WO2014084529A1 - 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 - Google Patents

플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 Download PDF

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WO2014084529A1
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emitting device
light emitting
plastic substrate
substrate
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이정형
최준례
김지희
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • the present application relates to an organic light emitting device including the flexible substrate and a method of manufacturing the same.
  • the organic light emitting device is composed of two opposite electrodes and a thin film of organic material having a multilayer semiconductor property therebetween.
  • the organic light emitting device having such a configuration uses a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material, that is, an organic light emitting phenomenon.
  • an organic light emitting phenomenon Specifically, in the structure in which the organic material layer is positioned between the anode and the cathode, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material and electrons are injected into the cathode. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and when the excitons fall back to the ground, they shine.
  • the organic light emitting device As described above, light generated in the organic material layer is emitted through the light transmitting electrode, and the organic light emitting device may be classified into top emission, bottom emission, and double emission.
  • the organic light emitting device may be classified into top emission, bottom emission, and double emission.
  • one of the two electrodes In the case of the front emission or the bottom emission type, one of the two electrodes must be a light transmissive electrode, and in the case of the double emission type, both electrodes must be the light transmissive electrode.
  • the device In order to use an organic light emitting device as an illumination, the device must be driven at a high brightness unlike a conventional color display, and maintain a constant luminance like a conventional lighting. In order to sufficiently improve the luminance of the organic light emitting device, light emission should be performed in a large area, and in order to emit light in such a large area, a high driving current should be used. In addition, in order to maintain a constant brightness in a large area, such a high current must be uniformly injected into the device of a large area.
  • It provides a method of manufacturing a flexible organic light emitting device comprising a.
  • the present application provides a flexible organic light emitting device, characterized in that manufactured by the method for manufacturing the organic light emitting device.
  • a plastic substrate provided on the polyimide layer
  • It provides a flexible organic light emitting device comprising a.
  • Plastic substrates And an organic light emitting device provided on the plastic substrate.
  • At least a portion of the lower surface of the plastic substrate provides a flexible organic light emitting device comprising a silane coupling agent.
  • the present application provides a display device including the flexible organic light emitting device.
  • the present application provides a lighting device including the flexible organic light emitting device.
  • an organic light emitting device comprising a substrate having a flexible characteristic.
  • the process of manufacturing the organic light emitting device on the plastic substrate is the same as the process of manufacturing the organic light emitting device on the glass substrate, it is possible to apply the existing process as it is, the plastic substrate freely It is characterized by being removable.
  • FIG. 1 is a view schematically showing a method of laminating a plastic substrate on a polyimide layer as one embodiment of the present application.
  • FIG. 2 is a view schematically illustrating a cross section of an organic light emitting diode formed on a plastic substrate as one embodiment of the present application.
  • FIG 3 is a view schematically illustrating a method of separating a carrier substrate as one embodiment of the present application.
  • Polyimides have the advantages of easy synthesis, thin film making, and no crosslinker for curing. Recently, due to the light weight and precision of electronic products, it is widely applied as an integrated material to semiconductor materials such as LCD, PDP, and OLED. In addition, many studies have been made to use polyimide in a flexible plastic display substrate having a light and flexible property to compensate for the heavy and cracking disadvantage of the glass substrate used in the display field.
  • an organic light emitting device including a polyimide film forms a polyimide film on a glass substrate, forms an organic light emitting device on the polyimide film, and then separates the organic light emitting device including a polyimide film from the glass substrate.
  • a process was needed.
  • a detaching technique of separating the organic light emitting device including the polyimide film from the glass substrate without deformation is important.
  • the polyimide film formed on the glass substrate has poor adhesion
  • a surface treatment such as a silane coupling agent, corona, or plasma is required on the glass substrate in order to enhance adhesion between the glass substrate and the polyimide film.
  • a problem may arise that the polyimide film formed on the glass substrate subjected to the surface treatment is difficult to be separated later. Therefore, conventionally, the polyimide film was separated by forming a sacrificial layer under the polyimide film or by irradiating a laser or UV.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-142168 includes the steps of adding an adhesive only to a peripheral region of a region to which a flexible film of a non-flexible substrate is attached; Attaching a flexible film on the non-flexible substrate and forming a device on the flexible film; And cutting the flexible film on which the device is formed and peeling from the non-flexible substrate.
  • the adhesive is added only to the peripheral region of the region to which the soluble film of the non-flexible substrate is attached as described above, warpage may occur depending on the void space formed between the non-flexible substrate and the flexible film. There is a difficulty in forming an organic light emitting device having an area.
  • the present application is to simplify the manufacturing process to reduce the process cost, to manufacture a large area organic light emitting device, to provide a method of manufacturing an organic light emitting device including a substrate having a flexible characteristic.
  • a method of manufacturing a flexible organic light emitting device may include: 1) forming a polyimide layer on a carrier substrate, and 2) forming a plastic substrate on the carrier substrate and the polyimide layer. 3) forming an organic light emitting device on the plastic substrate, and 4) separating the carrier substrate.
  • step 1) is a step of forming a polyimide layer on the carrier substrate.
  • the carrier substrate may use a material known in the art. More specifically, the carrier substrate may be a glass substrate, a metal substrate, a plastic substrate and the like, but is not limited thereto.
  • the thickness of the carrier substrate may be 0.5 to 0.7 mm, but is not limited thereto.
  • the polyimide layer may be formed using a method known in the art. More specifically, the polyimide layer may be formed by a process of laminating a polyimide film on a carrier substrate, or may be formed by coating and curing a polyamic acid composition on a carrier substrate. In addition, the polyimide may be formed by screen printing, but is not limited thereto.
  • the polyimide layer is excellent in chemical resistance, heat resistance, and the like, it may be advantageous to a photo process that is performed later in manufacturing the organic light emitting device.
  • Step 1) may further include patterning the polyimide layer. That is, the polyimide layer may be formed only in a region where the organic light emitting diode is formed later on the carrier substrate.
  • step 2) is a step of forming a plastic substrate on the carrier substrate and the polyimide layer.
  • the method may further include adding an adhesive force between the carrier substrate and the plastic substrate of step 2) and between the polyimide layer and the plastic substrate.
  • the adding of the adhesive force may use a silane coupling agent surface treatment, a corona surface treatment, or a plasma surface treatment method on the carrier substrate and the polyimide layer.
  • the surface treatment may be performed on the upper surface of the carrier substrate and the polyimide layer. The surface treatment is for enhancing the adhesion between the carrier substrate and the plastic substrate.
  • the plastic substrate is PET (polyethylene terephthalate), polyester (polyester), PC (polycarbonate), PI (polyimide), PEN (polyethylene naphthalate), PEEK (polyether ether ketone), PAR (polyarylate), PCO (polycylicolefin), poly It may be selected from the group consisting of norbornene (polynorbornene), polyethersulphone (PES) and cycloolefin polymer (COP), but is not limited thereto.
  • step 2) it may proceed to the process of laminating the plastic substrate on the carrier substrate and the polyimide layer.
  • the polyamic acid composition may be coated and cured on the carrier substrate and the polyimide layer to form a polyimide film.
  • FIG. 1 schematically shows a method of laminating a polyimide film on a photosensitive polyimide.
  • the plastic substrate may have a larger area than the polyimide layer.
  • the plastic substrate may have the same area as the glass substrate, but is not limited thereto. That is, a region without a polyimide layer below the plastic substrate may be strongly attached directly to the carrier substrate on which the plastic substrate is surface-treated, and the polyimide layer on the plastic substrate and the surface-treated polyimide layer may be relatively weakly attached. Since the plastic substrate and the surface-treated polyimide layer are relatively weakly attached to each other, the carrier substrate, the polyimide layer, and the like can be easily separated later. In particular, the region having a width of 5 to 10 mm of the edge region corresponding to the edge region of the carrier substrate may be strongly attached to the surface-treated carrier substrate and the plastic substrate.
  • the region without the polyimide layer on the lower portion of the plastic substrate can be strongly adhered directly to the carrier substrate on which the plastic substrate is surface-treated, and thus can sufficiently withstand the photo, deposition process, etc., which are performed in the formation of the organic light emitting device in the future. Adhesion can be maintained even at high temperatures of 250 ° C or higher.
  • step 3) is a step of forming an organic light emitting device on the plastic substrate.
  • the organic light emitting diode may include an anode, one or more organic material layers, and a cathode.
  • the anode may be formed of one or more selected from magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, platinum, gold, tungsten, tantalum, copper, silver, tin, and lead.
  • the anode may also be formed of a transparent conductive oxide.
  • the transparent conductive oxide may be formed of indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), gallium (Ga), cerium (Ce), cadmium (Cd), magnesium (Mg), beryllium (Be), and silver (Ag). ), Molybdenum (Mo), vanadium (V), copper (Cu), iridium (Ir), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), tungsten (W), cobalt (Co), nickel (Ni), manganese ( Mn), at least one oxide selected from aluminum (Al), and lanthanum (La).
  • the anode is sputtering, e-beam evaporation, thermal evaporation, laser molecular beam epitaxy (L-MBE), and pulsed laser deposition (Pulsed Laser Deposition).
  • PLD any one of the physical vapor deposition method (Physical Vapor Deposition, PVD); Thermal Chemical Vapor Deposition, Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Light Chemical Vapor Deposition, Laser Chemical Vapor Deposition, Metal- Chemical Vapor Deposition selected from any one of an Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) and a Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE);
  • the layer may be formed using atomic layer deposition (ALD).
  • auxiliary electrode may be further included to improve resistance of the anode.
  • the auxiliary electrode may be formed of at least one selected from the group consisting of a conductive sealant and a metal using a deposition process or a printing process. More specifically, the auxiliary electrode may include Cr, Mo, Al, Cu, alloys thereof, and the like, but is not limited thereto.
  • An insulating layer may be further included on the auxiliary electrode.
  • the insulating layer may be formed using materials and methods known in the art. More specifically, common photoresist materials; Polyimide; Polyacrylic; Silicon nitride; Silicon oxide; Aluminum oxide; Aluminum nitride; Alkali metal oxides; It may be formed using an alkaline earth metal oxide or the like, but is not limited thereto.
  • the thickness of the insulating layer may be 10 nm to 10 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • organic material layer is not particularly limited, and materials and formation methods well known in the art may be used.
  • the organic layer may be formed into a smaller number of layers by using a variety of polymer materials, but not by a deposition process such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing or thermal transfer. It can manufacture.
  • the organic material layer may include a light emitting layer, and may have a stacked structure including at least one selected from a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the hole injection material As a material capable of forming the hole injection layer, a material having a large work function is usually preferred to facilitate hole injection into the organic material layer.
  • the hole injection material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc and gold or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO); A combination of a metal and an oxide such as ZnO: Al or SnO 2 : Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene] (PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
  • the material capable of forming the electron injection layer it is usually preferable that the material has a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer.
  • the electron injection material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead or alloys thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al or LiO 2 / Al, and the like, and the same material as the hole injection electrode material may be used, but is not limited thereto.
  • a material capable of forming the light emitting layer a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transporting layer and the electron transporting layer, respectively, is preferably a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene; Phosphorescent host CBP [[4,4'-bis (9-carbazolyl) biphenyl]; Etc., but is not limited thereto.
  • the light emitting material may further include a phosphorescent dopant or a fluorescent dopant to improve fluorescence or phosphorescent properties.
  • a phosphorescent dopant include ir (ppy) (3) (fac tris (2-phenylpyridine) iridium) or F2Irpic [iridium (III) bis (4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N, C2) picolinate] Etc.
  • the fluorescent dopant those known in the art may be used.
  • the material capable of forming the electron transport layer a material capable of injecting electrons well from the electron injection layer and transferring the electrons to the light emitting layer is suitable.
  • Specific examples include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes including Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
  • the cathode may include one or more of Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, alloys thereof, and the like, but is not limited thereto.
  • FIG. 2 schematically shows a cross section of an organic light emitting device formed on a plastic substrate.
  • the method may further include encapsulating the organic light emitting device after the step 3).
  • the encapsulation is to prevent foreign substances such as oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting device, and may be performed using materials, methods, and the like known in the art.
  • the encapsulation process may be performed by forming a sealing part covering the outside of the organic light emitting device.
  • the material is not specifically limited.
  • the outside of the organic light emitting device may be pressed with an encapsulation film, or a metal or metal oxide may be deposited to form a seal, or the resin composition may be coated and cured to form a seal.
  • the sealing part may be formed by depositing a metal or a metal oxide by atomic layer deposition.
  • the metal layer or the metal oxide layer formed may have a structure of two or more layers.
  • step 4) is a step of separating the carrier substrate.
  • FIG. 3 schematically shows a method of separating the carrier substrate.
  • the present application provides an organic light emitting device manufactured by the method of manufacturing the organic light emitting device.
  • the flexible organic light emitting device a polyimide layer; A plastic substrate provided on the polyimide layer; And an organic light emitting device provided on the plastic substrate.
  • At least a portion between the polyimide layer and the plastic substrate may further include a silane coupling agent.
  • the silane coupling agent may play a role of improving adhesion between the polyimide layer and the plastic substrate.
  • the flexible organic light emitting device according to another embodiment of the present application, a plastic substrate; And an organic light emitting device provided on the plastic substrate, and at least a portion of a lower surface of the plastic substrate includes a silane coupling agent.
  • the details of the polyimide layer, the plastic substrate, the organic light emitting device, and the like are the same as described above, and a detailed description thereof will be omitted.
  • the flexible organic light emitting diode according to the present application may include a light extraction structure. More specifically, the light extraction layer may be further included between the plastic substrate and the organic light emitting device.
  • the light extraction layer is not particularly limited so long as it has a structure capable of inducing light scattering to improve light extraction efficiency of the organic light emitting device. More specifically, the light extraction layer may have a structure in which scattering particles are dispersed in a binder.
  • the light extraction layer may be formed directly on the substrate by a method such as spin coating, bar coating, slit coating, or the like by forming and attaching a film.
  • the light extraction layer may further include a flat layer.
  • the present application provides a display device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting diode may serve as a pixel or a backlight.
  • Other configurations of the display apparatus may include those known in the art.
  • the present application provides a lighting device including the organic light emitting device.
  • the organic light emitting element serves as a light emitting unit.
  • Other configurations required for the lighting device may be applied to those known in the art.
  • an organic light emitting device comprising a substrate having a flexible characteristic.

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Abstract

본 출원은 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의의 제조방법에 관한 것으로서, 1) 캐리어(carrier) 기판 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계, 2) 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계, 3) 상기 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계, 및 4) 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계를 포함한다.

Description

플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
본 출원은 2012년 11월 30일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0138336호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 발광 소자는 두 개의 반대 전극과 그 사이에 존재하는 다층의 반도체적 성질을 갖는 유기물의 박막들로 구성되어 있다. 이와 같은 구성의 유기 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상, 즉 유기 발광 현상을 이용한다. 구체적으로, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시킨 구조에 있어서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 다시 바닥 상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서는 유기물층에서 생성된 빛이 광 투과성 전극을 통하여 방출하게 되며, 유기 발광 소자는 통상 전면 발광(top emission), 후면 발광(bottom emisstion) 및 양면 발광형으로 분류할 수 있다. 전면 또는 후면 발광형의 경우는 두 개의 전극 중 하나가 광 투과성 전극이어야 하며, 양면 발광형의 경우는 두 개의 전극이 모두 광 투과성 전극이어야 한다.
상기와 같은 유기 발광 소자에 대해서는 다층 구조를 사용하는 경우 저전압에서 구동할 수 있다는 코닥사의 발표 이래 많은 연구가 집중되어 왔으며, 최근에는 유기 발광 소자를 이용한 천연색 디스플레이가 휴대용 전화기에 부착되어 상용화되고 있다.
또한, 최근의 유기 발광 소자는 기존의 형광 물질을 이용하는 대신 인광 물질의 이용에 대한 연구가 진행되면서 효율의 향상이 급격히 이루어지고 있으며, 가까운 미래에는 기존의 조명을 대체할 수 있다는 예상도 나오고 있다.
유기 발광 소자가 조명으로 이용되기 위해서는 기존의 천연색 디스플레이와는 달리 고휘도에서 소자를 구동하여야 하며, 기존의 조명과 같이 일정한 휘도를 유지하여야 한다. 유기 발광 소자의 휘도를 충분히 향상시키기 위해서는 넓은 면적에서 발광이 이루어져야 하고, 이와 같이 넓은 면적에서 발광이 이루어지게 하기 위해서는 높은 구동 전류를 이용해야 한다. 또한, 넓은 면적에서 일정한 휘도를 유지하기 위해서는 상기와 같은 높은 전류가 넓은 면적의 소자에 균일하게 주입되어야 한다.
당 기술분야에서는 제조공정을 단순화하여 공정비용을 절감할 수 있고, 플렉서블한 특성을 가지는 기판을 포함하는 유기 발광 소자에 대한 연구가 필요하다.
이에 본 출원은,
1) 캐리어(carrier) 기판 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계,
2) 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계,
3) 상기 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계, 및
4) 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계
를 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자의 제조방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은,
폴리이미드층;
상기 폴리이미드층 상에 구비된 플라스틱 기판; 및
상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자
를 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은,
플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자를 포함하고,
상기 플라스틱 기판의 하부면의 적어도 일부에는 실란 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 플렉서블 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
또한, 본 출원은, 상기 플렉서블 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다.
본 출원에 따르면, 제조공정을 단순화하여 공정비용을 절감할 수 있고, 플렉서블한 특성을 가지는 기판을 포함하는 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 출원에 따르면, 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 제작하는 과정이 글래스 기판 상에 유기 발광 소자를 제작하는 과정과 동일하므로, 기존의 공정을 그대로 적용할 수 있고, 플라스틱 기판을 자유자재로 탈부착이 가능하다는 특징이 있다.
도 1은 본 출원의 일구체예로서, 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 라미네이션 하는 방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일구체예로서, 플라스틱 기판 상에 형성된 유기 발광 소자의 단면을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일구체예로서, 캐리어 기판을 분리하는 방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
최근 디스플레이 분야에서 제품의 경량화 및 소형화가 중요시 되고 있으나 현재 사용되고 있는 유리 기판의 경우 무겁고 잘 깨지며 연속공정이 어렵다는 단점이 있기 때문에 유리 기판을 대체하여 가볍고 유연하며 연속공정이 가능한 장점을 갖는 플라스틱 기판을 핸드폰, 노트북, PDA 등에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
폴리이미드는 합성이 용이하고 박막형 필름을 만들 수 있으며 경화를 위한 가교기가 필요 없는 장점을 가지고 있다. 최근에는 전자 제품의 경량 및 정밀화 현상으로 LCD, PDP, OLED 등 반도체 재료에 집적화 소재로 많이 적용되고 있다. 또한, 폴리이미드를 디스플레이 분야에 사용되고 있는 유리 기판의 무겁고 잘 깨지는 단점을 보완하여, 가볍고 유연한 성질을 지니는 플라스틱 디스플레이 기판(flexible plastic display substrate)에 사용하려는 많은 연구가 진행되고 있다.
종래에는 폴리이미드 필름을 포함하는 유기 발광 소자는 글래스 기판 위에 폴리이미드 필름을 형성하고, 상기 폴리이미드 필름 상에 유기 발광 소자를 형성한 후 폴리이미드 필름을 포함하는 유기 발광 소자를 글래스 기판으로부터 분리하는 공정이 필요하였다. 이 때, 폴리이미드 필름을 포함하는 유기 발광 소자를 변형 없이 글래스 기판으로부터 분리하는 디태칭 기술이 중요하다.
일반적으로, 글래스(glass) 기판 상에 형성되는 폴리이미드 필름은 부착력이 좋지 않기 때문에, 글래스 기판과 폴리이미드 필름 간의 부착력 강화를 위하여 글래스 기판 상에 실란 커플링제, 코로나, 플라즈마 등의 표면처리가 필요하다. 그러나, 이와 같이 표면처리가 된 글래스 기판 상에 형성된 폴리이미드 필름은 나중에 분리가 어려워진다는 문제점이 발생할 수 있다. 따라서, 종래에는 폴리이미드 필름 하부에 희생층을 형성하거나, 레이져, UV 등을 조사하여 폴리이미드 필름을 분리해내었다.
또한, 일본 공개특허공보 제2011-142168호에는, 비가요성 기판의 가요성 필름이 부착되는 영역 중 주변부 영역에만 접착제를 부가하는 단계; 상기 비가요성 기판 상에 가요성 필름을 부착하고, 가요성 필름 상에 소자를 형성하는 단계; 및 소자가 형성된 가요성 필름을 절단하고, 비가요성 기판으로부터 박리하는 단계를 포함하는 전자 디바이스 제조방법이 기재되어 있다. 그러나, 상기와 같이 비가요성 기판의 가용성 필름의 부착되는 영역 중 주변부 영역에만 접착제를 부가하는 경우에는 비가요성 기판과 가요성 필름 사이에 형성되는 빈 공간에 따라 휨 현상이 발생할 수 있고, 이에 따라 대면적의 유기 발광 소자를 형성하는데 어려움이 있다.
이에, 본 출원에서는 제조공정을 단순화하여 공정비용을 절감할 수 있고, 대면적의 유기 발광 소자를 제조할 수 있으며, 플렉서블한 특성을 가지는 기판을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일구체예에 따른 플렉서블 유기 발광 소자의 제조방법은, 1) 캐리어(carrier) 기판 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계, 2) 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계, 3) 상기 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계, 및 4) 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계를 포함한다.
본 출원에 있어서, 상기 1) 단계는 캐리어 기판 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계이다. 상기 캐리어 기판은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 캐리어 기판은 글래스 기판, 금속 기판, 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐리어 기판의 두께는 0.5 ~ 0.7mm일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리이미드층은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 폴리이미드층은 폴리이미드 필름을 캐리어 기판 상에 라미네이션하는 공정으로 형성할 수도 있고, 폴리아믹산 조성물을 캐리어 기판 상에 코팅하고 경화시켜서 형성할 수도 있다. 또한, 폴리이미드를 스크린 프린팅하여 형성할 수도 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 폴리이미드층은 내화학성, 내열성 등이 우수하므로, 추후 유기 발광 소자의 제조시 수행되는 포토공정에 유리할 수 있다.
상기 1) 단계는 폴리이미드층을 패턴화하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 즉, 캐리어 기판 상에서 추후 유기 발광 소자가 형성되는 영역에만 폴리이미드층이 형성될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 2) 단계는 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계이다.
상기 2) 단계의 캐리어 기판 및 플라스틱 기판 사이와 폴리이미드층 및 플라스틱 기판 사이에 접착력을 부가하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 접착력을 부가하는 단계는 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 실란 커플링제 표면처리, 코로나 표면처리 또는 플라즈마 표면처리 방법을 이용할 수 있다. 상기 표면처리는 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상부 번면에 수행될 수 있다. 상기 표면처리는 캐리어 기판과 플라스틱 기판 간의 부착력을 강화하기 위한 것이다.
상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로, 상기 2) 단계에서는 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 라미네이션하는 공정으로 진행할 수 있다.
또한, 상기 2) 단계에서는 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 폴리아믹산 조성물을 코팅하고 경화하여 폴리이미드 필름을 형성하는 공정으로 진행할 수도 있다.
하기 도 1에 감광성 폴리이미드 상에 폴리이미드 필름을 라미네이션 하는 방법을 개략적으로 나타내었다.
상기 플라스틱 기판은 폴리이미드층보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 또한, 상기 플라스틱 기판은 글래스 기판과 동일한 면적을 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 즉, 플라스틱 기판의 하부에 폴리이미드층이 없는 영역은 플라스틱 기판이 표면처리된 캐리어 기판과 직접 강하게 부착될 수 있고, 플라스틱 기판과 표면처리된 폴리이미드층은 상대적으로 약하게 부착될 수 있다. 상기 플라스틱 기판과 표면처리된 폴리이미드층은 상대적으로 약하게 서로 부착되어 있으므로, 추후 캐리어 기판, 폴리이미드층 등을 쉽게 분리할 수 있다. 특히, 캐리어 기판의 테두리 영역에 해당되는 에지부 영역의 5 ~ 10mm의 폭을 가지는 영역은 표면처리된 캐리어 기판과 플라스틱 기판과 강하게 부착될 수 있다.
또한, 플라스틱 기판의 하부에 폴리이미드층이 없는 영역은 플라스틱 기판이 표면처리된 캐리어 기판과 직접 강하게 부착될 수 있으므로, 추후 유기 발광 소자의 형성시 수행되는 포토, 증착공정 등을 충분히 견딜 수 있고, 250℃ 이상의 고열에서도 부착성이 유지될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 3) 단계는 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계이다. 상기 유기 발광 소자는 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드를 포함할 수 있다.
상기 애노드는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 백금, 금, 텅스텐, 탄탈륨, 구리, 은, 주석 및 납 중에서 선택된 1종 이상으로 형성될 수 있다.
또한, 애노드는 투명 전도성 산화물로 형성될 수도 있다. 여기서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 세륨(Ce), 카드뮴(Cd), 마그네슘(Mg), 베릴륨(Be), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 바나듐(V), 구리(Cu), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 루세늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 니켈(Ni), 망간(Mn), 알루미늄(Al), 및 란탄(La) 중에서 선택된 적어도 하나의 산화물일 수 있다.
상기 애노드는 스퍼터링(Sputtering)법, 전자-빔 증착법(E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal evaporation), 레이저 분자 빔 증착법(Laser Molecular Beam Epitaxy, L-MBE), 및 펄스 레이저 증착법(Pulsed Laser Deposition, PLD) 중에서 선택된 어느 하나의 물리 기상 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD); 열 화학 기상 증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 기상 증착법(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 광 화학 기상 증착법(Light Chemical Vapor Deposition), 레이저 화학 기상 증착법(Laser Chemical Vapor Deposition), 금속-유기 화학 기상 증착법(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 및 수소화물 기상 증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE) 중에서 선택된 어느 하나의 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition); 또는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다
상기 애노드의 저항 개선을 위하여 보조전극을 추가로 포함할 수 있다. 상기 보조전극은 전도성 실란트(sealant) 및 금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 증착 공정 또는 프린팅 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 보조전극은 Cr, Mo, Al, Cu, 이들의 합금 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 보조전극 상에 절연층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 절연층은 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 일반적인 포토 레지스트 물질; 폴리이미드; 폴리아크릴; 실리콘 나이트라이드; 실리콘 옥사이드; 알루미늄 옥사이드; 알루미늄 나이트라이드; 알카리 금속 산화물; 알카리토금속 산화물 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 절연층의 두께는 10nm ~ 10㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기물층의 구체적인 물질, 형성방법은 특별히 제한되는 것은 아니고, 당 기술분야에 널리 알려진 물질 및 형성방법을 이용할 수 있다.
상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 적층 구조일 수 있다.
상기 정공 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 주입층을 형성할 수 있는 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 전자 주입 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있고, 정공 주입 전극 물질과 동일한 물질을 사용할 수도 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층을 형성할 수 있는 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌; 인광 호스트 CBP[[4,4'-bis(9-carbazolyl)biphenyl]; 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 발광 물질은 형광 또는 인광 특성을 향상시키기 위해 인광 도판트 또는 형광 도판트를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인광 도판트의 구체적인 예로는 ir(ppy)(3)(fac tris(2-phenylpyridine) iridium) 또는 F2Irpic[iridium(Ⅲ)bis(4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2) picolinate] 등이 있다. 형광 도판트로는 당 기술분야에 알려진 것들을 사용할 수 있다.
상기 전자 수송층을 형성할 수 있는 물질로는 전자 주입층으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드는 Al, Ag, Ca, Mg, Au, Mo, Ir, Cr, Ti, Pd, 이들의 합금 등을 1종 이상 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
하기 도 2에 플라스틱 기판 상에 형성된 유기 발광 소자의 단면을 개략적으로 나타내었다.
본 출원에 있어서, 상기 3) 단계 이후 유기 발광 소자를 인캡슐레이션하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 상기 인캡슐레이션은 산소, 수분 등의 이물질이 유기 발광 소자에 침투하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 당 기술분야에 알려진 재료, 방법 등을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 인캡슐레이션 공정은 유기 발광 소자의 외측을 덮은 밀봉부를 형성함으로써 수행될 수 있다.
상기 밀봉부는 유기 발광 소자의 외측을 덮으면서 유기 발광 소자를 밀봉할 수 있다면, 그 재료는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기 발광 소자의 외측을 봉지 필름으로 압착하거나, 금속 또는 금속 산화물을 증착하여 밀봉부를 형성하거나, 수지 조성물을 코팅 및 경화하여 밀봉부를 형성할 수 있다.
또한, 상기 밀봉부는 원자층 증착법으로 금속 또는 금속 산화물을 증착하여 형성할 수 있다. 여기서, 형성되는 금속층 또는 금속 산화물층은 2층 이상의 구조일 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 4) 단계는 캐리어 기판을 분리하는 단계이다.
종래에는 표면처리가 된 캐리어 기판 상에 형성된 폴리이미드 필름의 분리가 어려워서, 폴리이미드 필름 하부에 희생층을 형성하거나, 레이져, UV 등을 조사하여 폴리이미드 필름을 분리해내었다. 그러나, 본 출원에서는 패턴화된 폴리이미드층을 이용하여, 플라스틱 기판의 하부에 폴리이미드층이 없는 영역은 플라스틱 기판을 표면처리된 캐리어 기판과 직접 강하게 부착시키고, 플라스틱 기판과 표면처리된 폴리이미드층은 상대적으로 약하게 부착시킴으로써, 캐리어 기판, 폴리이미드층 등을 쉽게 분리할 수 있다. 구체적인 분리방법은 나이프, 레이저 등을 이용하여 분리하는 방법을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
하기 도 3에 캐리어 기판을 분리하는 방법을 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원은, 상기 유기 발광 소자의 제조방법에 의하여 제조된 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원의 일구체예에 따른 플렉서블 유기 발광 소자는, 폴리이미드층; 상기 폴리이미드층 상에 구비된 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자를 포함한다.
본 출원에 있어서, 상기 폴리이미드층 및 플라스틱 기판 사이의 적어도 일부에는 실란 커플링제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 실란 커플링제는 폴리이미드층과 플라스틱 기판 간의 접착력을 향상시키는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 본 출원의 다른 구체예에 따른 플렉서블 유기 발광 소자는, 플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자를 포함하고, 상기 플라스틱 기판의 하부면의 적어도 일부에는 실란 커플링제를 포함한다.
본 출원에 따른 플렉서블 유기 발광 소자에 있어서, 상기 폴리이미드층, 플라스틱 기판, 유기 발광 소자 등에 대한 내용은 전술한 바와 동일하므로, 이의 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
본 출원에 따른 플렉서블 유기 발광 소자는 광추출 구조를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 플라스틱 기판과 유기 발광 소자 사이에 광추출층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 광추출층은 광산란을 유도하여, 유기 발광 소자의 광추출 효율을 향상시킬 수 있는 구조라면 특별히 제한하지 않는다. 보다 구체적으로, 상기 광추출층은 바인더 내에 산란입자가 분산된 구조일 수 있다.
또한, 상기 광추출층은 기재 위에 스핀 코팅, 바 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법에 의하여 직접 형성되거나, 필름 형태로 제작하여 부착하는 방식에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함할 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치에서 상기 유기 발광 소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외 디스플레이 장치의 구성은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 조명 장치에서 상기 유기 발광 소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 출원에 따르면, 제조공정을 단순화하여 공정비용을 절감할 수 있고, 플렉서블한 특성을 가지는 기판을 포함하는 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.

Claims (26)

1) 캐리어(carrier) 기판 상에 폴리이미드층을 형성하는 단계,
2) 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 형성하는 단계,
3) 상기 플라스틱 기판 상에 유기 발광 소자를 형성하는 단계, 및
4) 상기 캐리어 기판을 분리하는 단계
를 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계는 폴리이미드층을 패턴화하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 폴리이미드층은 캐리어 기판 상에서 유기 발광 소자가 형성되는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 단계의 폴리이미드층은 폴리아믹산 조성물을 코팅하고 경화시켜서 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 캐리어 기판 및 플라스틱 기판 사이와 폴리이미드층 및 플라스틱 기판 사이에 접착력을 부가하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 5에 있어서, 상기 접착력을 부가하는 단계는 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 실란 커플링제 표면처리, 코로나 표면처리 또는 플라즈마 표면처리 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 캐리어 기판은 글래스 기판, 금속 기판 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 캐리어 기판의 두께는 0.5 ~ 0.7mm인 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법
청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계는 상기 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 플라스틱 기판을 라미네이션하는 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 PET(polyethylene terephthalate), 폴리에스테르(polyester), PC(Polycarbonate), PI(polyimide), PEN(polyethylene naphthalate), PEEK(polyether ether ketone), PAR(polyarylate), PCO(polycylicolefin), 폴리노보넨(polynorbornene), PES(polyethersulphone) 및 COP(cycloolefin polymer)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리이미드 필름을 포함하고,
상기 2) 단계는 캐리어 기판 및 폴리이미드층 상에 폴리아믹산 조성물을 코팅하고 경화하여 폴리이미드 필름을 형성하는 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 플라스틱 기판은 1) 단계의 폴리이미드층보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 단계의 플라스틱 기판은 캐리어 기판과 동일한 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 3) 단계 이후 유기 발광 소자를 인캡슐레이션하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 4) 단계의 분리방법은 나이프 또는 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1에 있어서, 상기 4) 단계와 동시에 또는 이후에 폴리이미드층을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자의 제조방법.
청구항 1 내지 16 중 어느 한 항의 유기 발광 소자의 제조방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
폴리이미드층;
상기 폴리이미드층 상에 구비된 플라스틱 기판; 및
상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자
를 포함하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 18에 있어서, 상기 폴리이미드층 및 플라스틱 기판 사이의 적어도 일부에는 실란 커플링제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 18에 있어서, 상기 플라스틱 기판과 유기 발광 소자 사이에 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 20에 있어서, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
플라스틱 기판; 및 상기 플라스틱 기판 상에 구비된 유기 발광 소자를 포함하고,
상기 플라스틱 기판의 하부면의 적어도 일부에는 실란 커플링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 22에 있어서, 상기 플라스틱 기판과 유기 발광 소자 사이에 광추출층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 23에 있어서, 상기 광추출층 상에 평탄층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블(flexible) 유기 발광 소자.
청구항 18 내지 24 중 어느 한 항의 플렉서블 유기 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치.
청구항 18 내지 24 중 어느 한 항의 플렉서블 유기 발광 소자를 포함하는 조명 장치.
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EP13857827.3A EP2927982B1 (en) 2012-11-30 2013-11-15 Organic light-emitting device including flexible substrate, and method for manufacturing same
JP2015545352A JP6417330B2 (ja) 2012-11-30 2013-11-15 フレキシブル基板を含む有機発光素子およびその製造方法
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104934371A (zh) * 2015-03-09 2015-09-23 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制作方法
JPWO2016010003A1 (ja) * 2014-07-17 2017-04-27 旭化成株式会社 樹脂前駆体及びそれを含有する樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、樹脂フィルム及びその製造方法
CN107464893A (zh) * 2017-07-31 2017-12-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器件的制备方法、柔性显示器件及显示器
CN110739337A (zh) * 2019-10-24 2020-01-31 云谷(固安)科技有限公司 柔性基板、显示面板及显示面板的制备方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083029A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN104362263A (zh) * 2014-10-31 2015-02-18 华南理工大学 用于柔性显示器件制备的柔性薄膜衬底与基板分离工艺
KR101661619B1 (ko) 2014-11-05 2016-09-30 율촌화학 주식회사 가스 발생 점착 필름, 이를 포함하는 연성 표시소자 및 이를 이용한 연성 표시소자 제조 방법
KR20160064747A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 동우 화인켐 주식회사 액정 표시 패널 상판 일체형 터치 센서
CN105789440A (zh) * 2014-12-23 2016-07-20 深圳Tcl工业研究院有限公司 用于制造柔性显示的复合基板及制备方法和amoled的制造方法
JP6735554B2 (ja) * 2015-12-10 2020-08-05 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機el表示装置及びその製造方法
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
WO2018020333A1 (en) 2016-07-29 2018-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Separation method, display device, display module, and electronic device
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI629770B (zh) * 2016-08-09 2018-07-11 陽程科技股份有限公司 Method for separating flexible display from carrier substrate
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
KR102425705B1 (ko) 2016-08-31 2022-07-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
KR102630960B1 (ko) * 2016-12-15 2024-01-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 기판과 이를 포함하는 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법
JP6878870B2 (ja) * 2016-12-20 2021-06-02 東洋紡株式会社 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
KR102008766B1 (ko) * 2017-01-31 2019-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
CN107195658B (zh) * 2017-05-25 2020-01-21 上海天马微电子有限公司 柔性基板及其制作方法
US10658592B2 (en) 2017-07-31 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for fabricating flexible display device, flexible display device, and display apparatus
WO2019049235A1 (ja) * 2017-09-06 2019-03-14 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法及び表示デバイスの製造装置
TW202022059A (zh) 2018-09-11 2020-06-16 南韓商Lg化學股份有限公司 用於製造可撓性顯示器之疊層結構以及使用其製造可撓性顯示器的方法
KR20200054425A (ko) * 2018-11-09 2020-05-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110132315A (zh) * 2019-04-08 2019-08-16 清华大学深圳研究生院 一种柔性传感器及其制备方法和可穿戴智能设备
CN111755632B (zh) * 2020-07-30 2022-07-19 河南工程学院 一种柔性有机电致发光器件及其制备方法
WO2022182167A2 (ko) * 2021-02-25 2022-09-01 동우 화인켐 주식회사 엘이디 조명 장치 및 그 제조 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007571A (ko) * 2000-06-16 2003-01-23 유니티카 가부시끼가이샤 플렉시블프린트 배선판용 기판의 제조방법 및플렉시블프린트 배선판용 기판
KR20080020024A (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 한국전자통신연구원 플렉시블 기판의 적층 방법
US20100267203A1 (en) * 2009-04-17 2010-10-21 Industrial Technology Research Institute Method for isolating flexible film from support substrate
US20110003442A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Tsinghua University Method for manufacturing flexible semiconductor device
JP2011142168A (ja) 2010-01-06 2011-07-21 Fujifilm Corp 電子デバイスの製造方法および該電子デバイスに用いられる基板
KR20110122250A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 부산대학교 산학협력단 외부 광 추출 효율을 향상시킨 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120053601A (ko) * 2010-11-18 2012-05-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR20120106659A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 플렉서블 장치의 제조 방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198374A (ja) * 2000-10-16 2002-07-12 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
US8057903B2 (en) * 2001-11-30 2011-11-15 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Multilayer articles comprising resorcinol arylate polyester and method for making thereof
US20060043343A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Chacko Antony P Polymer composition and film having positive temperature coefficient
DE102006055067B4 (de) * 2005-12-29 2017-04-20 Lg Display Co., Ltd. Organische Dünnfilmtransistoren und Verfahren zu deren Herstellung
KR101330456B1 (ko) * 2006-12-12 2013-11-15 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이의 제조 장치 및 이를 이용한 플렉서블디스플레이의 제조 방법
JP5150138B2 (ja) 2007-05-23 2013-02-20 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
US7674689B2 (en) * 2007-09-20 2010-03-09 Infineon Technologies Ag Method of making an integrated circuit including singulating a semiconductor wafer
JP5707136B2 (ja) * 2008-03-07 2015-04-22 エルジー・ケム・リミテッド ポジティブ型感光性ポリイミド組成物
WO2009116531A1 (ja) 2008-03-18 2009-09-24 旭硝子株式会社 電子デバイス用基板、有機led素子用積層体及びその製造方法、有機led素子及びその製造方法
KR101500684B1 (ko) * 2008-04-17 2015-03-10 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판 및 이를 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법
JP2009283155A (ja) 2008-05-19 2009-12-03 Seiko Epson Corp 表示装置の製造方法、表示装置および電子機器
TWI354854B (en) 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
KR101009415B1 (ko) 2008-11-18 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 플라스틱 기판을 구비한 전자장치 제조방법, 이에 의해 제조된 전자장치 및 상기 제조방법에 사용되는 장치
KR101495398B1 (ko) * 2008-12-02 2015-02-25 아리조나 보드 오브 리젠츠 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 유연성 기판 조립체의 제조 방법 및 그것으로부터의 유연성 기판 조립체
US8273439B2 (en) 2008-12-08 2012-09-25 Industrial Technology Research Institute Release layer materials, substrate structures comprising the same and fabrication method thereof
JP5126555B2 (ja) * 2008-12-19 2013-01-23 東洋紡株式会社 積層体およびその製造方法、積層体回路板
KR101029299B1 (ko) * 2008-12-30 2011-04-18 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
TWI501696B (zh) * 2009-02-13 2015-09-21 Tokyo Polytechnic University An image display device and an organic electroluminescent element
TWI421809B (zh) * 2009-04-17 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 可撓曲基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法
JP5723776B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-27 旭硝子株式会社 ガラス/樹脂積層体の製造方法
WO2011046190A1 (ja) * 2009-10-15 2011-04-21 旭硝子株式会社 有機led素子、有機led素子の散乱層用のガラスフリット及び有機led素子の散乱層の製造方法
US8538224B2 (en) * 2010-04-22 2013-09-17 3M Innovative Properties Company OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures
US20110291544A1 (en) 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
KR101783781B1 (ko) * 2010-07-05 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
TW201228807A (en) * 2011-01-13 2012-07-16 Moser Baer India Ltd Method of imprinting a texture on a rigid substrate using flexible stamp
JP2012178268A (ja) 2011-02-25 2012-09-13 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機電界発光モジュール、有機電界発光表示装置、及び有機電界発光照明
JP5355618B2 (ja) * 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
JP5906574B2 (ja) 2011-03-29 2016-04-20 大日本印刷株式会社 フレキシブルデバイス用基板及びその製造方法
CN103502005B (zh) 2011-04-15 2015-05-06 东洋纺株式会社 层叠体、其制造方法及使用其的器件结构体的制造方法
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007571A (ko) * 2000-06-16 2003-01-23 유니티카 가부시끼가이샤 플렉시블프린트 배선판용 기판의 제조방법 및플렉시블프린트 배선판용 기판
KR20080020024A (ko) * 2006-08-30 2008-03-05 한국전자통신연구원 플렉시블 기판의 적층 방법
US20100267203A1 (en) * 2009-04-17 2010-10-21 Industrial Technology Research Institute Method for isolating flexible film from support substrate
US20110003442A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Tsinghua University Method for manufacturing flexible semiconductor device
JP2011142168A (ja) 2010-01-06 2011-07-21 Fujifilm Corp 電子デバイスの製造方法および該電子デバイスに用いられる基板
KR20110122250A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 부산대학교 산학협력단 외부 광 추출 효율을 향상시킨 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120053601A (ko) * 2010-11-18 2012-05-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조 방법
KR20120100274A (ko) * 2011-03-03 2012-09-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 표시장치의 제조 방법
KR20120106659A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 이터널 케미칼 컴퍼니 리미티드 플렉서블 장치의 제조 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2927982A4

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016010003A1 (ja) * 2014-07-17 2017-04-27 旭化成株式会社 樹脂前駆体及びそれを含有する樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、樹脂フィルム及びその製造方法
CN104934371A (zh) * 2015-03-09 2015-09-23 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制作方法
CN104934371B (zh) * 2015-03-09 2017-10-24 友达光电股份有限公司 可挠式显示面板及其制作方法
CN107464893A (zh) * 2017-07-31 2017-12-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器件的制备方法、柔性显示器件及显示器
CN110739337A (zh) * 2019-10-24 2020-01-31 云谷(固安)科技有限公司 柔性基板、显示面板及显示面板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2927982A1 (en) 2015-10-07
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