WO2015099145A1

WO2015099145A1 - 蛍光体、及び蛍光体の製造方法

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Publication number: WO2015099145A1
Application number: PCT/JP2014/084590
Authority: WO
Inventors: 純平上田; 景友黒石; 勢津久田部
Original assignee: Kyoto University NUC
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Priority date: 2013-12-27
Filing date: 2014-12-26
Publication date: 2015-07-02
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Abstract

　本発明の課題は、紫外線励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性に優れた蛍光体及びその製造方法を提供することである。本発明は、下記組成式　（１）：　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）（式中、　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされていることを特徴とする蛍光体に関する。

Description

蛍光体、及び蛍光体の製造方法

　本発明は、蛍光体、及び蛍光体の製造方法に関する。

　蓄光型長残光蛍光体は、外部からのエネルギー（例：紫外線、紫光等）によって生成した電子・ホール等のキャリアを一時的に結晶内欠陥にトラップ(trap)し、当該トラップされたキャリアが気温の熱エネルギーによって徐々に解放し、発光中心で再結合することにより長時間持続する発光を示すものである。この長残光蛍光体は、日中の太陽光エネルギー、室内照明の光エネルギー等を蓄えて、夜間時や消灯後に光るため、視認性夜光塗料として使用できる。そのため、当該長残光蛍光体は、安全標識や避難誘導システムに使用されている。

　現在までに報告されている長残光蛍光体（例：ＳｒＡｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ^２＋－Ｄｙ^３＋等）は、一般的に、紫外光（紫外線）や紫光等の短波長の光に対して励起効率が高い。このような長残光蛍光体を太陽光や蛍光灯の下で使用する場合、当該太陽光や蛍光灯からの光には紫外線等が含まれているので、上記長残光蛍光体を問題なく使用することができる。

　しかしながら、近年、上記蛍光灯に代わって、長期安定性、省エネルギー、高い発光量子効率等の特徴を有する白色LED(Light Emitting Diode)が固体照明デバイスとして多く使用されてきている。一般的に普及している白色LEDは、青色LEDと黄色蛍光体との組み合わせ、又は青色LEDと赤色蛍光体と緑色蛍光体との組み合わせで構成されている。つまり、上記白色LEDからの光には最も短い波長の光として青色光が含まれているだけであり、紫外線が含まれていない。そのため、近年の室内照明が白色LEDに移行されていくことに起因して、長残光蛍光体に求められる特性として蛍光灯からの蓄光だけでなく白色LEDからの光から蓄光も可能かどうか（言い換えれば、紫外線等による蓄光だけでなく、青色光による蓄光も可能かどうか）が求められている。

　青色領域での光を吸収する蛍光体としては、Ｃｅ^３＋添加Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２ガーネット蛍光体(例えば、Ｃｅ^３＋:Ｙ_３Ａｌ_２Ａｌ_３Ｏ_１２、以後Ｃｅ^３＋：ＹＡＧ蛍光体ともいう)が知られている。当該Ｃｅ^３＋：ＹＡＧ蛍光体は、青色領域での光を吸収し、高い量子効率を有する黄色発光を示すため、白色LEDを構成する蛍光体（即ち、青色LEDと組み合わせて使用する上記黄色蛍光体）として実用化されている。しかしながら、Ｃｅ^３＋：ＹＡＧは、青色光励起による残光特性を示さない。

　また、青色領域での光を吸収する別の組成のＣｅ^３＋添加ガーネット蛍光体として、Ｃｅ^３＋添加Ｙ_３Ａｌ_５－ｘＧａ_ｘＯ_１２（以下、Ｃｅ^３＋：ＹＡＧＧともいう）（ｘ＝３、３．５）が知られている（非特許文献１）。この非特許文献１には、Ｃｅ^３＋：ＹＡＧＧ（ｘ＝３、３．５）が、紫外光励起において残光を示すという記述がある。

J. W. W. Holloway, and M. Kestigian, "Optical Properties of Cerium-Activated Garnet Crystals," J. Opt. Soc. Am. 59, 60-63 (1969).

　しかしながら、当該Ｃｅ^３＋：ＹＡＧＧの青色光励起による長残光特性については報告がほとんどない。

　そこで、本発明者らは、上記Ｃｅ^３＋：ＹＡＧＧの青色光励起による長残光特性について検討した。その結果、Ｃｅ^３＋：ＹＡＧＧは、青色光で励起した後に当該青色光を遮断すると残光特性を示すものの、その残光強度（残光輝度）が非常に低いことを突き止めた。

　従って、本発明は、紫外線励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性に優れた蛍光体及びその製造方法の提供を目的とする。

　本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定の組成で表される蛍光体によれば、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　即ち、本発明は、下記の蛍光体（ガーネット結晶蛍光体）及びその製造方法に関する。１．　下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされていることを特徴とする蛍光体。
２．　前記金属元素のドープ量が、前記式（１）で表される化合物に対して0.001～5モル％である、上記項１に記載の蛍光体。
３．　前記(i)の元素と前記(ii)Ｃｅとのモル比が、0.9999：0.0001～0.95：0.05である、上記項１又は２に記載の蛍光体。
４．　蓄光蛍光体、白色LED、蓄光セラミックス、蓄光樹脂、蓄光塗料、蓄光式避難誘導システム、又はバイオイメージング用マーカーに用いられる、上記項１～３のいずれかに記載の蛍光体。
５．　下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされている蛍光体の製造方法であって、
　　(1)　前記(i)の元素含有化合物、Ｂ元素含有化合物、Ｃ元素含有化合物、Ｃｅ含有化合物及び前記金属元素含有化合物を含む組成物を用意する工程1、及び
　　(2)　前記組成物を1200～1800℃で加熱する工程2
を順に含む、蛍光体の製造方法。

　用語の説明
　本明細書において、「長残光」とは、励起光（例：紫外線、紫光、青色光等）を照射した後に当該励起光を遮断（停止）しても長時間（例：数分～数十時間以上）発光し続けることをいい、原子の電子遷移が示す発光の時間スケール（ns～ms）と明確に区別できる。本明細書において、当該長残光機能を有する蛍光体を「長残光蛍光体」ともいい、本発明の蛍光体は長残光蛍光体である。なお、本発明における残光の中心波長（発光ピーク）は480～700nm程度（緑～赤）である。

　本明細書において、「蓄光」とは、光を蓄える（溜める）ように電子・ホール等のキャリアを蓄える（溜める、又はトラップ(trap)する）ことを意味する。ここで、上記キャリアは、紫外線や紫光、青色光等の外部からのエネルギーによって生成しトラップに捕獲され、外気の熱エネルギーによって解放することにより発光する。

　本明細書において、「青色光」とは、特に説明がない限り、波長400～460nmの可視光をいう。

　本明細書において、「紫外線（紫外光）」とは、特に説明がない限り、波長200～380nmの紫外線をいう。

　本明細書において、「室温」とは、特に説明がない限り、気温が10～30℃であることをいう。

　≪１．本発明の蛍光体≫
　本発明の蛍光体は、下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされていることを特徴とする。

　上記特徴を有する本発明の蛍光体は、特に、Ｃｅ元素を含む特定のガーネット結晶蛍光体に特定の金属元素（当該特定の金属元素をＭ元素ともいう。）をドープすることにより、紫外線励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性に優れる。また、本発明の蛍光体は、耐水性にも優れる。

　本発明の蛍光体は、Ｃｅ及び特定金属元素共添加ガーネット結晶蛍光体ともいう。ここで、ガーネット結晶構造及び占有カチオンの模式図を図１に示す。一般的なガーネット結晶構造（ガーネット型構造）の組成は、前記組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２で表される。上記式（１）中のＡで示される元素（Ａ元素）のカチオンは12面体サイトを占有し、上記式（１）中のＢで示される元素（Ｂ元素）のカチオンは8面体サイトを占有し、上記式（１）中のＣで示される元素（Ｃ元素）のカチオンは4面体サイトを占有する。本発明の蛍光体は、母体結晶である上記ガーネット結晶において、Ｃｅ及びＭ元素を共添加して得られた蛍光体である。ここで、上記式（１）中のＡの(ii)Ｃｅは発光中心となるＣｅ^３＋を含むことを意味するものであり、当該Ｃｅ^３＋は12面体サイトを占有する。また、上記Ｍ元素のカチオンは主に、8面体サイトを占有する場合が多い。

　本発明の蛍光体におけるガーネット型構造は、固溶体領域を有する場合がある。この場合、結晶内で格子欠陥やアンチサイト欠陥が生じ、上記式（１）に対して若干の組成比のズレが生じることがある（即ち、本発明の蛍光体は、上記式（１）に対して不定比（非化学）量論組成を有する場合がある）が、上記不定比量論組成を有する場合も本発明の範囲内である。

　本発明の蛍光体の結晶構造は、Ｘ線回折法等によって確認することができる。

　Ａ元素
　Ａは、(i)Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅである。Ａのカチオン（上記(i)の元素のカチオン及び(ii)Ｃｅのカチオン）は8配位位置にあり、12面体サイトを占有する（当該サイトをＡサイトともいう）。

　＜(i)で表される元素＞
　Ａの内の上記(i)で表される元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種）は、１種又は２種以上の元素を使用することができる。なお、(i)で表される元素として、Ｍｇ、Ｃａ及びＳｒからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素（当該元素のカチオンは２価のカチオン）を使用する場合は、電気的中性の観点から、Ｃとして４価のカチオンとなる元素を使用する必要がある。

　上記(i)の元素の中でも、Ｌｕ、Ｇｄ及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が好ましく、Ｙがより好ましい。

　＜(ii)Ｃｅ元素＞
　ＣｅのカチオンＣｅ^３＋は発光中心であって、Ａサイト（12面体サイト）を占有する。

　Ｃｅ^３＋は４ｆ－５ｄ許容遷移による強くブロードな吸収と高い発光効率をもつ。また、Ｃｅ^３＋の５ｄ準位は、電子雲膨張効果によるセントロイドシフトにより低エネルギー化し、結晶場の影響によりホスト構造中で複数の準位に分裂する。ここで、ガーネット結晶構造の組成によるバンド構造変化を図２に示す。本発明の蛍光体は、ガーネット結晶構造をホストとするため、Ｃｅ^３＋の５ｄ軌道は５本に分裂し、その分裂幅はガーネット結晶組成に依存する。よって、上述の通り、ガーネット結晶組成を変化させることでＣｅ^３＋の光学特性（発光色）を変化させることが可能である。

　上記Ａの内、(i)の元素と(ii)Ｃｅ元素との割合（モル比）は、(i)の元素：(ii)Ｃｅ元素＝0.9999：0.0001～0.95：0.05（99.99：0.01～95：5（モル比(%)））であることが好ましく、0.9995：0.0005～0.99：0.01（99.95：0.05～99：1（モル比(%)））であることがより好ましい。(i)の元素と(ii)Ｃｅ元素とのモル比が上記範囲内であることにより、濃度が薄くなることによる励起光の吸収強度の低下や濃度が濃くなることによって起こる濃度消光の欠点が生じることなく、紫外線励起及び青色光励起による長残光特性にさらに優れる。なお、Ｃｅ^３＋を起源とする残光の中心波長はガーネット結晶組成により異なり、主に500nm～550nmの範囲内に存在する。

　Ｂ元素
　Ｂは、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である。Ｂのカチオンは6配位8面体サイトを占有する（当該サイトをＢサイトともいう）。Ｂは、１種又は２種以上の元素を使用することができる。

　Ｂの中でも、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が好ましい。

　Ｃ元素
　Ｃは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である。Ｃのカチオンは4配位位置にあり、4面体サイトを占有する（当該サイトをＣサイトともいう）。Ｃは、１種又は２種以上の元素を使用することができる。なお、ＣとしてＳｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素（当該元素のカチオンは４価のカチオン）を使用する場合は、電気的中性の観点から、Ａの(i)で表される元素として２価のカチオンとなる元素を使用する必要がある。

　Ｃの中でも、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素が好ましく、Ｇａがより好ましい。

　ここで、Ｂ及びＣのいずれもＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である場合（即ち、本発明の蛍光体が、下記組成式（２）：
Ａ_３（Ａｌ,Ｇａ）_２（Ａｌ,Ｇａ）_３Ｏ_１２　　　（２）
[前記Ａは上記に同じ。]
で表される化合物に、前記Ｍ元素がドープされている蛍光体である場合）における、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）と青色光励起による残光特性との関係について説明する。本発明の蛍光体に励起光を照射すると、発光中心となるＣｅ^３＋が持つ電子が励起準位に励起されて、当該励起された電子が当該励起準位よりも低い準位に戻る。この当該励起された電子が上記準位に戻る時にエネルギーを光として放出する現象が、発光である。一方、Ｃｅ^３＋が持つ電子が電子トラップ(electron trap：一時的に電子を溜めることができるところ)に捕捉された後、当該電子が気温の熱エネルギーを受けることによって電子トラップから飛び出して元のＣｅ^３＋に戻ってきたときに発光する現象が、残光である。よって、Ｃｅ^３＋が持つ電子を効率良く電子トラップに輸送することが長時間の残光特性に繋がる。

　そこで、(a)Ｂ及びＣ中のＧａの組成比（存在比）を大きくすると、Ｃｅ^３＋の励起５ｄ準位とガーネット母体結晶の伝導帯とのエネルギー差が小さくなるので、より効率的に上記電子を電子トラップに輸送することが可能となる。一方、(b)Ｇａの組成比を小さくすると、電子トラップと伝導帯とのエネルギー差が大きくなることになり、最も残光特性を強く示す温度が高温側にシフトする。従って、上記(a)及び(b)を考慮して、本発明の蛍光体におけるＧａ組成比は、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5～0.8となるように設定することが好ましい。なお、上記Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.6である場合、Ｂサイト（8面体サイト）をＡｌが占有し、Ｃサイト（4面体サイト）をＧａが占有する。上記Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.6未満である場合、ＢサイトをＡｌが占有し、ＣサイトをＧａとＡｌが占有する。上記Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.6を超える場合、ＢサイトをＧａとＡｌが占有し、ＣサイトをＧａが占有する。

　金属元素Ｍ
　本願発明の蛍光体は、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされている。当該金属元素Ｍは、共添加イオンとして、上述の電子トラップを新たに形成する。当該Ｍ元素は、１種又は２種以上の上記金属元素を使用することができる。

　Ｍ元素の中でも、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｙｂ及びＳｉからなる群から選ばれた少なくとも１種が好ましく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｙｂ及びＳｉからなる群から選ばれた少なくとも１種がより好ましく、Ｃｒ及びＹｂからなる群から選ばれた少なくとも１種がさらに好ましく、Ｃｒが特に好ましい。

　Ｍ元素のドープ量は、上記式（１）で表される化合物に対して0.001～5モル％であることが好ましく、0.01～1モル％がより好ましく、0.05～0.5モル％がさらに好ましい。Ｍ元素のドープ量が上記範囲内であることにより、残光強度の低下が生じることなく、紫外線励起及び青色光励起による長残光特性にさらに優れる。

　ここで、本発明の蛍光体の好ましい態様の例を述べる。本発明の蛍光体を室温下で使用する場合、
組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
[式中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比がＹ：Ｃｅ＝0.9999：0.0001～0.95：0.05）、ＢがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＣがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5～0.8である]
で表される化合物に、前記化合物に対して0.001～5モル％のＣｒがドープされている蛍光体（Ｃｒ共ドープ蛍光体ともいう）が好ましい。このＣｒ共ドープ蛍光体における残光の中心波長は、該蛍光体のガーネット結晶組成から、Ｃｅ^３＋を起源とする残光の中心波長に相当する510nmであり、人間の目に見えやすい。また、700nm付近においてもCr³⁺が残光するため、バイオイメージング用の残光蛍光体としても有用である。

　また、本発明の蛍光体を高温下（例：５０～８０℃）で使用する場合は、
組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
[式中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比がＹ：Ｃｅ＝0.9999：0.0001～0.95：0.05）、ＢがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＣがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5～0.8である]
で表される化合物に、前記化合物に対して0.001～5モル％のＮｉがドープされている蛍光体（Ｎｉ共ドープ蛍光体ともいう）が好ましい。このＮｉ共ドープ蛍光体における残光の中心波長も、該蛍光体のガーネット結晶組成から、Ｃｅ^３＋を起源とする残光の中心波長に相当する510nmであり、人間の目に見えやすい。

　また、本発明の蛍光体を低温下（例：－６０～－３０℃）で使用する場合は、
組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
[式中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比がＹ：Ｃｅ＝0.9999：0.0001～0.95：0.05）、ＢがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＣがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5～0.8である]
で表される化合物に、前記化合物に対して0.001～5モル％のＦｅがドープされている蛍光体（Ｆｅ共ドープ蛍光体ともいう）が好ましい。このＦｅ共ドープ蛍光体における残光の中心波長も、該蛍光体のガーネット結晶組成から、Ｃｅ^３＋を起源とする残光の中心波長に相当する510nmであり、人間の目に見えやすい。

　また、本発明において、
組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
[式中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比がＹ：Ｃｅ＝0.9999：0.0001～0.95：0.05）、ＢがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、ＣがＡｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5～0.8である]
で表される化合物に、前記化合物に対して0.001～5モル％のＭｎがドープされている蛍光体（Ｍｎ共ドープ蛍光体ともいう）が好ましい。このＭｎ共ドープ蛍光体は、700nmにＭｎイオンを起源とした残光の中心波長を有するので、後述するバイオイメージングへの適用に有効である。

　材料形態
　本発明の蛍光体の状態、形状、大きさ等は特に限定されず、使用目的に応じて適宜設定すればよい。例えば、状態としては、単結晶、多結晶（透光性セラミックス）等が、形状としては、粉末、ペレット等が挙げられる。

　本発明の蛍光体が粉末である場合、当該粉末の平均粒径は０．５～５０μｍ程度が好ましい。平均粒径の測定方法としては、公知の方法を採用すればよく、例えば光散乱法を用いた装置による測定方法が挙げられる。

　本発明の蛍光体の結晶構造は、上述の通り、単結晶、多結晶のいずれであってもよい。

　≪２．本発明の蛍光体の製造方法≫
　本発明の蛍光体の製造方法は、特に限定されない。例えば、
　下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされている蛍光体の製造方法であって、
　　(1)　前記(i)の元素含有化合物、Ｂ元素含有化合物、Ｃ元素含有化合物、Ｃｅ含有化合物及び前記金属元素含有化合物を含む組成物を用意する工程1、及び
　　(2)　前記組成物を1200～1800℃で加熱する工程2
を順に含む製造方法、
が挙げられる。

　以下、上記製造方法の各工程について詳細に説明する。

　工程1
　工程1では、本発明の蛍光体の原料として、前記(i)の元素含有化合物、Ｂ元素含有化合物、Ｃ元素含有化合物、Ｃｅ含有化合物及び前記金属元素（Ｍ元素）含有化合物を含む組成物（化合物含有組成物）を用意する。化合物としては、酸化物、水酸化物、ハロゲン化物（塩化物、フッ化物等）、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、硫酸塩などがある。当該組成物中のＭ元素含有化合物以外の各化合物の使用量は、最終的に得られる蛍光体の組成が上記組成式（１）を満たすように、適宜決定すればよい。Ｍ元素含有化合物の使用量は、使用用途等に応じて適宜決定すればよい（なお、Ｍ元素含有化合物の使用量は、当該Ｍ元素のドープ量が上記式（１）で表される化合物に対して0.001～5モル％となるように使用することが好ましく、0.01～1モル％がより好ましく、0.05～0.5モル％がさらに好ましい）。

　具体的には、上記Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）で示される化合物にＭ元素がドープされた本発明のガーネット型構造の蛍光体を得るために、上記式（１）で示される化学量論組成となるように（上記式（１）で示される化学量論組成に従って）、(i)の元素含有化合物、Ｂ元素含有化合物、Ｃ元素含有化合物及びＣｅ含有化合物の使用量を決定し、さらにＭ元素含有化合物の使用量を決定する。当該各化合物を含む組成物を用意した後、次の工程2で前記組成物を加熱（焼成）することで、本発明の蛍光体が得られる。なお、当該得られた本発明の蛍光体におけるガーネット型構造は、固溶体領域を有する場合がある。この場合、結晶内で格子欠陥やアンチサイト欠陥が生じ、上記式（１）に対して若干の組成比のズレが生じることがある（即ち、本発明の蛍光体は、上記式（１）に対して不定比量論組成を有する場合がある）が、上記不定比量論組成を有する場合も本発明の範囲内である。

　前記(i)の元素含有化合物としては、(i)の元素を含有する酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。前記(i)の元素含有化合物は、１種で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　前記(i)の元素を含有する酸化物としては、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_４Ｏ_７、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　前記(i)の元素を含有する水酸化物としては、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｃａ（ＯＨ）_２、Ｓｒ（ＯＨ）_２、Ｌａ（ＯＨ）_３、Ｇｄ（ＯＨ）_３、Ｔｂ（ＯＨ）_３、Ｌｕ（ＯＨ）_３、Ｙ（ＯＨ）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　前記(i)の元素を含有するハロゲン化物のうち、塩化物としては、ＭｇＣｌ_２、ＣａＣｌ_２、ＳｒＣｌ_２、ＬａＣｌ_３、ＧｄＣｌ_３、ＴｂＣｌ_３、ＬｕＣｌ_３、ＹＣｌ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　前記(i)の元素を含有する硝酸塩としては、Ｍｇ（ＮＯ_３）_２、Ｃａ（ＮＯ_３）_２、Ｓｒ（ＮＯ_３）_２、Ｌａ（ＮＯ_３）_３、Ｇｄ（ＮＯ_３）_３、Ｔｂ（ＮＯ_３）_３、Ｌｕ（ＮＯ_３）_３、Ｙ（ＮＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　前記(i)の元素を含有するシュウ酸塩としては、ＭｇＣ_２Ｏ_４、ＣａＣ_２Ｏ_４、ＳｒＣ_２Ｏ_４、Ｌａ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｇｄ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｔｂ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｌｕ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｙ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　前記(i)の元素を含有する炭酸塩としては、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、Ｌａ_２（ＣＯ_３）_３、Ｇｄ_２（ＣＯ_３）_３、Ｔｂ_２（ＣＯ_３）_３、Ｌｕ_２（ＣＯ_３）_３、Ｙ_２（ＣＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。また、当該炭酸塩としては、Ｃａ（ＨＣＯ_３）_２等のような炭酸水素塩も包含する。

　前記(i)の元素を含有する硫酸塩としては、ＭｇＳＯ_４、ＣａＳＯ_４、ＳｒＳＯ_４、Ｌａ_２（ＳＯ_４）_３、Ｇｄ_２（ＳＯ_４）_３、Ｔｂ_２（ＳＯ_４）_３、Ｌｕ_２（ＳＯ_４）_３、Ｙ_２（ＳＯ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素含有化合物としては、Ｂ元素を含有する酸化物、水酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。前記Ｂ元素含有化合物は、１種で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　Ｂ元素を含有する酸化物としては、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、Ｓｃ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｌｕ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有する水酸化物としては、Ａｌ（ＯＨ）_３、Ｇａ（ＯＨ）_３、Ｓｃ（ＯＨ）_３、Ｉｎ（ＯＨ）_３、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｌｕ（ＯＨ）_３、Ｙ（ＯＨ）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有するハロゲン化物のうち、塩化物としては、ＡｌＣｌ_３、ＧａＣｌ_３、ＳｃＣｌ_３、ＩｎＣｌ_３、ＭｇＣｌ_２、ＬｕＣｌ_３、ＹＣｌ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有する硝酸塩としては、Ａｌ（ＮＯ_３）_３、Ｇａ（ＮＯ_３）_３、Ｓｃ（ＮＯ_３）_３、Ｉｎ（ＮＯ_３）_３、Ｍｇ（ＮＯ_３）_２、Ｌｕ（ＮＯ_３）_３、Ｙ（ＮＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有するシュウ酸塩としては、Ａｌ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｇａ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｓｃ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｉｎ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、ＭｇＣ_２Ｏ_４、Ｌｕ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｙ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有する炭酸塩としては、Ａｌ_２（ＣＯ_３）_３、Ｇａ_２（ＣＯ_３）_３、Ｓｃ_２（ＣＯ_３）_３、Ｉｎ_２（ＣＯ_３）_３、ＭｇＣＯ_３、Ｌｕ_２（ＣＯ_３）_３、Ｙ_２（ＣＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｂ元素を含有する硫酸塩としては、Ａｌ_２（ＳＯ_４）_３、Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３、Ｓｃ_２（ＳＯ_４）_３、Ｉｎ_２（ＳＯ_４）_３、ＭｇＳＯ_４、Ｌｕ_２（ＳＯ_４）_３、Ｙ_２（ＳＯ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃ元素含有化合物としては、Ｃ元素を含有する酸化物、水酸化物、ハロゲン化物（塩化物、フッ化物等）、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。前記Ｃ元素含有化合物は、１種で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　Ｃ元素を含有する酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＧｅＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃ元素を含有する水酸化物としては、Ｓｉ（ＯＨ）_４、Ｇｅ（ＯＨ）_４、Ａｌ（ＯＨ）_３、Ｇａ（ＯＨ）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃ元素を含有するハロゲン化物のうち、塩化物としては、ＳｉＣｌ_４、ＧｅＣｌ_４、ＡｌＣｌ_３、ＧａＣｌ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃ元素を含有する硝酸塩としては、Ｓｉ（ＮＯ_３）_４、Ｇｅ（ＮＯ_３）_４、Ａｌ（ＮＯ_３）_３、Ｇａ（ＮＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃ元素を含有するシュウ酸塩としては、Ｓｉ（Ｃ_２Ｏ_４）_２、Ｇｅ（Ｃ_２Ｏ_４）_２、Ａｌ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｇａ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　Ｃｅ含有化合物としては、Ｃｅを含有する酸化物、水酸化物、ハロゲン化物（塩化物、フッ化物等）、硝酸塩、シュウ酸塩、炭酸塩、硫酸塩等が挙げられる。具体的には、ＣｅＯ_２、Ｃｅ_２Ｏ_３、Ｃｅ（ＯＨ）_３、ＣｅＣｌ_３、Ｃｅ（ＮＯ_３）_３、Ｃｅ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｃｅ_２（ＣＯ_３）_３、Ｃｅ_２（ＳＯ_４）_３、Ｃｅ（ＳＯ_４）_２等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。Ｃｅ含有化合物は、１種で又は２種以上を使用することができる。

　金属元素（Ｍ元素）含有化合物としては、例えば、金属酸化物、金属水酸化物、金属ハロゲン化物、金属硝酸塩、金属シュウ酸塩、金属炭酸塩、金属硫酸塩等のＭを金属成分として含有する化合物が挙げられる。金属元素含有化合物（Ｍ元素含有化合物）は、１種で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　金属酸化物としては、ＴｉＯ_２、ＶＯ、Ｖ_２Ｏ_３、ＶＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５、ＣｒＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｒＯ_３、ＭｎＯ、Ｍ_３Ｏ_４、ＭｎＯ_２、ＦｅＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＣｏＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＳｉＯ_２、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｐｒ_６Ｏ_１１、Ｔｂ_２Ｏ_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属水酸化物としては、ＴｉＯ（ＯＨ）_２、Ｖ（ＯＨ）_２、Ｃｒ（ＯＨ）_２、Ｃｒ（ＯＨ）_３、Ｍｎ（ＯＨ）_２、Ｆｅ（ＯＨ）_２、ＦｅＯ（ＯＨ）_２、Ｃｏ（ＯＨ）_２、Ｎｉ（ＯＨ）_２、Ｃｕ（ＯＨ）、Ｃｕ（ＯＨ）_２、Ｚｎ（ＯＨ）_２、Ｚｒ（ＯＨ）_２、Ｚｒ（ＯＨ）_４、Ｈｆ（ＯＨ）_４、Ｓｉ（ＯＨ）_４、Ｙｂ（ＯＨ）_３、Ｅｕ（ＯＨ）_２、Ｅｕ（ＯＨ）_３、Ｐｒ（ＯＨ）_３、Ｔｂ（ＯＨ）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属ハロゲン化物としては、ＴｉＣｌ_３、ＴｉＣｌ_４、ＶＣｌ_２、ＶＣｌ_３、ＶＣｌ_４、ＶＣｌ_５、ＣｒＣｌ_２、ＣｒＣｌ_３、ＭｎＣｌ_２、ＦｅＣｌ_２、ＦｅＣｌ_３、ＣｏＣｌ_２、ＮｉＣｌ_２、ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ_２、ＺｎＣｌ_２、ＺｒＣｌ_２、ＺｒＣｌ_４、ＨｆＣｌ_４、ＳｉＣｌ_３、Ｓｉ_３Ｃｌ_８、Ｓｉ_４Ｃｌ_１０、Ｓｉ_５Ｃｌ_１２、Ｓｉ_６Ｃｌ_１２、ＹｂＣｌ_３、ＥｕＣｌ_３、ＰｒＣｌ_３、ＴｂＣｌ_３等の金属塩化物；ＴｉＦ_３、ＴｉＦ_４、ＶＦ_３、ＶＦ_４、ＶＦ_５、ＣｒＦ_２、ＣｒＦ_３、ＭｎＦ_２、ＭｎＦ_３、ＦｅＦ_２、ＦｅＦ_３、ＣｏＦ_２、ＣｏＦ_３、ＮｉＦ_２、ＣｕＦ、ＣｕＦ_２、ＺｎＦ_２、ＺｒＦ_４、ＨｆＦ_４、ＳｉＦ_４、ＹｂＦ_３、ＥｕＦ_３、ＰｒＦ_３、ＴｂＦ_３等の金属フッ化物；などが挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属硝酸塩としては、Ｔｉ（ＮＯ_３）_４、Ｖ（ＮＯ_３）_５、Ｃｒ（ＮＯ_３）_３、Ｍｎ（ＮＯ_３）_２、Ｆｅ（ＮＯ_３）_２、Ｆｅ（ＮＯ_３）_３、Ｃｏ（ＮＯ_３）_２、Ｎｉ（ＮＯ_３）_２、Ｃｕ（ＮＯ_３）_２、Ｚｎ（ＮＯ_３）_２、Ｚｒ（ＮＯ_３）_２、Ｚｒ（ＮＯ_３）_４、Ｈｆ（ＮＯ_３）_４、Ｙｂ（ＮＯ_３）_３、Ｅｕ（ＮＯ_３）_３、Ｐｒ（ＮＯ_３）_３、Ｔｂ（ＮＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属シュウ酸塩としては、Ｔｉ（Ｃ_２Ｏ_４）_２、Ｖ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_５、Ｃｒ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｍｎ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｆｅ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｆｅ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｆｅ_３（Ｃ_２Ｏ_４）_４、Ｃｏ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｃｏ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｃｏ_３（Ｃ_２Ｏ_４）_４、Ｎｉ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｃｕ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｃｕ_２（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｚｎ（Ｃ_２Ｏ_４）、Ｚｒ（Ｃ_２Ｏ_４）_２、Ｈｆ（Ｃ_２Ｏ_４）_２、Ｙｂ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｅｕ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｐｒ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３、Ｔｂ_２（Ｃ_２Ｏ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属炭酸塩としては、ＣｒＣＯ_３、ＭｎＣＯ_３、ＦｅＣＯ_３、ＣｏＣＯ_３、ＮｉＣＯ_３、Ｃｕ_２ＣＯ_３、ＺｎＣＯ_３、ＺｒＣＯ_３、Ｙｂ_２（ＣＯ_３）_３、Ｅｕ_２（ＣＯ_３）_３、Ｐｒ_２（ＣＯ_３）_３、Ｔｂ_２（ＣＯ_３）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　金属硫酸塩としては、Ｔｉ（ＳＯ_４）_２、Ｖ_２（ＳＯ_４）_５、ＣｒＳＯ_４、ＭｎＳＯ_４、ＦｅＳＯ_４、ＣｏＳＯ_４、ＮｉＳＯ_４、ＣｕＳＯ_４、ＺｎＳＯ_４、ＺｒＳＯ_４、Ｚｒ（ＳＯ_４）_２、Ｙｂ_２（ＳＯ_４）_３、Ｅｕ_２（ＳＯ_４）_３、Ｐｒ_２（ＳＯ_４）_３、Ｔｂ_２（ＳＯ_４）_３等が挙げられ、これらの水和物も使用することができる。

　化合物含有組成物は、必要に応じて粉砕してもよい。粉砕方法としては、媒体撹拌ミル、コロイドミル、湿式ボールミル等の湿式粉砕方法；ジェットミル、乾式ボールミル、ロールクラッシャー等の乾式粉砕方法；などが挙げられる。なお、湿式粉砕方法では、水、有機溶媒（例えば、メタノール、エタノール等）などを前記化合物含有組成物と混合した後、前記化合物含有組成物中の各化合物を粉砕することができる。粉砕方法は、複数の粉砕方法を組み合せて用いてもよい。

　また、化合物含有組成物は、必要に応じて、分級、化学処理、乾燥等を行ってもよい。

　化合物含有組成物には、焼結助剤を含有させてもよい。焼結助剤としては、ホウ酸、酸化ホウ素、コロイダルシリカ、TEOS（テトラエチルオルソシリケート）等が挙げられる。

　工程2
　工程2では、工程1で用意した化合物含有組成物を１２００～１８００℃で加熱（焼成）する。

　工程2における焼成は、前記化合物含有組成物を、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等のるつぼに投入し、加熱する。加熱の温度は、１５００～１６００℃が好ましい。加熱時間は、３時間～２４時間が好ましい。加熱を行う際の雰囲気は、大気雰囲気下、還元雰囲気下、真空雰囲気下のいずれでもよいが、真空雰囲気下で加熱を行うことが好ましい。真空雰囲気下で、前記化合物含有組成物を加熱することにより、Ｃｅ^４＋がＣｅ^３＋に還元されやすく、また、酸素欠陥が生じ、結果として長残光特性に特に優れた蛍光体が得られる。

　工程2における加熱を行う前に、必要に応じて、仮焼成をしてもよい。仮焼成を行うことにより、Ｇａの蒸発を防ぐことができる。仮焼成する際の温度は、１０００～１４００℃が好ましい。

　その他の工程
　本発明では、工程2の後で、さらにフローティングゾーン法による単結晶化、粉砕、耐水性処理等を行ってもよい。

　フローティングゾーン法では、多結晶の試料棒を原料として使用する。フローティングゾーン法とは、当該試料棒の一部を加熱して、種結晶となる下部の単結晶と試料棒との間に溶融部を作り、その（溶融部中の）融液部を表面張力によって支えながら全体を下方に移動させて、融液部を冷却する方法である。加熱方法は特に限定されず、ハロゲンランプによる加熱等が挙げられる。

　粉砕としては、上記工程1における粉砕方法と同様の方法が挙げられる。

　耐水性処理としては、有機材料や無機材料による表面コーティングという方法が挙げられる。

　≪３．本発明の蛍光体の適用≫
　本発明の蛍光体は、蓄光蛍光体、白色LED、蓄光セラミックス、蓄光樹脂、蓄光塗料、蓄光式避難誘導システム、バイオイメージング等に適用することが可能である。

　蓄光蛍光体への適用としては、白色LED用照明下において、緑色残光蛍光体、黄色残光蛍光体等として使用することができる。具体的には、警告灯；時計の文字盤；施設の照明や誘導灯等が停電等で使用できなくなったときの避難誘導用照明；などが挙げられる。

　白色LEDへの適用としては、白色LEDデバイスに本発明の蛍光体を実装して、消灯後もかすかに光る照明デバイスを得ることが挙げられる。

　蓄光塗料への適用としては、視認性夜光塗料として、文字盤や避難用標識に使用することが挙げられる。

　バイオイメージングへの適用では、本発明の蛍光体における金属Ｍイオン（Ｃｒ^３＋、Ｍｎ^２＋、Ｍｎ^４＋等）を適宜選択して近赤外での残光をも示すようにして、蛍光マーカーとしての近赤外長残光蛍光体を得る。当該近赤外長残光蛍光体は、人体の細胞がよく透過する波長を有し、さらに、イメージのための励起光は、人体注入前に照射できるので、自家蛍光や励起光の散乱を防げ、結果としてノイズの少ないイメージング像を得ることができる。

　本発明の蛍光体は、Ｃｅ元素を含む特定のガーネット結晶蛍光体に特定の金属元素がドープされていることにより、紫外線励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性に優れる。また、本発明の蛍光体は、上記紫外線、青色光等の励起光の照射による励起によって、緑色～赤色（中心波長が480～700nm程度）の発光を示し、特に緑色～黄色（中心波長が480～560nm程度）の発光が顕著であるので、人間の目に見えやすい。そのため、本発明の蛍光体は、各種用途（蓄光蛍光体、白色LED、蓄光セラミックス、蓄光樹脂、蓄光塗料、蓄光式避難誘導システム、バイオイメージング等）に適用することが可能である。

ガーネット結晶構造を示す組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２において、Ａ＝Ｙ、Ｂ＝Ａｌ、Ｃ＝Ｇａであるときの上記構造及び占有カチオンを示す。ガーネット結晶構造を示す組成式（１）：Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２において、Ａ＝Ｙ、Ｂ＝Ａｌ、Ｃ＝Ｇａであるときの組成によるバンド構造変化を示す。実施例2及び3の蛍光体におけるＸ線回折パターン（ＣｕＫα線使用）を示す。また、比較例1の（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２のＸ線回折パターン（ＣｕＫα線使用）を示す。なお、▼はＹ_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２の文献データである。実施例1における蛍光励起スペクトルを示す。励起スペクトルは、株式会社島津製作所製の蛍光分光光度計（RF5300）を用いて、測定した。上のスペクトルは、Ce³⁺の520nm発光をモニターした励起スペクトルで、下のスペクトルは、Cr³⁺の690nm発光をモニターした励起スペクトルである。Ce³⁺の発光もCr³⁺の発光も紫外、青色光によって、効率的に励起出来るのが分かる。実施例1における蛍光スペクトル及び残光スペクトル（５分後）を示す。本スペクトルは、朝日分光株式会社製キセノンランプ光源（MAX302）をバンドパスフィルターで分光した460nmを励起光源に用い、発光・残光スペクトルはコニカミノルタ社製　輝度測定システムを用いて、測定した。発光・残光スペクトルともCe³⁺（520nm）とCr³⁺(700nm)の強い発光が観測されている。実施例17における紫外蓄光による残光スペクトルを示す。Ce^3＋の残光はほとんど観測されず、Mnイオンの700nmの強い残光だけが観測された。比較例1の蛍光体における蛍光励起スペクトル(λ_em＝505nm)及び発光スペクトル(λ_ex=350nm)を示す。比較例1においては、500nmのCe³⁺からの発光のみが観測された。実施例1、4及び5及び比較例1の蛍光体における熱ルミネッセンス測定結果を示す。実施例1及び3の蛍光体における熱ルミネッセンス測定結果を示す。実施例6～16の蛍光体の、(a)白色LED照明下、(b)紫外線ランプ遮断直後（室温）による残光特性、(c)白色LED照明遮断直後（室温）による残光特性及び(d) 白色LED照明遮断直後（150℃）による残光特性を示す写真を示す。実施例6～16のいずれの蛍光体も、紫外線励起後及びLED照明による青色光励起後において、残光を示している。実施例18の蛍光体における熱ルミネッセンス測定結果を示す。

　以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されない。

　実施例1
　以下の各原料粉末及びエタノール３０mlを、ボールミル（製品名premium line P-7、フリッチュ製、フリッチュ・ジャパン株式会社製）を用いて混合し、混合物を得た。次いで、当該混合物を、電気炉（製品名KBF314N1、光洋サーモシステム株式会社製）を用いて1200℃で6時間仮焼きした後、さらに電気炉（製品名KBF314N1、光洋サーモシステム株式会社製）を用いて1600℃で２４時間本焼成した。なお、本焼成は、大気雰囲気中で行った。これにより、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]で表される化合物に、Ｃｒがドープされた実施例１の蛍光体を得た。なお、Ｃｒのドープ量は、前記化合物に対して、0.1モル％であった。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.0357ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.6633ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.4107ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.8902ｇ
・Ｃｒ(ＮＯ_３)_３・９Ｈ_２Ｏ　（STREM CHEMICALS製）：0.0028ｇ。

　実施例1の蛍光体の励起スペクトルを、株式会社島津製作所製の蛍光分光光度計（RF5300）を用いて測定した。図４に実施例1における蛍光励起スペクトルを示す。図４より、Ce³⁺の発光もCr³⁺の発光も紫外、青色光によって、効率的に励起出来るのが分かる。

　また、実施例1の蛍光体について、蛍光スペクトル及び残光スペクトルを測定した。朝日分光株式会社製キセノンランプ光源（MAX302）をバンドパスフィルターで分光した460nmを励起光源に用い、発光・残光スペクトルはコニカミノルタ社製　輝度測定システムを用いて、測定した。図５に実施例1における蛍光スペクトル及び残光スペクトル（５分後）を示す。発光・残光スペクトルともCe³⁺（520nm）とCr³⁺(700nm)の強い発光が観測されている。

　実施例2
　本焼成を、真空電気炉（製品名VF-1800、クリスタルシステムズ株式会社製）を用いて、真空雰囲気中で行う以外は実施例1と同様にして、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]で表される化合物に、Ｃｒがドープされた実施例2の蛍光体を得た。

　実施例2の蛍光体におけるＸ線回折パターン（ＣｕＫα線使用）を図３に示す。

　実施例3
　以下の各原料粉末及びエタノール３０mlを、ボールミル（製品名premium line P-7、フリッチュ製、フリッチュ・ジャパン株式会社製）を用いて混合し、混合物を得た。次いで、当該混合物を、電気炉（製品名KBF314N1、光洋サーモシステム株式会社製）を用いて1200℃で6時間仮焼きした後、さらに真空管状電気炉（製品名VF-1800、クリスタルシステムズ株式会社製）を用いて1600℃で２４時間本焼成した。なお、本焼成は、真空雰囲気中で行った。これにより、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２（Ａｌ_１／６Ｇａ_５／６）_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＡｌ及びＧａ（ＡｌとＧａとのモル比が、Ａｌ：Ｇａ＝(1/6):(5/6)]で表される化合物に、Ｃｒがドープされた実施例3の蛍光体を得た。なお、Ｃｒのドープ量は、前記化合物に対して、0.1モル％であった。なお、当該蛍光体は、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２．５Ｇａ_２．５Ｏ_１２
[Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Al及びGa)の合計モル数）が0.5]
で表される化合物に、Ｃｒが0.1モル％ドープされた蛍光体ともいえる。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.0368ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.8054ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.8172ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.3406ｇ
・Ｃｒ(ＮＯ_３)_３・９Ｈ_２Ｏ　　（三津和化学薬品株式会社製）：0.0055ｇ。

　実施例3の蛍光体におけるＸ線回折パターン（ＣｕＫα線使用）を図３に示す。

　実施例4
　以下の各原料粉末を使用し、本焼成を1600℃で12時間で行う以外は、実施例1と同様にして、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]である化合物に、Ｎｉがドープされた実施例4の蛍光体を得た。なお、Ｎｉのドープ量は、前記化合物に対して、0.3モル％であった。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.03572ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.6633ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.4107ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.8902ｇ
・Ｎｉ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ（和光純薬工業株式会社製）：0.0121ｇ。

　実施例5
　以下の各原料粉末を使用する以外は、実施例4と同様にして、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]である化合物に、Ｆｅがドープされた実施例5の蛍光体を得た。なお、Ｆｅのドープ量は、前記化合物に対して、0.3モル％であった。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.03572ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.6633ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.4107ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.8902ｇ
・Ｆｅ_２（ＳＯ_４）_３・ｎＨ_２Ｏ (ｎ＝６～９)（和光純薬工業株式会社製）：0.0113ｇ。

　実施例6～16
　以下の各原料粉末を使用し、本焼成を1600℃で6時間で行う以外は、実施例1と同様にして、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]である化合物に、金属元素ＭとしてＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ又はＨｆがドープされた実施例6～16の各蛍光体を得た。なお、実施例6～16における各金属元素Ｍのドープ量は、前記化合物に対して、0.1モル％であった。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.03572ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.6633ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.4107ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.8902ｇ
・ＴｉＣｌ_３　（和光純薬工業株式会社製）：0.0021ｇ（実施例6で使用した）。
・Ｖ_２Ｏ_５　　（Aldrich株式会社製）：0.0010ｇ（実施例7で使用した）。
・Ｃｒ(ＮＯ_３)_３・９Ｈ_２Ｏ　　（STREM CHEMICALS株式会社製）：0.0055ｇ（実施例8で使用した）。
・ＭｎＣＯ_３　　（和光純薬工業株式会社製）：0.0016ｇ（実施例9で使用した）。
・Ｆｅ_２（ＳＯ_４）_３・ｎＨ_２Ｏ (ｎ＝６～９)　　（和光純薬工業株式会社製）：0.0038ｇ（実施例10で使用した）。
・ＣｏＣｌ_２　　（三津和化学薬品株式会社製）：0.0018ｇ（実施例11で使用した）。
・Ｎｉ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ　　（和光純薬工業株式会社製）：0.0040ｇ（実施例12で使用した）。
・ＣｕＣｌ_２　　（三津和化学薬品株式会社製）：0.0035ｇ（実施例13で使用した）。
・Ｚｎ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ　　（和光純薬工業株式会社製）：0.0050ｇ（実施例14で使用した）。
・ＺｒＦ_４　　（Aldrich社製）：0.0023ｇ（実施例15で使用した）。
・ＨｆＣｌ_４　　（和光純薬工業株式会社製）：0.0044ｇ（実施例16で使用した）。

　実施例17
　以下の各原料粉末及びエタノール３０mlを、ボールミル（製品名premium line P-7、フリッチュ製、フリッチュ・ジャパン株式会社製）を用いて混合し、混合物を得た。次いで、当該混合物を、N2-H2(5%)雰囲気で管状電気炉（製品名VF-1800、クリスタルシステムズ株式会社製）で２４時間本焼成した。これにより、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ｓｃ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＳｃ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Sc)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]で表される化合物に、Ｍｎがドープされた実施例17の蛍光体を得た。なお、Ｍｎのドープ量は、前記化合物に対して、0.5モル％であった。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.0340ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.4422ｇ
・Ｓｃ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.8177ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.7059ｇ
・ＭｎＣＯ_３　（和光純薬工業株式会社製）：0.0080ｇ。

　図６に、実施例17における紫外蓄光による残光スペクトルを示す。Ce^3＋の残光はほとんど観測されず、Mnイオンの700nmの強い残光だけが観測された。

　実施例18
　以下の各原料粉末及びエタノール３０mlを、ボールミル（製品名premium line P-7、フリッチュ製、フリッチュ・ジャパン株式会社製）を用いて混合し、混合物を得た。次いで、当該混合物を、電気炉（製品名KBF314N1、光洋サーモシステム株式会社製）を用いて1600℃で12時間焼成した。なお、焼成は、真空雰囲気中で行った。これにより、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３（Ａｌ_３／４Ｇａ_１／４）_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ及びＧａ（ＡｌとＧａとのモル比が、Ａｌ：Ｇａ＝(3/4):(1/4)）、ＣがＧａ]で表される化合物に、Ｙｂがドープされた実施例18の蛍光体を得た。なお、Ｙｂのドープ量は、前記化合物に対して、0.15モル％であった。なお、当該蛍光体は、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_１．５Ｇａ_３．５Ｏ_１２
[Ｇａのモル数／（Ｂ(Al及びGa)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.7]
で表される化合物に、Ｙｂが0.15モル％ドープされた蛍光体ともいえる。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.035ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.5294ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.0277ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：4.4082ｇ
・Ｙｂ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：0.004ｇ。

　比較例1
　以下の各原料粉末を使用する以外は、実施例1と同様にして、組成が、
（Ｙ_{０．９９５}Ｃｅ_{０．００５}）_３Ａｌ_２Ｇａ_３Ｏ_１２
[上記式（１）中、ＡがＹ及びＣｅ（ＹとＣｅとのモル比が、Ｙ：Ｃｅ＝0.995：0.005）、ＢがＡｌ、ＣがＧａ、Ｇａのモル数／（Ｂ(Al)とＣ(Ga)の合計モル数）が0.6]である比較例1の蛍光体を得た。
＜使用した各原料粉末＞
・ＣｅＯ_２　（フルウチ化学株式会社製）：0.03572ｇ
・Ｙ_２Ｏ_３　　（三津和化学薬品株式会社製）：4.6633ｇ
・Ａｌ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：1.4107ｇ
・Ｇａ_２Ｏ_３　（三津和化学薬品株式会社製）：3.8902ｇ。

　比較例1の蛍光体におけるＸ線回折パターン（ＣｕＫα線使用）を図３に示す。

　また、比較例1の蛍光体における蛍光励起スペクトル(λ_em＝505nm)及び発光スペクトル(λ_ex=350nm)を図７に示す。比較例1においては、500nmのCe³⁺からの発光のみが観測された。

　参考例1
　ＳｒＡｌ_２Ｏ_４:Ｅｕ^２＋－Ｄｙ^３＋（GLL-300FFS、根本特殊化学株式会社製）の蛍光体を用意した。

　試験例1（熱ルミネッセンス測定）
　実施例1、3～5及び18、並びに比較例1で得られた蛍光体をペレット成型した。具体的には、上記各蛍光体を、ペレット成型機（製品名NT-50H、三庄インダストリー株式会社製）を用いて50MPaで圧縮成型することにより、直径10mm、厚さ2mmのペレット状にした。

　次いで、当該各蛍光体に対して、熱ルミネッセンス測定を行った。具体的には、当該各サンプルに対して励起光（紫外光250nmから400nm)を照射し、当該照射を遮断した後に当該各サンプルを100Kから昇温させながら発光輝度を測定した。なお、この測定により、各サンプルがどの温度で最も残光特性に優れているかを観測することができる。
＜試験例1の各条件＞
・クライオスタット装置：製品名Helitran、Advanced Research Systems株式会社製
・励起光源：製品名MAX302　朝日分光株式会社製
・PMT検出器：製品名　R3896　浜松ホトニクス株式会社製
・励起光の照射時間：10分間
・昇温速度：10℃/min
　結果を以下の図８、９及び１１に示す。

　（考察）
　図８から明らかなように、実施例1の蛍光体(ドープされたＭ元素：Ｃｒ)は、300K付近に大きなピークが観測された。また、実施例4の蛍光体(ドープされたＭ元素：Ｎｉ)は、300～450Kの範囲にブロードなピークが観測された。また、実施例5の蛍光体(ドープされたＭ元素：Ｆｅ)は、200K付近と300K付近にピークが観測された。また、図１１から明らかなように、実施例18の蛍光体（ドープされたＭ元素：Ｙｂ）は、300K付近に大きなピークが観測された。よって、実施例１、４、５及び１８のいずれも300K付近（即ち、室温付近）で解放可能な電子トラップを有しており、長残光特性に有利に働くことが明らかとなった。

　また、図９から明らかなように、実施例1の蛍光体（ドープされたＭ元素：Ｃｒ、上記式（１）中のＢがＡｌ、上記式（１）中のＣがＧａ、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.6）は、300K付近に大きなピークが観測されたのに対して、実施例3の蛍光体（ドープされたＭ元素：Ｃｒ、上記式（１）中のＢがＡｌ、上記式（１）中のＣがＡｌ及びＧａ、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）が0.5）は、330K付近に大きなピークが観測された。よって、Ｇａのモル数／（ＢとＣの合計モル数）（ＢとＣの合計モル数に対するＧａのモル比）を小さくすることにより、グローピークを高温側にシフトさせることができ、結果として室温における初期強度及び残光持続時間を適宜設定することが可能であることが明らかとなった。なお、図９におけるグローピークから、実施例1の蛍光体の電子トラップ深さは0.59eV、実施例3の蛍光体の電子トラップ深さは0.65eVと見積もられた。

　試験例2（紫外光照射後の残光輝度測定）
　上記実施例1～3、比較例1及び参考例1で得られた蛍光体を、試験例1と同様の方法により、直径10mm、厚さ2mmのペレット状にした。次いで、上記各ペレット状蛍光体に対して励起光（紫外光360nm)を照射し、照射を遮断してから5分後、20分後及び1時間後の残光輝度を測定した。また、ベースライン測定のためにシャッターを検出器の前に配置し、120分後にシャッターを閉じた。
＜試験例2の各条件＞
・励起光源：製品名MAX302　朝日分光株式会社製　＋360nmバンドパスフィルター
・残光輝度測定装置：製品名　輝度測定システム、コニカミノルタ株式会社製
・励起光の照射時間：5分間
・ベースライン測定：120分後
・気温：25℃

試験例3（青色光照射後の残光輝度測定）
　励起光として、紫外光(360nm)に代えて青色光(460nm)を照射する以外は、試験例2と同様にして、上記各ペレット状蛍光体の残光輝度（青色光の照射を遮断してから5分後、20分後及び1時間後の残光輝度）を測定した。

　試験例2及び3の結果を以下の表１に示す。

　（考察）
　上記結果からも明らかなように、実施例1～3の蛍光体は、紫外光励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性にも優れる。特に、実施例1～3の蛍光体は、青色光による励起を遮断してから１時間後の残光輝度が、参考例1と比較しても非常に高いことが分かる。これは、共添加イオン(Ｍ)による電子トラップの生成とサンプルの半透明性のためである。青色光(460nm)は、汎用的なInGaN青色LEDの発光波長であり、青色LED＋黄色蛍光体で実現される白色LEDに一般的に用いられるため、青色光の励起波長として最適である。

　試験例4(青色光照射後の残光減衰曲線評価)
　上記実施例1～3で得られた蛍光体を、試験例1と同様の方法によりペレット状にした。次いで、上記各ペレット状蛍光体に対して、励起光（青色光460nm)を照射し、照射を遮断した後の上記各ペレット状蛍光体の残光減衰曲線を測定した。当該残光減衰曲線から、残光輝度が2 mcd/m²を下回る時の時間（残光時間）を得た。
＜試験例4の各条件＞
・励起光源：製品名MAX302　朝日分光株式会社製　＋460nmバンドパスフィルター
・残光輝度測定装置：製品名　輝度測定システム、コニカミノルタ株式会社製
・励起光の照射時間：5分間
・ベースライン測定：120分後
・気温：25℃
　その結果、実施例1における残光時間は265分、実施例2における残光時間は485分、実施例3における残光時間は792分であり、いずれも青色光励起による長残光特性に優れていることが示された。

　試験例5（紫外光照射後の残光特性評価）
　上記実施例6～16及び比較例1で得られた蛍光体を、試験例1と同様の方法により、直径10mm、厚さ2mmのペレット状にした。次いで、上記各ペレット状蛍光体に対して励起光（紫外光360nm)を照射し、照射を遮断してから直後の各蛍光体の残光特性（蓄光特性）を目視により評価した。評価基準は、以下の通りである。なお、上記実施例6～16で得られた蛍光体の紫外線励起よる残光特性を以下の図10に示す。
＜評価基準＞
◎：比較例1の蛍光体よりも残光輝度に特に優れている。
○：比較例1の蛍光体よりも残光輝度に優れている。
△：比較例1の蛍光体と残光輝度が同等。
×：比較例1の蛍光体よりも残光輝度が劣る。
＜試験例5の各条件＞
・紫外光照射装置（紫外線ランプ）：製品名　FL10BLB　東芝社製
・励起光の照射時間：5分間
・気温：室温（25℃）
　図10より、実施例6～16のいずれの蛍光体も、紫外線励起後及びLED照明による青色光励起後において、残光を示していることがわかる。

　試験例6（青色光照射後の残光特性評価）
　励起光として、紫外光(360nm)に代えて、青色光(460nm)を含む白色LEDを照射する以外は、試験例5と同様にして、上記各ペレット状蛍光体の残光特性（蓄光特性）を目視により評価した。評価基準は、試験例5と同じである。

　試験例5及び6の結果を以下の表２に示す。
＜試験例6の各条件＞
・励起光の照射時間：5分
・気温：室温（25℃）及び150℃

　（考察）
　上記結果からも明らかなように、実施例6～16の蛍光体は、紫外光励起による長残光特性に優れ、且つ、青色光励起による長残光特性にも優れる。

Claims

　下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされていることを特徴とする蛍光体。
　前記金属元素のドープ量が、前記式（１）で表される化合物に対して0.001～5モル％である、請求項１に記載の蛍光体。
　前記(i)の元素と前記(ii)Ｃｅとのモル比が、0.9999：0.0001～0.95：0.05である、請求項１又は２に記載の蛍光体。
　蓄光蛍光体、白色LED、蓄光セラミックス、蓄光樹脂、蓄光塗料、蓄光式避難誘導システム、又はバイオイメージング用マーカーに用いられる、請求項１～３のいずれかに記載の蛍光体。
　下記組成式　（１）：
　Ａ_３Ｂ_２Ｃ_３Ｏ_１２　（１）
（式中、
　Ａは、(i) Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素、並びに、(ii)Ｃｅであり、
　ＢはＡｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｌｕ、及びＹからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、
　ＣはＳｉ、Ｇｅ、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である）で表される化合物に、
　Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ、Ｙｂ、Ｅｕ、Ｐｒ及びＴｂからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属元素がドープされている蛍光体の製造方法であって、
　　(1)　前記(i)の元素含有化合物、Ｂ元素含有化合物、Ｃ元素含有化合物、Ｃｅ含有化合物及び前記金属元素含有化合物を含む組成物を用意する工程1、及び
　　(2)　前記組成物を1200～1800℃で加熱する工程2
を順に含む、蛍光体の製造方法。