JP6413973B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
(石英と黒鉛の反応式) SiO2+C → SiO+CO
図1に示す本発明のシリコン単結晶の製造方法に従い、図2に示すシリコン単結晶製造装置1において、シリコン単結晶を製造した。
図2に示すシリコン単結晶引上装置において、従来のように2分割の黒鉛ルツボの分割面に沿って黒鉛シートを敷設し、実施例と同様の合成石英ルツボを黒鉛シートが敷かれた黒鉛ルツボ上に配置し、単結晶の製造を行った。
2b…プルチャンバ、 3…ルツボ、 3a…黒鉛ルツボ、 3b…石英ルツボ、
4…ヒーター、 5…シールド、 6…ペディスタル、
7…シリコン融液、 8…分割面、 9…黒鉛シート片、 10…直胴部、
11…湾曲部、 12…膨れ発生位置に相対する位置、 13…整流筒、
14…底部。
Claims (4)
- 複数に分割された黒鉛ルツボの内側に石英ルツボを配置し、該石英ルツボにシリコン多結晶原料を収容し、該シリコン多結晶原料をヒーターで加熱してシリコン融液とし、該シリコン融液にシリコン種結晶を着液して回転させながら引き上げることにより、シリコン単結晶を引き上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記黒鉛ルツボと前記石英ルツボとの間に、少なくとも、前記黒鉛ルツボの内周の湾曲部から分割面に達する黒鉛シート片を配置して、前記黒鉛ルツボ、前記石英ルツボ、及び前記黒鉛シート片から区画される、少なくとも、前記黒鉛ルツボの内周の湾曲部から分割面に達する隙間を形成することで、
該隙間から前記分割面に、前記石英ルツボと前記黒鉛ルツボとの間に生じるガスを誘導し気抜き可能とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記黒鉛シート片として、厚み0.4mm以上1mm以下、幅30mm以上150mm以下のものを用いることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記黒鉛シート片を前記黒鉛ルツボと前記石英ルツボとの間に配置する際に、前記黒鉛ルツボの内側に配置された前記石英ルツボが前記シリコン融液を収容した場合に前記石英ルツボの膨らみが発生する部分と相対する位置に、前記黒鉛シート片の端部を位置させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記石英ルツボとして、外周面を研磨によって平滑化されたものを用いることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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