JP6700740B2 - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6700740B2
JP6700740B2 JP2015229180A JP2015229180A JP6700740B2 JP 6700740 B2 JP6700740 B2 JP 6700740B2 JP 2015229180 A JP2015229180 A JP 2015229180A JP 2015229180 A JP2015229180 A JP 2015229180A JP 6700740 B2 JP6700740 B2 JP 6700740B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
pixel row
period
row
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015229180A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016116214A (ja
Inventor
伸一郎 清水
伸一郎 清水
大介 井上
大介 井上
和樹 大下内
和樹 大下内
博男 赤堀
博男 赤堀
公一郎 岩田
公一郎 岩田
森田 浩之
浩之 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to EP15197243.7A priority Critical patent/EP3035669B1/en
Priority to US14/965,185 priority patent/US9743030B2/en
Priority to RU2015153193A priority patent/RU2637728C2/ru
Priority to CN201510933407.4A priority patent/CN105704401B/zh
Publication of JP2016116214A publication Critical patent/JP2016116214A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6700740B2 publication Critical patent/JP6700740B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/65Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本発明は、複数の画素群を有する撮像装置において、各画素群ごとにまとめて信号を読み出す構成に関するものである。
撮像面に、撮像用画素行からなる画素群と焦点検出用画素行からなる画素群とを設けて、それぞれの信号を読み出す撮像装置が知られている。特許文献1には、このような撮像装置として、焦点検出用画素行を飛び越して、撮像用画素行の走査をまとめて行い、その後焦点検出用画素行の走査をまとめて行う撮像装置が記載されている。
特開2010−074243号公報
特許文献1に記載された撮像装置において、焦点検出用画素行は、撮像用画素行に隣り合って配されている。そして、1フレームの画像を得る際に、焦点検出用画素行を飛び越して撮像用画素行を順次走査した後、焦点検出用画素行を順次走査する。通常の撮像装置では、隣り合って配される画素行は順次走査されるため、それぞれの画素行の電荷蓄積期間は重なりをもつ。これに対し、特許文献1に記載された走査を行なうと、隣り合って配される撮像用画素行と焦点検出用画素行とで電荷蓄積期間が重ならない。この場合、例えば、撮像用画素行と焦点検出用画素行のうちの一方の画素行の電荷蓄積期間の際には、他方の画素行は電荷蓄積期間にはない。このような状態で、撮像用画素行および焦点検出用画素行の画素に光が照射されていると、他方の画素行の画素には信号に用いられない電荷が発生することになる。このような場合には、一方の画素行の画素に、他方の画素行の画素から電荷がもれこみ、この電荷に起因したノイズが生じる恐れがあった。
本発明は上記課題に鑑み、隣り合って配される二つの画素行において、互いの電荷蓄積期間が重ならない際に、電荷の漏れこみによるノイズを低減させることを可能とする撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の撮像装置は、光電変換部を有する画素が行列状に複数配された画素部を有し、電子シャッタ動作により各画素の電荷蓄積期間が制御され、前記電荷蓄積期間に生じた電荷に基づく信号を、画素行を順次走査することで出力する撮像装置であって、前記画素部は、複数の第1画素行を有する第1画素群と、各々が、前記第1画素行に隣り合って配された、複数の第2画素行を有する第2画素群と、を有し、隣り合って配された前記第1画素行と前記第2画素行の各々の電荷蓄積期間は、一方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が終了した後に他方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が開始するように制御され、前記第1画素群の複数の前記第1画素行を順次走査した後に前記第2画素群の複数の第2画素行を順次走査することで、前記複数の第1画素行の信号と前記複数の第2画素行の信号が出力され、隣り合って配された前記第1画素行と前記第2画素行のうち、当該第2画素行の前記電荷蓄積期間の終了から、当該第1画素行の画素からの信号が出力される出力期間が終了する前までの間の少なくとも一部の期間に、前記第2画素行の画素の前記光電変換部に蓄積された電荷をリセットすることを特徴とする。
隣り合って配される二つの画素行において、互いの電荷蓄積期間が重ならない場合の電荷の漏れこみによるノイズ低減が可能となる。
撮像装置のブロック図 画素の回路図 画素部の説明図 読出しシーケンス図 課題を説明するための駆動タイミング図 実施例1の駆動タイミング図 実施例2の駆動タイミング図 実施例3の駆動タイミング図 実施例4の駆動タイミング図 実施例5の駆動タイミング図 実施例6の駆動タイミング図 実施例6におけるFDの電位変動図
以下、本発明の実施形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図面において、同様な機能を有する要素には同一の符号を付し、重複した説明は省略する。
(実施例1)
図1〜図6を用いて本実施例の撮像装置10を説明する。図1、2で説明する撮像装置の構成は他の実施例にも適用することができる。
図1に本実施例の撮像装置10のブロック図を示す。撮像装置10は、画素部100、駆動パルス生成部160、垂直走査回路120、信号線115、列回路140、水平走査回路150、出力部170を有している。
画素部100は、光を電荷信号へ変換し、変換した電気信号を出力する画素101を複数有している。複数の画素101は行列状に配されている。
駆動パルス生成部160は制御パルスを生成し、垂直走査回路120は駆動パルス生成部160からの制御パルスを受け、各画素行V1〜Vnに駆動パルスを供給する。ここで供給される駆動パルスは、後述する転送トランジスタを駆動するpTX、リセットトランジスタを駆動するpRES、選択トランジスタを駆動するpSELである。列回路140はAD変換部を有しており、AD変換部は、単位画素から出力されたアナログ信号である画素信号をデジタル信号に変換する。そして、水平走査回路150は、列回路140で並列に処理された信号を列ごとに出力部170に出力する。なお、列回路140は他にアンプ、ノイズ除去回路を有していてもよい。
図2に画素等価回路の一例を示す。本実施形態では、信号電荷を電子とし、各トランジスタはN型のトランジスタとして説明する。ただし、信号電荷としてホールを用い、画素のトランジスタとしてP型のトランジスタを用いてもよい。
また、等価回路はこれに限られるものではなく、一部の構成を複数の画素で共有してもよい。
画素101は、光電変換部103、転送トランジスタ104、リセットトランジスタ105、増幅トランジスタ106、フローティングディフュージョン(以下FD)108、選択トランジスタ107を有する。
光電変換部103は、入射光量に応じた量の電荷対を光電変換により生じさせ電子を蓄積する。光電変換部103には、例えばフォトダイオードが用いられる。
転送トランジスタ104は光電変換部103で蓄積された電子をFD108へ転送する。転送トランジスタ104のゲートには駆動パルスpTXが供給され、オン状態、オフ状態が切り替えられる。FD108は、転送トランジスタ104により転送された電子を保持する。
増幅トランジスタ106は、そのゲートがFD108に接続されており、転送トランジスタ104によってFD108に転送された電子に基づく信号を増幅して出力する。より具体的には、FD108に転送された電子は、その量に応じた電圧に変換され、その電圧に応じた電気信号が増幅トランジスタ106を介して信号線115へ出力される。増幅トランジスタ106は、不図示の電流源とともにソースフォロア回路を構成している。
リセットトランジスタ105は、増幅トランジスタ106の入力ノードの電位をリセットする。また、リセットトランジスタ105と転送トランジスタ104とのそれぞれのオン期間を重ねることにより、光電変換部103に蓄積された電荷をリセットする(光電変換部103を所定の電位にリセットする)リセット動作が行われる。リセットトランジスタ105のゲートには駆動パルスpRESが供給され、オン状態、オフ状態が切り替えられる。ただし、ここでは光電変換部103をリセットするために転送トランジスタ104を介する構成としたが、直接リセットトランジスタ105を光電変換部103に接続し、光電変換部103をリセットする構成としてもよい。
選択トランジスタ107は、1つの信号線115に対して複数設けられている画素101の信号を、1画素ずつもしくは複数画素ずつ出力させる。選択トランジスタ107のドレインは、増幅トランジスタ106のソースに接続され、選択トランジスタ107のソースは信号線115に接続されている。
本実施例の構成に代えて、選択トランジスタ107を増幅トランジスタ106のドレインと、電源電圧が供給されている電源配線との間に設けてもよい。選択トランジスタ107は、増幅トランジスタ106と信号線115との電気的導通を制御するように配されればよい。選択トランジスタ107のゲートには、駆動パルスpSELが供給され、選択トランジスタ107のオン状態、オフ状態が切り替えられる。
なお、選択トランジスタ107を設けずに、増幅トランジスタ106のソースと信号線115を接続し、増幅トランジスタ106のドレインもしくは増幅トランジスタ106のゲートの電位を切り替えることにより、選択状態、非選択状態を切り替えてもよい。これらは、以下の各実施例においても同様である。
次に図3を用いて画素部100に配された複数の画素行V1〜Vnの配置について説明する。ここでは、12行の画素行(V1からV12)について説明する。画素部100には、画像を取得するための画素が行として配された第1画素行(以下、撮像用画素行)201と、焦点検出用の信号を取得するための画素が行として配された第2画素行(以下、焦点検出用画素行)202とが配されている。画像を取得するための画素が撮像用画素であり、焦点検出用の信号を取得するための画素が焦点用画素である。これらの画素行はそれぞれ複数配されており、複数の撮像用画素行201は第1画素群(以下、撮像用画素群)を構成し、複数の焦点検出用画素行202は第2画素群(以下、焦点検出用画素群)を構成する。本実施例では、図3に示すように、焦点検出用画素行202は撮像用画素行201に隣り合って配されている。また、本実施例では、焦点検出用画素行の数が撮像用画素行の数よりも少なく、2つの焦点検出用画素行(V4とV8)の間に複数の撮像用画素行(V5からV7)が配されている。
図3において、3つの画素行V4、V8、V12は焦点検出用画素行であり、他の画素行は撮像用画素行である。撮像用画素行は撮像用画素を含んで構成され、焦点検出用画素行は焦点検出用画素を含んで構成されている。撮像用画素行は撮像用画素だけでなく他の用途の画素(例えば焦点検出用画素)を含んでいてもよいが、この場合には撮像用画素の数が他の用途の画素の数よりも多い。同様に、焦点検出用画素行は焦点検出用画素だけでなく他の用途の画素(例えば撮像用画素)を含んでいてもよいが、この場合には焦点検出用画素の数が他の用途の画素の数よりも多い。
ここで、1つの焦点検出用画素は、1つのマイクロレンズに対応して、光電変換部が複数の領域に分割された構成(あるいは1つのマイクロレンズに対応して複数の光電変換部を設けた構成)や、光電変換部の一部が遮光された構成を用いることができる。これらの焦点検出用の画素の信号を用いて周知の位相差検出型の焦点検出を行なうことができる。
図4は図3で示した各画素群の信号読出しシーケンスを示す図である。図4において、縦方向に画素行の番号を示し、横方向は時間を示している。画素行は平面視においてこの番号の順に配置されている。本実施例では、画素部100は電子シャッタ動作によって電荷蓄積期間Tsが制御される。本実施例では、1つの画素または1つの画素行について見ると、画素の光電変換部のリセットによって電荷蓄積期間を開始し、所定期間経過後、光電変換部の電荷を転送することで電荷蓄積期間を終了する。
複数の撮像用画素行の各々の電荷蓄積期間は、各撮像用画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を1行毎に順次リセットすることで開始する。そして複数の撮像用画素行の各々の電荷蓄積期間は、各撮像用画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を1行毎に順次転送することで終了する。
一方、複数の焦点検出用画素行の各々の電荷蓄積期間は、各焦点検出用画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を1行毎に順次リセットすることで開始する。そして、複数の焦点検出用画素行の各々の電荷蓄積期間は、各焦点検出用画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を1行毎に順次転送することで終了する。
電荷蓄積期間が終了した後、、複数の画素行を1行毎に順次走査して、電荷蓄積期間に光電変換部に生じた電荷に基づく信号を各画素行ごとに順次信号線115へ出力する。以下では、所定画素行の電荷蓄積期間が終了した時点から信号線115への所定画素行の各々の光電変換部に生じた電荷に基づく信号の出力が終了した時点までの期間を出力期間Topと呼ぶ。図4の矢印の始点と終点とで示す期間は、各行における電荷蓄積期間Tsと出力期間Topとを合わせた期間を示している。
図4では、画素部100を構成する全画素行の電荷蓄積期間の開始から出力期間の終了までを含む期間を1つのフレーム期間としている。そして、フレーム期間が複数連続している場合に、各フレーム期間を第1フレーム期間FR1、第2フレーム期間FR2としてあらわしており、図4ではFR3以降は省略している。
第1フレーム期間内(FR1内)には、第1期間S1と第2期間S2が設けられており、第2フレーム期間内(FR2内)には、第3期間S3と第4期間S4が設けられている。第1期間S1及び第3期間S3は焦点検出用画素行202を飛び越して撮像用画素群の読み出し動作を行う期間である。また、第2期間S2及び第4期間S4は第1期間S1及び第3期間S3で読み出し動作が行われなかった焦点検出用画素群の読出し動作を行う期間である。そして、このようなフレーム期間を所定期間繰り返して行うことで動画撮影が可能となる。
ここで説明する読出し動作は、所定の画素行の蓄積期間Tsの開始(より詳細にはリセット期間Tresの開始)から出力期間Topの終了までの期間の動作を指す。したがって、図4の例では、1つのフレーム期間は、画素部100を構成する全ての画素行の蓄積期間Ts(より詳細にはリセット期間Tresの開始)の開始から出力期間Topの終了までの期間である。そして、第1期間S1及び第3期間S3は、複数の第1画素行の蓄積期間Ts(より詳細にはリセット期間Tresの開始)の開始から出力期間Topの終了までの期間である。同様に、第2期間S2及び第4期間S4は、複数の第2画素行の蓄積期間Ts(より詳細にはリセット期間Tresの開始)の開始から出力期間Topの終了までの期間である。
次に、まず、図5を用いて、図4に示した画素行の信号読み出しシーケンスのうち、撮像用画素行201と焦点検出用画素行202が隣り合って配されている部分(図4のV3からV5の画素行)を抜き出し、本実施例の課題を説明する。図5の縦方向にはV3からV5の各画素行の駆動パルスを示しており、横方向に時間の経過を示している。水平同期パルスにより水平走査期間HDが設定される。そして、水平走査期間HDにその水平走査期間HDに撮像装置から信号が読み出される画素101の選択トランジスタがオン状態となる。
図5において、各駆動パルスがハイレベルの期間において各トランジスタがオン状態となる。また、各トランジスタの駆動パルスにおいて、実線で示された期間には、その画素行の各トランジスタに垂直走査回路120から各駆動パルス(pRES、pTX、pSEL)が供給されている。破線で示された期間は垂直走査回路120から各信号が供給されておらず、各制御配線の電位が寄生容量によって保持されていることを意味する。ただし、破線で示された部分においても、垂直走査回路120から駆動パルスが供給されていてもよい。
まず、時刻t0において、水平同期パルスにより、第1水平走査期間HD1が開始する。この時、画素行V3の駆動パルスpRES3及び駆動パルスpTX3がハイレベルになる。次に時刻t1において、駆動パルスpRES3および駆動パルスpTX3がローレベルとなる。これにより光電変換部103がリセットされ、画素行V3を構成する各画素の光電変換部103における電荷蓄積期間Tsが開始する。即ち、時刻t1は画素行V3の電荷蓄積期間Tsの開始時刻である。
期間t0‐t1までが光電変換部103のリセット動作が行われるリセット期間Tresとよぶ。ここでは図示していないが、第1水平走査期間HD1の一部の期間において水平走査回路150により、所定の画素行(例えば図4の画素行V1)の画素の信号が撮像装置外へ読み出される場合がある。そして時刻t2に第1水平走査期間HD1が終了する。
時刻t3に第2水平走査期間HD2が開始する。この時、画素行V5の駆動パルスpRES5及び駆動パルスpTX5がハイレベルになる。次に時刻t4において、駆動パルスpRES5および駆動パルスpTX5がローレベルとなる。これにより光電変換部103がリセットされ、画素行V5の画素の光電変換部における電荷蓄積期間Tsが開始する。即ち、時刻t4は画素行V5の電荷蓄積期間Tsの開始時刻である。そして、時刻t5に第2水平走査期間HD2が終了する。
時刻t6に第3水平走査期間HD3が開始し、画素行V3の駆動パルスpSEL3およびpRES3がハイレベルになる。そして、時刻t7に、pRES3がローレベルとなる。駆動パルスpSEL3がハイレベルになることで、選択トランジスタ107がオン状態となる。また駆動パルスpRES3がハイレベルになることでFDがリセットされる。
このため、期間t7‐t8には、画素行V3のノイズ信号が信号線115に出力されていることになる。
時刻t8に駆動パルスpTX3がハイレベルとなり、時刻t9に駆動パルスpTX3がローレベルとなる。この動作により光電変換部103に蓄積された電荷がFD108に転送される。時刻t1から時刻t9までの期間t1−19が画素行V3の電荷蓄積期間Tsとなる。
そして時刻t10に駆動パルスpSELがローレベルになりオフ状態となり、第3水平走査期間HD3が終了する。
このため、時刻t9から時刻t10までの期間t9−t10には、電荷蓄積期間Tsに画素行V3の各画素を構成する光電変換部で生じた電荷に基づく信号が信号線115に出力されていることになる。ここで、期間t9−t10を出力期間Topとよぶ。
なお列回路140もしくは不図示のCDS回路(相関2重サンプリング回路)により、期間t7−t8に出力した信号と、期間t9−t10に出力した信号との差分処理を行なうことでノイズを除去した信号を取得することができる。
また、電荷蓄積期間Tsが終了した時刻t9から画素行V3の第2フレーム期間のリセット動作の開始である時刻t19までの期間は、画素行V3の光電変換部103に電荷が蓄積され得る状態となる。しかし、この期間に画素行V3の各光電変換部103に蓄積された電荷は画素行V3から出力する信号に用いないため、この期間を、画素行V3を構成する画素の無効期間Tnuとよぶ。
なお、画素行V3のリセット期間Tresの後、次の水平走査期間である第2水平走査期間HD2で画素行V5の電荷蓄積動作が開始される(第2水平走査期間HD2に、画素行V5のリセット期間Tresが行われる)。
そして、第1期間S1(撮像用画素群の読み出し動作の期間)が終了すると、時刻t14から第2期間S2(焦点検出用画素群の読出し動作の期間)が開始される。第2期間S2では、図5を用いて説明した第1期間S1に行われる撮像用画素群の読出し動作と同様の動作を、焦点検出用画素群(複数の焦点検出用画素行V4、V8、V12)に対して行う。
この例では、撮像用画素行(V3、V5、V7、V9、V11)と焦点検出用画素行(V4、V8、V12)は隣り合うように配されている。そして、隣り合って配された撮像用画素行と焦点検出用画素行の各々の電荷蓄積期間は、一方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が終了した後に他方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が開始するように制御されている。 このような画素部100の信号読み出しシーケンスを行なうと、例えば、第1期間S1において、画素行V4から画素行V4と隣り合うように配された画素行V3およびV5に電荷の漏れこみが生じる。そのため、画素行V4と隣り合うように配された画素行(V3、V5)から信号線115に出力される信号にノイズなどの望まない影響を与えるおそれがある。
尚、この影響は、図4の様に、複数の撮像用画素行の中(第1画素群の中)で最後に読出し動作が行われる(或いは最後に電荷蓄積期間Tsが開始される)画素行V11と、複数の焦点検出用画素行の中(第2画素群の中)で最初に読出し動作が行われる(或いは最初に電荷蓄積期間Tsが開始される)焦点検出用画素行V4との間に、撮像用画素行のうちの他の撮像用画素行(V5からV10)が配されている場合に、より大きくなる。上記した影響は、特に高輝度な被写体を撮像した場合や、電荷蓄積期間Tsに対して無効期間Tnuが長い場合等、光電変換部103の電荷蓄積可能な電荷量に対して、受光量が過大な時に発生することが多い。上記現象は、電子シャッター動作によって各画素の電荷蓄積期間を制御する場合に発生することが多い。しかしながら、高輝度な被写体を撮像した場合などのように、上記影響は電子シャッター動作を行う場合にのみ生じ得るものではない。
図4および図5に示したように、第1期間S1において、画素行V4(焦点検出用画素行)は無効期間Tnuとなる。そのため、画素行(焦点検出用画素行)V4と隣り合う画素行(撮像用画素行)V3とV5の読出し動作を行う際に、画素行V4の画素から、画素行V3とV5の画素に電荷が漏れこみ、画素行V3とV5から読みだされる信号に臨まない影響を与えてしまう場合がある。
次に図6に本実施例の駆動タイミングを示す。図5の駆動タイミングとの違いは、画素行V3の出力期間Topの間(出力期間Topが終了する前迄)に、画素行V3に隣合う画素行V4の画素に対してリセットを行なう点である。つまり、図6の例は、隣り合う2つの画素行(V3とV4又はV4とV5)のうち、一方の画素行の電荷蓄積期間の開始から出力期間Topが終了する前迄に、他方の画素行の各光電変換部のリセットを行っている。
具体的には、以下の3つの動作のうち少なくとも1つを行なうことが本実施例の特徴となる。
まず1つ目は、画素行V3の出力期間Top(期間t9−t10)の間(出力期間Topが終了する前迄)に、画素行V4の光電変換部をリセットする動作である。具体的には、駆動パルスpRES4およびpTX4をハイレベルにしている。これにより画素行V4から画素行V3への電荷の漏れこみを低減させることが可能となる。特に画素行V3の出力期間においては、画素行V3を構成する各画素101から信号線115へ出力される信号はFD108に転送された電荷に依存する。このため、上記リセット動作により、画素行V4の光電変換部から画素行V3のFDへの電荷の漏れ込みを低減することを可能にしている。
2つ目は、画素行V5の出力期間Top(期間t12‐t13)の間(出力期間Topが終了する前迄)に、画素行V4の光電変換部をリセットする動作である(不図示)。具体的には、期間t12−t13に駆動パルスpRES4およびpTX4をハイレベルにする。これにより、画素行V4から画素行V5への電荷の漏れこみを低減することが可能となる。
3つ目は、画素行V4の出力期間Top(期間t17‐t18)の間(出力期間Topが終了する前迄)に、画素行V3、V5のうち少なくとも一方の画素行の光電変換部をリセットする動作である。具体的には、期間t17−t18に駆動パルスpRES3およびpTX3もしくはpRES5及びpTX5をハイレベルにする。これにより、画素行V3、V5のうち少なくとも一方から画素行V3への電荷の漏れこみを低減することが可能となる。
ここで、1つ目の動作と2つ目の動作とを比較した場合には、先に読出し動作を行う画素行V3の出力期間に画素行V4のリセットを行った方がよい。これにより隣り合う画素行V3、V5の両方に上記した効果を生じさせることができるためである。これは以下の実施例においても同様である。
更に、上述の3つの動作を全て行ってもよいが、より好ましくは1つ目の動作のみを行なうのがよい。なぜならば、焦点検出用画素から出力される信号は撮像用画素から出力される信号に比べて精度が求められないためであり、2つ目の動作よりも1つ目の動作がよいのは、上述したとおりである。
本実施例のリセット動作は、画素行V4と同じ第2期間S2に読出し動作が行われるV8、V12にも適用可能である。
また、第1期間S1および第3期間S3において読出し動作を行う画素群を撮像用画素群、第2期間S2および第4期間S4において読出し動作を行う画素群を焦点検出用画素群としたが、逆であってもよい。即ち、1つのフレーム期間内に設けられている第1期間と第2期間の前後関係についてはどちらが先でもよく、第1期間S1の前または後に第2期間S2を設けることができる。
そして、本実施例では、撮像用画素群の読出し動作を行った後に焦点検出用画素群の読出し動作をを行っているが、この順番に限定されるものではないではない。例えば、一方の画素群の読出し動作を複数回繰り返した後にもう一方の画素群の読出し動作を行ってもよい。この場合は、例えば、1フレーム期間は第1期間S1の後に再度第1期間S1が行われ、その後に、第2期間S2が行われることになる。
さらに、本実施例では、画素部100を構成する画素を撮像用画素と焦点検出用画素とした例を示したが、撮像用画素または焦点検出用画素のどちらかのみの場合でも本実施例で説明した効果を奏する。例えば、画素部100を複数の撮像用画素行のみで構成し、第1期間S1では一部の画素行を除く残りの画素行の読出し動作を行い、第2期間S2では上記一部の画素行の読出し動作を行う場合にも本実施例のリセット動作を行うことで上述した効果を奏する。
本実施例によれば、ある画素行の出力期間Topに、当該画素行の隣に位置する画素行が無効期間Tnuであった際に、上記ある画素行から信号線に出力される信号にノイズなどの影響を与えることを低減することが可能となる。
(実施例2)
図7を用いて本実施例の撮像装置を説明する。
図7に示した本実施例の駆動タイミングと実施例1で示した図6の駆動タイミングとの違いは、リセットを行なうタイミングである。本実施例においては、撮像用画素行の電荷蓄積期間を開始するリセット動作と同時に、当該撮像用画素行と隣り合う、焦点検出用画素行V4の光電変換部をリセットする。具体的には撮像用画素行V3のリセット期間Tresである期間t0‐t1に、焦点検出用画素行V4の駆動パルスpRES4およびpTX4をハイレベルにする。
これにより画素行V3の電荷蓄積期間Tsの開始と画素行V4の無効期間Tnuの開始を揃えることが可能となる。そのため撮像用画素行V3の電荷蓄積期間Tsに、画素行V3に画素行V4から電荷が漏れこむ可能性を低減させることができる。
また、画素行V4の電荷蓄積期間Tsを開始するリセット動作と同時に、撮像用画素行V3、V5の少なくとも一方をリセットすることもできる。具体的には図7に示したように、画素行V4のリセット期間Tres(期間t14‐t15)に撮像用画素行V3、V5のリセットを行なえばよい。
本実施例によれば、実施例1と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施例では、画素行V4に隣接する画素行V3の制御信号pTX3、pRES3もしくは画素行V5の制御信号pTX5、pRES5を画素行V4の制御信号pTX4,pRES4に利用する。これにより駆動パルス生成部160が新たな制御信号を生成する必要がなくなる。
(実施例3)
図8を用いて本実施例の撮像装置を説明する。図8に示した本実施例の駆動タイミングと実施例1で示した図6の駆動タイミングとの違いは、撮像用画素行V3の電荷蓄積期間Ts(期間t1‐t9)に、焦点検出用画素行V4の光電変換部のリセットを行なう点である。本実施例によっても、焦点検出用画素行V4の画素から撮像用画素行V3の画素への電荷の漏れ込みを低減できる。また上述の実施例と同様に、焦点検出用画素行の電荷蓄積期間Ts(期間t15−t17)において、撮像用画素行V3,V5の光電変換部のリセットを行なってもよい。尚、焦点検出用画素行の電荷蓄積期間Tsにおける撮像用画素行V3と撮像用画素行V5のそれぞれの画素行の光電変換部のリセットは、同時に行うことが好ましい。
本実施例においても上述の実施例と同様の効果を得ることができる。
(実施例4)
図9を用いて本実施例の撮像装置を説明する。
図9に示した本実施例の駆動タイミングと実施例1で示した図6の駆動タイミングとの違いは、リセットを行なうタイミングにある。具体的には、焦点検出用画素行V4の出力期間Topの終了時刻t18から撮像用画素行V3のリセット期間Tresの開始時刻t19までの少なくとも一部の期間に画素行V4の光電変換部のリセットを行なう点である。本実施例によっても、焦点検出用画素行V4の画素から撮像用画素行V3の画素への電荷の漏れ込みを低減できる。また、撮像用画素行V3の出力期間Topの終了である時刻t10から焦点検出用画素行V4のリセット期間Tresの開始である時刻t14までの少なくとも一部の期間に画素行V3の光電変換部のリセットを行なってもよい。さらには、撮像用画素行V5の出力期間Topの終了である時刻t13から焦点検出用画素行V4のリセット期間Tresの開始である時刻t14までの少なくとも一部の期間に画素行V5の光電変換部のリセットを行なってもよい。
本実施例においても、実施例1と同様の効果を得ることができる。
(実施例5)
図10を用いて本実施例の撮像装置を説明する。
図10に示した本実施例の駆動タイミングと実施例1で示した図6の駆動タイミングとの違いは、焦点検出用画素行V4の電荷蓄積期間Tsと出力期間Topを除くすべての期間に渡って、画素行V4の光電変換部のリセットをし続ける点である。本実施例によれば、画素行V4の無効期間Tnuに発生した電荷の多くはリセットされるため、画素行V4に隣り合う画素行V3とV5への電荷の漏れ込みは上記実施例に比べて少なくすることができる。
さらに、図10に示すように、撮像用画素行V3、V5に対しても、上記した画素行V4に対するリセットと同様な動作を行なってもよい。
以上本発明を具体的な実施例を挙げて説明したが本発明は各実施例に限定されることなく、その思想の範囲内で適宜変更、組み合わせすることが可能となる。
実施例1〜4ではそれぞれ異なる期間でのリセットを示しているが、各リセットの期間を適宜組み合わせて実施してもよい。
また、各実施例ではリセット動作を各画素行毎に順次行っているため、電荷蓄積期間が1画素行ずつ異なるローリングシャッタ動作により信号の読出しを行なっている。しかしながら、グローバル電子シャッタ動作でもよい。もしくは複数画素行ごとに電荷蓄積期間が異なる動作としてもよい。
グローバル電子シャッタ動作では、例えば、全ての撮像用画素行の蓄積期間Tsの開始時刻を同一にし、また全ての撮像用画素行の蓄積期間Tsの終了時刻を同一に設定すればよい。また、焦点検出用画素行についても、撮像用画素行の蓄積期間Tsとは異なる期間(重ならない期間)に、全ての焦点検出用画素行の蓄積期間Tsの開始時刻を同一にし、蓄積期間Tsの終了時刻を同一に設定すればよい。
また、上記各実施例では、2つの撮像用画素行(V3とV5)の間に1つの焦点検出用画素行(V4)を配した例を示したが、2つの撮像用画素行(V3とV5)の間に複数の焦点検出用画素行(V4)を配することもできる。
さらに、撮像用画素行の少なくともいずれか1つと隣り合っていれば焦点検出用画素行の位置は特に限定されるものではない。例えば、2つの撮像用画素行(V3とV5)の間に配さずに、画素部100の最も端に、1乃至複数行設ける形態であっても良い。例えば、画素部100にn行の画素行(V1からVn)が設けられている場合に、画素行V1およびまたは画素行Vnを焦点検出用の画素行に設定しても良い。さらには、例えば、画素行V1からV5、およびまたは、画素行Vn−4から画素行Vn、を焦点検出用の画素行としても良い。また上記各実施例では、各画素群の組み合わせとして撮像用画素群と焦点検出用画素群としたがこれに限られるものではない。たとえば、焦点検出用画素群を、温度を検出するための画素群や、近赤外を検出するための画素群で置き換えてもよい。
(実施例6)
本変形例の駆動タイミングとして例として図7の駆動タイミングの変形例図11を示す。ここでは例として図7を挙げるが必ずしも図7である必要はない。また、図7の駆動タイミング図と同様の駆動に関しては説明を省略する。
本実施例では、図3に示す撮像用画素行V1の画素と撮像用画素行V2の画素とがFD108を共有する。撮像用画素行V3の画素と焦点検出用画素行V4の画素とがFD108を共有する。そして以下の画素行も同様の順に2つの画素でFD108を共有している。したがって、複数の撮像画素行のうちの一部は、焦点検出用画素行の画素とFD108を共有している。
そして複数の撮像用画素行のうちの他の一部(例えばV1)の画素は、撮像画素行の画素どうしでFDを共有する。そのほかにも、撮像用画素行のうちの一部の画素が撮像用や焦点検出用以外の画素行の画素とFD108を共有する構成であっても良い。
本実施例において、FD108を共有する画素は、リセットトランジスタ105と、増幅トランジスタ106と、選択トランジスタ107を共有する。そのため撮像用画素行V3と焦点検出用画素行V4には、駆動パルスpSEL3とpRES3を共有する。
第1期間S1において、撮像用画素行V3およびV4のFD108をリセットする駆動パルスpRES3がオフになる時刻t7から、出力期間Topの終了する時刻t10までの期間t7−t10においては、駆動パルスpTX3をオンにし、駆動パルスpTX4をオフにする。これにより焦点検出用画素行V3の信号のみをFD108に出力する。
これにより、撮像用画素行V3のノイズ信号の出力時や撮像用画素行V3の信号の出力時に焦点検出用画素行V4の信号が混合することを抑制する。ここでは例として第1期間を用いて説明したが。第2期間S2においては、期間t22−t18において、駆動パルスpTX3をオフにすることで同様の効果が得られる。
もし第1期間S1において駆動パルスpTX4をオンからオフにする時刻が、信号が出力される出力期間に最も近いFD108のリセット動作を終了する時刻t7と同じ時刻である場合には、転送トランジスタ103のゲートとFD108とのカップリング容量や、転送トランジスタ103をオフする際の戻り電荷により、FD108の電位が変動し、ノイズとなる恐れがある。
そこで、第1期間S1において駆動パルスpTX4をオフにする期間t7−t10の開始時刻を時刻t7よりも前にするほうがよい。
好ましくは、各画素行の一部の画素からの信号が出力される出力期間に最も近いFD108のリセット動作を終了する時刻t7を含む水平走査期間HD3では駆動パルスpTX4をオンからオフにする動作を行わない。この場合、例えば水平走査期間HD1やHD2など水平走査期間HD3よりも前の水平走査期間で駆動パルスpTX4をオンからオフにする動作を行う。これにより、FDの電位が変位することによって生じるノイズを抑制することができる。
なお、第2期間S2においては、駆動パルスpTX3をオフにする期間t22−t18の開始時刻を時刻t22よりも前にするほうがよい。好ましくは各画素行の一部の画素からの信号が出力される出力期間に最も近いFD108のリセット動作を終了する時刻t22を含む水平走査期間HD10では駆動パルスpTX3をオンからオフにする動作を行わない。この場合、例えば水平走査期間HD8やHD9など水平走査期間HD10よりも前の水平走査期間でpTX3をオンからオフにする動作を行う。
あるいは、FDの容量が3fF〜6fFの場合に図12に示すように第1期間S1においては、期間t7−t10の開始時刻を時刻t7から9μsec以上前にする方がよい。つまり、時刻t7から9μsec以上前から時刻t10までは駆動パルスpTX4をオンからオフにする動作を行わない。同様に第2期間S2においては、期間t22−t18の開始時刻を時刻t22から9μsec以上前にするほうがよい。つまり、時刻t22から9μsec以上前から時刻t18までは駆動パルスpTX3をオンからオフにする動作を行わない。
このような構成によれば、pTX4もしくはpTX3をオフにすることで生じるFD108の電位変動が、抑制される。これにより、出力された信号に含まれるkTCノイズを抑制することができる。
10 撮像装置
100 画素部
101 画素

Claims (17)

  1. 光電変換部を有する画素が行列状に複数配された画素部を有し、
    電子シャッタ動作により各画素の電荷蓄積期間が制御され、前記電荷蓄積期間に生じた電荷に基づく信号を、画素行を順次走査することで出力する撮像装置であって、
    前記画素部は、
    複数の第1画素行を有する第1画素群と、
    各々が、前記第1画素行に隣り合って配された、複数の第2画素行を有する第2画素群と、を有し、
    前記第1画素行は、撮像の信号を取得する画素を含んで構成され、前記第2画素行は焦点検出の信号を取得する画素を含んで構成され、
    隣り合って配された前記第1画素行と前記第2画素行の各々の電荷蓄積期間は、一方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が終了した後に他方の画素行に含まれる各光電変換部の電荷蓄積期間が開始するように制御され、
    前記第1画素群の複数の前記第1画素行を順次走査した後に前記第2画素群の複数の第2画素行を順次走査することで、前記複数の第1画素行の信号と前記複数の第2画素行の信号が出力され、
    隣り合って配された前記第1画素行と前記第2画素行のうち、当該第2画素行の前記電荷蓄積期間の終了から、当該第1画素行の画素からの信号が出力される出力期間が終了する前までの間の少なくとも一部の期間に、前記第2画素行の画素の前記光電変換部に蓄積された電荷をリセットすることを特徴とする撮像装置。
  2. 前記複数の第1画素行の前記電荷蓄積期間は、
    各第1画素行の画素の前記光電変換部に蓄積された電荷を行毎に順次リセットすることで開始され、各第1画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を行毎に順次転送することで終了され、
    前記複数の第2画素行の前記電荷蓄積期間は、
    各第2画素行の画素の前記光電変換部に蓄積された電荷を行毎に順次リセットすることで開始され、各第2画素行の画素の光電変換部に蓄積された電荷を行毎に順次転送することで終了されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記第1画素行の前記電荷蓄積期間を開始するリセット動作と同時に、当該第1画素行に隣り合う前記第2画素行の画素の光電変換部のリセットを行うことを特徴とする請求項2に記載の撮像装置。
  4. 前記第1画素行の前記電荷蓄積期間の終了から、前記第1画素行の前記出力期間の終了までの少なくとも一部の期間に、当該第1画素行に隣り合う第2画素行の画素の光電変換部をリセットすることを特徴とする請求項2または3に記載の撮像装置。
  5. 前記第1画素行の前記電荷蓄積期間の一部の期間に、当該第1画素行に隣り合う前記第2画素行の画素の光電変換部をリセットすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。
  6. 前記第1画素行の前記出力期間の終了から、当該第1画素行に隣り合う前記第2画素行の前記電荷蓄積期間の開始までの間に、当該第2画素行の画素の光電変換部をリセットすることを特徴とする請求項2乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。
  7. 前記第2画素行は、当該第2画素行の前記電荷蓄積期間および前記出力期間を除く期間において、当該第2画素行の画素の光電変換部をリセットしつづけることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。
  8. 前記電子シャッタ動作が、ローリングシャッタ動作であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載の撮像装置。
  9. 電変換部を有する画素を各々が複数有する画素行を複数配した撮像装置であって、
    前記複数の画素行は、複数の第1画素行からなる第1画素群と複数の第2画素行からなる第2画素群とを含み、
    前記複数の第1画素行のうちの少なくとも1つの画素行と隣り合うように前記複数の第2画素行のうちの1つの画素行が配されており、
    前記第1画素群と前記第2画素群は、前記第1画素群の各光電変換部での電荷蓄積期間を終了した後に、前記第2画素群の各光電変換部での電荷蓄積期間を開始するように制御され、
    前記複数の第1画素行のうちの前記少なくとも1つの画素行の各光電変換部での電荷蓄積期間を開始するために当該画素行の各光電変換部をリセットすると同時に、当該画素行と隣り合うように配された前記複数の第2画素行のうちの1つの画素行の各光電変換部をリセットすることを特徴とする撮像装置。
  10. 光電変換部を有する画素を各々が複数有する画素行を複数配した撮像装置であって、
    前記複数の画素行は、複数の第1画素行と、前記第1画素行の数よりも少ない複数の第2画素行とを含み、
    前記第2画素行は、前記第1画素行隣り合うように配さ
    1つのフレーム期間内に、前記第1画素行の各光電変換部での電荷の蓄積の開始から前記第1画素行の各光電変換部で蓄積が終了する迄の第1の期間と、前記第2画素行の各光電変換部での電荷の蓄積の開始から前記第2画素行の各光電変換部で蓄積が終了する迄の第2の期間とが、前記第1の期間が終了した後に前記第2の期間が開始されるように制御され、
    前記第1の期間が開始された後であって、前記第1画素行から信号の読出しを終えるよりも前に、前記第2画素行の各光電変換部をリセットすることを特徴とする撮像装置。
  11. 前記第1の期間の全てに渡って、前記第2画素行の各光電変換部をリセットすることを特徴とする請求項10に記載の撮像装置。
  12. 記複数の第2画素行の各々の隣に、前記複数の第1画素行のうちのいずれか1つの画素行が配されていることを特徴とする請求項10または11に記載の撮像装置。
  13. 前記1つのフレーム期間内において、前記複数の第1画素行の中で最後に電荷の蓄積が開始される画素行と、前記複数の第2画素行の中で最初に電荷の蓄積が開始される画素行との間に、前記複数の第1画素行のうちの他の画素行が配されていることを特徴とする請求項12に記載の撮像装置。
  14. 前記複数の第2画素行のうちの一つの画素行と他の画素行との間に、前記複数の第1画素行のうちの少なくとも一部の画素行が配されていることを特徴とする請求項または13に記載の撮像装置。
  15. 前記複数の第1画素行は、1行毎に順次、各光電変換部での電荷の蓄積が開始され、前記複数の第2画素行は、1行毎に順次、各光電変換部での電荷の蓄積が開始されることを特徴とする請求項14に記載の撮像装置。
  16. 前記複数の画素の各々は、フローティングディフュージョンを有し、
    前記複数の第1画素行のうちの一部の画素は、前記複数の第2画素行の一部の画素とフローティングディフュージョンを共有することを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  17. 前記フローティングディフュージョンを共有する前記第1画素行のうちの一部の画素と前記第2画素行の一部の画素において、
    当該第1画素行の一部の画素からの信号が出力される出力期間に最も近い前記フローティングディフュージョンのリセット動作の終了から前記出力期間が終了する期間までに、当該第2画素行の一部の画素の前記フローティングディフュージョンへの電荷の転送を行わないことを特徴とする請求項16に記載の撮像装置。
JP2015229180A 2014-12-16 2015-11-24 撮像装置 Active JP6700740B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15197243.7A EP3035669B1 (en) 2014-12-16 2015-12-01 Driving method for image pickup apparatus
US14/965,185 US9743030B2 (en) 2014-12-16 2015-12-10 Driving method for image pickup apparatus, and image pickup apparatus
RU2015153193A RU2637728C2 (ru) 2014-12-16 2015-12-11 Способ возбуждения для устройства фиксации изображений и устройство фиксации изображений
CN201510933407.4A CN105704401B (zh) 2014-12-16 2015-12-15 摄像装置的驱动方法以及摄像装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014254582 2014-12-16
JP2014254582 2014-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016116214A JP2016116214A (ja) 2016-06-23
JP6700740B2 true JP6700740B2 (ja) 2020-05-27

Family

ID=56142395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015229180A Active JP6700740B2 (ja) 2014-12-16 2015-11-24 撮像装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6700740B2 (ja)
CN (1) CN105704401B (ja)
RU (1) RU2637728C2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6904772B2 (ja) * 2017-04-26 2021-07-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
CN108230975B (zh) * 2018-02-27 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示面板的检测方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3511772B2 (ja) * 1995-12-21 2004-03-29 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、カメラ装置及びカメラシステム
CN101057493B (zh) * 2004-11-02 2011-05-25 松下电器产业株式会社 图像传感器
JP5178994B2 (ja) * 2005-05-26 2013-04-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
JP4211849B2 (ja) * 2006-08-31 2009-01-21 ソニー株式会社 物理量検出装置、固体撮像装置及び撮像装置
JP5256711B2 (ja) * 2007-11-28 2013-08-07 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
JP5053869B2 (ja) * 2008-01-10 2012-10-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、及び固体撮像装置の駆動方法
JP5215262B2 (ja) * 2009-02-03 2013-06-19 オリンパスイメージング株式会社 撮像装置
US8405751B2 (en) * 2009-08-03 2013-03-26 International Business Machines Corporation Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion
JP5578915B2 (ja) * 2010-04-01 2014-08-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105704401B (zh) 2018-12-28
JP2016116214A (ja) 2016-06-23
RU2637728C2 (ru) 2017-12-06
RU2015153193A (ru) 2017-06-20
CN105704401A (zh) 2016-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6541523B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法
US9854195B2 (en) Image capturing apparatus, control method for the same, and storage medium
JP6482186B2 (ja) 撮像装置及びその駆動方法
JP4058459B1 (ja) 撮像装置及び撮像システム
JP6377947B2 (ja) 固体撮像素子および電子機器
JP6445866B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
JP2016127454A (ja) 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
JP5764784B2 (ja) 固体撮像装置
JP4807014B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
US9900536B2 (en) Image pickup system
US20150288903A1 (en) Solid-state image sensor, image capturing apparatus and control method thereof, and storage medium
JP6112960B2 (ja) 光電変換装置
JP6012196B2 (ja) 光電変換装置の駆動方法
JP6580069B2 (ja) 撮像装置の駆動方法、撮像装置、撮像システム
JP6362511B2 (ja) 撮像装置及びその制御方法
JP6700740B2 (ja) 撮像装置
EP3035669B1 (en) Driving method for image pickup apparatus
JP6574653B2 (ja) 撮像装置及び撮像システム
KR20140107212A (ko) 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법, 카메라 시스템
JP2019153822A (ja) 固体撮像素子、及び、固体撮像素子の制御方法
JP2005065069A (ja) 固体撮像装置
JP6049304B2 (ja) 固体撮像装置および撮像装置
JP2009021889A (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2009044458A (ja) 固体撮像装置
JP5624804B2 (ja) 読出し制御装置、読出し制御方法、プログラム、撮像装置および固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181018

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200317

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200501

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6700740

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151