WO2015083343A1 - 圧力式流量制御装置 - Google Patents

圧力式流量制御装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015083343A1
WO2015083343A1 PCT/JP2014/005885 JP2014005885W WO2015083343A1 WO 2015083343 A1 WO2015083343 A1 WO 2015083343A1 JP 2014005885 W JP2014005885 W JP 2014005885W WO 2015083343 A1 WO2015083343 A1 WO 2015083343A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pressure
control valve
control device
type flow
pressure detection
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/005885
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
廣瀬 隆
俊英 吉田
松本 篤諮
薫 平田
池田 信一
西野 功二
土肥 亮介
勝幸 杉田
Original Assignee
株式会社フジキン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジキン filed Critical 株式会社フジキン
Priority to KR1020187026983A priority Critical patent/KR102087645B1/ko
Priority to DE112014005572.7T priority patent/DE112014005572T5/de
Priority to US15/034,002 priority patent/US10372145B2/en
Priority to CN201480049537.5A priority patent/CN105556411A/zh
Priority to KR1020167003232A priority patent/KR101902855B1/ko
Publication of WO2015083343A1 publication Critical patent/WO2015083343A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00Construction of housing; Use of materials therefor
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/004Actuating devices; Operating means; Releasing devices actuated by piezoelectric means
    • F16K31/007Piezoelectric stacks
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K7/00Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
    • F16K7/12Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
    • F16K7/14Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm arranged to be deformed against a flat seat
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Definitions

  • the present invention relates to an improvement of a pressure-type flow rate control device, and in particular, a pressure-type flow rate which has greatly improved the operating performance of a raw material gas supply device for a semiconductor manufacturing device, etc., by increasing the response at the time of start-up.
  • the present invention relates to a control device.
  • the pressure type flow rate control device FCS includes a pressure control valve CV, a temperature detector T, a pressure sensor P, an orifice OL, a temperature correction / flow rate calculation circuit CDa, and a comparison circuit CDb.
  • arithmetic control unit CD composed of a circuit CDc, an output circuit CDd, etc., it has excellent flow rate characteristics such that stable flow rate control can be performed even if the primary side supply pressure fluctuates greatly.
  • detected values from the pressure sensor P and the temperature detector T are input to the temperature correction / flow rate calculation circuit CDa, where temperature correction and flow rate calculation of the detected pressure are performed.
  • the flow rate calculation value Qt is input to the comparison circuit CDb.
  • An input signal Q S corresponding to the set flow rate is input from the terminal In and input to the comparison circuit CDb via the input / output circuit CDc, where it is compared with the flow rate calculation value Qt from the temperature correction / flow rate calculation circuit CDa.
  • the control signal Pd is output to the drive portion of the control valve CV.
  • the control valve CV is driven in the closing direction, and is driven in the closing direction until the difference (Qs ⁇ Qt) between the set flow rate input signal Qs and the calculated flow rate value Qt becomes zero.
  • a pressure type flow control device that calculates as ⁇ P 2 ) n (where K, m, and n are constants) may be referred to as an FCS-WR type.
  • an orifice mechanism in which a plurality of orifices OL are connected in parallel and gas is allowed to flow to at least one orifice by a switching valve, for example, two
  • the orifice mechanism of the FCS-N type is an orifice mechanism that can change the flow rate control range by connecting the orifices in parallel and providing a switching valve on the inlet side of one orifice to open or close it.
  • FCS-SN type used
  • FCS-SWR type using the same orifice mechanism as the FCS-WR type orifice.
  • the pressure type flow rate control device FCS is a pressure type flow rate control device FCS (hereinafter referred to as FCS-N type) for a gas fluid under critical conditions having a configuration as shown in FIG. JP-A-8-338546, etc.), FCS-WR type (JP-A-2003-195948, etc.) for both gas fluids under the critical and non-critical conditions of (b), and the critical conditions of (c) Flow rate switching type FCS-S type for the lower gas fluid (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-330851 etc.), and (d) flow rate switching type for both gas fluids under critical and non-critical conditions FCS-SWR type (International Publication WO2009 / 141947 pamphlet, etc.) exists.
  • FCS-N type a pressure type flow rate control device FCS for a gas fluid under critical conditions having a configuration as shown in FIG. JP-A-8-338546, etc.
  • FCS-WR type JP-A-2003-195948,
  • P 1 and P 2 are pressure sensors
  • CV is a control valve
  • OL is an orifice
  • OL 1 is a small-diameter orifice
  • OL 2 is a large-diameter orifice
  • ORV is an orifice switching valve.
  • FIG. 8 is a sectional view showing a conventional pressure type flow rate control device (FCS-WR type).
  • 5A is a main body
  • 2 is a fluid inlet
  • CV is a control valve for pressure control
  • P1 and P2 are pressure sensors
  • OL is The orifice 3 is a fluid outlet.
  • this type of pressure type flow control device FCS uses an orifice OL with a minute hole diameter, so that the gas replacement property is poor, and the pressure control valve CV of the pressure type flow control device FCS is closed.
  • the output side is opened, it takes a lot of time to discharge the gas in the space between the control valve CV and the orifice OL, and there is a problem that the so-called gas fall response is extremely poor.
  • FIG. 9 shows an example of the fall response characteristic at the time of the continuous step of the conventional pressure type flow rate control device FCS-N type.
  • the pneumatic operation valve (not shown) downstream of the orifice OL is opened and fixed.
  • the flow rate for a small flow rate is lower than that for a high flow rate pressure flow control device (line A).
  • line B In the case of this pressure type flow rate control device (line B), it takes 1.5 seconds or more to lower the flow rate to a predetermined flow rate.
  • the flow rate is reduced to about 1% and 100% to 4%.
  • a semiconductor manufacturing apparatus for example, an etcher is required to reduce the flow rate from 100% to 1% within a time of one second or less.
  • FCS-S type and the FCS-SWR type when the downstream pressure of the orifice OL 1 is 100 Torr and the flow rate is lowered from 100% to 10% and from 100% to 0.16%, about 1. Although 2 seconds or more are required, a semiconductor manufacturing apparatus (for example, an etcher) is required to reduce the flow rate from 100% to 10% within a time of 1.2 seconds or less.
  • a semiconductor manufacturing apparatus for example, an etcher
  • the present invention improves the fall response in the flow control, that is, further reduces the fall time in the flow control, in order to improve the above-mentioned problems in the conventional pressure type flow control device.
  • the main object is to provide a pressure-type flow control device.
  • a pressure-type flow control device includes a main body provided with a fluid passage communicating between a fluid inlet and a fluid outlet, and a pressure fixed to the main body to open and close the fluid passage.
  • a pressure sensor for detecting the pressure, and the fluid passage includes a first passage portion connecting the control valve for pressure control and a pressure detection chamber on a pressure detection surface of the pressure sensor, and the first passage portion
  • a second passage portion that is spaced apart and connects the pressure detection chamber and the orifice is provided so as to pass through the pressure detection chamber.
  • the pressure sensor is disposed below the pressure control control valve, and the first passage portion is configured to hang from the pressure control control valve to the pressure detection chamber.
  • the pressure control control valve includes a metal diaphragm valve body, and the first passage portion is configured to hang down from a central portion of the metal diaphragm valve body of the pressure control control valve. .
  • the first passage portion is connected to an end portion of the pressure detection chamber.
  • the second passage portion is connected to an end portion of the pressure detection chamber.
  • the second passage portion is connected to an end portion of the pressure detection chamber opposite to the first passage portion.
  • the pressure type flow control device includes a main body provided with a fluid passage communicating between a fluid inlet and a fluid outlet, a pressure control valve that is fixed to the main body and opens and closes the fluid passage, An orifice interposed in the fluid passage on the downstream side of the pressure control control valve, and a pressure sensor fixed to the main body and detecting an internal pressure of the fluid passage between the pressure control control valve and the orifice;
  • the pressure sensor is disposed below the pressure control control valve, and the fluid passage extends from the pressure control control valve to a pressure detection chamber on a pressure detection surface of the pressure sensor.
  • a third passage portion connecting the first passage portion and the orifice.
  • the pressure sensor is inserted into a recess formed on the bottom surface of the main body via a ring gasket, and the pressure detection chamber is surrounded by an inner bottom surface of the recess, the ring gasket, and a pressure detection surface of the pressure sensor.
  • the ring gasket is preferably formed such that the seal surfaces on both sides are biased toward the inner peripheral surface.
  • the ring gasket includes a sealing surface on both sides, an inner circumferential surface, an outer circumferential surface, an inner tapered surface between the inner circumferential surface and both sealing surfaces, and an outer taper between the outer circumferential surface and both sealing surfaces. It is preferable that an inner tapered surface is formed smaller than the outer tapered surface.
  • the pressure type flow control device includes a main body provided with a fluid passage communicating between a fluid inlet and a fluid outlet, a pressure control valve that is fixed to the main body and opens and closes the fluid passage, A pressure sensor that is fixed to the main body and detects an internal pressure of the fluid passage on the downstream side of the control valve for pressure control; and an orifice interposed in the fluid passage on the downstream side of the pressure sensor, the pressure sensor Is inserted into a recess formed on the bottom surface of the main body via a ring gasket, and the pressure detection chamber is surrounded by an inner bottom surface of the recess, the ring gasket, and a pressure detection surface of the pressure sensor,
  • the ring gasket is preferably formed such that the seal surfaces on both sides are biased toward the inner peripheral surface.
  • the distance between the inner bottom surface of the recess and the pressure detection surface is preferably 0.13 to 0.30 mm.
  • the fluid passage is configured to pass through the pressure detection chamber, the internal volume of the fluid passage between the pressure control control valve and the orifice can be reduced as compared with the prior art, As a result, the fall characteristic can be improved.
  • a pressure sensor is disposed below the pressure control control valve, and a fluid passage (first flow path portion) connecting them is suspended from the pressure control control valve to the pressure detection chamber, so that the shortest distance between the two is achieved. Therefore, the internal volume of the fluid passage between the pressure control control valve and the orifice can be reduced.
  • first flow path part and the second flow path part are provided at the end of the pressure detection chamber, so that the pressure detection chamber used as a fluid passage can be efficiently used, and the pressure control control valve and the orifice It can contribute to the reduction of the internal volume of the fluid passage between them.
  • the ring gasket that defines the height dimension of the pressure detection chamber has a cross-sectional shape with the seal surface biased toward the inner peripheral surface, so that the area of the seal surface required to ensure sealing performance is maintained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a pressure type flow control device according to the present invention. It is an enlarged view of the part enclosed with the dashed-dotted line circle of FIG. It is an expanded sectional view of the ring gasket with which the pressure type flow control device of Drawing 1 is equipped. It is a graph which shows the pressure drop time (fall time) of the pressure type flow control apparatus which concerns on this invention, and the conventional pressure type flow control apparatus. It is sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the pressure type flow control apparatus which concerns on this invention. It is a basic block diagram which shows the conventional pressure type flow control apparatus. It is a schematic block diagram which shows the conventional pressure type flow volume control apparatus of various types.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a first embodiment of a pressure type flow rate control device according to the present invention
  • FIG. 2 shows an enlarged view of a portion surrounded by a dashed line circle in FIG.
  • the pressure type flow control device 1 includes a main body 5 provided with a fluid passage 4 communicating between a fluid inlet 2 and a fluid outlet 3, and a pressure control valve CV that is fixed to the main body 5 and opens and closes the fluid passage 4.
  • the orifice OL interposed in the fluid passage 4 on the downstream side of the pressure control valve CV, and the pressure that is fixed to the main body 5 and detects the internal pressure of the fluid passage 4 between the pressure control valve CV and the orifice OL.
  • the fluid passage 4 includes a first passage portion 4a that connects the control valve CV for pressure control and the pressure detection chamber 4b on the pressure detection surface P1a (FIG. 2) of the pressure sensor P1, and a first passage portion 4a.
  • the fluid passage 4 is configured to pass through the pressure detection chamber by being provided with the second passage portion 4c that is separated from the passage portion 4a and connects the pressure detection chamber 4b and the orifice OL.
  • the pressure type flow rate control device 1 of the first embodiment shown in FIG. 1 is the aforementioned so-called FCS-WR type, and is equipped with a second pressure sensor P2 for detecting the internal pressure of the fluid passage 4 on the downstream side of the orifice OL.
  • a second pressure sensor P2 for detecting the internal pressure of the fluid passage 4 on the downstream side of the orifice OL.
  • 10 is a control board in which electronic components are mounted on a printed wiring board
  • 11 is a casing
  • 12 is a connector for connection.
  • the main body 5 is integrated by connecting the inlet side block 5a, the main body block 5b, and the outlet side block 5c with bolts.
  • a fluid inlet 2 is formed in the inlet side block 5a.
  • a metal gasket 13 is interposed at a connecting portion of the fluid passage 4 between the inlet side block 5a and the main body block 5b.
  • an orifice plate in which an orifice OL (it is not clearly shown in the drawing because it is a minute hole) is formed at the center of the connecting portion of the fluid passage 4 between the main body block 5b and the outlet side block 5c.
  • Metal gaskets 14 and 15 sandwiching 7 are interposed.
  • the fluid outlet 3 is formed in the outlet side block 5c.
  • the pressure control valve CV is an on-off valve using a known metal diaphragm valve body CVa and a piezo drive element CVb, which expands by energization of the piezo drive element CVb, and makes the cylinder CVc elastic to the elastic body CVd.
  • the valve body presser CVe moves upward, the diaphragm valve body CVa is restored to the curved shape by the self-elastic force and is separated from the valve seat 5e, and the valve is opened.
  • the valve opening is adjusted by changing the voltage applied to the piezo drive element CVb.
  • the pressure sensor P1 includes a diaphragm having a semiconductor strain gauge formed on the surface thereof, and the surface serves as a pressure detection surface (pressure receiving surface). Electric pressure changes due to a piezoresistive effect generated by deformation caused by the pressure applied to the surface. The pressure is detected by converting it into a signal.
  • the pressure sensor P1 is inserted through a ring gasket 16 into a recess 5d formed on the bottom surface of the main body block 5b, and is fixed by a presser screw 17.
  • a presser screw 17 By inserting the pressure sensor P1 into the recess 5d in this manner, the pressure detection chamber 4b surrounded by the inner bottom surface of the recess 5d, the ring gasket 16, and the pressure detection surface P1a that is the pressure receiving surface of the pressure sensor P1 is formed. ing.
  • the valve seat 5e to which the metal diaphragm valve body CVa of the control valve CV for pressure control contacts and separates is formed at the center position of the diaphragm valve body CVa.
  • the gas is allowed to flow in through a gap 4e between the outer peripheral edge of the diaphragm valve body CVa of the pressure control valve CV and the valve seat 5e, and the gas is allowed to flow out from the center of the valve seat 5e.
  • This is opposite to the fluid flow direction of the conventional pressure control valve shown in FIG. 8.
  • the diaphragm valve body CVa is closed for pressure control.
  • the internal volume of the fluid passage 4 between the control valve CV and the orifice OL can be reduced as compared with the conventional structure.
  • the pressure sensor P1 is disposed below the pressure control valve CV, and the first passage portion 4a is configured to hang from the pressure control valve CV to the pressure detection chamber 4b. Accordingly, the first passage portion 4a can connect the pressure control valve CV and the pressure detection chamber 4b with the shortest distance, and thus the internal volume of the first passage portion 4a can be reduced.
  • the first passage portion 4a preferably has a hole diameter as small as possible, for example, a diameter of 0.5 to 1.0 mm.
  • the length of the first passage portion 4a is preferably as short as possible, and the pressure sensor P1 is disposed as close as possible to the diaphragm valve body CVa. It can be shortened.
  • the first passage portion 4a and the second passage portion 4c are connected to both ends of the pressure detection chamber 4b.
  • the internal volume of the fluid passage 4 can be reduced by maximally utilizing the pressure detection chamber 4 b as the fluid passage 4. That is, since the space volume of the pressure detection chamber 4b is unavoidable, the internal volume of the fluid passage 4 can be reduced by using this as a fluid passage.
  • the diaphragm constituting the pressure receiving surface of the pressure sensor P1 is formed of stainless steel or the like, and expands at a high temperature and expands toward the inner bottom surface of the recess 5d. Therefore, it is necessary to make the depth dimension that the pressure detection chamber 4b can tolerate the thermal expansion of the diaphragm of the pressure sensor P1.
  • the diaphragm of a certain pressure sensor swells by about 0.13 mm at 100 ° C.
  • the depth dimension of the pressure detection chamber 4b that is, the distance between the inner bottom surface of the recess 5d and the pressure detection surface P1a (when not deformed) is For example, it is 0.13 to 0.30 mm.
  • the ring gasket 16 is formed of stainless steel or the like, and is subjected to mirror finishing, solution heat treatment in a vacuum furnace, and the like, and is finished with high accuracy.
  • the ring gasket 16 needs to secure a surface pressure of a certain level or more in order to ensure the sealing performance as a gasket.
  • the torque required for fixing the pressure sensor P1 also increases.
  • the sealing surface of the required area while reducing the internal volume of the pressure detection chamber P1a as much as possible and to prevent the material cost from increasing, as shown in FIG. It is formed to be biased toward the inner peripheral surface 16c.
  • the ring gasket 16 has inner tapered surfaces 16d and 16e between the inner peripheral surface 16c and the seal surfaces 16a and 16b on both sides, and an outer taper between the outer peripheral surface 16f and the seal surfaces 16a and 16b on both sides. It is smaller than the surfaces 16g and 16h.
  • the inner tapered surfaces 16d and 16e may be eliminated, and the inner peripheral surface 16c and the sealing surfaces 16a and 16b on both sides may be perpendicular.
  • the sealing surfaces 16a and 16b have a cross-sectional shape that is biased toward the inner peripheral surface 16c, the internal volume of the pressure detection chamber 4b can be reduced compared to the conventional ring gasket (see FIG. 10). it can.
  • FIG. 4 is a pressure type flow rate control device having the structure shown in FIG. 1 and a conventional type pressure type flow rate control device shown in FIG. 8, which is connected to a vacuum chamber at the fluid outlet and controls nitrogen gas at a predetermined flow rate.
  • It is the bar graph which closed the control valve for pressure control in the middle, and calculated the fall time until the flow volume became 1% from 1% from each internal volume, and compared.
  • the horizontal axis represents a flow rate range
  • the control flow rate increases toward the right
  • the vertical axis represents the fall time. From this bar graph, it can be seen that the pressure type flow rate control device of the present invention can significantly reduce the fall time compared to the conventional pressure type flow rate control device.
  • the fall time can be shortened to 1 second or less in most flow ranges.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the pressure type flow rate control apparatus according to the present invention. Constituent parts similar to those of the embodiment of FIG.
  • the pressure type flow control device 1 of the second embodiment is provided with a third passage portion 4f connected to the first passage portion 4a in place of the second passage portion 4c of the first embodiment.
  • other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • the arrangement of the pressure control control valve CV and the pressure sensor P1 and the arrangement of the first passage portion 4a are the same as those in the first embodiment, so that the fluid passage related to the fall time is provided.
  • the internal volume of 4 can be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Flow Control (AREA)

Abstract

 本発明は、流量切換時の立下げ応答時間の短縮を図り、立下げ応答特性を高めることを可能にした圧力式流量制御装置を提供する。 本発明の圧力式流量制御装置は、流体入口(2)と流体出口(3)と間を連通する流体通路(4)を設けた本体(5)と、本体(5)に固定されて流体通路(4)を開閉する圧力制御用コントロール弁(CV)と、圧力制御用コントロール弁(CV)の下流側の流体通路(4)に介在させたオリフィス(OL)と、本体(5)に固定されて圧力制御用コントロール弁(CV)とオリフィス(OL)との間の流体通路(4)の内圧を検出する圧力センサ(P1)と、を備え、流体通路(4)は、圧力制御用コントロール弁(CV)と圧力センサ(P1)の圧力検知面(P1a)上の圧力検知室(4b)とを接続する第1通路部(4a)と、第1通路部(4a)と離間して圧力検知室(4b)とオリフィス(OL)とを接続する第2通路部(4c)とを備える。

Description

圧力式流量制御装置
 本発明は、圧力式流量制御装置の改良に関するものであり、特に、立下げ時の応答性を高めることにより、半導体製造装置用等の原料ガス供給装置の作動性能を大幅に高めた圧力式流量制御装置に関する。
 従前から、半導体製造装置用等の原料ガス供給装置に於いては、供給ガスの流量制御に熱式流量制御装置や圧力式流量制御装置が広く利用されている。特に、図6に示すように、圧力式流量制御装置FCSは、圧力制御用コントロール弁CV、温度検出器T、圧力センサP、オリフィスOL、温度補正・流量演算回路CDaと比較回路CDbと入出力回路CDcと出力回路CDd等から成る演算制御部CD等から構成されており、一次側供給圧が大きく変動しても安定した流量制御が行えるという優れた流量特性を具備している。
 即ち、図6の圧力式流量制御装置FCSでは、圧力センサP及び温度検出器Tからの検出値が温度補正・流量演算回路CDaへ入力され、ここで検出圧力の温度補正と流量演算が行われ、流量演算値Qtが比較回路CDbへ入力される。また、設定流量に対応する入力信号QSが端子Inから入力され、入出力回路CDcを介して比較回路CDbへ入力され、ここで温度補正・流量演算回路CDaからの流量演算値Qtと比較される。比較の結果、設定流量入力信号Qsが流量演算値Qtより小さい場合には、コントロール弁CVの駆動部へ制御信号Pdが出力される。これによりコントロール弁CVが閉鎖方向へ駆動され、設定流量入力信号Qsと演算流量値Qtとの差(Qs-Qt)が零となるまで閉弁方向へ駆動される。
 圧力式流量制御装置FCSでは、オリフィスOLの下流側圧力Pと上流側圧力Pとの間にP/P≧約2の所謂臨界膨張条件が保持されていると、オリフィスOLを流通するガス流量QがQ=KP(但しKは定数)となり、また、臨界膨張条件が満たされていないと、オリフィスOLを流通するガス流量QがQ=KP (P-P(但しK、m、nは定数)となる。
 従って、圧力Pを制御することにより流量Qを高精度で制御することができ、しかも、コントロール弁CVの上流側ガスGoの圧力が大きく変化しても、制御流量値が殆ど変化しないという優れた特性を発揮することができる。
 ガス流量QをQ=KP(但しKは定数)として演算する方式の圧力式流量制御装置は、FCS-N型と呼ばれることがあり、また、ガス流量QをQ=KP (P-P(但しK、m、nは定数)として演算する方式の圧力式流量制御装置は、FCS-WR型と呼ばれることがある。
 更に、この種の圧力式流量制御装置には、この他に、複数のオリフィスOLを並列状に連結し、切換弁によって少なくとも一つのオリフィスにガスを流通させるようにしたオリフィス機構、例えば、二個のオリフィスを並列状に接続し、一つのオリフィスの入口側に切換弁を設けてそれを開又は閉とすることにより流量制御範囲を変更できるようにしたオリフィス機構を上記FCS-N型のオリフィスとして用いたFCS-SN型や、同じオリフィス機構を上記FCS-WR型のオリフィスとして用いたFCS-SWR型と呼ばれているものもある。
 尚、上記FCS-N型、FCS-SN型、FCS-WR型及びFCS-SWR型の各圧力式流量制御装置そのものの構成や作動原理等は既に公知であるため、ここではその詳細な説明を省略する(特開平8-338546号、特開2003-195948号等)。
 また、圧力式流量制御装置FCSには、図7に示すように、(a)の如き構成の臨界条件下のガス流体を対象とする圧力式流量制御装置FCS(以下、FCS-N型と呼ぶ。特開平8-338546号等)、(b)の臨界条件下と非臨界条件下の両ガス流体を対象とするFCS-WR型(特開2003-195948号等)、(c)の臨界条件下のガス流体を対象とする流量切換型のFCS-S型(特開2006-330851号等)、及び(d)の臨界条件下と非臨界条件下の両ガス流体を対象とする流量切換型のFCS-SWR型(国際公開WO2009/141947号パンフレット等)が存在する。
 尚、図7において、P,Pは圧力センサ、CVはコントロール弁、OLはオリフィス、OLは小口径オリフィス、OLは大口径オリフィス、ORVはオリフィス切換弁である。
 図8は、従来の圧力式流量制御装置(FCS-WR型)を示す断面図であり、5Aは本体、2は流体入口、CVは圧力制御用コントロール弁、P1、P2は圧力センサ、OLはオリフィス、3は流体出口である。
 しかし、この種の圧力式流量制御装置FCSでは、微小な穴径のオリフィスOLを使用しているためガスの置換性が悪く、圧力式流量制御装置FCSの圧力制御用コントロール弁CVを閉鎖して出力側を開放した場合に、コントロール弁CVとオリフィスOL間の空間部のガスの排出に多くの時間が掛かり、所謂ガスの立下げ応答性が極めて悪いと云う問題がある。
 図9は、従来の圧力式流量制御装置FCS-N型の連続ステップ時の立下げ応答特性の一例を示すものであり、オリフィスOLの下流側の空気圧作動弁(図示省略)を開放して一定流量のガスを圧力式流量制御装置を介して供給中に、ガス供給量をステップ状に立下げした場合、大流量用の圧力式流量制御装置の場合(線A)に比較して小流量用の圧力式流量制御装置の場合(線B)には、所定の流量にまで立下げるのに1.5秒以上の時間を必要とするのが現状である。
 より具体的には、FCS-N型及びFCS-WR型の場合、オリフィスOLの下流側圧力が100Torrで、流量を100%から1%及び100%から4%に立下げするには、夫々約1秒以上を必要とするが、半導体製造装置(例えば、エッチャー)の方からは、1秒以下の時間内で流量を100%から1%に立下げることが求められている。
 また、FCS-S型及びFCS-SWR型の場合、オリフィスOLの下流側圧力が100Torrで、流量を100%から10%及び100%から0.16%に立下げるには、夫々約1.2秒以上を必要とするが、半導体製造装置(例えば、エッチャー)の方からは、1.2秒以下の時間内で流量を100%から10%に立下げることが求められている。
特開平8-338546号 特開平10-55218号 特開2003-195948号 特開2006-330851号 国際公開第WO2009/141947号パンフレット
 本願発明は、従来の圧力式流量制御装置に於ける上述のような問題を改善すべく、流量制御に於ける立下げ応答性の向上、即ち、流量制御に於ける立ち下がり時間をいっそう短縮し得る圧力式流量制御装置を提供することを主たる目的とする。
 上記目的を達成するため、本発明に係る圧力式流量制御装置は、流体入口と流体出口との間を連通する流体通路を設けた本体と、該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、前記圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、前記本体に固定されて該圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、を備え、前記流体通路は、前記圧力制御用コントロール弁と前記圧力センサの圧力検知面上の圧力検知室とを接続する第1通路部と、該第1通路部と離間して前記圧力検知室と前記オリフィスとを接続する第2通路部とを備えることにより、前記圧力検知室を経由するように構成されていることを特徴とする。
 前記圧力制御用コントロール弁の下方に前記圧力センサが配設され、前記第1通路部は、前記圧力制御用コントロール弁から前記圧力検知室に垂下するように構成されていることが好ましい。
 前記圧力制御用コントロール弁が金属製ダイヤフラム弁体を備え、前記第1通路部は、前記圧力制御用コントロール弁の前記金属製ダイヤフラム弁体の中心部から垂下するように構成されていることが好ましい。
 前記第1通路部が、前記圧力検知室の端部に接続されていることが好ましい。
 前記第2通路部が、前記圧力検知室の端部に接続されていることが好ましい。
 前記第2通路部が、前記圧力検知室の前記第1通路部とは反対側の端部に接続されていることが好ましい。
 また、本発明に係る圧力式流量制御装置は、流体入口と流体出口間を連通する流体通路を設けた本体と、該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、前記圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、前記本体に固定されて前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、を備え、前記圧力制御用コントロール弁の下方に前記圧力センサが配設され、前記流体通路は、前記圧力制御用コントロール弁から前記圧力センサの圧力検知面上の圧力検知室に垂下する第1通路部と、該第1通路部と前記オリフィスとを接続する第3通路部とを備えることを特徴とする。
 前記圧力センサは、前記本体の底面に形成された凹部にリングガスケットを介して挿着され、前記圧力検知室は、前記凹部の内底面と前記リングガスケットと前記圧力センサの圧力検知面とで囲まれており、前記リングガスケットは、両側のシール面が内周面側に偏って形成されていることが好ましい。
 前記リングガスケットは、両側のシール面、内周面、外周面、前記内周面と両側のシール面との間の内側テーパー面、及び、前記外周面と両側のシール面との間の外側テーパー面を備え、前記内側テーパー面が前記外側テーパー面より小さく形成されていることが好ましい。
 また、本発明に係る圧力式流量制御装置は、流体入口と流体出口間を連通する流体通路を設けた本体と、該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、前記本体に固定されて該圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、前記圧力センサの下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、を備え、前記圧力センサは、前記本体底面に形成された凹部にリングガスケットを介して挿着され、前記圧力検知室は、前記凹部の内底面と前記リングガスケットと前記圧力センサの圧力検知面とで囲まれており、前記リングガスケットは、両側のシール面が内周面側に偏って形成されていることが好ましい。
 前記凹部の内底面と前記圧力検知面との距離が0.13~0.30mmであることが好ましい。
 本願発明によれば、流体通路が圧力検知室を経由する構成としたことにより、圧力制御用コントロール弁とオリフィスとの間の流体通路の内容積を、従来に比して小さくすることができ、その結果、立下がり特性を向上させることができる。
 また、圧力センサを圧力制御用コントロール弁の下方に配設し、両者をつなぐ流体通路(第1流路部)を前記圧力制御用コントロール弁から前記圧力検知室に垂下させることで、両者最短距離でつなぎ、圧力制御用コントロール弁とオリフィスとの間の流体通路の内容積を小さくすることができる。
 また、第1流路部及び第2流路部は、圧力検知室の端部に設けることで、流体通路として利用する圧力検知室を効率的に利用し、圧力制御用コントロール弁とオリフィスとの間の流体通路の内容積縮小に寄与し得る。
 また、圧力検知室の高さ寸法を規定するリングガスケットを、シール面を内周面側に偏らせた断面形状とすることで、シール能力確保のために必要とされるシール面の面積を保持しつつ、内周面を平坦面に近づけて、内周面で囲まれる空間容積を縮小し、圧力制御用コントロール弁とオリフィスとの間の流体通路の内容積縮小に寄与し得る。
本発明に係る圧力式流量制御装置の第1実施形態を示す断面図である。 図1の一点鎖線円で囲んだ部分の拡大図である。 図1の圧力式流量制御装置に装着されているリングガスケットの拡大断面図である。 本発明に係る圧力式流量制御装置と従来の圧力式流量制御装置の圧力降下時間(立下がり時間)を示すグラフである。 本発明に係る圧力式流量制御装置の第2実施形態を示す断面図である。 従来の圧力式流量制御装置を示す基本構成図である。 従来の各種形式の圧力式流量清書御装置を示す概略構成図である。 従来の圧力式流量制御装置を示す要部断面図である。 従来の圧力式流量制御装置(FCS-N型)の連続ステップ時の立下がり応答特性の一例を示すグラフである。 従来の圧力式流量制御装置に装着されているリングガスケットの拡大断面図である。
 本発明に係る圧力式流量制御装置の実施形態について、以下に図1~図5を参照して説明する。
 図1は本発明に係る圧力式流量制御装置の第1実施形態の断面図を示し、図2は図1の一点鎖線の円で囲んだ部分の拡大図を示している。圧力式流量制御装置1は、流体入口2と流体出口3との間を連通する流体通路4を設けた本体5と、本体5に固定されて流体通路4を開閉する圧力制御用コントロール弁CVと、圧力制御用コントロール弁CVの下流側の流体通路4に介在させたオリフィスOLと、本体5に固定されて圧力制御用コントロール弁CVとオリフィスOLとの間の流体通路4の内圧を検出する圧力センサP1と、を備え、流体通路4は、圧力制御用コントロール弁CVと圧力センサP1の圧力検知面P1a(図2)上の圧力検知室4bとを接続する第1通路部4aと、第1通路部4aと離間して圧力検知室4bとオリフィスOLとを接続する第2通路部4cとを備えることにより、流体通路4が圧力検知室を経由するように構成されている。
 図1に示された第1実施形態の圧力式流量制御装置1は、前述の所謂FCS-WR型であり、オリフィスOLの下流側の流体通路4の内圧を検出する第2圧力センサP2が装着されている。なお、図1において、10はプリント配線板に電子部品が実装された制御板、11はケーシング、12は接続用コネクタである。
 本体5は、入口側ブロック5a、本体ブロック5b、及び、出口側ブロック5cをボルトで連結して一体化されている。入口側ブロック5aに流体入口2が形成されている。入口側ブロック5aと本体ブロック5bとの間の流体通路4の連結箇所には、金属製ガスケット13が介在されている。また、本体ブロック5bと出口側ブロック5cとの間の流体通路4の連結箇所には、オリフィスOL(微小孔であるため図面上は明確に現れていない。)が中心部に形成されたオリフィスプレート7を挟持している金属製ガスケット14、15が介在されている。出口側ブロック5cに流体出口3が形成されている。
 圧力制御用コントロール弁CVは、公知の金属製ダイヤフラム弁体CVaとピエゾ駆動素子CVbを用いた開閉弁であり、ピエゾ駆動素子CVbへの通電によりこれが伸長し、円筒体CVcを弾性体CVdの弾力に抗して上方へ押し上げることにより弁体押えCVeが上方へ移動し、ダイヤフラム弁体CVaが自己弾性力により湾曲形状に復元して弁座5eから離座し、弁が開放される。また、弁開度は、ピエゾ駆動素子CVbへの印加電圧を変動することにより調節される。
 圧力センサP1は、半導体ひずみゲージが表面に形成されたダイヤフラムを備え、その表面が圧力検知面(受圧面)となり、そこにかかる圧力によって変形して発生するピエゾ抵抗効果による電気抵抗の変化を電気信号に変換することで、圧力を検出する。
 圧力センサP1は、本体ブロック5bの底面に形成された凹部5dにリングガスケット16を介して挿入され、押え螺子17によって固定されている。このように圧力センサP1を凹部5dに挿着することにより、凹部5dの内底面とリングガスケット16と圧力センサP1の受圧面である圧力検知面P1aとによって囲まれた圧力検知室4bが形成されている。
 圧力制御用コントロール弁CVの金属製ダイヤフラム弁体CVaが接離する弁座5eは、ダイヤフラム弁体CVaの中央部の位置に形成される。図示例においては、圧力制御用コントロール弁CVのダイヤフラム弁体CVaの外周縁部と弁座5eとの間隙4eを通してガスを流入させ、弁座5eの中央からガスを流出させる構造としている。これは、図8に示した従来の圧力制御用コントロール弁の流体の流れ方向とは逆向きになっており、このような構造とすることにより、ダイヤフラム弁体CVaを閉じた状態で圧力制御用コントロール弁CVとオリフィスOLとの間の流体通路4の内容積を従来構造よりも減少させることができる。
 圧力センサP1は、圧力制御用コントロール弁CVの下方に配設されており、第1通路部4aは、圧力制御用コントロール弁CVから圧力検知室4bに垂下するように構成されている。それによって、第1通路部4aは最短距離で圧力制御用コントロール弁CVと圧力検知室4bとをつなぐことができるので、第1通路部4aの内容積が縮小され得る。
 また、第1通路部4aはその内容積を出来るだけ小さくするためには、できるだけ小さい孔径とすることが好ましく、例えば、直径0.5~1.0mmとすることができる。また、第1通路部4aはその内容積を出来るだけ小さくするためには、第1通路部4aの長さはできるだけ短い方が好ましく、圧力センサP1をダイヤフラム弁体CVaにできるだけ近づけて配置することで、短くすることができる。
 第1通路部4aと第2通路部4cは、圧力検知室4bの両端部に接続されている。そうすることにより、圧力検知室4bを流体通路4として最大限利用することで、流体通路4の内容積を小さくすることができる。すなわち、圧力検知室4bの空間容積は不可避であるため、これを流体通路として利用することで、流体通路4の内容積を減少させ得る。
 圧力検知室4bの内容積もできるだけ小さくすることが望まれるが、圧力センサP1の受圧面を構成するダイヤフラムはステンレス等で形成されており、高温になると膨張し、凹部5dの内底面側に膨らんで盛り上がるので、圧力センサP1のダイヤフラムの熱膨張を圧力検知室4bが許容し得る程度の深さ寸法とする必要がある。例えば、ある種の圧力センサのダイヤフラムは、100℃で0.13mm程度膨れ上がり、圧力検知室4bの深さ寸法、即ち凹部5dの内底面と圧力検知面P1a(非変形時)との距離は、例えば、0.13~0.30mmとされる。リングガスケット16は、ステンレス等で形成され、鏡面仕上げ、真空炉での固溶化熱処理等が施され、高精度に仕上げられる。
 リングガスケット16は、ガスケットとしてのシール性を担保するためシール面が一定以上の面圧を確保する必要があるが、シール面の面積を大きくすると圧力センサP1の固定に必要なトルクも大きくなる。圧力検知室P1aの内容積を少しでも小さくしつつ、所要面積のシール面を保ち、しかも、材料費が増えないようにするために、図3に示すように、両側のシール面16a、16bが内周面16cの側に偏って形成されている。
 図示例では、リングガスケット16は、内周面16cと両側のシール面16a、16bとの間の内側テーパー面16d、16eが、外周面16fと両側のシール面16a、16bとの間の外側テーパー面16g、16hより小さくなっている。内側テーパー面16d、16eは無くして、内周面16cと両側のシール面16a、16bとを直角にしてもよい。
 このようにシール面16a、16bを内周面16cの側に偏った断面形状とすることで、従来のリングガスケット(図10参照)に比べて、圧力検知室4bの内容積を小さくすることができる。
 図4は、図1に示した構造の圧力式流量制御装置と、図8に示した従来タイプの圧力式流量制御装置とで、流体出口の真空チャンバに接続し、窒素ガスを所定流量で制御している途中で圧力制御用コントロール弁を閉じ、流量が100%から1%になるまでの立下がり時間を其々の内容積から算出し、比較した棒グラフである。図4のグラフにおいて、横軸は、流量レンジであり、右へいくほど制御流量が大きいタイプのものであり、縦軸は立下がり時間である。この棒グラフから、本発明の圧力式流量制御装置は、従来の圧力式流量制御装置に比較して、大幅に立下がり時間を短縮し得ることが分かる。また、本発明の圧力式流量制御装置では、殆どの流量レンジにおいて、立下がり時間を1秒以下に短縮することが可能になると考えられる。
 図5は、本発明に係る圧力式流量制御装置の第2実施形態を示す断面図である。図1の実施形態と同様の構成部分には同符号を付して重複説明を省略する。
 第2実施形態の圧力式流量制御装置1は、上記第1実施形態の第2通路部4cに代えて、第1通路部4aに接続された第3通路部4fを備えている点が上記第1実施形態と相違し、その他の構成は、上記第1実施形態と同様である。第2実施形態においても、圧力制御用コントロール弁CVと圧力センサP1の配置、及び、第1通路部4aの配置構成を第1実施形態と同様にしたことにより、立下がり時間に関与する流体通路4の内容積を小さくすることができる。
 本発明は、上記実施形態に限定解釈されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
1 圧力式流量制御装置
2 流体入口
3 流体出口
4 流体通路
4a 第1通路部
4b 圧力検知室
4c 第2通路部
4f 第3通路部
5 本体
5d 凹部
CV 圧力制御用コントロール弁
CVa 金属製ダイヤフラム弁体
OL オリフィス
P1 圧力センサ
P1a 圧力検知面
16 リングガスケット

Claims (14)

  1.  流体入口と流体出口との間を連通する流体通路を設けた本体と、
     該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、
     前記圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、
     前記本体に固定されて前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、を備え、
     前記流体通路は、前記圧力制御用コントロール弁と前記圧力センサの圧力検知面上の圧力検知室とを接続する第1通路部と、該第1通路部と離間して前記圧力検知室と前記オリフィスとを接続する第2通路部とを備えることにより、前記圧力検知室を経由するように構成されていることを特徴とする圧力式流量制御装置。
  2.  前記圧力制御用コントロール弁の下方に前記圧力センサが配設され、前記第1通路部は、前記圧力制御用コントロール弁から前記圧力検知室に垂下するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力式流量制御装置。
  3.  前記圧力制御用コントロール弁が金属製ダイヤフラム弁体を備え、前記第1通路部は、前記圧力制御用コントロール弁の前記金属製ダイヤフラム弁体の中心部から垂下するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力式流量制御装置。
  4.  前記第1通路部が、前記圧力検知室の端部に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の圧力式流量制御装置。
  5.  前記第2通路部が、前記圧力検知室の端部に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力式流量制御装置。
  6.  前記第2通路部が、前記圧力検知室の前記第1通路部とは反対側の端部に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の圧力式流量制御装置。
  7.  前記圧力センサは、前記本体の底面に形成された凹部にリングガスケットを介して挿着され、前記圧力検知室は、前記凹部の内底面と前記リングガスケットと前記圧力センサの圧力検知面とで囲まれており、前記リングガスケットは、両側のシール面が内周面側に偏って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力式流量制御装置。
  8.  前記圧力検知室の前記凹部の内底面と前記圧力検知面との距離が0.13~0.30mmとなる、請求項7に記載の圧力式流量制御装置。
  9.  流体入口と流体出口間を連通する流体通路を設けた本体と、
     該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、
     前記圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、
     前記本体に固定されて前記圧力制御用コントロール弁と前記オリフィスとの間の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、を備え、
     前記圧力制御用コントロール弁の下方に前記圧力センサが配設され、
     前記流体通路は、前記圧力制御用コントロール弁から前記圧力センサの圧力検知面上の圧力検知室に垂下する第1通路部と、該第1通路部と前記オリフィスとを接続する第3通路部とを備えることを特徴とする圧力式流量制御装置。
  10.  前記圧力センサは、前記本体の底面に形成された凹部にリングガスケットを介して挿着され、前記圧力検知室は、前記凹部の内底面と前記リングガスケットと前記圧力センサの圧力検知面とで囲まれており、前記リングガスケットは、両側のシール面が内周面側に偏って形成されていることを特徴とする請求項9に記載の圧力式流量制御装置。
  11.  前記リングガスケットは、両側のシール面、内周面、外周面、前記内周面と両側のシール面との間の内側テーパー面、及び、前記外周面と両側のシール面との間の外側テーパー面を備え、前記内側テーパー面が前記外側テーパー面より小さいことを特徴する請求項10に記載の圧力式流量制御装置。
  12.  前記圧力検知室の前記凹部の内底面と前記圧力検知面との距離が0.13~0.30mmとなる、請求項10に記載の圧力式流量制御装置。
  13.  流体入口と流体出口間を連通する流体通路を設けた本体と、該本体に固定されて前記流体通路を開閉する圧力制御用コントロール弁と、前記本体に固定されて該圧力制御用コントロール弁の下流側の前記流体通路の内圧を検出する圧力センサと、前記圧力センサの下流側の前記流体通路に介在させたオリフィスと、を備え、
     前記圧力センサは、前記本体底面に形成された凹部にリングガスケットを介して挿着され、前記圧力検知室は、前記凹部の内底面と前記リングガスケットと前記圧力センサの圧力検知面とで囲まれており、前記リングガスケットは、両側のシール面が内周面側に偏って形成されていることを特徴とする圧力式流量制御装置。
  14.  前記圧力検知室の前記凹部の内底面と前記圧力検知面との距離が0.13~0.30mmとなる、請求項13に記載の圧力式流量制御装置。
PCT/JP2014/005885 2013-12-05 2014-11-25 圧力式流量制御装置 WO2015083343A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187026983A KR102087645B1 (ko) 2013-12-05 2014-11-25 압력식 유량 제어 장치
DE112014005572.7T DE112014005572T5 (de) 2013-12-05 2014-11-25 Vorrichtung zur druckabhängigen Durchflußregelung
US15/034,002 US10372145B2 (en) 2013-12-05 2014-11-25 Pressure-type flow rate control device
CN201480049537.5A CN105556411A (zh) 2013-12-05 2014-11-25 压力式流量控制装置
KR1020167003232A KR101902855B1 (ko) 2013-12-05 2014-11-25 압력식 유량 제어 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-252167 2013-12-05
JP2013252167A JP6372998B2 (ja) 2013-12-05 2013-12-05 圧力式流量制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015083343A1 true WO2015083343A1 (ja) 2015-06-11

Family

ID=53273128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/005885 WO2015083343A1 (ja) 2013-12-05 2014-11-25 圧力式流量制御装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10372145B2 (ja)
JP (1) JP6372998B2 (ja)
KR (2) KR102087645B1 (ja)
CN (1) CN105556411A (ja)
DE (1) DE112014005572T5 (ja)
TW (2) TWI566067B (ja)
WO (1) WO2015083343A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190085988A1 (en) * 2016-02-29 2019-03-21 Fujikin Incorporated Flow rate control device
KR20220085799A (ko) 2020-03-05 2022-06-22 가부시키가이샤 후지킨 유량 제어 장치 및 유량 제어 방법
KR20230069985A (ko) 2021-03-11 2023-05-19 가부시키가이샤 후지킨 기화기 및 기화 공급 장치

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9904299B2 (en) * 2015-04-08 2018-02-27 Tokyo Electron Limited Gas supply control method
DE112016002024B4 (de) * 2015-06-25 2023-11-09 Illinois Tool Works Inc. Piezoaktortyp-ventil
CN107532740B (zh) * 2015-08-24 2019-11-19 株式会社富士金 流体控制装置中的密封部件的固定构造、接头及流体控制装置
JP6799862B2 (ja) 2015-10-28 2020-12-16 株式会社フジキン 流量信号補正方法およびこれを用いた流量制御装置
US10665430B2 (en) * 2016-07-11 2020-05-26 Tokyo Electron Limited Gas supply system, substrate processing system and gas supply method
JP6786096B2 (ja) * 2016-07-28 2020-11-18 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置
KR102208101B1 (ko) * 2016-10-14 2021-01-27 가부시키가이샤 후지킨 유체 제어 장치
JP7245600B2 (ja) 2016-12-15 2023-03-24 株式会社堀場エステック 流量制御装置、及び、流量制御装置用プログラム
KR102162045B1 (ko) * 2016-12-26 2020-10-06 가부시키가이샤 후지킨 압전 소자 구동식 밸브 및 유량 제어 장치
CN106876304B (zh) * 2017-02-24 2019-09-10 成都京东方光电科技有限公司 一种湿法刻蚀排气系统及湿法刻蚀装置
CN111373182A (zh) * 2017-11-24 2020-07-03 株式会社富士金 阀装置以及使用该阀装置的控制装置的控制方法、流体控制装置以及半导体制造装置
JPWO2021005879A1 (ja) * 2019-07-08 2021-01-14
JPWO2021044721A1 (ja) * 2019-09-05 2021-03-11
JP7208676B2 (ja) * 2019-12-25 2023-01-19 株式会社フジキン 圧力制御装置
JP2022029854A (ja) 2020-08-05 2022-02-18 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御プログラム
JP7045738B1 (ja) * 2021-03-23 2022-04-01 株式会社リンテック 常時閉型流量制御バルブ
KR20230000975A (ko) * 2021-06-25 2023-01-03 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 제어 장치, 유체 제어 시스템, 유체 제어 장치용 프로그램 및 유체 제어 방법
CN113977451B (zh) * 2021-10-25 2023-08-25 长鑫存储技术有限公司 半导体设备的检测系统及检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08338546A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Fujikin:Kk 圧力式流量制御装置
JPH11345027A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Tadahiro Omi 圧力式流量制御装置を備えたガス供給設備
JP2001296198A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nagano Keiki Co Ltd 圧力センサ
JP2005149075A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Fujikin Inc 流体制御装置
WO2013046660A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社フジキン ガス供給装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63115970A (ja) * 1986-10-31 1988-05-20 Motoyama Seisakusho:Kk ダイヤフラム弁
ZA974798B (en) * 1996-05-31 1998-11-30 Sastech Pty Ltd Termpolymerization
JP3580645B2 (ja) * 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5851004A (en) * 1996-10-16 1998-12-22 Parker-Hannifin Corporation High pressure actuated metal seated diaphragm valve
CN1128395C (zh) * 1999-06-25 2003-11-19 富准精密工业(深圳)有限公司 散热装置扣件
EP1300619B1 (en) * 2000-06-05 2006-08-02 Fujikin Incorporated Orifice-built-in valve
JP4102564B2 (ja) 2001-12-28 2008-06-18 忠弘 大見 改良型圧力式流量制御装置
JP4195819B2 (ja) * 2003-01-17 2008-12-17 忠弘 大見 弗化水素ガスの流量制御方法及びこれに用いる弗化水素ガス用流量制御装置
US20050092079A1 (en) * 2003-10-03 2005-05-05 Ales Richard A. Diaphragm monitoring for flow control devices
JP4572139B2 (ja) 2005-05-23 2010-10-27 株式会社フジキン 改良型圧力式流量制御装置
JP4690827B2 (ja) * 2005-08-26 2011-06-01 株式会社フジキン ガスケット型オリフィス及びこれを用いた圧力式流量制御装置
JP4743763B2 (ja) * 2006-01-18 2011-08-10 株式会社フジキン 圧電素子駆動式金属ダイヤフラム型制御弁
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
JP4971030B2 (ja) * 2007-05-21 2012-07-11 シーケーディ株式会社 流体制御弁
US9099231B2 (en) * 2007-10-23 2015-08-04 Brooks Instrument, Llc Pressure retaining sleeve
CN102037423B (zh) 2008-05-21 2014-02-05 株式会社富士金 使用压力流量控制装置的流体非连续式流量切换控制方法
JP5177864B2 (ja) * 2008-06-04 2013-04-10 株式会社フジキン 熱式質量流量調整器用自動圧力調整器
JP4977669B2 (ja) * 2008-09-05 2012-07-18 忠弘 大見 差圧式流量計
DE102009006445B3 (de) 2009-01-28 2010-07-15 Hydac Fluidtechnik Gmbh Proportional-Druckregelventil
JP5669384B2 (ja) * 2009-12-01 2015-02-12 株式会社フジキン 圧電駆動式バルブ及び圧電駆動式流量制御装置
CN102640070B (zh) * 2009-12-01 2015-04-22 株式会社富士金 压力式流量控制装置
JP5508875B2 (ja) * 2010-01-26 2014-06-04 株式会社フジキン 流体制御器および流量制御装置
JP5501806B2 (ja) * 2010-03-05 2014-05-28 サーパス工業株式会社 圧力センサ、差圧式流量計及び流量コントローラ
TW201234155A (en) * 2010-07-09 2012-08-16 Entegris Inc Flow controller
JP5665793B2 (ja) * 2012-04-26 2015-02-04 株式会社フジキン 可変オリフィス型圧力制御式流量制御器
KR101887360B1 (ko) * 2013-10-31 2018-08-10 가부시키가이샤 후지킨 압력식 유량 제어 장치
JP6321972B2 (ja) * 2014-01-21 2018-05-09 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置及びその流量制御開始時のオーバーシュート防止方法
TWM489440U (en) * 2014-06-27 2014-11-01 Cheng-Yu Huang Portable cylinder audio speaker
JP6336345B2 (ja) * 2014-06-30 2018-06-06 株式会社フジキン ダイヤフラム弁、流体制御装置、半導体製造装置および半導体製造方法
JP6416529B2 (ja) * 2014-07-23 2018-10-31 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置
JP6475441B2 (ja) * 2014-09-01 2019-02-27 株式会社フジキン 圧電素子駆動式バルブ及び圧電素子駆動式バルブを備えた流量制御装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08338546A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Fujikin:Kk 圧力式流量制御装置
JPH11345027A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Tadahiro Omi 圧力式流量制御装置を備えたガス供給設備
JP2001296198A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nagano Keiki Co Ltd 圧力センサ
JP2005149075A (ja) * 2003-11-14 2005-06-09 Fujikin Inc 流体制御装置
WO2013046660A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社フジキン ガス供給装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190085988A1 (en) * 2016-02-29 2019-03-21 Fujikin Incorporated Flow rate control device
US10641407B2 (en) * 2016-02-29 2020-05-05 Fujikin Incorporated Flow rate control device
CN108780332B (zh) * 2016-02-29 2021-10-01 株式会社富士金 流量控制装置
KR20220085799A (ko) 2020-03-05 2022-06-22 가부시키가이샤 후지킨 유량 제어 장치 및 유량 제어 방법
TWI770792B (zh) * 2020-03-05 2022-07-11 日商富士金股份有限公司 流量控制裝置以及流量控制方法
KR20230069985A (ko) 2021-03-11 2023-05-19 가부시키가이샤 후지킨 기화기 및 기화 공급 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102087645B1 (ko) 2020-03-11
KR20160028474A (ko) 2016-03-11
TW201535081A (zh) 2015-09-16
TW201701095A (zh) 2017-01-01
TWI658351B (zh) 2019-05-01
KR20180108851A (ko) 2018-10-04
JP6372998B2 (ja) 2018-08-15
TWI566067B (zh) 2017-01-11
DE112014005572T5 (de) 2016-12-01
JP2015109022A (ja) 2015-06-11
US20160349763A1 (en) 2016-12-01
CN105556411A (zh) 2016-05-04
KR101902855B1 (ko) 2018-10-01
US10372145B2 (en) 2019-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6372998B2 (ja) 圧力式流量制御装置
KR102376063B1 (ko) 압력식 유량 제어 장치
KR101887364B1 (ko) 압력식 유량 제어 장치 및 그 유량 제어 개시 시의 오버슈트 방지 방법
JP6892687B2 (ja) 流量制御装置および流量制御装置を用いる異常検知方法
JP6216389B2 (ja) 圧力式流量制御装置
TWI483089B (zh) 流體控制裝置
JP6499969B2 (ja) 流体制御弁
JPWO2017051520A1 (ja) 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法
WO2011092929A1 (ja) 流体制御器および流量制御装置
JP2005149075A (ja) 流体制御装置
JP2007133829A (ja) 流体制御装置と圧力調節弁と制御方法
JP6693418B2 (ja) 質量流量制御装置
JP6606221B2 (ja) 圧力式流量制御装置
JP2006057645A (ja) 流路ブロック構造
KR20230035405A (ko) 압력 센서용의 커버 부품 및 이것을 구비하는 압력 센서 장치
KR20230049727A (ko) 압력 센서
JP2005044278A (ja) 圧力制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201480049537.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14867239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167003232

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15034002

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112014005572

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14867239

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1