WO2013099432A1 - シリカガラスルツボおよびそれを用いた単結晶シリコンの生産方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、シリカガラスルツボの構成の概要について説明するための断面図である。本実施形態のシリカガラスルツボ112は、内表面側に透明なシリカガラス層111と、外表面側に気泡を含有するシリカガラス層114を有するものである。このシリカガラスルツボ112は、チョクラルスキー法(CZ法)などによって単結晶シリコンの引上げに用いられる際には、開口部が上向きになるようにサセプター(不図示)上に載置されている。
11 湾曲部
12 直胴部
13 底部
R1 湾曲部の内面曲率
R2 底部の内面曲率
M1 湾曲部の曲率の中心点
M2 底部の曲率の中心点
W 湾曲部の肉厚
111 透明なシリカガラス層
112 シリカガラスルツボ
114 気泡を含有するシリカガラス層
115 側壁部
116 底部
117 ラウンド部
Claims (7)
- 単結晶シリコンの引き上げに用いられるシリカガラスルツボであって、
上面に開口した縁部を有する円筒状の側壁部と、
曲線からなるすり鉢状の底部と、
前記側壁部および前記底部を連接するラウンド部と、
を備え、
前記シリカガラスルツボの回転軸を通る断面において、前記ラウンド部の内表面の曲率が側壁部から底部の方向に向かって徐々に大きくなるように設けられている、
シリカガラスルツボ。 - 請求項1に記載のシリカガラスルツボにおいて、
前記シリカガラスルツボの回転軸を通る断面において、前記ラウンド部の内表面が緩和曲線を構成する、
シリカガラスルツボ。 - 請求項2に記載のシリカガラスルツボにおいて、
前記緩和曲線が、クロソイド曲線、3次曲線及びサイン半波長逓減曲線からなる郡から選ばれる1種以上の曲線である、
シリカガラスルツボ。 - 単結晶シリコンの生産方法であって、
シリカガラスルツボに多結晶シリコンを投入する工程と、
前記多結晶シリコンを加熱熔融してシリコン融液を得る工程と、
前記シリコン融液から単結晶シリコンを引き上げる工程と、
を含み、
前記シリカガラスルツボが、
上面に開口した縁部を有する円筒状の側壁部と、
曲線からなるすり鉢状の底部と、
前記側壁部および前記底部を連接するラウンド部と、
を備え、
前記シリカガラスルツボの回転軸を通る断面において、前記ラウンド部の内表面の曲率が側壁部から底部の方向に向かって徐々に大きくなるように設けられている、
シリカガラスルツボである、
生産方法。 - 請求項4に記載の生産方法において、
前記単結晶シリコンを引き上げる工程が、
前記側壁部および前記ラウンド部の境目に前記液面が到達する時点の近辺から、前記単結晶シリコンを引き上げる速度を緩める工程を含む、
生産方法。 - 請求項4に記載の生産方法において、
前記シリカガラスルツボの回転軸を通る断面において、前記ラウンド部の内表面が緩和曲線を構成する、
生産方法。 - 請求項6に記載の生産方法において、
前記緩和曲線が、クロソイド曲線、3次曲線及びサイン半波長逓減曲線からなる郡から選ばれる1種以上の曲線である、
生産方法。
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