TWI654328B - 濺鍍標靶、光學機能膜、及層積配線膜 - Google Patents
濺鍍標靶、光學機能膜、及層積配線膜Info
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Abstract
本發明係一種濺鍍標靶，光學機能膜，及層積配線膜，其中，本發明之濺鍍標靶，係作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，前述金屬元素的一部份或全部則由氧化物所成者。
Description
本發明係有關加以層積於金屬薄膜，為了濺鍍成膜降低金屬的反射之光學機能膜之濺鍍標靶，光學機能膜，及層積配線膜。
本申請係依據於2014年6月27日，加以申請於日本國之日本特願2014-132524號、及於2015年6月9日，加以申請於日本國之日本特願2015-116826號而主張優先權，將其內容援用於此。
近年來作為攜帶終端裝置等之輸入手段，加以利用投影型靜電電容方式之觸控面板。在此觸控面板中，手指接近於加以配置在觸控面板之基板上的傳感用的電極時，於指尖與電極之間加以形成靜電電容。在此方式之觸控面板中，依據此電容的變化，經由控制電路等而檢出觸控位置。對於為了觸控位置之檢出，係必須有傳感用的電極，以圖案化而形成此電極，但了解到有於透明基板之一方的面，設置延伸於X方向之X電極與延伸於Y方
向之Y電極，將此等配置成格子狀之技術(例如，參照專利文獻1)。
另外，在由液晶顯示裝置或電漿顯示器所代表之平板顯示器中，加以採用將彩色顯示作為目的之彩色濾光片。對於此彩色濾光片，係紅(R)、綠(G)、藍(B)之微彩色濾光片則對應於各畫素而加以形成為矩陣狀。另外，將對比或色純度作為良好，而使視野性提升之情況作為目的，而於此等微彩色濾光片相互間，加以形成稱作黑矩陣(以下，稱作BM)之黑色的構件。
對於此BM，係加以提案有加以使用鉻(Cr)或鉻化合物，而形成金屬鉻單層膜所成之遮光罩，或金屬鉻與氧化鉻之層積膜，或Cr金屬，Cr氧化物及Cr氮化物之層積膜等之低反射膜者(例如，參照專利文獻2)。更且，亦加以提案有形成鎳(Ni)與釩(V)的合金，或Ni與V的氧化物，氮化物或氧氮化物所成之遮光膜者(例如，參照專利文獻3)，將氮化鎢(W)膜作為遮光膜而形成者(例如，參照專利文獻4)。
另一方面，在太陽能電池面板中，藉由玻璃基板等而加以入射太陽光之情況，對於其相反側，係加以形成有太陽能電池之背面電極。作為此背面電極，加以使用經由鉬(Mo)、銀(Ag)等之金屬膜。從背面側而視如此之太陽能電池面板時，保持其背面電極之金屬膜而可視時，因呈現金屬光澤之故而作為製品，外觀則不佳。因此，通常，亦兼具此背面電極之保護，作為貼上黑色的背
板等，隱藏其金屬光澤。
[專利文獻1]日本特開2013-235354號公報
[專利文獻2]日本特開2002-182190號公報
[專利文獻3]日本特開2001-234267號公報
[專利文獻4]日本特開2013-079432號公報
對於為了檢出在以往的觸控面板之觸控位置的電極，係加以使用ITO薄膜，但伴隨著觸控面板之大面積化，在使用ITO薄膜之情況中，有著阻抗變高，另外，檢出精確度亦下降之問題。因此，在近年來，取代ITO薄膜，而加以提案有將抵阻抗之金屬薄膜作為金屬配線而使用者。但使用此金屬薄膜之金屬配線係為了顯示良好的反射特性，而反射外部光，而可從面板外部看到配線圖案之金屬光澤，而有不易使用在觸控面板之問題。
因此，本發明係其目的為提供：成膜於在觸控面板之金屬薄膜之配線上，降低觸控面板畫面之配線圖案的金屬光澤的膜(以下，稱作光學機能膜)，及為了濺鍍成膜此光學機能膜之濺鍍標靶者。
本發明者們係著眼於Mo氧化物膜，或In氧化物膜等則具有對於可視光範圍之外部光而言之光吸收特性，換言之，反射率極低，外觀呈現黑色之情況。即，了解到經由將Mo或In之氧化物膜成膜於金屬薄膜之配線上之時，可降低配線圖案之金屬光澤者。
但在形成此氧化物膜於觸控面板的配線上時，當考慮生產性時，於加以成膜於觸控面板基板上之金屬薄膜的表面，在將此氧化物膜成膜之後，形成配線圖案時效率為佳。在此配線圖案化中，通常，經由蝕刻液，藉由圖案光罩而加以蝕刻金屬薄膜與氧化物膜。在此，Mo或In之氧化物膜係發現到對於經由蝕刻液之蝕刻性優越之相反面，對於信賴性(耐藥品性，耐候性)差者。然而，上述蝕刻性係指金屬薄膜與氧化物膜進行整合加以蝕刻者，在蝕刻速度，過蝕刻等圖案化中，未有障礙者為佳。
因此，對於提升Mo或In之氧化物膜之信賴性，係因得到添加發揮對於信賴性優越之效果的Cu、Fe時為有效的見解之故，於使用於此光學機能膜之濺鍍成膜的濺鍍標靶，加上Cu、Fe，將此光學機能膜進行電鍍成膜時，加以確認到可得到包含Cu、Fe之氧化物的光學機能膜。另外，包含此Cu、Fe之氧化物的光學機能膜係亦可作為在平板顯示器之黑矩陣(BM)之黑色的構件而利用，更且，亦兼具太陽能電池面板之背面電極的保護，而
亦可取代黑色的背板而設置者，了解到對於隱藏此等金屬光澤為適合者。
隨之，本發明係從上述見解所得到之構成，為了解決前述課題而採用以下的構成。
(1)本發明之一形態之濺鍍標靶係作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，前述金屬元素的一部分或全部則由氧化物所成。
(2)本發明之一形態之濺鍍標靶係作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%之金屬所成。
(3)本發明之一形態之濺鍍標靶係在前述(1)或(2)之濺鍍標靶中，作為前述金屬元素，更含有選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%。
(4)本發明之一形態之光學機能膜係作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%之氧化物所成。
(5)本發明之一形態之光學機能膜係在前述(4)之光學機能膜中，作為前述金屬元素，更含有選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%之氧化物所成。
(6)本發明之一形態之光學機能膜係加以層積於金屬，從前述光學機能膜側所測定之平均反射率為30%以下。
(7)本發明之一形態之層積配線膜係具備：金屬配線膜，和加以層積於此金屬配線膜之光學機能膜的層積配線膜，其中，前述光學機能膜係作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%之氧化物所成。
(8)本發明之一形態之層積配線膜係在前述(7)之層積配線膜中，作為前述金屬元素，更含有選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%之氧化物所成。
本發明之濺鍍標靶係含有：Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，更含有選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%，而金屬元素之一部分或全部則由氧化物所成。因此，當使用此濺鍍標靶而進行濺鍍成膜時，可得到均滿足蝕刻性，隱藏性(配線圖案之金屬光澤降低)，信賴性之光學機能膜。另外，裝著於觸控面板之觸控畫面的外觀亦變佳，並且，貢獻於觸控面板之生產性提升。更且，本發明之光學機能膜係亦可作為在平板顯示器之黑矩陣(BM)之黑色的構件而利用，亦可取代亦兼具太陽能電
池面板之背面電極的保護之黑色背板而設置者，對於隱藏此等之金屬光澤而為適合。另外，本發明之層積配線膜係因加以層積有由上述組成所成之光學機能膜之故，對於反射特性，信賴性優越。
在本發明之實施形態之濺鍍標靶中，作為金屬元素，將Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種作為主成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，而一部份或全部則由氧化物所成者作為特徵。經由上述構成，可將對於蝕刻性，反射特性，信賴性優越之光學機能膜進行濺鍍成膜。然而，Mo及In之任1種或2種及Cu及Fe之任1種或2種之合計含有量則作為50at%以上，而此等金屬元素則作為主成分。
在此，對於標靶中的金屬成分，可將全金屬成分之中的Mo及In之任1種或2種特定為5at%以上者。當Mo及In之任1種或2種則成為不足5at%時，可視光之中，在400~800nm的波長中，反射率則未成為30%以下，而經由此層積膜的反射，成為無法抑制配線圖案之金屬光澤者。另外，在Mo及In之任1種或2種則為80at%以上中，在恆溫恆濕試驗的前後之反射率變化的最大值則為15%以上，而在Mo及In之任1種或2種則為60at%以上中，反射率變化之最大值則為10%以上，而Mo及In之任
1種或2種則為50at%以上時，因反射率變化的最大值則為5%以上之故，Mo及In之任1種或2種係在提升氧化物膜之信賴性中係低程度為佳。當考慮上述時，將Mo及In之任1種或2種設定為40~70at%者為佳，但並非限定於此者。另外，可將全金屬成分之中的Cu及Fe之任1種或2種特定為20at%以上者。當Cu及Fe之任1種或2種則成為不足20at%時，可視光之中，在400~800nm的波長中，在恆溫恆濕試驗的前後之反射率變化的最大值則為15%以上，而氧化物膜之信賴性則下降。當Cu及Fe之任1種或2種則超過95at%時，可視光之中，在400~800nm的波長中，反射率則未成為30%以下，而經由此層積膜的反射，成為無法抑制配線圖案之金屬光澤者。將Cu及Fe之任1種或2種設定為30~60at%者為佳，但並非限定於此者。
另外，在本發明之實施形態的濺鍍標靶中，作為金屬元素，加上於Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，可使選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%含有者，而有提升光吸收率之效果。在此，對於標靶中的金屬成分，將選自全金屬成分之中的Ni、Mn及Co之中之至少1種作為10at%以下者為佳。當選自此Ni、Mn及Co之中之至少1種則超過10at%時，蝕刻速度則變慢。另外，對於選自Ni、Mn及Co之中之至少1種則不足3at%之情況，提升光吸收率之效果為小，抑制經由鹼性之變色的效果亦變
少之故，有著無法充分得到添加此等元素之效果之虞。
另外，氧化銅，氧化鐵，氧化鉬係有經由鹼性而產生變色之虞。其結果，經由使用在配線加工時而光阻劑除去時之光阻劑除去劑(鹼性)，而有光機能膜之色相產生變化之虞。在此，經由含有選自Ni、Mn及Co之中之至少1種：3~10at%之時，成為可抑制經由鹼性之變色者，而可抑制經由光阻劑除去劑的光機能膜之色相變化者。將選自Ni、Mn及Co之中之至少1種，含有5~10at%者為佳，但並不限定於此者。
Ni、Mn及Co之任一的氧化物係與Mo、In的氧化物同樣地，具有對於隱藏性優越的反射特性，更且，雖與Cu、Fe並非同程度，但因在蝕刻性中為良好之故，經由更含有Ni、Mn及Co之任一之時，可將對於蝕刻性，反射特性，信賴性又一層優越之光學機能膜，進行濺鍍成膜。
使用上述之本發明之實施形態的濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係對於金屬成分，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%之氧化物所成，更且，作為前述金屬成分，含有選自Ni、Mn及Co之中之至少1種：3~10at%之氧化物所成。在此，使用氧化物所成之濺鍍標靶而經由濺鍍加以成膜之情況，光學機能膜之組成係成為與濺鍍標靶之組成略同樣之構成。對於使用本發明之實施形態之濺鍍標靶而進行濺鍍成膜時，使用氬等稀有氣體而加以進行。
然而，本發明之實施形態的濺鍍標靶係由金屬，金屬氧化物，或金屬與氧化物所構成。金屬氧化物，或金屬與氧化物所成之濺鍍標靶係例如，以粉末燒結法而加以製造。由金屬所成之濺鍍標靶係可由經由含有在本發明之實施形態的光學機能膜之金屬元素的熔解鑄造之鑄塊，金屬粉之燒結體，或壓粉體而構成者。對於使用包含許多金屬之濺鍍標靶，將本發明之實施形態的光學機能膜進行濺鍍成膜時，不僅氬而亦加上氧素而進行即可。氬與氧的比例(O2/(Ar+O2))係作為0.01~0.30者為佳，但並不限定於此者。
本發明之實施形態的層積配線膜中，係因加以層積有由上述組成所成之光學機能膜於金屬配線膜上之故，對於反射特性，信賴性優越。另外，對於含有選自Ni、Mn及Co之中之至少1種：3~10at%之情況，係對於耐鹼性優越，而在光阻劑除去液使用時，亦可抑制光機能膜之色相變化者。
另外，在本發明之實施形態之層積配線膜中，如加以層積有光學機能膜於金屬配線膜，並不限定於層積構造，而作為基板/金屬配線膜/光學機能膜，基板/光學機能膜/金屬配線膜，基板/光學機能膜/金屬配線膜/光學機能膜之層積構造亦可。
更且，在本發明之實施形態的層積配線膜中，光學機能膜之膜厚係作為20nm以上200nm以下之範圍內者為佳，而金屬配線膜之膜厚係作為100nm以上2000nm以下
之範圍內者為佳。另外，配線寬度係作為2μm以上30μm以下之範圍內者為佳，而配線之最外緣部與最內緣部之差異(過蝕刻量)為1μm以下者為佳。
接著，對於本發明之濺鍍標靶及以此濺鍍標靶加以成膜之光學機能膜，於以下，經由實施例而具體地加以說明。
首先，為了製造濺鍍標靶，而準備MoO2粉末、In2O3粉末、CuO粉末、Fe3O4粉末、NiO粉末、Mn2O3粉末、及Co3O4粉末。接著，呈成為表1及表2所示之標靶組成比(僅金屬)地進行秤量，將所秤量之各粉末，充填混合於混合裝置，製作實施例1~6、9~13、15、17~18、20~26、28~32、35~39、41、43~75之混合粉末。將各實施例之混合粉末作為成原料，以溫度：700℃、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)，3小時，於真空中進行熱壓，製作燒結體。將此等燒結體，機械加工成直徑：152.4mm、厚度：6mm之後，於Cu製之後罩板，由In焊錫貼上，製作實施例1~6、9~13、15、17~18、20~26、28~32、35~39、41、43~75之濺鍍標靶。標靶組織之粒徑係20μm以下者為佳，而更理想為10μm以下。標靶組織之粒徑係經由使用JIS H 0501之切斷法而算出組織之平均粒徑
而求得。由將標靶組織之粒徑設定為前述範圍者，可抑制濺鍍時之異常放電。
另一方，準備Mo粉末、Cu粉末及Fe粉末，呈成為表1所示之標靶組成比(僅金屬)地進行秤量，將所秤量之各粉末，與氬氣同時充填混合於混合裝置，製作實施例8、14、19之混合粉末。將此實施例8、14、19之混合粉末作為成原料，以溫度：950℃、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)，3小時，於真空中進行熱壓，製作燒結體。將此等燒結體，機械加工成上述之特定形狀，貼著後罩板，製作實施例8、14、19之濺鍍標靶。標靶組織之粒徑係20μm以下者為佳，而更理想為10μm以下。
更且，準備粒狀的Cu、In，呈成為表1所示之標靶組成比(僅金屬)地進行秤量，將所秤量之各原料，投入石墨坩鍋之中，以高頻率加熱爐，至1200℃使其加熱熔解，而投入至特定尺寸之石墨模子。之後，進行放冷而冷卻至室溫為止，製作實施例27，33之成形體。將此等成形體，機械加工成上述之特定形狀，貼著後罩板，製作實施例27、33之濺鍍標靶。
更且，準備粒狀之Cu、In2O3粉末，呈成為表1所示之標靶組成比(僅金屬)地進行秤量，將所秤量之各粉末，充填混合於混合裝置，製作實施例34、40、42之混合粉末。將各實施例之混合粉末作為成原料，以溫度：950℃、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)，3小時，於真空中進行熱壓，製作燒結體。將此等燒結體，機械加工
成上述之特定形狀，貼著後罩板，製作實施例34、40、42之濺鍍標靶。標靶組織之粒徑係20μm以下者為佳，而更理想為10μm以下。
更且，準備粒狀之Mo、Fe3O4粉末，呈成為表1所示之標靶組成比(僅金屬)地進行秤量，將所秤量之各粉末，充填混合於混合裝置，製作實施例7、16之混合粉末。將各實施例之混合粉末作為成原料，以溫度：850℃、壓力：300kgf/cm2(29.4MPa)，3小時，於真空中進行熱壓，製作燒結體。將此等燒結體，機械加工成上述之特定形狀，貼著後罩板，製作實施例7、16之濺鍍標靶。標靶組織之粒徑係20μm以下者為佳，而更理想為10μm以下。
為了與上述實施例作比較，與實施例(氧化物之濺鍍標靶之構成)之情況同樣作為，以表3所示之配製組成，製作比較例1~18的濺鍍標靶。對於比較例1~18之情況，係金屬元素之任一的含有量則成為在實施例之標靶組成比之範圍外。然而，在此等比較例1~18之濺鍍標靶中，將氧化物作為原料，以氧化物加以構成標靶全體。
接著，對於在上述所製造之實施例及比較例之氧化物濺鍍標靶，將經由ICP而進行金屬成分的分析的結果，示於表4~6。
對於使用實施例1~75及比較例1~18之氧化物濺鍍標靶而進行濺鍍成膜的光學機能膜，將經由ICP而進行金屬成分組成的分析的結果，示於表7~9。
使用上述實施例及比較例之濺鍍標靶，由以下的成膜條件，進行濺鍍成膜。
．電源：直流電源
．電力：600W(僅Ag膜、200W)
．氣壓：0.2Pa
．氣體流量：光學機能膜的情況Ar+O2：50sccm Cu、Al、Ag、Mo膜之情況Ar：50sccm
．標靶基板間距離：70mm
．基板：玻璃基板(Eagle XG)
．基板溫度：室溫
．基板尺寸：20mm角
．厚度：50nm
然而，對於將光學機能膜成膜情況之Ar與O2的比例：O2/(Ar+O2)，係加以示於表10~表12之「O2/(Ar+O2)」欄位。
更且，對於使用實施例1~75及比較例1~18之濺鍍標靶而於金屬薄膜上，以濺鍍成膜進行層積之光學機能膜(層積膜)，計測平均反射率，和在恆溫恆濕試驗之前後的反射率變化的最大值。更且，對於耐鹼性加以評估。
以和上述同樣的成膜條件，進行濺鍍成膜。然而，於玻璃基板(Eagle XG)上，依使用厚度：50nm之氧化物膜(光學機能膜)、厚度：200nm的銅、鋁、銀或鉬之任
一的金屬膜之順序，進行層積成膜。然而，對於實施例69係使用Al，對於實施例70係使用Ag，對於實施例71係使用Mo，而對於除此之外之實施例及比較例係各使用Cu，作成金屬膜。金屬膜係金屬配線用，對於其成膜係使用各金屬濺鍍標靶。然而，將使用於此金屬膜之金屬，示於表10~12之「金屬膜」欄位。
接著，對於如上述加以形成於玻璃基板上的層積膜，測定反射率。在此測定中，使用分光光度計(日立製U4100)，從玻璃基板側，在400~800nm之波長中進行測定。並且，以同樣製作之4樣本進行測定，將在400~800nm之波長所得到之測定值作為平均，求取平均反射率。將此測定結果，示於表10~表12之「平均反射率(%)」欄位。
更且，對於如上述加以形成於玻璃基板上之層積膜，由以下所示之試驗條件，進行恆溫恆濕試驗。
．溫度：85℃
．濕度：85%
．保持時間：250小時
在此恆溫恆濕試驗後，以上述之手法，測定上述波長範圍內之反射率，作成試驗後之反射率。並且，求取在試驗前後之400、500、600，700，800nm之波長的各反射率變化。上述5波長之中，將在試驗前後，反射
率的變化為最大之波長的反射率變化的值，作為反射率變化的最大值而求取到。將評估結果，示於表10~表12之「反射率變化最大值」之「恆溫恆濕」的欄位。
於玻璃基板上，將厚度50nm之光學機能膜進行成膜。將光學機能膜進行成膜之玻璃基板，浸漬10分鐘於40℃之光阻劑剝離液(日本東京應化工業股份有限公司104)及5mass%之濃度的NaOH水溶液，以上述之步驟而測定浸漬前後之反射率而求取到反射率變化之最大值。將評估結果，示於表10~表12之「反射率變化最大值」之「104」及「NaOH」的欄位。
接著，以上述手法，對於加以形成於玻璃基板上之厚度50nm之光學機能膜，以以下所示之蝕刻條件，進行蝕刻試驗。蝕刻試驗係計測光學機能膜完全溶解為止之時間，算出蝕刻速度。將此測定結果，示於表10~表12之「蝕刻速度(nm/sec)」欄位。
．方法：浸漬法
．蝕刻液：SEA2(日本關東化學股份有限公司製)
．液溫：40℃
如以上結果，在實施例1~75之濺鍍標靶之任一中，含有Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%。使用此等之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之層積層係均平均反射率顯示為30%以下，了解到可降低因經由膜本身之外部光的反射引起之配線圖案的金屬光澤者。另外，確認到在恆溫恆濕試驗之前後的反射率變化亦小，而有信賴性者。更且，在選自Ni、Mn及Co之中之至少1種為10at%以下之實施例1~71中，確認到對於上述光學機能膜而言之蝕刻速度則與加以層積成膜之金屬膜同程度之速度，在同時圖案化所層積成膜之光學機能膜與金屬膜之後，了解到對於蝕刻無任何障礙者。
隨之，使用實施例1~75之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係確認到具備隱藏性(配線圖案之金屬光澤降低)，信賴性之任一特性者。另外，使用實施例1~71之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係確認到更具備良好的蝕刻性者。
更且，在含有選自Ni、Mn及Co之中之至少1種的實施例62-68，72-75中，確認到浸漬於鹼性液後之反射率的變化為少，對於耐鹼性優越者。
然而，在使用實施例1~75而加以濺鍍成膜之層積層中，係即使浸漬10分鐘於40℃之光阻劑剝離液(日本東京應化工業股份有限公司104)，反射率之變化亦少，經由蝕刻而形成配線之情況，亦確認到反射率未有大的變化者。
另一方面，使用比較例1~3、7~9、13~15之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係均Mo及In之任1種或2種之合計則較5at%為低，而層積膜之平均反射率則超過30%之故，在隱藏性的點為不佳。使用比較例4~6、10~12、16~18之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係均Mo及In之任1種或2種則超過80at%，層積膜之試驗前後之反射率變化為大，在信賴性的點為不佳。
如以上，使用含有：Mo及In之任1種或2種：5~80at%，和Cu及Fe之任1種或2種：20~95at%，更含有選自Ni、Mn及Co之中至少1種：3~10at%之濺鍍標靶而加以濺鍍成膜之光學機能膜係確認到均滿足蝕刻
性，隱藏性(配線圖案之金屬光澤降低)，信賴性者。
然而，對於為了將本發明，作為濺鍍標靶而利用，係面粗度：5.0μm以下、更理想為1.0μm以下、不純物濃度：0.1原子%以下、更理想為0.05原子%以下、抗折強度：50MPa以上、更理想為100MPa以上者為佳。
另外，本發明之技術範圍係未限定於上述實施形態及上述實施例者，在不脫離本發明之內容的範圍，可加上種種變更者。
例如，在上述實施形態及上述實施例中，經由熱壓而進行燒結，但作為其他的方法而採用HIP法(熱間等方加壓式燒結法)或常壓燒結法等亦可。
另外，基材係採用玻璃以外之金屬或薄膜等亦可。
本發明之濺鍍標靶係可將均滿足蝕刻性，隱藏性，信賴性之光學機能膜進行成膜者。此光學機能膜係亦可作為在平板顯示器之黑矩陣(BM)之黑色的構件而利用，亦兼具太陽能電池面板之背面電極的保護，可取代黑色背板而設置者，對於隱藏此等之金屬光澤而為適合。另外，本發明之層積配線膜係因加以層積有由上述組成所成之光學機能膜之故，對於反射特性，信賴性優越。
Claims (13)
- 一種濺鍍標靶，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種或2種為主成分，以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Cu及Fe中之任1種或2種、3~10at%之Mn及Co中之任1種或2種，前述金屬元素的一部分由氧化物所成。
- 一種濺鍍標靶，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種或2種為主成分，以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Cu及Fe中之任1種或2種、3~10at%之Mn及Co中之任1種或2種，前述金屬元素的全部由氧化物所成。
- 一種濺鍍標靶，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種或2種作主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Cu及Fe中之任1種或2種、3~10at%之Mn及Co中之任1種或2種之金屬所成。
- 一種濺鍍標耙，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種又2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Fe或合計20~95at%之Cu及Fe但Fe為9.8at%以上之氧化物所成。
- 一種濺鍍標耙，作為金屬元素，以Mo及In中之 任1種或2種及Cu及Fe中之任1種又2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Fe或合計20~95at%之Cu及Fe但Fe為9.8at%以上之金屬所成。
- 如申請專利範圍第4或5項記載之濺鍍標靶，其中，作為前述金屬元素，更以合計不超過100at%的範圍含有3~10at%之選自Ni、Mn及Co之中的至少1種。
- 一種光學機能膜，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種或2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Cu及Fe中之任1種或2種、3~10at%之Mn及Co中之任1種或2種之氧化物所成。
- 一種光學機能膜，作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種又2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Fe或合計20~95at%之Cu及Fe但Fe為9.8at%以上之氧化物所成。
- 如申請專利範圍第8項記載之光學機能膜，其中，作為前述金屬元素，由更以合計不超過100at%的範圍含有3~10at%之選自Ni、Mn及Co之中的至少1種之氧化物所成。
- 如申請專利範圍第7~9項中任一項記載之光學機能膜，其層積於金屬，從前述光學機能膜側測定之平均反 射率為30%以下。
- 一種層積配線膜，具備金屬配線膜與層積於此金屬配線膜之光學機能膜，前述光學機能膜係作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種或2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Cu及Fe中之任1種或2種、3~10at%之Mn及Co中之任1種或2種之氧化物所成。
- 一種層積配線膜，具備金屬配線膜與層積於此金屬配線膜的光學機能膜，前述光學機能膜係作為金屬元素，以Mo及In中之任1種或2種及Cu及Fe中之任1種又2種為主成分，由以合計不超過100at%的範圍含有5~80at%之Mo及In中之任1種或2種、20~95at%之Fe或合計20~95at%之Cu及Fe但Fe為9.8at%以上之氧化物所成。
- 如申請專利範圍第12項記載之層積配線膜，其中，前述光學機能膜係作為前述金屬元素，由更以合計不超過100at%的範圍含有3~10at%之選自Ni、Mn及Co之中之至少1種之氧化物所成。
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