JP2008527313A - 力測定デバイス、特に圧力計及び関連する製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、力特に圧力の衝撃の結果として変形され得る変形要素(2)、及び変形要素(2)の変形を電気的テスト信号に変換できる少なくとも1つの測定要素(4a、4b)を含む力測定デバイス特に圧力計(6)に関する。測定要素(4a、4b)は、力による衝撃によってひき起こされた変形要素(2)の変形が同様に結果として基板(6)を変形させるような形で変形要素(2)に付着される平面基板(6)の上に配置される。本発明の力測定デバイスは、基板(6)が電気的絶縁性材料で作られ、一方基板(6)は、それを作っている材料の結果として変形要素(2)よりも低い曲げ剛性を備えている。同じく開示されているのは、関連する製造方法である。
Description
本発明は、力測定デバイス、特に圧力計、及び関連する製造方法に関する。
既知の圧力センサーにおいては、例えば高級鋼又はその他の基本的に弾性変形可能な材料から成る変形要素が使用されている。ひずみ感応性抵抗器は、厚膜又は薄膜技術における変形要素に対して、特に圧力が加えられた時点で予め定められた要領で変形する変形要素の領域内で適用される。変形要素は、高圧側を低圧側から分離し、優勢な圧力差に従って変形する圧力膜である。
既知のデバイスにおいては、変形要素全体を測定要素を製造するための厚膜技術又は薄膜技術の作業段階に付す必要がある。この事実が、これらのデバイスの製造において多大な努力を要求している。既知のデバイスのさらなる開発においては、高級鋼基板に対し測定要素が適用され、この基板には測定要素を適用する前に電気絶縁用カバー層を適用しなくてはならない。その後、高級鋼基板はスポット溶接により同じく高級鋼から成る変形要素上に固定される。これにも又、高い材料使用レベルと複雑な製造プロセスが求められる。
従って、本発明の目的は、先行技術の欠点を克服するデバイス及び関連する製造方法を提供することにある。特に本発明のデバイスは、製造が経済的で異なる力測定範囲に容易に適合可能でありかつ作動上の耐久性及び信頼性が高いものでなくてはならない。好ましくはこれらのデバイスは、高い長期安定性、優れた線形性及び測定信号の低い温度依存性を有していなくてはならない。関連する製造方法は、経済的に実施できるものでなくてはならない。
上記の目的は、この出願の請求項1に定義されたデバイスによって及び独立請求項で定義された方法によって達成される。本発明の特別な実施形態は、従属請求項に定義されている。
力を加えた結果として、特に圧力を加えた結果として変形され得る変形要素を備え、かつ、該変形要素の変形を電気的測定信号に変換できる少なくとも1つの測定要素を備えた力測定デバイス、特に圧力計であって、測定要素が平坦な基板上に位置設定され、基板が、力を加えた結果としての変形要素の変形が同様に結果として基板の変形をももたらすような形で変形要素上に固定されている力測定デバイスにおいて、上記の目的は、基板が電気的絶縁材料から成りかつその材料及び/又は形状に起因して基板が変形要素よりも低い曲げ剛性を有するということによって達成される。
基本的に、本発明のデバイスでは、複数の物理的数量を測定し、1つの力に転換することができる。特に本発明のデバイスは、圧力センサーとして、つまり絶対圧力センサーと同時に差圧センサーとして作製することができる。100バール以上、特に例えば最高600バールの定格圧力範囲をもつ高圧センサーのために本発明を利用することが特に有利である。その上、本発明のデバイスは、例えば加速センサーとして使用可能であり、この場合、少なくとも片面で挟持され、加速の結果として自らの上にある質量体又は自分自身の質量の慣性により変形するバネ要素として作られている。
既知のひずみゲージ以外に、代替的に又は付加的に、測定要素として、例えば2〜50の高いK係数をもつピエゾ抵抗測定要素、特にドープドポリシリコンといった多結晶材料のピエゾ抵抗性抵抗器を使用することもできる。さらに、圧電測定要素も使用でき、そうでなければ、変形の容量性評価を可能にする電極表面を適用することもできる。
測定要素は、好ましくは薄膜技術又は厚膜技術で適用される。適用は、表面全体にわたって行なうことができ、又そうでなければいかなる場合でも例えば陰極スパッタリング又は蒸着によって未構造化状態で行なうことができ、その後例えばフォトリソグラフィプロセス及び湿式化学又は乾式化学エッチングなどによって構造化される。代替的には、測定要素は、例えばスクリーン印刷、スタンピング、マスク使用の陰極スパッタリングなどにより構造化された状態で適用することも可能である。
好ましくは、フルブリッジを形成するべく、4つの倍率抵抗器の形をした4つの測定要素が相互連結される。測定要素は好ましくは、パネル内の平坦な基板に適用され、パネル内の複数の基板をいわゆるウェーハ上に製造することができる。基板の厚みは標準的には50〜500μm、特に80〜300μmである。変形要素の厚みは、基板を固定することによって変形要素の有意な硬化が全く発生しないようにいかなる場合でも標準的に測定要素の領域内で150μm〜600μmの範囲内にある。変形要素自体は好ましくは高級鋼、測定されるべき媒体に対し不活性である合金、セラミックなどで構成されている。
基板は、電気的絶縁材料、好ましくはいわゆる低温同時焼成セラミック(LTCC)、ガラスセラミック、セラミック−ガラス複合材又は同様にして純粋ガラスで構成されている。従来の変形体の材料に比べて、これらの材料は有利にも低い弾性係数及び高い破壊強度を有する。基板の表面は、特に薄膜技術において測定要素が適用される場合、研磨可能である。測定要素が薄膜技術で適用される場合、基板の未研磨表面もコーティングされ得、これは有利なことである。
1つの特別な実施形態において、基板は複数の層から構築され、個々の層は焼結の前にホイルとして存在しており、焼結により互いに密に接合される。第1の、好ましくは内側の層は、主として基板の機械的安定性を決定でき、反対に第2の、好ましくは外側の層は、主として低粗度表面を形成し、かくして、印刷導体、抵抗器などといった薄膜構成要素をこの表面に適用できるようになっている。これらの層は、未焼結状態ではホイル様で可とう性を有する。
第1の内部層は好ましくは、例えば二酸化ジルコニウムといった比較的粗粒状の充填材を高い割合で含むガラスセラミックで構成されている。充填材の部分は、50重量%超、特に50〜80重量%の間である。粒度D50は、1μm超、特に3μm超である。一方、第2の外部層は、セラミック及び非結晶化ガラスから1μm未満の粒度D50を有する微粉砕粉末で作られている。こうして非常に低い焼結時表面粗度をもつほぼ無孔の細粒構造の外部層が得られる。
少なくとも1つの第1の内部層を有し、外側には少なくとも1つの第2の層を伴い、好ましくは基板の両方の外側面に少なくとも1つの第2の層を伴う層状構造が、特に有利である。特に、例えば2:2〜2:6すなわち2つの第2の外部層と2つ〜6つの第1の内部層という外部層対内部層の積層比をもつ層状構造といった、複数の第1の内部層を伴うような層状構造が特に有利である。
1つの特別な実施形態において、基板の熱膨張率は、変形要素の熱膨張率に一致させられる。かくして、問題の温度範囲内の基板及び変形要素の熱膨張率の差は一般に5ppm/K未満、好ましくは3ppm/K未満、そして制限された温度範囲内では1ppm/K未満にまで至る。こうして、温度変動によってひき起こされかつ測定要素ひいては圧力センサーの出力信号を導く変形が回避されるが、対応する圧力変化を検出することはできない。
いずれにせよ、基板と変形要素の間の相互連結は好ましくは、断面で表面的に行なわれる。変形要素及び基板用の材料に応じて、基本的には、例えば共晶の形成を伴う共晶結合又はいわゆる適当な技術的ガラスでの陽極結合といったような、別の相互連結層を必要としない相互連結も同様に可能である。しかしながら、特に、特別な表面処理を受けていないセラミックを用いる場合には、別の相互連結層の使用が有利である。例えば、エポキシ接着剤又はポリイミド接着剤のような接着剤層、金属はんだ又はガラスはんだを、相互連結層として使用することができる。相互連結層は1つ又は2つの側面上で基板又は変形要素に適用可能である。相互連結層の適用は、接着剤ペースト又はガラスはんだペースト上でのスタンピングによってか又はスクリーン印刷によってすでに構造化された状態で行なわれ得る。表面全体にわたって相互連結層を適用し、次に構造化することもできる。基本的には、フォトリソグラフィ構造化及び構造化のための湿式エッチング技術及び乾式エッチング技術の使用を含めて、この目的のために厚膜技術及び薄膜技術で知られている全てのプロセスを使用することができる。
1つの特別な実施形態において、変形要素及び基板の構成は、好ましくは測定要素の領域内にキャビティを有する。このキャビティは、相互連結層の構造によって、及び/又は基板の構造化によって及び/又は変形要素の構造化によって形成可能である。測定要素が位置設定されている基板の領域内のキャビティによって、機械的応力及びひずみを集中又は増強させることができる。こうして、デバイスの出力信号の線形性は増大し、この要領で、一定の与えられた許容可能な非線形性でデバイスの測定感度を増大させることができる。その上、少なくとも基板上に存在しキャビティの領域内で構成されている測定要素の一部分の間において、基板と相互連結要素間に相互連結部位が存在していると有利である。
1つの特別な実施形態において、基板は、デバイスの無負荷状態で有意な出力信号がもたらされるような形で変形要素上に機械的プレストレスを付与することで固定されている。その後力を加えると、付与されたプレストレスは少なくとも一部分補償されるか、そうでなければ、出力信号がより小さなものとなる。これは、デバイスの過負荷の場合に、過負荷時安全性が増大することから有利なことである。
このプレストレス付与は同様に、例えば対応する湿式化学又は乾式化学プロセスにより、基板が固定された後に除去できる重合体層の形で、基板と連結要素の間のキャビティの領域内にスペーサを一時的に設置することなどによっても誘発可能である。
本発明は同様に、変形要素と測定要素を伴う基板が互いに別々に製造される、力測定デバイスの製造方法にも関する。デバイスに属する測定要素を伴う基板は、好ましくはパネル内で行なわれる製造方法の後に離脱され、次に以上ですでに記述した通り、変形要素上に固定される。基板と変形要素の間の相互連結も同じく、測定要素を伴う基板が変形要素の1種のコーティングを形成するような形で表面全体にわたり発生し得る。
基板は、一般に、測定すべき媒体とは対面しない方を向いた変形要素の側で変形要素上に設置される。数多くの利用分野において、測定要素が備わった側が変形要素に対面しない方向をポイントするような形で変形要素上に基板を固定することが可能であろう。このようにして、特に測定要素の電気的接触の確立が単純化される。ただし、測定要素を有する表面が例えば測定要素の機械的損傷又は汚染を防止する目的で変形要素に面していることが特に有利であるような利用分野も存在する。
本発明のその他の利点、特長及び詳細は、従属請求項及び図面を参照しながら複数の実施形態が詳述されている以下の記述から明白になることであろう。これに関連して、特許請求の範囲及び明細書に言及されている特長は本発明にとって、個別に又は任意の組合せの形で不可欠なものであり得る。
図1は、本発明の第1の実施形態についての断面図を示している。図示のものは、変形要素2及びその上に固定され2つの測定要素4a、4bが載っている基板6を備えた本発明の圧力センサー1である。変形要素2は、高級鋼、特に測定すべき媒体に面する側面上に盲穴(ブラインドホール)を有する円筒体から作られている。これは、間にある膜領域2bに比べてたるみに対するより大きい剛性をもつ変形要素2の周縁部域2aを生み出す。例えば膜領域2b内の変形要素2の厚みは、150μm〜600μmの間であり、反対に、縁部部域2a内の厚みは増大する可能性があり、1000μmより大きくてもよく、特に2〜10mmの間にあり得る。
平面端面上では、基板6は、この実施形態では、例えばスパッタリング、蒸着などにより、立面図(図6参照)内で基本的に矩形であり基板6の裏面に適用される相互連結層8としての金属はんだ層を用いて、変形要素2上に固定される。必要ならば又は実現可能ならば、変形要素2に対し、対応する金属はんだ層を適用することもできる。金属はんだ層8の厚みは、膜領域2bの厚みよりも明らかに小さく、例えば50μmである。基板6は、厚みが約250μmであり、いわゆる低温同時焼成セラミック(LTCC)又は匹敵する特性をもつガラスセラミック又はガラスで構成されている。全体として、膜領域2bの曲げ剛性は、金属はんだ層8及び基板6によって有意に増大されない。圧力を加えた結果として発生する膜領域2bの変形は、密な相互連結により基板6に移送される。
変形要素2とは対面しない側を向いた表面上で、測定要素4a、4bは、蒸着及び後続する構造化により基板に適用される。ひずみゲージとして作られている2つの抵抗器が存在する。矢印10の方向に圧力が付加された場合、膜領域2bひいては付随する領域内では基板6も上に湾曲し、縁部近くにある第1の測定要素4aは、基本的に圧縮応力を受け、反対に、中心近くにある第2の測定要素4bは基本的に引張り応力を受ける。2つの測定要素4a、4bが相互連結されて連結部位で半ブリッジを形成する場合、加わる圧力により左右される電位をタッピングすることができる。
基板6の熱膨張率は、変形要素2の熱膨張率に一致させられる。この一致は、特に基板6のために正確な材料組成を選択することによって確保できる。LTCCセラミックの場合、これは、例えばセラミック材料及び/又はガラス構成要素の選択などによって行なうことができる。特に、比較的小さいガラス転移温度をもつガラス構成要素を付加することにより、基本的にセラミック材料では低いものである熱膨張率を増大させ、金属変形要素2の比較的大きな熱膨張率に一致させることができる。高級鋼の代りに、チタン、セラミックなどを変形要素2のための材料として使用することもでき、このとき、基板6の材料は、熱膨張率の小さな差異が発生するように選択される。それ自体使用されている材料の熱膨張率が温度に左右されているかぎりにおいて、いずれにせよ一致は、圧力センサー1が使用される予定の温度範囲について行われる。
これに関して、基板6と変形要素2間の相互連結の製造における温度が可能なかぎり低いこともきわめて重要である。ここで、相互連結層8が、例えばエポキシ接着剤又はポリイミド接着剤といった比較的低温で硬化する接着剤により形成されていることが有利であり得る。基板6及び/又は相互連結層8の材料が、変形要素2の材料に比べて特に低い弾性係数を有することが有利である。
図2は、本発明の第2の実施形態についての断面図を示している。圧力センサー101はそれ自体、高級鋼の変形要素を有する。例えば基板106に面する円形端面上で、相互連結層108は、接着剤又はガラスはんだのスピンオンによってか又は金属硬ろう又は軟質はんだでの浸漬コーティングによって、表面全体にわたり変形要素102に適用される。基板106は、比較的大きな層厚をもつ第1の領域106aと低減された層厚みをもつ第2の領域106bが得られるように、変形要素102に面する表面上で構造化される。第2の領域106b内には測定要素104a、104bがあり、変形要素102から基板106内に経路決定された変形は、第2の領域106b内に集中している。その上、このようにして、温度変化のみによって誘発され熱膨張率の差に基づく変形のさらなる非干渉化が保証される。
2つの領域106bと変形要素102の間には、キャビティ112が形成されているが、これらのキャビティは、少なくとも外側で開放しており、特に変形要素102とは対面しない側で表面106をとり囲む空間に向かって開放している。2つのキャビティ112a、112bの間の領域には、基板106が変形要素102に付加的に連結されている相互連結点106cが存在する。第2の実施形態の1つの変形例においては、キャビティ112a、112bを形成する基板106の構造化と代替的に又は付加的に、対応する部位で変形要素102を構造化することもでき、特にこの変形要素は対応する部位に凹部を有することができる。
図3は、本発明の第3の実施形態についての断面図を示している。ここでは、圧力センサー201は、例えば酸化アルミニウムセラミックから成る変形要素202を有する。最初に基板206に面している変形要素202の端面上には、スピンオンプロセスなどにより相互連結層208として表面全体にわたりガラスはんだ層が適用される。その後、例えば、後続するガラスはんだのエッチングを伴うフォトリソグラフィ技術などを用いてガラスはんだ層が構造化される。基板206は、このようにして調製された変形要素202の上に設置され、また、この構成は、ガラスはんだのガラス転移温度より高い温度に加熱され、その後再び冷却され、かくして機械的に強度が高くかつ必要とあらば気密性もある相互連結が変形要素202と基板206の間に得られることになる。
相互連結層208の構造に従ってキャビティ212a、212bが形成される。基板206上の付随する領域の中で、測定要素204a、204bは変形要素202に面した表面上に位置設定される。測定要素204a、204bの電気的接点の確立は、例えば基板206上にある連続要素214を用いて、変形要素202を超えて突出する基板106の縁部部域内で行なわれ得る。この構成においては、測定要素204a、204bは、機械的損傷及び/又は汚れ及び水分堆積に対して有効である。測定要素204a、205b間の連結は、同様に厚膜技術又は薄膜技術において基板206に適用される印刷導体により行なわれる。その上、ハイブリッド技術では、信号処理は、基板206上に位置設定され得る集積回路を用いても行なうことができる。
図4は、本発明の第4の実施形態についての断面図を示している。基板306はそれ自体、固定された状態でキャビティ312a、312bが形成されるような形で変形要素302に面する表面上で構造化される。この実施形態において、相互連結層308は所々に具備されているにすぎない。基板306が変形要素302上に固定されている場合、基板306及び変形要素302を相互連結した後にスペーサ316a、316bが除去されたとしても、初期状態で測定要素304a、304bの領域内で、基板306の例示された湾曲が起こるような形で、キャビティ312a、312bの領域内にスペーサ316a、316bが挿入される。この点に関して、さらに厚膜技術及び薄膜技術において同様に変形要素202及び/又は基板306に適用され得る可溶性重合体のスペーサ316a、316bを用いることが特に有利である。基板306と変形要素302を相互連結した後、これらのスペーサ316a、316bを例えば溶剤などで洗い落すか又は酸化性雰囲気内で焼却処分することができる。
かくして、測定要素304a、304bが位置設定されている基板306の領域は、外部から圧力を加えることなく、予め湾曲られ、測定要素は対応する出力信号を送達する。矢印310a方向に圧力が付加された場合、この湾曲は、例えば公称圧力が存在する場合に測定要素304a、304bの領域内でも基板306が同様に平坦となるまで補償される。かくして、圧力センサー301の作業領域内では、圧縮応力から無応力までの範囲のみが精査され、かくして過負荷領域ではひずみの制限が確実に存在するようにすることができる。
図5は、本発明の第5の実施形態についての断面図を示している。ここでは、基板406は相互連結層408のスポット構成により変形要素402に連結されている。連結プロセスでは、矢印418の方向において、測定要素404a、404bが位置設定されている領域の湾曲が変形要素402への方向に発生し、同様に相互連結層408の硬化後凍結されるような形で基板406に力を加えることができる。この場合プレストレスが発生し、これは圧力が矢印410の方向に加わった時点で補償される。今度はこれが過負荷領域内でひずみの制限を生み出す。
図6は、上述の実施形態全てのために使用することのできるような基板506の俯瞰図を示している。4つの測定要素504a、504b、504c、504dの全てが相互連結されてフルブリッジを形成し、第1の測定要素504a及び第3の測定要素504cの共通の電極は、正の電圧供給のため基板506の第1のコーナーに位置設定された端末電極520aへと経路決定されている。類似の要領で、第2の測定要素504b及び第4の測定要素504dの共通電極は、負の電圧供給のための基板506の第2のコーナーに位置設定された端末電極520bへと経路決定される。測定電圧は、基板506の第3のコーナーに位置設定された端末電極522aへと経路決定される第1の測定要素504aと第2の測定要素504bの共通電極と、基板506の第4のコーナーに位置設定された端末電極522bへと経路決定される第4の測定要素504dの共通電極の間でタッピングされ得る。
基板506は、基本的に矩形であり、有利には、円形又は矩形ウェーハ上で、つまり換言すると「パネル内で」、多数製造可能である。長さ及び幅についての標準的な寸法は、数分の1mmから数mmであり、基板の厚みは標準的に1mm未満である。
図7は、本発明の基板6の多層構造を示している。例示された実施形態において、第1の内部層6iが両面で第2の外部層6aによりカバーされている。第1の内部層は、3μm超の粒度D50をもつ酸化ジルコニウムの粗い充填材24を50〜80重量%の割合で有するガラスセラミックから形成されている。2つの第2の外部層6aは、基本的に同一に作られており、1μm未満の粒度をもつセラミック及び非結晶性ガラスの細かい充填材粒子26を有する。内部層と外部層6i、6aの厚みは、各々約100μmである。基板6の機械的特性は、基本的に、粗い充填材粒子24により、第1の内部層6iによって決定され、基板6の高い破壊強度を確保する。一方第2の外部層6aは、印刷導体、抵抗器などといった構成要素が薄膜技術において適用され得る基板6の平滑な表面を主として確保している。
例示された実施形態における外部層対内部層6a、6iの積層比は、2:1である。2:2〜2:6の間の積層比が特に有利であり、この場合、最高6つの第1の内部層6iが互いの上面に位置設定され、基板6は外側面のみに1つの第2の外部層6aを有している。
Claims (16)
- 力を加えた結果として、特に圧力を加えた結果として変形され得る変形要素(2)を有し、かつ該変形要素(2)の変形を電気的測定信号に変換できる少なくとも1つの測定要素(4a、4b)を備えた、力測定デバイス、特に圧力計(1)であって、測定要素(4a、4b)が平坦な基板(6)上に位置設定され、基板(6)は、力を加えた結果としての変形要素(2)の変形が同様に結果として基板(6)の変形をももたらすような形で変形要素(2)上に固定されている力測定デバイスにおいて、
基板(6)が電気的絶縁材料から成ること及びその材料及び/又は形状に起因して基板(6)が変形要素(2)よりも低い曲げ剛性を有することを特徴とする力測定デバイス。 - 平坦な基板(6)の少なくとも測定要素(4a、4b)の領域内での厚みが、この領域における変形要素(2)の厚みより小さい、請求項1に記載のデバイス。
- 基板(6)がセラミック又はガラス様の材料、特にガラスセラミック又は低温同時焼成セラミック(LTCC)で構成されている、請求項1又は2に記載のデバイス。
- 基板(6)が少なくとも1つの第1の内部層(6i)及び少なくとも1つの第2の外部層(6a)を伴う多層構造を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のデバイス。
- 第1の内部層(6i)が第2の外部層(6a)とは異なる組成を有し、特に第1の内部層(6i)が第2の外部層(6a)より粗い充填材を有する、請求項4に記載のデバイス。
- 基板(6)の2つの外面上の少なくとも2つの第1の内部層(6i)が、少なくとも1つのそれぞれの外部層(6a)によって被覆されている、請求項4又は5に記載のデバイス。
- 基板(6)が、変形要素(2)の熱膨張係数と一致させられる熱膨張係数を有し、特に0〜+100℃の範囲内、好ましくは−40〜+125℃の範囲内の熱膨張係数の差が5ppm/K未満、好ましくは3ppm/K未満である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のデバイス。
- 基板(6)が、少なくとも一部の領域で平坦である相互連結層(8)を用いて、特に接着剤層、金属はんだ層又はガラスはんだ層を用いて変形要素上に固定されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のデバイス。
- 測定要素(4a、4b)の領域内で変形要素(2)及び基板(6)から成る形状が、基板(6)と連結用要素(2)の間にキャビティを有している、請求項1〜5のいずれか1項に記載のデバイス。
- 各々キャビティの領域内に位置設定されている少なくとも2つの測定要素(4a、4b)を有し、かつ2つの測定要素(4a、4b)間には基板(6)と連結用要素(2)間の相互連結部位が存在する、請求項6に記載のデバイス。
- 基板(6)が、力を加えた時点で少なくとも部分的に補償され得る変形要素(2)上の機械的プレストレス付与によって固定される、請求項1〜7のいずれか1項に記載のデバイス。
- パネル内の測定要素(4a、4b)が、薄膜技術又は厚膜技術において基板(6)に適用される、請求項1〜8のいずれか1項に記載のデバイス。
- 力を加えた結果として、特に圧力を加えた結果として変形され得る変形要素(2)、薄膜技術又は厚膜技術においてパネル内の平坦な基板(6)に適用される少なくとも1つの測定要素(4a、4b)、及び電気的絶縁材料で構成されかつその材料及び/又は形状に起因して別途基板(6)から作られた変形要素(2)よりも低い曲げ剛性を有する基板(6)を有する力測定デバイス、特に圧力センサー(1)を製造するための方法において、
基板(6)がパネルから離脱され、次に変形要素(2)上に固定されることを特徴とする力測定デバイスを製造する方法。 - 基板(6)が少なくとも変形要素(2)上の領域内で平坦に固定される、請求項13に記載の製造方法。
- 相互連結層(8)が基板(6)及び/又は変形要素(2)に適用される、請求項14に記載の製造方法。
- 相互連結層(8)が全表面にわたり適用され、次に構造化される、請求項13又は14に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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