WO2015190438A1 - 仮接着剤を用いた積層体 - Google Patents

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separation layer
support
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哲 上林
浩司 荻野
榎本　智之
和宏 澤田
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日産化学工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a temporary adhesive for fixing a wafer to a support during polishing of the back surface of the wafer and a laminate using the temporary adhesive.
  • semiconductor wafers that have been integrated in a two-dimensional plane direction are required to have a semiconductor integration technique in which planes are further integrated (laminated) in a three-dimensional direction for the purpose of further integration.
  • This three-dimensional stacking is a technique in which multilayers are integrated while being connected by through silicon vias (TSVs).
  • TSVs through silicon vias
  • each wafer to be integrated is thinned by polishing on the side opposite to the formed circuit surface (that is, the back surface), and the thinned semiconductor wafers are stacked.
  • a semiconductor wafer before thinning (herein simply referred to as a wafer) is bonded to a support for polishing with a polishing apparatus.
  • the adhesion at that time is called temporary adhesion because it must be easily peeled off after polishing.
  • This temporary adhesion must be easily removed from the support, and if a large force is applied to the removal, the thinned semiconductor wafer may be cut or deformed. Almost removed.
  • the semiconductor wafer is detached or shifted due to polishing stress when the back surface of the semiconductor wafer is polished. Therefore, the performance required for temporary bonding is to withstand stress during polishing and to be easily removed after polishing. For example, the performance is required to have a high stress (strong adhesion) in the planar direction during polishing and a low stress (weak adhesion) in the longitudinal direction during removal.
  • Such an adhesion process has an adhesive layer and a separation layer, and the separation layer is formed by plasma polymerization of dimethylsiloxane and mechanically separated after polishing (see Patent Document 1 and Patent Document 2), A method of bonding a support substrate and a semiconductor wafer with an adhesive composition, removing the adhesive with an etching solution after polishing the back surface of the semiconductor wafer (see Patent Document 3), and an adhesive for bonding the support and the semiconductor wafer
  • a wafer processed body including a combination of a polymer layer obtained by polymerizing an alkenyl group-containing organopolysiloxane and a hydrosilyl group-containing organopolysiloxane with a platinum catalyst and a polymer layer composed of a thermosetting polysiloxane (Patent Document 4, Patent Document 5) is disclosed.
  • a temporary adhesive layer and a wafer are laminated on a support, and the temporary adhesive layer is a laminate including an adhesive layer made of polyorganosiloxane that is cured by a hydrosilylation reaction and a separation layer,
  • the separation layer is excellent in spin coatability to the circuit surface of the wafer when forming the separation layer, excellent in heat resistance when bonded to the adhesive layer and when processing the back surface of the wafer, and easily after polishing the back surface of the wafer.
  • the present invention provides a laminate as a temporary adhesive that includes a separation layer that can be peeled and can be easily removed by a solvent after the separation layer adhered to the wafer.
  • the above laminate which is a polyorganosiloxane representing an epoxy group or a phenyl group
  • the adhesive layer (A) siloxane units represented by SiO 2 (Q units), R 1 R 2 R 3 siloxane units represented by SiO 1/2 (M unit), R 4 A polysi
  • the separating layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 7 R 8 SiO 2/2 (wherein R 7 and R 8 are each formed by Si—C bonds).
  • the polyorganosiloxane has a unit structure in which R 7 and R 8 each have a methyl group and an aralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, a methyl group and 1 to
  • the laminate according to the first aspect or the second aspect which is a copolymer (b1) including a unit structure having 10 alkyl groups
  • the separation layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 9 R 10 SiO 2/2 (provided that R 9 and R 10 are each bonded to a Si—C bond).
  • the separation layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 11 R 12 SiO 2/2 (wherein R 11 and R 12 are each bonded to a Si—C bond).
  • the separation layer (B) is a third aspect or a mixture of polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) and polydimethylsiloxane (b4).
  • the laminate according to any one of the fifth aspects includes an adhesive layer (A) on the support, and the first separation layer (B1) on the circuit surface of the wafer.
  • a laminate (S) comprising a separation layer (B) as
  • the laminate (S) according to the seventh aspect further including a separation layer (B) as the second separation layer (B2) between the support and the adhesive layer (A)
  • the laminate according to any one of the first to sixth aspects includes an adhesive layer (A) on the circuit surface of the wafer, and the first separation layer (B1) on the support.
  • a laminate (T) comprising the separation layer (B) as As a tenth aspect, the adhesive layer (A) is formed on the support, the first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating, and the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) are formed.
  • Manufacturing method of the laminate (S) according to the seventh aspect wherein the support and the wafer are joined so as to face each other, As an eleventh aspect, the second separation layer (B2) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating.
  • the method for producing a laminate (S) according to the eighth aspect in which the support and the wafer are bonded so that the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) face each other, As a twelfth aspect, the adhesive layer (A) is formed on the support, the first separation layer (B1) is formed thereon, and the first separation layer (B1) and the circuit surface face each other.
  • the method for producing a laminate (S) according to the seventh aspect in which the wafers are lap-joined, As a thirteenth aspect, the first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed on the circuit surface of the wafer by coating, and the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) are formed.
  • the manufacturing method of the laminate (T) according to the ninth aspect wherein the support and the wafer are bonded so as to face each other.
  • the first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the adhesive layer (A) and the circuit surface face each other.
  • an adhesive layer (A) is formed on a support, a first separation layer (B1) is formed on a circuit surface of a wafer by coating, and the adhesive layer (A) and the first separation layer are formed.
  • the second separation layer (B2) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating.
  • the separation method of the laminate (S) according to the eighth aspect in which the support and the wafer are separated in the layer (B1) and / or the second separation layer (B2),
  • an adhesive layer (A) is formed on a support, a first separation layer (B1) is formed thereon, and a wafer circuit surface is lap-bonded thereon, and then a wafer circuit surface is formed.
  • the method for separating the laminate (S) according to the seventh aspect in which the wafer back surface on the opposite side is polished and the wafer and the support are separated in the first separation layer (B1).
  • the first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed on the circuit surface of the wafer by coating, and the adhesive layer (A) and the first separation layer are formed. After bonding the support and the wafer so that (B1) face each other, the back surface of the wafer opposite to the circuit surface of the wafer is polished, and in the first separation layer (B1), the wafer and the support.
  • the method for separating the laminate (T) according to the ninth aspect for performing separation of
  • the first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the circuit surface of the wafer is overlapped and bonded to the circuit surface of the wafer.
  • the separation method of the laminate (T) according to the ninth aspect wherein the back surface of the wafer on the opposite side is polished and the wafer and the support are separated in the first separation layer (B1)
  • the twentieth aspect As for forming the first separation layer (B1) or the second separation layer (B2) used in the laminate (S) or (T) according to any one of the first aspect to the ninth aspect It is a composition.
  • this polyorganosiloxane it has excellent spin coatability on the circuit surface of the wafer, excellent heat resistance when bonded to the adhesive layer and when processing the back surface of the wafer, and easily after polishing the back surface of the wafer
  • the separation layer can be peeled off, and after separation, the separation layer adhering to the wafer can be easily removed with a solvent.
  • the wafer is thinned by polishing. Thereafter, a through silicon via (TSV) or the like is formed, and then the thinned wafer is peeled off from the support to form a laminated body of wafers, which is three-dimensionally mounted.
  • TSV through silicon via
  • a wafer back electrode and the like are also formed before and after that. Heat of 250 to 350 ° C. is applied to the wafer thinning and TSV process while being bonded to the support, but the laminate as a temporary adhesive used in the present invention has such heat resistance. Yes.
  • the present invention relates to a peelable adhesive layer (A) made of polyorganosiloxane that is cured by a hydrosilylation reaction as a temporary adhesive inserted between a support and a circuit surface of a wafer;
  • the support and the wafer are temporarily bonded by the temporary adhesive layer, and the back surface opposite to the circuit surface of the wafer is processed by polishing or the like, whereby the thickness of the wafer can be reduced.
  • the temporary bonding is performed when the back surface of the wafer is polished, and the support and the thinned wafer can be separated after polishing the back surface of the wafer.
  • the adhesive layer (A) that forms the temporary adhesive layer in the present invention is formed by the adhesive layer (A) forming composition.
  • the composition for forming the adhesive layer (A) contains the following polysiloxane and other additives.
  • the adhesive layer (A) it is preferable to apply a polyorganosiloxane that is cured by a hydrosilylation reaction.
  • siloxane units (M units) represented by R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 , R 4 R 5 SiO 2 A polysiloxane selected from the group consisting of a siloxane unit (D unit) represented by / 2 and a siloxane unit (T unit) represented by R 6 SiO 3/2 (wherein R 1 to R 6 are each Si—C And any two or more of R 1 to R 6 represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms.
  • Siloxane (a1) and polyorganosiloxane (a2) in which any two or more of R 1 to R 6 represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a hydrogen atom can be included.
  • the polyorganosiloxane (a1) contains an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms
  • the polyorganosiloxane (a2) has an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and a hydrogen atom. Is included.
  • the alkenyl group and the Si—H group are cured by forming a crosslinked structure by a hydrosilylation reaction with a platinum catalyst.
  • the polyorganosiloxane (a1) is selected from Q unit, M unit, D unit and T unit. For example, a combination of (Q unit and M unit) and (D unit and M unit), (T unit and M unit) And (D unit and M unit), (Q unit and T unit and M unit) and (T unit and M unit), (T unit and M unit), (Q unit and M unit) ).
  • the polyorganosiloxane (a2) is selected from Q unit, M unit, D unit, and T unit.
  • Q unit Q unit
  • M unit D unit
  • T unit T unit
  • alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms examples include ethenyl group, 1-propenyl group, 2-propenyl group, 1-methyl-1-ethenyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, 3-butenyl group, 2-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-2-propenyl group, 1-ethylethenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 1-methyl-2-propenyl group, 1-pentenyl group, 2-pentenyl group 3-pentenyl group, 4-pentenyl group, 1-n-propylethenyl group, 1-methyl-1-butenyl group, 1-methyl-2-butenyl group, 1-methyl-3-butenyl group, 2-ethyl -2-propenyl group, 2-methyl-1-butenyl group, 2-methyl-2-butenyl group, 2-methyl-3-butenyl group, 3-methyl-1-butenyl group, 3-methyl-2-butenyl group 3-methyl-3methyl
  • the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n -Pentyl group, 1-methyl-n-butyl group, 2-methyl-n-butyl group, 3-methyl-n-butyl group, 1,1-dimethyl-n-propyl group, 1,2-dimethyl-n- Propyl group, 2,2-dimethyl-n-propyl group, 1-ethyl-n-propyl group, n-hexyl group, 1-methyl-n-pentyl group, 2-methyl-n-pentyl group, 3-methyl- n-pentyl group, 4-methyl-n-pentyl group, 1,1-dimethyl-n-butyl group, 1,2-dimethyl-n-butyl group, 1,3-
  • the polyorganosiloxane (a1) is composed of an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, where the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is a methyl group, 10 alkenyl groups are ethenyl groups, that is, vinyl groups, and the total alkenyl groups represented by R 1 to R 6 are 0.1 mol% to 50.0 mol%, preferably 0.5 mol% to The remaining R 1 to R 6 can be an alkyl group.
  • the polyorganosiloxane (a2) is composed of an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms and a hydrogen atom, the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is a methyl group, and the hydrogen atom forms a Si—H structure. To do.
  • the total amount of hydrogen atoms, that is, Si—H groups represented by R 1 to R 6 is 0.1 mol% to 50.0 mol%, preferably 10.0 mol% to 40.0 mol%. And the remaining R 1 to R 6 can be alkyl groups.
  • the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2) have a molar ratio of hydrogen atoms represented by alkenyl groups and Si—H groups of 2.0: 1.0, preferably 1.5: 1.0. It can contain.
  • the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2) can be used in a weight average molecular weight range of 500 to 1000000 or 5000 to 50000, respectively.
  • the adhesive layer (A) can further contain a platinum catalyst.
  • a platinum-based metal catalyst is a catalyst for promoting the hydrosilylation addition reaction between an alkenyl group and a Si—H group, and is a reaction of platinum black, platinous chloride, chloroplatinic acid, chloroplatinic acid and a monohydric alcohol.
  • Platinum catalysts such as platinum, chloroplatinic acid and olefins, and platinum bisacetoacetate. Examples of the complex of platinum and olefins include a complex of divinyltetramethyldisiloxane and platinum.
  • the addition amount of the platinum catalyst can be added in the range of 1.0 to 50.0 ppm with respect to the total amount of the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2).
  • alkynyl alcohol can be further added as an inhibitor that suppresses the progress of the hydrosilylation reaction.
  • the inhibitor include 1-ethynyl-1-cyclohexanol. These inhibitors can be added in the range of 1000.0 to 10000.0 ppm with respect to the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2).
  • the polyorganosiloxane used in the separation layer (B) of the present invention has a siloxane unit (D unit) represented by RRSiO 2/2 (wherein each R is bonded to a silicon atom through a Si—C bond). And at least one R represents an aralkyl group, an epoxy group, or a phenyl group.
  • the separation layer (B) is formed by the composition for forming the separation layer (B), and the composition for forming the separation layer (B) can contain polysiloxane and other additive components.
  • the polysiloxane used in the separation layer (B) contains siloxane units (D units), but may contain Q units, M units, and T units.
  • D units siloxane units
  • Q units Q units
  • M units M units
  • T units T units
  • the separation layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 7 R 8 SiO 2/2 (provided that R 7 and R 8 are each bonded to a silicon atom by a Si—C bond). those who are.) wherein the said polyorganosiloxane is a unit structure representing the aralkyl group of R 7 and R 8 is a methyl group and the carbon atoms 7 ⁇ 40, R 7 and R 8 are methyl groups and carbon atoms
  • a copolymer (b1) containing a unit structure representing an alkyl group of 1 to 10 can be used.
  • an aralkyl group is a substituent in which an alkyl group and an aryl group are combined, and has a structure in which the alkyl group is bonded to a silicon atom.
  • examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a biphenyl group.
  • Preferred aralkyl groups include, for example, benzyl group, phenethyl group and the like. This alkyl group is bonded to the silicon atom and the aryl group as an alkylene group.
  • a unit structure (b1-1) having a methyl group and an aralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, and a unit structure having a methyl group and an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms ( b1-2) can be used in a molar ratio of (b1-1) :( b1-2) of 1: 0.1 to 100.0, or 1: 1.0 to 20.0.
  • polyorganosiloxane (b1) those having a weight average molecular weight of 500 to 100,000 or 5,000 to 30,000 can be used.
  • the structure of formula (b1) can be exemplified below.
  • m and n represent the number of repeating units
  • Q 1 represents the aralkyl group
  • Q 2 represents the alkyl group.
  • the separation layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 9 R 10 SiO 2/2 (provided that R 9 and R 10 are each bonded to a silicon atom by a Si—C bond). those are a.), wherein the said polyorganosiloxane comprises a unit structure R 9 and R 10 represent a unit structure that represents a methyl group and epoxycyclohexyl group, the R 9 and R 10 are each methyl A copolymer (b2) can be used.
  • the epoxycyclohexylalkyl group is, for example, a substituent in which a 3,4-epoxycyclohexyl group and an alkyl group are combined, and has a structure in which the alkyl group is bonded to a silicon atom.
  • the alkyl group include the above alkyl groups, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. This alkyl group is bonded to a silicon atom and an epoxycyclohexyl group as an alkylene group.
  • Examples of the epoxycyclohexylalkyl group include a 3,4-epoxycyclohexylmethyl group, a 3,4-epoxycyclohexylethyl group, and a 3,4-epoxycyclohexylpropyl group.
  • the unit structure (b2-1) having a methyl group and an epoxycyclohexylalkyl group and the unit structure (b2-2) each having a methyl group are (b2-1) in molar ratio: (B2-2) can be used in the range of 1: 0.1 to 100.0, or 1: 10.0 to 100.0.
  • polyorganosiloxane (b2) those having a weight average molecular weight in the range of 5,000 to 100,000, or 10,000 to 80,000 can be used.
  • the structure of formula (b2) can be exemplified below.
  • m and n represent the number of repeating units.
  • the separation layer (B) is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 11 R 12 SiO 2/2 (provided that R 11 and R 12 are each bonded to a silicon atom by a Si—C bond). those who are.) wherein the said polyorganosiloxane is R 11 and a unit structure represents a phenyl group R 12 are each a copolymer comprising a unit structure of R 11 and R 12 each represent a methyl group (b3 ) Can be used. Moreover, you may have alkenyl groups, such as a vinyl group and an allyl group, in the molecular chain terminal. These alkenyl groups are bonded to silicon atoms. It has a diphenyl silicon structure in which a phenyl group is directly bonded to a silicon atom.
  • D unit siloxane unit represented by R 11 R 12 SiO 2/2
  • the unit structure (b3-1) each having a phenyl group and the unit structure (b3-2) each having a methyl group have a molar ratio of 1: 0.1 to 100.0, or 1: 1.0 to 50. It can be used in the range of 0.
  • polyorganosiloxane (b3) those having a weight average molecular weight in the range of 5,000 to 50,000, or 10,000 to 100,000 can be used.
  • the structure of formula (b3) can be exemplified below.
  • m and n represent the number of repeating units.
  • the amount of diphenylsiloxane can be 15 to 17 mol%.
  • the mixture of polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) and polydimethylsiloxane (b4) can be used for the separation layer (B).
  • the polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) and polydimethylsiloxane (b4) are in a mass ratio of 1: 0.1 to 10, or 1: 0.5 to 7 It can be used in the range.
  • the separation layer (B) can be made of polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2), or polyorganosiloxane (b3) alone. Further, polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) can be mixed with polydimethylsiloxane (b4) and used as a mixture of polysiloxanes.
  • polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) is used alone or in a mixture of them with polydimethylsiloxane (b4), (b1), (b2 ), (B3), (b4) can be dissolved in hexamethyldisiloxane (b5), respectively, and dissolved at 1 to 100% by mass, or 5 to 20% by mass, typically 10% by mass.
  • polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) is dissolved in hexamethyldisiloxane (b5) at the above concentration, and polydimethylsiloxane (b4) is separately added to hexamethyldisiloxane.
  • a polyorganosiloxane solution for forming the separation layer (B) a composition for forming a separation layer can be obtained.
  • polydimethylsiloxane (b4) a polymer having a polymerization degree in the range of 200 to 1,000 can be used.
  • the laminate of the present invention is a laminate (S) including an adhesive layer (A) on a support and a separation layer (B) as a first separation layer (B1) on a circuit surface of a wafer.
  • the adhesive layer (A) is formed on the support, the first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating, and the adhesive layer (A)
  • the support and the wafer can be bonded and manufactured so that the first separation layer (B1) faces each other.
  • the adhesive layer (A) is formed by applying the polysiloxane forming composition of the adhesive layer (A) containing the polyorganosiloxane (a1) and the polyorganosiloxane (a2) at room temperature. can do.
  • the separating layer (B) is a polysiloxane-forming composition containing the copolymer (b1), a polysiloxane-forming composition containing the copolymer (b2), or a polysiloxane-containing composition containing the copolymer (b3).
  • the composition can be applied and heated at 100 ° C. to 200 ° C. to form a separation layer (B) such as a first separation layer or a second separation layer.
  • the step of bonding the support and the wafer so that the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) face each other is preferably performed under reduced pressure, and is preferably heated at 120 to 230 ° C. after the bonding.
  • the laminated body (S) which further contains the separated layer (B) as a 2nd separated layer (B2) between a support body and an adhesive bond layer (A).
  • the second separation layer (B2) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the first separation layer (B1) is applied to the circuit surface of the wafer.
  • the laminate (S) can be manufactured by bonding the support and the wafer so that the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) face each other.
  • an adhesive layer (A) is formed on a support, a first separation layer (B1) is formed thereon, and a wafer is formed so that the first separation layer (B1) and the circuit surface face each other. Can be laminated to produce a laminate (S).
  • the laminate of the present invention comprises a laminate (T) comprising an adhesive layer (A) on the circuit surface of the wafer and a separation layer (B) as the first separation layer (B1) on the support. It is.
  • the first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed on the circuit surface of the wafer by coating, and the adhesive layer (A) and the first layer are formed.
  • a laminated body (T) can be manufactured by bonding the support and the wafer so that one separated layer (B1) faces each other.
  • first separation layer (B1) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the wafer is placed so that the adhesive layer (A) and the circuit surface face each other.
  • a laminated body (T) can be manufactured by lap joining.
  • the formation of the adhesive layer (A) can be performed by depositing polyorganosiloxane for forming the adhesive layer (A) on the support using, for example, a spin coater.
  • the separation layer (B) is formed by attaching polyorganosiloxane for forming the separation layer (B) to the circuit surface of the wafer by a spin coater and heating at a temperature of 100 to 200 ° C. to form the separation layer (B). Can be formed.
  • the support on which the adhesive layer (A) is formed and the wafer on which the first separation layer (B1) is formed combine both objects under reduced pressure (for example, a reduced pressure state of 10 Pa to 10,000 Pa) to form a laminate. Can be made. When the two objects are combined, they can be heated under reduced pressure (for example, 120 ° C. to 230 ° C.). The adhesive layer (A) is cured by this heating.
  • reduced pressure for example, a reduced pressure state of 10 Pa to 10,000 Pa
  • the laminate of the present invention can also be formed by coating the second separation layer (B2) between the support and the adhesive layer (A).
  • a 2nd separated layer (B2) can be apply
  • the support on which the second separation layer (B2) and the adhesive layer (A) are formed, and the wafer on which the first separation layer (B1) is formed, are both under reduced pressure (for example, in a reduced pressure state of 10 Pa to 10,000 Pa). )
  • reduced pressure for example, in a reduced pressure state of 10 Pa to 10,000 Pa.
  • the two objects can be heated under reduced pressure (for example, 120 ° C. to 230 ° C.).
  • the adhesive layer (A) is cured by this heating.
  • the wafer on which the first separation layer (B1) and the adhesive layer (A) are formed, and the support can combine both objects under reduced pressure (for example, a reduced pressure state of 10 Pa to 10000 Pa) to form a laminate.
  • reduced pressure for example, a reduced pressure state of 10 Pa to 10000 Pa
  • the two objects can be heated under reduced pressure (for example, 120 ° C. to 230 ° C.).
  • the adhesive layer (A) is cured by this heating.
  • the substrate on which the first separation layer (B1) is formed and the wafer on which the adhesive layer (A) is formed are laminated by combining both objects under reduced pressure (for example, a reduced pressure state of 10 Pa to 10,000 Pa).
  • the body can be formed.
  • they can be heated under reduced pressure (for example, 120 ° C. to 230 ° C.).
  • the adhesive layer (A) is cured by this heating.
  • the second separation layer (B2) can be used in the same composition and the same component as the first separation layer (B1).
  • the wafer is thinned by polishing. Thereafter, a through silicon via (TSV) or the like is formed, and then the thinned wafer is peeled off from the support to form a laminated body of wafers, which is three-dimensionally mounted.
  • TSV through silicon via
  • a wafer back electrode and the like are also formed before and after that. Heat of 250 to 350 ° C. is applied to the wafer thinning and TSV process while being bonded to the support, but the laminate as a temporary adhesive used in the present invention has such heat resistance. Yes.
  • the support and the wafer can be separated.
  • An adhesive layer (A) is formed on the support, and a first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating.
  • the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) face each other.
  • a laminated body is provided that performs wafer backside polishing on the opposite side of the circuit surface of the wafer and separates the support and the wafer in the first separation layer (B1). This is the separation method of (S).
  • the second separation layer (B2) is formed on the support, the adhesive layer (A) is formed thereon, and the first separation layer (B1) is formed on the circuit surface of the wafer by coating.
  • the back surface of the wafer opposite to the circuit surface of the wafer is polished, and the first separation layer (B1) and / or the second separation layer (B2) is a separation method of the laminate (S) in which the support and the wafer are separated.
  • the first separation layer (B1) is formed on the support, and the adhesive layer (A) is formed on the circuit surface of the wafer by coating.
  • the adhesive layer (A) and the first separation layer (B1) After the support and the wafer are bonded so as to face each other, the back surface of the wafer opposite to the circuit surface of the wafer is polished, and the support and the wafer are separated in the first separation layer (B1). It is the separation method of the laminated body (T) to perform.
  • the opposite side of the circuit surface of the wafer is a separation method of the laminate (T) in which the wafer back surface is polished and the wafer and the support are separated in the first separation layer (B1).
  • peeling method examples include solvent peeling, laser peeling, mechanical peeling with equipment having sharp parts, peeling that peels off between the support and the wafer, and the like.
  • it is also a composition for forming a separation layer for forming the first separation layer (B1) or the second separation layer (B2) used in the laminate.
  • the composition for forming a separation layer is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 7 R 8 SiO 2/2 (provided that R 7 and R 8 are each bonded to a silicon atom by a Si—C bond). and are.) wherein the said polyorganosiloxane is R 7 and the unit structure represented by R 8 and aralkyl groups such as methyl group and the carbon atoms 7 ⁇ 40, R 7 and R 8 is the number of methyl groups and carbon atom 1 A copolymer (b1) containing a unit structure representing ⁇ 10 alkyl groups.
  • D unit siloxane unit represented by R 7 R 8 SiO 2/2
  • composition for forming a separation layer is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 9 R 10 SiO 2/2 (provided that R 9 and R 10 are each bonded to a silicon atom by a Si—C bond). include binding to that.), the polyorganosiloxane comprises a unit structure representing a unit structure R 9 and R 10 represent a methyl group and epoxycyclohexyl group, the R 9 and R 10 are each methyl It is a copolymer (b2).
  • D unit siloxane unit represented by R 9 R 10 SiO 2/2
  • composition for forming a separation layer is a polyorganosiloxane containing a siloxane unit (D unit) represented by R 11 R 12 SiO 2/2 (provided that R 11 and R 12 are each silicon by a Si—C bond). bonded to atom.), wherein the said polyorganosiloxane is a unit structure represents a phenyl group and R 11 and R 12 are each a copolymer comprising a unit structure of R 11 and R 12 each represent a methyl group (B3).
  • D unit siloxane unit represented by R 11 R 12 SiO 2/2 (provided that R 11 and R 12 are each silicon by a Si—C bond). bonded to atom.)
  • the said polyorganosiloxane is a unit structure represents a phenyl group and R 11 and R 12 are each a copolymer comprising a unit structure of R 11 and R 12 each represent a methyl group (B3).
  • polyorganosiloxane (b1), polyorganosiloxane (b2) or polyorganosiloxane (b3) can be made into a mixture of polydimethylsiloxane (b4), each of which is dissolved in hexamethyldisiloxane. Can be used.
  • Separatation layer forming composition 1 A polyorganosiloxane corresponding to (b1) (product name XF42-334, manufactured by Momentive Performance Materials) and a polyorganosiloxane corresponding to (b4) (product name AK1000000, manufactured by Wacker Chemi) (b5) Were each dissolved in hexamethyldisiloxane corresponding to 10% by mass. Both solutions were mixed at a mass ratio of 1: 1 to form a separation layer forming composition (1).
  • Separatation layer forming composition 2 A polyorganosiloxane corresponding to (b2) (trade name ECMS-327 manufactured by Gelest Co.) and a polyorganosiloxane corresponding to (b4) (trade name AK1000000 manufactured by Wacker Chemi) were converted to hexamethyl corresponding to (b5). Each was dissolved in disiloxane so as to be 10% by mass. Both solutions were mixed at a mass ratio of 1: 1 to form a separation layer forming composition (2).
  • Separatation layer forming composition 3 A polyorganosiloxane corresponding to (b3) (trade name PDV-1641, manufactured by Gelest Co.) and a polyorganosiloxane corresponding to (b4) (trade name AK1000000, manufactured by Wacker Chemi) were converted to hexamethyl corresponding to (b5). Each was dissolved in disiloxane so as to be 10% by mass. Both solutions were mixed at a mass ratio of 1: 1 to form a separation layer forming composition (3).
  • (Separation layer forming composition 4) Polyorganosiloxane corresponding to (c1) (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name KF-412, the component is a long-chain alkyl group-containing polyorganosiloxane), and polyorganosiloxane corresponding to (b4) (manufactured by Wacker Chemi) , Trade name AK1000000) was dissolved in hexamethyldisiloxane corresponding to (b5) so as to be 10% by mass. Both solutions were mixed at a mass ratio of 1: 1 to form a separation layer forming composition (4).
  • Q 3 represents a long chain alkyl group.
  • Example 1 In order to form the first separation layer (B1) on a 300 mm silicon wafer (thickness: 770 ⁇ m), the separation layer forming compositions (1) to (5) were respectively formed to a thickness of about 2 ⁇ m by spin coating. A film was formed on the wafer, and heated and baked at 100 ° C. for 1 minute and then at 160 ° C. for 1 minute to form separation layers (1) to (5). On the film, a polysiloxane resin (manufactured by Wacker) was applied with a film thickness of about 110 ⁇ m by spin coating in order to form an adhesive layer (A).
  • a polysiloxane resin manufactured by Wacker
  • a silicon wafer having a resin layer and a support layer of a 300 mm glass wafer (thickness: 700 ⁇ m) are bonded together in a vacuum bonding apparatus (LF Bonder, manufactured by SUSS Microtec Co., Ltd.) so as to sandwich the resin, and a laminate is manufactured. did. Thereafter, heat treatment was performed on a hot plate at 140 ° C. for 15 minutes and at 190 ° C. for 10 minutes. Then, the following test was done. The results are shown in Table 1.
  • Example 2 During the scribe line of 110 ⁇ m width, height 80 ⁇ m on the surface, the diameter 105 .mu.m, the pitch 200 ⁇ m tin - copper bump 300mm silicon wafer formed in 15 mm 2 (thickness: 700 .mu.m), the first separation layer (B1)
  • Each of the separation layer forming compositions (1) to (5) is formed on the wafer bump formation surface by spin coating to a thickness of about 2 ⁇ m, and is formed at 100 ° C. for 1 minute, and then at 160 ° C. It was heated and fired for 1 minute to form separate layers (1) to (5), respectively.
  • a polysiloxane resin manufactured by Wacker was applied with a film thickness of about 110 ⁇ m by spin coating in order to form an adhesive layer (A).
  • Example 3 In order to form the first separation layer (B1) on a support layer of a 300 mm glass wafer (thickness: 700 ⁇ m), each of the separation layer forming compositions (1) to (5) was formed to a thickness of about 2 ⁇ m by spin coating. The film was formed on the wafer and heated and fired at 100 ° C. for 1 minute and then at 160 ° C. for 1 minute to form separation layers (1) to (5), respectively. Next, a polysiloxane resin (manufactured by Wacker) for forming an adhesive layer (A) by spin coating was applied to a 300 mm silicon wafer (thickness: 770 ⁇ m) with a film thickness of about 110 ⁇ m.
  • a polysiloxane resin manufactured by Wacker
  • a glass wafer support layer having a separation layer and a silicon wafer having a resin layer are laminated and laminated in a vacuum bonding apparatus (manufactured by SUSS Microtec, manual bonder) so that the separation layer and the resin layer face each other.
  • the body was made. Thereafter, heat treatment was performed on a hot plate at 150 ° C. for 15 minutes and at 190 ° C. for 10 minutes. Then, the following test was done. The results are shown in Table 3.
  • the separation layers (1) to (3) formed from the separation layer forming compositions 1 to 3 are excellent in heat resistance, peelability, and cleaning removal properties. Showed a good result.
  • the separation layers (4) to (5) formed from the separation layer forming compositions 4 to 5 did not give good results in peelability and cleaning removal property.
  • the separation layers (1) to (3) formed from the separation layer forming compositions 1 to 3 showed good results in heat resistance and peelability.
  • the separation layers (4) to (5) formed from the separation layer forming compositions 4 to 5 were peelable and did not give good results.
  • a temporary adhesive layer and a wafer are laminated on a support, and the temporary adhesive layer includes an adhesive layer made of a polyorganosiloxane that is cured by a hydrosilylation reaction, and a separation layer. Excellent spin-coating on the circuit surface of the wafer when forming the layer, excellent heat resistance when bonded to the adhesive layer and when processing the back side of the wafer, and can be easily peeled off after polishing the back side of the wafer.

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Abstract

【課題】　ウエハー裏面の研磨後には容易に剥離でき、耐熱性、洗浄除去性が容易な仮接着剤を提供する。 【解決手段】　支持体上とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された接着剤層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された分離層（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、該分離層（Ｂ）を構成するポリオルガノシロキサンがＲＲＳｉＯ２／２（但しＲはそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、少なくとも一つのＲがアラルキル基、エポキシ基、又はフェニル基を表すポリオルガノシロキサンである上記積層体。それら積層体の製造方法及び分離方法。分離層を形成するための組成物。

Description

仮接着剤を用いた積層体
　本発明は、ウエハー裏面の研磨時にウエハーを支持体に固定するための仮接着剤とそれを用いた積層体に関する。
　従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーを積層する。
　薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）を、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。この仮接着は支持体から容易に取り外されなければならず、取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり変形することがあり、その様なことが生じない様に、容易に取り外される。しかし、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって外れたりずれたりすることは好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐え、研磨後に容易に取り外されることである。
　例えば研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）を持ち、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）を有する性能が求められる。
　この様な接着プロセスとして接着剤層と分離層を持ち、分離層がジメチルシロキサンのプラズマ重合によって形成され、研磨後に機械的に分離する方法（特許文献１、特許文献２参照）、
　支持基板と半導体ウエハーとを接着性組成物で接着し、半導体ウエハーの裏面を研磨した後に接着剤をエッチング液で除去する方法（特許文献３参照）、並びに
　支持体と半導体ウエハーを接着する接着剤層としては、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンとヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサンとを白金触媒で重合した重合層と、熱硬化性ポリシロキサンからなる重合層との組み合わせを含むウエハー加工体（特許文献４、特許文献５参照）、が開示されている。
特表２０１２－５１０７１５ 特表２０１２－５１３６８４ 特表２００８－５３２３１３ 特開２０１３－１７９１３５ 特開２０１３－２３２４５９
　本発明は支持体上に仮接着剤層とウエハーが積層されていて、その仮接着剤層はヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる接着剤層と分離層を含む積層体であって、該分離層は、分離層を形成する時にウエハーの回路面へのスピンコート性に優れ、接着剤層との接合時やウエハー裏面の加工時における耐熱性に優れ、ウエハー裏面の研磨後には容易に剥離でき、剥離後はウエハーに付着した分離層が溶剤によって簡単に除去できる分離層を含む仮接着剤としての積層体を提供するものである。
　本発明は第１観点として、支持体上とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された接着剤層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された分離層（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、該分離層（Ｂ）を構成するポリオルガノシロキサンがＲＲＳｉＯ２／２（但しＲはそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、少なくとも一つのＲがアラルキル基、エポキシ基、又はフェニル基を表すポリオルガノシロキサンである上記積層体、
　第２観点として、前記接着剤層（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ１乃至Ｒ６はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または炭素原子数２～１０のアルケニル基を表すポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または水素原子を表すポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むものである第１観点に記載の積層体、
　第３観点として、前記分離層（Ｂ）が、Ｒ７Ｒ８ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ７及びＲ８はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数７～４０のアラルキル基とを有する単位構造と、メチル基と炭素原子数１～１０のアルキル基とを有する単位構造とを含む共重合体（ｂ１）である第１観点又は第２観点に記載の積層体、
　第４観点として、前記分離層（Ｂ）が、Ｒ９Ｒ１０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ９及びＲ１０はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ９及びＲ１０がメチル基とエポキシシクロヘキシルアルキル基とを表す単位構造と、Ｒ９及びＲ１０がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ２）である第１観点又は第２観点に記載の積層体、
　第５観点として、前記分離層（Ｂ）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ１１及びＲ１２はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ１１及びＲ１２がそれぞれフェニル基を表す単位構造と、Ｒ１１及びＲ１２がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ３）である第１観点又は第２観点に記載の積層体、
　第６観点として、前記分離層（Ｂ）が、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）と、ポリジメチルシロキサン（ｂ４）との混合物である第３観点乃至第５観点のいずれか一つに記載の積層体、
　第７観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載の積層体が、支持体上に接着剤層（Ａ）を含み、ウエハーの回路面上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含むものである積層体（Ｓ）、
　第８観点として、支持体と接着剤層（Ａ）との間に第二分離層（Ｂ２）としての分離層（Ｂ）を更に含む第７観点に記載の積層体（Ｓ）、
　第９観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載の積層体が、ウエハーの回路面上に接着剤層（Ａ）を含み、支持体上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含むものである積層体（Ｔ）、
　第１０観点として、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、接着剤層（Ａ）と第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合する第７観点に記載の積層体（Ｓ）の製造方法、
　第１１観点として、支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、接着剤層（Ａ）と第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合する第８観点に記載の積層体（Ｓ）の製造方法、
　第１２観点として、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に該第一分離層（Ｂ１）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合する第７観点に記載の積層体（Ｓ）の製造方法、
　第１３観点として、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、接着剤層（Ａ）と第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した第９観点に記載の積層体（Ｔ）の製造方法、
　第１４観点として、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に該接着剤層（Ａ）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合する第９観点に記載の積層体（Ｔ）の製造方法、
　第１５観点として、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う第７観点に記載の積層体（Ｓ）の分離方法、
　第１６観点として、支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、接着剤層（Ａ）と第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）及び／又は第二分離層（Ｂ２）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う第８観点に記載の積層体（Ｓ）の分離方法、
　第１７観点として、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上にウエハー回路面を重ね接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う第７観点に記載の積層体（Ｓ）の分離方法、
　第１８観点として、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う第９観点に記載の積層体（Ｔ）の分離方法、
　第１９観点として、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上にウエハーの回路面を重ね接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う第９観点に記載の積層体（Ｔ）の分離方法、及び
　第２０観点として、第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の積層体（Ｓ）又は（Ｔ）に使用される第一分離層（Ｂ１）又は第二分離層（Ｂ２）を形成するための組成物である。
　本発明により、即ち支持体上とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された接着剤層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された分離層（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、該分離層（Ｂ）が特定構造のポリオルガノシロキサンを用いたことにより、ウエハーの回路面へのスピンコート性に優れ、接着剤層との接合時やウエハー裏面の加工時における耐熱性に優れ、ウエハーの裏面の研磨後には容易に剥離でき、剥離後はウエハーに付着した分離層が溶剤によって簡単に除去できるという効果が得られる。
　ウエハーの回路面の反対側の加工とは、研磨によるウエハーの薄化が行われる。その後、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持体に接着された状態で２５０～３５０℃の熱が付加されるが、本発明に用いられる仮接着剤としての積層体はそれらの耐熱性を有している。
　本発明は支持体上とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された接着剤層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された分離層（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、該分離層（Ｂ）を構成するポリオルガノシロキサンがＲＲＳｉＯ２／２（但しＲはそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、少なくとも一つのＲがアラルキル基、エポキシ基、又はフェニル基を表すポリオルガノシロキサンである上記積層体である。
　本発明では仮接着剤層によって支持体とウエハーが仮接着され、ウエハーの回路面とは反対側の裏面が研磨等によって加工されることにより、ウエハーの厚みを薄化することができる。
　上記仮接着はウエハー裏面の研磨時は接着されていて、ウエハー裏面の研磨後には支持体と薄化されたウエハーが分離できるものである。
　本発明で仮接着剤層を形成する接着剤層（Ａ）は、接着剤層（Ａ）形成組成物によって形成される。接着剤層（Ａ）形成組成物は下記ポリシロキサンとその他の添加物を含む。
　接着剤層（Ａ）はヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンを適用することが好ましい。例えば、接着剤層（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ１乃至Ｒ６はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または炭素原子数２～１０のアルケニル基を表すポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または水素原子を表すポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むことができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）が炭素原子数１～１０のアルキル基と炭素原子数２～１０のアルケニル基を含んでいて、ポリオルガノシロキサン（ａ２）が炭素原子数１～１０のアルキル基と水素原子を含んでいる。アルケニル基とＳｉ－Ｈ基が白金触媒によりヒドロシリル化反応によって架橋構造を形成し硬化する。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）はＱ単位、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位から選ばれるが、例えば（Ｑ単位とＭ単位）と（Ｄ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｔ単位とＭ単位）と（Ｄ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｑ単位とＴ単位とＭ単位）と（Ｔ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｔ単位とＭ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＭ単位）の組み合わせによって形成することができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ２）はＱ単位、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位から選ばれるが、例えば（Ｍ単位とＤ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＭ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＴ単位とＭ単位）の組み合わせによって形成することができる。
　上記炭素原子数２～１０のアルケニル基は、例えばエテニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－メチル－１－エテニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、２－メチル－１－プロペニル基、２－メチル－２－プロペニル基、１－エチルエテニル基、１－メチル－１－プロペニル基、１－メチル－２－プロペニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ｎ－プロピルエテニル基、１－メチル－１－ブテニル基、１－メチル－２－ブテニル基、１－メチル－３－ブテニル基、２－エチル－２－プロペニル基、２－メチル－１－ブテニル基、２－メチル－２－ブテニル基、２－メチル－３－ブテニル基、３－メチル－１－ブテニル基、３－メチル－２－ブテニル基、３－メチル－３－ブテニル基、１,１－ジメチル－２－プロペニル基、１－i－プロピルエテニル基、１,２－ジメチル－１－プロペニル基、１,２－ジメチル－２－プロペニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、４－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、１－メチル－１－ペンテニル基、１－メチル－２－ペンテニル基、１－メチル－３－ペンテニル基、１－メチル－４－ペンテニル基、１－ｎ－ブチルエテニル基、２－メチル－１－ペンテニル基、２－メチル－２－ペンテニル基、２－メチル－３－ペンテニル基、２－メチル－４－ペンテニル基、２－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、３－メチル－１－ペンテニル基、３－メチル－２－ペンテニル基、３－メチル－３－ペンテニル基、３－メチル－４－ペンテニル基、３－エチル－３－ブテニル基、４－メチル－１－ペンテニル基、４－メチル－２－ペンテニル基、４－メチル－３－ペンテニル基、４－メチル－４－ペンテニル基、１,１－ジペンテニルメチル－２－ブテニル基、１,１－ジメチル－３－ブテニル基、１,２－ジメチル－１－ブテニル基、１,２－ジメチル－２－ブテニル基、１,２－ジメチル－３－ブテニル基、１－メチル－２－エチル－２－プロペニル基、１－s－ブチルエテニル基、１,３－ジメチル－１－ブテニル基、１,３－ジメチル－２－ブテニル基、１,３－ジメチル－３－ブテニル基、１－i－ブチルエテニル基、２,２－ジメチル－３－ブテニル基、２,３－ジメチル－１－ブテニル基、２,３－ジメチル－２－ブテニル基、２,３－ジメチル－３－ブテニル基、２－i－プロピル－２－プロペニル基、３,３－ジメチル－１－ブテニル基、１－エチル－１－ブテニル基、１－エチル－２－ブテニル基、１－エチル－３－ブテニル基、１－ｎ－プロピル－１－プロペニル基、１－ｎ－プロピル－２－プロペニル基、２－エチル－１－ブテニル基、２－エチル－２－ブテニル基、２－エチル－３－ブテニル基、１,１,２－トリメチル－２－プロペニル基、１－t－ブチルエテニル基、１－メチル－１－エチル－２－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－１－プロペニル基、１－エチル－２－メチル－２－プロペニル基、１－i－プロピル－１－プロペニル基及び１－i－プロピル－２－プロペニル基等が挙げられる。特に、エテニル基、即ちビニル基、２－プロペニル基、即ちアリル基を好ましく用いることができる。
　上記炭素原子数１～１０のアルキル基は、例えばメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、i－プロピル基、ｎ－ブチル基、i－ブチル基、ｓ－ブチル基、t－ブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１,１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１,２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２,２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基、ｎ－ヘキシル基、１－メチル－ｎ－ペンチル基、２－メチル－ｎ－ペンチル基、３－メチル－ｎ－ペンチル基、４－メチル－ｎ－ペンチル基、１,１－ジメチル－ｎ－ブチル基、１,２－ジメチル－ｎ－ブチル基、１,３－ジメチル－ｎ－ブチル基、２,２－ジメチル－ｎ－ブチル基、２,３－ジメチル－ｎ－ブチル基、３,３－ジメチル－ｎ－ブチル基、１－エチル－ｎ－ブチル基、２－エチル－ｎ－ブチル基、１,１,２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１,２,２－トリメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピル基及び１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピル基等が挙げられる。特にメチル基を好ましく用いることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）は炭素原子数１～１０のアルキル基と炭素原子数２～１０のアルケニル基で構成され、炭素原子数１～１０のアルキル基がメチル基であり、炭素原子数２～１０のアルケニル基がエテニル基、即ちビニル基であって、アルケニル基がＲ１乃至Ｒ６で表す全置換基中に０．１モル％～５０．０モル％、好ましくは０．５モル％～３０．０モル％とすることができ、残りのＲ１乃至Ｒ６はアルキル基とすることができる。
　また、ポリオルガノシロキサン（ａ２）は炭素原子数１～１０のアルキル基と水素原子で構成され、炭素原子数１～１０のアルキル基がメチル基であり、水素原子はＳｉ－Ｈの構造を形成する。水素原子、即ちＳｉ－Ｈ基がＲ１乃至Ｒ６で表す全置換基中に０．１モル％～５０．０モル％、好ましくは１０．０モル％～４０．０モル％とすることができ、残りのＲ１乃至Ｒ６はアルキル基とすることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）は、アルケニル基とＳｉ－Ｈ基で示される水素原子がモル比で、２．０：１．０好ましくは１．５：１．０の範囲に含有することができる。
　上記ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）は、それぞれ重量平均分子量が５００～１００００００、又は５０００～５００００の範囲で用いることができる。
　接着剤層（Ａ）は更に白金触媒を含有することができる。白金系の金属触媒はアルケニル基とＳｉ－Ｈ基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒であり、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が用いられる。白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられる。白金触媒の添加量はポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して１．０～５０．０ｐｐｍの範囲で添加することができる。
　接着剤層（Ａ）は更にヒドロシリル化反応の進行を抑える抑制剤としてアルキニルアルコールを添加することができる。抑制剤としては例えば、１－エチニル－１－シクロヘキサノール等が挙げられる。これら抑制剤はポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）に対して１０００．０～１００００．０ｐｐｍの範囲で添加することができる。
　本発明の分離層（Ｂ）に用いられるポリオルガノシロキサンは、ＲＲＳｉＯ２／２（但しＲはそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、少なくとも一つのＲがアラルキル基、エポキシ基、又はフェニル基を表すものである。分離層（Ｂ）は分離層（Ｂ）形成用組成物によって形成され、分離層（Ｂ）形成用組成物はポリシロキサンとその他の添加成分を含有することができる。
　分離層（Ｂ）に用いられるポリシロキサンは、シロキサン単位（Ｄ単位）を含むが、Ｑ単位、Ｍ単位、Ｔ単位を含んでいても良い。例えば、Ｄ単位のみからなる場合、Ｄ単位とＱ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＭ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＴ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＱ単位とＭ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＭ単位とＴ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位の組み合わせの場合等が挙げられる。
　分離層（Ｂ）が、Ｒ７Ｒ８ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ７及びＲ８はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数７～４０のアラルキル基とを表す単位構造と、Ｒ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数１～１０のアルキル基とを表す単位構造とを含む共重合体（ｂ１）を用いることができる。
　炭素原子数１～１０のアルキル基としては上述の例示を用いることができる。また、アラルキル基はアルキル基とアリール基とを組み合わせた置換基であり、アルキル基がシリコン原子に結合している構造を有している。
　アルキル基は上述の例示を用いることができ、アリール基としてはフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基等が挙げられる。好ましいアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。このアルキル基はアルキレン基としてシリコン原子とアリール基に結合している。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ１）において、メチル基と炭素原子数７～４０のアラルキル基とを有する単位構造（ｂ１－１）と、メチル基と炭素原子数１～１０のアルキル基とを有する単位構造（ｂ１－２）は、モル比で（ｂ１－１）：（ｂ１－２）が１：０．１～１００．０、又は１：１．０～２０．０の範囲で用いることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ１）は重量平均分子量が５００～１０００００、又は５０００～３００００の範囲のものを使用することができる。
例えば、式（ｂ１）の構造は以下に例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 式（ｂ１）中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示し、Ｑ１は上記アラルキル基を、Ｑ２は上記アルキル基を示す。
　分離層（Ｂ）が、Ｒ９Ｒ１０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ９及びＲ１０はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ９及びＲ１０がメチル基とエポキシシクロヘキシルアルキル基とを表す単位構造と、Ｒ９及びＲ１０がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ２）を用いることができる。
　エポキシシクロヘキシルアルキル基とは、例えば３，４－エポキシシクロヘキシル基とアルキル基を組み合わせた置換基であり、アルキル基がシリコン原子に結合している構造を有している。アルキル基としては上記アルキル基が例示されるが、例えばメチル基、エチル基、プロピル基が挙げられる。このアルキル基はアルキレン基としてシリコン原子とエポキシシクロヘキシル基に結合している。
　エポキシシクロヘキシルアルキル基としては、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル基、３，４－エポキシシクロヘキシルエチル基、３，４－エポキシシクロヘキシルプロピル基が挙げられる。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ２）において、メチル基とエポキシシクロヘキシルアルキル基とを有する単位構造（ｂ２－１）と、それぞれメチル基を有する単位構造（ｂ２－２）は、モル比で（ｂ２－１）：（ｂ２－２）が１：０．１～１００．０、又は１：１０．０～１００．０の範囲で用いることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ２）は重量平均分子量が５０００～１０００００、又は１００００～８００００の範囲のものを使用することができる。
例えば、式（ｂ２）の構造は以下に例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 式（ｂ２）中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。
　分離層（Ｂ）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ１１及びＲ１２はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ１１及びＲ１２がそれぞれフェニル基を表す単位構造と、Ｒ１１及びＲ１２がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ３）を用いることができる。また、ビニル基や、アリル基等のアルケニル基を分子鎖末端に有していても良い。これらアルケニル基はシリコン原子と結合している。
　フェニル基が直接にシリコン原子に結合しているジフェニルシリコン構造を有している。
　それぞれフェニル基を有する単位構造（ｂ３－１）と、それぞれメチル基を有する単位構造（ｂ３－２）は、モル比で１：０．１～１００．０、又は１：１．０～５０．０の範囲で用いることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ３）は重量平均分子量が５０００～５００００、又は１００００～１０００００の範囲のものを使用することができる。
例えば、式（ｂ３）の構造は以下に例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 式（ｂ３）中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。ジフェニルシロキサン量は１５～１７モル％含有することができる。
　分離層（Ｂ）は、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）と、ポリジメチルシロキサン（ｂ４）との混合物を用いることができる。ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）と、ポリジメチルシロキサン（ｂ４）とは、質量比で１：０．１～１０、又は１：０．５～７の範囲で用いることができる。
　分離層（Ｂ）はポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）をそれぞれ単独で用いることができる。また、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）を、それぞれポリジメチルシロキサン（ｂ４）と混合してポリシロキサンの混合物として用いることができる。
　ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）をそれぞれ単独で用いる場合、又はそれらとポリジメチルシロキサン（ｂ４）との混合物で用いる場合は、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ３）、（ｂ４）がそれぞれヘキサメチルジシロキサン（ｂ５）中に溶解して１～１００質量％、又は５～２０質量％、典型的には１０質量％で溶解することができる。
　例えば、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）をそれぞれヘキサメチルジシロキサン（ｂ５）中に上記濃度で溶解させ、別途ポリジメチルシロキサン（ｂ４）をヘキサメチルジシロキサン（ｂ５）に上記濃度で溶解させ、両ポリオルガノシロキサン溶液を１：０．１～１０．０、又は１：０．５～７の範囲で、典型的には１：１の割合で混合して分離層（Ｂ）を形成するためのポリオルガノシロキサン溶液として、分離層形成用組成物にすることができる。
　ポリジメチルシロキサン（ｂ４）は、重合度が２００～１０００の範囲の重合物を用いることが可能である。
　本発明の積層体は、支持体上に接着剤層（Ａ）を含み、ウエハーの回路面上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含む積層体（Ｓ）である。
　本発明の積層体（Ｓ）は、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合して製造することができる。
　接着剤層（Ａ）はポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）を含む接着剤層（Ａ）のポリシロキサンの形成組成物を、室温で塗布して接着剤層（Ａ）を形成することができる。
　分離層（Ｂ）は、共重合体（ｂ１）を含むポリシロキサンの形成組成物、共重合体（ｂ２）を含むポリシロキサンの形成組成物、又は共重合体（ｂ３）を含むポリシロキサンの形成組成物を、塗布して１００℃～２００℃の加熱により第一分離層、第二分離層等の分離層（Ｂ）を形成することができる。
　接着剤層（Ａ）と第一分離層（Ｂ１）が向き合うように支持体とウエハーとを接合する工程は減圧下で行われ、接合された後は１２０～２３０℃で加熱することが好ましい。
　支持体と接着剤層（Ａ）との間に第二分離層（Ｂ２）としての分離層（Ｂ）を更に含む積層体（Ｓ）とすることができる。
　上記積層体（Ｓ）は、支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合して積層体（Ｓ）を製造することができる。
　また、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に該第一分離層（Ｂ１）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合して積層体（Ｓ）を製造することができる。
　また、本発明の積層体は、ウエハーの回路面上に接着剤層（Ａ）を含み、支持体上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含むものである積層体（Ｔ）である。
　上記積層体（Ｔ）は、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合して積層体（Ｔ）を製造することができる。
　また、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に該接着剤層（Ａ）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合して積層体（Ｔ）を製造することができる。
　接着剤層（Ａ）の形成は接着剤層（Ａ）を形成するためのポリオルガノシロキサンを例えばスピンコーターにより支持体上に付着させ、接着剤層（Ａ）を形成することができる。
　また分離層（Ｂ）の形成は分離層（Ｂ）を形成するためのポリオルガノシロキサンをスピンコーターによりウエハーの回路面に付着させ、１００～２００℃の温度で加熱して分離層（Ｂ）を形成することができる。
　接着剤層（Ａ）が形成された支持体と、第一分離層（Ｂ１）が形成されたウエハーは、両物体を減圧下（例えば、１０Ｐａ～１００００Ｐａの減圧状態）に合体させ積層体を形成させることができる。両物体を合体させるときは減圧下に加熱（例えば、１２０℃～２３０℃）して行うこともできる。この加熱により接着剤層（Ａ）が硬化する。
　本発明の積層体は、支持体と接着剤層（Ａ）との間に第二分離層（Ｂ２）を塗布により形成することもできる。その場合には、支持体上に接着剤層（Ａ）を形成する前に、第二分離層（Ｂ２）が塗布することができる。
　第二分離層（Ｂ２）と接着剤層（Ａ）が形成された支持体と、第一分離層（Ｂ１）が形成されたウエハーは、両物体を減圧下（例えば、１０Ｐａ～１００００Ｐａの減圧状態）に合体させ積層体を形成させることができる。両物体を合体させるときは減圧下に加熱（例えば、１２０℃～２３０℃）して行うこともできる。この加熱により接着剤層（Ａ）が硬化する。
　第一分離層（Ｂ１）と接着剤層（Ａ）が形成されたウエハーと、支持体は両物体を減圧下（例えば、１０Ｐａ～１００００Ｐａの減圧状態）に合体させ積層体を形成させることができる。両物体を合体させるときは減圧下に加熱（例えば、１２０℃～２３０℃）して行うこともできる。この加熱により接着剤層（Ａ）が硬化する。
　また、第一分離層（Ｂ１）が形成された支持体上と、接着剤層（Ａ）が形成されたウエハーは、両物体を減圧下（例えば、１０Ｐａ～１００００Ｐａの減圧状態）に合体させ積層体を形成させることができる。両物体を合体させるときは減圧下に加熱（例えば、１２０℃～２３０℃）して行うこともできる。この加熱により接着剤層（Ａ）が硬化する。
　第二分離層（Ｂ２）は第一分離層（Ｂ１）と同じ成分で同じ配合割合で用いることができる。
　ウエハーの回路面の反対側の加工とは、研磨によるウエハーの薄化が行われる。その後、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持体に接着された状態で２５０～３５０℃の熱が付加されるが、本発明に用いられる仮接着剤としての積層体はそれらの耐熱性を有している。
　接着し、裏面の加工（研磨）を行った後に、支持体とウエハーを分離することができる。
　支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う積層体（Ｓ）の分離方法である。
　また、支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）及び／又は第二分離層（Ｂ２）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う積層体（Ｓ）の分離方法である。
　そして、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う積層体（Ｔ）の分離方法である。
　また、支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上にウエハーの回路面を重ね接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う積層体（Ｔ）の分離方法である。
　剥離方法は溶剤剥離、レーザー剥離、鋭部を有する機材で機械的に剥離、支持体とウエハーの間で引きはがす剥離等が挙げられる。
　本発明では積層体に使用される第一分離層（Ｂ１）又は第二分離層（Ｂ２）を形成するための分離層形成用組成物でもある。
　分離層形成用組成物は、Ｒ７Ｒ８ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ７及びＲ８はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数７～４０のアラルキル基とを表す単位構造と、Ｒ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数１～１０のアルキル基とを表す単位構造とを含む共重合体（ｂ１）である。
　別の分離層形成用組成物は、Ｒ９Ｒ１０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ９及びＲ１０はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ９及びＲ１０がメチル基とエポキシシクロヘキシルアルキル基とを表す単位構造と、Ｒ９及びＲ１０がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ２）である。
　また、別の分離層形成用組成物は、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ１１及びＲ１２はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ１１及びＲ１２がそれぞれフェニル基を表す単位構造と、Ｒ１１及びＲ１２がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ３）である。
　そして、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）と、ポリジメチルシロキサン（ｂ４）との混合物とすることができ、それら各々はヘキサメチルジシロキサンに溶解して用いることができる。
（分離層形成用組成物１）
　（ｂ１）に相当するポリオルガノシロキサン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、商品名ＸＦ４２－３３４）と、（ｂ４）に相当するポリオルガノシロキサン（ワッカーケミ社製、商品名ＡＫ１００００００）を、（ｂ５）に相当するヘキサメチルジシロキサンにそれぞれ１０質量％になるように溶解した。両溶液を質量比１：１で混合し分離層形成用組成物（１）を形成した。
（分離層形成用組成物２）
　（ｂ２）に相当するポリオルガノシロキサン（ゲレスト社製、商品名ＥＣＭＳ－３２７）と、（ｂ４）に相当するポリオルガノシロキサン（ワッカーケミ社製、商品名ＡＫ１００００００）を、（ｂ５）に相当するヘキサメチルジシロキサンにそれぞれ１０質量％になるように溶解した。両溶液を質量比１：１で混合し分離層形成用組成物（２）を形成した。
（分離層形成用組成物３）
　（ｂ３）に相当するポリオルガノシロキサン（ゲレスト社製、商品名ＰＤＶ－１６４１）と、（ｂ４）に相当するポリオルガノシロキサン（ワッカーケミ社製、商品名ＡＫ１００００００）を、（ｂ５）に相当するヘキサメチルジシロキサンにそれぞれ１０質量％になるように溶解した。両溶液を質量比１：１で混合し分離層形成用組成物（３）を形成した。
（分離層形成用組成物４）
　（ｃ１）に相当するポリオルガノシロキサン（信越化学工業（株）製、商品名ＫＦ－４１２、成分は長鎖アルキル基含有ポリオルガノシロキサン）と、（ｂ４）に相当するポリオルガノシロキサン（ワッカーケミ社製、商品名ＡＫ１００００００）を、（ｂ５）に相当するヘキサメチルジシロキサンにそれぞれ１０質量％になるように溶解した。両溶液を質量比１：１で混合し分離層形成用組成物（４）を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　式（ｃ１）中、Ｑ３は長鎖アルキル基を示す。
（分離層形成用組成物５）
　（ｃ２）に相当するポリオルガノシロキサン（信越化学工業（株）製、商品名ＫＦ－４１２、成分はポリエーテル基含有ポリオルガノシロキサン）と、（ｂ４）に相当するポリオルガノシロキサン（ワッカーケミ社製、商品名ＡＫ１００００００）を、（ｂ５）に相当するヘキサメチルジシロキサンにそれぞれ１０質量％になるように溶解した。両溶液を質量比１：１で混合し分離層形成用組成物（５）を形成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 式（ｃ２）中、Ｑ４はアルキレン基、Ｑ５はアルキル基を示し、ａ及びｂは繰り返し単位を示す。
（実施例１）
　３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、第一分離層（Ｂ１）を形成するためにスピンコートにてそれぞれ上記分離層形成用組成物（１）～（５）を約２μｍの膜厚でウエハーに成膜し、１００℃で１分間、その後１６０℃で１分間加熱焼成し、それぞれ分離層（１）～（５）とした。その膜上に、接着剤層（Ａ）を形成するためにスピンコートにてポリシロキサン樹脂（ワッカー社製）を膜厚約１１０μｍで塗布した。この樹脂層を有するシリコンウエハーと３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）の支持層を、樹脂を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、ＬＦボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上で１４０℃で１５分間、１９０℃で１０分間の加熱処理を行った。その後、下記試験を行った。結果を表１に示す。
（実施例２）
　１１０μｍ幅のスクライブラインの間に、表面に高さ８０μｍ、直径１０５μｍ、ピッチ２００μｍのスズ－銅バンプが１５ｍｍ２に形成された３００ｍｍシリコンウエハー（厚さ：７００μｍ）に、第一分離層（Ｂ１）を形成するためにスピンコートにてそれぞれ上記分離層形成用組成物（１）～（５）を約２μｍの膜厚でウエハーバンプ形成面に成膜し、１００℃で１分間、その後１６０℃で１分間加熱焼成し、それぞれ分離層（１）～（５）とした。その膜上に、接着剤層（Ａ）を形成するためにスピンコートにてポリシロキサン樹脂（ワッカー社製）を膜厚約１１０μｍで塗布した。この樹脂層を有するシリコンウエハーと３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）の支持層を、樹脂を挟むように真空貼り合わせ装置内で貼り合わせ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上で１４０℃で１５分間、１９０℃で１０分間の加熱処理を行った。その後、下記試験を行った。結果を表２に示す。
（実施例３）
　３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）の支持層に、第一分離層（Ｂ１）を形成するためにスピンコートにてそれぞれ上記分離層形成組成物（１）～（５）を約２μｍの膜厚でウエハーに成膜し、１００℃で１分間、その後１６０℃で１分間加熱焼成し、それぞれ分離層（１）～（５）とした。次に、３００ｍｍシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、スピンコートにて接着剤層（Ａ）を形成するためのポリシロキサン樹脂（ワッカー社製）を膜厚約１１０μｍで塗布した。この分離層を有するガラスウエハーの支持層と、樹脂層を有するシリコンウエハーを、分離層と樹脂層同士が向き合うように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上で１５０℃で１５分間、１９０℃で１０分間加熱処理した。その後、下記試験を行った。結果を表３に示す。
（耐熱性試験）
　貼り合わせしたウエハーをホットプレート上で加熱処理した後の積層体を、大気雰囲気下のオーブンに１５０℃で３時間、１８０℃で２時間、２６０℃で１０分間入れた後の外観異常の有無を調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
（剥離試験）
　上記耐熱性試験を終えた積層体のシリコンウエハー側を真空吸着によって吸着台にセットした。その後、室温にて、シリコンウエハーとガラスウエハーの間に楔を入れることで一部分を剥離し、ガラスウエハー側を真空吸着によって吸着版に取り付け、吸着版を持ち上げることで、ガラス基板を剥離した。ウエハーを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れなどの異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
（洗浄除去性試験）
　上記剥離試験終了後に剥離できたシリコンウエハーを、第一分離層（Ｂ１）を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてＴＢＡＦ（テトラブチルアンモニウムフロライド）を含む有機溶剤に５分間浸漬させのち、ウエハーを回転させ溶液を飛ばし、ウエハーを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧にてリンスを行った。その後、外観を観察して残存する第一分離層（Ｂ１）の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　積層体（Ｓ）に係わる表１と表２の結果では、分離層形成用組成物１～３により形成された分離層（１）～（３）は耐熱性、剥離性、洗浄除去性で良好な結果を示した。
　一方、分離層形成用組成物４～５により形成された分離層（４）～（５）は剥離性、洗浄除去性で良好な結果が得られなかった。
　積層体（Ｔ）に係わる表３の結果では、分離層形成用組成物１～３により形成された分離層（１）～（３）は耐熱性、剥離性で良好な結果を示した。分離層形成用組成物４～５により形成された分離層（４）～（５）は剥離性で良好な結果が得られなかった。
　支持体上に仮接着剤層とウエハーが積層されていて、その仮接着剤層はハイドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる接着剤層と分離層とを含み、これら分離層は、分離層を形成する時にウエハーの回路面へのスピンコート性に優れ、接着剤層との接合時やウエハー裏面加工時の耐熱性に優れ、ウエハー裏面の研磨後には容易に剥離でき、剥離後はウエハーに付着した分離層が溶剤によって簡単に除去できる分離層を含む仮接着剤層である。

Claims (20)

  1. 　支持体上とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された接着剤層（Ａ）と、ポリオルガノシロキサンよりなる剥離可能に接着された分離層（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、該分離層（Ｂ）を構成するポリオルガノシロキサンがＲＲＳｉＯ２／２（但しＲはそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、少なくとも一つのＲがアラルキル基、エポキシ基、又はフェニル基を表すポリオルガノシロキサンである上記積層体。
  2. 　前記接着剤層（Ａ）が、ＳｉＯ２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ６ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ１乃至Ｒ６はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または炭素原子数２～１０のアルケニル基を表すポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ１乃至Ｒ６のうちいずれか二つ以上が炭素原子数１～１０のアルキル基または水素原子を表すポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むものである請求項１に記載の積層体。
  3. 　前記分離層（Ｂ）が、Ｒ７Ｒ８ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ７及びＲ８はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数７～４０のアラルキル基とを表す単位構造と、Ｒ７及びＲ８がメチル基と炭素原子数１～１０のアルキル基とを表す単位構造とを含む共重合体（ｂ１）である請求項１又は請求項２に記載の積層体。
  4. 　前記分離層（Ｂ）が、Ｒ９Ｒ１０ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ９及びＲ１０はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ９及びＲ１０がメチル基とエポキシシクロヘキシルアルキル基とを表す単位構造と、Ｒ９及びＲ１０がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ２）である請求項１又は請求項２に記載の積層体。
  5. 　前記分離層（Ｂ）が、Ｒ１１Ｒ１２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含むポリオルガノシロキサン（但しＲ１１及びＲ１２はそれぞれＳｉ－Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）を含み、該ポリオルガノシロキサンはＲ１１及びＲ１２がそれぞれフェニル基を表す単位構造と、Ｒ１１及びＲ１２がそれぞれメチル基を表す単位構造とを含む共重合体（ｂ３）である請求項１又は請求項２に記載の積層体。
  6. 　前記分離層（Ｂ）が、ポリオルガノシロキサン（ｂ１）、ポリオルガノシロキサン（ｂ２）又はポリオルガノシロキサン（ｂ３）と、ポリジメチルシロキサン（ｂ４）との混合物である請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の積層体。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の積層体が、支持体上に接着剤層（Ａ）を含み、ウエハーの回路面上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含むものである積層体（Ｓ）。
  8. 　支持体と接着剤層（Ａ）との間に第二分離層（Ｂ２）としての分離層（Ｂ）を更に含む請求項７に記載の積層体（Ｓ）。
  9. 　請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の積層体が、ウエハーの回路面上に接着剤層（Ａ）を含み、支持体上に第一分離層（Ｂ１）としての分離層（Ｂ）を含むものである積層体（Ｔ）。
  10. 　支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合する請求項７に記載の積層体（Ｓ）の製造方法。
  11. 　支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合する請求項８に記載の積層体（Ｓ）の製造方法。
  12. 　支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に該第一分離層（Ｂ１）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合する請求項７に記載の積層体（Ｓ）の製造方法。
  13. 　支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した請求項９に記載の積層体（Ｔ）の製造方法。
  14. 　支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に該接着剤層（Ａ）と回路面とが向き合うようにウエハーを重ね接合する請求項９に記載の積層体（Ｔ）の製造方法。
  15. 　支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う請求項７に記載の積層体（Ｓ）の分離方法。
  16. 　支持体上に第二分離層（Ｂ２）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、ウエハーの回路面に第一分離層（Ｂ１）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）及び／又は第二分離層（Ｂ２）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う請求項８に記載の積層体（Ｓ）の分離方法。
  17. 　支持体上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上にウエハーの回路面を重ね接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記支持体と前記ウエハーとの分離を行う請求項７に記載の積層体（Ｓ）の分離方法。
  18. 　支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、ウエハーの回路面に接着剤層（Ａ）を塗布により形成し、該接着剤層（Ａ）と該第一分離層（Ｂ１）が向き合うように前記支持体と前記ウエハーとを接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う請求項９に記載の積層体（Ｔ）の分離方法。
  19. 　支持体上に第一分離層（Ｂ１）を形成し、その上に接着剤層（Ａ）を形成し、その上にウエハーの回路面を重ね接合した後に、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面の研磨を行い、そして第一分離層（Ｂ１）において前記ウエハーと前記支持体との分離を行う請求項９に記載の積層体（Ｔ）の分離方法。
  20. 　請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の積層体（Ｓ）又は（Ｔ）に使用される第一分離層（Ｂ１）又は第二分離層（Ｂ２）を形成するための組成物。
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