JP6820101B2 - トルク検出器 - Google Patents
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Description
しかしながら、金属歪ゲージでは、ゲージ率が小さいため、微小な歪を高精度に検出することは困難である。
また、従来方式では、金属歪ゲージを少なくとも4つ以上配置する必要がある。よって、各金属歪ゲージの相対位置及び角度を厳密に合わせる必要があり、困難であるという課題がある。
一方、近年では、産業用ロボットに対し、人と隔たりなく共存するために、人又は物等の物体に接触した際に、瞬時に接触を検知して動作が止まるような安全性が求められている。しかしながら、産業用ロボットは、自身の重み及び保持する物体の重みを有し、更に動作スピードを考慮した堅牢な筐体であることから、従来の金属歪ゲージでは高精度にトルクを検出することは難しい。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係るトルク検出器の構成例を示す図である。
トルク検出器は、回転軸体5(図4参照)に加わるトルクを検出する。回転軸体5は、軸方向における一端にモータ等の駆動系6が接続され、他端にロボットハンド等の負荷系が接続される。トルク検出器は、図1に示すように、歪センサ1を備えている。
図2では、フルブリッジ回路(ホイートストンブリッジ回路)を構成する4つの抵抗ゲージ13(R1〜R4)が、シリコン層11の辺方向に対して斜め方向(45度方向)に形成され、歪センサ1が2方向のせん断応力を検知する場合を示している。なおここでは、上記斜め方向の具体例として45度方向とした場合を示したが、上記斜め方向は45度方向に限定されず、歪センサ1の特性上、ある程度のずれ(例えば44度方向又は46度方向等)は許容される。
図1では、絶縁層12の上面がシリコン層11における裏面の全面に接合された場合を示している。また、絶縁層12には、裏面の長手方向両端を除く領域に、溝部121が形成されている。溝部121により、絶縁層12の裏面の長手方向両端には接合部122が構成される。そして、図4に示すように、絶縁層12の接合部122が、直接、回転軸体5に接合される。
歪センサ1の製造方法では、図3に示すように、まず、シリコン層11に、イオン注入により複数の抵抗ゲージ13を形成する(ステップST1)。そして、複数の抵抗ゲージ13によりホイートストンブリッジ回路を形成する。
次いで、シリコン層11の裏面に、エッチングにより溝部111を形成する(ステップST2)。これにより、シリコン層11の抵抗ゲージ13が形成された箇所を薄肉部112とさせる。
また、絶縁層12の裏面の長手方向両端を除く領域に、エッチングにより溝部121を形成する(ステップST3)。これにより、絶縁層12の裏面の長手方向両端に接合部122が構成される。
次いで、シリコン層11の裏面と絶縁層12の上面とを、例えば陽極接合により接合する(ステップST4)。
図5Aに示すように、回転軸体5にトルクが加えられることで、回転軸体5に取付けられた歪センサ1が歪み、歪センサ1の表面に図5Bに示すようなせん断応力が発生する。図5では、色が濃い点ほど引張応力が強い状態であり、色が薄い点ほど圧縮応力が強い状態であることを示している。そして、回転軸体5の軸方向に対して斜め方向(45度方向)を向いた抵抗ゲージ13は、このせん断応力に応じて抵抗値が変化し、歪センサ1は、抵抗値の変化に応じた電圧を出力する。そして、トルク検出器は、この歪センサ1により出力された電圧から回転軸体5に加えられたトルクを検出する。
ここで、回転軸体5に歪センサ1が直接取付けられた場合、取付け位置が回転軸体5の軸方向に距離が離れるほど相対的な歪量が増える。そこで、歪センサ1の接合部122が軸方向の外側のみとされることで、最も大きな変位差を歪センサ1に伝達でき、回転軸体5に加わるトルクに対する検出感度が向上する。
例えば図7に示すように、絶縁層12として、間隙を有して配置され、シリコン層11の長手方向両端のみに対向する2つの板状の絶縁層(第1絶縁層、第2絶縁層)125,126を用い、この2つの絶縁層125,126が、直接、回転軸体5に接合されてもよい。
また、例えば図8に示すように、板状の絶縁層12の裏面の長手方向両端に、剛性の高い柱部材14が接合され、絶縁層12は、この柱部材14を介して回転軸体5に接合されるように構成してもよい。
また例えば図9に示すように、板状の絶縁層12の裏面の長手方向両端が、接着部材(接着剤又ははんだ等)15により、直接、回転軸体5に接合されてもよい。
なお、シリコン層11は、溝部111及び連通溝部113により、全体が薄くならないように、一部のみが薄くなるように構成される必要がある。
基板層として上記絶縁体又は金属を用いた場合でも、一般的な金属歪ゲージよりもゲージ率が高くなる。また、成膜によって抵抗ゲージ13を形成した場合には、シリコン層11にイオン注入により抵抗ゲージ13を形成した場合に対し、結晶方位によってゲージ率が変わることはなく、すなわち、方向を限定する必要がなくなる。
一方、ゲージ率は、成膜によって抵抗ゲージ13を形成した場合に対し、シリコン層11にイオン注入により抵抗ゲージ13を形成した場合の方が、4〜10倍以上高くなる。
5 回転軸体
6 駆動系
11 シリコン層(基板層)
12 絶縁層
13 抵抗ゲージ(拡散抵抗)
14 柱部材
15 接着部材
111 溝部
112 薄肉部
113 連通溝部
121 溝部
122 接合部
123 絶縁層(第1絶縁層)
124 絶縁層(第2絶縁層)
125 絶縁層(第1絶縁層)
126 絶縁層(第2絶縁層)
Claims (7)
- 抵抗ゲージを有し、外力に応じて歪みが生じる基板層と、
一面が前記基板層の少なくとも両端に接合され、当該一面に対向する対向面における長手方向両端が回転軸体に接合される絶縁層と、
前記絶縁層の前記対向面に形成され、当該対向面における長手方向両端に接合部を構成させる溝部とを備え、
前記接合部は、直接、前記回転軸体に接合される
ことを特徴とするトルク検出器。 - 前記基板層はシリコン層である
ことを特徴とする請求項1記載のトルク検出器。 - 前記シリコン層は、表面の結晶方位が(100)である
ことを特徴とする請求項2記載のトルク検出器。 - 前記抵抗ゲージは、前記基板層に成膜されることで形成された
ことを特徴とする請求項1から請求項3のうちの何れか1項記載のトルク検出器。 - 前記抵抗ゲージは、前記シリコン層の<110>方向に形成された
ことを特徴とする請求項2又は請求項3記載のトルク検出器。 - 前記絶縁層は、間隙を有して配置された第1絶縁層及び第2絶縁層から成り、
前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層は、直接、前記回転軸体に接合される
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちの何れか1項記載のトルク検出器。 - 前記絶縁層は、接着部材により、直接、前記回転軸体に接合される
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちの何れか1項記載のトルク検出器。
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