CN113166624B - 红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法 - Google Patents

红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。

Description

红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及 剥离方法
技术领域
本发明涉及一种红外线剥离用粘接剂组合物以及使用了该组合物的层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法，该红外线剥离用粘接剂组合物是用于将用于安装半导体晶片、零件的布线基板等功能构件与支承体固定的临时粘接剂。
背景技术
就以往在二维的平面方向上集成的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步还向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(TSV：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，利用研磨使所集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。
薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。
当对该临时粘接的拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或变形。为了防止这样的情况发生，临时粘接的支承体必须容易拆卸。但是，另一方面，在半导体晶片的背面研磨时，临时粘接的支承体会因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，对于临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，在研磨后容易拆卸。
例如，追求下述性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。
根据这样的状况，对于临时粘接而言，需要研磨时相对于平面方向的高应力(强粘接力)和拆卸时相对于纵向的低应力(弱粘接力)。作为与此相关的方法，报告有如下方法：具有粘接层和分离层，分离层通过二甲基硅氧烷的等离子体聚合形成，在研磨后机械分离(例如专利文献1、2)；利用粘接性组合物将支承基板与半导体晶片粘接，对半导体晶片的背面进行了研磨后，利用蚀刻液去除粘接剂(例如专利文献3)。此外，作为与此相关的将支承体与半导体晶片粘接的粘接层等，报告有如下晶片加工体，该晶片加工体包含利用铂催化剂使含烯基的聚有机硅氧烷与含氢化硅烷基的聚有机硅氧烷聚合的聚合层与由热固性聚硅氧烷构成的聚合层的组合(例如专利文献4～6)。还报告有作为氢化硅烷化反应的抑制剂的长链α－乙炔醇和固化性硅酮(Silicone)组合物(例如专利文献7)。然而，随着近年来的半导体领域的迅速发展，始终存在对新技术、改良技术的强烈期望，也追求与临时粘接相关的新技术、改良技术。
此外，如上所述的临时粘接不仅在晶片薄化时使用，而且也在将半导体零件等功能性零件安装于布线基板等功能性基材的安装工艺等中使用。即，在如下情况等中使用：在当初的工序中为了支承功能性基材而使用临时粘接的支承体，安装零件并模塑后剥离支承体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2012－510715号公报
专利文献2：日本特表2012－513684号公报
专利文献3：日本特开2013－179135号公报
专利文献4：日本特开2013－232459号公报
专利文献5：日本特开2006－508540号公报
专利文献6：日本特开2009－528688号公报
专利文献7：日本特开平6－329917号公报
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明的目的在于，提供一种红外线剥离用粘接剂组合物和使用了该组合物的层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法，该红外线剥离用粘接剂组合物在支承体的接合时(固化时)、晶片背面的加工时、进而零件安装工艺中的耐热性优异，能在支承体的剥离时容易剥离。
用于解决问题的方案
就本发明而言，第一观点是一种红外线剥离用粘接剂组合物，其特征在于，其能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
第二观点是第一观点所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q单元)、R1R2R3SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M单元)、R4R5SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D单元)以及R6SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T单元)构成的组中的一种或两种以上的单元(所述R1至R6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子)，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q’单元)、R1’R2’R3’SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M’单元)、R4’R5’SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D’单元)以及R6’SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T’单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种(所述R1’至R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但所述R1’至R6’中的至少一个为所述烯基)，所述聚有机硅氧烷(a2)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q”单元)、R1”R2”R3”SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M”单元)、R4”R5”SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D”单元)以及R6”SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T”单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种(所述R1”至R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但所述R1”至R6”中的至少一个为氢原子)。
第三观点是第一或第二观点所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，所述环氧改性聚有机硅氧烷为环氧值在0.1～5的范围内的环氧改性聚有机硅氧烷。
第四观点是第一～第三观点中任一项所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，所述含苯基的聚有机硅氧烷包含(b1)苯基甲基硅氧烷单元结构或二苯基硅氧烷单元结构和(b2)二甲基硅氧烷单元结构。
第五观点是一种层叠体，其是将由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着粘接层进行接合而成的，其中，所述粘接层为由第一～第四观点中任一项所述的红外线剥离用粘接剂组合物得到的固化膜。
第六观点是一种层叠体的制造方法，其为第五观点所述的层叠体的制造方法，其中，包括：第一工序，在所述第一基体或所述第二基体的表面涂布所述红外线剥离用粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层；以及第二工序，将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理。
第七观点是一种剥离方法，其中，从通过第六观点所述的层叠体的制造方法制造出的层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，剥离所述第二基体。
第八观点是第七观点所述的剥离方法，其中，所述红外线激光为波长1～20μm的激光。
第九观点是第八观点所述的剥离方法，其中，所述波长为9.2～10.8μm。
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物包含以下两者：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种，因此起到如下效果：能形成能通过照射红外线而剥离的粘接层，此外，能形成向晶片的电路面的旋涂性优异，在晶片的电路面或支承体与粘接层的接合时、晶片背面的加工时耐热性优异的粘接层。
作为晶片的电路面的相反一侧的加工，例如，进行由研磨实现的晶片的薄化。然后，也可以在晶片上进行硅贯通电极(TSV)等的形成。然后从支承体上剥离薄化晶片而形成晶片的层叠体，进行三维安装化。此外，在三维安装化前后也进行了晶片背面电极等的形成。在晶片的薄化和TSV工艺中以粘接于支承体的状态下负载250～350℃的热，但使用本发明的红外线剥离用粘接剂组合物制造出的层叠体包含粘接层，具有对该负载的耐热性。
此外，得到了如下效果：在晶片的背面的加工后，即在研磨后通过进行红外线照射，能容易剥离，剥离后附着于晶片、支承体的粘接剂可以利用溶剂或胶带简单地去除。
而且，使用本发明的红外线剥离用粘接剂组合物制造出的层叠体的剥离方法起到了如下效果：通过照射通常用于激光加工的红外线激光，能容易剥离，能使用一般用于激光加工的设备来进行剥离而无需配备特殊的装置。
附图说明
图1是对本发明的层叠体的制造方法进行说明的概略图。
图2是对本发明的剥离方法的一个例子进行说明的概略图。
具体实施方式
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物例如是用于在支承体与晶片的电路面之间以能剥离的方式进行粘接，对晶片的背面进行加工的粘接剂，所述粘接剂包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及成分(B)，选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种。
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物形成能通过照射红外线而剥离的粘接层，具有不向支承体、晶片等施加用于剥离的过度的载荷就能剥离的优点。
在本发明中，支承体与晶片被红外线剥离用粘接剂组合物临时粘接，例如，与晶片的电路面相反一侧的背面利用研磨等而被加工，由此能将晶片薄化。
此外，本发明的层叠体是由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着由所述红外线剥离用粘接剂组合物形成的粘接层进行接合而成的层叠体。
就该层叠体而言，通过从使红外线激光透射的第二基体侧照射红外线激光，不施加用于剥离的过度的载荷就能剥离。
由此，第二基体需要能使用于剥离的红外线透射，但在能从第一基体侧照射红外线的情况下，并不限定于此。
在此，能剥离是指，粘接强度比其他剥离部位低，即剥离性优异，容易剥离，使用本发明的红外线剥离用粘接剂组合物得到的粘接层的粘接强度因红外线照射而比照射前更低。
本发明的层叠体中的粘接层(临时粘接层)由本发明的红外线剥离用粘接剂组合物形成。红外线剥离用粘接剂组合物包含上述的成分(A)和成分(B)，也可以包含其他成分。
在本发明的优选的一个方案中，在成分(A)中，作为通过氢化硅烷化反应而固化的成分，包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q单元)、R1R2R3SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M单元)、R4R5SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D单元)以及R6SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q’单元)、R1’R2’R3’SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M’单元)、R4’R5’SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D’单元)以及R6’SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T’单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，所述聚有机硅氧烷(a2)包含选自由SiO2所表示的硅氧烷单元(Q”单元)、R1”R2”R3”SiO1/2所表示的硅氧烷单元(M”单元)、R4”R5”SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D”单元)以及R6”SiO3/2所表示的硅氧烷单元(T”单元)构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种。
R1至R6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子。
R1’至R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示烷基或烯基，但R1’至R6’中的至少一个为烯基。
R1”至R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基或氢原子，但R1”至R6”中的至少一个为氢原子。
烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一者，其碳原子数并不特别限定，优选碳原子数40以下，更优选碳原子数30以下，更进一步优选20以下，进一步优选10以下。
作为直链状或支链状烷基的具体例子，可列举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1－甲基正丁基、2－甲基正丁基、3－甲基正丁基、1，1－二甲基正丙基、1，2－二甲基正丙基、2，2－二甲基正丙基、1－乙基正丙基、正己基、1－甲基正戊基、2－甲基正戊基、3－甲基正戊基、4－甲基正戊基、1，1－二甲基正丁基、1，2－二甲基正丁基、1，3－二甲基正丁基、2，2－二甲基正丁基、2，3－二甲基正丁基、3，3－二甲基正丁基、1－乙基正丁基、2－乙基正丁基、1，1，2－三甲基正丙基、1，2，2－三甲基正丙基、1－乙基－1－甲基正丙基、1－乙基－2－甲基正丙基等，但并不限定于此。
其中，优选甲基。
作为环状烷基的具体例子，可列举出：环丙基、环丁基、1－甲基环丙基、2－甲基环丙基、环戊基、1－甲基环丁基、2－甲基环丁基、3－甲基环丁基、1，2－二甲基环丙基、2，3－二甲基环丙基、1－乙基环丙基、2－乙基环丙基、环己基、1－甲基环戊基、2－甲基环戊基、3－甲基环戊基、1－乙基环丁基、2－乙基环丁基、3－乙基环丁基、1，2－二甲基环丁基、1，3－二甲基环丁基、2，2－二甲基环丁基、2，3－二甲基环丁基、2，4－二甲基环丁基、3，3－二甲基环丁基、1－正丙基环丙基、2－正丙基环丙基、1－异丙基环丙基、2－异丙基环丙基、1，2，2－三甲基环丙基、1，2，3－三甲基环丙基、2，2，3－三甲基环丙基、1－乙基－2－甲基环丙基、2－乙基－1－甲基环丙基、2－乙基－2－甲基环丙基、2－乙基－3－甲基环丙基等环烷基、二环丁基、二环戊基、二环己基、二环庚基、二环辛基、二环壬基、二环癸基等二环烷基等，但并不限定于此。
烯基可以为直链状、支链状中的任一者，其碳原子数并不特别限定，优选碳原子数40以下，更优选碳原子数30以下，更进一步优选碳原子数20以下。
作为烯基的具体例子，可列举出：乙烯基、1－丙烯基、2－丙烯基、1－甲基－1－乙烯基、1－丁烯基、2－丁烯基、3－丁烯基、2－甲基－1－丙烯基、2－甲基－2－丙烯基、1－乙基乙烯基、1－甲基－1－丙烯基、1－甲基－2－丙烯基、1－戊烯基、2－戊烯基、3－戊烯基、4－戊烯基、1－正丙基乙烯基、1－甲基－1－丁烯基、1－甲基－2－丁烯基、1－甲基－3－丁烯基、2－乙基－2－丙烯基、2－甲基－1－丁烯基、2－甲基－2－丁烯基、2－甲基－3－丁烯基、3－甲基－1－丁烯基、3－甲基－2－丁烯基、3－甲基－3－丁烯基、1，1－二甲基－2－丙烯基、1－异丙基乙烯基、1，2－二甲基－1－丙烯基、1，2－二甲基－2－丙烯基、1－环戊烯基、2－环戊烯基、3－环戊烯基、1－己烯基、2－己烯基、3－己烯基、4－己烯基、5－己烯基、1－甲基－1－戊烯基、1－甲基－2－戊烯基、1－甲基－3－戊烯基、1－甲基－4－戊烯基、1－正丁基乙烯基、2－甲基－1－戊烯基、2－甲基－2－戊烯基、2－甲基－3－戊烯基、2－甲基－4－戊烯基、2－正丙基－2－丙烯基、3－甲基－1－戊烯基、3－甲基－2－戊烯基、3－甲基－3－戊烯基、3－甲基－4－戊烯基、3－乙基－3－丁烯基、4－甲基－1－戊烯基、4－甲基－2－戊烯基、4－甲基－3－戊烯基、4－甲基－4－戊烯基、1，1－二甲基－2－丁烯基、1，1－二甲基－3－丁烯基、1，2－二甲基－1－丁烯基、1，2－二甲基－2－丁烯基、1，2－二甲基－3－丁烯基、1－甲基－2－乙基－2－丙烯基、1－仲丁基乙烯基、1，3－二甲基－1－丁烯基、1，3－二甲基－2－丁烯基、1，3－二甲基－3－丁烯基、1－异丁基乙烯基、2，2－二甲基－3－丁烯基、2，3－二甲基－1－丁烯基、2，3－二甲基－2－丁烯基、2，3－二甲基－3－丁烯基、2－异丙基－2－丙烯基、3，3－二甲基－1－丁烯基、1－乙基－1－丁烯基、1－乙基－2－丁烯基、1－乙基－3－丁烯基、1－正丙基－1－丙烯基、1－正丙基－2－丙烯基、2－乙基－1－丁烯基、2－乙基－2－丁烯基、2－乙基－3－丁烯基、1，1，2－三甲基－2－丙烯基、1－叔丁基乙烯基、1－甲基－1－乙基－2－丙烯基、1－乙基－2－甲基－1－丙烯基、1－乙基－2－甲基－2－丙烯基、1－异丙基－1－丙烯基、1－异丙基－2－丙烯基、1－甲基－2－环戊烯基、1－甲基－3－环戊烯基、2－甲基－1－环戊烯基、2－甲基－2－环戊烯基、2－甲基－3－环戊烯基、2－甲基－4－环戊烯基、2－甲基－5－环戊烯基、2－亚甲基环戊基、3－甲基－1－环戊烯基、3－甲基－2－环戊烯基、3－甲基－3－环戊烯基、3－甲基－4－环戊烯基、3－甲基－5－环戊烯基、3－亚甲基环戊基、1－环己烯基、2－环己烯基、3－环己烯基等，但并不限定于此。
其中，优选乙烯基、2－丙烯基。
如上所述，聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，但聚有机硅氧烷(a1)所包含的烯基与聚有机硅氧烷(a2)所包含的氢原子(Si－H基)通过基于铂族金属系催化剂(A2)的氢化硅烷化反应形成交联结构而固化。
聚有机硅氧烷(a1)包含选自由Q’单元、M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种。作为聚有机硅氧烷(a1)，也可以组合使用两种以上满足这样的条件的聚有机硅氧烷。
作为选自由Q’单元、M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的两种以上的优选组合，可列举出：(Q’单元和M’单元)、(D’单元和M’单元)、(T’单元和M’单元)、(Q’单元、T’单元以及M’单元)，但并不限定于此。
此外，在包含两种以上聚有机硅氧烷(a1)所包含的聚有机硅氧烷的情况下，优选(Q’单元和M’单元)与(D’单元和M’单元)的组合、(T’单元和M’单元)与(D’单元和M’单元)的组合、(Q’单元、T’单元以及M’单元)与(T’单元和M’单元)的组合，但并不限定于此。
聚有机硅氧烷(a2)包含选自由Q”单元、M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种。作为聚有机硅氧烷(a2)，也可以组合使用两种以上满足这样的条件的聚有机硅氧烷。
作为选自由Q”单元、M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的两种以上的优选的组合，可列举出：(M”单元和D”单元)、(Q”单元和M”单元)、(Q”单元、T”单元以及M”单元)，但并不限定于此。
聚有机硅氧烷(a1)由其硅原子与烷基和/或烯基键合而成的硅氧烷单元构成，但R1’至R6’所表示的所有取代基中的烯基的比例优选为0.1摩尔％～50.0摩尔％，更优选为0.5摩尔％～30.0摩尔％，其余R1’至R6’可以设为烷基。
聚有机硅氧烷(a2)由其硅原子与烷基和/或氢原子键合而成的硅氧烷单元构成，但R1”至R6”所表示的所有取代基和取代原子中的氢原子的比例优选为0.1摩尔％～50.0摩尔％，更优选为10.0摩尔％～40.0摩尔％，其余R1”至R6”可以设为烷基。
聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，但在本发明的优选的一个方案中，聚有机硅氧烷(a1)所包含的烯基与构成聚有机硅氧烷(a2)所包含的Si－H键的氢原子的摩尔比在1.0：0.5～1.0：0.66的范围内。
聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的重均分子量分别通常为500～1000000，优选为5000～50000。
本发明中的重均分子量例如可以使用GPC装置(Tosoh(株)制EcoSEC、HLC－8320GPC)和GPC色谱柱(昭和电工(株)制Shodex(注册商标)、KF－803L、KF－802以及KF－801)，将色谱柱温度设为40℃，将四氢呋喃用作洗脱液(溶出溶剂)，将流量(流速)设为1.0mL/分钟，将聚苯乙烯(Sigma-Aldrich公司制)用作标准试样，由此进行测定。
需要说明的是，如后所述，通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)可以包含的聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)通过氢化硅烷化反应而相互反应，由此成为固化膜。因此，该固化的机理与例如经由硅烷醇基的机理不同，由此，任一硅氧烷均无需包含硅烷醇基、烷基氧基那样的通过水解形成硅烷醇基的官能团。
在本发明的优选的一个方案中，成分(A)一并包含上述的聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)。
这样的铂系的金属催化剂是用于促进聚有机硅氧烷(a1)的烯基与聚有机硅氧烷(a2)的Si－H基的氢化硅烷化反应的催化剂。
作为铂系的金属催化剂的具体例子，可列举出：铂黑、氯化铂、氯铂酸、氯铂酸与一元醇的反应物、氯铂酸与烯烃类的络合物、双乙酰乙酸铂等铂系催化剂，但并不限定于此。
作为铂与烯烃类的络合物，例如，可列举出二乙烯基四甲基二硅氧烷与铂的络合物，但并不限定于此。
通常，相对于聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)的合计量，铂族金属系催化剂(A2)的量在1.0～50.0ppm的范围内。
成分(A)以抑制氢化硅烷化反应的进行为目的，也可以包含聚合抑制剂(A3)。
聚合抑制剂只要能抑制氢化硅烷化反应的进行，就没有特别限定，作为其具体例子，可列举出1－乙炔基－1－环己醇等炔基烷基醇等，但并不限定于此。
相对于聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，从得到其效果的观点考虑，聚合抑制剂的量通常为1000.0ppm以上，从防止过度抑制氢化硅烷化反应的观点考虑，聚合抑制剂的量为10000.0ppm以下。
在本发明中使用的成分(B)含有选自由包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分、包含含甲基的聚有机硅氧烷的成分以及包含含苯基的聚有机硅氧烷的成分构成的组中的至少一种的成分。
特别优选包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分。
作为环氧改性聚有机硅氧烷，例如，可列举出包含R11R12SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D10单元)的环氧改性聚有机硅氧烷。
R11为与硅原子键合的基团，表示烷基，R12为与硅原子键合的基团，表示环氧基或包含环氧基的有机基团，作为烷基的具体例子，可列举出上述的例示。
此外，包含环氧基的有机基团中的环氧基可以是不与其他环缩合而独立的环氧基，也可以是如1，2－环氧环己基那样，与其他环形成缩合环的环氧基。
作为包含环氧基的有机基团的具体例子，可列举出：3－环氧丙氧基丙基、2－(3，4－环氧环己基)乙基，但并不限定于此。
在本发明中，作为环氧改性聚有机硅氧烷的优选的一个例子，可列举出环氧改性聚二甲基硅氧烷，但并不限定于此。
环氧改性聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D10单元)，除了D10单元以外，也可以包含所述Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的优选的一个方案中，作为环氧改性聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D10单元构成的聚有机硅氧烷、包含D10单元和Q单元的聚有机硅氧烷、包含D10单元和M单元的聚有机硅氧烷、包含D10单元和T单元的聚有机硅氧烷、包含D10单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷、包含D10单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷、包含D10单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷等。
环氧改性聚有机硅氧烷优选为环氧值0.1～5的环氧改性聚二甲基硅氧烷，其重均分子量通常为1500～500000但从抑制组合物中的析出的观点考虑，其重均分子量优选为100000以下。
作为环氧改性聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：式(B－1)所表示的商品名CMS－227(Gelest公司制，重均分子量27000)、式(B－2)所表示的商品名ECMS－327(Gelest公司制，重均分子量28800)、式(B－3)所表示的商品名KF－101(信越化学工业(株)制，重均分子量31800)、式(B－4)所表示的商品名KF－1001(信越化学工业(株)制，重均分子量55600)、式(B－5)所表示的商品名KF－1005(信越化学工业(株)制，重均分子量11500)、式(B－6)所表示的商品名X－22－343(信越化学工业(株)制，重均分子量2400)、式(B－7)所表示的商品名BY16－839(Dow Corning公司制，重均分子量51700)、式(B－8)所表示的商品名ECMS－327(Gelest公司制，重均分子量28800)等，但并不限定于此。
(m和n分别为重复单元的数量。)
(m和n分别为重复单元的数量。)
(m和n分别为重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m和n分别为重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m、n以及o分别表示重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m和n分别为重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m和n分别为重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。)
(m和n分别为重复单元的数量。)
作为含甲基的聚有机硅氧烷，例如，可列举出包含R210R220SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D200单元)的聚有机硅氧烷，优选为包含R21R21SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D20单元)的聚有机硅氧烷。
R210和R220为与硅原子键合的基团，相互独立地表示烷基，但至少一方为甲基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的例示。
R21为与硅原子键合的基团，表示烷基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的例示。其中，作为R21，优选甲基。
在本发明中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的优选的一个例子，可列举出聚二甲基硅氧烷，但并不限定于此。
含甲基的聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D200单元或D20单元)，但除了D200单元和D20单元以外，也可以包含所述Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的某一个方案中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D200单元构成的聚有机硅氧烷、包含D200单元和Q单元的聚有机硅氧烷、包含D200单元和M单元的聚有机硅氧烷、包含D200单元和T单元的聚有机硅氧烷、包含D200单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷、包含D200单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷、包含D200单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
在本发明的优选的一个方案中，作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D20单元构成的聚有机硅氧烷、包含D20单元和Q单元的聚有机硅氧烷、包含D20单元和M单元的聚有机硅氧烷、包含D20单元和T单元的聚有机硅氧烷、包含D20单元、Q单元以及M单元的聚有机硅氧烷、包含D20单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷、包含D20单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
含甲基的聚有机硅氧烷的粘度通常为1000～2000000mm2/s，优选为10000～1000000mm2/s。需要说明的是，就含甲基的聚有机硅氧烷而言，典型的是由聚二甲基硅氧烷构成的二甲基硅油(Silicone Oil)。该粘度的值以运动粘度表示，厘沲(cSt)＝mm2/s。运动粘度可以利用运动粘度计测定。此外，也可以用粘度(mPa·s)除以密度(g/cm3)来求出。即，可以根据利用E型旋转粘度计在25℃下测定出的粘度和密度求出。可以根据运动粘度(mm2/s)＝粘度(mPa·s)/密度(g/cm3)这一算式来计算出。
作为含甲基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：Wacker公司制WACKER(注册商标)SILICONE FLUID AK系列、信越化学工业(株)制二甲基硅油(KF－96L、KF－96A、KF－96、KF－96H、KF－69、KF－965、KF－968)、环状二甲基硅油(KF－995)等，但并不限定于此。
作为含苯基的聚有机硅氧烷，例如，可列举出包含R31R32SiO2/2所表示的硅氧烷单元(D30单元)的含苯基的聚有机硅氧烷。
R31为与硅原子键合的基团，表示苯基或烷基，R32为与硅原子键合的基团，表示苯基，作为烷基的具体例子，可列举出上述的例示，优选甲基。
含苯基的聚有机硅氧烷包含上述的硅氧烷单元(D30单元)，但除了D30单元以外，也可以包含所述Q单元、M单元和/或T单元。
在本发明的优选的一个方案中，作为含苯基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：仅由D30单元构成的聚有机硅氧烷、包含D30单元和Q单元的聚有机硅氧烷、包含D30单元和M单元的聚有机硅氧烷、包含D30单元和T单元的聚有机硅氧烷、包含D30单元、Q单元和M单元的聚有机硅氧烷、包含D30单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷、包含D30单元、Q单元、M单元以及T单元的聚有机硅氧烷。
含苯基的聚有机硅氧烷的重均分子量通常为1500～500000，但从抑制组合物中的析出的观点等考虑，优选为100000以下。
作为含苯基的聚有机硅氧烷的具体例子，可列举出：式(C－1)所表示的商品名PMM－1043(Gelest，Inc.制，重均分子量67000，粘度30000mm2/s)、式(C－2)所表示的商品名PMM－1025(Gelest，Inc.制，重均分子量25200，粘度500mm2/s)、式(C－3)所表示的商品名KF50－3000CS(信越化学工业(株)制，重均分子量39400，粘度3000mm2/s)、式(C－4)所表示的商品名TSF431(MOMENTIVE公司制，重均分子量1800，粘度100mm2/s)、式(C－5)所表示的商品名TSF433(MOMENTIVE公司制，重均分子量3000，粘度450mm2/s)、式(C－6)所表示的商品名PDM－0421(Gelest，Inc.制，重均分子量6200，粘度100mm2/s)、式(C－7)所表示的商品名PDM－0821(Gelest，Inc.制，重均分子量8600，粘度125mm2/s)等，但并不限定于此。
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
(m和n表示重复单元的数量。)
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物可以以任意的比率包含成分(A)和成分(B)，但若考虑到粘接性与剥离性的平衡，则成分(A)与成分(B)的比率以质量％计优选为99.995：0.005～30：70，更优选为99.9：0.1～75：25。
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物以粘度的调整等为目的，也可以包含溶剂，作为其具体例子，可列举出：脂肪族烃、芳香族烃、酮等，但并不限定于此。
更具体而言，可列举出：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、异十二烷、薄荷烷、柠檬烯、甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)、异丙苯、MIBK(甲基异丁基酮)、乙酸丁酯、二异丁基酮、2－辛酮、2－壬酮、5－壬酮等，但并不限定于此。这样的溶剂可以单独使用一种或组合使用两种以上。
在本发明的红外线剥离用粘接剂组合物包含溶剂的情况下，通过考虑所期望的组合物的粘度、采用的涂布方法、制作的薄膜的厚度等来适当设定其含量，但相对于整个组合物，其含量在10～90质量％左右的范围内。
本发明的红外线剥离用粘接剂组合物可以通过将膜构成成分与溶剂混合来制造。不过，在不包含溶剂的情况下，可以通过将膜构成成分混合来制造本发明的光照射剥离用粘接剂组合物。
其混合顺序并不特别限定，但作为能容易且再现性良好地制造本发明的红外线剥离用粘接剂组合物的方法的一个例子，例如，可列举出：使所有膜构成成分溶解于溶剂的方法；使膜构成成分的一部分溶解于溶剂，使其余膜构成成分溶解于溶剂，将得到的溶液混合的方法。在该情况下，也可以根据需要而在最后加入一部分的溶剂、溶解性优异的膜构成成分。
在制备组合物时，也可以在成分不分解或变质的范围内适当加热。
在本发明中，就红外线剥离用粘接剂组合物而言，以去除组合物中的异物为目的，也可以在制造组合物的中途阶段或混合了所有成分后，使用亚微米级的过滤器等进行过滤。
制造本发明的层叠体的方法可列举出包括如下工序的方法：第一工序，在第一基体或第二基体的表面涂布所述红外线剥离用粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层；第二工序，将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理。通过第二工序的加热，粘接剂涂布层最终适当地固化而成为粘接层。
在此，例如，第一基体为晶片，第二基体为支承体。涂布红外线剥离用粘接剂组合物的可以是第一基体或第二基体中的任一者或两者，但优选为第一基体的表面。
作为晶片，例如可列举出直径300mm、厚度770μm左右的硅晶片、玻璃晶片，但并不限定于此。
支承体(载体)只要使红外线激光透射就没有特别限定，但其透射率通常为80％以上，优选为90％以上。例如可列举出直径300mm、厚度700mm左右的硅晶片，但并不限定于此。
在此，红外线激光是指在后述的剥离工序中使用的激光，例如，可列举出波长1μm～20μm的激光。在本发明的优选的一个方案中，红外线激光的波长为9.2～10.8μm。
所述粘接涂布层的膜厚通常为5～500μm，但从保持膜强度的观点考虑，膜厚优选为10μm以上，更优选为20μm以上，更进一步优选为30μm以上，从避免因厚膜引起的不均匀性的观点考虑，膜厚优选为200μm以下，更优选为150μm以下，更进一步优选为120μm以下，进一步优选为70μm以下。
涂布方法并不特别限定，通常为旋涂法。需要说明的是，也可以采用另行通过旋涂法等形成涂布膜，粘贴片状的涂布膜的方法，这也称为涂布或涂布膜。
涂布的粘接剂组合物的加热处理的温度根据膜厚等而不同，因此无法一概规定，但通常为80℃以上，从防止过度的固化的观点考虑，加热处理的温度优选为150℃以下，从可靠地体现临时粘接性能的观点考虑，其加热时间通常为30秒以上，优选为1分钟以上，但从抑制粘接层、其他构件的变质的观点考虑，其加热时间通常为5分钟以下，优选为2分钟以下。
加热可以使用加热板、烘箱等进行。
加热处理的温度通常为80℃以上，从防止过度的固化的观点考虑，优选为150℃以下。从可靠地体现临时粘接性能的观点考虑，其加热时间通常为30秒以上，优选为1分钟以上，但从抑制粘接层、其他构件的变质的观点考虑，其加热时间通常为10分钟以下，优选为5分钟以下。
减压处理只要使两个基体和它们之间的粘接剂涂布层暴露于10～10000Pa的气压下即可。减压处理的时间通常为1～30分钟。
在本发明的优选的方案中，两个基体和它们之间的层优选通过加热处理，更优选通过并用加热处理和减压处理来贴合。
所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷只要是不对所述第一基体、所述第二基体以及它们之间的层造成不良影响，并且能将它们牢固密合的载荷，就没有特别限定，但通常在10～1000N的范围内。
从得到充分的固化速度的观点考虑，后加热温度优选为120℃以上，从防止基板、粘接剂的变质的观点考虑，后加热温度优选为260℃以下。从实现基于固化的晶片的适当接合的观点考虑，加热时间通常为1分钟以上，进而从粘接剂的物性稳定化的观点等考虑，加热时间优选为5分钟以上，从避免由过度的加热引起的对粘接层的不良影响等的观点考虑，加热时间通常为180分钟以下，优选为120分钟以下。加热可以使用加热板、烘箱等进行。
需要说明的是，后加热处理的目的之一是使粘接剂组合物更适当地固化。
在图1中示出对本发明的层叠体的制造方法进行说明的概略图。如图1所示，准备第一基体11和第二基体12，例如实施：第一工序，在第二基体12的表面涂布所述红外线剥离用粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层13(图1的(a))。接着，实施：第二工序，将所述第一基体11与所述第二基体12隔着所述粘接剂涂布层13合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加第一基体11和第二基体12的厚度方向上的载荷L1，使第一基体11、第二基体12以及它们之间的层密合，然后进行后加热处理，由此得到通过粘接层13A粘接的层叠体10(图1的(b))。
本发明的层叠体的剥离方法为从所述第二基体侧照射所述红外线激光，剥离所述第二基体的剥离方法。通常，剥离在制造本发明的层叠体并对其进行了规定的加工等后实施。
在此，加工是指例如晶片的电路面的相反一侧的加工，可列举出由晶片背面的研磨实现的晶片的薄化。然后，进行硅贯通电极(TSV)等的形成，然后从支承体上剥离薄化晶片而形成晶片的层叠体，进行三维安装化。此外，在三维安装化前后也进行了晶片背面电极等的形成。在晶片的薄化和TSV工艺中以粘接于支承体的状态下负载250～350℃的热，但本发明的层叠体包含粘接层，具有对该负载的耐热性。此外，加工不限定于上述的加工，例如，为了支撑用于安装半导体零件的基材而与支承体临时粘接的情况下的半导体零件的安装工艺的实施等也包含于加工中。
例如就直径300mm、厚度770μm左右的晶片而言，能通过研磨与表面的电路面相反的背面而薄化至厚度80μm～4μm左右。
图2是对本发明的层叠体的剥离方法以及在其剥离后去除粘接层而得到实施了工艺的第一基体的方法的一个例子进行说明的概略图。
图2的(a)所示的是进行了加工等工艺后的层叠体10A，从层叠体10A的第二基体12侧照射红外线激光20。当粘接层13A受到红外线激光20的照射时，粘接层13A因热分解等而变质，粘接力显著降低，成为能剥离的状态。
接着，如图2的(b)所示，将第二基体12从粘接层13A上剥离。此时，粘接层13A处于因变质而粘接力显著降低的状态，因此，例如通过施加微小的外力(L2)提起第二基体12，第二基体12容易从第一基体11和粘接层13A上分离，然后，例如利用由有机溶剂构成的清洁剂(cleaner)将残留于第一基体11的粘接层13A去除，能得到施加了薄化等工艺的第一基体11(图2的(c))。
如上所述，就本发明的层叠体10而言，通过由本发明的红外线剥离用粘接剂组合物形成的粘接层进行粘接，因此通过红外线激光的照射，能容易将第二基体12从第一基体11和粘接层13A上剥离。
需要说明的是，红外线激光20的照射并非必须对粘接层的整个区域进行。即使经红外线激光20照射的区域和未照射的区域混合存在，只要作为粘接层13A整体的强度充分地降低，就能通过施加微小的外力提起第二基体12，而将第二基体12从层叠体10上剥离。照射红外线激光20的区域与不照射红外线激光20的区域的比率和位置关系根据形成粘接层13A的红外线剥离用粘接剂组合物、粘接层13A的厚度、照射的红外线激光20的强度等而不同，但本领域技术人员能设定适当的条件而无需过度的试验。例如，也可以以与红外线的描绘线宽相同的宽度，将不照射红外线激光的区域设于照射红外线激光的区域的旁边。
如此，即使在仅对粘接层13A的一部分照射红外线激光的情况下，也能将第二基体12分离，因此能缩短每一个层叠体的激光照射时间，其结果是，能缩短剥离所需的总时间。
实施例
以下，列举出实施例对本发明更具体地进行说明，但本发明并不限定于下述的实施例。需要说明的是，使用的装置如下所述。
(1)搅拌机：(株)THINKY制Awatori Rentaro。
(2)贴合装置：SUSS MicroTec公司制XBS300或Ayumi工业(株)制VJ－300。
(3)切割机：(株)东京精密制切割机SS30。
(4)激光加工装置(剥离装置)：trotec公司制Speedy300[激光波长10.6μm，功率75W](条件：速度100mm/s，1000PPI/Hz)。
[1]粘接剂的制造
[实施例1－1]
将作为聚硅氧烷(a1)的由Mw6900的含乙烯基的MQ树脂构成的基础聚合物(WackerChemie公司制)10.00g、作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)7.01g、作为聚硅氧烷(a2)的粘度70mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)1.50g、作为聚硅氧烷(a2)的粘度40mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)1.08g、作为聚合抑制剂(A3)的1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)0.049g、作为包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分(B)的X－22－343(信越化学工业(株)制)0.197g在搅拌机中搅拌，得到了混合物。
向该得到的混合物中，加入将作为铂族金属系催化剂(A2)的铂催化剂(WackerChemie公司制)1.0g和作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)5.0g在搅拌机中搅拌5分钟而另行得到的混合物0.118g，进一步搅拌5分钟，得到了包含成分(A)和成分(B)的红外线剥离用粘接剂组合物。
需要说明的是，X－22－343的结构为式(B－6)。
重均分子量为2400。m和n分别为重复单元的数量。R为碳原子数1～10的亚烷基。
[实施例1－2]
将作为聚硅氧烷(a1)的由Mw6900的含乙烯基的MQ树脂构成的基础聚合物(WackerChemie公司制)141.22g、作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)35.30g、作为聚硅氧烷(a1)的粘度200mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)4.54g、作为聚硅氧烷(a2)的粘度70mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)12.11g、作为聚硅氧烷(a2)的粘度40mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)7.57g、作为聚合抑制剂(A3)的1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)0.504g、作为聚合抑制剂(A3)的1，1－二苯基－2－丙炔－1－醇(东京化成工业(株)制)0.504g、作为包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分(B)的X－22－343(信越化学工业(株)制)2.02g、作为溶剂的十一烷(和光纯药工业(株)(现FUJIFILM和光纯药(株))制)10.69g在搅拌机中搅拌，得到了混合物。
向该得到的混合物中，加入将作为铂族金属系催化剂(A2)的铂催化剂(WackerChemie公司制)1.0g和作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)5.0g在搅拌机中搅拌5分钟而另行得到的混合物1.21g，进一步搅拌5分钟，得到了包含成分(A)和成分(B)的红外线剥离用粘接剂组合物。
[比较例1－1]
将作为聚硅氧烷(a1)的由Mw6900的含乙烯基的MQ树脂构成的基础聚合物(WackerChemie公司制)10.00g、作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)7.01g、作为聚硅氧烷(a2)的粘度70mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)1.50g以及作为聚硅氧烷(a2)的粘度40mPa·s的含Si－H基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)1.08g与作为聚合抑制剂(A3)的1－乙炔基－1－环己醇(Wacker Chemie公司制)0.049g在搅拌机中搅拌，得到了混合物。
向该得到的混合物中，加入将作为铂族金属系催化剂(A2)的铂催化剂(WackerChemie公司制)1.0g和作为聚硅氧烷(a1)的粘度1000mPa·s的含乙烯基的直链状聚二甲基硅氧烷(Wacker Chemie公司制)5.0g在搅拌机中搅拌5分钟而另行得到的混合物0.118g，进一步搅拌5分钟，得到了包含成分(A)的比较粘接剂组合物。
[3]层叠体的制造和剥离试验
[实施例2-1]
将实施例1-1中得到的红外线剥离用粘接剂组合物在300mm见方的玻璃晶片上以最终膜厚成为40μm左右的方式进行旋涂，在120℃下加热1分钟，在玻璃晶片上形成了粘接剂涂布层。
使用贴合装置，将具有该粘接剂涂布层的玻璃晶片与300mm见方的硅晶片以夹持粘接剂涂布层的方式进行贴合，进行200℃、10分钟的加热(后加热处理)固化，由此制作出层叠体。需要说明的是，在温度23℃、减压度1000Pa下施加30N的载荷来进行贴合。
制作出的层叠体使用切割装置切割为1cm见方，将切割出的层叠体作为评价用样品。
[实施例2-2]
使用了实施例1-2中得到的红外线剥离用粘接剂组合物来代替实施例1-1中得到的红外线剥离用粘接剂组合物，在温度50℃、减压度1000Pa下施加500N的载荷来进行贴合，除此以外，以与实施例2-1同样的方法得到了层叠体和评价用样品。
[比较例2-1]
使用了比较例1-1中得到的比较粘接剂组合物来代替实施例1-1中得到的红外线剥离用粘接剂组合物，除此以外，以与实施例2-1同样的方法得到了层叠体和评价用样品。
使用激光加工器向层叠体照射激光，尝试了剥离。从硅晶片侧一边遍及整面扫描一边照射激光。将此时的激光的功率(输出)与能否剥离一并示于表1。
[表1]
输出(％) 剥离
实施例2-1 40 能够
实施例2-2 40 能够
比较例2-1 70 困难
在使用了本发明的层叠体的情况下，在激光照射后能剥离，但在使用了比较例的层叠体的情况下，难以进行这样的剥离。
产业上的可利用性
使用本发明的红外线剥离用粘接剂组合物制造出的层叠体通过照射通常用于激光加工的红外线激光，能容易剥离，能使用一般用于激光加工的设备来进行剥离而无需配备特殊的装置，能用于各种用途。
附图标记说明
10、10A：层叠体；11：第一基体；12：第二基体；13：粘接剂涂布层；13A：粘接层：20：红外线激光。

Claims (7)

1.一种红外线剥离用粘接剂组合物，其特征在于，能通过照射红外线而剥离，所述红外线剥离用粘接剂组合物含有：
成分A，通过氢化硅烷化反应而固化；以及
成分B，其为包含由R11R12SiO2/2表示的硅氧烷单元的环氧改性聚有机硅氧烷，其中，R11表示与硅原子键合的烷基，R12表示环氧基或包含环氧基的有机基团，
所述成分A包含聚硅氧烷A1和铂族金属系催化剂A2，
所述聚硅氧烷A1包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q单元、R1R2R3SiO1/2所示的硅氧烷单元即M单元、R4R5SiO2/2所示的硅氧烷单元即D单元以及R6SiO3/2所示的硅氧烷单元即T单元构成的组中的一种或两种以上的单元，其中，所述R1至R6为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示烷基、烯基或氢原子，
所述聚硅氧烷A1包含聚有机硅氧烷a1和聚有机硅氧烷a2，
所述聚有机硅氧烷a1包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q’单元、R1’R2’R3’SiO1/2所示的硅氧烷单元即M’单元、R4’R5’SiO2/2所示的硅氧烷单元即D’单元以及R6’SiO3/2所示的硅氧烷单元即T’单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M’单元、D’单元以及T’单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1’至R6’为与硅原子键合的基团，分别独立地表示碳原子数40以下的烷基或碳原子数40以下的烯基，但所述R1’至R6’中的至少一个为所述烯基，
所述聚有机硅氧烷a2包含选自由SiO2所示的硅氧烷单元即Q”单元、R1”R2”R3”SiO1/2所示的硅氧烷单元即M”单元、R4”R5”SiO2/2所示的硅氧烷单元即D”单元以及R6”SiO3/2所示的硅氧烷单元即T”单元构成的组中的一种或两种以上的单元，并且包含选自由所述M”单元、D”单元以及T”单元构成的组中的至少一种，其中，所述R1”至R6”为与硅原子键合的基团或原子，分别独立地表示碳原子数40以下的烷基或氢原子，但所述R1”至R6”中的至少一个为氢原子。
2.根据权利要求1所述的红外线剥离用粘接剂组合物，其中，
所述环氧改性聚有机硅氧烷为环氧值在0.1～5的范围内的环氧改性聚有机硅氧烷。
3.一种层叠体，其是将由半导体形成基板构成的第一基体与由使红外线激光透射的支承基板构成的第二基体隔着粘接层进行接合而成的，其中，
所述粘接层为由权利要求1或2所述的红外线剥离用粘接剂组合物得到的固化膜。
4.一种层叠体的制造方法，其为权利要求3所述的层叠体的制造方法，其中，包括：
第一工序，在所述第一基体或所述第二基体的表面涂布所述红外线剥离用粘接剂组合物而形成粘接剂涂布层；以及
第二工序，将所述第一基体与所述第二基体隔着所述粘接剂涂布层合并，一边实施加热处理和减压处理中的至少一方，一边施加所述第一基体和所述第二基体的厚度方向上的载荷，由此使所述第一基体、所述粘接剂涂布层以及所述第二基体密合，然后进行后加热处理。
5.一种剥离方法，其中，
从通过权利要求4所述的层叠体的制造方法制造出的层叠体的所述第二基体侧照射所述红外线激光，剥离所述第二基体。
6.根据权利要求5所述的剥离方法，其中，
所述红外线激光为波长1μm～20μm的激光。
7.根据权利要求6所述的剥离方法，其中，
所述波长为9.2～10.8μm。
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