WO2016121352A1 - 固体撮像装置およびカメラ - Google Patents

固体撮像装置およびカメラ Download PDF

Info

Publication number
WO2016121352A1
WO2016121352A1 PCT/JP2016/000317 JP2016000317W WO2016121352A1 WO 2016121352 A1 WO2016121352 A1 WO 2016121352A1 JP 2016000317 W JP2016000317 W JP 2016000317W WO 2016121352 A1 WO2016121352 A1 WO 2016121352A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
column
circuit
imaging device
solid
pixel
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/000317
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
生熊 誠
学 角田
渡邉 研二
顕一 芳賀
勝 加東
Original Assignee
パナソニックIpマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックIpマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックIpマネジメント株式会社
Priority to CN201680004754.1A priority Critical patent/CN107113388B/zh
Priority to JP2016571853A priority patent/JP6738286B2/ja
Priority to EP16742956.2A priority patent/EP3253047B1/en
Publication of WO2016121352A1 publication Critical patent/WO2016121352A1/ja
Priority to US15/636,088 priority patent/US10194105B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Definitions

  • signals in the same column are AD (analog-digital) converted by the same processing circuit provided for each column.
  • AD analog-digital
  • Variations in the processing circuit provided for each column and noise for each column essentially have column correlation. Such noise and variations may appear as vertical line noise in an image.
  • the present disclosure has been made in view of the above circumstances, and provides a solid-state imaging device and a camera that suppress vertical line noise that appears in an image due to noise and variation having column correlation.
  • a solid-state imaging device propagates a pixel array unit having a plurality of pixel circuits arranged in a matrix and pixel signals output from the plurality of pixel circuits Between the vertical signal line provided for each column, the column AD circuit provided for each column for AD conversion of the pixel signal from the vertical signal line, and between the pixel array unit and the column AD circuit A column switching circuit that is inserted into the vertical signal line and switches a connection between a column of pixel circuits in the pixel array unit and the column AD circuit; and a control unit that switches the connection to the column switching circuit every horizontal scanning period; A restoration circuit that restores the arrangement order of signals AD-converted by the plurality of column AD circuits so as to correspond to the arrangement order of the plurality of vertical signal lines in the pixel array unit.
  • the pixel array unit 10 has a plurality of pixel circuits 3 arranged in a matrix.
  • the plurality of pixel circuits 3 are arranged in n rows and m columns in FIG.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit example of the pixel circuit 3.
  • the pixel circuit 3 includes a photodiode PD as a pixel (light receiving unit), a floating diffusion layer FD, a read transistor T10, a reset transistor T11, an amplification transistor T12, and a selection transistor T13.
  • Read transistor T10 reads (i.e., transfers) charges from photodiode PD to floating diffusion layer FD in accordance with a read control signal on read control line ⁇ TR.
  • the horizontal scanning circuit 12 in FIG. 1 scans the memory 256 in the plurality of column AD circuits in order, and outputs the AD-converted pixel signal to the restoration circuit 52 through the horizontal signal line 18. This scanning may be the same as the arrangement order of the column AD circuits 25.
  • the control unit 20 controls the entire solid-state imaging device 1 by generating various control signal groups.
  • the various control signal groups include control signal groups CN1, CN2, CN5, CN8, CN10, CN10, and counter clock CK0.
  • the control unit 20 receives the master clock MCLK via the terminal 5a, generates various internal clocks, and controls the horizontal scanning circuit 12, the vertical scanning circuit 14, and the like.
  • the control unit 20 includes a switching control circuit 51.
  • the switching control circuit 51 controls the column switching circuit 50 so as to switch the one-to-one connection between the column of the pixel circuit 3 and the column AD circuit 25 in the pixel array unit 10 for each horizontal scanning period.
  • the column processing unit 26 includes a column AD circuit 25 provided for each column.
  • Each column AD circuit 25 AD converts the pixel signal from the vertical signal line 19.
  • the voltage comparator 252 compares the analog pixel signal from the vertical signal line 19 with the reference signal RAMP including the triangular wave generated by the reference signal generation unit 27, for example, when the former becomes larger than the latter. Invert the output signal indicating the result.
  • the counter unit 254 counts the time from the start of the change of the triangular wave in the reference signal RAMP until the output signal of the voltage comparator 252 is inverted. Since the time until inversion is determined according to the value of the analog pixel signal, the count value becomes the value of the digitized pixel signal.
  • the memory 256 holds a count value of the counter unit 254, that is, a digital pixel signal.
  • the output circuit 28 outputs a digital pixel signal from the restoration circuit 52 to the video data terminal D1.
  • the output terminals of the K selectors in the final stage are connected to N vertical signal lines 19 (that is, the ADC input lines 40) on the column AD circuit 25 side.
  • FIG. 6B is a diagram showing the switching logic of the 8-input 8-output unit switching circuit 50a shown in FIG. 6A. As shown in the figure, there are 2048 combinations of logical values of the control signals C0 to C11. The arrangement order of the vertical signal lines 19 connected to the N (here, 8) ADC input lines 40 on the output side of the unit switching circuit 50a is 2048. That is, the unit switching circuit 50a can switch 2048 connections according to combinations of logical values of the control signals C0 to C11.
  • the down count period is a period for AD converting the first pixel signal indicating the level of the reset component Vrst output from the amplification transistor T12.
  • the counter unit 254 counts down the time from the start of the down count period (start of change of the triangular wave) until the output of the voltage comparator 252 is inverted. This count value is the AD conversion result itself of the analog reset component Vrst.
  • the control of the column switching circuit 50 is performed based on the switching control circuit 51 in the control unit 20. In order to eliminate any fixed pattern in the image of the AD conversion result, it is preferable to control the switching of the column switching circuit 50 in a random manner. Actually, if the periodicity of the random number is several frames ⁇ the number of rows, the image impression will not be uncomfortable.
  • FIG. 9A is a schematic diagram showing an image according to a comparative example. This figure schematically shows an image obtained by capturing an object with uniform brightness and color when connection switching by the column switching circuit 50 is not performed.
  • the value AD-converted by the up-count in the counter unit 254 and the value AD-converted by the down-count have a column correlation, and from the up-count value that is a signal component
  • the value obtained by subtracting the down count value also has column correlation.
  • vertical line noise can occur as shown in FIG. 9A.
  • the vertical line noise can be reduced by providing the column switching circuit 50 in the vertical signal line 19 between the pixel array unit 10 and the column AD circuit 25.
  • each of the unit switching circuits 50a corresponding to the N pieces can share the same first control signal group. it can. Further, if N is increased, the number of control signals of the first control signal group is increased, the wiring area thereof is also greatly increased, and the size of N (the effect of reducing vertical line noise) and the reduction of the wiring area are referred to. There is a trade-off relationship. If N is appropriately set according to the area of the semiconductor chip on which the solid-state imaging device 1 is formed and the total number of pixel circuits, the effect of reducing vertical line noise can be sufficiently obtained.
  • the unit switching circuit 50a can be easily designed and manufactured by a combination of K ⁇ L selectors.
  • the voltage comparator 252 has a comparator current source capable of switching current characteristics. Thereby, the dispersion
  • the solid-state imaging device includes a load current source 30 that can switch current characteristics. Thereby, the variation in the response speed of the vertical signal line 19 between the columns can be reduced.
  • FIG. 10 is a block diagram illustrating a configuration example of the solid-state imaging device 1 according to the second embodiment.
  • the solid-state imaging device 1 in FIG. 1 has a switchable current characteristic of the load current source 30, a switchable current characteristic of the comparator current source in the voltage comparator 252, and a control unit. 20 in that a pseudo random number generation circuit 53 is added. Below, it demonstrates focusing on a different point.
  • the load reference current source 30a is a reference current source that forms a current mirror with each load current source 30. Although one load reference current source 30a common to all load current sources 30 is shown in the figure, a plurality of load reference current sources 30a common to some of the load current sources 30 may be provided.
  • the plurality of (m) load current sources 30 are divided into a plurality of current source groups 30g.
  • Each of the current source groups 30g includes s + 1 load current sources 30 (s is an integer of 1 or more).
  • Each of the load current sources (30) includes t + 2 transistors (t is an integer of 0 or more) and t + 1 switches.
  • T + 1 switches are connected between the drain and source of t + 1 transistors of t + 2 transistors.
  • Each of the load current sources 30 can change the mirror ratio of the current mirror by a combination of ON or OFF of t + 1 switches, that is, the current characteristics (including the current value) can be switched.
  • each of the current source groups 30g has the same control signal group CN11. Can be shared. This sharing can avoid an excessive increase in the number of control signal groups CN11. More specifically, if the number (s + 1) of load current sources 30 in the current source group 30g and the number of switches (t + 1) in the load current source 30 are increased, the number of control signal lines of the control signal group CN11 increases. The wiring area is also greatly increased.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of the voltage comparator 252 according to the second embodiment.
  • the voltage comparator 252 shown in the figure includes input capacitance elements C1 and C2, a differential circuit 252a, an output circuit 252b, and a comparator current source 253.
  • the input capacitive element C1 receives an analog pixel signal from the vertical signal line 19.
  • a reference signal RAMP is input to the input capacitive element C2.
  • the differential circuit 252a includes four transistors T21 to T24.
  • the analog pixel signal from the vertical signal line 19 is input to the gate terminal of the transistor T21 through the input capacitance element C1.
  • the reference signal RAMP is input to the gate terminal of the transistor T22 through the input capacitive element C2.
  • switches SW1 and SW2 for resetting the input capacitance elements C1 and C2 are added to the differential circuit 252a.
  • the comparator current source 253 is connected to the source terminals of the transistors T21 and T22 of the differential circuit 252a.
  • the comparator current source 253 can switch the current characteristic, and the control unit 20 switches the current characteristic at random for each horizontal scanning period.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing an example of a comparator current source according to the second embodiment.
  • the solid-state imaging device 1 has m comparator current sources 253 as many as the vertical signal lines 19. The figure shows a part of the comparator current sources 253 of the m comparator current sources 253 and a comparator reference current source 253a.
  • the plurality of (m) comparator current sources 253 are divided into a plurality of current source groups 253g.
  • Each of the current source groups 253g includes u + 1 (u is an integer of 1 or more) comparator current sources 253.
  • each of the load current sources 30 can change the mirror ratio of the current mirror by a combination of ON or OFF of v + 1 switches, that is, the current characteristics (including the current value) can be switched.
  • the column AD circuit 25 includes the voltage comparator 252 that compares the pixel signal from the vertical signal line 19 and the reference signal RAMP having a triangular wave, and the voltage comparison. And a counter unit 254 for converting the pixel signal from the vertical signal line 19 into a digital value in accordance with the output inversion of the comparator 252.
  • the voltage comparator 252 includes a differential circuit 252a to which the pixel signal and the reference signal RAMP are input.
  • the comparator current source 253 connected to the differential circuit, the comparator current source 253 can switch the current characteristics, and the control unit 20 can control the currents of the plurality of comparator current sources 253 in the plurality of column AD circuits 25. The characteristics can be switched randomly for each horizontal scanning period.
  • switch control signals are supplied to (u + 1) ⁇ (v + 1) switches in each current source group 253g, and the control unit 0 may be switched to (u + 1) ⁇ (v + 1) by determining a random logic value of number of switch control signals, current characteristics for each horizontal scanning period.
  • This configuration makes it easy to design and manufacture a comparator current source that can switch current characteristics.
  • the plurality of load current sources 30 can switch the current characteristics, and the control unit 20 may switch the current characteristics of the plurality of load current sources at random for each horizontal scanning period.
  • This configuration makes it easy to design and manufacture a load current source capable of switching current characteristics.
  • the time from the timing t4 to t10 before the down-count indicating the response time of the vertical signal line 19 is increased. This is effective when the time from the timing t16 to t20 before counting is long and the variation of the response speed of the vertical signal line 19 which is the second problem is not a problem.
  • the solid-state imaging device 1 is connected to the vertical signal line 19 between the pixel array unit 10 and the column switching circuit 50 and supplies a load current to the vertical signal line 19.
  • a load current source 30 is provided for each.
  • the solid-state imaging device 1 according to the third embodiment may include the load current source 30 that can switch the current characteristics in the second embodiment, instead of the load current source 30 that cannot switch the current characteristics.
  • FIG. 16 is a block diagram illustrating a configuration example of a camera.
  • the camera shown in the figure includes a solid-state imaging device 1, a lens 61, a signal processing unit 63, and a system controller 64.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

 固体撮像装置(1)は、行列状に配置された複数の画素回路(3)を有する画素アレイ部(10)と、画素信号を伝播する列毎の垂直信号線(19)と、垂直信号線(19)からの画素信号をAD変換する列毎のカラムAD回路(25)と、画素アレイ部(10)とカラムAD回路(25)との間の垂直信号線(19)に挿入され、垂直信号線(19)とカラムAD回路(25)との接続を切り替える列切替回路(50)と、水平走査期間毎に前記接続を切り替えさせる制御部(20)と、AD変換された画素信号の並び順を、画素アレイ部(10)における並び順に対応させるように復元する復元回路(52)とを備える。

Description

固体撮像装置およびカメラ
 本開示は、固体撮像装置およびカメラに関する。
 列並列出力型の固体撮像装置では、同一列の信号は列毎に設けられた同一の処理回路でAD(アナログ-デジタル)変換される。列毎に設けられた処理回路のバラツキおよび列毎のノイズは本質的に列相関性を持っている。このようなノイズやバラツキは、画像においては縦線ノイズとなって現われることがある。
 特許文献1は、画素アレイ部から画素信号を読み出すための垂直信号線を介して伝送される画素信号に時間的には不変でかつ2次元空間的には不規則なノイズを付加するノイズ付加部と、ノイズ付加部によってノイズが付加された画素信号の基準レベルと信号レベルとを独立にデジタルデータに変換するAD変換部とを備える固体撮像装置を提案している。これによれば、時間的には不変でかつ2次元空間的には不規則なノイズを付加した状態で、基準レベルと信号レベルとを独立にデジタルデータに変換すると、そのノイズの効果は、両者のAD変換結果にも同様に表れる。AD変換結果が2次元空間的には不規則なノイズを持っているので、列相関性のあるノイズを持たなくなる。
 また、非特許文献1は、画素アレイと列処理回路(列サンプルホールド回路および列ADコンバーター)との間にスイッチングマトリクス(Switching Matrix)を設け、ランダムに切り替えることで縦線ノイズを軽減する固体撮像装置が提案されている。
特開2008-60872号公報
A CMOS Imager with Column-Level ADC Using Dynamic Column FPN Reduction, M.F. Snoeij, A. Theuwissen, K. Makinwa, J.H. Huijsing, ISSCC 2006 / SESSION 27 / IMAGE SENSORS / 27.4
 特許文献1に記載の固体撮像装置においては、画素信号そのものにノイズを重畳して列相関性の高い縦線ノイズを抑制できる。しかしながら、逆に、画素リセット信号は全列共通に接続されるため、全列共通に同等のノイズを重畳することになり、行相関性が高くなってしまいランダム横線ノイズを発生してしまう。また、低ゲインと高ゲインでは重畳させるノイズ量には調整が必要であり、AD変換ゲインに応じて段階的にこのリセット信号の解除時間を制御する必要がある。このため、画素内のトランジスタの閾値や画素アレイの寄生素子などの温度特性や電圧特性のバラツキを含めて最適値に事前に設定する必要があり、調整が極めて困難であることから、縦線ノイズを低減する異なるアプローチが望ましい。
 非特許文献1に記載の固体撮像装置は、隣接3列程度しかスイッチングできないため、3列以上の周期で発生する縦線ノイズに関しては効果がないという課題がある。
 本開示は、上記事情に鑑みてなされたものであり、列相関性を持ったノイズやバラツキを起因とする、画像に現われる縦線ノイズを抑制する固体撮像装置およびカメラを提供する。
 上記課題を解決するために、本開示の一態様に係る固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素回路を有する画素アレイ部と、前記複数の画素回路から出力される画素信号を伝播する、列毎に設けられた垂直信号線と、前記垂直信号線からの画素信号をAD変換する、列毎に設けられたカラムAD回路と、前記画素アレイ部と前記カラムAD回路との間の前記垂直信号線に挿入され、画素アレイ部における画素回路の列と前記カラムAD回路との接続を切り替える列切替回路と、水平走査期間毎に前記列切替回路に前記接続を切り替えさせる制御部と、複数の前記カラムAD回路によってAD変換された信号の並び順を、前記画素アレイ部における複数の前記垂直信号線の並び順に対応させるように復元する復元回路とを備える。
 本開示における固体撮像装置およびカメラによれば、列相関性を持ったノイズやバラツキを起因とする、画像に現われる縦線ノイズを抑制することができる。
図1は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。 図2は、第1の実施形態に係る画素回路の一例を示す回路図である。 図3は、第1の実施形態に係る列切替回路の構成例を示すブロック図である。 図4Aは、第1の実施形態に係る4入力4出力の単位切替回路の一例を示すブロック図である。 図4Bは、第1の実施形態に係る4入力4出力の単位切替回路の切替論理を示す図である。 図5Aは、第1の実施形態に係る2入力2出力のセレクタを示すブロック図である。 図5Bは、第1の実施形態に係る2入力2出力のセレクタの入出力論理を示す図である。 図5Cは、第1の実施形態に係る2入力2出力のセレクタの具体例を示す回路図である。 図6Aは、第1の実施形態に係る8入力8出力の単位切替回路の一例を示すブロック図である。 図6Bは、第1の実施形態に係る8入力8出力の単位切替回路の切替論理を示す図である。 図7は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の複数フレーム期間の動作例を示すタイムチャートである。 図8は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の1水平走査期間の動作例を示すタイムチャートである。 図9Aは、比較例に係る画像を示す模式図である。 図9Bは、第1の実施形態に係る画像を示す模式図である。 図10は、第2の実施形態に係る固体撮像装置例の構成を示すブロック図である。 図11は、第2の実施形態に係るロード電流源の一例を示す回路図である。 図12は、第2の実施形態に係る電圧比較器の一例を示す回路図である。 図13は、第2の実施形態に係るコンパレータ電流源の一例を示す回路図である。 図14は、第3の実施形態に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。 図15は、第4の実施形態に係る固体撮像装置の構成例を示すブロック図である。 図16は、カメラの構成例を示すブロック図である。
 以下、本開示の実施するための形態に係る固体撮像装置を、図面を参照しながら説明する。
 但し、必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。
 例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。なお、添付図面および以下の説明は当業者が本開示を十分に理解するためのものであって、これらによって請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
 (第1の実施形態)
 まず、第1の実施形態における固体撮像装置の概要について説明する。本実施形態における固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素回路(単位セル、単位画素セル)を有する画素アレイ部における画素回路の列と、垂直信号線毎に設けられたカラムAD回路の列との対応関係を切り替えることによって、縦線ノイズを低減するように構成されている。
 [固体撮像装置の構成例]
 次に、図面を用いて第1の実施形態における固体撮像装置の構成について説明する。
 図1は、第1の実施形態に係る固体撮像装置1の構成例を示すブロック図である。同図に示す固体撮像装置1は、画素アレイ部10、水平走査回路12、垂直走査回路14、複数の垂直信号線19、制御部20、カラム処理部26、参照信号生成部27、出力回路28、複数のロード電流源30、列切替回路50、復元回路52、および複数のクリップトランジスタ54を備える。また、固体撮像装置1は、外部からマスタークロック信号の入力を受けるMCLK端子、外部との間でコマンドまたはデータを送受信するためのDATA端子、外部へ映像データを送信するためのD1端子等を備え、これ以外にも電源電圧、グラウンド電圧が供給される端子類を備える。
 画素アレイ部10は、行列状に配置された複数の画素回路3を有する。複数の画素回路3は、図1ではn行m列に配置されている。図2は、画素回路3の回路例を示す図である。図2において画素回路3は、画素(受光部)であるフォトダイオードPD、浮遊拡散層FD、読み出しトランジスタT10、リセットトランジスタT11、増幅トランジスタT12および選択トランジスタT13を備える。
 フォトダイオードPDは、光電変換する受光素子であり、受光量に応じた電荷を生成する。
 浮遊拡散層FDは、フォトダイオードPDから読み出しトランジスタT10を介して読み出された電荷を一時的に保持する。
 読み出しトランジスタT10は、読み出し制御線φTRの読出し制御信号に従って、フォトダイオードPDから浮遊拡散層FDに電荷を読み出す(つまり転送する)。
 リセットトランジスタT11は、リセット制御線φRSのリセット制御信号に従って、浮遊拡散層FDの電荷をリセットする。
 増幅トランジスタT12は、浮遊拡散層FDの電荷を電圧に変換および増幅し、増幅した信号を画素信号として選択トランジスタT13を介して垂直信号線19に出力する。
 選択トランジスタT13は、選択制御線φSELの選択制御信号に従って、増幅トランジスタの画素信号を垂直信号線に出力するか否かを選択する。
 なお、図3では、いわゆる1画素1セル構造の画素回路3の例を示したが、画素回路3は、いわゆる多画素1セル構造であってもよい。多画素1セル構造の画素回路3は、例えば、複数のフォトダイオードPDを有し、浮遊拡散層FD、リセットトランジスタT11、増幅トランジスタT12および選択トランジスタT13のいずれか、あるいは、すべてを単位セル内で共有する構造であってもよい。
 図1の水平走査回路12は、複数のカラムAD回路内のメモリ256を順に走査することにより、AD変換された画素信号を、水平信号線18を介して復元回路52に出力する。この走査は、カラムAD回路25の並び順と同じでよい。
 垂直走査回路14は、画素アレイ部10内の画素回路3の行毎に設けられた水平走査線群15(行制御線群とも呼ぶ)を行単位に走査する。これにより、垂直走査回路14は、画素回路3を行単位に選択し、選択した行に属する画素回路3から画素信号をm本の垂直信号線19に同時に出力させる。水平走査線群15は、画素回路3の行と同数設けられる。図1では、n個の水平走査線群15(図1ではV1、V2、・・・、Vn)が設けられている。水平走査線群15のそれぞれは、リセット制御線φRS、読み出し制御線φTR、選択制御線φSELを含む。
 垂直信号線19は、画素アレイ部10内の画素回路3の列毎に設けられ、選択された行に属する画素回路3からの画素信号をカラムAD回路25に伝播する。複数の垂直信号線19は、図1では垂直信号線H0~Hmのm本からなる。また、複数の垂直信号線19には列切替回路50が挿入されている。垂直信号線19のうち列切替回路50の下流側の部分、つまり列切替回路50とカラムAD回路25のマイナス入力端子とを接続する部分をADC入力線40と呼ぶ。複数のADC入力線40は、図1ではADC入力線ADIN0~ADINmのm本からなる。
 制御部20は、種々の制御信号群を生成することにより、固体撮像装置1の全体を制御する。種々の制御信号群には、制御信号群CN1、CN2、CN5、CN8、CN10、CN10、カウンタクロックCK0が含まれる。例えば、制御部20は、端子5aを介してマスタークロックMCLKを受け取り、種々の内部クロックを生成し水平走査回路12や垂直走査回路14などを制御する。また、制御部20は切替制御回路51を有する。切替制御回路51は、水平走査期間毎に、画素アレイ部10における画素回路3の列とカラムAD回路25との1対1の接続を切り替えさせるように列切替回路50を制御する。
 カラム処理部26は、列毎に設けられたカラムAD回路25を備える。各カラムAD回路25は、垂直信号線19からの画素信号をAD変換する。
 カラムAD回路25のそれぞれは、電圧比較器252、カウンタ部254、およびメモリ256を備える。
 電圧比較器252は、垂直信号線19からのアナログの画素信号と、参照信号生成部27で生成される、三角波を含む参照信号RAMPとを比較し、例えば、前者が後者より大きくなった時に比較結果を示す出力信号を反転する。
 カウンタ部254は、参照信号RAMP中の三角波の変化開始から電圧比較器252の出力信号が反転するまでの時間をカウントする。反転するまでの時間は、アナログ画素信号の値に応じて定まるので、カウント値はデジタル化された画素信号の値になる。
 メモリ256は、カウンタ部254のカウント値つまりデジタルの画素信号を保持する。
 参照信号生成部27は、三角波を含む参照信号RAMPを生成し、各カラムAD回路25内の電圧比較器252のプラス入力端子に参照信号RAMPを出力する。
 出力回路28は、復元回路52からデジタルの画素信号を映像データ端子D1に出力する。
 ロード電流源30は、垂直信号線19毎に設けられ、垂直信号線19に負荷電流を供給する負荷回路である。つまり、ロード電流源30は、選択された画素回路3内の増幅トランジスタに垂直信号線19を介して負荷電流を供給し、当該増幅トランジスタと共にソースフォロア回路を形成する。
 列切替回路50は、画素アレイ部10とカラムAD回路25との間の垂直信号線19に挿入され、画素アレイ部10における画素回路3の列とカラムAD回路25との1対1の接続を切り替える。この切り替えは、制御部20からの制御信号群CN10に従う。列切替回路50において画素アレイ部のおける画素回路の列と、カラムAD回路との対応関係を切り替えることによって、縦線ノイズを低減することができる。さらに、列切替回路50について図3を用いて説明する。
 図3は、列切替回路50の構成例を示すブロック図である。図3に示す列切替回路50は、複数の単位切替回路50aを備える。
 単位切替回路50aのそれぞれは、N(Nは4以上の整数)個の入力端子とN個の出力端子とを有する。複数の垂直信号線19(垂直信号線H0~Hmのm本)はN本の垂直信号線19からなるグループに分割され、各グループは1つ単位切替回路50aに対応する。
 単位切替回路50aのN個の入力端子は、画素アレイ部10側のN本の垂直信号線19に接続される。
 単位切替回路50aのN個の出力端子は、複数のカラムAD回路25側のN本の垂直信号線19(つまりADC入力線40)に接続される。
 単位切替回路50aのそれぞれは、制御部20からの制御信号群CN10に従ってN個の入力端子とN個の出力端子との内部接続を切り替える。
 このように、複数の(m本の)垂直信号線19は、N本ずつのグループに分割されるので、N本に対応する単位切替回路のそれぞれは、同じ制御信号群CN10を共用することができる。この共用により制御信号群CN10の本数が増大しすぎることを避けることができる。言い換えれば、Nを大きくすれば制御信号群CN10の制御信号線数が増大し、その配線面積も大きく増大する。つまり、Nの大きさ(縦線ノイズの低減効果)と、制御信号群CN10の配線面積を小さくすることとはトレードオフの関係にある。このトレードオフに対しては、固体撮像装置1が形成される半導体チップの面積、および画素回路の総数に応じてNを適切に設定すれば、縦線ノイズの低減効果を得ることができる。
 図1の復元回路52は、複数のカラムAD回路25によってAD変換された信号の並び順を、画素アレイ部10における複数の垂直信号線19の並び順に対応させるように復元する。この復元は、制御信号群CN10に従う。例えば、復元回路52は、制御部20内の切替制御回路51が出力する制御信号群CN10に基づいて、列切替回路50の入力と出力との関係を完全に反転して、AD変換された画素信号の並び順を復元するような回路構成とする。例えば、復元回路52は、水平走査回路12の走査によってメモリ256から水平信号線18上に順次出力される、AD変換された画素信号の少なくともN個を一時的に記憶するバッファメモリを有し、制御信号群CN10に基づいてバッファメモリの読み出し順を変更することにより、上記の並び順を復元する。
 クリップトランジスタ54は、複数の画素回路3の列毎に設けられ、列切替回路50とカラムAD回路25との間の垂直信号線19(つまりADC入力線40)に接続され、列切替回路50の切替の際にロード電流源30が瞬間的にオフしないように垂直信号線19にクリップ電位を与える。その結果、クリップトランジスタ54は、列切替回路50の切り替えによってロード電流源30に瞬間的に生じ得るオフおよびオンを防止し、もって電源電圧変動およびグラウンドレベルの変動を防止し、ノイズの発生を低減することができる。言い換えれば、クリップトランジスタ54は列切替回路50が切替った際にロード電流源30がオフしないようにクリップする。これはロード電流源30が瞬時的にもオフすると、画素アレイ部10の電源やGNDが過渡的に変動してしまいノイズ要因となってしまうからである。なお、ゲート電圧を制御するバイアス電圧は、適切に設定することによってロード電流源30をOFFしないように設定できる。
 [単位切替回路の構成例]
 次に、単位切替回路50aの構成例についてより具体的に説明する。
 図4Aは、4入力4出力の単位切替回路50aの一例を示すブロック図である。同図は、図3に示した単位切替回路50aにおいて垂直信号線19のグルーピング数Nが4である場合の単位切替回路50aの構成例を示す。
 図4Aにおいて、単位切替回路50aは、2入力端子と2出力端子とを有するセレクタをK×L個備える(図4AではKは2、Lは2、グルーピング数Nは4)。K×L個のセレクタは、N並列かつL段に配置される。
 第1段のK個のセレクタの入力端子には、画素アレイ部10側のN本(ここでは4本)の垂直信号線19に接続される。
 最終段(つまり第L段)のK個のセレクタの出力端子には、カラムAD回路25側のN本の垂直信号線19(つまりADC入力線40)に接続される。
 第2段以降のセレクタのそれぞれの2つの入力端子は、前段の異なるセレクタの出力端子に接続される。
 K×L個のセレクタは、K×L個(ここでは4個)の制御信号C0~C3に従って2入力端子と2出力端子との間の内部接続を切り替える。単位切替回路50aに入力される制御信号群CN10は、制御信号C0~C3を含む。
 図4Bは、図4Aに示す4入力4出力の単位切替回路50aの切替論理を示す図である。同図のように制御信号C0~C3の論理値の組み合わせは16通りある。単位切替回路50aの出力側のN(ここでは4)本のADC入力線40に接続される垂直信号線19の並び順は、同図に示すように、16通りある。つまり、この単位切替回路50aは、制御信号C0~C3の論理値の組み合わせに応じて16通りの接続を切り替えることができる。
 理論上4入力の垂直信号線H0~H3を並べる順列は4!=24通り存在するが、図4Aの単位切替回路50aでは24通りのうちの図4Bに示した16通りの接続を切り替えることができる。
 さらに、セレクタ55の詳細な回路例について説明する。
 図5Aは、2入力2出力のセレクタ55を示すブロック図である。セレクタ55は、図4AのセレクタS0~S3のそれぞれの例である。
 図5Bは、2入力2出力のセレクタ55の入出力論理を示す図である。制御信号Cmが0のときセレクタ55の出力OUT1、OUT2にはIN1、IN2が接続される(ストレート接続と呼ぶ)、制御信号Cmが1のときセレクタ55の出力OUT1、OUT2にはIN2、IN1が接続される(クロス接続と呼ぶ)。
 図5Cは、2入力2出力のセレクタの具体例を示す回路図である。図5Cのようにセレクタ55は、4つのトランジスタ対とインバータとを備える。PMOS型のトランジスタT1pとNMOS型のトランジスタT1nとからなるトランジスタ対を第1のトランジスタ対と呼ぶ。同様に、第2のトランジスタ対は、トランジスタT2p、T2nとからなる。第3のトランジスタ対は、トランジスタT3p、T3nとからなる。第4のトランジスタ対は、トランジスタT4p、T4nとからなる。
 各トランジスタ対を構成する2つのトランジスタは同時にオン状態またはオフ状態になる。第1のトランジスタ対は、第2のトランジスタ対に対して排他的にオン状態またはオフ状態になる。第3のトランジスタ対も第4のトランジスタ対に対して排他的にオン状態またはオフ状態になる。
 このようなセレクタ55をn×m個を組み合わせることによって単位切替回路50aの設計および製造を容易にすることができる。
 [単位切替回路の他の構成例]
 次に、単位切替回路50aの他の構成例について説明する。
 図6Aは、8入力8出力の単位切替回路の一例を示すブロック図である。
 図6Aにおいて、単位切替回路50aは、2入力端子と2出力端子とを有するセレクタをK×L個備える(図6AではKは4、Lは3、グルーピング数Nは8)。K×L個のセレクタは、K並列かつL段に配置される。
 第1段のK個のセレクタの入力端子には、画素アレイ部10側のN(ここでは8)本の垂直信号線に接続される。
 最終段(つまり第L段)のK個のセレクタの出力端子には、カラムAD回路25側のN本の垂直信号線19(つまりADC入力線40)に接続される。
 第2段以降のセレクタのそれぞれの2つの入力端子は、前段の異なるセレクタの出力端子に接続される。
 K×L個のセレクタは、K×L個(ここでは12個)の制御信号C0~C11に従って2入力端子と2出力端子との間の内部接続を切り替える。単位切替回路50aに入力される制御信号群CN10は、制御信号C0~C11を含む。
 図6Bは、図6Aに示す8入力8出力の単位切替回路50aの切替論理を示す図である。同図のように制御信号C0~C11の論理値の組み合わせは2048通りある。単位切替回路50aの出力側のN(ここでは8)本のADC入力線40に接続される垂直信号線19の並び順は、2048通りある。つまり、この単位切替回路50aは、制御信号C0~C11の論理値の組み合わせに応じて2048通りの接続を切り替えることができる。
 理論上8入力の垂直信号線H0~H7を並べる順列は8!=40320通り存在するが、図6Aの単位切替回路50aでは40320通りのうちの2048通りの接続を切り替えることができる。
 図3に示した単位切替回路50aのグルーピング数Nは、列の相関性を完全に除去するためにNを増やして広範囲としたいが、広範囲にすると制御信号群CN10の配線面積の増加にもつながる。このため両立するNを選ぶ必要がある。
 単位切替回路50aの一例として、例えば、図5A、図5B、図5CではPMOSトランジスタとNMOSトランジスタとを複数個組み合わせたアナログスイッチから成るセレクタ55を示した。このセレクタ55のK×L個の組み合わせによって、図4A、図4BではN=4のグルーピング例を示し、図6A、図6BではN=8のグルーピング例を示した。このようにセレクタ55をK×L個を組み合わせることによって単位切替回路50aの設計および製造を容易にすることができる。
 [固体撮像装置の動作]
 以上のように構成された固体撮像装置1について、以下その動作を説明する。
 図7は、固体撮像装置1の複数フレーム期間の動作例を示すタイムチャートである。同図のでは、第kフレームから第k+2フレームにおける参照信号RAMPの波形を模式的に表している。1フレームは、画素回路3の第1行から第n行に対応するn個の水平走査期間(同図中の1Hの期間)からなる。また、図8は、固体撮像装置の1水平走査期間の動作例を示すタイムチャートである。
 1水平走査期間のそれぞれにおいて参照信号RAMPは、図7、図8のダウンカウント期間およびアップカウント期間のそれぞれにおいて三角波となる。
 ダウンカウント期間は、増幅トランジスタT12から出力されるリセット成分Vrstのレベルを示す第1の画素信号をAD変換するための期間である。ダウンカウント期間の開始(三角波の変化開始)から電圧比較器252の出力が反転するまでの時間がカウンタ部254によりダウンカウントされる。このカウント値はアナログのリセット成分VrstのAD変換結果そのものである。
 アップカウント期間は、増幅トランジスタT12から出力される、データ成分(信号成分Vsig+リセット成分Vrst)のレベルを示す第2の画素信号をAD変換するための期間である。アップカウント期間の開始(三角波の変化開始)から電圧比較器252の出力が反転するまでの時間がカウンタ部254によりアップカウントされる。このアップカウントは、アナログのデータ成分(Vsig+Vrst)をデジタル値に変換する。このアップカウントは、リセット成分Vrstを示すダウンカウント値を初期値とするので、アップカウント期間の終了時のカウント値は、データ成分からリセット成分を減算するCDS(Correlated Double Sampling:相関二重検出)の結果を表す。つまり、アップカウント期間の終了時のカウント値は、信号成分Vsigを表すデジタル値そのものである。このように、カラムAD回路25は、誤差となる各列のクロックスキューやカウンタディレイ等のばらつきを排除して、真の信号成分Vsigのみを取り出す、つまり、デジタルCDSを行う。
 このような1水平走査期間の動作をn行に対して順次行うことにより1フレームの画像が得られる。
 図8において、制御信号群CN10は、水平走査期間毎に変更される。より詳しくは、制御信号群CN10は、水平走査期間それぞれの開始時(時刻t4)に変更され、1水平期間内では同じ論理値を維持する。なお、制御信号群CN10の変更は、1水平期間内のAD変換の前であればよい。
 制御信号群CN10の変更により、垂直走査回路14によって走査される行毎に、画素アレイ部10における画素回路3の列とカラムAD回路25の列との1対1の接続を切り替えることができ、列相関性をもつノイズおよびバラツキを低減することができる。また、制御信号群CN10の論理値は、1水平走査期間内では維持されるのでCDSにおける1回目の第1画素信号の検出および2回目の第2画素信号の検出に切り替えによる影響を与えない。
 ここで、列切替回路50の切り替えによる、列相関性をもつノイズおよびバラツキの低減についてより詳しく説明する。
 上記の縦線ノイズが発生する主要因である1点目は、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきであり、2点目は垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきである。
 主要因である1点目の電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきに関しては、列切替回路50により、画素アレイ部10内の画素回路3の列と、対応するカラムAD回路25との接続をAD変換前につど切り替える。
 この結果、同一列の画素信号には同じノイズが重畳されることはなく、異なる列の画素信号に重畳されるようになる。この結果、列相関性はなくなりAD変換結果の画像に現われる縦線ノイズは軽減されることになる。
 2点目の垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきに関しては、主に、ロード電流源30の電流値のばらつきによって発生する。つまり、このため、列切替回路50により、画素アレイ部10内の画素回路3の列と、対応するロード電流源30との接続をAD変換前につど切り替える。
 これは、図8の1水平走査期間が短く、このため、垂直信号線19の応答時間を示すダウンカウント前のタイミングt4~t10までの時間と、アップカウント前のタイミングt16~t20までの時間が短く、2点目の課題である垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきが課題になるときに有効である。
 この結果、同一列の画素信号には同じノイズが重畳されることはなく、異なる列の画素信号に重畳されるようになる。この結果、列相関性はなくなりAD変換結果の画像に現われる縦線ノイズは軽減されることになる。
 また、特許文献1に関する課題である行相関性は無くなりランダム横線ノイズが発生することもなくなる。
 また、列切替回路50の制御は、制御部20内の切替制御回路51に基づいて実施している。AD変換結果の画像において、いかなる固定パターンも排除するためには、列切替回路50の切り替えを乱数的に制御することが好ましい。実際には、この乱数の周期性は、数フレーム×行数であれば、画像印象としては違和感のないものになる。
 列切替回路50は、水平走査期間毎にAD変換する前に、例えば制御信号群CN10によってタイミングt4で接続を切り替える。そして、水平期間毎にAD変換した後に、制御信号群CN10によってタイミングt28で列切替回路50を解除してもよい。このようにして、列切替回路50は水平走査期間ごとに接続を切り替えていく。
 このような列切替回路50の切り替えによる縦線ノイズの低減について図9A、図9Bを用いて説明する。
 図9Aは、比較例に係る画像を示す模式図である。同図は、列切替回路50による接続の切り替えをしない場合に、明るさおよび色が一様な被写体を撮像した画像を模式的に示している。列切替回路50による切り替えをしない場合には、カウンタ部254においてアップカウントでAD変換された値とダウンカウントでAD変換された値とは、列相関性をもち、信号成分であるアップカウント値からダウンカウント値を減算した値もまた、列相関性をもつことになる。その結果、図9Aのように縦線ノイズが生じ得る。
 図9Bは、本実施形態に係る画像を示す模式図である。同図は、列切替回路50による水平走査期間毎の接続の切り替えをした場合に、明るさおよび色が一様な被写体を撮像した画像を模式的に示している。本実施形態においては、垂直信号線19とカラムAD回路25との対応関係が、毎行異なる。この結果、図9Bのように、AD変換結果後の画像には縦線ノイズが低減されることになる。
 以上の通り、第1の実施形態では、画素アレイ部10とカラムAD回路25の間の垂直信号線19に列切替回路50を設けることにより、縦線ノイズを低減することが可能になる。
 なお、復元回路52は、AD変換された画素信号の少なくともN個を一時的に記憶するバッファメモリを有する構成でなくてもよい。
 例えば、復元回路52は水平走査回路12と兼用することができる。この場合水平走査回路12は、制御信号群CN10に基づいてメモリ256の走査順を切り替えることにより、画素信号の並び順を復元してもよい。
 また例えば、復元回路52は、列切替回路50と同様の回路構成を有し、複数のメモリ256の出力線と、水平信号線18との間に挿入されてもよい。この場合、復元回路52は、制御信号群CN10に基づいて、列切替回路50による切り替えと逆の切り替えを行うようにすればよい。
 以上説明してきたように、第1の実施形態における固体撮像装置1は、行列状に配置された複数の画素回路3を有する画素アレイ部10と、複数の画素回路3から出力される画素信号を伝播する、列毎に設けられた垂直信号線19と、垂直信号線19からの画素信号をAD変換する、列毎に設けられたカラムAD回路25と、画素アレイ部10とカラムAD回路25との間の垂直信号線19に挿入され、画素アレイ部10における画素回路3の列とカラムAD回路25との接続を切り替える列切替回路50と、水平走査期間毎に列切替回路50に接続を切り替えさせる制御部20と、複数のカラムAD回路25によってAD変換された信号の並び順を、画素アレイ部10における複数の垂直信号線19の並び順に対応させるように復元する復元回路52とを備える。
 この構成によれば、画素アレイ部10における画素回路3の列と、カラムAD回路25との対応関係を切り替えることによって、縦線ノイズを低減することができる。
 ここで、固体撮像装置1は、列切替回路50とカラムAD回路25との間の垂直信号線19に接続され、垂直信号線19に負荷電流を供給する、列毎に設けられたロード電流源30を備えてもよい。
 この構成によれば、画素アレイ部10における画素回路3の列と、ロード電流源30およびカラムAD回路25との対応関係を切り替えることによって、縦線ノイズを低減することができる。
 ここで、固体撮像装置1は、列切替回路50とカラムAD回路25との間の垂直信号線19に接続され、列切替回路50の切替の際にロード電流源30がオフしないように垂直信号線にクリップ電流を与える、列毎に設けられたクリップトランジスタ54を備えてもよい。
 この構成によれば、列切替回路50の切り替えによって生じ得る電源電圧変動およびグラウンドレベルの変動を防止することにより、ノイズの発生を低減することができる。
 ここで、列切替回路50は、N(Nは4以上の整数)個の入力端子とN個の出力端子とを有する単位切替回路50aを複数備え、単位切替回路50aのN個の入力端子は、画素アレイ部10側のN本の垂直信号線19に接続され、単位切替回路50aのN個の出力端子は、複数のカラムAD回路25側のN本の垂直信号線19に接続され、複数の単位切替回路50aのそれぞれは、制御部20からの第1の制御信号群に従ってN個の入力端子とN個の出力端子との内部接続を切り換えるようにしてもよい。
 この構成によれば、複数の垂直信号線19は、N本ずつのグループに分割されるので、N本に対応する単位切替回路50aのそれぞれは、同じ第1の制御信号群を共用することができる。また、Nを大きくすれば第1の制御信号群の制御信号数が増大し、その配線面積も大きく増大し、Nの大きさ(縦線ノイズの低減効果)と配線面積を小さくすることとはトレードオフの関係にある。固体撮像装置1が形成される半導体チップの面積、および画素回路の総数に応じてNを適切に設定すれば、縦線ノイズの低減効果を十分に得ることができる。
 ここで、単位切替回路50aのそれぞれは、2入力端子と2出力端子とを有するセレクタをK×L個(Kは2以上の整数、Lは2以上の整数、Nは2×K)備え、K×L個のセレクタは、K並列かつL段に配置され、第1段のK個のセレクタの入力端子には、画素アレイ部10側のN本の垂直信号線19に接続され、最終段のK個のセレクタの出力端子には、複数のカラムAD回路25側のN本の垂直信号線19に接続され、第2段以降のセレクタのそれぞれの2つの入力端子は、前段の異なるセレクタの出力端子に接続され、K×L個のセレクタは、K×L個の制御信号に従って2入力端子と2出力端子との間の内部接続を切り替え、第1の制御信号群は、K×L個の制御信号を含むようにしてもよい。
 この構成によれば、K×L個のセレクタの組み合わせによって単位切替回路50aの設計および製造を容易にすることができる。
 ここで、制御部20は、疑似乱数によって第1の制御信号群を生成する疑似乱数発生回路53を備えてもよい。
 この構成によれば、縦線ノイズの低減効果を高めることができる。
 ここで、固体撮像装置1は、複数のカラムAD回路25を走査することにより、複数のカラムAD回路25からAD変換された画素信号を順次出力させる水平走査回路12を有し、復元回路52は、順次出力されるAD変換された画素信号の少なくともN個を一時的に記憶するバッファメモリを有し、第1の制御信号群に基づいてバッファメモリの読み出し順を変更することにより、並び順を復元してもよい。
 (第2の実施形態)
 第2の実施形態では、第1の実施形態に加えて、さらに、列間の相関性を低減する固体撮像装置について説明する。
 上記に記載の通り、縦線ノイズが発生する要因は、主要因である1点目は、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきであり、2点目は垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきである。
 主要因である1点目である、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきに起因する縦線ノイズのさらなる低減に関して説明する。本実施形態に係る固体撮像装置は、電圧比較器252が、電流特性を切り替え可能なコンパレータ電流源を有している。これにより、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきを低減することができる。
 2点目である、垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきに起因する縦線ノイズのさらなる低減に関して説明する。本実施形態に係る固体撮像装置は、電流特性を切り替え可能なロード電流源30を有している。これにより、垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきを低減することができる。
 以下、図面を用いて第2の実施形態における固体撮像装置の構成について説明する。
 図10は、第2の実施形態に係る固体撮像装置1の構成例を示すブロック図である。同図の固体撮像装置1は、図1と比べて、ロード電流源30の電流特性が切り替え可能な点と、電圧比較器252内のコンパレータ電流源の電流特性が切り替え可能な点と、制御部20に疑似乱数発生回路53が追加されている点とが異なっている。以下では異なる点を中心に説明する。
 [ロード電流源の構成例]
 まず、電流特性が切り替え可能なロード電流源30について説明する。
 図11は、第2の実施形態に係る複数のロード電流源30の一例を示す回路図である。固体撮像装置1は、垂直信号線19と同数のm個のロード電流源30を有する。同図は、m個のロード電流源30のうちの一部分のロード電流源30と、ロード基準電流源30aとを示している。
 ロード基準電流源30aは、各ロード電流源30とカレントミラーを構成する基準となる電流源である。同図では、全てのロード電流源30に共通の1つのロード基準電流源30aを示しているが、ロード電流源30の何個かに共通するロード基準電流源30aを複数個設けてもよい。
 同図のように、複数の(m個の)ロード電流源30は、複数の電流源群30gに分割される。
 電流源群30gのそれぞれは、s+1個(sは1以上の整数)のロード電流源30からなる。
 ロード電流源(30)のそれぞれは、t+2個(tは0以上整数)のトランジスタと、t+1個のスイッチとを備える。
 t+2個のトランジスタは、垂直信号線19とグラウンド線との間でカスコード接続される。
 t+1個のスイッチは、t+2個のトランジスタのうちのt+1個のトランジスタのドレイン-ソース間に接続される。
 ロード電流源30のそれぞれは、t+1個のスイッチのオンまたはオフの組み合わせによりカレントミラーのミラー比が変更可能であり、つまり、電流特性(電流値を含む)を切り替えられる。
 複数の電流源群30gのそれぞれは、制御部20から、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群CN11が入力される。(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群30g内の(s+1)×(t+1)個のスイッチに供給される。制御信号群CN11は、疑似乱数発生回路53によって、水平走査期間毎にAD変換する前に変更される。このように、制御部20は、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、水平走査期間毎にロード電流源30の電流特性を切り替える。これにより、垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきを低減することができる。
 また、複数の(m個の)ロード電流源30は、s+1個ずつのロード電流源30からなる電流源群30gにグループ化されるので、電流源群30gのそれぞれは、同じ制御信号群CN11を共用することができる。この共用により制御信号群CN11の本数が増大しすぎることを避けることができる。より詳しく言うと、電流源群30g内のロード電流源30の個数(s+1)およびロード電流源30内のスイッチの個数(t+1)を大きくすれば制御信号群CN11の制御信号線数が増大し、その配線面積も大きく増大する。つまり、(s+1)および(t+1)の大きさ(垂直信号線19における応答スピードのバラツキの低減効果)と、制御信号群CN11の配線面積を小さくすることとはトレードオフの関係にある。このトレードオフに対しては、固体撮像装置1が形成される半導体チップの面積、および画素回路の総数に応じて(s+1)および(t+1)を適切に設定すれば、縦線ノイズの低減効果を得ることができる。
 [コンパレータ電流源の構成例]
 次に、電流特性が切り替え可能なコンパレータ電流源を有する電圧比較器252について説明する。
 図12は、第2の実施形態に係る電圧比較器252の一例を示す回路図である。同図の電圧比較器252は、入力容量素子C1、C2、差動回路252a、出力回路252b、コンパレータ電流源253を備える。
 入力容量素子C1は、垂直信号線19からのアナログ画素信号が入力される。入力容量素子C2は、参照信号RAMPが入力される。
 差動回路252aは、4つのトランジスタT21~T24を備える。垂直信号線19からのアナログ画素信号は、入力容量素子C1を介してトランジスタT21のゲート端子に入力される。参照信号RAMPは、入力容量素子C2を介してがトランジスタT22のゲート端子に入力される。さらに、差動回路252aには、入力容量素子C1、C2をリセットするためのスイッチSW1、SW2が付加されている。
 コンパレータ電流源253は、差動回路252aのトランジスタT21、T22のソース端子に接続される。コンパレータ電流源253は、電流特性を切り替え可能であり、制御部20によって、電流特性が水平走査期間毎にランダムに切り替える。
 図13は、第2の実施形態に係るコンパレータ電流源の一例を示す回路図である。固体撮像装置1は、垂直信号線19と同数のm個のコンパレータ電流源253を有する。同図は、m個のコンパレータ電流源253のうちの一部分のコンパレータ電流源253と、コンパレータ基準電流源253aとを示している。
 コンパレータ基準電流源253aは、各コンパレータ電流源253とカレントミラーを構成する基準となる電流源である。同図では、全てのコンパレータ電流源253に共通の1つのコンパレータ基準電流源253aを示しているが、コンパレータ電流源253の何個か共通するコンパレータ基準電流源253aを複数個設けてもよい。
 同図のように、複数の(m個の)コンパレータ電流源253は、複数の電流源群253gに分割される。
 電流源群253gのそれぞれは、u+1個(uは1以上の整数)のコンパレータ電流源253からなる。
 コンパレータ電流源253のぞれぞれは、v+2個(vは0以上整数)のトランジスタと、v+1個のスイッチとを備える。
 v+2個のトランジスタは、差動回路252aとグラウンド線との間でカスコード接続される。
 v+1個のスイッチは、v+2個のトランジスタのうちのv+1個のトランジスタのドレイン-ソース間に接続される。このv+1個のスイッチは、制御部20から出力される(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群CN12により制御される。
 このような構成により、ロード電流源30のそれぞれは、v+1個のスイッチのオンまたはオフの組み合わせによりカレントミラーのミラー比が変更可能、つまり、電流特性(電流値を含む)を切り替え可能である。
 (u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群253g内の(u+1)×(v+1)個のスイッチに供給される。制御部20は、(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、水平走査期間毎に電流特性を切り替える。
 上記のように、第2の実施形態における固体撮像装置1は、第1の実施形態に対して、さらに、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきを低減することができる。また、垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきを低減することができる。
 また、複数の(m個の)コンパレータ電流源253は、u+1個ずつのコンパレータ電流源253からなる電流源群253gにグループ化されるので、電流源群253gのそれぞれは、同じ制御信号群CN12を共用することができる。この共用により制御信号群CN12の本数が増大しすぎることを避けることができる。より詳しく言うと、電流源群253g内のコンパレータ電流源253の個数(u+1)およびコンパレータ電流源253内のスイッチの個数(v+1)を大きくすれば制御信号群CN12の制御信号線数が増大し、その配線面積も大きく増大する。つまり、(u+1)および(v+1)の大きさ(電圧比較器252における応答スピードのバラツキの低減効果)と、制御信号群CN12の配線面積を小さくすることとは、トレードオフの関係にある。このトレードオフに対しては、固体撮像装置1が形成される半導体チップの面積、および画素回路の総数に応じて(u+1)および(v+1)を適切に設定すれば、縦線ノイズの低減効果を得ることができる。
 以上説明してきたように、本実施形態における固体撮像装置において、カラムAD回路25は、垂直信号線19からの画素信号と、三角波を有する参照信号RAMPとを比較する電圧比較器252と、電圧比較器252の出力反転に従って、垂直信号線19からの画素信号をデジタル値に変換するカウンタ部254とを含み、電圧比較器252は、画素信号と参照信号RAMPとが入力される差動回路252aと、差動回路に接続されたコンパレータ電流源253とを含み、コンパレータ電流源253は、電流特性を切替可能であり、制御部20は、複数のカラムAD回路25における複数のコンパレータ電流源253の電流特性を、水平走査期間毎にランダムに切り替えことができる。
 この構成によれば、コンパレータ電流源の電流特性のランダムな切り替えによって、さらに列間の相関性を低減することができる。
 ここで、コンパレータ電流源253は、差動回路252aとグラウンド線との間でカスコード接続されたv+2個(vは0以上整数)のトランジスタと、v+2個のトランジスタのうちのv+1個のトランジスタのドレイン-ソース間に接続されたv+1個のスイッチとを含み、複数のコンパレータ電流源253は、複数の電流源群253gに分割され、複数の電流源群253gのそれぞれは、u+1個(uは1以上の整数)のコンパレータ電流源253からなり、制御部20は、複数の電流源群253gのそれぞれに、(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群CN12を出力し、(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群253g内の(u+1)×(v+1)個のスイッチに供給され、制御部20は、(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、水平走査期間毎に電流特性を切り替えるようにしてもよい。
 この構成によれば、電流特性を切り替え可能なコンパレータ電流源の設計および製造を容易にすることができる。
 ここで、複数のロード電流源30は、電流特性を切り替え可能であり、制御部20は、複数のロード電流源の電流特性を、水平走査期間毎にランダムに切り替えてもよい。
 この構成によれば、ロード電流源の電流特性のランダムな切り替えによって、さらに列間の相関性を低減することができる。
 ここで、ロード電流源30は、垂直信号線19とグラウンド線との間でカスコード接続されたt+2個(tは0以上整数)のトランジスタと、t+2個のトランジスタのうちのt+1個のトランジスタのドレイン-ソース間に接続されたt+1個のスイッチとを含み、複数のロード電流源30は、複数の電流源群30gに分割され、複数の電流源群30gのそれぞれは、s+1個(sは1以上の整数)のロード電流源30からなり、制御部20は、複数の電流源群30gのそれぞれに、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群CN11を出力し、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群30g内の(s+1)×(t+1)個のスイッチに供給され、制御部(20)は、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、水平走査期間毎に電流特性を切り替えてもよい。
 この構成によれば、電流特性を切り替え可能なロード電流源の設計および製造を容易にすることができる。
 (第3の実施形態)
 第3の実施形態では、第1の実施形態に対して、主要因の1点目である電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきを改善する固体撮像装置について説明する。
 以下、図面を用いて第3の実施形態における固体撮像装置の構成について説明する。
 図14は、第3の実施形態に係る固体撮像装置1の構成例を示すブロック図である。同図の固体撮像装置1は、図1と比べて、垂直信号線19におけるロード電流源30の接続位置が、列切替回路50よりも上流側である点と、クリップトランジスタ54が削除されている点とが異なっている。以下では異なる点を中心に説明する。
 ロード電流源30は、列毎に設けられ、画素アレイ部10と列切替回路50との間の垂直信号線19に接続されている。
 また、クリップトランジスタ54は削除されている。これは、ロード電流源30が瞬時的にもオフすることはないので、画素アレイ部10の電源やGNDが過渡的に変動することは無くノイズ要因とはならないからである。
 この固体撮像装置1によれば、画素アレイ部10における画素回路3およびロード電流源30の列と、カラムAD回路25との対応関係を切り替えることによって、縦線ノイズを低減することができる。
 また、本実施形態における固体撮像装置1では図7のタイムチャートにおいて1水平走査期間が比較的長い場合、垂直信号線19の応答時間を示すダウンカウント前のタイミングt4~t10までの時間と、アップカウント前のタイミングt16~t20までの時間が長く、2点目の課題である垂直信号線19の応答スピードの列間のばらつきが課題にならないときに有効である。
 これは、ロード電流源30の電流値のばらつきによって、垂直信号線19の収束時間にばらつきが多少発生しても、上記タイミングを十分に確保すれば、ばらつきが生じないと考えられるからである。
 以上説明してきたように、本実施形態における固体撮像装置1は、画素アレイ部10と列切替回路50との間の垂直信号線19に接続され、垂直信号線19に負荷電流を供給する、列毎に設けられたロード電流源30を備える。
 なお、第3の実施形態における固体撮像装置1において、電流特性を切り替え可能でないロード電流源30の代わりに、第2の実施形態における電流特性を切り替え可能なロード電流源30を備えてもよい。
 (第4の実施形態)
 第4の実施形態では、第3の実施形態に加えて、さらに、列間の相関性を低減する固体撮像装置について説明する。つまり、主要因の1点目である電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきを改善する固体撮像装置1について説明する。
 以下、図面を用いて第4の実施形態における固体撮像装置の構成について説明する。
 図15は、第4の実施形態に係る固体撮像装置1の構成例を示すブロック図である。同図の固体撮像装置1は、図14と比べて、電圧比較器252内のコンパレータ電流源が電流特性を切り替え可能である点が異なっている。以下では異なる点を中心に説明する。
 図15における電圧比較器252は、図12と同様の構成である。電圧比較器252内のコンパレータ電流源253は、図13と同様の構成である。
 これによれば、第3の実施形態と比べて、主要因である1点目である、電圧比較器252の反転スピードの列間のばらつきのさらなる低減が可能である。また、図15の固体撮像装置1では、第2の実施形態と比べて図2に記載のロード電流源30の電流値の切り替えを要しないので、制御信号群CN11中の合計(s+1)×(t+1)個の制御信号L00~Lstの配線スペース必要としない。
 なお、上記の各実施形態で説明した固体撮像装置1は、カメラに用いられる。図16は、カメラの構成例を示すブロック図である。同図のカメラは、固体撮像装置1、レンズ61、信号処理部63、およびシステムコントローラ64を備える。
 また、固体撮像装置1において、画素回路3は半導体基板の表面、すなわち、トランジスタのゲート端子及び配線が形成された面と同じ面側に形成されているが、画素回路3が半導体基板の裏面、すなわちトランジスタのゲート端子及び配線が形成された面に対して裏面側に形成される、いわゆる、裏面照射型イメージセンサ(裏面照射型固体撮像装置)の構造を用いてもよい。
 以上、例示的な各実施形態について説明したが、本願の請求の範囲は、これらの実施形態に限定されるものではない。添付の請求の範囲に記載された主題の新規な教示および利点から逸脱することなく、上記各実施形態においてさまざまな変形を施してもよく、上記各実施形態の構成要素を任意に組み合わせて他の実施形態を得てもよいことを、当業者であれば容易に理解するであろう。したがって、そのような変形例や他の実施形態も本開示に含まれる。
 本開示は、固体撮像装置およびカメラに好適に利用可能である。
1 固体撮像装置
3 画素回路
10 画素アレイ部
12 水平走査回路
14 垂直走査回路
15 水平走査線群
18 水平信号線
19 垂直信号線
20 制御部
25 カラムAD回路
26 カラム処理部
27 参照信号生成部
28 出力回路
30 ロード電流源
30a ロード基準電流源
30g 電流源群
40 ADC入力線
50 列切替回路
50a 単位切替回路
51 切替制御回路
52 復元回路
53 疑似乱数発生回路
54 クリップトランジスタ
55 セレクタ
252 電圧比較器
252a 差動回路
252b 出力回路
253 コンパレータ電流源
253a コンパレータ基準電流源
253g 電流源群
254 カウンタ部
256 メモリ
FD 浮遊拡散層
PD フォトダイオード
T10 読み出しトランジスタ
T11 リセットトランジスタ
T12 増幅トランジスタ
T13 選択トランジスタ
CN10、CN11、CN12 制御信号群
MCLK マスタークロック
RAMP 参照信号

Claims (13)

  1.  行列状に配置された複数の画素回路を有する画素アレイ部と、
     前記複数の画素回路から出力される画素信号を伝播する、列毎に設けられた垂直信号線と、
     前記垂直信号線からの画素信号をAD変換する、列毎に設けられたカラムAD回路と、
     前記画素アレイ部と前記カラムAD回路との間の前記垂直信号線に挿入され、画素アレイ部における画素回路の列と前記カラムAD回路との接続を切り替える列切替回路と、
     水平走査期間毎に前記列切替回路に前記接続を切り替えさせる制御部と、
     複数の前記カラムAD回路によってAD変換された信号の並び順を、前記画素アレイ部における複数の前記垂直信号線の並び順に対応させるように復元する復元回路とを備える
    固体撮像装置。
  2.  前記固体撮像装置は、
     前記列切替回路と前記カラムAD回路との間の前記垂直信号線に接続され、前記垂直信号線に負荷電流を供給する、列毎に設けられたロード電流源を備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  3.  前記固体撮像装置は、
     前記列切替回路と前記カラムAD回路との間の前記垂直信号線に接続され、前記列切替回路の切替の際に前記ロード電流源がオフしないように前記垂直信号線にクリップ電流を与える、列毎に設けられたクリップトランジスタを備える
    請求項2に記載の固体撮像装置。
  4.  前記固体撮像装置は、
     前記画素アレイ部と前記列切替回路との間の前記垂直信号線に接続され、前記垂直信号線に負荷電流を供給する、列毎に設けられたロード電流源を備える
    請求項1に記載の固体撮像装置。
  5.  前記カラムAD回路は、
     前記垂直信号線からの画素信号と、三角波を有する参照信号とを比較する電圧比較器と、
     前記電圧比較器の出力反転に従って、前記垂直信号線からの画素信号をデジタル値に変換するカウンタ部とを含み、
     前記電圧比較器は、
     前記画素信号と前記参照信号とが入力される差動回路と、
     前記差動回路に接続されたコンパレータ電流源とを含み、
     前記コンパレータ電流源は、電流特性を切り替え可能であり、
     前記制御部は、前記複数の前記カラムAD回路における複数の前記コンパレータ電流源の電流特性を、水平走査期間毎にランダムに切り替える
    請求項1~3の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  6.  前記コンパレータ電流源は、
     差動回路とグラウンド線との間でカスコード接続されたv+2個(vは0以上整数)のトランジスタと、
     前記v+2個の前記トランジスタのうちのv+1個の前記トランジスタのドレイン-ソース間に接続されたv+1個のスイッチとを含み、
     前記複数の前記コンパレータ電流源は、複数の電流源群に分割され、
     前記複数の電流源群のそれぞれは、u+1個(uは1以上の整数)のコンパレータ電流源からなり、
     前記制御部は、前記複数の電流源群のそれぞれに、(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群を出力し、
     前記(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群内の(u+1)×(v+1)個の前記スイッチに供給され、
     前記制御部は、前記(u+1)×(v+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、前記水平走査期間毎に前記電流特性を切り替える
    請求項5に記載の固体撮像装置。
  7.  複数の前記ロード電流源は、電流特性を切り替え可能であり、
     前記制御部は、前記複数の前記ロード電流源の電流特性を、水平走査期間毎にランダムに切り替える
    請求項2または3に記載の固体撮像装置。
  8.  前記ロード電流源は、
     前記垂直信号線とグラウンド線との間でカスコード接続されたt+2個(tは0以上整数)のトランジスタと、
     前記t+2個の前記トランジスタのうちのt+1個の前記トランジスタのドレイン-ソース間に接続されたt+1個のスイッチとを含み、
     前記複数の前記ロード電流源は、複数の電流源群に分割され、
     前記複数の電流源群のそれぞれは、s+1個(sは1以上の整数)のロード電流源からなり、
     前記制御部は、前記複数の電流源群のそれぞれに、(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号からなる制御信号群を出力し、
     前記(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号は、各電流源群内の(s+1)×(t+1)個の前記スイッチに供給され、
     前記制御部は、前記(s+1)×(t+1)個のスイッチ制御信号の論理値をランダムに決定することにより、前記水平走査期間毎に前記電流特性を切り替える
    請求項7に記載の固体撮像装置。
  9.  前記列切替回路は、N(Nは4以上の整数)個の入力端子とN個の出力端子とを有する単位切替回路を複数備え、
     前記単位切替回路のN個の入力端子は、前記画素アレイ部側のN本の垂直信号線に接続され、
     前記単位切替回路のN個の出力端子は、前記複数のカラムAD回路側のN本の垂直信号線に接続され、
     複数の前記単位切替回路のそれぞれは、前記制御部からの第1の制御信号群に従ってN個の入力端子とN個の出力端子との内部接続を切り換える
    請求項1~8の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  10.  前記単位切替回路のそれぞれは、2入力端子と2出力端子とを有するセレクタをK×L個(Kは2以上の整数、Lは2以上の整数、前記Nは2×K)備え、
     前記K×L個のセレクタは、K並列かつL段に配置され、
     第1段の前記K個のセレクタの入力端子には、前記画素アレイ部側のN本の垂直信号線に接続され、
     最終段の前記K個のセレクタの出力端子には、複数の前記カラムAD回路側のN本の垂直信号線に接続され、
     第2段以降のセレクタのそれぞれの2つの入力端子は、前段の異なるセレクタの出力端子に接続され、
     前記K×L個のセレクタは、K×L個の制御信号に従って2入力端子と2出力端子との間の内部接続を切り替え、
     前記第1の制御信号群は、前記K×L個の前記制御信号を含む
    請求項9に記載の固体撮像装置。
  11.  前記制御部は、疑似乱数によって前記第1の制御信号群を生成する疑似乱数発生回路を備える
    請求項9または10に記載の固体撮像装置。
  12.  前記固体撮像装置は、複数の前記カラムAD回路を走査することにより、複数の前記カラムAD回路からAD変換された画素信号を順次出力させる水平走査回路を有し、
     前記復元回路は、順次出力されるAD変換された画素信号の少なくともN個を一時的に記憶するバッファメモリを有し、前記第1の制御信号群に基づいて前記バッファメモリの読み出し順を変更することにより、前記並び順を復元する
    請求項9~11の何れか1項に記載の固体撮像装置。
  13. 請求項1~12の何れか1項に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。
PCT/JP2016/000317 2015-01-28 2016-01-22 固体撮像装置およびカメラ WO2016121352A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201680004754.1A CN107113388B (zh) 2015-01-28 2016-01-22 固体摄像装置以及照相机
JP2016571853A JP6738286B2 (ja) 2015-01-28 2016-01-22 固体撮像装置およびカメラ
EP16742956.2A EP3253047B1 (en) 2015-01-28 2016-01-22 Solid-state imaging device and camera
US15/636,088 US10194105B2 (en) 2015-01-28 2017-06-28 Solid-state imaging device and camera for suppressing vertical line noise

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015014822 2015-01-28
JP2015-014822 2015-01-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/636,088 Continuation US10194105B2 (en) 2015-01-28 2017-06-28 Solid-state imaging device and camera for suppressing vertical line noise

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016121352A1 true WO2016121352A1 (ja) 2016-08-04

Family

ID=56542975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/000317 WO2016121352A1 (ja) 2015-01-28 2016-01-22 固体撮像装置およびカメラ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10194105B2 (ja)
EP (1) EP3253047B1 (ja)
JP (1) JP6738286B2 (ja)
CN (1) CN107113388B (ja)
WO (1) WO2016121352A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018084031A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device with switch circuit
WO2019159444A1 (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP2019213159A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体基板
WO2021095450A1 (ja) * 2019-11-13 2021-05-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、光検出素子、及び、電子機器
WO2021256073A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
WO2023248939A1 (ja) * 2022-06-20 2023-12-28 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 撮像素子および撮像装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6690539B2 (ja) * 2014-08-25 2020-04-28 ソニー株式会社 信号処理装置、制御方法、撮像素子、並びに、電子機器
US20180115726A1 (en) * 2015-04-16 2018-04-26 Brillnics Inc. Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, and electronic apparatus
TW201815156A (zh) * 2016-10-07 2018-04-16 原相科技股份有限公司 使用於影像感測器的類比數位訊號處理方法及對應的裝置
JP2019092143A (ja) * 2017-11-10 2019-06-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
CN108304803B (zh) * 2018-01-31 2021-04-23 京东方科技集团股份有限公司 光检测电路、光检测方法和显示装置
JP6909747B2 (ja) * 2018-03-23 2021-07-28 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2019193085A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置
JP7386163B2 (ja) 2018-08-07 2023-11-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
KR102543350B1 (ko) * 2018-08-16 2023-06-15 삼성전자주식회사 이미지 센서
US10999549B2 (en) * 2019-06-20 2021-05-04 Pixart Imaging Incorporation Image sensor, column parallel ADC circuit and A/D conversion method thereof
US11749701B2 (en) * 2020-01-10 2023-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Reducing noise in an image capturing device, image capturing device unit, and image capturing apparatus
CN111918008B (zh) * 2020-08-05 2022-11-04 成都微光集电科技有限公司 一种图像传感器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006340358A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd ピクセルアレイの読み出しノイズを低減するためのシステム及び方法
JP2010109565A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2010130194A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nikon Corp A/d変換装置および撮像装置
WO2012144218A1 (ja) * 2011-04-22 2012-10-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2725362C3 (de) * 1977-06-04 1980-08-28 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Verarbeiten von Farbfernsehsignalen
US6787752B2 (en) * 2001-07-19 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Pseudorandom assignment between elements of the image processor and the A/D converter cells
US7084912B2 (en) * 2001-09-20 2006-08-01 Yuen-Shung Chieh Method for reducing coherent row-wise and column-wise fixed pattern noise in CMOS image sensors
JP4499348B2 (ja) * 2002-11-28 2010-07-07 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその信号読み出し方法
JP2006033631A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びサンプリング回路
US7554066B2 (en) * 2005-04-13 2009-06-30 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus employing dynamic element matching for reduction of column-wise fixed pattern noise in a solid state imaging sensor
JP4194633B2 (ja) * 2006-08-08 2008-12-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP4238900B2 (ja) 2006-08-31 2009-03-18 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置
JP5264095B2 (ja) * 2007-04-09 2013-08-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US8134619B2 (en) * 2007-07-02 2012-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Column noise reduction device and method thereof
JP5251563B2 (ja) * 2009-02-04 2013-07-31 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 撮像装置
JP5251592B2 (ja) * 2009-02-25 2013-07-31 ソニー株式会社 固体撮像装置、撮像装置、半導体装置
JP5620693B2 (ja) * 2010-02-26 2014-11-05 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法、カメラ
US8462240B2 (en) * 2010-09-15 2013-06-11 Aptina Imaging Corporation Imaging systems with column randomizing circuits
DE102010051440A1 (de) 2010-11-15 2012-05-16 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Bildsensor
KR101767649B1 (ko) * 2011-05-11 2017-08-14 삼성전자주식회사 시드 생성 방법과 그것을 이용한 플래시 메모리 장치 및 메모리 시스템
JP5853486B2 (ja) * 2011-08-18 2016-02-09 ソニー株式会社 撮像装置および撮像表示システム
JP5449290B2 (ja) * 2011-10-07 2014-03-19 キヤノン株式会社 ランプ信号出力回路、アナログデジタル変換回路、撮像装置、ランプ信号出力回路の駆動方法
US9066030B2 (en) * 2012-09-19 2015-06-23 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with column failure correction circuitry
EP2713608B1 (en) * 2012-10-01 2015-04-29 Axis AB A device and a method for image acquisition
US9191026B2 (en) * 2013-02-18 2015-11-17 Sony Corporation Image sensor and imaging method with single shot compressed sensing
JP6175355B2 (ja) * 2013-11-07 2017-08-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像素子
JP6702869B2 (ja) * 2014-07-29 2020-06-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イメージセンサ、電子機器、及び、制御方法
JP2016039393A (ja) * 2014-08-05 2016-03-22 ソニー株式会社 撮像装置及び画素信号読み出し方法
JP6662764B2 (ja) * 2014-08-26 2020-03-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 イメージセンサ、電子装置
JP6415187B2 (ja) * 2014-08-29 2018-10-31 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006340358A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd ピクセルアレイの読み出しノイズを低減するためのシステム及び方法
JP2010109565A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Olympus Corp 固体撮像装置
JP2010130194A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nikon Corp A/d変換装置および撮像装置
WO2012144218A1 (ja) * 2011-04-22 2012-10-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3253047A4 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018084031A1 (en) * 2016-11-07 2018-05-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device with switch circuit
JP2018078370A (ja) * 2016-11-07 2018-05-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および制御方法、並びに電子機器
CN109891876A (zh) * 2016-11-07 2019-06-14 索尼半导体解决方案公司 具有开关电路的成像器件
US10848700B2 (en) 2016-11-07 2020-11-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device with switch circuit
WO2019159444A1 (ja) * 2018-02-15 2019-08-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
US11290670B2 (en) 2018-02-15 2022-03-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging apparatus
JP2019213159A (ja) * 2018-06-08 2019-12-12 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体、および積層用の半導体基板
WO2021095450A1 (ja) * 2019-11-13 2021-05-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、光検出素子、及び、電子機器
US11765481B2 (en) 2019-11-13 2023-09-19 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element, photodetector element, and electronic equipment with a threshold that is randomly varied for an analog-to-digital converter
WO2021256073A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
WO2023248939A1 (ja) * 2022-06-20 2023-12-28 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 撮像素子および撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170302869A1 (en) 2017-10-19
JPWO2016121352A1 (ja) 2017-11-09
EP3253047B1 (en) 2018-11-28
EP3253047A4 (en) 2018-01-17
CN107113388A (zh) 2017-08-29
CN107113388B (zh) 2020-07-28
EP3253047A1 (en) 2017-12-06
JP6738286B2 (ja) 2020-08-12
US10194105B2 (en) 2019-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6738286B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラ
JP5407264B2 (ja) 固体撮像素子およびカメラシステム
US9762826B2 (en) Photoelectric conversion element, image reading device, image forming apparatus, and photoelectric conversion method
JP6304572B2 (ja) 固体撮像装置及びそれを備える撮像装置
US8466995B2 (en) Solid-state imaging device and camera system
US8598506B2 (en) Solid-state image pickup apparatus and driving method therefor
JP6631887B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラ
US20100073537A1 (en) Solid-state imaging apparatus and method of driving the same
JP2016201649A (ja) 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
JP2015061135A (ja) 固体撮像装置
JP5764784B2 (ja) 固体撮像装置
WO2017141847A1 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP5641112B2 (ja) 固体撮像素子およびカメラシステム
US9018574B2 (en) Driving an image apparatus by simultaneous application of two reset voltages
WO2013136610A1 (ja) 固体撮像装置用信号処理装置および固体撮像装置
JP6727771B2 (ja) 撮像装置
JP2015126382A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5177198B2 (ja) 物理情報取得方法および物理情報取得装置
JP5308937B2 (ja) 固体撮像装置
JP6765805B2 (ja) 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム
JP2023073215A (ja) デュアルコンバージョンゲイン動作の消費電力最適化のためのアナログ-デジタル変換回路及びその動作方法
CN116916179A (zh) 用于降低判决延迟的模数转换电路及其操作方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16742956

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2016742956

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016571853

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE