TWI664260B - 使用暫時接著劑之層合體 - Google Patents

使用暫時接著劑之層合體 Download PDF

Info

Publication number
TWI664260B
TWI664260B TW104118780A TW104118780A TWI664260B TW I664260 B TWI664260 B TW I664260B TW 104118780 A TW104118780 A TW 104118780A TW 104118780 A TW104118780 A TW 104118780A TW I664260 B TWI664260 B TW I664260B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
separation layer
support
layer
polyorganosiloxane
Prior art date
Application number
TW104118780A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201612282A (en
Inventor
上林哲
荻野浩司
榎本智之
澤田和宏
Original Assignee
日商日產化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日產化學工業股份有限公司 filed Critical 日商日產化學工業股份有限公司
Publication of TW201612282A publication Critical patent/TW201612282A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI664260B publication Critical patent/TWI664260B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0008—Electrical discharge treatment, e.g. corona, plasma treatment; wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00—Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10—Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C09J183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/02—2 layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2383/00—Polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/14—Semiconductor wafers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918—Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93—Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本發明的課題為提供一種在晶圓內面之研磨後可輕易剝離，且耐熱性、洗淨去除性容易之暫時接著劑。
本發明的解決手段為提供一種層合體，其特徵為作為支撐體上與晶圓之電路面之間所裝入之暫時接著劑，係包含可剝離之經接著之接著劑層(A)與可剝離之經接著之分離層(B)，該接著劑層(A)係由因氫化矽烷化(Hydrosilylation)反應而硬化之聚有機矽氧烷而成，該分離層(B)係由聚有機矽氧烷而成，其係用以加工晶圓電路面之相反側的晶圓內面之層合體，構成該分離層(B)之聚有機矽氧烷包含以RRSiO2/2(惟R分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)表示之矽氧烷單位(D單位)，至少一個R為表示芳烷基、環氧基、或苯基之聚有機矽氧烷。該等層合體的製造方法及分離方法。用以形成分離層之組成物。

Description

使用暫時接著劑之層合體
本發明係關於晶圓內面之研磨時用以將晶圓固定在支撐體之暫時接著劑與使用該接著劑之層合體。
以往累積在二維的平面方向之半導體晶圓，將更進一層之累積化為目的，正尋求亦將平面進一步累積(層合)於三維方向之半導體累積技術。此三維層合係藉由矽貫通電極(TSV：through silieon via)接線，而且為要累積成多層之技術。累積成多層時，將所累積之個別的晶圓與所形成之電路面相反側(即內面)藉由研磨進行薄化，層合經薄化之半導體晶圓。
為了將薄化前之半導體晶圓(於此亦單稱為晶圓)以研磨裝置進行研磨，而接著於支撐體。此時之接著由於必須於研磨後容易剝離，故稱為暫時接著。此暫時接著必須能輕易從支撐體脫離，加入所移除之巨大力量時，經薄化之半導體晶圓有時被切斷或變形，容易去除以便不引起這樣的事情。惟，半導體晶圓之內面研磨時因為研磨應力而導 致脫離或移位故不佳。據此，暫時接著所追求的性能為耐得住研磨時之應力、研磨後能輕易移除。
例如尋求對於研磨時之平面方向具有高度應力(強烈接著力)、對於移除時之縱方向具有低度應力(弱接著力)之性能。
作為如此之接著製程，揭示有具有接著劑層與分離層，分離層為藉由二甲基矽氧烷之電漿聚合所形成，研磨後進行機械性分離之方法(參照專利文獻1、專利文獻2)、 將支撐基板與半導體晶圓以接著性組成物接著，研磨半導體晶圓之內面後，將接著劑以蝕刻液去除之方法(參照專利文獻3)、以及作為接著支撐體與半導體晶圓之接著劑層，包含將含烯基之有機聚矽氧烷與含氫化矽烷基之有機聚矽氧烷以鉑觸媒聚合之聚合層、與由熱硬化性聚矽氧烷所構成之聚合層的組合之晶圓加工體(參照專利文獻4、專利文獻5)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2012-510715
[專利文獻2]日本特表2012-513684
[專利文獻3]日本特表2008-532313
[專利文獻4]日本特開2013-179135
[專利文獻5]日本特開2013-232459
本發明係提供一種作為暫時接著劑之層合體，其係包含由層合暫時接著劑層與晶圓於支撐體上，該暫時接著劑層係藉由氫化矽烷化反應硬化之聚有機矽氧烷而成之接著劑層與分離層之層合體，其特徵為該分離層係包含於形成分離層時，對晶圓之電路面的旋轉塗佈性優異、在與接著劑層的接合時或晶圓內面之加工時之耐熱性優異，晶圓內面之研磨後可輕易剝離，剝離後附著於晶圓之分離層可藉由溶劑簡單去除之分離層。
本發明作為第1觀點，其特徵為作為支撐體上與晶圓之電路面之間所裝入之暫時接著劑，且包含可剝離之經接著之接著劑層(A)與可剝離之經接著之分離層(B)，該接著劑層(A)係由因氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷而成，該分離層(B)由聚有機矽氧烷而成，其係用以加工晶圓電路面之相反側的晶圓內面之層合體，構成該分離層(B)之聚有機矽氧烷包含以RRSiO2/2(惟R分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)表示之矽氧烷單位(D單位)，且至少一個R為表示芳烷基、環氧基、或苯基之聚有機矽氧烷、作為第2觀點，如第1觀點之層合體，其中，前述接 著劑層(A)係包含選自由SiO2表示之矽氧烷單位(Q單位)、R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單位(M單位)、R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)、及R6SiO3/2表示之矽氧烷單位(T單位)所構成之群組中之聚矽氧烷(惟R1~R6分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，且包含聚有機矽氧烷(a1)與聚有機矽氧烷(a2)，該聚有機矽氧烷(a1)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該聚有機矽氧烷(a2)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1~10之烷基或氫原子、作為第3觀點，如第1觀點或第2觀點之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R7R8SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R7及R8分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R7及R8為具有甲基與碳原子數7~40之芳烷基之單位構造、與具有甲基與碳原子數1~10之烷基之單位構造的共聚物(b1)。
作為第4觀點，如第1觀點或第2觀點之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R9R10SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R9及R10分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R9及R10表示甲基與環氧環己基烷基之單位構造、與R9及R10分別表示甲基之單位構造之共聚物(b2)、作為第5觀點，如第1觀點或第2觀點之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R11R12SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R11及R12分別藉由Si-C鍵 與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R11及R12分別表示苯基之單位構造、與R11及R12分別表示甲基之單位構造之共聚物(b3)、作為第6觀點，如第3觀點~第5觀點中任一項之層合體，其中，前述分離層(B)為聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)、與聚二甲基矽氧烷(b4)的混合物、作為第7觀點，一種層合體(S)，其係如第1觀點~第6觀點中任一項之層合體為於支撐體上包含接著劑層(A)，並於晶圓之電路面上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)、作為第8觀點，如第7觀點之層合體(S)，其係進一步於支撐體與接著劑層(A)之間包含作為第二分離層(B2)之分離層(B)、作為第9觀點，一種層合體(T)，係如第1觀點~第6觀點中任一項之層合體為於晶圓之電路面上包含接著劑層(A)，並於支撐體上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)、作為第10觀點，一種如第7觀點之層合體(S)的製造方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓、作為第11觀點，一種如第8觀點之層合體(S)的製造 方法，其係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，接著劑層(A)與第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓、作為第12觀點，一種如第7觀點之層合體(S)的製造方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於其上形成第一分離層(B1)，再於其上將該第一分離層(B1)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓、作為第13觀點，一種如第9觀點之層合體(T)的製造方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面藉由塗佈形成接著劑層(A)，接著劑層(A)與第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓、作為第14觀點，一種如第9觀點之層合體(T)的製造方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上將該接著劑層(A)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓、作為第15觀點，一種如第7觀點之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離、作為第16觀點，一種如第8觀點之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形 成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，接著劑層(A)與第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)及/或第二分離層(B2)進行前述支撐體與前述晶圓的分離、作為第17觀點，一種如第7觀點之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於其上形成第一分離層(B1)，再於其上重疊接合晶圓電路面後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離、作為第18觀點，一種如第9觀點之層合體(T)的分離方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面藉由塗佈形成接著劑層(A)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述晶圓與前述支撐體的分離、作為第19觀點，一種如第9觀點之層合體(T)的分離方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上重疊接合晶圓之電路面後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述晶圓與前述支撐體的分離、及作為第20觀點，一種組成物，其係用以形成使用在如第1觀點~第9觀點中任一項之層合體(S)或(T)之第一分離層(B1)或第二分離層(B2)。
由本發明，即作為支撐體上與晶圓之電路面之間所裝入之暫時接著劑，其係包含可剝離之經接著之接著劑層(A)與可剝離之經接著之分離層(B)，該接著劑層(A)係由因氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷而成，該分離層(B)係由聚有機矽氧烷而成，其係用以加工晶圓電路面之相反側的晶圓內面之層合體，該分離層(B)藉由使用特定構造之聚有機矽氧烷，可得到對晶圓之電路面的旋轉塗佈性優異、在與接著劑層的接合時或晶圓內面之加工時之耐熱性優異、晶圓內面之研磨後可輕易剝離、剝離後附著於晶圓之分離層可藉由溶劑簡單去除的效果。
所謂晶圓之電路面的相反側的加工，係藉由研磨之晶圓之薄化來進行。之後，進行矽貫通電極(TSV)等之形成，然後從支撐體剝離薄化晶圓，形成晶圓之層合體，成為三維實裝化。又，於其前後亦可進行晶圓內面電極等之形成。晶圓之薄化與TSV製程中，雖以接著於支撐體之狀態加成250~350℃的熱，但作為本發明所使用之暫時接著劑之層合體係具有該等之耐熱性。
本發明係一種層合體，作為支撐體上與晶圓之電路面之間所裝入之暫時接著劑，其係包含可剝離之經接著之接著劑層(A)與可剝離之經接著之分離層(B)，該接 著劑層(A)係由因氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷而成，該分離層(B)係由聚有機矽氧烷而成，其係用以加工晶圓電路面之相反側的晶圓內面之層合體，構成該分離層(B)之聚有機矽氧烷為包含RRSiO2/2(惟R分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)表示之矽氧烷單位(D單位)，至少一個R為表示芳烷基、環氧基、或苯基之聚有機矽氧烷。
於本發明藉由暫時接著劑層暫時接著支撐體與晶圓，與晶圓之電路面相反側之內面藉由研磨等加工，可薄化晶圓之厚度。
上述暫時接著係晶圓內面之研磨時被接著，晶圓內面之研磨後可分離支撐體與經薄化之晶圓者。
於本發明形成暫時接著劑層之接著劑層(A)，係藉由接著劑層(A)形成組成物形成。接著劑層(A)形成組成物係包含下述聚矽氧烷與其他添加物。
接著劑層(A)較佳為適用由氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷。例如接著劑層(A)係包含選自由SiO2表示之矽氧烷單位(Q單位)、R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單位(M單位)、R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)、及R6SiO3/2表示之矽氧烷單位(T單位)所構成之群組中之聚矽氧烷(惟R1~R6分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，且包含聚有機矽氧烷(a1)與聚有機矽氧烷(a2)，該聚有機矽氧烷(a1)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該聚有機矽氧烷(a2)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1 ~10之烷基或氫原子。
聚有機矽氧烷(a1)包含碳原子數1~10之烷基與碳原子數2~10之烯基，聚有機矽氧烷(a2)包含碳原子數1~10之烷基與氫原子。烯基與Si-H基由鉑觸媒藉由氫化矽烷化反應形成交聯構造而硬化。
聚有機矽氧烷(a1)雖選自Q單位、M單位、D單位、T單位，但例如可藉由(Q單位與M單位)與(D單位與M單位)的組合、(T單位與M單位)與(D單位與M單位)的組合、(Q單位與T單位與M單位)與(T單位與M單位)的組合、(T單位與M單位)的組合、(Q單位與M單位)的組合予以形成。
聚有機矽氧烷(a2)雖選自Q單位、M單位、D單位、T單位，但例如可藉由(M單位與D單位)的組合、(Q單位與M單位)的組合、(Q單位與T單位與M單位)的組合予以形成。
上述碳原子數2~10之烯基，例如可列舉乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-n-丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-i- 丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-n-丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-n-丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二戊烯基甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-s-丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-i-丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-i-丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-n-丙基-1-丙烯基、1-n-丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-t-丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-i-丙基-1-丙烯基及1-i-丙基-2-丙烯基等。尤其是以可使用乙烯基、即乙烯基(Vinyl group)、2-丙烯基、即烯丙基較佳。
上述碳原子數1~10之烷基，例如可列舉甲 基、乙基、n-丙基、i-丙基、n-丁基、i-丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、1-甲基-n-丁基、2-甲基-n-丁基、3-甲基-n-丁基、1,1-二甲基-n-丙基、1,2-二甲基-n-丙基、2,2-二甲基-n-丙基、1-乙基-n-丙基、n-己基、1-甲基-n-戊基、2-甲基-n-戊基、3-甲基-n-戊基、4-甲基-n-戊基、1,1-二甲基-n-丁基、1,2-二甲基-n-丁基、1,3-二甲基-n-丁基、2,2-二甲基-n-丁基、2,3-二甲基-n-丁基、3,3-二甲基-n-丁基、1-乙基-n-丁基、2-乙基-n-丁基、1,1,2-三甲基-n-丙基、1,2,2-三甲基-n-丙基、1-乙基-1-甲基-n-丙基及1-乙基-2-甲基-n-丙基等。尤其是以可使用甲基較佳。
聚有機矽氧烷(a1)係以碳原子數1~10之烷基與碳原子數2~10之烯基構成，碳原子數1~10之烷基為甲基，碳原子數2~10之烯基為乙烯基，即乙烯基(Vinyl group)，烯基以R1~R6表示全取代基中可成為0.1莫耳%~50.0莫耳%，較佳為0.5莫耳%~30.0莫耳%，剩下的R1~R6可成為烷基。
又，聚有機矽氧烷(a2)係以碳原子數1~10之烷基與氫原子構成，碳原子數1~10之烷基為甲基，氫原子形成Si-H之構造。氫原子，即Si-H基以R1~R6表示全取代基中可成為0.1莫耳%~50.0莫耳%，較佳為10.0莫耳%~40.0莫耳%，剩下的R1~R6可成為烷基。
聚有機矽氧烷(a1)與聚有機矽氧烷(a2)以烯基與Si-H基表示之氫原子以莫耳比，可含有於2.0：1.0，較佳為1.5：1.0之範圍。
上述聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)可於個別重量平均分子量為500~1000000、或5000~50000之範圍使用。
接著劑層(A)可進一步含有鉑觸媒。鉑系之金屬觸媒係用以促進烯基與Si-H基的氫化矽烷化加成反應之觸媒，使用鉑黑、氯化第2鉑、氯化鉑酸、氯化鉑酸與一元醇的反應物、氯化鉑酸與烯烴類的錯合物、鉑雙乙醯乙酸酯等之鉑系觸媒。作為鉑與烯烴類的錯合物，例如可列舉二乙烯基四甲基二矽氧烷與鉑的錯合物。相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)的合計量，鉑觸媒的添加量可以1.0~50.0ppm的範圍添加。
接著劑層(A)作為進一步抑制氫化矽烷化反應進行的抑制劑，可添加炔基醇。作為抑制劑，例如可列舉1-乙炔基-1-環己醇等。相對於聚有機矽氧烷(a1)及聚有機矽氧烷(a2)，此等抑制劑可以1000.0~10000.0ppm的範圍添加。
本發明的分離層(B)所使用之聚有機矽氧烷係包含RRSiO2/2(惟R分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)表示之矽氧烷單位(D單位)，至少一個R為表示芳烷基、環氧基、或苯基者。分離層(B)係藉由分離層(B)形成用組成物形成，分離層(B)形成用組成物可含有聚矽氧烷與其他添加成分。
分離層(B)所使用之聚矽氧烷雖包含矽氧烷單位(D單位)，但亦可包含Q單位、M單位、T單位。例如 可列舉僅由D單位所構成的情況、D單位與Q單位的組合的情況、D單位與M單位的組合的情況、D單位與T單位的組合的情況、D單位與Q單位與M單位的組合的情況、D單位與M單位與T單位的組合的情況、D單位與Q單位與M單位與T單位的組合的情況等。
分離層(B)係包含含R7R8SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R7及R8為分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者)，該聚有機矽氧烷可使用包含R7及R8表示甲基與碳原子數7~40之芳烷基之單位構造、與R7及R8表示甲基與碳原子數1~10之烷基之單位構造之共聚物(b1)。
作為碳原子數1~10之烷基可使用上述之例示。又，芳烷基係組合烷基與芳基之取代基，烷基具有與矽原子鍵結之構造。
烷基可使用上述之例示，作為芳基，可列舉苯基、萘基、蒽基、聯苯基等。作為較佳之芳烷基，例如可列舉苄基、苯乙基等。此烷基係與作為伸烷基之矽原子與芳基鍵結。
聚有機矽氧烷(b1)中，具有甲基與碳原子數7~40之芳烷基之單位構造(b1-1)、與具有甲基與碳原子數1~10之烷基之單位構造(b1-2)可以莫耳比(b1-1)：(b1-2)為1：0.1~100.0、或1：1.0~20.0之範圍使用。
聚有機矽氧烷(b1)可使用重量平均分子量為500~100000、或5000~30000之範圍者。 例如，式(b1)之構造可例示於以下。
式(b1)中，m及n表示重複單位之數目，Q1表示上述芳烷基，Q2表示上述烷基。
分離層(B)包含含R9R10SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R9及R10為分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者)，該聚有機矽氧烷可使用包含R9及R10為表示甲基與環氧環己基烷基之單位構造、與R9及R10分別表示甲基之單位構造之共聚物(b2)。
所謂環氧環己基烷基，例如係組合3,4-環氧環己基與烷基之取代基，烷基具有與矽原子鍵結之構造。作為烷基雖例示上述烷基，但例如可列舉甲基、乙基、丙基。此烷基與作為伸烷基之矽原子與環氧環己基鍵結。
作為環氧環己基烷基，可列舉3,4-環氧環己基甲基、3,4-環氧環己基乙基、3,4-環氧環己基丙基。
聚有機矽氧烷(b2)中，具有甲基與環氧環己基烷基之單位構造(b2-1)、與分別具有甲基之單位構造(b2-2)可以莫耳比(b2-1)：(b2-2)為1：0.1~100.0、或1：10.0~100.0之範圍使用。
聚有機矽氧烷(b2)可使用重量平均分子量為5000~100000、或10000~80000之範圍者。 例如，式(b2)的構造可例示於以下。
式(b2)中，m及n表示重複單位之數目。
分離層(B)係包含含R11R12SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R11及R12為分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結者)，該聚有機矽氧烷可使用包含R11及R12分別表示苯基之單位構造、與R11及R12分別表示甲基之單位構造之共聚物(b3)。又，可於分子鏈末端具有乙烯基(Vinyl group)或烯丙基等之烯基。此等烯基係與矽原子鍵結。
苯基係具有直接與矽原子鍵結之二苯基矽構造。
分別具有苯基之單位構造(b3-1)、與分別具有甲基之單位構造(b3-2)可以莫耳比為1：0.1~100.0、或1：1.0~50.0之範圍使用。
聚有機矽氧烷(b3)可使用重量平均分子量為5000~50000、或10000~100000之範圍者。例如，式(b3)的構造可例示於以下。
[化3] 式(b3)中，m及n表示重複單位之數目。二苯基矽氧烷量可含有15~17莫耳%。
分離層(B)可使用聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)、與聚二甲基矽氧烷(b4)的混合物。聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)與聚二甲基矽氧烷(b4)可以質量比為1：0.1~10、或1：0.5~7的範圍使用。
分離層(B)可分別單獨使用聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)。又，可將聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)分別與聚二甲基矽氧烷(b4)混合以作為聚矽氧烷的混合物使用。
分別單獨使用聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)時、或以該等與聚二甲基矽氧烷(b4)的混合物使用時，(b1)、(b2)、(b3)、(b4)分別溶解於六甲基二矽氧烷(b5)中可溶解1~100質量%、或5~20質量%，典型為10質量%。
例如，將聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)分別以上述濃度使其溶解於六甲 基二矽氧烷(b5)中，其他方式將聚二甲基矽氧烷(b4)以上述濃度使其溶解於六甲基二矽氧烷(b5)，將兩聚有機矽氧烷溶液以1：0.1~10.0、或1：0.5~7的範圍，典型為1：1的比例混合，作為用以形成分離層(B)之聚有機矽氧烷溶液，可成為分離層形成用組成物。
聚二甲基矽氧烷(b4)可使用聚合度為200~1000範圍之聚合物。
本發明的層合體係於支撐體上包含接著劑層(A)，於晶圓之電路面上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)的層合體(S)。
本發明的層合體(S)係於支撐體上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，可將該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓來製造。
接著劑層(A)可將包含聚有機矽氧烷(a1)與聚有機矽氧烷(a2)之接著劑層(A)之聚矽氧烷的形成組成物，於室溫進行塗佈而形成接著劑層(A)。
分離層(B)係塗佈包含共聚物(b1)之聚矽氧烷的形成組成物、包含共聚物(b2)之聚矽氧烷的形成組成物、或包含共聚物(b3)之聚矽氧烷的形成組成物，可藉由於100℃~200℃的加熱形成第一分離層、第二分離層等之分離層(B)。
接著劑層(A)與第一分離層(B1)以面對面的方式接合支撐體與晶圓之步驟，係於減壓下進行，經接合後 於120~230℃進行加熱較佳。
支撐體與接著劑層(A)之間可成為進一步包含作為第二分離層(B2)之分離層(B)的層合體(S)。
上述層合體(S)係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，可將該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓來製造層合體(S)。
又，於支撐體上形成接著劑層(A)，再於其上形成第一分離層(B1)，再於其上可將該第一分離層(B1)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓，以製造層合體(S)。
又，本發明的層合體係於晶圓之電路面上包含接著劑層(A)，於支撐體上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)者之層合體(T)。
上述層合體(T)係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面藉由塗佈形成接著劑層(A)，可將該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓，以製造層合體(T)。
又，於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上可將該接著劑層(A)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓，以製造層合體(T)。
接著劑層(A)的形成係將用以形成接著劑層(A)之聚有機矽氧烷，例如可藉由旋轉塗佈機使其附著於支撐 體上，形成接著劑層(A)。
又分離層(B)的形成係將用以形成分離層(B)之聚有機矽氧烷，可由旋轉塗佈機使其附著於晶圓之電路面上，以100~200℃的溫度加熱以形成分離層(B)。
形成接著劑層(A)之支撐體、與形成第一分離層(B1)之晶圓，可將兩物體於減壓下(例如10Pa~10000Pa之減壓狀態)使其合體以形成層合體。使兩物體合體時，亦可於減壓下加熱(例如120℃~230℃)來進行。由此加熱硬化接著劑層(A)。
本發明的層合體亦可於支撐體與接著劑層(A)之間，將第二分離層(B2)藉由塗佈形成。該情況可於支撐體上形成接著劑層(A)之前，塗佈第二分離層(B2)。
形成第二分離層(B2)與接著劑層(A)之支撐體、與形成第一分離層(B1)之晶圓，可將兩物體於減壓下(例如10Pa~10000Pa之減壓狀態)使其合體以形成層合體。使兩物體合體時，亦可於減壓下加熱(例如120℃~230℃)來進行。由此加熱硬化接著劑層(A)。
形成第一分離層(B1)與接著劑層(A)之晶圓、與支撐體，可將兩物體於減壓下(例如10Pa~10000Pa之減壓狀態)使其合體以形成層合體。使兩物體合體時，亦可於減壓下加熱(例如120℃~230℃)來進行。由此加熱硬化接著劑層(A)。
又，形成第一分離層(B1)之支撐體上、與形成接著劑層(A)之晶圓，可將兩物體於減壓下(例如10Pa~ 10000Pa之減壓狀態)使其合體以形成層合體。使兩物體合體時，亦可於減壓下加熱(例如120℃~230℃)來進行。由此加熱硬化接著劑層(A)。
第二分離層(B2)可以與第一分離層(B1)相同成分且相同配合比例使用。
所謂晶圓之電路面的相反側的加工，係藉由研磨之晶圓之薄化來進行。之後，進行矽貫通電極(TSV)等之形成，然後從支撐體剝離薄化晶圓，形成晶圓之層合體，成為三維實裝化。又，於其前後進行亦可晶圓內面電極等之形成。晶圓之薄化與TSV製程中，雖以接著於支撐體之狀態加成250~350℃的熱，但作為本發明所使用之暫時接著劑之層合體係具有該等之耐熱性。
接著，進行內面的加工(研磨)後，可分離支撐體與晶圓。
層合體(S)的分離方法係於支撐體上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓之電路面之相反側的晶圓內面研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
又，層合體(S)的分離方法係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述 晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)及/或第二分離層(B2)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
而且，層合體(T)的分離方法係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面藉由塗佈形成接著劑層(A)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
又，層合體(T)的分離方法係於於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上重疊接合晶圓之電路面後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，在第一分離層(B1)進行前述晶圓與前述支撐體的分離。
剝離方法可列舉溶劑剝離、雷射剝離、以具有尖銳部分之機材機械性剝離、以支撐體與晶圓之間撕裂剝離等。
於本發明，亦為用以形成層合體所使用之第一分離層(B1)或第二分離層(B2)之分離層形成用組成物。
分離層形成用組成物係包含含R7R8SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R7及R8分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R7及R8表示甲基與碳原子數7~40之芳烷基之單位構造、與R7及R8表示甲基與碳原子數1~10之烷基之單位構造之 共聚物(b1)。
其他分離層形成用組成物係包含含R9R10SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R9及R10分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R9及R10為表示甲基與環氧環己基烷基之單位構造、與R9及R10分別表示甲基之單位構造之共聚物(b2)。
又，其他分離層形成用組成物係包含含R11R12SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R11及R12分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R11及R12分別表示苯基之單位構造、與R11及R12分別表示甲基之單位構造之共聚物(b3)。
而且可成為聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)、與聚二甲基矽氧烷(b4)的混合物，該等可分別為溶解於六甲基二矽氧烷使用。
[實施例] (分離層形成用組成物1)
分別將相當於(b1)之聚有機矽氧烷(邁圖高新材料公司製、商品名XF42-334)、與相當於(b4)之聚有機矽氧烷(瓦克化學公司製、商品名AK1000000)，以成為10質量%的方式溶解於相當於(b5)之六甲基二矽氧烷。將兩溶液以質量比1：1混合而形成分離層形成用組成物(1)。
(分離層形成用組成物2)
分別將相當於(b2)之聚有機矽氧烷(Gelest公司製、商品名ECMS-327)、與相當於(b4)之聚有機矽氧烷(瓦克化學公司製、商品名AK1000000)，以成為10質量%的方式溶解於相當於(b5)之六甲基二矽氧烷。將兩溶液以質量比1：1混合而形成分離層形成用組成物(2)。
(分離層形成用組成物3)
分別將相當於(b3)之聚有機矽氧烷(Gelest公司製、商品名PDV-1641)、與相當於(b4)之聚有機矽氧烷(瓦克化學公司製、商品名AK1000000)，以成為10質量%的方式溶解於相當於(b5)之六甲基二矽氧烷。將兩溶液以質量比1：1混合而形成分離層形成用組成物(3)。
(分離層形成用組成物4)
分別將相當於(c1)之聚有機矽氧烷(信越化學工業(股)製、商品名KF-412、成分為含長鏈烷基之聚有機矽氧烷)、與相當於(b4)之聚有機矽氧烷(瓦克化學公司製、商品名AK1000000)，以成為10質量%的方式溶解於相當於(b5)之六甲基二矽氧烷。將兩溶液以質量比1：1混合而形成分離層形成用組成物(4)。
式(c1)中，Q3表示長鏈烷基。
(分離層形成用組成物5)
分別將相當於(c2)之聚有機矽氧烷(信越化學工業(股)製、商品名KF-412、成分為含聚醚基之聚有機矽氧烷)、與相當於(b4)之聚有機矽氧烷(瓦克化學公司製、商品名AK1000000)，以成為10質量%的方式溶解於相當於(b5)之六甲基二矽氧烷。將兩溶液以質量比1：1混合而形成分離層形成用組成物(5)。
式(c2)中，Q4表示伸烷基，Q5表示烷基，a及b表示重複單位。
(實施例1)
於300mm之矽晶圓(厚度：770μm)，為了形成第一分離層(B1)，在旋轉塗佈分別將上述分離層形成用組成物(1) ~(5)以約2μm之膜厚成膜於晶圓，於100℃加熱燒成1分鐘，然後於160℃加熱燒成1分鐘，分別成為分離層(1)~(5)。於該膜上，為了形成接著劑層(A)，在旋轉塗佈將聚矽氧烷樹脂(瓦克公司製)以膜厚約110μm塗佈。將具有此樹脂層之矽晶圓與300mm玻璃晶圓(厚度：700μm)的支撐層，以挾持樹脂的方式，於真空貼合裝置(SUSS MicroTec公司製、LF鍵合機)內貼合，以製作層合體。之後，於熱板上進行140℃ 15分鐘、190℃ 10分鐘的加熱處理。然後，進行下述試驗。將結果示於表1。
(實施例2)
於110μm寬之劃線之間，於表面，高度80μm、直徑105μm、節距200μm之錫-銅撞擊為形成成15mm2之300mm矽晶圓(厚度：700μm)，為了形成第一分離層(B1)，在旋轉塗佈分別將上述分離層形成用組成物(1)~(5)以約2μm之膜厚成膜於晶圓撞擊形成面，於100℃加熱燒成1分鐘，然後於160℃加熱燒成1分鐘，分別成為分離層(1)~(5)。於該膜上，為了形成接著劑層(A)，在旋轉塗佈將聚矽氧烷樹脂(瓦克公司製)以膜厚約110μm塗佈。將具有此樹脂層之矽晶圓與300mm玻璃晶圓(厚度：700μm)的支撐層，以挾持樹脂的方式，於真空貼合裝置內貼合，以製作層合體。之後，於熱板上進行140℃ 15分鐘、190℃ 10分鐘的加熱處理。然後，進行下述試驗。將結果示於表2。
(實施例3)
於300mm之矽晶圓(厚度：700μm)之支撐層，為了形成第一分離層(B1)，在旋轉塗佈分別將上述分離層形成用組成物(1)~(5)以約2μm之膜厚成膜於晶圓，於100℃加熱燒成1分鐘，然後於160℃加熱燒成1分鐘，分別成為分離層(1)~(5)。其次，於300mm之矽晶圓(厚度：770μm)，在旋轉塗佈用以形成接著劑層(A)之聚矽氧烷樹脂(瓦克公司製)以膜厚約110μm塗佈。將具有此分離層之玻璃晶圓之支撐層與具有樹脂層之矽晶圓，以分離層與樹脂層彼此面對面的方式於真空貼合裝置(SUSS MicroTec公司製、手冊鍵合機)內貼合，製作層合體。之後，於熱板上進行150℃ 15分鐘、190℃ 10分鐘的加熱處理。然後，進行下述試驗。將結果示於表3。
(耐熱性試驗)
將經貼合之晶圓於熱板上加熱處理後之層合體，於大氣雰圍下，加入烤箱以150℃ 3小時、180℃ 2小時、260℃ 10分鐘後調查外觀異常之有無。將未發生外觀異常的情況評價為良好並以「○」表示，將發生外觀異常的情況評價為不佳並以「×」表示。
(剝離試驗)
將結束上述耐熱性試驗之層合體的矽晶圓側藉由真空 吸附設定於吸附台。之後，在室溫，藉由於矽晶圓與玻璃晶圓之間放入楔子剝離一部分，將玻璃晶圓側藉由真空吸附裝配於吸附版，藉由舉起吸附版，剝離玻璃基板。將不用切割晶圓可剝離的情況以「○」表示，將發生破裂等之異常的情況評價為不佳並以「×」表示。
(洗淨去除性試驗)
將於上述剝離試驗結束後可剝離之矽晶圓，將第一分離層(B1)置於上設定在旋轉塗佈機，作為洗淨溶劑，浸漬5分鐘於包含TBAF(四丁基氟化銨)之有機溶劑後，使晶圓旋轉脫離溶液，旋轉晶圓並且進行異丙醇(IPA)在噴霧清洗。之後，觀察外觀以目視檢查所殘存之第一分離層(B1)的有無。將無法確認樹脂的殘存者評價為良好並以「○」表示，將可確認樹脂的殘存者評價為不佳並以「×」表示。
[表2]
有關層合體(S)之表1與表2的結果，由分離層形成用組成物1~3所形成之分離層(1)~(3)於耐熱性、剝離性、洗淨去除性顯示良好的結果。
另外，由分離層形成用組成物4~5所形成之分離層(4)~(5)於剝離性、洗淨去除性得不到良好的結果。
有關層合體(T)之表3之結果，由分離層形成用組成物1~3所形成之分離層(1)~(3)於耐熱性、剝離性顯示良好的結果。由分離層形成用組成物4~5所形成之分離層(4)~(5)於剝離性得不到良好的結果。
[產業上之可利用性]
層合暫時接著劑層與晶圓於支撐體上，該暫時接著劑層係包含由藉由氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷而成之接著劑層與分離層，此等分離層係包含於形 成分離層時，對晶圓之電路面的旋轉塗佈性優異、在與接著劑層的接合時或晶圓內面之加工時之耐熱性優異，晶圓內面之研磨後可輕易剝離，剝離後附著於晶圓之分離層可藉由溶劑簡單去除之分離層的暫時接著劑層。

Claims (20)

  1. 一種層合體，其特徵為作為支撐體上與晶圓之電路面之間所裝入之暫時接著劑，且包含可剝離之經接著之接著劑層(A)與可剝離之經接著之分離層(B)，該接著劑層(A)係由因氫化矽烷化反應而硬化之聚有機矽氧烷而成，該分離層(B)由聚有機矽氧烷而成，其係用以加工晶圓電路面之相反側的晶圓內面之層合體，構成該分離層(B)之聚有機矽氧烷包含以RRSiO2/2(惟R分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)表示之矽氧烷單位(D單位)，且至少一個R表示芳烷基、環氧基、或苯基之聚有機矽氧烷。
  2. 如請求項1之層合體，其中，前述接著劑層(A)係包含選自由SiO2表示之矽氧烷單位(Q單位)、R1R2R3SiO1/2表示之矽氧烷單位(M單位)、R4R5SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)、及R6SiO3/2表示之矽氧烷單位(T單位)所構成之群組中之聚矽氧烷(惟R1~R6分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，且包含聚有機矽氧烷(a1)與聚有機矽氧烷(a2)，該聚有機矽氧烷(a1)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1~10之烷基或碳原子數2~10之烯基，該聚有機矽氧烷(a2)係表示R1~R6當中任二個以上為表示碳原子數1~10之烷基或氫原子。
  3. 如請求項1之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R7R8SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R7及R8分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R7及R8表示甲基與碳原子數7~40之芳烷基之單位構造、與R7及R8表示甲基與碳原子數1~10之烷基之單位構造的共聚物(b1)。
  4. 如請求項1之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R9R10SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R9及R10分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R9及R10表示甲基與環氧環己基烷基之單位構造、與R9及R10分別表示甲基之單位構造之共聚物(b2)。
  5. 如請求項1之層合體，其中，前述分離層(B)係包含含R11R12SiO2/2表示之矽氧烷單位(D單位)之聚有機矽氧烷(惟R11及R12分別藉由Si-C鍵與矽原子鍵結)，該聚有機矽氧烷係包含R11及R12分別表示苯基之單位構造、與R11及R12分別表示甲基之單位構造之共聚物(b3)。
  6. 如請求項3之層合體，其中，前述分離層(B)為聚有機矽氧烷(b1)、聚有機矽氧烷(b2)或聚有機矽氧烷(b3)、與聚二甲基矽氧烷(b4)的混合物。
  7. 一種層合體(S)，其係如請求項1~請求項6中任一項之層合體為於支撐體上包含接著劑層(A)，並於晶圓之電路面上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)。
  8. 如請求項7之層合體(S)，其係進一步於支撐體與接著劑層(A)之間包含作為第二分離層(B2)之分離層(B)。
  9. 一種層合體(T)，係如請求項1~請求項6中任一項之層合體為於晶圓之電路面上包含接著劑層(A)，並於支撐體上包含作為第一分離層(B1)之分離層(B)。
  10. 一種如請求項7之層合體(S)的製造方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於晶圓之電路面上藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓。
  11. 一種如請求項8之層合體(S)的製造方法，其係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面上藉由塗佈形成第一分離層(B1),該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓。
  12. 一種如請求項7之層合體(S)的製造方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於其上形成第一分離層(B1)，再於其上將該第一分離層(B1)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓。
  13. 一種如請求項9之層合體(T)的製造方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面上藉由塗佈形成接著劑層(A)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓。
  14. 一種如請求項9之層合體(T)的製造方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上將該接著劑層(A)與電路面以面對面的方式重疊接合晶圓。
  15. 一種如請求項7之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於晶圓之電路面上藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
  16. 一種如請求項8之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成第二分離層(B2)，再於其上形成接著劑層(A)，於晶圓之電路面上藉由塗佈形成第一分離層(B1)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)及/或第二分離層(B2)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
  17. 一種如請求項7之層合體(S)的分離方法，其係於支撐體上形成接著劑層(A)，再於其上形成第一分離層(B1)，再於其上重疊接合晶圓之電路面後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述支撐體與前述晶圓的分離。
  18. 一種如請求項9之層合體(T)的分離方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於晶圓之電路面上藉由塗佈形成接著劑層(A)，該接著劑層(A)與該第一分離層(B1)以面對面的方式接合前述支撐體與前述晶圓後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述晶圓與前述支撐體的分離。
  19. 一種如請求項9之層合體(T)的分離方法，其係於支撐體上形成第一分離層(B1)，再於其上形成接著劑層(A)，再於其上重疊接合晶圓之電路面後，進行晶圓電路面之相反側的晶圓內面之研磨，然後在第一分離層(B1)進行前述晶圓與前述支撐體的分離。
  20. 一種組成物，其係用以形成使用在如請求項1~請求項9中任一項之層合體(S)或(T)之第一分離層(B1)或第二分離層(B2)。
TW104118780A 2014-06-10 2015-06-10 使用暫時接著劑之層合體 TWI664260B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-119394 2014-06-10
JP2014119394 2014-06-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201612282A TW201612282A (en) 2016-04-01
TWI664260B true TWI664260B (zh) 2019-07-01

Family

ID=54833529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104118780A TWI664260B (zh) 2014-06-10 2015-06-10 使用暫時接著劑之層合體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10903106B2 (zh)
JP (1) JP6583639B2 (zh)
KR (1) KR102316850B1 (zh)
TW (1) TWI664260B (zh)
WO (1) WO2015190438A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11183415B2 (en) 2016-06-22 2021-11-23 Nissan Chemical Corporation Adhesive containing polydimethyl siloxane
US10147631B2 (en) * 2016-09-26 2018-12-04 Dow Silicones Corporation Fluoro-silicone compositions as temporary bonding adhesives
KR102538886B1 (ko) * 2017-05-24 2023-06-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시변성 폴리실록산을 함유하는 가접착제
WO2019009365A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 日産化学株式会社 フェニル基含有ポリシロキサンを含有する仮接着剤
KR20240035894A (ko) * 2017-11-01 2024-03-18 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 노볼락 수지를 박리층으로서 포함하는 적층체
JP6947132B2 (ja) * 2018-07-13 2021-10-13 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、ウエハ積層体の製造方法、及び薄型ウエハの製造方法
EP3882954A4 (en) * 2018-11-16 2022-07-27 Nissan Chemical Corporation LAMINATE REMOVAL METHOD, LAMINATE, AND LAMINATE PRODUCTION METHOD
CN113166624B (zh) * 2018-11-16 2024-01-19 日产化学株式会社 红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法
WO2020111069A1 (ja) * 2018-11-28 2020-06-04 日産化学株式会社 接着剤組成物、積層体及び積層体の製造方法並びに半導体形成基板を薄化する方法
US20220411684A1 (en) * 2019-12-23 2022-12-29 Nissan Chemical Corporation Adhesive composition, laminate and method for producing same, method for peeling laminate, and method for processing semiconductor-forming substrate
WO2021193519A1 (ja) * 2020-03-23 2021-09-30 日産化学株式会社 半導体基板の洗浄方法、加工された半導体基板の製造方法及び剥離用組成物
US20230151306A1 (en) * 2020-03-23 2023-05-18 Nissan Chemical Corporation Method for cleaning semiconductor substrate, method for producing processed semiconductor substrate, and stripping composition
KR20220157423A (ko) * 2020-03-23 2022-11-29 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 기판의 세정 방법, 가공된 반도체 기판의 제조 방법 및 박리용 조성물
KR20220161345A (ko) * 2020-03-23 2022-12-06 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 기판의 세정 방법, 가공된 반도체 기판의 제조 방법 및 박리용 조성물
US20230125907A1 (en) * 2020-03-23 2023-04-27 Nissan Chemical Corporation Method for cleaning semiconductor substrate, method for producing processed semiconductor substrate, and stripping composition
JP7498427B2 (ja) 2020-03-31 2024-06-12 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法
JPWO2022045026A1 (zh) 2020-08-27 2022-03-03
JPWO2022202029A1 (zh) * 2021-03-26 2022-09-29
JPWO2023008207A1 (zh) * 2021-07-26 2023-02-02
KR20240040071A (ko) * 2021-07-26 2024-03-27 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 적층체의 제조 방법, 및 접착제 조성물의 키트

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130029145A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
US20140154868A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary adhering material for processing wafer, and manufacturing method of thin wafer

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5157086A (en) * 1987-05-08 1992-10-20 Nippon Paint Co., Ltd. Poly (N-acylethyleneimine) grafted polysiloxane and its preparation
US4785047A (en) * 1987-07-30 1988-11-15 Dow Corning Corporation Method for preparing clear polyorganosiloxane elastomers
US5183874A (en) * 1990-10-18 1993-02-02 Technical Development Associates Polyorganosiloxane-polyamide block copolymers
US5270425A (en) * 1992-11-23 1993-12-14 Dow Corning Corporation One-part curable organosiloxane compositions
JP3322493B2 (ja) * 1994-12-09 2002-09-09 富士写真フイルム株式会社 湿し水不要感光性平版印刷版
FR2838447B1 (fr) * 2002-04-12 2005-09-30 Rhodia Chimie Sa Composition a base de siloxane, ne degageant pas d'hydrogene, destinee au moulage-demoulage de pneumatiques
JP3920746B2 (ja) * 2002-09-02 2007-05-30 信越化学工業株式会社 熱伝導性複合シートおよびその製造方法
WO2004091563A1 (ja) * 2003-04-14 2004-10-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. アクリルシリコーン共重合体からなる毛髪処理剤及び該処理剤を含有する毛髪化粧料
EP1660947A1 (en) * 2003-07-25 2006-05-31 Dow Corning Corporation Silicone rubber composition
JP5068674B2 (ja) 2005-03-01 2012-11-07 ダウ・コーニング・コーポレイション 半導体加工のための一時的なウェハ結合法
JP4993983B2 (ja) * 2005-09-28 2012-08-08 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン表面処理剤系及び該処理剤系で表面処理された粉体、並びに該粉体を含有する化粧料
DE102008044200B4 (de) 2008-11-28 2012-08-23 Thin Materials Ag Bonding-Verfahren
DE102008055155A1 (de) 2008-12-23 2010-07-01 Thin Materials Ag Trennverfahren für ein Schichtsystem umfassend einen Wafer
FR2946657A1 (fr) * 2009-06-12 2010-12-17 Bluestar Silicones France Procede d'etancheification et d'assemblage de composants d'un groupe moto-propulseur
JP5010668B2 (ja) * 2009-12-03 2012-08-29 信越化学工業株式会社 積層型半導体集積装置の製造方法
KR20120132624A (ko) * 2010-02-12 2012-12-06 다우 코닝 코포레이션 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접합 방법
CN103998557A (zh) * 2011-10-12 2014-08-20 道康宁公司 高粘度有机硅凝胶粘合剂组合物
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5767159B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5687230B2 (ja) * 2012-02-28 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
DE102012220954A1 (de) * 2012-11-16 2014-05-22 Wacker Chemie Ag Schleifbare Siliconelastomerzusammensetzung und deren Verwendung
KR102268248B1 (ko) * 2014-01-29 2021-06-24 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 가접착재, 및 박형 웨이퍼의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130029145A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method
US20140154868A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary adhering material for processing wafer, and manufacturing method of thin wafer

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015190438A1 (ja) 2015-12-17
US10903106B2 (en) 2021-01-26
JPWO2015190438A1 (ja) 2017-04-20
US20170200628A1 (en) 2017-07-13
TW201612282A (en) 2016-04-01
KR102316850B1 (ko) 2021-10-25
KR20170016331A (ko) 2017-02-13
JP6583639B2 (ja) 2019-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI664260B (zh) 使用暫時接著劑之層合體
TWI810156B (zh) 含有聚二甲基矽氧烷之接著劑
JP7157391B2 (ja) エポキシ変性ポリシロキサンを含有する仮接着剤
CN113165344B (zh) 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体形成基板的薄化方法
JP7424969B2 (ja) 耐熱性重合禁止剤を含むポリシロキサンを含有する仮接着剤
KR102520889B1 (ko) 페닐기함유 폴리실록산을 함유하는 가접착제
CN113166624B (zh) 红外线剥离用粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及剥离方法
TW202403003A (zh) 含聚醚改性矽氧烷之接著劑