WO2013046955A1 - Ｍｅｍｓセンサ - Google Patents

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一朗 大坂
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    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0278—Temperature sensors

Definitions

  • the present invention relates to the structure of a sensor, and more particularly to the structure of a MEMS sensor using MEMS technology.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • a sensor created by applying the MEMS technology that is, the MEMS sensor is a sensor created by using a semiconductor process, so that the output signal is often a very small output. Therefore, generally, a signal processing LSI is mounted in the subsequent stage.
  • the manufacturing process of the MEMS sensor and the manufacturing process of the semiconductor have no affinity in the portion including deep etching, the handling of the sacrificial layer, etc. is also different. Since a problem also arises, the MEMS sensor chip and the signal processing LSI are often separate chips.
  • a signal processing LSI is often stacked on a MEMS sensor chip.
  • the MEMS sensor chip and the signal processing LSI chip stacked as in Patent Document 1 are bonded by an adhesive member such as an adhesive or an adhesive sheet.
  • an adhesive member such as an adhesive or an adhesive sheet.
  • the MEMS chip and the signal processing LSI chip are bonded to an arbitrary position, there is a possibility that a temperature gradient is generated on the MEMS chip depending on the position of the heat generating portion of the signal processing LSI.
  • the temperature gradient on the MEMS chip has a temperature gradient in the sensing element, which may cause performance degradation due to the influence of temperature.
  • the temperature sensor part for correcting the temperature characteristics of the sensor itself mounted on the signal processing LSI has a temperature gradient on the MEMS sensor element, the correction becomes difficult.
  • An object of the present invention is to provide a MEMS sensor in which the influence of changes in temperature characteristics due to heat is reduced.
  • a MEMS sensor of the present invention includes a signal processing LSI on which a temperature sensor for measuring a sensor temperature is mounted, and a MEMS sensor chip mounted on the signal processing LSI. And the MEMS sensor chip is mounted on the heat generating portion of the signal processing LSI.
  • the top view of the MEMS sensor in a 1st Example The perspective view of the MEMS sensor in a 1st Example.
  • the top view of the MEMS sensor in a 1st Example An example of the top view of a MEMS sensor.
  • the top view of the MEMS sensor in a 2nd Example The top view of the MEMS sensor in a 3rd Example.
  • the top view of the MEMS sensor in a 4th Example The top view of the MEMS sensor in a 5th Example.
  • the top view of the MEMS sensor in a 6th Example The figure which showed the temperature characteristic.
  • the MEMS sensor chip is arranged immediately above the position where the heat generated when the signal processing LSI performs the signal processing operation is known in advance by simulation technology or the like.
  • the performance of the sensor is improved by arranging so that the temperature gradient of the entire MEMS sensor element is minimized by the adjustment.
  • Example 1 A first embodiment which is an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • 1 is a signal processing LSI
  • 2 is a MEMS sensor chip
  • 3 is a temperature measurement unit
  • 10 is a heat generation unit of the signal processing LSI 1.
  • This sensor has the MEMS sensor chip 2 mounted on a signal processing LSI 1 as shown in FIG. 2 (a), and a bonding member (not shown) as shown in the perspective view of FIG. 2 (b). Fix it.
  • the MEMS sensor chip 2 when the MEMS sensor chip 2 is arranged at an arbitrary position on the signal processing LSI 1, a part of the MEMS sensor chip 2 is heated by the heating unit 10, and heat nonuniformity is generated on the MEMS sensor chip 2.
  • the temperature becomes non-uniform inside the sensor element.
  • the heat generating part 10 and the sensor chip 2 of the signal processing LSI 1 are arranged immediately above the heat generating part 10 as shown in FIG. Thereby, the temperature gradient inside the sensor element can be reduced.
  • the positional relationship between the heat generating unit 10 of the signal processing LSI 1 and the temperature measuring unit 3 is not adjacent to the heat generating unit 10 as shown in FIG. 1, but between the heat generating unit 10 of the signal processing LSI 1 and the MEMS sensor chip 2.
  • the thermal resistance of the signal processing LSI 1 and the thermal capacity of the sensor chip 2 are taken into consideration, and the thermal resistance and the thermal capacity are matched or their ratios are matched.
  • the temperature gradient on the MEMS sensor chip 2 can be reduced, and the temperature characteristics at the time of transient can be corrected, and the influence of changes in temperature characteristics due to heat can be reduced.
  • Example 2 Next, a second embodiment, which is another embodiment, will be described with reference to FIG. Constituent elements similar to those described in FIGS.
  • the heat generating part 10 and the other heat generating part 11 are on the signal processing LSI 1.
  • another heat generating portion 11 is arranged in the vicinity of the heat generating portion 10 like the other heat generating portion 12 in the semiconductor layout as shown in FIG.
  • the MEMS sensor chip 2 is disposed immediately above the heat generating unit 10 and the other heat generating unit 12.
  • the heat generating part 10 and the other heat generating part 11 are made to be another heat generating part 12 whose shape is changed by the semiconductor layout, and the signal processing LSI 1 is changed.
  • the heat generating part may be arranged collectively in the central part, and the MEMS sensor chip 2 may be mounted as shown in FIG.
  • the heat generating section 10 is divided into a plurality of parts (in this embodiment, it is divided into two as an example), and a temperature gradient is unlikely to occur in the sensor element on the MEMS sensor chip 2. As shown in FIG. 6A, the heat generating section 10 is divided into a plurality of parts (in this embodiment, it is divided into two as an example), and a temperature gradient is unlikely to occur in the sensor element on the MEMS sensor chip 2. As shown in FIG. 6A, the heat generating section 10 is divided into a plurality of parts (in this embodiment, it is divided into two as an example), and a temperature gradient is unlikely to occur in the sensor element on the MEMS sensor chip 2. As shown in FIG.
  • the heat generating portion 10 of the signal processing LSI 1 has a shape as shown in FIG. It is assumed that the shape of the MEMS sensor chip 2 is a vertically long shape as compared with the heat generating portion 10 as shown in FIG. In the case of the present embodiment, the MEMS sensor chip 2 is arranged so that the temperature gradient is minimized in the sensor element on the MEMS sensor chip 2 as shown in FIG.
  • the heat generating unit 10 and the temperature measuring unit 3 are arranged on the signal processing LSI 1 as shown in FIG.
  • the heat generation amount per unit time in the heat generation unit 10 is integrated, and the center of the heat generation unit calculated from the integrated value and the area of the heat generation unit is 101.
  • one MEMS sensor element 20 is mounted on the MEMS sensor chip 2 as shown in FIG.
  • FIG. 8B it is assumed that the MEMS sensor element 20 is arranged on the MEMS sensor chip 2 and has a center 201 calculated from the area of the sensor portion of the MEMS sensor element 20.
  • the temperature detection unit 3 on the signal processing LSI 1 measures the temperature at which the heat generated by the heat generation unit 10 is transferred on the signal processing LSI 1. Assuming that the temperature of the sensor part of the MEMS sensor element 20 has a time characteristic as shown by the characteristic 50, the detected temperature of the temperature detection part 3 has a thermal resistance, Arrange for heat capacity. Alternatively, an arrangement that is proportional to the characteristic 50 such as the characteristic 52 is adopted.
  • Such a configuration makes it possible to reduce the influence of changes in temperature characteristics due to heat.
  • the heat generating unit 10 and the temperature measuring unit 3 are arranged on the signal processing LSI 1 as shown in FIG.
  • the heat generation amount per unit time in the heat generation unit 10 is integrated, and the center of the heat generation unit calculated from the integrated value and the area of the heat generation unit is 101.
  • the MEMS sensor chip 2 has a plurality of MEMS sensor elements, and in this embodiment, there are three cases.
  • the MEMS sensor element 21, the MEMS sensor element 22, and the MEMS sensor element 23 are arranged on the MEMS sensor chip 2, and the center calculated from the area of the sensor portion of each MEMS sensor element is the same as in the fifth embodiment.
  • the center 202, the center 203, and the center 204 respectively.
  • the center calculated comprehensively from the areas of these sensor portions is 201.
  • the heat generating unit 10 is arranged as shown in FIG. 9C so that the center 101 of the heat generating part 10 and the center 201 calculated from the MEMS sensor element 21, the MEMS sensor element 22, and the MEMS sensor element 23 coincide.
  • the heat transferred from the heat generating portion 10 of the signal processing LSI 1 is transmitted relatively uniformly to the sensor portions of the MEMS sensor element 21, MEMS sensor element 22, and MEMS sensor element 23 on the MEMS sensor chip 2. . Thereby, the characteristic can be stabilized.
  • the temperature detection unit 3 on the signal processing LSI 1 measures the temperature at which the heat generated by the heat generation unit 10 is transferred on the signal processing LSI 1.
  • the detected temperature of the temperature detection part 3 has a characteristic 51 depending on the layout of the semiconductor process. The heat resistance and heat capacity are taken into consideration so as to become like this. Alternatively, an arrangement that is proportional to the characteristic 50 such as the characteristic 52 is adopted.
  • examples of the MEMS sensor of the present invention include a sensor that detects and processes an externally applied signal such as acceleration and angular velocity, but is not limited thereto. Further, the present invention can also be applied to a MEMS sensor in which an acceleration sensor and an angular velocity sensor are mounted in the same manner, or a biaxial acceleration sensor and an angular velocity sensor, in which a triaxial acceleration sensor and an angular velocity sensor are mounted in the same manner.

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Abstract

センサ温度を測定するための温度センサが搭載された信号処理用ＬＳＩと、前記信号処理用ＬＳＩ上に搭載されたＭＥＭＳセンサチップと、を有し、前記ＭＥＭＳセンサチップを前記信号処理用ＬＳＩの発熱部上に搭載する。これにより熱による温度特性の変化の影響を低減したＭＥＭＳセンサを提供することができる。

Description

ＭＥＭＳセンサ
　本発明は、センサの構造に係り、特に、ＭＥＭＳ技術を応用したＭＥＭＳセンサの構造に関する。
　半導体基板上に機械的構造物を作成できるＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ　Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術は各種センサ、光応用機器に応用されている。
　そして、ＭＥＭＳ技術を応用して作成されたセンサ、すなわち、ＭＥＭＳセンサは半導体プロセスを利用して作成したセンサであるのでそれ自身は小さく出力信号は、微小出力となることが多い。そのため、一般的には後段に信号処理用ＬＳＩを搭載する。
　一方、ＭＥＭＳセンサの製造プロセスと半導体の製造プロセスとでは、深堀エッチングをはじめとした部分で親和性は無く、また犠牲層などの扱いも異なり、またＭＥＭＳセンサチップと処理回路を並べると面積的な問題も生じるため、ＭＥＭＳセンサチップと信号処理用ＬＳＩは別チップとなることが多い。
　その際、例えば特許文献１に記載のように、ＭＥＭＳセンサチップに信号処理用ＬＳＩを重ねるような構成とすることが多い。
特開２００９－５３１００号公報
　特許文献１のように重ねられたＭＥＭＳセンサチップと信号処理用ＬＳＩのチップは、接着剤、接着シートなどの接着部材により接着される。一般的にＭＥＭＳチップ側の発熱はほとんど無く、主として信号処理用ＬＳＩのチップの発熱が主体となる。そのため、接着部材を介してＭＥＭＳチップ側へ熱が伝わる。
　また、ＭＥＭＳチップと信号処理用ＬＳＩのチップとを任意の位置に接着すると信号処理用ＬＳＩの発熱部の位置によってＭＥＭＳチップ上に温度勾配が生じる可能性がある。ＭＥＭＳチップ上の温度勾配は、センシングエレメント内に温度勾配を持つこととなり温度による影響で性能劣化の原因ともなりうる。
　さらに、信号処理用ＬＳＩに搭載しているセンサ自身の温度特性補正用の温度センサ部もＭＥＭＳセンサエレメント上に温度勾配がある場合、補正が困難となる。
　本発明の目的は、熱による温度特性の変化の影響を低減したＭＥＭＳセンサを提供することにある。
　上記目的を達成するために、本発明のＭＥＭＳセンサは、センサ温度を測定するための温度センサが搭載された信号処理用ＬＳＩと、前記信号処理用ＬＳＩ上に搭載されたＭＥＭＳセンサチップと、を有し、前記ＭＥＭＳセンサチップを前記信号処理用ＬＳＩの発熱部上に搭載する。
　本明細書は本願の優先権の基礎である日本国特許出願２０１１－２１５９０１号の明細書および／または図面に記載される内容を包含する。
　本発明によれば、熱による温度特性の変化の影響を低減したＭＥＭＳセンサを提供できる。
第１の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 第１の実施例におけるＭＥＭＳセンサの斜視図。 第１の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 ＭＥＭＳセンサの上面図の一例。 第２の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 第３の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 第４の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 第５の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 第６の実施例におけるＭＥＭＳセンサの上面図。 温度特性を示した図。
　本発明では、信号処理用ＬＳＩが信号処理動作をするときに発生する熱がどの部位から主に発生するかがシミュレーション技術等で予め分かることからＭＥＭＳセンサチップをその直上に配置し、さらに位置関係の調整によりＭＥＭＳセンサエレメント全体の温度勾配が最小となるように配置することでセンサの性能を向上させている。
（実施例１）
　図１乃至図４を用いて本発明の一実施例である第１の実施例について説明する。
　図１において、１が信号処理用ＬＳＩ、２がＭＥＭＳセンサチップ、３が温度測定部、１０が信号処理用ＬＳＩ１の発熱部である。図３（ａ）のように、信号処理用ＬＳＩ１に発熱部１０、温度測定部３が配置されている場合について説明する。本センサは、図２の（ａ）に示すよう、信号処理用ＬＳＩ１上に前記ＭＥＭＳセンサチップ２を搭載し図２（ｂ）に示す斜視図のように接着用の部材（図示せず）により固定する。
　図４のように、信号処理用ＬＳＩ１上の任意の位置にＭＥＭＳセンサチップ２を配置すると、ＭＥＭＳセンサチップ２の一部が発熱部１０によって熱せられ、ＭＥＭＳセンサチップ２上に熱の不均一がおき、温度勾配により、センサエレメント内部で温度が不均一となる。これにより、特に差分を取る検出方法で測定精度低下が懸念される。そこで、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０とセンサチップ２は、図１に示すよう発熱部１０の直上にセンサチップ２を配置する。これにより、センサエレメント内部での温度勾配が減少することができる。
　また、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０と温度測定部３の位置関係は図１に示すよう、発熱部１０に隣接するのではなく、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０とＭＥＭＳセンサチップ２の間の熱抵抗、また、信号処理用ＬＳＩ１とセンサチップ２の持つ熱容量を考慮して、熱抵抗、熱容量と一致、もしくは、それぞれの比が一致するように配置する。
　以上のような構成によって、ＭＥＭＳセンサチップ２上の温度勾配を減少させ、さらに過渡時の温度特性も補正でき、熱による温度特性の変化の影響を低減することが可能となる。
（実施例２）
　次に、他の一実施例である第２の実施例について図５を用いて説明する。図１乃至図４記載と同様の構成要素には同符号を付し説明を省略する。
　図５（ａ）のように、発熱部１０と他の発熱部１１が信号処理用ＬＳＩ１上にあるとする。この際、図５（ｂ）のよう半導体レイアウトで他の発熱部１１を発熱部１０の近傍にさらに他の発熱部１２のように配置する。発熱部１０とさらに他の発熱部１２の直上に図５（ｃ）のようにＭＥＭＳセンサチップ２を配置する。
　また、図５（ａ）であるが図５（ｄ）のように発熱部１０と他の発熱部１１を半導体レイアウトで形状を変更したさらに他の発熱部１２のようにし、信号処理用ＬＳＩ１の中央部分に発熱部をまとめて配置し図５（ｅ）のようにＭＥＭＳセンサチップ２を搭載してもよい。
　このようにしてＭＥＭＳセンサチップ上のセンサエレメントの温度勾配を減少させることで、熱による温度特性の変化の影響を低減することが可能となる。
（実施例３）
　次に、図６を用いて他の一実施例である第３の実施例について説明する。図１乃至図５記載と同様の構成要素には同符号を付し説明を省略する。
　本実施例では、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０がＭＥＭＳセンサチップ２よりも小さい場合について説明する。
　信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０が小さいと発熱面積が小さいため、伝熱で伝わっていく熱によりＭＥＭＳセンサチップ２上のセンサエレメントに温度勾配ができてしまうことが多い。そこで、図６（ａ）のよう発熱部１０を複数個に分割し（本実施例では一例として２つに分割した例とした。）、ＭＥＭＳセンサチップ２上のセンサエレメントに温度勾配ができにくいように図６（ｂ）のように配置した。
　このような構成により、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０がＭＥＭＳセンサチップ２よりも小さい場合であっても、ＭＥＭＳセンサチップ上のセンサエレメントの温度勾配を減少させ、熱による温度特性の変化の影響を低減することが可能となる。
（実施例４）
　次に、図７を用いて他の一実施例である第４の実施例について説明する。図１乃至図６に記載と同様の構成要素には同符号を付して説明を省略する。
　本実施例では、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０とＭＥＭＳセンサチップ２との形状が大きく異なっている場合について説明する。
　信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０が図７（ａ）のような形状だったとする。ＭＥＭＳセンサチップ２の形状が図７（ｂ）のように発熱部１０に比較して縦長の形状だったと仮定する。本実施例の場合では、図７（ｂ）のようにＭＥＭＳセンサチップ２上のセンサエレメントに温度勾配が極小になるようにＭＥＭＳセンサチップ２を配置する。
　このような構成により、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０とＭＥＭＳセンサチップ２との形状が大きく異なっている場合であっても、ＭＥＭＳセンサチップ上のセンサエレメントの温度勾配を減少させ、熱による温度特性の変化の影響を低減することが可能となる。
（実施例５）
　次に、図８を用いて他の一実施例である第５の実施例について説明する。図１乃至図７に記載と同様の構成要素には同符号を付して説明を省略する。
　本実施例では、図８（ａ）のような、信号処理用ＬＳＩ１上に発熱部１０と温度測定部３が配置されているとする。発熱部１０での単位時間当たりの発熱量を積分し、その積分値と発熱部の面積から算出した発熱部の中心を１０１とする。一方、図８（ｂ）のようにＭＥＭＳセンサチップ２にＭＥＭＳセンサエレメント２０にひとつ搭載されている例である。図８（ｂ）にＭＥＭＳセンサチップ２上にＭＥＭＳセンサエレメント２０が配置され、そのＭＥＭＳセンサエレメント２０のセンサ部分の面積から算出した中心２０１のようになっているとする。
　この際、発熱部１０の中心１０１とＭＥＭＳセンサエレメント２０の中心２０１とが一致するように図８（ｃ）のように配置する。これによって、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０から伝熱した熱が比較的均一にＭＥＭＳセンサチップ２上のＭＥＭＳセンサエレメント２０のセンサ部分に伝わることとなる。それにより、特性の安定が図れる。
　一方、信号処理用ＬＳＩ１上の温度検出部３は、発熱部１０の発熱が信号処理用ＬＳＩ１上を伝熱した温度を測定する。ＭＥＭＳセンサエレメント２０のセンサ部の温度が時間特性が特性５０のようになっているとすると、温度検出部３の検出温度は、半導体プロセスのレイアウトにより特性５１のようになるように、熱抵抗、熱容量を考慮して配置する。もしくは、特性５２のように特性５０に比例するような配置とする。
　このような構成により、熱による温度特性の変化の影響を低減することが可能となる。
（実施例６）
　次に、図９を用いて他の一実施例である第６の実施例について説明する。図１乃至図８に記載と同様の構成要素には同符号を付して説明を省略する。
　本実施例では、図９（ａ）のような、信号処理用ＬＳＩ１上に発熱部１０と温度測定部３が配置されているとする。発熱部１０での単位時間当たりの発熱量を積分し、その積分値と発熱部の面積から算出した発熱部の中心を１０１とする。一方、図９（ｂ）のようにＭＥＭＳセンサチップ２にＭＥＭＳセンサエレメントが複数個、この実施例では３個の場合を示す。図９（ｂ）にＭＥＭＳセンサチップ２上にＭＥＭＳセンサエレメント２１、ＭＥＭＳセンサエレメント２２、ＭＥＭＳセンサエレメント２３が配置され、実施例５と同様それぞれのＭＥＭＳセンサエレメントのセンサ部分の面積から算出した中心をそれぞれ中心２０２、中心２０３、中心２０４となっているとする。これらセンサ部分の面積から総合的に算出した中心を２０１とする。
　この際、発熱部１０の中心１０１とＭＥＭＳセンサエレメント２１、ＭＥＭＳセンサエレメント２２、ＭＥＭＳセンサエレメント２３から算出した中心２０１とが一致するように図９（ｃ）のように配置する。これによって、信号処理用ＬＳＩ１の発熱部１０から伝熱した熱が比較的均一にＭＥＭＳセンサチップ２上のＭＥＭＳセンサエレメント２１、ＭＥＭＳセンサエレメント２２、ＭＥＭＳセンサエレメント２３、のセンサ部分に伝わることとなる。それにより、特性の安定が図れる。
　一方、信号処理用ＬＳＩ１上の温度検出部３は、発熱部１０の発熱が信号処理用ＬＳＩ１上を伝熱した温度を測定する。ＭＥＭＳセンサエレメント２１、ＭＥＭＳセンサエレメント２２、ＭＥＭＳセンサエレメント２３のセンサ部の温度が時間特性が特性５０のようになっているとすると、温度検出部３の検出温度は、半導体プロセスのレイアウトにより特性５１のようになるように、熱抵抗、熱容量を考慮して配置する。もしくは、特性５２のように特性５０に比例するような配置とする。
　なお、各実施例において、本発明のＭＥＭＳセンサの一例として、加速度、角速度等の外的印加信号を検知、処理を行って出力するセンサがあげられるが、これらに限定されるものではない。また、加速度センサと角速度センサを同一に搭載したＭＥＭＳセンサや、あるいは、２軸加速度センサと角速度センサ、３軸加速度センサと角速度センサを同一に搭載したもの等にも適用可能である。
１　信号処理用ＬＳＩ
２　ＭＥＭＳセンサチップ
３　温度検出部
１０、１１、１２　発熱部
２０、２１、２２、２３　ＭＥＭＳセンサエレメント
１０１　発熱部の中心
２０１、２０２、２０３、２０４　ＭＥＭＳセンサエレメントの中心
　本明細書で引用した全ての刊行物、特許および特許出願をそのまま参考として本明細書にとり入れるものとする。

Claims (8)

  1. 　センサ温度を測定するための温度センサが搭載された信号処理用ＬＳＩと、
    　前記信号処理用ＬＳＩ上に搭載されたＭＥＭＳセンサチップと、を有し、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは前記信号処理用ＬＳＩの発熱部上に搭載したことを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  2. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは、加速度センサであることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  3. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは、角速度センサであることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  4. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは、加速度センサと角速度センサからなることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  5. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは、２軸の加速度センサと角速度センサからなることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  6. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記ＭＥＭＳセンサチップは、３軸の加速度センサと角速度センサからなることを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  7. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記信号処理用ＬＳＩの発熱部と前記ＭＥＭＳセンサのセンシング部との間の持つ熱抵抗、熱容量と同等の熱抵抗、熱容量を持つ位置に前記温度センサを配置したことを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
  8. 　請求項１に記載のＭＥＭＳセンサにおいて、
    　前記信号処理用ＬＳＩの発熱部とＭＥＭＳセンサのセンシング部との間の持つ熱抵抗、熱容量とそれぞれ同一の比の熱抵抗、熱容量を持つ位置に前記温度センサ部を配置することを特徴とするＭＥＭＳセンサ。
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