JP6820817B2 - トルク検出装置 - Google Patents
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- G01L3/04—Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft
- G01L3/10—Rotary-transmission dynamometers wherein the torque-transmitting element comprises a torsionally-flexible shaft involving electric or magnetic means for indicating
Description
しかしながら、この方式では、回転軸体にトルク以外の他軸荷重(スラスト荷重)が加わった場合にも少なからず感度を持ってしまい、トルクのみを精度よく検出できない。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係るトルク検出器の構成例を示す図である。図1では、歪センサ1がベース板2を介して回転軸体5に取付けられた状態を示している。
回転軸体5は、軸方向における一端にモータ等の駆動系6が接続され、他端にロボットハンド等の負荷系が接続される。この回転軸体5の周面には、収納溝51が形成されている。なお図1では、収納溝51の断面形状がT型に構成されている。
図3では、フルブリッジ回路(ホイートストンブリッジ回路)を構成する4つの抵抗ゲージ13(R1〜R4)が、シリコン層11の辺方向に対して斜め方向(45度方向)に形成され、歪センサ1が2方向のせん断応力を検知する場合を示している。なおここでは、上記斜め方向の具体例として45度方向とした場合を示したが、上記斜め方向は45度方向に限定されず、歪センサ1の特性上、ある程度のずれ(例えば44度方向又は46度方向等)は許容される。
歪センサ1の製造方法では、図4に示すように、まず、シリコン層11に、イオン注入により複数の抵抗ゲージ13を形成する(ステップST1)。そして、複数の抵抗ゲージ13によりホイートストンブリッジ回路を形成する。
次いで、シリコン層11の裏面に、エッチングにより溝部111を形成する(ステップST2)。これにより、シリコン層11の抵抗ゲージ13が形成された箇所を薄肉部112とさせる。
次いで、シリコン層11の裏面と絶縁層12の上面とを、例えば陽極接合により接合する(ステップST3)。
また、ベース板2には、表面及び裏面に、非固定部22が設けられている。非固定部22は、抵抗ゲージ13に対向する領域及び上記軸方向における抵抗ゲージ13とスリット部21との間の領域を含む領域に設けられ、回転軸体5に対して非固定とされる部分である。また、ベース板2における非固定部22以外の部分は、回転軸体5に対して固定可能としている。図1に示すベース板2では、短手方向(上記軸方向に垂直な方向)における両側面のうち、歪センサ1の長手方向(上記軸方向)における両端の位置よりも内側から外側に対向する面23が、回転軸体5に固定されている。
図5Aに示すように、回転軸体5にトルクが加えられることで、回転軸体5に取付けられた歪センサ1が歪み、歪センサ1の表面に図5Bに示すようなせん断応力が発生する。図5では、色が濃い点ほど引張応力が強い状態であり、色が薄い点ほど圧縮応力が強い状態であることを示している。そして、回転軸体5の軸方向に対して斜め方向(45度方向)を向いた抵抗ゲージ13は、このせん断応力に応じて抵抗値が変化し、歪センサ1は、抵抗値の変化に応じた電圧を出力する。そして、トルク検出器は、この歪センサ1により出力された電圧から回転軸体5に加えられたトルクを検出する。
例えば、歪センサ1としてシリコンを用いた場合には、ベース板2として、シリコンに対して線膨張係数が近いコバールを用いる。これにより、トルク検出器の温度特性が向上する。また、歪センサ1をベース板2にはんだ接合等により固定する際に、線膨張係数の違いにより生じる熱歪を抑制できる(熱プロセスの影響を抑制できる)。
なお、シリコン層11は、溝部111及び連通溝部113により、全体が薄くならないように、一部のみが薄くなるように構成される必要がある。
基板層として上記絶縁体又は金属を用いた場合でも、一般的な金属歪ゲージよりもゲージ率は高くなる。また、成膜によって抵抗ゲージ13を形成した場合には、シリコン層11にイオン注入により抵抗ゲージ13を形成した場合に対し、結晶方位によってゲージ率が変わることはなく、すなわち、方向を限定する必要がなくなる。
一方、ゲージ率は、成膜によって抵抗ゲージ13を形成した場合に対し、シリコン層11にイオン注入により抵抗ゲージ13を形成した場合の方が、4〜10倍以上高くなる。
2 ベース板
5 回転軸体
6 駆動系
11 シリコン層(基板層)
12 絶縁層
13 抵抗ゲージ(拡散抵抗)
21 スリット部(変形吸収部)
21b 凹凸部
22 非固定部
23 側面部分
51 収納溝
111 溝部
112 薄肉部
113 連通溝部
Claims (3)
- 回転軸体と、
前記回転軸体に取付けられたベース板と、
前記ベース板に搭載され、抵抗ゲージを有する歪センサとを備え、
前記ベース板は、
前記回転軸体の軸方向における前記歪センサの一端側又は両端側に形成され、当該軸方向における前記ベース板の変形を吸収する変形吸収部と、
前記抵抗ゲージに対向する領域及び前記軸方向における前記抵抗ゲージと前記変形吸収部との間の領域を含む領域に設けられ、前記回転軸体に対して非固定である非固定部とを有し、
前記ベース板は、前記軸方向に沿った両側面のうち、前記軸方向における前記ベース板の端部の位置から前記歪センサの端部よりも内側の位置に対向する面が、前記回転軸体に固定された
ことを特徴とするトルク検出装置。 - 前記歪センサは、半導体歪ゲージである
ことを特徴とする請求項1記載のトルク検出装置。 - 前記変形吸収部は、スリット部又は溝部である
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のトルク検出装置。
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