JPH0165866U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0165866U JPH0165866U JP1987160714U JP16071487U JPH0165866U JP H0165866 U JPH0165866 U JP H0165866U JP 1987160714 U JP1987160714 U JP 1987160714U JP 16071487 U JP16071487 U JP 16071487U JP H0165866 U JPH0165866 U JP H0165866U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- view
- symmetrical
- rotation axis
- utility
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
第１図、第２図は在来の装置図、第１図は本考
案の実施例のａ縦断面図、ｂはその坩堝底中央部
の平面図、第２図は着脱式突起のａ平面図、ｂ縦
断面図、ｃ嵌合部、第３図は従来の装置の縦断面
図、第４図は従来のａ縦断面図、ｂその底面の平
面図、第５図は別の実施例の縦断面図、第６図は
その部分平面図、第７図は腕などの断面図である
。 １……Ｓｉ等の融液、２……坩堝、３……引上
げられつつある単結晶、４……ヒーター、５……
結晶吊りワイヤ、６……坩堝支持体、１０……ガ
イドリング、１１，１２……支柱。
案の実施例のａ縦断面図、ｂはその坩堝底中央部
の平面図、第２図は着脱式突起のａ平面図、ｂ縦
断面図、ｃ嵌合部、第３図は従来の装置の縦断面
図、第４図は従来のａ縦断面図、ｂその底面の平
面図、第５図は別の実施例の縦断面図、第６図は
その部分平面図、第７図は腕などの断面図である
。 １……Ｓｉ等の融液、２……坩堝、３……引上
げられつつある単結晶、４……ヒーター、５……
結晶吊りワイヤ、６……坩堝支持体、１０……ガ
イドリング、１１，１２……支柱。
Claims (1)
- 単結晶引上げ用坩堝において、坩堝回転軸と同
軸で軸対称な融液下降流案内装置を、坩堝内に付
設したことを特徴とする単結晶引上げ用坩堝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987160714U JPH0165866U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987160714U JPH0165866U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0165866U true JPH0165866U (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=31443019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987160714U Pending JPH0165866U (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0165866U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206448A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Siltronic Japan Corp | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| CN104114753A (zh) * | 2011-12-30 | 2014-10-22 | 株式会社Sumco | 氧化硅玻璃坩埚以及使用氧化硅玻璃坩埚的单晶硅生产方法 |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP1987160714U patent/JPH0165866U/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005206448A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Siltronic Japan Corp | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| JP4597619B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-12-15 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン結晶育成用るつぼ及びシリコン結晶の育成方法 |
| CN104114753A (zh) * | 2011-12-30 | 2014-10-22 | 株式会社Sumco | 氧化硅玻璃坩埚以及使用氧化硅玻璃坩埚的单晶硅生产方法 |
| EP2799596A4 (en) * | 2011-12-30 | 2015-12-16 | Sumco Corp | QUARTZ GLASS HOLDER AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF MONOCRYSTALLINE SILICON THEREWITH |