JPWO2019009365A1 - フェニル基含有ポリシロキサンを含有する仮接着剤 - Google Patents

Abstract

ウエハーの回路面や支持体へのスピンコート性に優れ、接着層との接合時やウエハー裏面の加工時における耐熱性に優れ、ウエハー裏面の研磨後における剥離が容易で、剥離後におけるウエハーや支持体に付着した接着剤の除去が容易である仮接着剤及びその積層体、それを用いた加工方法を提供する。支持体とウエハーの回路面との間で剥離可能に接着し、ウエハーの裏面を加工するための接着剤であり、接着剤がヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）と、フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとを含む成分（Ｂ）とを含み、成分（Ａ）と成分（Ｂ）が質量％で９５：５〜３０：７０の割合であることを特徴とする。この接着剤を第一基体上に塗布して接着層を形成してから第二基体を接合し、第一基体側から加熱して接着剤を硬化させる。この積層体の加工を終えると、第一基体、第二基体と接着層の間で剥離する。

Description

本発明は、ウエハー裏面の研磨時にウエハーを支持体に固定するための仮接着剤とそれを用いた積層体に関する。

従来２次元的な平面方向に集積してきた半導体ウエハーは、より一層の集積化を目的に平面を更に３次元方向にも集積（積層）する半導体集積技術が求められている。この３次元積層はシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層に集積していく技術である。多層に集積する際に、集積されるそれぞれのウエハーは形成された回路面とは反対側（即ち、裏面）を研磨によって薄化し、薄化された半導体ウエハーを積層する。

薄化前の半導体ウエハー（ここでは単にウエハーとも呼ぶ）を、研磨装置で研磨するために支持体に接着される。その際の接着は研磨後に半導体ウエハーを容易に剥離されなければならないため、仮接着と呼ばれる。この仮接着は支持体から容易に取り外されなければならず、取り外しに大きな力を加えると薄化された半導体ウエハーは、切断されたり、変形したりすることがあり、その様なことが生じない様に、容易に取り外される。しかし、半導体ウエハーの裏面研磨時に研磨応力によって外れたりずれたりすることも好ましくない。従って、仮接着に求められる性能は研磨時の応力に耐え、研磨後に容易に取り外されることである。

例えば研磨時の平面方向に対して高い応力（強い接着力）を持ち、取り外し時の縦方向に対して低い応力（弱い接着力）を有する性能が求められる。

この様な接着プロセスとして、接着層と分離層を持ち、分離層がジメチルシロキサンのプラズマ重合によって形成され、研磨後に機械的に分離する方法（特許文献１、特許文献２参照）、
支持基板と半導体ウエハーとを接着性組成物で接着し、半導体ウエハーの裏面を研磨した後に接着剤をエッチング液で除去する方法（特許文献３参照）、並びに
支持体と半導体ウエハーを接着する接着層としては、アルケニル基含有オルガノポリシロキサンとヒドロシリル基含有オルガノポリシロキサンとを白金触媒で重合した重合層と、熱硬化性ポリシロキサンからなる重合層との組み合わせを含むウエハー加工体（特許文献４、特許文献５参照、特許文献６参照、特許文献７参照）、が開示されている。

特表２０１２−５１０７１５ 特表２０１２−５１３６８４ 特表２００８−５３２３１３ 特開２０１３−１７９１３５ 特開２０１３−２３２４５９ 特開２００６−５０８５４０ 特開２００９−５２８６８８

ウエハーの回路面や、支持体へのスピンコート性に優れ、接着層との接合時やウエハー裏面の加工時における耐熱性に優れ、ウエハー裏面の研磨後には容易に剥離でき、剥離後はウエハーや支持体に付着した接着剤が簡単に除去できる仮接着剤及びその積層体、それを用いた加工方法を提供するものである。

本願発明は第１観点として、支持体とウエハーの回路面との間で剥離可能に接着し、ウエハーの裏面を加工するための接着剤であり、前記接着剤がヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）と、フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとを含む成分（Ｂ）とを含み、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量％が９５：５〜３０：７０の割合である前記接着剤、

第２観点として、成分（Ａ）が、ＳｉＯ_２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ^１Ｒ ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ^１乃至Ｒ^６はそれぞれＳｉ−Ｃ結合又はＳｉ−Ｈ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と炭素原子数２〜１０のアルケニル基を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と水素原子を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含むものである第１観点に記載の接着剤、

第３観点として、前記成分（Ｂ）が、（ｂ１）フェニルメチルシロキサン単位構造又はジフェニルシロキサン単位構造と、（ｂ２）ジメチルシロキサン単位構造との組み合わせである第１観点又は第２観点に記載の接着剤、

第４観点として、加工がウエハーの裏面研磨である第１観点乃至第３観点のいずれか一つに記載の接着剤、

第５観点として、第一基体上に第１観点乃至第４観点のいずれか一つに記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、第一基体側から加熱する積層体の接合方法、

第６観点として、第一基体が支持体であり、第二基体がウエハーであり、ウエハーの回路面が第一基体と向き合うものである第５観点に記載の接合方法、

第７観点として、第一基体がウエハーであり、第二基体が支持体であり、ウエハーの回路面が第二基体と向き合うものである第５観点に記載の接合方法、

第８観点として、第一基体上に第１観点乃至第３観点のいずれか一つに記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、第一基体側から加熱し接着剤を硬化させ積層体を形成した後に、積層体を加工し、第一基体、第二基体と接着層の間で剥離を生じる剥離方法、

第９観点として、第一基体上に第４観点に記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、第一基体側から加熱し接着剤を硬化させ積層体を形成した後に、積層体を加工し、第一基体、第二基体と接着層の間で剥離を生じる剥離方法、

第１０観点として、第一基体が支持体であり、第二基体がウエハーであり、ウエハーの回路面が第一基体と向き合うものである第８観点に記載の剥離方法、

第１１観点として、第一基体が支持体であり、第二基体がウエハーであり、ウエハーの回路面が第一基体と向き合うものである第９観点に記載の剥離方法、

第１２観点として、第一基体がウエハーであり、第二基体が支持体であり、ウエハーの回路面が第二基体と向き合うものである第８観点に記載の剥離方法、

第１３観点として、第一基体がウエハーであり、第二基体が支持体であり、ウエハーの回路面が第二基体と向き合うものである第９観点に記載の剥離方法、

第１４観点として、加工がウエハーの裏面研磨である第８、１０、１２観点のいずれか一つに記載の剥離方法である。

本発明では、支持体とウエハーの回路面との間で剥離可能に接着しウエハーの裏面を加工するための接着剤であり、ヒドロシリル化反応により硬化することを特徴とする成分（Ａ）と、フェニル基含有ポリオルガノシロキサン成分（Ｂ）とを含むことを、特徴とする接着剤（仮接着剤）を提供する。

支持体とウエハーの回路面との間に装入される仮接着剤として、ヒドロシリル化反応により架橋硬化する成分（Ａ）と、フェニル基を持つ成分（Ｂ）とを含み、ウエハーの回路面の反対側のウエハー裏面を加工するための積層体であり、特定成分のポリシロキサンを組み合わせたことにより、ウエハーの回路面へのスピンコート性に優れ、接着層との接合時やウエハー裏面の加工時における耐熱性に優れ、ウエハーの裏面の加工後、即ち研磨後には容易に剥離でき、剥離後はウエハーや支持体に付着した接着剤が溶剤またはテープによって簡単に除去できるという効果が得られる。

ウエハーの回路面の反対側の加工とは、研磨によるウエハーの薄化が行われる。その後、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持体に接着された状態で２５０〜３５０℃の熱が付加されるが、本発明に用いられる接着剤としての積層体はそれらの耐熱性を有している。

本願発明は支持体とウエハーの回路面との間で剥離可能に接着しウエハーの裏面を加工するための接着剤であり、上記接着剤がヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）とフェニル基含有ポリオルガノシロキサンとを含む成分（Ｂ）とを含み、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量％が９５：５〜３０：７０の割合である上記接着剤である。

本発明では接着剤によって支持体とウエハーが仮接着され、ウエハーの回路面とは反対側の裏面が研磨等によって加工されることにより、ウエハーの厚みを薄化することができる。

上記仮接着はウエハー裏面の研磨時は接着されていて、ウエハー裏面の研磨後には支持体と薄化されたウエハーが分離できるものである。

ここで剥離可能とは、他の剥離箇所よりも剥離強度が低く、剥離しやすいことを示す。

本発明で接着層は、接着剤によって形成される。接着剤は成分（Ａ）と成分（Ｂ）とを含み、更にその他の添加物を含むことができる。

成分（Ａ）が、ＳｉＯ_２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_{１／ ２}で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ^１乃至Ｒ^６はそれぞれＳｉ−Ｃ結合又はＳｉ−Ｈ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と炭素原子数２〜１０のアルケニル基を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と水素原子を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含むものである。

ポリシロキサン（Ａ１）はポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）を含む。ポリオルガノシロキサン（ａ１）が炭素原子数１〜１０のアルキル基と炭素原子数２〜１０のアルケニル基を含んでいて、ポリオルガノシロキサン（ａ２）が炭素原子数１〜１０のアルキル基と水素原子を含んでいる。アルケニル基とＳｉ−Ｈ基が白金族金属系触媒（Ａ２）によりヒドロシリル化反応によって架橋構造を形成し硬化する。

ポリオルガノシロキサン（ａ１）はＱ単位、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位から選ばれるが、例えば（Ｑ単位とＭ単位）と（Ｄ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｔ単位とＭ単位）と（Ｄ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｑ単位とＴ単位とＭ単位）と（Ｔ単位とＭ単位）との組み合わせ、（Ｔ単位とＭ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＭ単位）の組み合わせによって形成することができる。

ポリオルガノシロキサン（ａ２）はＱ単位、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位から選ばれるが、例えば（Ｍ単位とＤ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＭ単位）の組み合わせ、（Ｑ単位とＴ単位とＭ単位）の組み合わせによって形成することができる。

上記炭素原子数２〜１０のアルケニル基は、例えばエテニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチル−１−エテニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ｎ−プロピルエテニル基、１−メチル−１−ブテニル基、１−メチル−２−ブテニル基、１−メチル−３−ブテニル基、２−エチル−２−プロペニル基、２−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−３−ブテニル基、３−メチル−１−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−３−ブテニル基、１,１−ジメチル−２−プロペニル基、１−i−プロピルエテニル基、１,２−ジメチル−１−プロペニル基、１,２−ジメチル−２−プロペニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−メチル−１−ペンテニル基、１−メチル−２−ペンテニル基、１−メチル−３−ペンテニル基、１−メチル−４−ペンテニル基、１−ｎ−ブチルエテニル基、２−メチル−１−ペンテニル基、２−メチル−２−ペンテニル基、２−メチル−３−ペンテニル基、２−メチル−４−ペンテニル基、２−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、３−メチル−１−ペンテニル基、３−メチル−２−ペンテニル基、３−メチル−３−ペンテニル基、３−メチル−４−ペンテニル基、３−エチル−３−ブテニル基、４−メチル−１−ペンテニル基、４−メチル−２−ペンテニル基、４−メチル−３−ペンテニル基、４−メチル−４−ペンテニル基、１,１−ジペンテニルメチル−２−ブテニル基、１,１−ジメチル−３−ブテニル基、１,２−ジメチル−１−ブテニル基、１,２−ジメチル−２−ブテニル基、１,２−ジメチル−３−ブテニル基、１−メチル−２−エチル−２−プロペニル基、１−s−ブチルエテニル基、１,３−ジメチル−１−ブテニル基、１,３−ジメチル−２−ブテニル基、１,３−ジメチル−３−ブテニル基、１−i−ブチルエテニル基、２,２−ジメチル−３−ブテニル基、２,３−ジメチル−１−ブテニル基、２,３−ジメチル−２−ブテニル基、２,３−ジメチル−３−ブテニル基、２−i−プロピル−２−プロペニル基、３,３−ジメチル−１−ブテニル基、１−エチル−１−ブテニル基、１−エチル−２−ブテニル基、１−エチル−３−ブテニル基、１−ｎ−プロピル−１−プロペニル基、１−ｎ−プロピル−２−プロペニル基、２−エチル−１−ブテニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−エチル−３−ブテニル基、１,１,２−トリメチル−２−プロペニル基、１−t−ブチルエテニル基、１−メチル−１−エチル−２−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−１−プロペニル基、１−エチル−２−メチル−２−プロペニル基、１−i−プロピル−１−プロペニル基及び１−i−プロピル−２−プロペニル基等が挙げられる。特に、エテニル基、即ちビニル基、２−プロペニル基、即ちアリル基を好ましく用いることができる。

上記炭素原子数１〜１０のアルキル基は、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、i−プロピル基、ｎ−ブチル基、i−ブチル基、ｓ−ブチル基、t−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１,１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１,２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２,２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１,１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１,２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１,３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２,２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２,３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３,３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１,１,２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１,２,２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基及び１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基等が挙げられる。特にメチル基を好ましく用いることができる。

ポリオルガノシロキサン（ａ１）は炭素原子数１〜１０のアルキル基と炭素原子数２〜１０のアルケニル基で構成され、炭素原子数１〜１０のアルキル基がメチル基であり、炭素原子数２〜１０のアルケニル基がエテニル基、即ちビニル基であって、アルケニル基がＲ ^１乃至Ｒ^６で表す全置換基中に０．１モル％〜５０．０モル％、好ましくは０．５モル％〜３０．０モル％とすることができ、残りのＲ^１乃至Ｒ^６はアルキル基とすることができる。

また、ポリオルガノシロキサン（ａ２）は炭素原子数１〜１０のアルキル基と水素原子で構成され、炭素原子数１〜１０のアルキル基がメチル基であり、水素原子はＳｉ−Ｈの構造を形成する。水素原子、即ちＳｉ−Ｈ基がＲ^１乃至Ｒ^６で表す全置換基中に０．１モル％〜５０．０モル％、好ましくは１０．０モル％〜４０．０モル％とすることができ、残りのＲ^１乃至Ｒ^６はアルキル基とすることができる。

ポリオルガノシロキサン（ａ１）とポリオルガノシロキサン（ａ２）は、アルケニル基とＳｉ−Ｈ基で示される水素原子がモル比で、２．０：１．０好ましくは１．５：１．０の範囲に含有することができる。

上記ポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）は、それぞれ重量平均分子量が５００〜１００００００、又は５０００〜５００００の範囲で用いることができる。

成分（Ａ）は白金族金属系触媒（Ａ２）を含有する。白金系の金属触媒はアルケニル基とＳｉ−Ｈ基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒であり、白金黒、塩化第２白金、塩化白金酸、塩化白金酸と１価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒が用いられる。白金とオレフィン類との錯体としては、例えばジビニルテトラメチルジシロキサンと白金との錯体が挙げられる。白金触媒の添加量はポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）の合計量に対して１．０〜５０．０ｐｐｍの範囲で添加することができる。

成分（Ａ）は更にヒドロシリル化反応の進行を抑える抑制剤（Ａ３）としてアルキニルアルコールを添加することができる。抑制剤としては例えば、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等が挙げられる。これら抑制剤はポリオルガノシロキサン（ａ１）及びポリオルガノシロキサン（ａ２）に対して１０００．０〜１００００．０ｐｐｍの範囲で添加することができる。

本発明の成分（Ｂ）に用いられるポリオルガノシロキサンは、（ｂ１）フェニルメチルシロキサン単位構造又はジフェニルシロキサン単位構造と、（ｂ２）ジメチルシロキサン単位構造との組み合わせを用いることができる。

上記（ｂ１）はＲ^１Ｒ^２ＳｉＯ_２／２（但しＲ^１及びＲ^２はそれぞれＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、Ｒ^１はフェニル基又は炭素原子数１〜１０のアルキル基（特にメチル基が好ましい。）、Ｒ^２はフェニル基である。

上記（ｂ２）はＲ^１Ｒ^２ＳｉＯ_２／２（但しＲ^１及びＲ^２はそれぞれＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子に結合している。）で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）を含み、Ｒ^１及びＲ ^２はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基（特にメチル基が好ましい。）である。

上記アルキル基は、好ましくはメチル基であり、フェニル基は連結基を介するか又は直接にケイ素原子に結合した構造を有する。

成分（Ｂ）に用いられるポリオルガノシロキサンは、シロキサン単位（Ｄ単位）を含むが、Ｑ単位、Ｍ単位、Ｔ単位を含んでいても良い。例えば、Ｄ単位のみからなる場合、Ｄ単位とＱ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＭ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＴ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＱ単位とＭ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＭ単位とＴ単位の組み合わせの場合、Ｄ単位とＱ単位とＭ単位とＴ単位の組み合わせの場合等が挙げられる。

成分（Ｂ）の重量平均分子量は１５００〜５０００００、又は１５００〜１０００００の範囲が好ましい。

接着性においては、接着剤中の成分（Ａ）と成分（Ｂ）の割合は任意の割合とすることが可能である。更に剥離性が良好であるためには、成分（Ｂ）が質量％で５以上含まれていることが望ましく、接着剤の力学物性を維持するために、成分（Ｂ）が質量％で７０以下であることが望ましい。接着剤中の成分（Ａ）と成分（Ｂ）の割合が質量％で９５：５〜３０：７０とすることができる。

本発明では、第一基体上に上記接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、第一基体側から加熱する積層体の接合方法が挙げられる。加熱により接着剤が硬化する。

第一基体が支持体であり、第二基体がウエハーであり、ウエハーの回路面が第一基体と向き合うものである接合方法が挙げられる。

また、第一基体がウエハーであり、第二基体が支持体であり、ウエハーの回路面が第二基体と向き合うものである接合方法が挙げられる。

ウエハーとしては例えば直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のシリコンウエハーが挙げられる。

支持体（キャリア）としては例えば直径３００ｍｍ、厚さ７００ｍｍ程度のガラスウエハーやシリコンウエハーを挙げることができる。

接着層の形成は接着剤を例えばスピンコーターにより支持体上に付着させ、接着層を形成します。支持体とウエハーの回路面の間で接着剤を挟むように貼り合わせ、１２０〜２６０℃の温度で加熱して接着剤を硬化させ、積層体を形成することができる。

また、接着剤をスピンコーターにより、ウエハーの裏面を下にして回路面に接着剤を付着させ接着層を形成し、支持体は接着剤を挟むように貼り合わせ、１２０〜２６０℃の温度で加熱して接着剤を硬化させ、積層体を形成することができる。加熱温度は１２０℃程度から接着剤の硬化が始まり、２６０℃以上の温度にすることも可能であるが、ウエハーの回路面（デバイス面）の耐熱性の観点から２６０℃以下が好ましく、例えば１５０℃〜２２０℃程度、又は１９０℃〜２００℃程度とすることができる。加熱時間は、硬化によるウエハーの接合の観点から、１分間以上が望ましく、さらに接着剤の物性安定化の観点から５分間以上の加熱がさらに好ましい。例えば、１〜１８０分間、又は５〜１２０分間とすることができる。装置は、ホットプレート、オーブンなどが使用できる。

また、接着剤は粘度調整のため溶剤を添加することができる。脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、ケトンなどが使用できる。その溶剤は例えば、ヘキサン、へプタン、オクタンノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、イソドデカン、メンタン、リモネン、トルエン、キシレン、メチシレン、クメン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルケトン）、酢酸ブチル、ジイソブチルケトン、２−オクタノン、２−ノナノン、５−ノナノンなどが使用できる。

接着層を挟むように形成する支持体とウエハーは、これら物体を減圧下（例えば、１０Ｐａ〜１００００Ｐａの減圧状態）に合体させ積層体を形成させることができる。支持体とウエハーを合体させるときは減圧下に加熱（例えば、３０℃〜１００℃）して行うこともできる。

第一基体上に上記接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、加熱し、上記接着剤を硬化させ積層体を形成した後に、積層体を加工し、第一基体、第二基体と接着層の間（第一基体、第二基体と接着剤の界面）で剥離を生じる剥離方法が挙げられる。

第一基体が支持体であり、第二基体がウエハーであり、ウエハーの回路面が第一基体と向き合うものである上記の剥離方法が挙げられる。

また、第一基体がウエハーであり、第二基体が支持体であり、ウエハーの回路面が第二基体と向き合うものである上記の剥離方法が挙げられる。

上記の接着剤を塗布する接着層の膜厚は５〜５００μｍ、又は１０〜２００μｍ、又は２０〜１５０μｍ、又は３０〜１２０μｍ、又は３０〜７０μｍとすることができる。

ウエハーの回路面の反対側の加工とは、研磨によるウエハーの薄化が挙げられる。その後、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）等の形成を行い、その後に支持体から薄化ウエハーを剥離してウエハーの積層体を形成し、３次元実装化される。また、それに前後してウエハー裏面電極等の形成も行われる。ウエハーの薄化とＴＳＶプロセスには支持体に接着された状態で２５０〜３５０℃の熱が付加されるが、本発明に用いられる仮接着剤としての積層体はそれらの耐熱性を有している。

例えば直径３００ｍｍ、厚さ７７０μｍ程度のウエハーは、回路面とは反対の裏面を研磨して、厚さ８０μｍ〜４μｍ程度まで薄化することができる。

接着し、裏面の加工（研磨）を行った後に、支持体とウエハーを剥離する。剥離方法は溶剤剥離、レーザー剥離、鋭部を有する機材で機械的に剥離、支持体とウエハーの間で引きはがす剥離等が挙げられる。

ウエハーの表面に樹脂が残存した場合、溶剤による洗浄(溶解、リフトオフ)、テープピーリングなどにより樹脂を除去することができる。

本発明は上記方法で接合し、ウエハーの裏面を研磨後、上記方法で剥離する積層体の加工方法である。

接着剤の成分（Ａ）の調製
ポリシロキサン（ａ１）として粘度２００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサンとビニル基含有のＭＱ樹脂とからなるベースポリマー（ワッカーケミ社製）２２．４９ｋｇ、ポリシロキサン（ａ２）として粘度７０ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）１．４６ｋｇ、ポリシロキサン（ａ２）として粘度１００ｍＰａ・ｓのＳｉＨ基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）０．６３ｋｇ、（Ａ３）として１−エチニルシクロヘキサノール（ワッカーケミ社製、）６３．５ｇを攪拌機（井上製作所製 プラネタリーミキサー）で４０分間撹拌した。別途、（Ａ２）として白金触媒（ワッカーケミ社製）３０．４ｇとポリシロキサン（ａ１）として粘度１０００ｍＰａ・ｓのビニル基含有直鎖状ポリジメチルシロキサン（ワッカーケミ社製）１．０５ｋｇをスリーワンモーター（新東科学社製）で３０分間撹拌して得られた混合物０．９８ｋｇを、上記混合物に添加し、さらに４０分間撹拌し、最後に５μｍのＰＰ（ポリプロピレン）フィルターでろ過し、接着剤の成分（Ａ）を得た。

（接着剤１）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン９９質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）１質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１）を作製した。
式(Ｂ−１)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤２）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン９７．５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）２．５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤２）を作製した。

（接着剤３）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン９５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤３）を作製した。

（接着剤４）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン９０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）１０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤４）を作製した。

（接着剤５）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤５）を作製した。

（接着剤６）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン７０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）３０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤６）を作製した。

（接着剤７）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン５０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）５０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤７）を作製した。

（接着剤８）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン３０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−１）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０４３、重量平均分子量６７０００、粘度３０，０００ｍｍ^２／ｓ）７０質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−１）成分中の（Ｂ−１）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤８）を作製した。

（接着剤９）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−２）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−２）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＭＭ−１０２５、重量平均分子量２５２００、粘度５００ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−２）成分中の（Ｂ−２）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤９）を作製した。
式(Ｂ−２)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤１０）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−３）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−３）フェニル基変性シリコーン（信越化学工業株式会社製、商品名ＫＦ５０−３０００ＣＳ、重量平均分子量３９４００、粘度３０００ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−３）成分中の（Ｂ−３）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１０）を作製した。
式(Ｂ−３)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤１１）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−４）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−４）フェニル基変性シリコーン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製、商品名ＴＳＦ４３１、重量平均分子量１８００、粘度１００ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−４）成分中の（Ｂ−４）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１１）を作製した。
式(Ｂ−４)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤１２）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−５）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−５）フェニル基変性シリコーン（ＭＯＭＥＮＴＩＶＥ社製、商品名ＴＳＦ４３３、重量平均分子量３０００、粘度４５０ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−５）成分中の（Ｂ−５）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１２）を作製した。
式(Ｂ−５)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤１３）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−６）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−６）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＤＭ−０４２１、重量平均分子量６２００、粘度１００ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−６）成分中の（Ｂ−６）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１３）を作製した。
式(Ｂ−６)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（接着剤１４）
成分（Ａ）ポリオルガノシロキサン８５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−７）成分中の（Ａ）成分の割合）と、成分（Ｂ−７）フェニル基変性シリコーン（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．製、商品名ＰＤＭ−０８２１、重量平均分子量８６００、粘度１２５ｍｍ^２／ｓ）１５質量％（（Ａ）成分と（Ｂ−７）成分中の（Ｂ−７）成分の割合）からなる混合物を自転・公転ミキサー（株式会社シンキー製、商品名ＡＲＥ−５００）にて５分間混合し（接着剤１４）を作製した。
式(Ｂ−７)中、ｍ及びｎは繰り返し単位の数を示す。

（実施例１）
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのシリコーンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成させるためにスピンコートにて上記接着剤（１）〜（８）をそれぞれ約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、それぞれの接着層（１）〜（８）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合せ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合せ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上で２００℃で１０分間の加熱処理を行った。その後、ボイドの有無をガラスウエハー（支持体）側から確認した。接着性として加熱処理後にボイドが見られなかったもの良好として「○」、見られたものを不良として「×」と表記した。続いて貼り合わせしたウエハーを、減圧度１３Paのオーブンで２２０℃で１０分間加熱処理を行った。その後、ボイドの有無をガラスウエハー（支持体）側から確認した。耐熱性として加熱処理後にボイドが見られなかったものを良好として「○」、みられたものを不良として「×」と表記した。また剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にて剥離に要する力を測定した。剥離ができたものに関しては、良好な結果として剥離に要した力を数値で示し、剥離ができなかったものに関しては不良として「×」と表記した。また剥離性の確認の際、剥離界面を確認した。剥離がデバイス側ウエハーと接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「デバイス」、キャリア側ウエハー（支持体）と接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「キャリア」、剥離界面が「デバイス」側とも「キャリア」側とも言えない場合は「△」、接着層にて凝集破壊を起こしたものを「×」、剥離できなかったものを「−」と表記した。結果を表1に示す。
〔表１〕
表１（実施例１の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
接着性 耐熱性 剥離性 剥離界面
接着層（１） ○ ○ × −
接着層（２） ○ ○ × −
接着層（３） ○ ○ ２６N キャリア
接着層（４） ○ ○ ２３N キャリア
接着層（５） ○ ○ ２０N キャリア
接着層（６） ○ ○ １９N キャリア
接着層（７） ○ ○ ２０N キャリア
接着層（８） ○ ○ ２０N キャリア
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表１の結果から、接着層（１）、（２）では接着性および耐熱性は良好な結果であるが、剥離性については良好な結果が得られなかった。一方で接着層（３）〜（８）について、接着性、耐熱性、剥離性、剥離界面の制御において良好な結果が得られた。

（実施例２）
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのシリコーンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成させるためにスピンコートにて上記接着剤（５）を約５０μｍの膜厚で三つウエハーの回路面に成膜し、それぞれ接着層（５−１）〜（５−３）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合せ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合せ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上で２００℃で１０分間の加熱処理を行った。この際、デバイス側ウエハーを下にして加熱処理したものを「デバイス」と表記し、キャリア側ウエハー（支持体）を下にして加熱処理したものを「キャリア」と表記した。また加熱処理をイナートガスオーブン（エスペック社製）を使用して２００℃で１０分間行ったものを「オーブン」と表記した。

さらに剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にて剥離に要する力を測定した。剥離ができたものに関しては、良好な結果として剥離に要した力を数値で示し、剥離ができなかったものに関しては不良として「×」と表記した。また剥離性の確認の際、剥離界面を確認した。剥離がデバイス側ウエハーと接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「デバイス」、キャリア側ウエハー（支持体）と接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「キャリア」、剥離できなかったものを不良として「×」とした。結果を表２に示す。
〔表２〕
表２（実施例２の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
加熱処理面 剥離性 剥離界面
接着層（５−１） デバイス ２０N キャリア
接着層（５−２） キャリア １７N キャリア
接着層（５−３） オーブン １８N キャリア
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表２の結果では、接着剤（５）から形成された接着層（５−１）〜（５−３）では、剥離性において良好な結果を示した。また接着剤の硬化時に行う加熱処理方法により剥離界面は変化せず、キャリアと接着剤の界面で剥離可能であることが確認された。

（実施例３）
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記接着剤（５）を約１００μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、接着層（５−７）とした。この接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーが下となるように２００℃で１０分間、加熱処理を実施した。

その後、剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にて剥離に要する力を測定した。剥離ができたものに関しては、良好な結果として剥離に要した力を数値で示し、剥離ができなかったものに関しては不良として「×」と表記した。また剥離性の確認の際、剥離界面を確認した。剥離がデバイス側ウエハーと接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「デバイス」、キャリア側ウエハー（支持体）と接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「キャリア」、剥離できなかったものを不良として「×」と表記した。結果を表３に示す。
〔表３〕
表３（実施例３の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
仮接着層の膜厚 剥離性 剥離界面
接着層（５−１） ５０μｍ ２０N キャリア
接着層（５−７） １００μｍ ２３N キャリア
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表３の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−７）では、接着層の膜厚によらず剥離性は良好であることを示した。

(実施例４)
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記接着剤（５）を約５０μｍの膜厚で四つのウエハーの回路面に成膜し、それぞれ接着層（５−８）〜（５−１１）とした。この接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）で上記接着剤層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーが下となるようにそれぞれ１２０℃、１５０℃、２２０℃、２６０℃で１０分間、加熱処理を実施した。

その後、剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にて剥離に要する力を測定した。剥離ができたものに関しては、良好な結果として剥離に要した力を数値で示し、剥離ができなかったものに関しては不良として「×」と表記した。また剥離性の確認の際、剥離界面を確認した。剥離がデバイス側ウエハーと接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「デバイス」、キャリア側ウエハー（支持体）と接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「キャリア」、剥離できなかったものを不良として「×」と表記した。結果を表４に示す。
〔表４〕
表４（実施例４の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
加熱処理温度 剥離性 剥離界面
接着層（５−８） １２０℃ １７N キャリア
接着層（５−９） １５０℃ １７N キャリア
接着層（５−１０） ２２０℃ １８N キャリア
接着層（５−１１） ２６０℃ ２１N キャリア
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表４の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−８）〜（５−１１）では、加熱処理温度によらず剥離性は良好であることを示した。

（実施例５）
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにてそれぞれ上記接着剤（５）、（９）〜（１４）を約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、それぞれ接着層（５−１２）、（９）〜（１４）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍガラスウエハー（厚さ：７００μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーを下にして２００℃で１０分間、加熱処理を行った。その後、ボイドの有無をガラスウエハー側から確認した。接着性として加熱処理後にボイドが見られなかったもの良好として「○」、見られたものを不良として「×」と表記した。また剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にて剥離に要する力を測定した。剥離ができたものに関しては、良好な結果として剥離に要した力を数値で示し、剥離ができなかったものに関しては不良として「×」と表記した。また剥離性の確認の際、剥離界面を確認した。剥離がデバイス側ウエハーと接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「デバイス」、キャリア側ウエハー（支持体）と接着層との界面で生じ、良好に制御できている場合は「キャリア」、剥離界面が「デバイス」側とも「キャリア」側とも言えない場合は「△」、接着層にて凝集破壊を起こしたものを「×」、剥離できなかったものを「‐」と表記した。結果を表５に示す。
〔表５〕
表５（実施例５の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
接着性 耐熱性 剥離性 剥離界面
接着層（５−１２） ○ ○ ２０Ｎ キャリア
接着層（９） ○ ○ ３２Ｎ キャリア
接着層（１０） ○ ○ ３０Ｎ キャリア
接着層（１１） ○ ○ × −
接着層（１２） ○ ○ × −
接着層（１３） ○ ○ × −
接着層（１４） ○ ○ × −
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表５の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−１２）、そして接着層（９）、接着層（１０）では、接着性、剥離性は良好であることを示した。

（実施例６）
デバイス側のウエハーとして３００ｍｍのトリムシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記の接着剤（５）を約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、接着層（５−１３）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのシリコンウエハー（厚さ：７７０μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーを下にして２００℃で１０分間、加熱処理を行った。その後、裏面研削装置（東京精密社製、バックグラインダー）でデバイス側ウエハーの薄化処理を実施した。薄化処理後のデバイス側ウエハーのエッジを光学顕微鏡で観察し、チッピングが無かったものを良好として「○」と表記し、チッピングが生じたものを「×」と表記した。結果を表６に示す。
〔表６〕
表６（実施例６の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
チッピング
接着層（５−１３） ○
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表６の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−１３）では、デバイス側ウエハーの薄化処理工程においてチッピングは確認されず、良好な結果であることを示した。

（実施例７）デバイスウエハーの洗浄試験
デバイス側のウエハーとしてグローバルネット株式会社製３００ｍｍＰＩウエハー（厚さ：７７０μｍ、下地：ＳｉＮ＋ＰＩ、スクライブライン：幅１００ｍｍ、１５ｍｍピッチ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記接着剤（５）を約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、接着層（５−１４）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのガラスウエハー（厚さ：７７０μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーを下にして２００℃で１０分間、加熱処理を行った。また剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にてデバイス側ウエハーと接着層（５−１４）との間で剥離を実施した。この際、大部分の接着層はキャリア側に残存しているが、デバイス側ウエハーに極わずかに残存している接着剤を除去するために、テトラブチルアンモニウムフルオリド、DBU（ジアザビシクロウンデセン）、及び２−ヘプタノンからなるクリーナーで１０分間、パドル洗浄を実施した。その後、光学顕微鏡にて表面を観察し、完全に接着剤が除去できている場合を良好と評価し「○」で示し、除去できなかったものを「×」で表記した。結果を表７に示す。
〔表７〕
表７（実施例７の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
洗浄試験
接着層（５−１４） ○
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表７の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−１４）では、上記クリーナーを用いたパドル洗浄により、デバイス側のウエハー表面が完全に洗浄され良好であることを示した。

（実施例８）テープによるリフトオフ
デバイス側のウエハーとしてグローバルネット株式会社製３００ｍｍＰＩウエハー（厚さ：７７０μｍ、下地：ＳｉＮ＋ＰＩ、スクライブライン：幅１００ｍｍ、１５ｍｍピッチ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記の接着剤（５）を約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、接着層（５−１５）とした。ここの接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのガラスウエハー（厚さ：７７０μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーを下にして２００℃で１０分間、加熱処理を行った。また剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にてデバイス側ウエハーと接着層（５−１５）との界面で剥離を実施した。

一方、比較として成分（Ａ）のみからなる接着剤を約５０μｍの膜厚で、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのガラスウエハー（厚さ：７７０μｍ）に塗布し、接着層（Ａ−１）とした。その後２００℃で１０分間、加熱処理を行った。

その後、キャリア側ウエハー（支持体）に残存した接着層（５−１５）及び（Ａ−１）に対して、プリント基板めっき時の端子部マスキング用テープ（日東電工株式会社製、商品名Ｎ‐３００）を用いてそれぞれテープピーリング法により接着剤の剥離試験を行った。上記テープをキャリア側ウエハー（支持体）の接着剤表面に貼り付け、キャリア側ウエハー（支持体）に対して６０〜１８０°の範囲の角度でテープを引きはがし、キャリア側のウエハー（支持体）から接着層（５−１５）及び（Ａ−１）を分離する試験を行った。

分離できた場合を良好と評価し「○」で示し、できなかったものを「×」で示した。
〔表８〕
表８（実施例８の結果）
―――――――――――――――――――――――――――――――――
テープピーリング試験
接着層（５−１５） ○
接着層（Ａ−１） ×
―――――――――――――――――――――――――――――――――

表８の結果から、接着剤（５）により形成された接着層（５−１５）では、上記テープによるリフトオフ工程で接着層が除去され、良好な結果であることを示した。一方で、比較例として挙げた成分（Ａ）により形成された接着層（Ａ−１）においてはリフトオフ工程での接着層の除去が確認されなかった。

（実施例９）キャリアウエハー（支持体）の溶剤による再生試験
デバイス側のウエハーとしてグローバルネット株式会社製３００ｍｍＰＩウエハー（厚さ：７７０μｍ、下地：ＳｉＮ＋ＰＩ、スクライブライン：幅１００ｍｍ、１５ｍｍピッチ）に、仮接着層を形成するためにスピンコートにて上記接着剤（５）を約５０μｍの膜厚でウエハーの回路面に成膜し、接着層（５−１６）とした。この接着層を有するウエハーと、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのガラスウエハー（厚さ：７７０μｍ）を、上記接着層を挟むように真空貼り合わせ装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルボンダー）内で貼り合わせ、積層体を作製した。

その後、ホットプレート上でデバイス側ウエハーを下にして２００℃で１０分間、加熱処理を行った。また剥離性を確認するために剥離装置（ズースマイクロテック社製、マニュアルデボンダー）にてデバイス側ウエハーと接着層（５−１６）との界面で剥離を実施した。

一方、比較として成分（Ａ）のみからなる接着剤を約５０μｍの膜厚で、キャリア側のウエハー（支持体）として３００ｍｍのガラスウエハー（厚さ：７７０μｍ）に塗布し、接着層（Ａ−２）とした。その後２００℃で１０分間、加熱処理を行った。

その後、キャリア側ウエハー（支持体）に残存した接着層（５−１６）、及び（Ａ−２）をＩｓｏｐｅｒ‐Ｅ（安藤パラケミー株式会社製、炭化水素系溶剤）及びシェルゾールＭＣ４２１（シェルケミカルズジャパン株式会社製、炭化水素系溶剤）に浸漬させ、溶剤による接着層の除去を実施した。溶剤浸漬後に接着層がリフトオフによる除去ができた場合を良好と評価し「○」で示し、リフトオフによる除去ができなかった場合を「×」で示した。
〔表９〕
表９（実施例９の結果）
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Ｉｓｏｐｅｒ‐Ｅ シェルゾールＭＣ４２１
接着層（５−１６） ○ ○
接着層（Ａ−２） × ×
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本発明にかかわる積層体は、添加剤として支持体（支持基板）とウエハーの間に仮接着層があり、その仮接着層を形成する接着剤はヒドロシリル化反応により硬化するポリオルガノシロキサン成分と、添加剤としてフェニル基含有ポリオルガノシロキサン成分とを含む接着剤を含むものである。これにより剥離層形成の必要がなく、ウエハー裏面の研磨後には容易に剥離が可能となる。

Claims (14)

1. 支持体とウエハーの回路面との間で剥離可能に接着し、ウエハーの裏面を加工するための接着剤であり、前記接着剤がヒドロシリル化反応により硬化する成分（Ａ）と、フェニル基含有ポリオルガノシロキサンとを含む成分（Ｂ）とを含み、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の質量％が９５：５〜３０：７０の割合である前記接着剤。
2. 前記成分（Ａ）が、ＳｉＯ_２で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）、Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ _１／２で表されるシロキサン単位（Ｍ単位）、Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２で表されるシロキサン単位（Ｄ単位）、及びＲ^６ＳｉＯ_３／２で表されるシロキサン単位（Ｔ単位）からなる群より選ばれるポリシロキサン（但しＲ^１乃至Ｒ^６はそれぞれＳｉ−Ｃ結合又はＳｉ−Ｈ結合によりケイ素原子に結合しているものである。）を含み、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と炭素原子数２〜１０のアルケニル基を含むポリオルガノシロキサン（ａ１）と、Ｒ^１乃至Ｒ^６で示される１価化学基がそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基と水素原子を含むポリオルガノシロキサン（ａ２）とを含むポリシロキサン（Ａ１）と、白金族金属系触媒（Ａ２）とを含むものである請求項１に記載の接着剤。
3. 前記成分 （Ｂ）が、（ｂ１）フェニルメチルシロキサン単位構造又はジフェニルシロキサン単位構造と、（ｂ２）ジメチルシロキサン単位構造との組み合わせである請求項１又は請求項２に記載の接着剤。
4. 前記加工が前記ウエハーの裏面研磨である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の接着剤。
5. 第一基体上に請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、前記第一基体側から加熱する積層体の接合方法。
6. 前記第一基体が支持体であり、前記第二基体がウエハーであり、前記ウエハーの回路面が前記第一基体と向き合うものである請求項５に記載の接合方法。
7. 前記第一基体がウエハーであり、前記第二基体が支持体であり、前記ウエハーの回路面が前記第二基体と向き合うものである請求項５に記載の接合方法。
8. 第一基体上に請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、前記第一基体側から加熱し前記接着剤を硬化させ積層体を形成した後に、前記積層体を加工し、前記第一基体、前記第二基体と前記接着層の間で剥離を生じる剥離方法。
9. 第一基体上に請求項４に記載の接着剤を塗布し接着層を形成し、第二基体を接合し、前記第一基体側から加熱し前記接着剤を硬化させ積層体を形成した後に、前記積層体を加工し、前記第一基体、前記第二基体と前記接着層の間で剥離を生じる剥離方法。
10. 前記第一基体が支持体であり、前記第二基体がウエハーであり、前記ウエハーの回路面が前記第一基体と向き合うものである請求項８に記載の剥離方法。
11. 前記第一基体が支持体であり、前記第二基体がウエハーであり、前記ウエハーの回路面が前記第一基体と向き合うものである請求項９に記載の剥離方法。
12. 前記第一基体がウエハーであり、前記第二基体が支持体であり、前記ウエハーの回路面が前記第二基体と向き合うものである請求項８に記載の剥離方法。
13. 前記第一基体がウエハーであり、前記第二基体が支持体であり、前記ウエハーの回路面が前記第二基体と向き合うものである請求項９に記載の剥離方法。
14. 前記加工が前記ウエハーの裏面研磨である請求項８、１０、１２のいずれか１項に記載の剥離方法。