WO2015199155A1 - スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜 - Google Patents

スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜 Download PDF

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sputtering
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齋藤　淳
張　守斌
一郎 塩野
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三菱マテリアル株式会社
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    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target, an optical functional film, and a laminated wiring film for sputtering an optical functional film that is laminated on a metal thin film to reduce reflection of the metal.
  • a projected capacitive touch panel has been used as an input means for portable terminal devices and the like.
  • this touch panel when a finger approaches a sensing electrode arranged on the touch panel substrate, a capacitance is formed between the fingertip and the electrode.
  • the touch position is detected by a control circuit or the like based on the change in capacitance.
  • an electrode for sensing is required, and this electrode is formed by patterning.
  • An X electrode extending in the X direction and a Y electrode extending in the Y direction are formed on one surface of the transparent substrate. And a technique of arranging them in a grid pattern is known (see, for example, Patent Document 1).
  • color filters intended for color display are employed in flat panel displays typified by liquid crystal display devices and plasma displays.
  • micro color filters of red (R), green (G), and blue (B) are formed in a matrix corresponding to each pixel.
  • a black member called a black matrix (hereinafter referred to as BM) is formed between the micro color filters for the purpose of improving the contrast and color purity and improving the visibility.
  • chromium (Cr) or a chromium compound is used, a light-shielding film made of a metal chromium single layer film, a laminated film of metal chromium and chromium oxide, or Cr metal, Cr oxide and Cr nitride. It has been proposed to form a low reflection film such as a laminated film (for example, see Patent Document 2).
  • the back electrode of the solar cell when sunlight enters through a glass substrate or the like, the back electrode of the solar cell is formed on the opposite side.
  • a metal film made of molybdenum (Mo), silver (Ag), or the like is used as the back electrode.
  • Mo molybdenum
  • Ag silver
  • the metallic luster is usually hidden by pasting a black back sheet or the like to protect the back electrode.
  • An ITO thin film has been used as an electrode for detecting the touch position on a conventional touch panel.
  • the use of an ITO thin film increases the resistance and the detection accuracy.
  • the metal wiring using this metal thin film has good reflection characteristics and reflects external light, so that the metallic luster of the wiring pattern is visible from the outside of the panel, making it difficult to use the touch panel. .
  • the present invention provides a film (hereinafter referred to as an optical functional film) for reducing the metallic luster of the wiring pattern of the touch panel screen and a film formed on the wiring of the metal thin film in the touch panel, and the optical functional film.
  • An object is to provide a sputtering target for film formation.
  • the present inventors pay attention to the fact that Mo oxide films, In oxide films, and the like have light absorption characteristics with respect to external light in the visible light region, in other words, the reflectance is extremely low and the appearance is black. did. That is, it has been found that the metallic luster of the wiring pattern can be reduced by forming the Mo or In oxide film on the metal thin film wiring.
  • a wiring pattern is formed after forming this oxide film on the surface of the metal thin film formed on the touch panel substrate. Then efficiency is good.
  • the metal thin film and the oxide film are usually etched with an etchant through a pattern mask.
  • the Mo or In oxide film is excellent in the etching property by the etching solution, but on the other hand, it has been found that the oxide film is inferior in reliability (chemical resistance and weather resistance).
  • said etching property is that a metal thin film and an oxide film are matched and etched, and it is preferable that there is no trouble in patterning, such as an etching rate and overetching.
  • the optical functional film containing an oxide of Cu and Fe can be used as a black member of a black matrix (BM) in a flat panel display, and also serves as protection of the back electrode of the solar cell panel. It can be provided instead of the back sheet, and it has been found to be suitable for hiding the metallic luster.
  • BM black matrix
  • a sputtering target which is one embodiment of the present invention includes, as a metal element, any one or two of Mo and In and one or two of Cu and Fe as a main component. Any one or two of them: 5 to 80 at% and any one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%, and a part or all of the metal element is made of an oxide.
  • the sputtering target which is one embodiment of the present invention includes, as a metal element, any one or two of Mo and In and one or two of Cu and Fe as a main component. Any one or two kinds: 5 to 80 at% and any one or two kinds of Cu and Fe: 20 to 95 at%.
  • the sputtering target according to one embodiment of the present invention is the sputtering target according to (1) or (2), wherein the metal element is at least one selected from Ni, Mn, and Co: 3 Contained ⁇ 10 at%.
  • the optical functional film which is one embodiment of the present invention includes, as a metal element, any one or two of Mo and In and one or two of Cu and Fe as main components, and Mo and In Any one or two of: 5 to 80 at% and any one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%.
  • the optical functional film which is an embodiment of the present invention is the optical functional film of (4), wherein the metal element is at least one selected from Ni, Mn and Co: 3 to 10 at % Oxide.
  • a laminated wiring film according to one aspect of the present invention is a laminated wiring film including a metal wiring film and an optical functional film laminated on the metal wiring film, wherein the optical functional film is a metal As an element, any one or two of Mo and In and one or two of Cu and Fe as a main component, one or two of Mo and In: 5 to 80 at%, Cu And any one or two of Fe: 20 to 95 at%.
  • the multilayer wiring film according to one aspect of the present invention is the multilayer wiring film according to (7), wherein the metal element is at least one selected from Ni, Mn, and Co: 3 to 10 at % Oxide.
  • the sputtering target of the present invention contains one or two of Mo and In: 5 to 80 at%, one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%, and further includes Ni. , At least one selected from Mn and Co: 3 to 10 at%, and part or all of the metal element is made of an oxide. Therefore, when a sputtering film is formed using this sputtering target, an optical functional film satisfying all of etching property, concealing property (reducing metallic luster of the wiring pattern) and reliability can be obtained. In addition, the appearance of the touch screen attached to the touch panel is improved, and the touch panel productivity is improved.
  • the optical functional film of the present invention can also be used as a black member of a black matrix (BM) in a flat panel display, and can be provided in place of a black back sheet that also serves as protection of the back electrode of the solar cell panel. Yes, it is suitable for hiding their metallic luster.
  • the laminated wiring film of the present invention is laminated with the optical functional film having the above-mentioned composition, it has excellent reflection characteristics and reliability.
  • any one or two of Mo and In and one or two of Cu and Fe are the main components, and any one of Mo and In.
  • Species or two types: 5 to 80 at% and any one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%, and a part or all of them are made of an oxide.
  • any 1 type or 2 types of Mo and In of all the metal components can be specified to 5 at% or more.
  • the reflectance does not become 30% or less at a wavelength of 400 to 800 nm of visible light. It becomes impossible to suppress the metallic luster.
  • the maximum value of the reflectance change before and after the constant temperature and humidity test is 15% or more, and either one or two of Mo and In Is 60 at% or more, the maximum value of the reflectance change is 10% or more, and when one or two of Mo and In is 50 at% or more, the maximum value of the reflectance change is 5% or more.
  • any one or two of Mo and In are preferable as they are low in order to improve the reliability of the oxide film.
  • any 1 type or 2 types of Cu and Fe of all the metal components can be specified to 20 at% or more.
  • the maximum value of the reflectance change before and after the constant temperature and humidity test is 15% or more at a wavelength of 400 to 800 nm in visible light.
  • the reliability of the material film decreases.
  • One or two of Cu and Fe are preferably set to 30 to 60 at%, but are not limited thereto.
  • the metal element one or two of Mo and In: 5 to 80 at%, and one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at.
  • at least one selected from Ni, Mn and Co can be contained: 3 to 10 at%, which has an effect of increasing the light absorption rate.
  • the metal component in the target it is preferable that at least one selected from Ni, Mn and Co among all metal components is 10 at% or less. When at least one selected from Ni, Mn, and Co exceeds 10 at%, the etching rate becomes slow.
  • the effect of increasing the light absorption rate is small and the effect of suppressing discoloration due to alkali is small.
  • the effect obtained cannot be obtained sufficiently.
  • Copper oxide, iron oxide, and molybdenum oxide may be discolored by alkali.
  • the hue of the optical functional film may change due to the resist remover (alkaline) used when removing the photoresist during wiring processing.
  • the resist remover alkaline
  • the oxide of any one of Ni, Mn, and Co has a reflection characteristic that is excellent in concealment like the oxides of Mo and In. Furthermore, it is not comparable to Cu and Fe, but is etchable. Therefore, by further containing any one of Ni, Mn, and Co, an optical functional film having further excellent etching properties, reflection characteristics, and reliability can be formed by sputtering.
  • the optical functional film formed by sputtering using the sputtering target according to the embodiment of the present invention described above is composed of one or two of Mo and In: 5 to 80 at% and Cu and Fe of the metal component. Any one or two types: 20 to 95 at% of an oxide, and further, as the metal component, at least one selected from Ni, Mn and Co: 3 to 10 at% Made of oxide.
  • the composition of the optical functional film is substantially the same as the composition of the sputtering target.
  • a rare gas such as argon is used.
  • the sputtering target which is embodiment of this invention is comprised with a metal, a metal oxide, or a metal and an oxide.
  • a metal oxide or a sputtering target made of a metal and an oxide is produced by, for example, a powder sintering method.
  • the sputtering target made of metal can be composed of an ingot by melt casting containing a metal element in the optical functional film according to an embodiment of the present invention, a sintered body of metal powder, or a green compact.
  • the ratio of argon to oxygen is preferably 0.01 to 0.30, but is not limited thereto.
  • the optical functional film having the above composition is laminated on the metal wiring film, the reflection characteristics and the reliability are excellent.
  • it contains at least one selected from Ni, Mn and Co: 3 to 10 at% it has excellent alkali resistance, and even when a resist remover is used, the hue of the optical functional film changes. Can be suppressed.
  • the laminated structure is not limited as long as the optical functional film is laminated on the metal wiring film, and the substrate / metal wiring film / optical functional film and the substrate / optical functional film are not limited.
  • a laminated structure such as: / metal wiring film, substrate / optical functional film / metal wiring film / optical functional film may be employed.
  • the thickness of the optical functional film is preferably in the range of 20 nm to 200 nm, and the thickness of the metal wiring film is in the range of 100 nm to 2000 nm. It is preferable to do.
  • the wiring width is preferably in the range of 2 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, and the difference (overetching amount) between the outermost edge portion and the innermost edge portion of the wiring is preferably 1 ⁇ m or less.
  • the particle size of the target tissue is preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • the particle size of the target tissue was determined by calculating the average particle size of the tissue using the cutting method of JIS H 0501. By setting the particle size of the target structure within the above range, abnormal discharge during sputtering can be suppressed.
  • Mo powder, Cu powder, and Fe powder are prepared, weighed so that the target composition ratio (only metal) shown in Table 1 is obtained, and each weighed powder is filled together with argon gas and mixed.
  • mixed powders of Examples 8, 14, and 19 were produced.
  • the mixed powders of Examples 8, 14, and 19 were used as raw materials, and were subjected to hot pressing in vacuum at a temperature of 950 ° C. and a pressure of 300 kgf / cm 2 (29.4 MPa) for 3 hours to obtain a sintered body.
  • These sintered bodies were machined into the above-mentioned predetermined shape, and a backing plate was attached to produce the sputtering targets of Examples 8, 14, and 19.
  • the particle size of the target tissue is preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • a granular Cu, In 2 O 3 powder is prepared, weighed so that the target composition ratio (metal only) shown in Table 1 is obtained, and each weighed powder is filled in a mixing device and mixed.
  • Mixed powders of Examples 34, 40, and 42 were produced.
  • hot pressing was performed in a vacuum at a temperature of 950 ° C. and a pressure of 300 kgf / cm 2 (29.4 MPa) for 3 hours to prepare a sintered body.
  • These sintered bodies were machined into the above-described predetermined shape, and a backing plate was attached to produce the sputtering targets of Examples 34, 40, and 42.
  • the particle size of the target tissue is preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • granular Mo, Fe 3 O 4 powder is prepared, weighed so as to be the target composition ratio (metal only) shown in Table 1, and each weighed powder is filled in a mixing device and mixed, Mixed powders of Examples 7 and 16 were produced.
  • hot pressing was performed in a vacuum at a temperature of 850 ° C. and a pressure of 300 kgf / cm 2 (29.4 MPa) for 3 hours to prepare a sintered body.
  • sintered bodies were machined into the above-mentioned predetermined shape, and a backing plate was attached to produce the sputtering targets of Examples 7 and 16.
  • the particle size of the target tissue is preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less.
  • sputtering targets of Comparative Examples 1 to 18 were prepared in the same manner as in the case of the examples (for oxide sputtering targets) with the charge compositions shown in Table 3.
  • the content of any of the metal elements is outside the target composition ratio range in the examples.
  • an oxide is used as a raw material, and the entire target is composed of an oxide.
  • Tables 7 to 9 show the results of analyzing the metal component composition by ICP for the optical functional films formed by sputtering using the oxide sputtering targets of Examples 1 to 75 and Comparative Examples 1 to 18. ⁇ Film formation> Using the sputtering targets of the above examples and comparative examples, sputtering film formation was performed under the following film formation conditions.
  • ⁇ Power supply DC power supply ⁇ Power: 600 W (Ag film only, 200 W) ⁇ Gas pressure: 0.2Pa ⁇ Gas flow rate: In the case of an optical functional film Ar + O 2 : 50 sccm In the case of Cu, Al, Ag, Mo film Ar: 50 sccm ⁇ Distance between target substrates: 70mm ⁇ Substrate: Glass substrate (Eagle XG) -Substrate temperature: Room temperature-Substrate size: 20mm square-Thickness: 50nm The ratio of Ar and O 2 in the case of forming an optical functional film: O 2 / (Ar + O 2 ) is shown in the column “O 2 / (Ar + O 2 )” in Tables 10 to 12. .
  • the optical functional film (laminated film) laminated by sputtering film formation on the metal thin film using the sputtering targets of Examples 1 to 75 and Comparative Examples 1 to 18 the average reflectance and the constant temperature and humidity test before and after The maximum value of reflectance change was measured. Furthermore, the alkali resistance was evaluated.
  • Sputtering film formation was performed under the same film formation conditions as described above. Note that an oxide film (optical functional film) having a thickness of 50 nm and a metal film using any one of copper, aluminum, silver, and molybdenum having a thickness of 200 nm are sequentially stacked on a glass substrate (Eagle XG). Filmed.
  • Al was used
  • Ag was used
  • Mo was used
  • Cu was used as a metal film.
  • the metal film is for metal wiring, and each metal sputtering target was used for the film formation. The metals used for this metal film are shown in the “Metal film” column of Tables 10-12.
  • the reflectance was measured for the laminated film formed on the glass substrate as described above.
  • a spectrophotometer (U4100 manufactured by Hitachi) was used and measured at a wavelength of 400 to 800 nm from the glass substrate side. Then, measurement was performed on four samples prepared in the same manner, and the average values were obtained by averaging the measured values obtained at wavelengths of 400 to 800 nm. The measurement results are shown in the “average reflectance (%)” column of Tables 10 to 12.
  • the reflectance within the above wavelength range was measured by the above-described method, and was defined as the reflectance after the test. And the reflectance change of each of the wavelength of 400, 500, 600, 700, 800 nm before and after a test was calculated
  • any of the sputtering targets of Examples 1 to 75 any one or two of Mo and In: 5 to 80 at% and any one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%. All of the laminated films formed by sputtering using these sputtering targets have an average reflectance of 30% or less, and the metal gloss of the wiring pattern due to reflection of external light by the film itself can be reduced. I understood. Further, it was confirmed that the reflectance change before and after the constant temperature and humidity test was small and reliable. Furthermore, in Examples 1 to 71 in which at least one selected from Ni, Mn, and Co is 10 at% or less, the etching rate for the optical function film is as high as that of the metal film formed by lamination.
  • the optical functional films formed by sputtering using the sputtering targets of Comparative Examples 1 to 3, 7 to 9, and 13 to 15 all have a total of 5 at% of either one or two of Mo and In. Since the average reflectivity of the laminated film was higher than 30%, it was inferior in concealment.
  • the optical functional films formed by sputtering using the sputtering targets of Comparative Examples 4 to 6, 10 to 12, and 16 to 18 are both laminated with one or two of Mo and In exceeding 80 at%. The reflectance change before and after the test of the film was large, and the reliability was inferior.
  • any one or two of Mo and In: 5 to 80 at%, one or two of Cu and Fe: 20 to 95 at%, and further, Ni, Mn And optical functional film formed by sputtering using a sputtering target containing at least one selected from Co and Co: 3 to 10 at% is etching property, concealment property (reduction of metallic luster of wiring pattern), reliability It was confirmed that both were satisfied.
  • the surface roughness is 5.0 ⁇ m or less, more preferably 1.0 ⁇ m or less, and the impurity concentration is 0.1 atomic% or less, more preferably 0.05 atomic%.
  • the bending strength 50 MPa or more, more preferably 100 MPa or more is preferable.
  • the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment and examples, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
  • the sintering is performed by hot pressing, but other methods such as HIP method (hot isostatic pressing method) and atmospheric pressure sintering method are adopted. It doesn't matter. Moreover, you may employ
  • the sputtering target of the present invention can form an optical functional film satisfying all of etching property, concealment property and reliability.
  • This optical functional film can also be used as a black member of BM in a flat panel display, and can also be provided in place of a black back sheet to protect the back electrode of a solar cell panel. It is suitable for hiding.
  • the laminated wiring film of the present invention is laminated with the optical functional film having the above-mentioned composition, it has excellent reflection characteristics and reliability.

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Abstract

　本発明のスパッタリングターゲットは、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、前記金属元素の一部又は全部が酸化物からなる。

Description

スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜
　本発明は、金属薄膜に積層されて、金属の反射を低減する光学機能膜をスパッタリング成膜するためのスパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜に関する。
　本願は、２０１４年６月２７日に、日本に出願された特願２０１４－１３２５２４号、及びに２０１５年６月９日に、日本に出願された特願２０１５－１１６８２６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　近年、携帯端末装置などの入力手段として、投影型静電容量方式のタッチパネルが利用されている。このタッチパネルでは、タッチパネルの基板上に配置されたセンシング用の電極に指が近づくと、指先と電極との間に静電容量が形成される。この方式のタッチパネルでは、この容量の変化に基づいて、制御回路等によりタッチ位置を検出している。タッチ位置検出のためには、センシング用の電極が必要であり、この電極をパターニングで形成するが、透明基板の一方の面に、Ｘ方向に伸びたＸ電極とＹ方向に伸びたＹ電極とを設け、それらを格子状に配置する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
　また、液晶表示装置やプラズマディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイでは、カラー表示を目的としたカラーフィルターが採用されている。このカラーフィルターには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のマイクロカラーフィルターが各画素に対応してマトリクス状に形成されている。また、コントラストや色純度を良くし、視野性を向上させることを目的として、これらマイクロカラーフィルター相互間に、ブラックマトリクス（以下、ＢＭという）と呼ばれる黒色の部材が形成されている。
　このＢＭには、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物が使用され、金属クロム単層膜からなる遮光膜や、金属クロムと酸化クロムとの積層膜、又は、Ｃｒ金属、Ｃｒ酸化物及びＣｒ窒化物の積層膜などの低反射膜を形成することが提案されている（例えば、特許文献２を参照）。さらには、ニッケル（Ｎｉ）とバナジウム（Ｖ）との合金、又は、ＮｉとＶとの酸化物、窒化物若しくは酸窒化物からなる遮光膜を形成すること（例えば、特許文献３を参照）、窒化タングステン（Ｗ）膜を遮光膜として形成すること（例えば、特許文献４を参照）も提案されている。
　一方、太陽電池パネルにおいて、ガラス基板等を介して太陽光が入射される場合、その反対側には、太陽電池の裏面電極が形成されている。この裏面電極として、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）などによる金属膜が用いられる。この様な太陽電池パネルを裏面側から見たとき、その裏面電極である金属膜がそのまま見えてしまうと、金属光沢を呈しているため、製品として見栄えが悪い。そこで、通常、この裏面電極の保護も兼ねて、黒色のバックシートを貼り付けるなどして、その金属光沢を隠している。
特開２０１３－２３５３５４号公報 特開２００２－１８２１９０号公報 特開２００１－２３４２６７号公報 特開２０１３－０７９４３２号公報
　従来のタッチパネルにおけるタッチ位置を検出するための電極には、ＩＴＯ薄膜が用いられていたが、タッチパネルの大面積化に伴って、ＩＴＯ薄膜を用いたのでは、抵抗が高くなり、また、検出精度も低下するという問題があった。そこで、近年では、ＩＴＯ薄膜の代わりに、低抵抗の金属薄膜をメタル配線として用いることが提案されている。しかしながら、この金属薄膜を用いたメタル配線は、良好な反射特性を示し、外部光を反射するため、配線パターンの金属光沢がパネル外部から見えてしまい、タッチパネルを使いづらくしているという問題がある。
　そこで、本発明は、タッチパネルにおける金属薄膜の配線上に成膜して、タッチパネル画面の配線パターンの金属光沢を低減する膜（以下、光学機能膜と称する）、及び、この光学機能膜をスパッタリング成膜するためのスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
　本発明者らは、Ｍｏ酸化物膜や、Ｉｎ酸化物膜などが、可視光領域の外部光に対する光吸収特性を有し、言い換えれば、反射率が極めて低く、外観が黒色を呈することに着目した。即ち、Ｍｏ又はＩｎの酸化物膜を金属薄膜の配線上に成膜することにより、配線パターンの金属光沢を低減できることが分かった。
　ところで、この酸化物膜をタッチパネルの配線上に形成する際、生産性を考慮すると、タッチパネル基板上に成膜された金属薄膜の表面に、この酸化物膜を成膜した後に、配線パターンを形成すると効率がよい。この配線パターン化では、通常、エッチング液により、パターンマスクを介して、金属薄膜と酸化物膜とがエッチングされる。ここで、Ｍｏ又はＩｎの酸化物膜は、エッチング液によるエッチング性に優れているといえる反面、信頼性（耐薬品性、耐候性）に劣ることが判明した。なお、上記のエッチング性とは、金属薄膜と酸化物膜とが整合してエッチングされることであり、エッチング速度、オーバーエッチングなど、パターン化において支障がないことが好ましい。
　そこで、Ｍｏ又はＩｎの酸化物膜の信頼性を向上するには、信頼性に優れた効果を発揮するＣｕ、Ｆｅを添加すると有効であるという知見が得られたので、この光学機能膜のスパッタリング成膜に用いるスパッタリングターゲットに、Ｃｕ、Ｆｅを加えておき、この光学機能膜をスパッタリング成膜すると、Ｃｕ、Ｆｅの酸化物を含む光学機能膜が得られることが確認された。また、このＣｕ、Ｆｅの酸化物を含む光学機能膜は、フラットパネルディスプレイにおけるブラックマトリクス（ＢＭ）の黒色の部材としても利用でき、さらには、太陽電池パネルの裏面電極の保護も兼ねて、黒色のバックシートの代わりに設けることも可能であり、それらの金属光沢を隠ぺいするのに好適であることが分かった。
　したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
（１）本発明の一態様であるスパッタリングターゲットは、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、前記金属元素の一部又は全部が酸化物からなる。
（２）本発明の一態様であるスパッタリングターゲットは、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した金属からなる。
（３）本発明の一態様であるスパッタリングターゲットは、前記（１）又は（２）のスパッタリングターゲットにおいて、前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した。
（４）本発明の一態様である光学機能膜は、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した酸化物からなる。
（５）本発明の一態様である光学機能膜は、前記（４）の光学機能膜において、前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した酸化物からなる。
（６）本発明の一態様である光学機能膜は、金属に積層され、前記光学機能膜側から測定された平均反射率が３０％以下である。
（７）本発明の一態様である積層配線膜は、金属配線膜と、この金属配線膜に積層された光学機能膜と、を備えた積層配線膜であって、前記光学機能膜は、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した酸化物からなる。
（８）本発明の一態様である積層配線膜は、前記（７）の積層配線膜において、前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した酸化物からなる。
　本発明のスパッタリングターゲットは、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、さらには、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有し、金属元素の一部又は全部が酸化物からなる。そのため、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜すると、エッチング性、隠ぺい性（配線パターンの金属光沢低減）、信頼性のいずれも満足した光学機能膜が得られる。また、タッチパネルに装着されるタッチ画面の見栄えも良くなり、しかも、タッチパネルの生産性向上に寄与する。さらに、本発明の光学機能膜は、フラットパネルディスプレイにおけるブラックマトリクス（ＢＭ）の黒色の部材としても利用でき、太陽電池パネルの裏面電極の保護も兼ねた黒色バックシートの代わりに設けることも可能であり、それらの金属光沢を隠ぺいするのに好適である。また、本発明の積層配線膜は、上述の組成からなる光学機能膜が積層されているので、反射特性、信頼性に優れている。
　本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットでは、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、一部又は全部が酸化物からなることを特徴としている。上記の構成により、エッチング性、反射特性、信頼性に優れた光学機能膜をスパッタリング成膜できる。なお、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種の合計含有量が５０ａｔ％以上とされ、これらの金属元素が主成分とされている。
　ここで、ターゲット中の金属成分について、全金属成分のうちのＭｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種を５ａｔ％以上に特定することができる。Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種が５ａｔ％未満になると、可視光のうち、４００～８００ｎｍの波長において、反射率が３０％以下にならず、この積層膜の反射によって、配線パターンの金属光沢を抑えることができなくなる。また、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種が８０ａｔ％以上では、恒温恒湿試験の前後における反射率変化の最大値が１５％以上であり、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種が６０ａｔ％以上では、反射率変化の最大値が１０％以上であり、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種が５０ａｔ％以上であると、反射率変化の最大値が５％以上であるので、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種は、酸化物膜の信頼性を向上するうえでは、低い程好ましい。上記を考慮すると、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種を、４０～７０ａｔ％に設定することが好ましいが、これに限定されることはない。また、全金属成分のうちのＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を２０ａｔ％以上に特定することができる。Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種が２０ａｔ％未満になると、可視光のうち、４００～８００ｎｍの波長において、恒温恒湿試験の前後における反射率変化の最大値が１５％以上であり酸化物膜の信頼性が低下する。Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種が９５ａｔ％を超えると、可視光のうち、４００～８００ｎｍの波長において、反射率が３０％以下にならず、この積層膜の反射によって、配線パターンの金属光沢を抑えることができなくなる。Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を、３０～６０ａｔ％に設定することが好ましいが、これに限定されることはない。
　また、本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットでは、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％に加えて、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有させることができ、光吸収率を上げる効果がある。ここで、ターゲット中の金属成分について、全金属成分のうちのＮｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種を１０ａｔ％以下とすることが好ましい。このＮｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種が１０ａｔ％を超えると、エッチング速度が遅くなる。また、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種が３ａｔ％未満の場合には、光吸収率を上げる効果が小さく、アルカリによる変色を抑える効果も少なくなるため、これらの元素を添加した効果を十分に得ることができないおそれがある。
　また、酸化銅、酸化鉄、酸化モリブデンは、アルカリによって変色するおそれがある。この結果、配線加工時においてフォトレジスト除去時に使用するレジスト除去剤（アルカリ性）により、光機能膜の色相が変化してしまうおそれがある。ここで、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有させることにより、アルカリによる変色を抑えることが可能となり、レジスト除去剤による光機能膜の色相変化を抑制することができる。Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種を、５～１０ａｔ％含有することが好ましいが、これに限定されることはない。
　Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのいずれかの酸化物は、Ｍｏ、Ｉｎの酸化物と同様に、隠ぺい性に優れた反射特性を有しており、さらに、Ｃｕ、Ｆｅと同程度ではないが、エッチング性において良好であるので、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのいずれかをさらに含有させることによって、エッチング性、反射特性、信頼性に一層優れた光学機能膜をスパッタリング成膜できる。
　上述した本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、金属成分について、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した酸化物からなり、さらには、前記金属成分として、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％と含有した酸化物からなる。ここで、酸化物からなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングにより成膜する場合、光学機能膜の組成は、スパッタリングターゲットの組成とほぼ同様の構成になる。本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜するときには、アルゴン等の希ガスを用いて行われる。
　なお、本発明の実施形態であるスパッタリングターゲットは、金属、金属酸化物、又は、金属と酸化物で構成される。金属酸化物、又は、金属と酸化物からなるスパッタリングターゲットは、例えば、粉末焼結法で製造される。金属からなるスパッタリングターゲットは、本発明の実施形態である光学機能膜における金属元素を含有した溶解鋳造による鋳塊、金属粉の焼結体、又は、圧粉体で構成することができる。金属を多く含むスパッタリングターゲットを用いて、本発明の実施形態である光学機能膜をスパッタリング成膜するときには、アルゴンのみでなく酸素も加えて行うとよい。アルゴンと酸素との割合（Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２））は、０．０１～０．３０とすることが好ましいが、これに限定されることはない。
　本発明の実施形態である積層配線膜においては、金属配線膜の上に上述の組成からなる光学機能膜が積層されているので、反射特性、信頼性に優れている。また、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有する場合には、耐アルカリ性に優れており、レジスト除去液使用時においても、光学機能膜の色相変化を抑制することができる。
　また、本発明の実施形態である積層配線膜においては、金属配線膜に光学機能膜が積層されていれば積層構造に限定はなく、基板／金属配線膜／光学機能膜、基板／光学機能膜／金属配線膜、基板／光学機能膜／金属配線膜／光学機能膜、といった積層構造としてもよい。
　さらに、本発明の実施形態である積層配線膜においては、光学機能膜の膜厚は２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましく、金属配線膜の膜厚は１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の範囲内とすることが好ましい。また、配線幅は、２μｍ以上３０μｍ以下の範囲内とすることが好ましく、配線の最外縁部と最内縁部との差異（オーバーエッチング量）が１μｍ以下であることが好ましい。
　つぎに、この発明のスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットで成膜される光学機能膜について、以下に、実施例により具体的に説明する。
〔実施例〕
　先ず、スパッタリングターゲットを製造するため、ＭｏＯ２粉末、Ｉｎ２Ｏ３粉末、ＣｕＯ粉末、Ｆｅ３Ｏ４粉末、ＮｉＯ粉末、Ｍｎ２Ｏ３粉末、及び、Ｃｏ３Ｏ４粉末を用意した。次に、表１及び表２に示されたターゲット組成比（金属のみ）になるように秤量し、秤量された各粉末を混合装置に充填し混合して、実施例１～６、９～１３、１５、１７～１８、２０～２６、２８～３２、３５～３９、４１、４３～７５の混合粉末を作製した。各実施例の混合粉末を原料にして、温度：７００℃、圧力：３００ｋｇｆ/ｃｍ２（２９．４ＭＰａ）にて、３時間、真空中にてホットプレスを行い、焼結体を作製した。これらの焼結体を、直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：６ｍｍに機械加工した後に、Ｃｕ製のバッキングプレートにＩｎはんだにて張り付けて、実施例１～６、９～１３、１５、１７～１８、２０～２６、２８～３２、３５～３９、４１、４３～７５のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲット組織の粒径は２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。ターゲット組織の粒径はＪＩＳ　Ｈ　０５０１の切断法を用いて組織の平均粒径を算出することにより求めた。ターゲット組織の粒径を前記範囲に設定することで、スパッタ時の異常放電を抑制することができる。
　他方、Ｍｏ粉末、Ｃｕ粉末及びＦｅ粉末を用意し、表１に示されたターゲット組成比（金属のみ）になるように秤量し、秤量された各粉末を混合装置にアルゴンガスとともに充填し混合して、実施例８、１４、１９の混合粉末を作製した。この実施例８、１４、１９の混合粉末を原料にして、温度：９５０℃、圧力：３００ｋｇｆ/ｃｍ２（２９．４ＭＰａ）にて、３時間、真空中にてホットプレスを行い、焼結体を作製した。これらの焼結体を、上述の所定形状に機械加工し、バッキングプレートを貼着して、実施例８、１４，１９のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲット組織の粒径は２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。
　さらに、粒状のＣｕ、Ｉｎを用意し、表１に示されたターゲット組成比（金属のみ）になるように秤量し、秤量された各原料を黒鉛るつぼの中に投入、高周波加熱炉で１２００℃まで加熱溶解させ、所定サイズの黒鉛型に投入した。その後、放冷し室温まで冷却し、実施例２７、３３の成形体を作製した。これらの成形体を、上述の所定形状に機械加工し、バッキングプレートを貼着して、実施例２７、３３のスパッタリングターゲットを作製した。
　さらに、粒状のＣｕ、Ｉｎ２Ｏ３粉末を用意し、表１に示されたターゲット組成比（金属のみ）になるように秤量し、秤量された各粉末を混合装置に充填し混合して、実施例３４、４０、４２の混合粉末を作製した。各実施例の混合粉末を原料にして、温度：９５０℃、圧力：３００ｋｇｆ／ｃｍ２（２９．４ＭＰａ）にて、３時間、真空中にてホットプレスを行い、焼結体を作製した。これらの焼結体を、上述の所定形状に機械加工し、バッキングプレートを貼着して、実施例３４、４０、４２のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲット組織の粒径は２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。
　さらに、粒状のＭｏ、Ｆｅ３Ｏ４粉末を用意し、表１に示されたターゲット組成比（金属のみ）になるように秤量し、秤量された各粉末を混合装置に充填し混合して、実施例７、１６の混合粉末を作製した。各実施例の混合粉末を原料にして、温度：８５０℃、圧力：３００ｋｇｆ／ｃｍ２（２９．４ＭＰａ）にて、３時間、真空中にてホットプレスを行い、焼結体を作製した。これらの焼結体を、上述の所定形状に機械加工し、バッキングプレートを貼着して、実施例７、１６のスパッタリングターゲットを作製した。ターゲット組織の粒径は２０μｍ以下が好ましく、より好ましくは１０μｍ以下である。
〔比較例〕
　上記実施例と比較するため、実施例（酸化物のスパッタリングターゲットのもの）の場合と同様にして、表３に示される仕込み組成で、比較例１～１８のスパッタリングターゲットを作製した。比較例１～１８の場合には、金属元素のいずれかの含有量が、実施例におけるターゲット組成比の範囲外となっている。なお、これら比較例１～１８のスパッタリングターゲットにおいては、酸化物を原料としており、ターゲット全体が酸化物で構成されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　次に、上記で製造された実施例及び比較例の酸化物スパッタリングターゲットについて、ＩＣＰにより金属成分組成の分析を行った結果を表４～６に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　実施例１～７５及び比較例１～１８の酸化物スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜した光学機能膜について、ＩＣＰにより金属成分組成の分析を行った結果を表７～９に示した。
＜成膜＞
　上記実施例及び比較例のスパッタリングターゲットを用いて、以下の成膜条件で、スパッタリング成膜を行った。
・電源：直流電源
・電力：６００Ｗ（Ａｇ膜のみ、２００Ｗ）
・ガス圧：０．２Ｐａ
・ガス流量：光学機能膜の場合　Ａｒ＋Ｏ２：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ膜の場合　Ａｒ：５０ｓｃｃｍ
・ターゲット基板間距離：７０ｍｍ
・基板：ガラス基板（Ｅａｇｌｅ　ＸＧ）
・基板温度：室温
・基板サイズ：２０ｍｍ角
・厚さ：５０ｎｍ
　なお、光学機能膜を成膜する場合のＡｒとＯ２との割合：Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）については、表１０～表１２の「Ｏ２／（Ａｒ＋Ｏ２）」欄に示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　さらに、実施例１～７５及び比較例１～１８のスパッタリングターゲットを用いて金属薄膜上にスパッタリング成膜で積層した光学機能膜（積層膜）について、平均反射率と、恒温恒湿試験の前後における反射率変化の最大値を計測した。さらに、耐アルカリ性について評価した。
＜反射率の測定＞
　上述と同様の成膜条件で、スパッタリング成膜を行った。なお、ガラス基板（Ｅａｇｌｅ　ＸＧ）上に、厚さ：５０ｎｍの酸化物膜（光学機能膜）、厚さ：２００ｎｍの銅、アルミニウム、銀又はモリブデンのいずれかを用いた金属膜の順に、積層成膜した。なお、実施例６９には、Ａｌを、実施例７０には、Ａｇを、実施例７１には、Ｍｏを、それ以外の実施例及び比較例には、Ｃｕをそれぞれ用いて、金属膜とした。金属膜は、メタル配線用であり、その成膜には、それぞれの金属スパッタリングターゲットを用いた。なお、この金属膜に用いた金属を、表１０～１２の「金属膜」欄に示した。
　次に、上記のようにガラス基板上に形成された積層膜について、反射率を測定した。この測定では、分光光度計（日立製Ｕ４１００）を用い、ガラス基板側から４００～８００ｎｍの波長において測定した。そして、同様に作製した４サンプルで測定し、４００～８００ｎｍの波長で得られた測定値を平均して、平均反射率を求めた。その測定結果を、表１０～表１２の「平均反射率（％）」欄に示した。
＜恒温恒湿試験前後の反射率変化の測定＞
　さらに、上記のようにガラス基板上に形成された積層膜について、以下に示す試験条件で、恒温恒湿試験を行った。
・温度：８５℃
・湿度：８５％
・保持時間：２５０時間
　この恒温恒湿試験後に、上述した手法で、上記波長範囲内の反射率を測定し、試験後の反射率とした。そして、試験前後における４００、５００、６００，７００，８００ｎｍの波長のそれぞれの反射率変化を求めた。上記５波長のうち、試験前後で反射率の変化が最大であった波長の反射率変化の値を反射率変化の最大値として求めた。評価結果を表１０～表１２の「反射率変化最大値」の「恒温恒湿」の欄に示した。
＜耐アルカリ性の評価＞
　ガラス基板上に、厚さ５０ｎｍの光学機能膜を成膜した。光学機能膜を成膜したガラス基板を、４０℃のレジスト剥離液（東京応化工業株式会社製１０４）及び５ｍａｓｓ％の濃度のＮａＯＨ水溶液に１０分間浸漬し、浸漬前後の反射率を上述の手順で測定して反射率変化の最大値を求めた。評価結果を表１０～表１２の「反射率変化最大値」の「１０４」及び「ＮａＯＨ」の欄に示した。
＜エッチング速度の測定＞
　次いで、上述した手法で、ガラス基板上に形成された厚さ５０ｎｍの光学機能膜について、以下に示すエッチング条件で、エッチング試験を行った。エッチング試験は光学機能膜が溶けきるまでの時間を計測し、エッチング速度を算出した。その結果を、表１０～表１２の「エッチング速度（ｎｍ／ｓｅｃ）」欄に示した。
・方法：ディップ法
・エッチング液：ＳＥＡ２（関東化学株式会社製）
・液温：４０℃
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　以上の結果によれば、実施例１～７５のスパッタリングターゲットのいずれにおいても、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有していた。これらのスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された積層膜は、いずれも、平均反射率が３０％以下を示しており、膜自体による外部光の反射に起因する配線パターンの金属光沢を低減できることが分かった。また、恒温恒湿試験の前後における反射率変化も小さく、信頼性があることが確認された。さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種が１０ａｔ％以下である実施例１～７１では、上記光学機能膜に対するエッチング速度が、積層成膜された金属膜と同程度の速さであることが確認され、積層成膜された光学機能膜と金属膜とを同時にパターニングするうえで、エッチングに何ら支障がないことが分かった。
　従って、実施例１～７５のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、隠ぺい性（配線パターンの金属光沢低減）、信頼性のいずれもの特性を備えていることが確認された。また、実施例１～７１のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、さらに良好なエッチング性を備えていることが確認された。
　さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種を含有した実施例６２－６８，７２－７５においては、アルカリ液に浸漬後の反射率の変化が少なく、耐アルカリ性に優れていることが確認された。
　なお、実施例１～７５を用いてスパッタリング成膜された積層膜においては、４０℃のレジスト剥離液（東京応化工業株式会社製１０４）に１０分間浸漬しても、反射率の変化が少なく、エッチングによって配線を形成した場合であっても、反射率が大きく変化しないことが確認された。
　一方、比較例１～３、７～９、１３～１５のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、いずれも、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種の合計が５ａｔ％より低く、積層膜の平均反射率が３０％を超えているため、隠ぺい性の点で劣っていた。比較例４～６、１０～１２、１６～１８のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、いずれも、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種が８０ａｔ％を超え、積層膜の試験前後の反射率変化が大きく、信頼性の点で劣っていた。
　以上の様に、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、さらには、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有するスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜された光学機能膜は、エッチング性、隠ぺい性（配線パターンの金属光沢低減）、信頼性のいずれも満足していることが確認された。
　なお、本発明を、スパッタリングターゲットとして利用するためには、面粗さ：５．０μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下、不純物濃度：０．１原子％以下、より好ましくは０．０５原子％以下、抗折強度：５０ＭＰａ以上、より好ましくは１００ＭＰａ以上であることが好ましい。
　また、本発明の技術範囲は上記実施形態および上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　例えば、上記実施形態および上記実施例では、焼結をホットプレスによって行っているが、他の方法としてＨＩＰ法（熱間等方加圧式焼結法）や常圧焼結法等を採用しても構わない。
　また、基材はガラス以外の金属やフィルム等を採用しても構わない。
　本発明のスパッタリングターゲットは、エッチング性、隠ぺい性、信頼性のいずれも満足した光学機能膜を成膜することができる。この光学機能膜は、フラットパネルディスプレイにおけるＢＭの黒色の部材としても利用でき、太陽電池パネルの裏面電極の保護も兼ねて、黒色のバックシートの代わりに設けることも可能であり、それらの金属光沢を隠ぺいするのに好適である。また、本発明の積層配線膜は、上述の組成からなる光学機能膜が積層されているので、反射特性、信頼性に優れている。

Claims (8)

  1. 　金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有し、前記金属元素の一部又は全部が酸化物からなるスパッタリングターゲット。
  2. 　金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した金属からなるスパッタリングターゲット。
  3. 　前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
  4. 　金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した酸化物からなる光学機能膜。
  5. 　前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した酸化物からなる請求項４に記載の光学機能膜。
  6. 　金属に積層され、前記光学機能膜側から測定された平均反射率が３０％以下である請求項４又は請求項５に記載の光学機能膜。
  7. 　金属配線膜と、この金属配線膜に積層された光学機能膜と、を備えた積層配線膜であって、
    　前記光学機能膜は、金属元素として、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種及びＣｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種を主成分とし、Ｍｏ及びＩｎのいずれか１種又は２種：５～８０ａｔ％と、Ｃｕ及びＦｅのいずれか１種又は２種：２０～９５ａｔ％とを含有した酸化物からなる積層配線膜。
  8. 　前記光学機能膜は、前記金属元素として、さらに、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｏのうちから選択された少なくとも１種：３～１０ａｔ％を含有した酸化物からなる請求項７に記載の積層配線膜。
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