JP2006265542A - 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 - Google Patents
蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006265542A JP2006265542A JP2006046954A JP2006046954A JP2006265542A JP 2006265542 A JP2006265542 A JP 2006265542A JP 2006046954 A JP2006046954 A JP 2006046954A JP 2006046954 A JP2006046954 A JP 2006046954A JP 2006265542 A JP2006265542 A JP 2006265542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- phosphor
- general formula
- emission
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【解決手段】下記一般式[1]で表される化学組成の結晶相を含有し、波長420nm〜480nmの範囲にピークを有する光で励起した時の下記式[2]で算出される発光強度の変化率の平均値が、1.3以下である蛍光体。 (Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1](LnはY、Gd、Sc、Lu、La。MはAl、Ga、In。0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5) 発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2 …[2](I(λ)は励起波長λnmにおける蛍光体の発光強度。I(λ+1)は励起波長(λ+1)nmにおける蛍光体の発光強度)該蛍光体は、各構成元素を含む原料化合物を混合後焼成して得られた焼成物を酸洗浄し製造される。
【選択図】なし
Description
(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]
(但し、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、MはAl、Ga及びInよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。a、bは、それぞれ0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5を満足する数である。)
発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2 …[2]
(但し、I(λ)は励起波長λnmにおける蛍光体の発光強度であり、I(λ+1)は励起波長(λ+1)nmにおける蛍光体の発光強度である。)
(但し、Luの組成比とは、前記一般式[1]を下記一般式[1A]で表したときのqに相当する。
YpLuqCe3aTb3bM5O12 …[1A]
(上記[1A]式中、M,a,bは一般式[1]におけると同義であり、p,qはそれぞれY,Luの組成を示し、YpLuq=Ln3-3a-3bである。))
(但し、Gaの組成比とは、前記一般式[1]を下記一般式[1B]で表したときのrに相当する。
(Ln1-a-bCeaTbb)3M'5-rGarO12 …[1B]
(上記[1B]式中、Ln,a,bは一般式[1]におけると同義であり、M’はGa以外のM(Mは一般式[1]におけると同義である。)を表し、M'5-rGar=M5である。))
(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]
(但し、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、MはAl、Ga及びInよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。a、bは、それぞれ0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5を満足する数である。)
本発明の蛍光体は、下記一般式[1]で表される化学組成の結晶相を含有し、かつ、波長420nm〜480nmの範囲にピークを有する光で励起した時の、下記式[2]で算出される発光強度の変化率の平均値が、1.3以下であることを特徴とする。即ち、420nm〜480nmの範囲の励起波長を用いて、励起波長1nm間隔で変化させたとき、各励起波長における発光強度の変化率を下記式[2]で算出し、これらの算出値について、平均値を求めた場合、その平均値が1.3以下となる。
(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]
(但し、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、MはAl、Ga及びInよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。a、bは、それぞれ0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5を満足する数である。)
発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2 …[2]
(但し、I(λ)は励起波長λnmにおける蛍光体の発光強度であり、I(λ+1)は励起波長(λ+1)nmにおける蛍光体の発光強度である。)
前記一般式[1]において、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である。Lnとしては、これらの元素のうち何れか一種を単独で含有していてもよく、二種以上を任意の組み合わせ及び/又は任意の比率で併有していてもよい。中でも、Lnは少なくともYを含有し、Yが主構成元素であることが特に好ましい。
YpLuqCe3aTb3bM5O12 …[1A]
(上記[1A]式中、M,a,bは一般式[1]におけると同義であり、p,qはそれぞれY,Luの組成を示し、YpLuq=Ln3-3a-3bである。))
(Ln1-a-bCeaTbb)3M'5-rGarO12 …[1B]
(上記[1B]式中、Ln,a,bは一般式[1]におけると同義であり、M’はGa以外のM(Mは一般式[1]におけると同義である。)を表し、M'5-rGar=M5である。))
本発明の蛍光体は、励起スペクトルを測定した場合に、以下の特徴を有する。
まず、本発明の蛍光体は、後述する第1の発光体の発光波長との関係から、励起スペクトルの主ピーク波長λp(nm)が、通常420nm以上、中でも430nm以上、また、通常500nm以下、中でも490nm以下の範囲であることが好ましい。
本発明の蛍光体は、上述の励起スペクトルの半値幅(full width at half maximum。以下適宜「FWHM」と略称する。)が、通常93nmより大きく、中でも95nm以上であることが好ましい。このFWHMが狭過ぎると、発光が安定しないことから発光強度が低下するおそれがあり、好ましくない。
本発明の蛍光体は、励起スペクトルにおいて、下記式[2]で算出される発光強度の変化率の波長420nm〜480nmの範囲にピークを有する光で励起した時の平均値が、1.3以下、好ましくは1.1以下、より好ましくは1.0以下であることを特徴とする。
発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2 …[2]
(但し、I(λ)は励起波長λnmにおける蛍光体の発光強度であり、I(λ+1)は励起波長(λ+1)nmにおける蛍光体の発光強度である。)
本発明者らは蛍光体の粒径については、次のような検討を行った。
蛍光体は一般的に表面層は構造的な欠陥が多く発光効率が低い。それゆえ粒径が大きい蛍光体ほど表面の低発光部分の粒子全体に対する割合が少なく発光効率が良い。しかしながら、従来において、蛍光体は、一般的にメジアン径D50が1μmから10μmのものが多く用いられている。
なお、発光効率、吸光効率を高めるために、メジアン径D50の異なる複数の蛍光体を混合して用いる時は、混合蛍光体のQDは0.3よりも大きくなる場合がある。
本発明者等は本発明の発光装置に使用する蛍光体の粒子形状を種々検討した結果、球状に近い蛍光体ほど効率の高い発光装置を得ることができることを見出した。そこで、蛍光体粒子の球状性を数量的に表す指標として平均円形度を用いた。ここで平均円形度は粒子の投影図において各粒径の真円との近似程度を表す円形度(円形度=粒子の投影面積に等しい真円の周囲長さ/粒子の投影の周囲長さ)を言う。完全な球であれば平均円形度は1となる。
本発明者等は、セリウム付活イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体について発光効率の改善を検討する中で、全く同じ組成、同じ結晶系の蛍光体であっても物体色が大きく変化することを見出した。さらに、本発明の蛍光体の物体色は発光装置に実装したときの輝度と強い相関があり、従来の蛍光体に比べて、L*、a*は同レベルであるが、b*をある一定値以上に高くした蛍光体を用いると、発光装置の効率が高くなる傾向があることを見出した。
L*≧90
a*≦−7
b*≧55
本発明の蛍光体は、後述の方法で求められるフォトンの吸収率αが0.6以上、特に0.65以上であることが好ましい。ここで、実質的に、αの取りうる値の上限は1である。蛍光体がこの条件を満たしている場合、後述の本発明の発光装置において、第1の発光体から発せられたフォトンのうち、第2の発光体中の蛍光体内で素励起可能なものの数が多くなり、結果として蛍光体から単位時間当たりに放出されるフォトンの数を増加させることができる。即ち高い発光強度を有する発光装置を得ることができる。ここで、素励起とは、Ceのスピン状態が変化することによるエネルギー励起(一般に「発光中心励起」と呼称される。)、各イオン近傍に存在確率を持つ電子の平均的な数が変化することによるエネルギー励起(一般に「CT励起」と呼称される。)、電子のバンド間遷移によるエネルギー励起(一般に「バンド励起」と呼称される。)などのことを指す。
まず、測定対象となる粉末状などにした蛍光体試料を、測定精度が保たれるように、十分に表面を平滑にしてセルに詰め、積分球などがついた分光光度計に取り付ける。この分光光度計としては、例えば大塚電子株式会社製「MCPD2000」などがある。積分球などを用いるのは、試料で反射したフォトン及び試料からフォトルミネッセンスで放出されたフォトンを全て計上できるようにする、即ち、計上されずに測定系外へ飛び去るフォトンをなくすためである。この分光光度計に蛍光体を励起する発光源を取り付ける。この発光源は、例えばXeランプ等であり、発光ピーク波長が465nmとなるようにフィルター等を用いて調整がなされる。この465nmの波長ピークを持つように調整された発光源からの光を測定しようとしている試料に照射し、その発光スペクトルを測定する。この測定スペクトルには、実際には、励起発光光源からの光(以下では単に励起光と記す。)でフォトルミネッセンスにより試料から放出されたフォトンの他に、試料で反射された励起光の分のフォトンの寄与が重なっている。
∫λ・Iref(λ)dλ …[3]
∫λ・I(λ)dλ−∫λ・Iref(λ)dλ …[4]
α=Nabs/N=[3]/[4]
と求まる。
本発明の蛍光体の製造方法について説明する。本発明の蛍光体は、前述の一般式[1]における、金属元素Lnの原料(以下適宜「Ln源」という。)、Ceの原料(以下適宜「Ce源」という。)、Tbの原料(以下適宜「Tb源」という。)、及び、金属元素Mの原料(以下適宜「M源」という。)を混合し(混合工程)、得られた混合物を焼成する(焼成工程)ことにより製造することができる。
本発明の蛍光体の製造に使用されるLn源、Ce源、Tb源、及びM源としては、各元素の酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、蓚酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物等が挙げられる。これらの中から、複合酸化物への反応性や、焼成時におけるハロゲン、NOx、SOx等の発生量の低さ等を考慮して選択される。
Y源の具体例としては、Y2O3、Y(OH)3、YCl3、YBr3、Y2(CO3)3・3H2O、Y(NO3)3・6H2O、Y2(SO4)3、Y2(C2O4)3・9H2O等が挙げられる。
Gd源の具体例としては、Gd2O3、Gd(OH)3、GdCl3、Gd(NO3)3・5H2O、Gd2(C2O4)3・10H2O等が挙げられる。
La源の具体例としては、La2O3、La(OH)3、LaCl3、LaBr3、La2(CO3)3・H2O、La(NO3)3・6H2O、La2(SO4)3、La2(C2O4)3・9H2O等が挙げられる。
Sc源の具体例としては、Sc2O3、Sc(OH)3、ScCl3、Sc(NO3)3・nH2O、Sc2(SO4)3・nH2O、Sc2(C2O4)3・nH2O等が挙げられる。
Lu源の具体例としては、Lu2O3、LuCl3、Lu(NO3)3・8H2O、Lu2(OCO)3・6H2O等が挙げられる。
Al源の具体例としては、α−Al2O3、γ−Al2O3、などのAl2O3、Al(OH)3、AlOOH、Al(NO3)3・9H2O、Al2(SO4)3、AlCl3等が挙げられる。中でも、α−Al2O3が特に好ましい。
Ga源の具体例としては、Ga2O3、Ga(OH)3、Ga(NO3)3・nH2O、Ga2(SO4)3、GaCl3等が挙げられる。
In源の具体例としてはIn2O3、In(OH)3、In(NO3)3・nH2O、In2(SO4)3、InCl3等が挙げられる。
Tb源の具体例としては、Tb4O7、Tb2(SO4)3、Tb(NO3)3・nH2O、Tb2(C2O4)3・10H2O、TbCl3等が挙げられる。
本発明の蛍光体の製造方法においては、前述の原料を混合するに当たり、仕込みモル比が(5/3)<(M/(Ln1-a-bCeaTbb)(M元素を2種以上使用する場合は、その合計モル数)となるように、即ち、M元素が化学量論組成よりも過剰になるようにM源を混合することを特徴とする。
原料を均一に混合することは、均一組成の蛍光体を得るために必須である。特に、発光中心イオンとなるCe等の希土類原料を均一に混合することが重要である。従って、Ce等の希土類原料は、後述する通常の混合工程の前にLn源等、他の原料と共に共沈させておくことが好ましい。
例えば、Ln源等の他の原料とCe等の希土類原料を、塩酸、硝酸等の鉱酸に溶解して希土類混合溶液を調製する。続いて、希土類混合溶液に沈殿剤として蓚酸等の溶液を徐々に添加し、複合希土類蓚酸塩沈殿物を調製する。前記沈殿物を純水で洗浄し、続いて、濾別した後、大気中で、850℃〜1100℃、例えば約1000℃で焼成し、複合希土類酸化物を得る。このようにして得られる複合希土類酸化物は、Ln元素等の他の元素とCe等の希土類元素が調合比率でほぼ均一に分布した原料となる。
Ln源、Ce源、Tb源及びM源を混合する手法は特に制限はないが、例としては、次のような、乾式法及び湿式法が挙げられる。
(1)乾式法:ハンマーミル、ロールミル、ボールミル、ジェットミル等の乾式粉砕機を用いて上記の原料化合物を粉砕した後、リボンブレンダー、V型ブレンダー、ヘンシェルミキサー等の混合機により混合する。又は、上記の原料化合物を混合した後、乾式粉砕機を用いて粉砕する。
(2)湿式法:水等の媒体中に上記の原料化合物を加え、媒体攪拌式粉砕機等の湿式粉砕機を用いて粉砕及び混合する。又は、上記の原料化合物を乾式粉砕機により粉砕した後、水等の媒体中に加えて混合することにより調製されたスラリーを、噴霧乾燥等により乾燥させる。
焼成工程は、通常、上述の混合工程により得られたLn源、Ce源、Tb源及びM源等の原料の混合物を、各原料と反応性の低い材料(アルミナや石英等)の坩堝やトレイ等の耐熱容器中に入れ、加熱することにより行なう。
焼成工程においては、良好な結晶を成長させる観点から、反応系にフラックスを共存させることが好ましい。フラックスの種類は特に制限されないが、例としてはNH4Cl、LiCl、NaCl、KCl、CsCl、CaCl2、BaCl2、SrCl2等の塩化物、LiF、NaF、KF、CsF、CaF2、BaF2、SrF2、AlF3等のフッ化物などが挙げられる。中でも、BaF2、AlF3が好ましい。フラックスの使用量は、原料の種類やフラックスの材料等によっても異なるが、原料の全重量に対して通常0.01重量%以上、さらには0.1重量%以上、また、通常20重量%以下、さらには10重量%以下の範囲が好ましい。フラックスの使用量が少な過ぎると、フラックスの効果が現れず、フラックスの使用量が多過ぎると、フラックス効果が飽和したり、母体結晶に取り込まれて発光色を変化させたり、輝度低下を引き起こす場合がある。
上述の焼成工程後、必要に応じて、洗浄、分散処理、乾燥、分級等がなされる。特に、本発明においては、焼成により得られた焼成物を酸で洗浄することを特徴とする。また、得られた蛍光体を後述するように分散媒体中に分散させる場合には、必要に応じて公知の表面処理を施すこともできる。
このような酸洗浄を行うことにより未反応物、副成物、融剤を溶解し、分別除去できる。この酸洗浄に用いる酸水溶液の濃度が4mol/lを超えると蛍光体表面を溶解するおそれがあるため、好ましくなく、0.5mol/l未満では洗浄効果が小さいため好ましくない。
本発明の蛍光体は、発光の安定性及び輝度に優れているという特性を生かして、蛍光体含有組成物、各種の発光装置(後述する「本発明の発光装置」)、画像表示装置、及び照明装置等に好適に用いることができる。黄色系蛍光体である本発明の蛍光体に、第1の発光体として青色発光の半導体発光素子等を組み合わせれば、発光強度の高い白色発光装置を実現することができる。
本発明の蛍光体を発光装置等の用途に使用する場合には、これを液体媒体中に分散させた形態で用いることが好ましい。本発明の蛍光体を液体媒体中に分散させたものを、適宜「本発明の蛍光体含有組成物」と呼ぶものとする。
次に、本発明の発光装置について説明する。
本発明の発光装置は、紫外光から可視光の範囲の光を発光する第1の発光体と、この第1の発光体からの光の少なくとも一部を波長変換して第1の発光体の光よりも長波長領域の光を発光する第2の発光体とを、少なくとも備えて構成される。本発明の発光装置は、第2の発光体として前述の本発明の蛍光体を含むことを特徴とする。
本発明の発光装置における第1の発光体は、後述する第2の発光体を励起する光を発光するものである。第1の発光体の発光波長は、後述する第2の発光体の吸収波長と重複するものであれば、特に制限されず、幅広い発光波長領域の発光体を使用することができる。通常は、紫色領域から青色領域までの発光波長を有する発光体が使用され、具体的数値としては、通常420nm以上、好ましくは430nm以上、また、通常500nm以下、好ましくは490nm以下の発光波長を有する発光体が使用される。
本発明の発光装置における第2の発光体は、上述した第1の発光体からの光の照射によって可視光を発する波長変換材料を含むものである。第2の発光体は、本発明の蛍光体(黄色系蛍光体)を含有することを特徴とし、その用途等に応じて適宜、後述するように任意の組成又は色の蛍光体を含有させることもできる。
緑色蛍光体としては、具体的にCa3Sc2Si3O12:Ce3+、(Sr、Ca、Mg)Ga2S4:Euや、ZnS:Cu、Al等が挙げられる。赤色蛍光体としては、具体的に(Ca、Sr)S:Eu、CaAlSiN3:Eu2+等が挙げられる。さらに、反射剤、拡散剤としてBaSO4、MgO、CaHPO4などの白色物質を本発明の蛍光体と組み合わせて、使用することができる。
本発明の発光装置は、上述の第1の発光体及び第2の発光体を備えていれば、そのほかの構成は特に制限されないが、通常は、適当なフレーム上に上述の第1の発光体及び第2の発光体を配置してなる。この際、第1の発光体の発光によって第2の発光体が励起されて発光を生じ、且つ、この第1の発光体の発光及び/又は第2の発光体の発光が、外部に取り出されるように配置されることになる。
以下、本発明の発光装置について、具体的な実施の形態を挙げて、より詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
〈励起スペクトル〉
日立製作所製F−4500形分光蛍光光度計を用いて測定した。励起波長を変化させながら、実施例及び比較例で製造した蛍光体の発光スペクトルのピーク波長における発光強度をモニターした。励起側スリット/蛍光側スリットは、2.5nm/10.0nmで測定した。
また、測定した励起スペクトルから、励起スペクトルの半値幅を求めた。
分光蛍光光度計(日立製「F4500」)を使用して、蛍光体の発光ピーク波長に対する励起スペクトルを測定した。励起波長1nm間隔での発光強度の変化率を次式で求め、波長420nm〜480nmにおける発光強度の変化率の平均値で励起波長依存性を示した。
発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2
日本分光社製蛍光測定装置において、励起光源として150Wキセノンランプを用いた。キセノンランプの光を焦点距離10cmの回折格子分光器に通し、450nm〜475nmの光のみを光ファイバーを通じて蛍光体に照射した。励起光の照射により発生した光を焦点距離25cmの回折格子分光器により分光し、浜松フォトニクス社製マルチチャンネルCCD検出器「C7041」によって300nm〜800nmの各波長の発光強度を測定した。続いて、パーソナルコンピュータによる感度補正等の信号処理を経て発光スペクトルを得た。
この発光スペクトルの480nm〜800nmの波長領域のデータから、JIS Z8701で規定されるXYZ表色系における色度座標xとyを算出した。
また、JIS Z8724に準拠して算出したXYZ表色系における刺激値Yから、後述する比較例4における蛍光体の刺激値Yの値を100%とした相対輝度を算出した。
尚、色度及び輝度は、励起青色光をカットして測定した。
測定前に、超音波分散器((株)カイジョ製)を用いて周波数を19KHz、超音波の強さを5Wとし、25秒間試料を超音波で分散させた。なお、分散液には、再凝集を防止するため界面活性剤を微量添加した。
重量平均メジアン径D50の測定においては、レーザー回折/散乱式粒度分布測定装置(堀場製作所製)を使用した。
前述の重量平均メジアン径D50の場合と同様に試料を分散させた後、フロー式粒子像分析装置(シスメックス製「FPIA−2100」)を用いて測定した。
白金ルツボ中で、強酸を用いて試料を完全に溶解し、ジョバイボン社製ICP化学分析装置「JY 38S」を使用して分析した。
蛍光体の粉末を内径10mmのセルにつめ、1mm厚の合成石英板を介して、色彩色差計(ミノルタ製「CR−300」)により標準光D65照射モードで色彩測定をすることにより、L*、a*、b*を求めた。
分光光度計として、大塚電子株式会社製「MCPD2000」を1インチ積分球と組み合わせて使用し、前述の方法で求めた。
後述するように、図1に示す構成の発光装置を作成し、オーシャンフォトニクス社製スペクトロメーターと1インチ積分球を組み合わせて測定した。
第1の発光体4としては、波長453nm又は463nmの光を発生するLEDを用い、エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)社製エピコート(登録商標)828EX)と硬化剤を1:1で混合した封止材料中に、蛍光体を5重量%の割合で混合して蛍光体スラリー(蛍光体含有組成物)を作製した。得られた蛍光体スラリーをマウントリード2の上部の凹部に注入し、硬化させ、蛍光体含有部5を形成した。
実施例及び比較例の全光束の値は、白色(色温度7000K,x=0.31±0.03)になるように励起波長及び蛍光体の塗布量を調整してLEDを作製した際のデータである。蛍光体の使用量は、砲弾型のLED1個あたり、0.02mg〜0.1mgとした。なお、蛍光体の粒径が大きい場合は、蛍光体粒子の沈降沈積を防ぐため、シリカ系増粘剤(比表面積150〜300m2/g、アエロジル)を添加した。作製した発光装置は、室温(約24℃)において、20mAで駆動した。結果は、比較例1の場合の全光束を100とし、相対値で示した。
以下の実施例1〜19で使用した本発明の蛍光体のQD値は、0.19〜0.2の範囲であった。
次の原料化合物を表1に示す仕込み量に秤量した。
酸化イットリウム Y2O3(信越化学工業社製 純度99.99%)
酸化セリウム CeO2(信越化学工業社製 純度99.99%)
酸化テルビウム Tb4O7(信越化学工業社製 純度99.99%)
酸化アルミニウム Al2O3(αタイプ、住友化学工業社製 純度99.99%)
フッ化バリウム BaF2(関東化学社製)
実施例1及び比較例4における励起スペクトルは図19に示す通りである。
原料仕込み量を表2に記載したように、α−Al2O3を化学量論組成の調合したこと、焼成条件を4体積%水素含有窒素−水素混合気流中、常圧で1400℃、2時間としたこと以外は、実施例1〜4と同様に蛍光体を製造し、同様に評価を行って、結果を表2に示した。
なお、比較例4のGd源原料化合物としては、酸化ガドリニウムGd2O3(信越化学工業社製 純度99.99%)を用いた。
得られた蛍光体は、メジアン径D50がいずれも10μm以下であった。また、同一量の付活剤を含む実施例1〜4と、比較例4を比較すると、比較例4は、輝度、及び全光束が低い。
原料仕込み量を表3に記載したようにしたこと、焼成条件を4体積%水素含有窒素−水素混合気流中、常圧で1550℃、2時間としたこと以外は、実施例1〜4と同様に蛍光体を製造し、同様に評価を行って、結果を表3に示した。
なお、実施例6〜11のLu源原料化合物としては、酸化ルテチウムLu2O3(信越化学工業社製 純度99.99%)を用いた。
実施例5〜11から、YをLuに置換することで、蛍光体の発光が短波長化していること、Lu2O3を最適量加えると、輝度及び全光束が向上することが分かる。また、Lu2O3を原料仕込み組成比で0.6以上とすると、メジアン径D50が小さくなる傾向にあり、発光波長はわずかに短波長化する。
原料仕込み量を表4に記載したようにしたこと、焼成条件を4体積%水素含有窒素−水素混合気流中、常圧で1550℃、2時間としたこと以外は、実施例1〜4と同様に蛍光体を製造し、同様に評価を行って結果を表4に示した。
実施例12〜15は、Ceの量を変化させたものである。Ce量を減少させると共に蛍光体の発光波長が短波長側に、また、b*が小さくなり、物体色が淡黄色に変化していることが分かる。
また、発光波長が短波長である実施例12〜15の蛍光体の励起波長としては、より白色に近づくことから、465nmよりも453nmが好ましいことも分かる。
原料仕込み量を表5に記載したようにしたこと、焼成条件を4体積%水素含有窒素−水素混合気流中、常圧で1550℃、2時間としたこと以外は、実施例1〜4と同様に蛍光体を製造し、同様に評価を行って、結果を表5に示した。
なお、実施例17〜19のGa源としては、酸化ガリウムGa2O3(三井金属社製 純度99.99%)を用い、実施例19のLu源としては、酸化ルテチウムLu2O3(信越化学工業社製 純度99.99%)を用いた。
実施例16〜19から、AlをGaに置換することで、蛍光体の発光ピークが短波長化することが分かる。
2;マウントリード
3;インナーリード
4;第1の発光体
5;蛍光体含有部(第2の発光体)
6;導電性ワイヤー
7;モールド部材
8;面発光照明装置
9;拡散板
10;保持ケース
11;第2の発光体
12;第1の発光体
13;基板
Claims (21)
- 下記一般式[1]で表される化学組成の結晶相を含有し、かつ、波長420nm〜480nmの範囲にピークを有する光で励起した時の下記式[2]で算出される発光強度の変化率の平均値が、1.3以下であることを特徴とする蛍光体。
(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]
(但し、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、MはAl、Ga及びInよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。a、bは、それぞれ0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5を満足する数である。)
発光強度の変化率=[(I(λ+1)−I(λ))/I(λ)]2 …[2]
(但し、I(λ)は励起波長λnmにおける蛍光体の発光強度であり、I(λ+1)は励起波長(λ+1)nmにおける蛍光体の発光強度である。) - 請求項1において、前記発光強度の変化率の平均値が1.1以下であることを特徴とする蛍光体。
- 請求項1又は2において、重量平均メジアン径D50が10μm以上であることを特徴とする蛍光体。
- 請求項3において、重量平均メジアン径D50が14μm以上であることを特徴とする蛍光体。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、前記一般式[1]のLnとして少なくともYを含み、かつ、Mとして少なくともAlを含むことを特徴とする蛍光体。
- 請求項1ないし5のいずれか1項において、前記一般式のa,bがそれぞれ0.02≦a≦0.15、0.02<b≦0.5であることを特徴とする蛍光体。
- 請求項5又は6において、前記一般式[1]のLnとして少なくともYとLuを含むことを特徴とする蛍光体。
- 請求項7において、Luの組成比が0.03〜1であることを特徴とする蛍光体。
(但し、Luの組成比とは、前記一般式[1]を下記一般式[1A]で表したときのqに相当する。
YpLuqCe3aTb3bM5O12 …[1A]
(上記[1A]式中、M,a,bは一般式[1]におけると同義であり、p,qはそれぞれY,Luの組成を示し、YpLuq=Ln3-3a-3bである。)) - 請求項5ないし8のいずれか1項において、前記一般式[1]のMとして少なくともAlとGaを含むことを特徴とする蛍光体。
- 請求項9において、Gaの組成比が0.2〜3であることを特徴とする蛍光体。
(但し、Gaの組成比とは、前記一般式[1]を下記一般式[1B]で表したときのrに相当する。
(Ln1-a-bCeaTbb)3M'5-rGarO12 …[1B]
(上記[1B]式中、Ln,a,bは一般式[1]におけると同義であり、M’はGa以外のM(Mは一般式[1]におけると同義である。)を表し、M'5-rGar=M5である。)) - 請求項1ないし10のいずれか1項において、平均円形度が0.86以上であることを特徴とする蛍光体。
- 請求項1ないし11のいずれか1項において、物体色がL*、a*、b*表色系においてL*≧90、a*≦−7、b*≧55を満足することを特徴とする蛍光体。
- 物体色がL*、a*、b*表色系においてL*≧90、a*≦−7、b*≧55を満足し、下記一般式[1]で表される化学組成の結晶相を含有し、メジアン径D50が15μm以上であることを特徴とする蛍光体。
(Ln1-a-bCeaTbb)3M5O12 …[1]
(但し、LnはY、Gd、Sc、Lu及びLaよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、MはAl、Ga及びInよりなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を示す。a、bは、それぞれ0.001≦a≦0.3、0≦b≦0.5を満足する数である。) - 請求項13において、平均円形度が0.86以上であることを特徴とする蛍光体。
- 各構成元素を含む原料化合物を混合した後焼成して請求項1ないし14のいずれか1項に記載の蛍光体を製造する方法であって、原料化合物の仕込みモル比を(5/3)<(M/(Ln1-a-bCeaTbb)とし、焼成により得られた焼成物を酸洗浄することを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項15において、前記一般式[1]のMとして少なくともAlを含み、かつ、Al源としてα−アルミナを用いることを特徴とする蛍光体の製造方法。
- 請求項1ないし14のいずれか1項に記載の蛍光体と液体媒体とを含むことを特徴とする蛍光体含有組成物。
- 紫外光から可視光の範囲の光を発光する第1の発光体と、該第1の発光体からの光の少なくとも一部を波長変換し、該第1の発光体の光よりも長波長領域の光を発光する第2の発光体とを有する発光装置において、該第2の発光体が請求項1ないし14のいずれか1項に記載の蛍光体を含むことを特徴とする発光装置。
- 請求項18において、前記第1の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする発光装置。
- 請求項18又は19に記載の発光装置を光源とすることを特徴とする画像表示装置。
- 請求項18又は19に記載の発光装置を光源とすることを特徴とする照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006046954A JP4325629B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-23 | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005053676 | 2005-02-28 | ||
JP2006046954A JP4325629B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-23 | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008194443A Division JP4325733B2 (ja) | 2005-02-28 | 2008-07-29 | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006265542A true JP2006265542A (ja) | 2006-10-05 |
JP2006265542A5 JP2006265542A5 (ja) | 2008-09-11 |
JP4325629B2 JP4325629B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=37201825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006046954A Expired - Fee Related JP4325629B2 (ja) | 2005-02-28 | 2006-02-23 | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4325629B2 (ja) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008169348A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 蛍光体複合材料 |
JP2009079094A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いたledランプ |
WO2009099211A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体 |
JP2010509414A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ジェネラル リサーチ インスティテュート フォア ノンフェラス メタルス ベイジン | 二価金属元素を含有するアルミン酸塩蛍光体、その製造方法、及び該蛍光体を組み込んだ発光デバイス |
JP2010163555A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Nichia Corp | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにこれを用いた発光装置 |
JP2012017454A (ja) * | 2010-06-09 | 2012-01-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 蛍光粒子及び発光ダイオード並びにこれらを用いた照明装置及び液晶パネル用バックライト装置 |
WO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社光波 | 発光装置 |
US8487330B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and LED light-emitting device using the same |
JP2013529244A (ja) * | 2010-05-22 | 2013-07-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質 |
JP2013535531A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-09-12 | インテマティックス・コーポレーション | 一般用途及びバックライト照明用途の緑色放出ガーネット系蛍光体 |
US8877094B2 (en) | 2006-10-20 | 2014-11-04 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
JP2014531760A (ja) * | 2011-09-20 | 2014-11-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、および複数のそのような部品を有するモジュール |
JP2015045008A (ja) * | 2011-03-08 | 2015-03-12 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | ハロゲン化アルミネートに基づく黄緑色〜黄色発光蛍光体 |
JP2015091915A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | 三菱化学株式会社 | 発光装置、及び波長変換部材 |
WO2015099145A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 国立大学法人京都大学 | 蛍光体、及び蛍光体の製造方法 |
US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
JP2015183084A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 三菱化学株式会社 | 紫光励起用蛍光体、該蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、該発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置 |
US9428690B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-08-30 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
JPWO2014061393A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2016-09-05 | デンカ株式会社 | 蛍光体、発光装置及び照明装置 |
JP2017008162A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 国立大学法人北海道大学 | Yag系蛍光体およびその製造方法 |
KR20180016529A (ko) | 2015-06-12 | 2018-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 형광체 및 그 제조 방법, 그리고 led 램프 |
JP2020100703A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法、希土類アルミン酸塩蛍光体及び発光装置 |
-
2006
- 2006-02-23 JP JP2006046954A patent/JP4325629B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9428690B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-08-30 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
US9023242B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-05-05 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US9359550B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-06-07 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
US10190047B2 (en) | 2006-10-20 | 2019-01-29 | Intematix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US8877094B2 (en) | 2006-10-20 | 2014-11-04 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates |
US9458378B2 (en) | 2006-10-20 | 2016-10-04 | Intermatix Corporation | Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications |
US9120975B2 (en) | 2006-10-20 | 2015-09-01 | Intematix Corporation | Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates |
JP2010509414A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ジェネラル リサーチ インスティテュート フォア ノンフェラス メタルス ベイジン | 二価金属元素を含有するアルミン酸塩蛍光体、その製造方法、及び該蛍光体を組み込んだ発光デバイス |
JP2008169348A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 蛍光体複合材料 |
JP2009079094A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 蛍光体およびそれを用いたledランプ |
US8487330B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and LED light-emitting device using the same |
US9660149B2 (en) | 2007-12-07 | 2017-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and LED light emitting device using the same |
US9169436B2 (en) | 2007-12-07 | 2015-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and LED light emitting device using the same |
EP3045965A1 (en) | 2008-02-07 | 2016-07-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Red emitting fluoride phosphor activated by mn4+ |
WO2009099211A1 (ja) | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Mitsubishi Chemical Corporation | 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体 |
JP2010163555A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Nichia Corp | 蛍光体の製造方法及び蛍光体並びにこれを用いた発光装置 |
JP2013529244A (ja) * | 2010-05-22 | 2013-07-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光物質 |
KR101769175B1 (ko) * | 2010-05-22 | 2017-08-17 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 발광성 물질 |
JP2013127076A (ja) * | 2010-06-09 | 2013-06-27 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 蛍光粒子の製造方法 |
JP2012017454A (ja) * | 2010-06-09 | 2012-01-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 蛍光粒子及び発光ダイオード並びにこれらを用いた照明装置及び液晶パネル用バックライト装置 |
KR101761421B1 (ko) | 2010-06-09 | 2017-07-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 형광 입자 및 발광 다이오드 및 이들을 이용한 조명 장치 및 액정 패널용 백 라이트 장치 |
JP2013535531A (ja) * | 2010-07-14 | 2013-09-12 | インテマティックス・コーポレーション | 一般用途及びバックライト照明用途の緑色放出ガーネット系蛍光体 |
US9112123B2 (en) | 2010-10-29 | 2015-08-18 | National Institute For Materials Science | Light-emitting device |
JPWO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-05-12 | 株式会社光波 | 発光装置 |
WO2012057330A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社光波 | 発光装置 |
JP2015045008A (ja) * | 2011-03-08 | 2015-03-12 | インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation | ハロゲン化アルミネートに基づく黄緑色〜黄色発光蛍光体 |
US9362438B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-06-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and module with a plurality of such components |
JP2014531760A (ja) * | 2011-09-20 | 2014-11-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス半導体部品、および複数のそのような部品を有するモジュール |
JPWO2014061393A1 (ja) * | 2012-10-16 | 2016-09-05 | デンカ株式会社 | 蛍光体、発光装置及び照明装置 |
JP2015091915A (ja) * | 2013-10-04 | 2015-05-14 | 三菱化学株式会社 | 発光装置、及び波長変換部材 |
JPWO2015099145A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-03-23 | 国立大学法人京都大学 | 蛍光体、及び蛍光体の製造方法 |
WO2015099145A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 国立大学法人京都大学 | 蛍光体、及び蛍光体の製造方法 |
JP2015183084A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 三菱化学株式会社 | 紫光励起用蛍光体、該蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、該発光装置を用いた照明装置及び画像表示装置 |
KR20180016529A (ko) | 2015-06-12 | 2018-02-14 | 가부시끼가이샤 도시바 | 형광체 및 그 제조 방법, 그리고 led 램프 |
US11005010B2 (en) | 2015-06-12 | 2021-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and method of manufacturing same, and LED lamp |
JP2017008162A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 国立大学法人北海道大学 | Yag系蛍光体およびその製造方法 |
JP2020100703A (ja) * | 2018-12-20 | 2020-07-02 | 日亜化学工業株式会社 | 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法、希土類アルミン酸塩蛍光体及び発光装置 |
JP7148797B2 (ja) | 2018-12-20 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 希土類アルミン酸塩蛍光体の製造方法、希土類アルミン酸塩蛍光体及び発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4325629B2 (ja) | 2009-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4325733B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 | |
JP4325629B2 (ja) | 蛍光体及びその製造方法並びにそれを使用した発光装置 | |
JP2006265542A5 (ja) | ||
US7329371B2 (en) | Red phosphor for LED based lighting | |
TWI403570B (zh) | 螢光體與其製造方法,含螢光體組成物,發光裝置及其用途 | |
CN103003390B (zh) | 氧氮化物磷光体、制备方法及发光仪器 | |
TWI394817B (zh) | 白色發光裝置 | |
US7332106B2 (en) | Light-emitting device and phosphor | |
US7439668B2 (en) | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality | |
US20060284196A1 (en) | Red garnet phosphors for use in LEDs | |
JP2004356635A (ja) | 変換型led | |
WO2007120216A2 (en) | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications | |
US8440104B2 (en) | Kimzeyite garnet phosphors | |
JP2004300247A (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置、並びに照明装置 | |
JP2008050493A (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
JP4916651B2 (ja) | 発光装置及び蛍光体 | |
JP2009188274A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP4951888B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
JP4972904B2 (ja) | 蛍光体、その蛍光体の製造方法、その蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 | |
JP2010196049A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 | |
JP4098354B2 (ja) | 白色発光装置 | |
JP4661419B2 (ja) | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 | |
JP2019081894A (ja) | 希土類アルミン酸塩蛍光体及びその製造方法 | |
WO2023139823A1 (ja) | 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 | |
WO2023139824A1 (ja) | 蛍光体、発光装置、照明装置、画像表示装置及び車両用表示灯 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090210 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090410 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090519 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090601 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |