを表している。
また、図12において、参照符号P1~P3は、図8と同様に、ダイアフラム3の受圧面3Aに流体からの圧力が加わっていない状態において、クランプ50のねじ52を位置P1~P3に夫々固定した場合の半導体チップ1aの応力分布を示している。
実施の形態2に係る圧力センサ101によれば、図12に示すように、クランプ50のねじ52の締め付け位置に関わらず、応力分布の傾向および応力の絶対値が略同一となる。したがって、実施の形態2に係る圧力センサ101によれば、従来の長方形状の半導体チップを有する圧力センサに比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを更に低減することができる。
≪実施の形態3≫
図13,14は、実施の形態3に係る圧力センサの構成を示す図である。
図13には、実施の形態3に係る圧力センサ102の斜視図が示されている。図14には、Z方向から見たときの実施の形態3に係る圧力センサ102の平面構造が示されている。なお、図13および図14では、ダイアフラム3およびハウジング4の図示が省略されている。
図13,14は、実施の形態3に係る圧力センサの構成を示す図である。
図13には、実施の形態3に係る圧力センサ102の斜視図が示されている。図14には、Z方向から見たときの実施の形態3に係る圧力センサ102の平面構造が示されている。なお、図13および図14では、ダイアフラム3およびハウジング4の図示が省略されている。
実施の形態3に係る圧力センサ102は、半導体チップ1bの裏面1Bに凹部1Cが形成されていない点において、実施の形態2に係る圧力センサ101と相違し、その他の点においては、実施の形態2に係る圧力センサ101と同様である。
図13に示されるように、圧力センサ102における半導体チップ1bは、凹部1Cを有さず、平面の裏面1Bを有する。また、図14に示されるように、圧力センサ102のひずみゲージを構成する抵抗R1~R4は、実施の形態2に係る圧力センサ101と同様に、平面視で半導体チップ1bの中心10と半導体チップ1bの4隅とを夫々結ぶ直線上に夫々形成されている。
図15は、実施の形態3に係る圧力センサ102のダイアフラムの受圧面に流体からの圧力が加わっていない状態においてクランプを固定するねじの位置を変えたときに半導体チップ1bに発生する応力のシミュレーション結果である。図15において、横軸はダイアフラム3の中心30を原点とした半導体チップ1bの対角線方向(中心10と半導体チップ1bの四隅とを結ぶ直線方向)の位置を表し、縦軸は半導体チップ1bに発生する応力の大きさを表している。
また、図15において、参照符号P1~P3は、図9と同様に、ダイアフラム3の受圧面3Aに流体からの圧力が加わっていない状態においてクランプ50のねじ52を位置P1~P3に夫々固定した場合の半導体チップ1bの応力分布を夫々示している。
実施の形態3に係る圧力センサ102によれば、図15に示すように、クランプ50のねじ52の締め付け位置に関わらず、応力分布の傾向および応力の絶対値が略同一となる。したがって、実施の形態3に係る圧力センサ102によれば、凹部1Cを有する実施の形態2に係る圧力センサ101と同様に、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを大幅に低減することができる。
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、実施の形態1,2において、半導体チップ1,1aの裏面1Bに形成される凹部1Cが平面視円形状である場合を例示したが、凹部1Cの平面視の形状に特に制限はない。例えば、図16に示す圧力センサ103のように、平面視四角形状の凹部1Eを形成してもよい。
また、実施の形態1,2において、支持部材2eを台座1Dを介して半導体チップ1,1aに接合する場合を例示したが、これに限られない。例えば、台座1Dを設けることなく、支持部材2eが半導体チップ1,1aの裏面における中心10に直接接合されてもよい。この場合には、半導体チップ1をダイアフラム3上に固定したときに半導体チップ1の主面1Aとダイアフラム3の支持面3Bとが平行になるように、支持部材2eのZ軸方向の長さを支持部材2a~2dのZ軸方向の長さよりも長くする必要がある。
また、上記実施の形態において、支持部材2a~2eおよび台座1Dが角柱状である場合を例示したが、支持部材2a~2eおよび台座1Dは例えば円柱状であってもよい。
また、上記実施の形態において、ひずみゲージを構成する抵抗R1~R4の配置例として、半導体チップ1と共通の中心を有する円11の円周上に抵抗R1~R4を夫々配置する場合を示したが、これに限られない。すなわち、抵抗R1~R4は、ねじ52の締め付け位置に依存する半導体チップ1の発生応力の変動の少ない位置に形成されていればよく、上記円周上に形成する場合に限定されるものではない。
例えば図6において、抵抗R1~R4は、直線13または直線14の上に形成されていればよく、中心10から各抵抗R1~R4までの夫々の距離が一致していなくてもよい。
具体的には、抵抗R1~R4は、直線13または直線14の上に一直線上に形成されていてもよい。これによれば、従来のように半導体チップ1を平面視長方形状に形成した場合に比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを低減することができる。
具体的には、抵抗R1~R4は、直線13または直線14の上に一直線上に形成されていてもよい。これによれば、従来のように半導体チップ1を平面視長方形状に形成した場合に比べて、クランプ50のねじ52の締め付け位置によるセンサ出力のゼロ点のシフト量のばらつきを低減することができる。
また、上記実施の形態において、円11の径の長さは、図6に示した長さに限定されるものではなく、要求される性能等に応じて変更可能であることは言うまでもない。
本発明に係る圧力センサは、例えばサニタリー用圧力センサ等の様々な用途に適用できる。
100,101,102,103…圧力センサ、1,1a,1b…半導体チップ、1A…半導体チップの主面、1B…半導体チップの裏面、1C…凹部、1D,1E…台座、10…半導体チップの中心、支持部材…2a,2b,2c,2d,2e、3…ダイアフラム、3A…受圧面、3B…支持面、30…ダイアフラムの中心、4…ハウジング、4A…ハウジングの端部、4B…ハウジングの内壁、R1~R4…抵抗。
Claims (4)
- 測定対象の流体の圧力を受ける第1主面と、前記第1主面の反対側の第2主面とを有するダイアフラムと、
一の面にひずみゲージを構成する複数の抵抗を有する、平面視正方形状の半導体チップと、
前記第2主面に垂設され、一端において前記第2主面に加わる圧力よりも大きな圧力が前記第1主面に加わったときに前記ダイアフラムが変形する前記第2主面の領域内に接合され、他端において前記半導体チップの他の面の4隅に夫々接続された4つの第1構造体と、
前記第2主面に垂設され、一端において平面視で前記第2主面における前記ダイアフラムの中心に接合され、他端において平面視で前記半導体チップの他の面の中心に接合された第2構造体と、を有し、
前記複数の抵抗は、平面視で前記半導体チップと中心を共通にする円の円周上に夫々形成され、
前記複数の抵抗は、平面視で前記半導体チップの中心と前記半導体チップの夫々の辺の中点とを結ぶ直線上に夫々形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項1に記載の圧力センサにおいて、
前記半導体チップは、前記他の面に形成された凹部を有し、
前記複数の抵抗は、前記半導体チップの前記一の面における前記凹部の内側に対応する領域内に形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項2に記載の圧力センサにおいて、
前記凹部は、平面視円形状に形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。 - 請求項2に記載の圧力センサにおいて、
前記凹部は、平面視矩形状に形成されている
ことを特徴とする圧力センサ。
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