JP6765805B2 - 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 77
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 54
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 51
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 36
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
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- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
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Description
図1を用いて本発明の第1の実施例に係る撮像装置100の構成を説明する。
本実施例の撮像装置について、以下、図面を参照しながら説明する。
本実施例の撮像装置について、実施例2と異なる点を中心に説明する。
本実施例は、上述した各実施例の撮像装置を有する撮像システムに関する。
110 画素アレイ
111 画素
113 垂直出力線
114 フォトダイオード
116 リセットトランジスタ
117 増幅トランジスタ
118 選択トランジスタ
120 増幅回路
125 電流源
140 垂直走査回路
Claims (19)
- 複数行に配された複数の画素と、出力線とを有し、
前記複数の画素の各々は、光電変換部と、浮遊拡散部と、前記光電変換部の電荷を前記浮遊拡散部に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記出力線に出力する増幅トランジスタと、前記浮遊拡散部に接続され、前記浮遊拡散部のリセットを制御するリセットトランジスタを有する撮像装置の駆動方法であって、
前記複数行のうちの第1の行に配された第1の画素から前記出力線に信号を読み出す前の期間に第1の動作を行い、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に第2の動作を行い、
前記第1の動作は、前記第1の画素の前記光電変換部による前記電荷の蓄積が開始されたタイミングから、前記第1の画素に先立って信号が読み出される前記第1の行とは別の行に配された画素からの前記出力線への信号の読み出しを開始するタイミングまでの第1の期間に渡って前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオンの状態とした後、前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオフの状態とする動作であり、
前記第2の動作は、前記リセットトランジスタを第2の期間に渡ってオンの状態とする動作であり、
前記第1の期間が前記第2の期間よりも長いことを特徴とする撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の期間に、前記第1の画素の前記光電変換部のリセットを行うことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記第1の画素の前記光電変換部のリセットが解除されてから、前記光電変換部は少なくとも前記第1の動作を終了するまでの期間、入射光によって電荷を生成することを特徴とする請求項2に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記撮像装置は前記複数の画素を行単位で走査する走査回路をさらに有し、
少なくとも、前記走査回路による前記複数行に渡る走査の開始から前記第1の期間の終了までの期間に渡って、前記第1の画素の前記リセットトランジスタはオンの状態にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の画素が、前記複数行のうち、前記走査回路が最後に走査する行であることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記第1の画素が、前記複数行のうち、前記走査回路が最初に走査する行であることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記第2の動作の後、前記第1の画素において、前記転送トランジスタがオンすることによって前記光電変換部の電荷が前記浮遊拡散部に転送されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記第1の画素は、前記増幅トランジスタと前記出力線との接続を制御する選択トランジスタをさらに有し、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す前の期間は、前記選択トランジスタがオフの状態にある期間であって、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間は、前記選択トランジスタがオンの状態にある期間であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す前の期間は、前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に比べて、前記増幅トランジスタに流れる電流量が少ない期間であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。
- 前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す前の期間は、前記増幅トランジスタがオフの状態にある期間であって、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間は、前記増幅トランジスタがオンの状態にある期間であることを特徴とする請求項9に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の画素の各々は、容量素子と接続トランジスタとを有し、
前記接続トランジスタが、前記容量素子と前記浮遊拡散部との接続と非接続とを切り替える接続トランジスタであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出した後、前記複数の画素のうちの第2の画素から前記出力線に信号を読み出し、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に、前記第2の画素の前記リセットトランジスタをオンの状態とし、
前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に先立って、前記第2の画素の前記リセットトランジスタをオフの状態とし、
前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に、前記第2の画素の前記リセットトランジスタを再びオンの状態とすることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第2の画素において、前記リセットトランジスタがオンしていることによって前記浮遊拡散部の電位をリセットしている期間に、前記転送トランジスタがオンすることによって前記光電変換部がリセットされ、前記転送トランジスタがオフすることによって、前記光電変換部の前記電荷の蓄積が行われ、
前記転送トランジスタが前記オフしたタイミングから、前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に先だって、前記リセットトランジスタがオフすることによって前記第2の画素の前記浮遊拡散部の電位のリセットが解除されるタイミングまでに渡って、前記リセットトランジスタがオンし続けることによって、第2の画素の前記浮遊拡散部がリセットされ続けていることを特徴とする請求項12に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記複数の画素の各々は、第2の光電変換部と、前記第2の光電変換部の電荷を前記浮遊拡散部に転送する第2の転送トランジスタとをさらに有し、
前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に先だって、前記第2の画素の前記リセットトランジスタをオフする第1動作の後、前記第2の画素において、
前記リセットトランジスタをオンし、さらに前記リセットトランジスタをオフする第2動作と、
前記転送トランジスタが、前記光電変換部の前記電荷を前記浮遊拡散部に転送する第3動作と、
前記リセットトランジスタをオンし、さらに前記リセットトランジスタをオフする第4動作と、
前記第2の転送トランジスタが、前記第2の光電変換部の前記電荷を前記浮遊拡散部に転送する第5動作とが順に行われ、
前記第2動作の終了から前記第3動作の開始までの期間の長さと、前記第4動作の終了から前記第5動作の開始までの期間の長さとが略等しいことを特徴とする請求項12または13に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間は、前記第1の画素の前記増幅トランジスタの方が、前記第2の画素の前記増幅トランジスタよりも多く電流が流れる期間であり、
前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間は、前記第2の画素の前記増幅トランジスタの方が、前記第1の画素の前記増幅トランジスタよりも多く電流が流れる期間であることを特徴とする請求項12〜14のいずれか1項に記載の撮像装置の駆動方法。 - 前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間の終了から、前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間の開始までの間に、他のすべての画素の前記増幅トランジスタに流れる電流が、前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間における前記第1の画素の前記増幅トランジスタと、前記第2の画素から前記出力線に信号を読み出す期間における前記第2の画素の前記増幅トランジスタの両方よりも少ないことを特徴とする請求項15に記載の撮像装置の駆動方法。
- 複数行に配された複数の画素と、出力線とを有し、
前記複数の画素の各々は、光電変換部と、浮遊拡散部と、前記光電変換部の電荷を前記浮遊拡散部に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記出力線に出力する増幅トランジスタと、前記浮遊拡散部に接続され、前記浮遊拡散部のリセットを制御するリセットトランジスタを有し、
さらに、前記出力線を介して、前記増幅トランジスタに電流を流す電流源を有する撮像装置の駆動方法であって、
前記複数行の画素のうちの第1の行に配された第1の画素の前記増幅トランジスタに流れる電流量が相対的に少ない期間において第1の動作を行い、
前記複数の画素のうちの第1の画素の前記増幅トランジスタに流れる電流量が相対的に多い期間において第2の動作を行い、
前記第1の動作は、前記第1の画素の前記光電変換部による前記電荷の蓄積が開始されたタイミングから、前記第1の画素に先立って信号が読み出される前記第1の行とは別の行に配された画素からの前記出力線への信号の読み出しを開始するタイミングまでの第1の期間に渡って前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオンの状態とした後、前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオフの状態とする動作であり、
前記第2の動作は、前記リセットトランジスタを第2の期間に渡ってオンの状態とする動作であり、
前記第1の期間が前記第2の期間よりも長いことを特徴とする撮像装置の駆動方法。 - 複数行に配された複数の画素と、出力線と、制御部とを有し、
前記複数の画素の各々は、光電変換部と、浮遊拡散部と、前記光電変換部の電荷を前記浮遊拡散部に転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散部の電位に基づく信号を前記出力線に出力する増幅トランジスタと、前記浮遊拡散部に接続されたリセットトランジスタとを有し、前記リセットトランジスタが、前記浮遊拡散部のリセットを制御するリセットトランジスタである撮像装置であって、
前記制御部は、
前記複数行の画素のうちの第1の行に配された第1の画素から前記出力線に信号を読み出す前に第1の制御を行い、
前記第1の画素から前記出力線に信号を読み出す期間に第2の制御を行い、
前記第1の制御は、前記第1の画素の前記光電変換部による前記電荷の蓄積が開始されたタイミングから、前記第1の画素に先立って信号が読み出される前記第1の行とは別の行に配された画素からの前記出力線への信号の読み出しを開始するタイミングまでの第1の期間に渡って前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオンの状態とした後、前記第1の画素の前記リセットトランジスタをオフの状態にする制御であり、
前記第2の制御は、前記リセットトランジスタを第2の期間に渡ってオンの状態にする制御であり、
前記第1の期間が前記第2の期間よりも長いことを特徴とする撮像装置。 - 請求項18に記載の撮像装置と、
前記撮像装置が出力する信号を用いて画像を生成する信号処理部とを有することを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229177A JP6765805B2 (ja) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
US15/357,656 US10009561B2 (en) | 2015-11-24 | 2016-11-21 | Driving method of imaging apparatus, imaging apparatus, and imaging system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015229177A JP6765805B2 (ja) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017098756A JP2017098756A (ja) | 2017-06-01 |
JP2017098756A5 JP2017098756A5 (ja) | 2018-12-27 |
JP6765805B2 true JP6765805B2 (ja) | 2020-10-07 |
Family
ID=58721417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015229177A Active JP6765805B2 (ja) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10009561B2 (ja) |
JP (1) | JP6765805B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7330770B2 (ja) * | 2019-06-07 | 2023-08-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法、光電変換システム、移動体 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5089017B2 (ja) | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像システム |
JP2008177357A (ja) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
US7969494B2 (en) * | 2007-05-21 | 2011-06-28 | Aptina Imaging Corporation | Imager and system utilizing pixel with internal reset control and method of operating same |
JP2011124700A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Canon Inc | 撮像装置、その駆動制御方法、及びその駆動制御プログラム、並びに記録媒体 |
JP2012175259A (ja) | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
JP5885403B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5871496B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2016-03-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP2014112580A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Sony Corp | 固体撮像素子および駆動方法 |
JP2014209696A (ja) | 2012-07-23 | 2014-11-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、信号読み出し方法、および電子機器 |
JP5555336B2 (ja) | 2013-01-28 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2015095846A (ja) * | 2013-11-13 | 2015-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法及び撮像装置 |
CN110233978B (zh) * | 2014-02-07 | 2022-03-11 | 拉姆伯斯公司 | 馈通补偿图像传感器 |
-
2015
- 2015-11-24 JP JP2015229177A patent/JP6765805B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-21 US US15/357,656 patent/US10009561B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170150075A1 (en) | 2017-05-25 |
JP2017098756A (ja) | 2017-06-01 |
US10009561B2 (en) | 2018-06-26 |
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---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181114 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
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