CN100452205C - 光学信息记录介质中使用的记录膜、光学信息记录介质以及溅射靶 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15%或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。

Description

光学信息记录介质中使用的记录膜、光学信息记录介质以及溅射靶

技术领域

本发明属于涉及在光学信息记录介质中使用的记录膜、光学信息记录介质以及溅射靶的技术领域，更具体而言，涉及一种在不同于现有有机染料的光学信息记录介质中使用的记录膜以及使用这种属于与光学信息记录介质有关的技术领域的记录膜的光学信息记录介质，所述记录膜用于一次性写入的光学信息记录介质如CD-R、DVD-R、一次性写入的蓝光光盘、一次性写入的HD DVD，等等。

背景技术

光盘包括几种类型并且考虑到记录/再现原理，它们通常区分为只读、一次性写入类、可重复写入类这三种类型。

其中，一次性写入类型的磁盘具有这样一种结构，其中在透明塑料基底上涂敷偶氮或花青类型的有机染料作为记录层，并且在其上形成包括Al合金或Ag合金的反射层。

在一次性写入类型的磁盘中，染料记录层的反射率通过由激光辐射使其部分分解和变性来改变，并记录信号。由于染料记录层的分解和变性是不可逆变化，因此在一次性写入类型的磁盘中只能进行一次信号记录，这就是与在同一位置能够反复改写的可重复写入的磁盘的不同之处。

在使用染料的这种一次性写入磁盘中，必须在生产磁盘的过程中使用旋转式涂布机形成染料，因此，涉及到难于控制染料记录层的厚度、难于形成多层结构以及低生产率的问题。

鉴于上述考虑，近年来提出了一种通过真空处理形成无机薄膜的新型磁盘。关于这种无机类型的一次性写入膜，提出了例如使用Te-O-Pd薄膜进行激光加热从而不可逆地改变组织的方法[WO98-09823(日本专利申请10-512489)]，或通过加热使包含作为主要成分的Ge、Si和Sn的层与包含作为主要成分的Cu、Al、Zn、和Ag的层进行混合的方法(JP-A-2004-158145)。

考虑到这个原理，同时也可能使用利用所谓的相变材料如Ge-Sb-Te或Ag-In-Sb-Te的相变类型磁盘作为一次性写入类型的磁盘，但是由于它们具有包括至少4～5层薄膜的复杂结构，因此它们在成本或生产率方面与现有的染料类型一次性写入类型的介质相比没有优势。

发明内容

如上所述，染料记录层的使用涉及难于控制染料记录层的厚度、难于形成多层结构以及低生产率的问题。此外，在使用现有的无机类膜作为记录膜的情况下，它涉及鉴于耐久性(记录保持性)的问题，并且具有例如在防潮性能和耐热性试验之后信号特征变差的问题。

本发明鉴于上述情况而获得，并且欲提供一种具有优异生产率和耐久性(记录保持性)的在光学信息记录介质中使用的记录膜，以及提供这样的一种信息记录介质。

在无机薄膜自身通过激光辐射加热(激光加热)熔融并且物理形成小孔或改变构造而进行记录的体系(在下文中也称为激光加热熔融记录体系)中，该薄膜相当于记录膜。按照这个体系的记录膜具有非常优异的生产率并且也具有优异的耐久性(记录保持性)。因此，上述目的可以在按照该体系可获得表现出良好性能的那些膜作为记录膜(能够进行充分记录的记录膜)的情况下实现。

鉴于上述情况，本发明人在观察激光加热熔融记录体系的同时进行了认真的研究，结果发现，薄膜材料被控制为适当的热导率、光吸收性能和熔融温度(熔点)，就可以使在按照激光加热熔融记录体系的光学信息记录介质中所使用的记录膜具有有利的性能，因而完成了本发明。上述目的可以根据本发明获得。

如上所述完成并且能够获得上述目的的本发明涉及一种在光学信息记录介质中使用的记录膜、光学信息记录介质以及溅射靶，其包括在根据本发明的第一个至第九特征的光学信息记录介质中使用的记录膜、根据本发明的第十个至第十六个特征的光学信息记录介质以及根据本发明的第十七个至第二十五个特征的溅射靶，并且它们构成如下。

也就是说，本发明第一特征的用于光学信息记录介质的记录膜具有0.8W/Kcm或更小的热导率、对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高以及从300～800℃的熔融温度(本发明的第一特征)。

在本发明第二特征中用于光学信息记录介质的记录膜是第一特征的记录膜，其中反射率为20％或更高(本发明的第二特征)。

在本发明第三特征中的用于光学信息记录介质的记录膜是第一特征或第二特征的记录膜，其中光学信息记录介质包括含Sn、Zn、和Mg中至少一种且含有的总量为5.0～60at％的Al合金(本发明的第三特征)。在本发明第四特征中在光学信息记录介质中使用的记录膜是第三特征的记录膜，其中Al合金含有In、Mn和Ni中的至少一种并且含有的总量为2.0～10.0at％(本发明的第四特征)。

在本发明的第五特征中在光学信息记录介质中使用的记录膜是第三或第四特征的记录膜，其中Al合金含有Nd和Y中的至少一种并且含有的总量为1.0～20.0at％(本发明的第五特征)。

在第六特征中的在光学信息记录介质中使用的记录膜是第三至第五特征中任一个特征的记录膜，其中Al合金含有Cr、Ta、Ti和Ni中的至少一种并且含有的总量为1.0～10.0at％(本发明的第六特征)。

在本发明第七特征中用于光学信息记录介质的记录膜是第三至第六特征中任一个特征的记录膜，其中Al合金含有Si和Ge中的至少一种并且含有的总量为1.0～15.0at％(本发明的第七特征)。

在本发明第八特征中用于光学信息记录介质的记录膜是第一或第二特征的记录膜，其包括含有Sn、In、Bi和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％的Ag合金(本发明的第八特征)。

在本发明第九特征中用于光学信息记录介质的记录膜是根据第一或第二特征的记录膜，其包括含有Sn、In、和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％以及含有Bi和Sb中的至少一种并且含有的总量为0.01～2.0at％的Ag合金(本发明的第九特征)。

在本发明的第十特征中的光学信息记录介质是这样的一种记录介质，其中记录膜和保护膜依次形成在基底上，并且该记录膜是根据第一至第九特征中的任一特征的用于光学信息记录介质的记录膜(本发明的第十特征)。

在本发明的第十一特征中的光学信息记录介质是这样的一种记录介质，其中反射膜或热量控制膜、记录膜、和保护膜依次形成在基底上，并且该记录膜包括根据第一至第九特征中的任一特征的用于光学信息记录介质的记录膜。

在本发明第十二特征中的光学信息记录介质是这样的一种记录介质，其中反射膜或热量控制膜、电介质膜、记录膜、电介质膜、和保护膜依次形成在基底上，并且该记录膜包括根据第一至第九特征中的任一特征的光学信息记录介质(本发明的第十一特征)。

在本发明第十三特征中的光学信息记录介质是根据第十一或第十二特征的记录介质，其中反射膜或热量控制膜包括Cu合金(本发明的第十三特征)。

在本发明第十四特征中的光学信息记录介质是第十三特征的记录介质，其中Cu合金含有Ti、Cr、Ta、Al、Mg和Ni中的至少一种，并且含有的总量为3.0～15.0at％(本发明的第十四特征)。

在本发明第十五特征中的光学信息记录介质是根据第十一至第十四特征的记录介质，其中反射膜或热量控制膜的厚度为20～150nm(本发明的第十五特征)。

在本发明第十六特征中的光学信息记录介质是根据第十至第十五特征中的任一特征的记录介质，其中记录膜的厚度为5～50nm(本发明的第十六特征)。

在第十七特征中用于形成在光学信息记录介质中使用的记录膜的溅射靶是这样的一种溅射靶，其包含Sn、Zn、和Mg中的至少一种并且含有的总量为5.0～60at％(本发明的第十七特征)。本发明的第十八特征中的溅射靶是根据第十七特征的溅射靶，其中Al合金含有In、Mn、和Ni中的至少一种并且含有的总量为2.0～10.0at％(本发明的第十八特征)。

本发明第十九特征中的溅射靶是根据第十七或第十八特征的溅射靶，其中Al合金含有Nd和Y中的至少一种并且含有的总量为1.0～20.0at％(本发明的第十九特征)。

本发明第二十特征中的溅射靶是根据第十七至第十九特征中的任一特征的溅射靶，其中Al合金含有Cr、Ta、Ti和Ni中的至少一种并且含有的总量为1.0～10.0at％(本发明的第二十特征)。

本发明第二十一特征中的溅射靶是根据第十七至第二十特征中的任一特征的溅射靶，其中Al合金含有Si和Ge中的至少一种并且含有的总量为1.0～15.0at％(本发明的第二十一特征)。

在本发明的第二十二特征中用于形成在光学信息记录介质中使用的记录膜的溅射靶是这样的一种溅射靶，其包括含Sn、In和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％的Ag合金(本发明的第二十二特征)。

在本发明的第二十三特征中的溅射靶是这样的溅射靶，其用于形成在光学信息记录介质中使用的记录膜，其包括含10～60at％的Bi的Ag合金(本发明的第二十三特征)。

在本发明的第二十四特征中的溅射靶是第二十二或第二十三特征的溅射靶，其中Ag合金含有0.01～2.0at％的Sb(本发明的第二十四特征)。

在本发明的第二十五特征中的溅射靶是根据第二十二特征的溅射靶，其中Ag合金含有0.05～5at％的Bi(本发明的第二十五特征)。

根据本发明的在光学信息记录介质中使用的记录膜具有优异的生产率并且也具有优异的耐久性(记录保持性)。因此，根据本发明的光学信息记录介质运用这种记录膜作为记录膜。因此，根据本发明，可以获得具有优异的生产率和耐久性的供光学信息记录介质中使用的记录膜，并且也可以获得具有这种记录膜的光学信息记录介质。

附图说明

本发明的实施方案将在下列图的基础上进行详细描述，其中：

图1所示为根据本发明的本发明第九特征的光学信息记录介质的实例的示意图；

图2所示为根据本发明的本发明第十特征的光学信息记录介质的实例的示意图；以及

图3所示为根据本发明的本发明第十一特征的光学信息记录介质的实例的示意图；

具体实施方式

在通过激光辐射的热量(激光加热)使无机薄膜自身熔融并且物理形成孔隙或改变构造从而进行记录(激光加热熔融记录体系)的体系中，为了使这种膜可以具有作为记录膜的良好性能，该膜需要具有下列特征。

也就是说，由于需要在对激光的高灵敏度下进行记录，因此这种膜(记录膜)期望有效地吸收通过激光加热的热量并且这种膜可以仅在期望的区域有效地熔化。因此，要求有低的热导率、高的光吸收率、以及适当的熔融温度。

为了这个目的，根据本发明的在光学信息记录介质中使用的记录膜(在下文中也称为记录膜)限定为具有0.8W/Kcm或更低的热导率。在记录膜的热导率超过0.8W/Kcm的情况下，在记录膜吸收了来自激光的入射光之后，热量扩散到周边，激光照射部分的温度并没有充分地上升并且没有达到熔化。在这种情况下，尽管可以通过增加激光输出来提高温度，但记录标记会由于扩散热而扩大，超出了预定的范围。

光吸收率定义为15％或更高。光的波长是那些用来进行写和读的激光波长的长度，通常使用的波长大约在400nm～850nm。因此，定义为，相对于波长为0.3μm～1.0μm的光，光吸收率为15％或更高。在光吸收率小于15％的情况，因为入射到记录膜的激光被反射或传输，因此热量没有被吸收，而且这种膜不会被熔化。

熔融温度(熔点)定义为300～800℃。在熔融温度比300℃低的情况下，只要周边部分被激光入射，它就会熔融，这样就扩大了记录标记。另一方面，在熔融温度超过800℃的情况下，不能顺利地进行记录。

如上所述，由于根据本发明的记录膜(供光学信息记录介质使用的记录膜)定义为具有0.8W/Kcm或更小的热导率、对波长为0.3μm～1.0μm光的光吸收率为15％或更高、以及300～800℃的熔融温度，所以通过激光加热熔融记录体系提供了作为记录膜的良好性能。也就是说，在激光加热熔融记录体系中，当根据本发明的记录膜用作记录膜时，该记录膜可以有效地吸收激光加热所产生的热量并且可以仅在记录膜的期望范围内有效地熔化，因此，其可以提供作为记录膜的令人满意的性能(可以充分记录)。

根据本发明的记录膜用作在激光加热熔融记录体系中的记录膜，并且可以提供如上所述的令人满意的性能。通过该体系获得的记录膜如上所述那样，具有优异的生产率并且具有优异的耐久性(记录保持性)。也就是说，由于用在该体系中的记录膜在生产率方面与现有的染料记录层的情况相比是非常优异的，这应归因于对这种膜的厚度非常容易控制并且容易形成多层结构。此外，由于在这个体系中的记录膜不需要如同在使用相变材料如Ge-Sb-Te情况下的复杂结构，所以当与使用这种相变材料的情况相比其在生产率方面是非常优异的。此外，在这个体系的记录膜中，由于记录是通过使膜被激光辐射的热量(激光加热)熔融并且物理形成孔隙或改变构造来进行的，当与例如如同现有的无机薄膜的情况那样通过激光加热使组织结构不可逆变化而进行导电记录的情况(例如在日本专利申请10-512489，JP-A-2004-153145)相比时，因此记录的信号特征降低较小，记录储存稳定性较高，并且耐久性非常优异。

因此，根据本发明的记录膜(供光学信息记录介质使用的记录膜)不仅通过激光加热熔融记录体系(充分记录是可能的)提供了作为记录膜的满意性能，而且具有优异的生产率以及具有优异的耐久性(记录保持性)。也就是说，根据本发明，通过激光加热熔融记录体系可以以良好的生产率获得能够提供作为记录膜的满意功能的供光学信息记录介质使用的记录膜，并且该记录膜也具有优异的耐久性。

此外，根据本发明的记录膜由于介质结构也具有能够起反射膜作用的优点并且在这一点上尤其有用。在也需要作为反射膜的功能的情况下，优选该膜的光反射率为20％或更高(本发明的第二特征)。

从本发明记录膜的构成考虑，它可以具体地包含含SN、Zn和Mg中的一种或多种并且含有的总量为5.0～60at％的Ag合金的物质以及包括含Sn、In、Bi和Nd中的一种或多种并且含有的总量为5～30at％的Ag合金的物质。在每一种合金中，可以加入能够显著降低热导率和改善光吸收率但没有显著升高作为主要成分的Al或Ag的熔融温度(液相线温度)的元素。尽管热传导率也可以通过例如加入上述WO98-09823中描述的元素之中的过渡金属等等而降低，但是熔融温度极大地升高，因而难于进行记录。

如果根据本发明第三特征对于Sn、Zn、Mg和Cu中的一种或多种的加入量定义为在总量上小于5.0at％，则降低热导率的作用较小，并且改善光吸收率的作用也较小。另一方面，如果加入量在总量上超过60at％，则熔融温度显著地升高，作为该记录膜的特征不能再提供，反射率也可能在也用作反射膜的类型中降低。如果根据本发明第八特征的Sn、In、Bi和Nd中的一种或多种的加入量在总量上小于5at％，则降低热导率的作用较小，改善光吸收率的作用也较小。另一方面，如果加入量在总量超过30at％，则熔融温度显著地升高，作为该记录膜的特征可能不能再提供，并且在同时用作反射膜的类型中反射率也可能下降。

在根据本发明第三特征的Al合金中还包含In、Mn和Ni中的一种或多种并且含有的总量为2.0～10.0at％的情况下，由于In、Mn和Ni都是更加改善光吸收率的元素。因此能够降低用于记录的激光功率，例如低于10mW。在In、Mn和Ni中的一种或多种的加入量在总数上小于2.0at％的情况下，这种作用不能充分地获得。另一方面，在超过10.0at％的情况下，在同时用作反射膜的类型中反射率也可能下降。

在根据本发明的第三或第四特征的Al合金中还包含Nd和Y中的一种或多种并且含有的总量为1.0～20.0at％的情况下，由于Nd和Y都是极大地降低热导率和改进光吸收率但又不会极大地增加Al的熔融温度的元素，所以可以进一步降低热导率和进一步改善光吸收率但又不会显著升高熔融温度。在Nd和Y中的一种或多种的加入量在总量上小于1.0at％的情况下，这种作用不能充分地获得。另一方面，在它的加入量超过20.0at％的情况下，熔融温度显著地升高，作为记录膜的特征可能不再具有，并且在同时用作反射膜的类型中反射率也可能下降。

在根据本发明第三至第五特征的Al合金中进一步包括Cr、Ta、Ti和Ni中的一种或多种并且含有的总量为1.0～10.0at％的情况下，耐腐蚀性可以显著地改善，并且热导率可能进一步降低和光吸收率可能被改善。由于记录膜通常在大约五到几十个纳米的厚度下使用，优异的耐腐蚀性是非常有用的。在Cr、Ta、Ti和Ni中的一种或多种的加入量在总量上小于1.0at％的情况下，不能充分地提供这种改善耐腐蚀性的作用。另一方面，在它的加入量超过10.0at％的情况下，熔融温度过度升高，作为记录膜的特征可能不再具有，并且反射率同时也可能下降。

此外，在本发明的第三至第六特征的Al合金中还包含Si和Ge的一种或多种并且含有的总量为1.0～15.0at％的情况下，熔融温度可以进一步降低。此外，可以进一步改善耐腐蚀性。在Si和Ge中的一种或多种的加入量在总量上小于1.0at％的情况下，不能充分地获得降低熔融温度的作用等。另一方面，在加入量在总量上超过15.0at％的情况下，尽管没有格外引起使膜特征产生问题的降解，但是从担心在同时用作反射膜的情况下耐受性(resistance)降低考虑，或从易于制备形成这种膜的溅射靶考虑，其优选15.0at％或更小。此外，加入Si、Ge没有降低热导率的作用。

包括含Sn、In和Nd中至少一种并且含有的总量为5～30at％以及含Bi和Sb中至少一种并且含有的总量为0.01～2.0at％的Ag合金的记录膜可以提供与在根据本发明第八特征的含Ag合金的记录膜中一样的功能和效果，而且其可以更大程度地抑制反射率的降低(相比于根据本发明第七特征的包括Ag合金的记录膜)，而且，它可用于也同时用作反射膜的情况下。也就是说，由于根据本发明第九特征的Ag合金含有Sn、In和Nd中的一种或多种并且含有的总量为5～30at％，因此该合金可以提供与根据本发明第八特征的Ag合金一样的功能和效果。由于耐潮湿性和耐热性测试之后反射率的降低可以通过掺入Bi和Sb中的一种或多种来抑制，因此它有益于也用作反射膜的情况下。在Bi和Sb中的一种或多种的加入量在总量上小于0.01at％的情况下，抑制反射率降低的作用较小，另一方面，加入量在总量上超过2.0at％的情况下，反射率的降低相反地增加。由于Sn、In和Nd含量带来的作用与根据本发明第八特征中Sn、In和Nd含量的情况相同。

根据本发明的光学信息记录介质是这样的光学信息记录介质，其中记录膜和保护膜依次形成在基底上，并且所述记录膜包括如本发明第一至第九特征中任一特征所描述的记录膜。此外，这是这样的一种光学信息记录介质：其中反射膜或热调节膜、记录膜和保护膜依次形成在基底上，并且所述反射膜包括根据本发明第一至第九特征中任一特征的记录膜。此外，这是这样的一种光学信息记录介质：其中反射膜或热调节膜、电介质膜、记录膜、电介质膜和保护膜依次形成在基底上，并且所述记录膜包括根据本发明第一至第九特征中任一特征的记录膜。

正如上述所见，根据本发明第一至第九特征的记录膜(本发明的记录膜)可以在激光加热熔融记录体系(充分记录是可能的)中提供作为记录膜的有益性能，而且具有优异的生产率和具有优异的耐久性(记录保持性)。因此在根据本发明的光学信息记录介质中，根据本发明的第一至第九特征的记录膜中的任一种(根据本发明的记录膜)都用作记录膜。

因此，在根据本发明的光学信息记录介质中，不但记录膜可以提供能够充分记录的良好性能，而且该介质可以以优良的生产率获得，并且记录膜的耐久性(记录保持性)也是很优异的。

根据本发明第十特征的光学信息记录介质的实例示出在图1中(横断面示意图)。从基底侧开始安置有基底3A、记录膜(在下文中也称为记录层)2A、以及保护膜(在下文中也称为保护层)1A。

在根据本发明第十特征的光学信息记录介质中，记录膜厚度优选5～50nm。鉴于膜厚度的减小会导致透射光的增加、反射率的降低以及热容的降低，因此更优选记录膜厚度为10nm或更大以及40nm或更小。

在制作从保护层侧面进入并且通过反射光进行解读的可读激光的情况下，保护层优选由透明树脂制成，并且这种透明树脂包含例如聚碳酸酯、丙烯酸树脂、环氧树脂和聚氨酯树脂。从可加工性和光学特性考虑，特别优选聚碳酸酯树脂。在使用聚碳酸酯树脂作为保护层的情况下，虽然对于DVD聚碳酸酯使用0.6nm的厚度以及对于CD使用1.2nm厚度，但厚度并没有特别限制，从可成型性或强度考虑，优选0.05mm或更厚以及1.5mm或更薄。作为基底，优选透明树脂，比如聚碳酸酯树脂或丙烯酸树脂。透明防护层可以通过两层来提供。

在图1说明的光学信息记录介质中，因为记录膜也具有作为反射膜的功能，所以其也要求适当地调节反射率。

图2示出了根据本发明第十一特征的光学信息记录介质的实例(横断面示意图)。从基底一侧起，安置有基底4B、反射膜或热调节膜3B、记录层2B、以及保护层1B。

在图1说明的光学信息记录介质中，因为记录层放在基底和保护膜之间，所以热量不能分散，从而导致对基底损伤增加的担心或由于热量趋向于扩散在膜表面而难于准确记录的担心。相反地，在根据本发明第十特征的光学信息记录介质中，在膜表面方向的热量扩散通过安置热量控制层进行抑制，并且抑制了由于过热而导致的基底损坏。此外，在当仅仅通过记录膜就产生充分的反射率的情况下，安置反射层是为了改善再生产率。

在根据本发明第十一特征的光学信息记录介质中，如果提供热量控制层，则优选该热量控制层的热导率等于或小于记录膜的热导率。这是因为在热量控制层的热导率较高的情况下，一旦记录膜熔化热量就会过度扩散。此外，还要求具有良好的耐腐蚀性。

例如，在根据本发明第十一特征的光学信息记录介质中反射膜或热量控制膜的构成材料包含例如含Ag、Al、Cu、Au等的合金，并且推荐使用Cu合金。作为Cu合金，从热导率的观点和耐腐蚀性的观点考虑，优选那些含有Ti、Cr、Ta、Al、Mg和Ni中的一种或多种并且含有的总量为3.0～15.0at％的Cu合金。反射膜或热量控制膜的厚度优选为20～150nm。从透光率和热容的观点考虑，膜厚度特别优选为10nm～50nm。

图3示出了根据本发明第十二特征的光学信息记录介质的实例(横断面示意图)。电介质膜3C，3C被安置在记录层2C的上面和下面。然后，反射膜(在下文中也称为反射层)或热量控制膜(在下文中也称为热量控制层)4C安置在位于与激光入射面相反面上的电介质膜3C的下面。也就是说，从基底一侧开始，提供有基底5C、反射膜或热量控制膜4C、电介质膜3C、记录层2C、电介质膜3C以及保护层1C。这种电介质膜3C，3C插入在记录层2C的上面和下面是为了抑制在基底5C或其它层上的记录层2C熔化所带来的热效应。

电介质膜(介电层)的构成材料可以包含例如ZnS-SiO₂、ZnS、SiO₂、SiN、SiC等等。从光学特性和小的热膨胀系数考虑，特别优选ZnS-SiO₂。电介质膜的厚度优选1nm或更厚以及200nm或更薄。在其小于1nm的情况下，不能提供作为介电层的不充分作用，另一方面，在其超过200nm的情况下，膜压力会导致基底扭曲，从而使基底失去了平滑性。

同样，在根据本发明第十一至第十二特征的光学信息记录介质和根据本发明第十三至第十五特征的光学信息记录介质中，记录膜厚度优选5～50nm，此值与在根据本发明第十特征的光学信息记录介质情况下的含义相同。从膜厚度的减小会导致透射光的增加、反射率的降低以及热容量的降低考虑，记录膜厚度更优选10nm或更厚以及40nm或更薄。

为了获得供根据本发明第三至第九特征的光学信息记录介质使用的记录膜，优选采用溅射方法，并且在这种情况下，建议将根据本发明第十七至第二十五特征的溅射靶用作溅射靶。

当使用根据本发明第十七特征的溅射靶时，可以形成根据本发明第三特征的记录膜。在使用根据本发明第十八特征的溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第四特征的记录膜。在使用根据本发明第十九特征的溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第五特征的记录膜。在使用根据本发明第二十特征的溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第六特征的记录膜。

在使用根据本发明第二十一特征溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第七特征的记录膜。在使用根据本发明第二十二特征的溅射靶或根据本发明第二十三特征的溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第八特征的记录膜。在使用根据本发明第二十四特征的溅射靶和根据本发明第二十五特征的溅射靶的情况下，可以形成根据本发明第九特征的记录膜。

在Bi的情况下，在溅射靶(在下文中也称为靶)与通过溅射形成的记录膜之间，其含量是不同的。这是因为在靶中的组成与在所形成膜中的组成就Bi来说是不相同的。对于除Bi以外的其它元素，在靶中的组成和在所形成膜中的组成是相同的或基本上相同的。然而，据认为，由于Bi的蒸汽压较低，因此在膜通过溅射沉淀时，靶中Bi沉积到膜的生产率降低。

实施例

下面将描述本发明的实施例和比较例。但是，本发明并不局限于这些实施例，它们可以在能够符合本发明要旨的范围内进行适当的改进，并且这些改进中的任一种都包含在本发明的技术范围内。

[实施例1]

通过热分析模拟，计算出最高可得到温度。在这种情况下，记录膜和保护膜依次提供在聚碳酸酯基底(含聚碳酸酯的基底)上，并且记录膜的厚度为20nm。记录膜(记录材料)的构成材料为Al合金，并且该记录膜的光吸收率设定为30％。激光斑点设定为0.3μm的直径。激光辐射时间为15ns。记录膜的热导率作为参数进行变化。

表1示出了计算的结果，即，在计算的基础上测定的最高可得到温度(在激光斑点中心的最高可得到温度)。此外，测量在激光斑点中心部分与离中心部分0.3μm距离的部分之间的最高可得到温度的比值[通过计算测定的最高可得到温度(在激光斑点中心部分的最高可得到温度)/离激光斑点中心部分0.3μm距离的部分的最高可得到温度]，该比值作为热量干扰比(heat interference ratio)示出在表1中。

从表1可明显看出，在记录膜的热导率超过0.8W/Kcm的情况下，可以看到热扩散迅速，温度没有充分升高并且没有到达记录膜的熔融温度附近。这表示热量干扰较大，并且在这种情况下难以形成精细的标记。

[实施例2]

进行热分析模拟，以计算最高可得到温度。在这种情况下，记录膜和保护膜按顺序存在于聚碳酸酯基底(含聚碳酸酯的基底)之上，并且记录膜的厚度为20nm。用于记录膜的构成材料(记录材料)为Al合金，并且该记录膜的热导率为0.3W/Kcm。激光斑点为0.3μm的直径。激光辐射时间为15ns。记录膜的光吸收率作为参数进行变化。

表2示出了计算结果，即，通过计算测定的最高可得到温度。从表2可明显看出，在记录膜的光吸收率小于15％的情况下，可以看出记录温度没有充分地升高并且没有达到熔融温度的附近。

实施例3

包括20nm厚的Al合金的记录膜形成在0.6mm厚和120mm直径的聚碳酸酯树脂基底(含聚碳酸酯树脂的基底)上。

在这种情况下，调节记录膜构成材料(Al合金)的组成等，使得记录膜的热导率为0.05～1.0W/Kcm。记录膜通过使用包含Al合金的溅射靶进行溅射形成。记录膜的组成由ICP质量分析测量。

记录膜的热导率根据Wiedermann Franz′s规则由记录膜(薄膜)的比电阻转换来测定。对于记录膜(薄膜)的比电阻的测量，使用在玻璃基底上的100nm厚薄膜，通过4-探针电阻测量仪测量电阻率，计算薄膜电阻，以测定出比电阻率。

通过使用可见-UV分光光度计(由JASCO Co.生产的V-570)，测量形成在聚碳酸酯树脂基底上的记录层的绝对反射率来测定记录层的反射率。

记录膜的光吸收率(％)使用这样的公式计算：100-[反射率(％)+透光率(％)]。透光率(％)的测量是通过使用如上所述的可见光-UV分光光度计测量用于测定反射率的样品进行的。

从基底上剥离沉积为1μm厚的Al合金膜，收集大约5mg的量，用示差热分析仪测定记录膜的熔融温度，并且该熔融温度计算作为开始熔融温度和熔化结束温度的平均值。

对这样形成的记录膜形成记录标记(记录)。形成记录标记时，膜表面的激光功率为10mW，速度为5m/s。波长为405nm的半导体激光用作光源，激光斑点的大小设定为0.8μm直径。激光照射在记录膜的侧面上。

在记录(记录标记的形成)之后的标记形状通过光学显微镜来观察，标记形成面积(熔化面积)(S₂)相对于激光辐射的面积(S₁)的比值通过在图像处理分析的基础上的计算来测定。评价根据面积比进行，即面积比[(S₂/S₁)×100]小于20％的情况评定为不合格；面积比为20～90％(20％或更高以及90％或更低)的情况评定为优异；面积比超过90％的情况评定为好的(即合格的，次于优异的但优于不合格，处于容许范围之内)，并且它们被定义为记录性能的指标。

这些结果示出在表3中。从表3可明显看出，对于任一种记录膜，该记录膜的熔点都在300～800℃的范围之内，在每一种记录膜之间并没有显著差异，处于基本相同的水平。可以看到，作为记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]为20～90％(优异的)，并且在这些记录膜中，在热导率为0.8W/Kcm或更小并且光吸收率为15％或更大的记录膜上可以形成良好的记录标记。反射率(光反射率)示出在表3中。这是在405nm的波长下的初始反射率。

[实施例4]

(1)通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Al-Sn合金膜、Al-Mg合金膜、或Al-Zn合金膜。合金元素的数量(Sn含量、Mg含量、以及Zn含量)是变化的。

对于每一种Al膜和Al合金膜，膜的热导率、反射率、光吸收率、以及熔融温度通过以实施例3中的相同方法来测定。此外，通过以实施例3中的相同方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成的面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]测定，并且该比值用作记录性能的指标。对于面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，其小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高并且90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(尽管次于优异的可容许范围)的情况评定为好的(合格)。

此外，对于Al膜和Al合金膜中每一种，都使它们在80℃温度和85％湿度的大气空气下保存之后，测量反射率(在405nm波长下的反射率)，并且由95小时保持前后405nm波长的反射率的降低数量来评定耐腐蚀性。

结果在表4示出。从表4可明显看出，Al-Sn合金膜、Al-Mg合金膜、以及Al-Zn合金膜中每一种与Al膜相比都具有非常低的热导率，并且熔融温度等于或小于Al膜情况下的熔融温度，因此，从中可以看出，通过向Al中加入Sn、Mg、或Zn，可以降低热导率但不会使熔融温度升高。此外，在元素的加入量(含量)是5at％或更大的情况下，作为记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]为优异的(20～90％)或好的(合格)(90％或更大)，它们中大多数被评定为优异，它们中的一部分被评定为好的(合格)。在5～60at％的情况下，对于所有情况面积比都是优异的(20～90％)并且形成了良好的记录标记。反射率(光反射率)示出在表4中。这是在405nm波长下的初始反射率。

(2)通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Al-Sn-In合金膜、Al-Sn-Mn合金膜、或Al-Sn-Ni合金膜。

对于Al膜和Al合金膜中每一种，膜的热导率、反射率、光吸收率、以及熔融温度都通过以实施例3中的相同方法来测定。此外，通过以实施例3中的相同方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]进行测定，并且该比值用作记录性能的指标。对于面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，即其小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高以及90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(虽然次于优异，但在容许范围内)的情况评定为好的(合格)。

此外，对于Al膜和Al合金膜中每一种，都使它们在80℃温度和85％湿度的大气空气中保存之后，测量反射率(在405nm波长下的反射率)，并且由95小时保持前后405nm波长的反射率的降低数量来评定耐腐蚀性。结果在表4中示出。

[实施例5]

通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Al-Sn合金膜、Al-Sn-Nd合金膜、或Al-Sn-Y合金膜。改变在Al-Sn-Nd合金膜中的Nd含量。

对于Al膜和Al合金膜中每一种，都通过与实施例3中一样的方法测定膜的热导率、反射率、光吸收率、以及熔融温度。此外，通过与实施例3中一样的方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]进行确定，并且该比值用作记录性能的指标。对于面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，即其小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高并且90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(虽然次于优异，但在容许范围内)的情况评定为好的。

结果示出在表5中。从表5可明显看出，Al-Sn(30at％)-Nd(1.0～30at％)合金膜以及Al-Sn(30at％)-Y(10at％)合金膜相比于Al-Sn(30at％)合金膜具有更低的热导率，在它们中，Al-Sn(30at％)-Nd(1.0～20at％)合金膜以及Al-Sn(30at％)-Y(10at％)合金膜具有与Al-Sn(30at％)合金膜的情况下的熔融温度相等的熔融温度，因此，可看出，通过进一步以1.0～20at％的量将Nd或Y加入到Al-Sn合金中可以降低热导率而不升高熔融温度。此外，可以看出，含加入量为1.0～20at％的Nd或Y的Al-Sn合金所具有的作为记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]被评定为良好(20～90％)，其中可以形成优良的记录标记。Al-Sn(30at％)-Nd(0.5at％)合金膜所具有的作为用于记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]被评定优异，但热导率的降低程度较小。Al-Sn(30at％)-Nd(30at％)合金膜具有过高的熔融温度，作为用于记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]被评定为不合格(小于20％)，这表示具有差的记录性能。因此，可以看出，Nd或Y加入到Al-Sn合金中的数量优选为1.0～20at％。反射率(光反射率)示出在表5中。这是在405nm波长下的初始反射率。

[实施例6]

通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Al-Sn合金膜、Al-Sn-Nd-Ta合金膜、Al-Sn-Nd-Ti合金膜、或Al-Sn-Nd-Cr合金膜。变化在Al-Sn-Nd-Ta合金膜中的Ta含量。

对于每一种Al膜和Al合金膜，膜的热导率、光吸收率、熔融温度、以及反射率(在405nm波长下的初始反射率)通过与实施例3中一样的方法测定。此外，通过与实施例3中一样的方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]进行确定，并且该比值用作记录性能的指标。面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高并且90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(虽然次于优异，但在容许范围之内)的情况评定为合格(好的)。

对于每一种Al膜和Al合金膜，它们在80℃温度和85％湿度的大气空气中保存之后，测量反射率(在405nm波长下的反射率)，并且测定在保存95小时前后的405nm波长处的反射率降低量。

结果显示在表6中。从表6可明显看出，

Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(1.0～15at％)合金膜、

Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ti(2.0at％)合金膜、以及

Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Cr(2.0at％)合金膜具有优异的耐腐蚀性，具有较小的反射率降低量，因此，可以看出，通过加入1.0at％或更大量的Ta、Ti、或Cr可以改善耐腐蚀性并且可以抑制反射率的降低。在Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(0.5at％)合金膜中，抑制反射率降低的程度较小。在Al-Sn(30at％)-Nd(5.0at％)-Ta(15at％)合金膜中，熔融温度过高，作为记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100]被评定为不合格(小于20％)，记录性能较差。因此，可以看出，Ta、Ti、或Cr的加入量优选为1.0～10.0at％。

实施例7

通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Al-Sn-Nd-Ta合金膜、Al-Sn-Nd-Ta-Si合金膜或Al-Sn-Nd-Ta-Ge合金膜。变化Al-Sn-Nd-Ta-Si合金膜中的Si含量。

对于每一种Al膜和Al合金膜，膜的热导率、光吸收率、熔融温度以及反射率(在405nm波长下的初始反射率)通过与实施例3中一样的方法测定。此外，通过与实施例3中一样的方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]进行确定，该比值用作记录性能的指标。面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，即其小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高以及90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(虽然次于优异，但在容许范围内)的情况评定为合格(好的)。

对于这种Al膜和Al合金膜，进行耐腐蚀性评价测试。这种测试通过如下的方法进行：在35℃下将膜浸入到5％的NaCl水溶液中，以测量阳极极化，由此测定锈斑产生电势(相当于在10μA/cm²电流密度下的电势)；并且在这个基础上评定耐腐蚀性。

结果示出在表7中。从表7可明显看出，

Al-Sn(30at％)-Nd(2.0at％)-Ta(1.0at％)-Si(1.0～15at％)合金膜和

Al-Sn(30at％)-Nd(2.0at％)-Ta(1.0at％)-Ge(15.0at％)合金膜具有阴极锈斑产生电势(noble pitting corrosion resistance)并且具有优异的耐麻点腐蚀性，因此，可以看出，通过加入1.0at％～15.0at％量的Si和Ge可以改善耐麻点腐蚀性，因此可以抑制反射率的降低。在Si或Ge的加入量小于1.0at％的情况下，这种作用较小，在其超过15.0at％的情况下，熔融温度显著地升高，并且记录性能较差。因此，可以看出，Si或Ge的加入量优选为1.0～15.0at％。

[实施例8]

通过溅射，在0.6mm厚以及120mm直径的聚碳酸酯基底上形成20nm厚的Al膜或Al合金膜。作为Al合金膜，形成有Ag-Sn合金膜、Ag-In合金膜、Ag-Nd合金膜、Ag-Bi合金膜或Ag-Sn-Bi合金膜。变化在Ag-Sn合金膜中的Sn含量和在Ag-Sn-Bi合金膜中的Bi含量。

对于每一种Al膜和Al合金膜，膜的热导率、光吸收率、熔融温度以及反射率(在405nm波长下的初始反射率)通过与实施例3中一样的方法测定。此外，通过与实施例3中一样的方法对每一种膜形成(记录)记录标记，标记形成面积(S₂)相对于激光辐射面积(S₁)的比值按照面积比[(S₂/S₁)×100]进行确定，并且该比值用作记录性能的指标。面积比的评定标准与实施例3中的一样。也就是说，根据面积比进行评定，即其小于20％的情况评定为不合格；20～90％(20％或更高以及90％或更小)的情况评定为优异；超过90％(虽然次于优异，但在容许范围内)的情况评定为合格(好的)。

对于每一种Al膜和Al合金膜，它们在80℃温度和85％湿度的大气空气中保存之后，测量反射率(在405nm波长下的反射率)，并且测定在保存95小时前后405nm波长下的反射率的降低量。

结果示出在表8中。从表8可明显看出，Ag-Sn(15at％，30at％)合金膜、Ag-In(15at％)合金膜、Ag-Nd(15at％)合金膜以及Ag-Bi(15at％)合金膜与Ag膜相比具有非常低的热导率，并且具有等于或低于Ag膜情况下的熔融温度的熔融温度，因此，可以看出，通过加入Sn、In、Nd、或Bi到Ag中，可以降低热导率而不升高熔融温度。在元素的加入量(含量)为5at％或更高的情况下，形成良好的记录标记，并且记录性能良好。Ag-Sn(3.0at％)合金膜具有被评定为不合格的作为记录性能指标的面积比[(S₂/S₁)×100](小于20％)，并且具有差的记录性能。在Sn、In、Nd或Bi的加入量小于30at％的情况下，热导率的降低作用较小，另一方面，在其超过30at％的情况下，熔点显著地升高，并且作为记录膜的特征不再能够获得。鉴于上述情况，可以看出，加入到Ag中的Sn、In、Nd或Bi的量优选为5～30at％。

此外，从表8可以看出，在Ag-Sn(15at％)-Bi(0.01at％，2.0at％)合金膜中，反射率的降低量较小。如上所述，通过加入少量的Bi，可以抑制在湿热测试之后反射率的降低，并且也可以改善耐久性。与这种合金膜相比，Ag-Sn(15at％)-Bi(4.0at％)合金膜具有较大的反射率降低量。

在进一步将少量的Bi和Sb中的一种或多种混合到含有Sn、In和Nd中的一种或多种(含有的总量为5～30at％)的Ag合金的情况下，当Bi和Sb中的一种或多种的含量限定为0.01～2.0at％时，可以如上所述地抑制反射率的降低。当含量小于0.01at％时，难以获得抑制反射率降低的作用，当含量超过2.0％时，反射率的降低程度反而增加。

表1

激光功率(膜表面)	热导率	最高可得到温度	热量干扰比heat interference ratio
				10mW	2.0W/Kcm	221℃	0.8
10mW	0.8W/Kcm	711℃	0.5
				10mW	0.3W/Kcm	1075℃	0.3
10mW	0.1W/Kcm	1320℃	0.2
				10mW	0.05W/Kcm	1530℃	0.1

表2

激光功率(膜表面)	光吸收率	最高可得到温度
			10mW	5％	175℃
10mW	15％	530℃
			10mW	20％	660℃
10mW	30％	1075℃
			10mW	50％	1731℃

表3

序号	热导率[W/Kcm]	组成	光吸收率[％]	反射率[％]	熔点[℃]	记录标记	备注
								1	1.0	Al-1.0Sn	13.1	55.9	659	不合格	没有熔化
2	0.8	Al-2.0Sn-0.5Nd	15.8	45.0	658	良好
								3	0.3	Al-2.0Sn-5.0Nd	23.0	38.1	656	良好
4	0.1	Al-5.0Sn-10.0Nd	41.0	30.1	641	良好
								5	0.05	Al-10.0Sn-20.0Nd	63.9	21.8	672	良好

表4

序号	组成	热导率[W/Kcm]	熔融温度[℃]	吸收率[％]	反射率[％]	记录标记判断	耐腐蚀性
								6	Al	1.8	660	11.5	61.8	不合格	不合格
7	Al-2.0％Sn	0.70	658	14.3	50.3	不合格	不合格
								8	Al-5.0％Sn	0.64	635	31.5	36.8	良好	良好
9	Al-30.0％Sn	0.31	598	44.6	26.4	良好	良好
								I-1	Al-10.0％Sn-2％In	0.48	605	38.2	37.0	良好	良好
I-2	Al-10.0％Sn-8％In	0.36	602	41.3	34.8	良好	良好
								I-3	Al-10.0％Sn-10％In	0.32	608	41.6	34.2	良好	良好
I-4	Al-10.0％Sn-12％In	0.30	610	42.1	33.2	良好	不合格
								M-1	Al-10.0％Sn-4％Mn	0.41	603	38.9	41.5	良好	良好
N-1	Al-10.0％Sn-2％Ni	0.46	608	32.1	46.6	良好	良好
								10	Al-60.0％Sn	0.16	535	49.2	21.5	良好	良好
11	Al-80.0％Sn	0.12	485	55.6	19.3	合格	良好
								12	Al-2.0％Mg	0.85	654	13.2	43.1	不合格	不合格
13	Al-5.0％Mg	0.32	632	30.1	35.8	良好	良好
								14	Al-30.0％Mg	0.16	521	45.2	31.9	良好	良好
15	Al-60.0％Mg	0.06	452	59.3	24.3	良好	良好
								16	Al-80.0％Mg	0.05	548	68.7	20.9	合格	良好
17	Al-2.0％Zn	0.76	660	13.1	53.2	不合格	不合格

18	Al-5.0％Zn	0.45	655	28.7	41.0	良好	良好
								19	Al-30.0％Zn	0.16	612	35.6	32.1	良好	良好
20	Al-60.0％Zn	0.12	558	41.8	28.5	良好	良好
								21	Al-80.0％Zn	0.10	521	51.9	16.3	合格	良好

表5

序号	组成	热导率[W/Kcm]	熔融温度[℃]	吸收率[％]	反射率[％]	记录标记判断
							22	Al	1.8	660	11.5	61.8	不合格
23	Al-30.0％Sn	0.31	598	44.6	26.4	良好
							24	Al-30.0％Sn-0.5％Nd	0.30	597	45.1	26.0	良好
25	Al-30.0％Sn-1.0％Nd	0.28	596	45.8	25.5	良好
							26	Al-30.0％Sn-10.0％Nd	0.12	610	51.9	23.1	良好
27	Al-30.0％Sn-20.0％Nd	0.08	656	58.1	21.2	良好
							28	Al-30.0％Sn-30.0％Nd	0.07	810	65.9	15.8	不合格
29	Al-30.0％Sn-10.0％Y	0.13	618	53.7	24.7	良好

表6

序号	组成	熔融温度[℃]	反射率的降低量[％]	热导率[W/Kcm]	吸收率[％]	初始反射率[％]	标记
								30	Al	660	12.6	1.8	11.5	61.8	不合格
31	Al-30.0％Sn	598	3.6	0.31	44.6	26.4	良好
								32	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-0.5％Ta	597	3.4	0.18	47.9	24.1	良好
33	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-1.0％Ta	612	1.6	0.16	48.5	23.8	良好
								34	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-2.0％Ta	646	0.8	0.15	51.0	22.0	良好
35	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-15.0％Ta	868	0.6	0.11	58.2	20.1	不合格
								36	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-2.0％Ti	632	1.3	0.17	48.9	23.2	良好
37	Al-30.0％Sn-5.0％Nd-2.0％Cr	618	1.7	0.16	48.3	23.5	良好

表7

序号	组成	麻点腐蚀产生电势[mV vsSCE]	热导率[W/Kcm]	熔融温度[℃]	吸收率[％]	反射率[％]	标记
								38	Al	-820	1.8	660	11.5	61.8	不合格
39	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta	-650	0.27	596	46.3	28.3	良好
								40	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta-0.5Si	-648	0.27	596	46.5	28.1	良好
41	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta-1.0Si	-632	0.26	594	46.8	27.8	良好
								42	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta-5.0Si	-531	0.19	573	52.3	25.0	良好
43	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta-15.0Si	-432	0.06	517	65.1	18.1	良好
								44	Al-30.0％Sn-2.0Nd-1.0Ta-15.0Ge	-468	0.08	505	59.3	28.5	良好

表8

序号	组成	热导率[W/Kcm]	熔融温度[℃]	反射率的降低量[％]	初始吸收率[％]	保持96小时以后的反射率[％]	标记
								45	Ag	3.3	962	42％	3.1	33.2	不合格
46	Ag-3.0Sn	1.1	961	3.4％	7.2	31.8	不合格
								47	Ag-15Sn	0.08	621	3.1％	35.0	21.6	良好
48	Ag-30Sn	0.06	510	15.2％	51.2	20.5	良好
								49	Ag-15In	0.09	796	2.8％	27.7	27.6	良好
50	Ag-15Nd	0.08	806	4.2％	31.9	29.1	良好
								51	Ag-15Bi	0.07	732	5.1％	35.8	21.6	良好
52	Ag-15Sn-0.01Bi	0.08	618	3.0％	51.3	25.0	良好
								54	Ag-15Sn-2.0Bi	0.08	620	1.8％	48.2	23.1	良好
54	Ag-15Sn-4.0Bi	0.07	613	8.2％	58.0	18.3	良好

因为根据本发明的记录膜不但通过激光加热熔融记录体系(充分记录是可能的)提供了作为记录膜的良好性能，而且具有优异的生产率和优异的耐久性(记录保持性)，所以其可以合适地用作在光学信息记录介质中使用的记录膜，而且是有效的。

上述发明尽管已经根据优选实施方案进行了描述。但是，在本领域中的技术人员要认识到，这些实施方案存在许多变化。这样的变化都应包括在本发明范围和所附权利要求之内。

Claims (21)

1.一种在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，其中光反射率为20％或更高。

2.根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其包括含Sn、Zn和Mg中的至少一种并且含有的总量为5.0～60at％的Al合金。

3.根据权利要求2所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其中所述Al合金含有In、Mn和Ni中的至少一种并且含有的总量为2.0～10.0at％。

4.根据权利要求2所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其中所述Al合金含有Nd和Y中的至少一种并且含有的总量为1.0～20.0at％。

5.根据权利要求2所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其中所述Al合金含有Cr、Ta、Ti和Ni中的至少一种并且含有的总量为1.0～10.0at％。

6.根据权利要求2所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其中所述Al合金含有Si和Ge中的至少一种并且含有的总量为1.0～15.0at％。

7.根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其包括Ag合金，所述Ag合金含有Sn、In、Bi和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％。

8.根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，其包括Ag合金，所述Ag合金含有Sn、In和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％、及含有Bi和Sb中的至少一种并且含有的总量为0.01～2.0at％。

9.一种光学信息记录介质，在所述介质中，记录膜和保护膜依次形成在基底上，其中所述记录膜是根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜。

10.根据权利要求9的光学信息记录介质，其中所述记录膜的厚度为5～50nm。

11.一种光学信息记录介质，在所述介质中，反射膜或热量控制膜、记录膜和保护膜依次形成在基底上，其中所述记录膜是根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜。

12.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，其中所述反射膜或热量控制膜包括Cu合金。

13.根据权利要求12所述的光学信息记录介质，其中Cu合金含有Ti、Cr、Ta、Al、Mg和Ni中的至少一种并且含有的总量为3.0～15.0at％。

14.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，其中所述反射膜或热量控制膜的厚度为20～150nm。

15.一种光学信息记录介质，在所述介质中，反射膜或热量控制膜、电介质膜、记录膜、电介质膜和保护膜依次形成在基底上，其中所述记录膜是根据权利要求1所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜。

16.一种溅射靶，其用于形成根据权利要求2所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，包括含Sn、Zn和Mg中的至少一种并且含有的总量为5.0～60at％的Al合金。

17.根据权利要求16所述的溅射靶，其中所述Al合金含有In、Mn和Ni中的至少一种并且含有的总量为2.0～10.0at％。

18.根据权利要求16所述的溅射靶，其中所述Al合金含有Nd和Y中的至少一种并且含有的总量为1.0～20.0at％。

19.根据权利要求16所述的溅射靶，其中所述Al合金含有Cr、Ta、Ti和Ni中的至少一种并且含有的总量为1.0～10.0at％。

20.根据权利要求16所述的溅射靶，其中所述Al合金含有Si和Ge中的至少一种并且含有的总量为1.0～15.0at％。

21.一种溅射靶，其用于形成根据权利要求7所述的在光学信息记录介质中使用的记录膜，所述记录膜包括含Sn、In和Nd中的至少一种并且含有的总量为5～30at％的Ag合金。

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