WO2015190330A1 - トルク検出装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、半導体ひずみセンサのような脆性破壊を起こしやすいセンサを使用した場合でも、センサが破壊しないように信頼性を確保した上で、大トルクの計測を実現することができるトルク検出装置を提供することにある。 トルク計測の対象とするシャフト部材1の外周面に設けられた突起部2と、突起部2に搭載されたひずみを計測するひずみセンサ5とを備え、突起部2が前記ひずみセンサ5を搭載する搭載部4と搭載部4の両端部をシャフト部材1の軸方向に離間した2箇所でシャフト部材1の外周面に連結固定する2つの接続部3とで構成され、搭載部4がシャフト部材1の外周面から離間して設けられたトルク検出装置において、ひずみセンサ5は、搭載部4の前記軸方向における中央から一方の接続部3の側に偏って配置される。
Description
本発明は、半導体ひずみセンサ等のひずみセンサを用いて、回転シャフトに印加されるトルクを検出する装置に関する。
近年、自動車に用いられる回転シャフトなどに生じるトルクを検出する装置が各種開発されている。一例をあげると、特開2013-174562号公報(特許文献1)に記載されたトルク検出装置がある。本文献のトルク検出装置では、装置の小型軽量化を目的として、ひずみ検出部を有したアタッチメント部品をシャフトに取り付ける構造となっている。具体的には、トルク検出装置は、回転駆動シャフトの外周面に固定され、回転駆動シャフトのトルクを平面上の歪みに変換する平坦部を有するアタッチメントと、アタッチメントの平坦部に装着される表面弾性波センサと、回転駆動シャフトの周囲に装着され、送受信機側アンテナと送受信するフィルムアンテナとを備えている(要約参照)。
また、トルク印加時にシャフトに発生するひずみを検出するセンサとして、半導体ひずみセンサがある。半導体ひずみセンサは、ひずみ検出部を金属薄膜ではなく、シリコン(Si)などの半導体に不純物をドープして形成した半導体ピエゾ抵抗を利用するデバイスである。半導体ひずみセンサは、ひずみに対する抵抗変化率が金属薄膜を用いたひずみゲージの数十倍と大きく、微小なひずみを測定することが可能である。また、金属薄膜のひずみゲージでは、抵抗変化が小さいため、得られる電気信号を増幅するための外部のアンプが必要となる。半導体ひずみセンサは抵抗変化が大きいため、得られた電気信号を外部のアンプを用いずに使用することができる。アンプが必要な場合であっても、半導体ひずみセンサの半導体チップにアンプ回路を作りこむことが可能であるため、小型化や高精度化を実現することが可能である。このセンサを用いることによって、適用用途や使用上の利便性を大きく向上できると考えられている。本センサを用いたトルク検出装置の一例をあげると、例えば、特開2006-220574号公報(特許文献2)に記載された回転体力学量測定装置がある。具体的には、回転体力学量測定装置は、特定の結晶方位を長手とする不純物拡散層で構成したホイートストンブリッジ回路を含む半導体単結晶によって形成されたチップ形状を成し、回転軸に貼り付けられて使用される(要約及び段落0010参照)。
しかし、半導体ひずみセンサを被測定物であるシャフト(回転軸)外周面に直接貼り付けてひずみ計測を行う場合、シャフトのひずみ量が大きくなると、シリコンである半導体ひずみセンサ自体が破壊してしまうという課題が存在する。シリコンは、大きなひずみが印加されると脆性破壊を起こしやすく、弾性変形するひずみ範囲は、他の材料と比較して広くない。ひずみ計測が可能なひずみ範囲は、センサの実装条件などにも依存するが、例えば、±1000με(以下、ひずみ量を表す記号としてεを用いる)以内とすることが一つの基準となる。
したがって、半導体ひずみセンサをトルク検出装置に適用する場合、最大トルク印加時に本センサに発生するひずみ量が、ある許容ひずみ値(例.±1000με)以内となるように、シャフト寸法を設計する必要がある。もし、発生ひずみが許容ひずみ値以上の場合、一般には、発生ひずみを低減するために、シャフト外径を大きくしてシャフトの剛性を上げる。しかし、シャフト寸法は、他の要因から決定していることも多く、容易に変更できないことが多い。
特許文献1では、シャフトの外周面に固定したアタッチメントにトルクを検出する表面弾性波センサを取り付けている。しかし、表面弾性波センサを構成する圧電材料基板は、シャフトのトルクを平面上の歪みに変換する平坦部の、シャフトの軸方向における中心部に取り付けられている。そして、特許文献1では、平坦部上におけるセンサの取り付け位置は、特に配慮されていない。
本発明の目的は、半導体ひずみセンサのような脆性破壊を起こしやすいセンサを使用した場合でも、センサが破壊しないように信頼性を確保した上で、大トルクの計測を実現することができるトルク検出装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明のトルク検出装置は、トルク計測の対象とするシャフト部材1の外周面に設けられた突起部2と、突起部2に搭載されたひずみを計測するひずみセンサ5とを備え、突起部2が前記ひずみセンサ5を搭載する搭載部4と搭載部4の両端部をシャフト部材1の軸方向に離間した2箇所でシャフト部材1の外周面に連結固定する2つの接続部3とで構成され、搭載部4がシャフト部材1の外周面から離間して設けられたトルク検出装置において、ひずみセンサ5は、搭載部4の前記軸方向における中央から一方の接続部3の側に偏って配置される。
本発明によれば、ひずみセンサとして半導体ひずみセンサのような脆性破壊を起こしやすいセンサを使用した場合でも、センサが破壊しないように信頼性を確保した上で、シャフトに印加される大トルクの計測が可能なトルク検出装置を実現できる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図1および図2に、本発明のトルク検出装置の斜視図および側面図を示す。トルク検出装置は、測定対象であるシャフト1と、半導体ひずみセンサ5と、半導体ひずみセンサ5と電気的に接続される配線部10(フレキシブル配線板やガラエポ基板など)と、バッテリー部品11と、無線通信部品12とで構成されている。シャフト1に印加されるトルク6を検出することが本実施例の目的である。なお、図1では、配線部10、バッテリー部品11および無線通信部品12は図示していない。
図1および図2を用いて、シャフト1の詳細について説明する。図示したシャフトは、中空軸であるが、本実施例は中空軸に限定したものではなく、中実軸も対象となる。シャフト1は、外周面に、突起部2を有している。突起部2は、切削加工などによって、シャフト1の回転軸と一体で形成されている。従って、突起部2はシャフト1と同じ材料でできている。突起部2は、2箇所の接続部3と平板部4とで構成されている。2箇所の接続部3は、シャフト1の回転軸(軸心)8の方向に間隔を置いて配置されており、シャフト1の外周面に接続している。平板部4は、2箇所の接続部3の間に形成され、平板部4の両端が接続部3とつながっている。平板部4は平板形状であり、平板の長手方向がシャフト1の回転軸8と略平行に配置され、センサを搭載する面7は、シャフト1の周方向と略垂直に形成されている。すなわち、平板部4は、シャフト1の回転軸8に垂直な断面上において、シャフト1の回転軸8から放射方向(径方向)に伸ばした直線上に配置され、センサ搭載面7は前記直線に平行である。
図3および図4は、シャフト1の別形状案の斜視図、側面図である。図1および図2に示したシャフト1の接続部3は、シャフト外周面の一部に形成されていた。しかし、接続部3の形状は、図3および図4に示す通り、シャフト1の外周面の全周に形成されていてもよい。シャフト1の材質は、特に指定はないが、機械構造用鋼などの金属材料を用いることが多い。
突起部2は、回転体であるシャフト1の回転バランスに配慮して、小型軽量化される。それでも、図1および図2の構成では、少なからず回転のアンバランスが生じることになる。図3および図4の構成によれば、接続部3がシャフト外周面の全周に形成されるため、アンバランスの解消には有利である。
図5Aおよび図5Bは、半導体ひずみセンサ5の表面側の構成を模式的に示す平面図である。図5Cは、半導体ひずみセンサ5の側面から見た構成を模式的に示す側面図である。なお、図5Cの側面図は、図5Aおよび図5Bに示す半導体ひずみセンサ5に共通する。
半導体ひずみセンサ5は、図5A、図5Bおよび図5Cに示すように、表面(主面)5aおよび表面5aの反対側に位置する裏面5bを備える。半導体ひずみセンサ5の裏面5bには金属膜が形成されている。この金属膜は、例えば半導体基板側からチタン(Ti)、ニッケル(Ni)、金(Au)が順に積層された積層膜(金属積層膜)から成り、例えばスパッタ法により形成することができる。このように半導体ひずみセンサ5の裏面5bに金属膜を形成することで、はんだなどの金属製の接合材との接合強度を向上させることができる。また、表面5aおよび裏面5bはそれぞれ四辺形(四角形)を成し、図5Aおよび図5Bに示す例では、例えば、一辺の長さが2mm~5mm程度の正方形を成す。また、半導体ひずみセンサ5は、表面5a側の中央部に位置するセンサ領域14に形成された複数の抵抗素子15(ピエゾ抵抗素子)を備える。
また、半導体ひずみセンサ5は、複数の抵抗素子15(ピエゾ抵抗素子)と電気的に接続される複数の電極(パッド、電極パッド9)を備える。電極パッド9は、表面5a側のセンサ領域14よりも周縁部側に位置する入出力回路領域に形成されている。複数の抵抗素子15は、例えば(100)面を有するシリコン基板の素子形成面に不純物をドープし、拡散させた不純物拡散領域により構成される。半導体ひずみセンサ5は、例えば4本の抵抗素子15を電気的に接続したホイートストンブリッジ回路25を備える。このホイートストンブリッジ回路25は、ピエゾ抵抗効果による抵抗素子15の抵抗変化を計測してひずみを検知する検知回路(ひずみ検知回路)を構成する。
また、検知回路25は、複数の配線を介して複数の電極パッド9に接続される。複数の電極パッド9は、半導体ひずみセンサ5の入出力端子となっており、例えば、センサチップ1に電源電位(第1電源電位)を供給する端子Vcc、基準電位(第2電源電位)を供給する端子GND、および検知信号を出力する端子SIGが含まれる。また、検知回路25を構成する複数の抵抗素子15のレイアウトは、図5に示す態様に限定されるものではないが、本実施形態では以下の構成としている。すなわち、半導体ひずみセンサ5が備える半導体基板(例えばシリコン(Si)から成るシリコン基板)を単結晶(シリコン単結晶)とした場合、検知回路25を構成する複数の抵抗素子15の延在方向(長手方向)は、それぞれ(100)面を有する半導体基板の<110>方向または<100>方向と一致する。例えば、図5Aに示す例では、半導体ひずみセンサ5が備える半導体基板(シリコン基板)には、シリコン単結晶の<110>方向(図5AではX方向およびX方向と直交するY方向)の結晶方位に沿って電流が流れるように4本のp型拡散領域(導電型がp型である不純物をドープした領域)が形成される。言い換えれば、半導体ひずみセンサ5では、シリコン基板のシリコン単結晶の<110>方向の結晶方位に沿って延びるように4箇所にp型の不純物をドープして、4本の抵抗素子15が形成される。
また、図5Bに示す例では、半導体ひずみセンサ5が備える半導体基板(シリコン基板)には、シリコン単結晶の<100>方向(図5BではX方向およびX方向と直交するY方向)の結晶方位に沿って電流が流れるように4本のn型拡散領域(導電型がn型である不純物をドープした領域)が形成される。言い換えれば、半導体ひずみセンサ5では、シリコン基板のシリコン単結晶の<100>方向の結晶方位に沿って延びるように4箇所にn型の不純物をドープして、4本の抵抗素子15が形成される。
図Aおよび図5Bに示すように、検知回路を構成する複数の抵抗素子15の延在方向が、それぞれ(100)面を有する半導体基板の<110>方向または<100>方向と一致する半導体ひずみセンサ5は、例えば図5Aおよび図5Bに示すX方向のひずみと、Y方向のひずみの差分を出力することができる。詳しくは、図5Aおよび図5Bに示す端子SIGから、X方向のひずみとY方向のひずみの差分を電位差として出力することができる。このように、X方向のひずみとY方向のひずみの差分を出力する計測方式は、半導体ひずみセンサ5に印加される熱ひずみの影響を低減する観点から有利である。
すなわち、図1に示すように半導体ひずみセンサ5は、シャフト1である被測定物上に取り付けられるため、測定環境温度が変化すると、シャフト1と半導体ひずみセンサ5の線膨張係数の違いに起因した熱ひずみが生じる。この熱ひずみは測定対象となるひずみとは異なるノイズ成分なので、熱ひずみの影響は低減する方が好ましい。
ここで、図5Aおよび図5Bに示すように、半導体ひずみセンサ5の平面形状が正方形の場合、熱ひずみの影響は、X方向とY方向で同程度となる。このため、例えば、X方向に発生するひずみを検出する場合には、X方向のひずみとY方向のひずみの差分を出力すれば、熱ひずみに起因するひずみ量はキャンセルされ、測定対象であるひずみを選択的に検出することができる。
つまり、半導体ひずみセンサ5を用いれば、熱ひずみによる影響を低減できるので、環境温度の変化によるひずみ値のばらつきを低減することができる。また、半導体ひずみセンサ5を構成する抵抗素子15や電極パッド9などの各部材は、公知の半導体装置の製造技術を適用して形成することができるので、素子や配線の微細化が容易である。また、製造効率を向上させて、製造コストを低減することができる。
次に、半導体ひずみセンサ5をシャフト1に取り付ける接合材(図示していない)について説明する。接合材は、半導体ひずみセンサ5の裏面5b全体、および半導体ひずみセンサ5の側面の一部を覆うように設けられる。言い換えれば、接合材の周縁部は、半導体ひずみセンサ5の側面の外側まで広がり、フィレットを形成することもある。半導体ひずみセンサ5とシャフト1を固定する観点からは、接合材は金属材料に限定されず、例えば熱硬化性樹脂などの樹脂製接着材を用いることができる。
図6に、半導体ひずみセンサ5近傍の拡大図を示す。半導体ひずみセンサ5および配線部10は、シャフト1の平板部4上に取りつけられている。配線部10は、半導体ひずみセンサ5の複数の電極パッド9と電気的に接続される複数の配線を備えている。また、配線部10は、複数の金属パターンである配線部が樹脂フィルム内に封止された構成であり、樹脂フィルムの一部に設けられた開口部において、複数の配線の一部が露出して、この露出部分が複数の端子10aを構成する。また、図6に示す例では、半導体ひずみセンサ5の複数の電極パッド9と配線部の複数の端子10aとは、複数のAuワイヤ13(導電性部材)を介して電気的に接続されている。ワイヤ13は、例えば、線径が10μm~200μm程度の金線(Au線)である。また、半導体ひずみセンサ5およびAuワイヤ13は、封止樹脂16により封止されている。封止樹脂16でワイヤ13を覆うことにより、隣り合うワイヤ同士の短絡を防止できる。また、配線部10の一方の端部は、図6に示すように平板部4に固定される。配線部10の他方の端部には例えば図示しないコネクタが形成され、例えば、ひずみを計測する回路(図示は省略)を搭載した基板部品などと電気的に接続される。配線部10の他方の端部はひずみ計測回路を搭載した基板部品に直接接続されてもよい。なお、図6では、配線部10とワイヤ13とは区別して説明したが、複数のワイヤ13を含めて配線部と見做すこともできる。また、配線部10は、半導体ひずみセンサ5と図示しない外部機器の間で、入出力電流を伝送することができれば良く、図6に示す態様には限定されない。
図2に示す通り、シャフト1には、バッテリー11および無線通信部品12が搭載されている。半導体ひずみセンサ5は、回転体であるシャフト1に固定されている。したがって、半導体ひずみセンサ5を動作させるためのバッテリー10もシャフト1に固定されている。また、計測ひずみ値は、無線通信部品12を経由して、外部の計測システム部(図示しない)に伝達される。なお、図2にはバッテリーを用いる実施例を示したが、本発明では、バッテリーを搭載せず、電磁誘導方式や磁気共鳴方式などによる無線給電を用いることも可能である。
次に、図7~図10を用いて、トルク検出原理について説明する。
シャフト1に、トルク6が印加された場合、シャフト1の外周面には、ねじり変形が発生する。図7に、ねじり変形によるシャフト外周面の変形量を模式的に示す。図7は、図中のシャフト右端部17を完全固定し、左端部18にトルクを印加した場合のねじり変形量を矢印で示している。図に示す通り、シャフト1の回転軸8の方向に沿って、ねじり変形量は変化する。つまり、シャフト外周面上において、回転軸8方向に沿って離れた位置にある2箇所P1,P2におけるねじり変形量には差分が生じる。ここで、本実施例のシャフトの場合、シャフト外周面には、図2に示すように、回転軸8方向に沿って離れた位置に2つの接続部3が形成されているので、2つの接続部3のねじり変形量には差分が生じることになる。次に、平板部4は、その長手方向における両端のみが接続部3とつながる構造となっている。平板部4の回転軸8方向に沿う辺4a(図2参照)とシャフト外周面との間には隙間が形成され、辺4aとシャフト外周面とは接続されていない。したがって、2つの接続部3にねじり変形量の差分が生じた場合、平板部4には曲げ変形が発生する。
以上をまとめると、シャフト1にトルクが印加されると、平板部4には曲げひずみが発生する。平板部4上に搭載された半導体ひずみセンサ5によって、この曲げひずみを計測し、シャフト1に印加されたトルクを計測することが可能となる。
図8~10に、測定原理を検証した応力解析結果を示す。本実施例のシャフト材にトルクを負荷した場合の応力解析を実施し、平板部4の変形図および平板部4上に発生するひずみ分布を検証した。解析モデルは、図3および図4に示したシャフト1(接続部3がシャフト外周の全周に形成されているモデル)とした。シャフト1の右端部を完全固定とし、シャフト1の左端部にトルクを印加した。図8に、トルク印加時のシャフト変形図を示す。2箇所の接続部3のねじり変形量の差分に起因して、平板部4に曲げ変形が発生することが分かる。また、平板部4の固定側19(平板部の右半分側)は図面上で下に凸の変形、平板部4のトルク負荷側20(平板部の左半分側)は図面上で上に凸の変形となることが分かる。
次に、図9に、平板部4に発生する曲げひずみ分布図を示す。また、図10に、平板部4の長手方向(図9中のAA’線上)におけるひずみ分布図を示す。図9では、ひずみの大きさを白黒の濃淡で表してある。白色に近づくほど圧縮ひずみが大きくなり、黒色に近づくほど引張ひずみが大きくなる。
図9および図10に示すように、平板部4の固定側19の上面19aには圧縮ひずみが発生する。これは、平板部4が下に凸の変形となるためである。一方、平板部4のトルク負荷側20の上面20aには引張ひずみが発生する。これは、上に凸の変形となるためである。なお、平板部4の固定側19の下面19bには引張ひずみが発生し、トルク負荷側20の下面20bには圧縮ひずみが発生する。
また、図10より、平板部4の長手方向の中心線21に発生するひずみは0であり、平板部4の上面19a,20aに発生するひずみは、平板部上の長手方向に沿って、ほぼ線形に圧縮から引張ひずみに変化していることが分かる。以上より、平板部4上には、想定通り、曲げひずみが発生することが確認できた。
本発明の実施例であるトルク検出装置の効果について説明する。
本実施例の半導体ひずみセンサ5は、平板部4の中心線21上には搭載されず、中心線21から外れた位置に搭載されている。図8~10に示した応力解析結果から分かる通り、平板部4の中心線21上の発生ひずみは0である。したがって、半導体ひずみセンサ5は、中心線21上には搭載されず、外れた位置に搭載される。
本実施例では、特に、半導体ひずみセンサ5全体が中心線(中央線)21から一方の接続部3側に偏った位置に配置されている。これにより、ひずみを確実に検知することができる。なお、中心線21は、平板部4の長手方向において、平板部4が2つの接続部3に接続される位置から等距離にある中央位置を表す。本実施例によれば、半導体ひずみセンサ5は、平板部(搭載部)4の回転軸(軸心)8方向における中央部から一方の接続部3の側に偏って配置される。
また、応力解析結果より、平板部4に発生するひずみは、平板部上の長手方向に沿って、ほぼ線形に圧縮から引張ひずみに変化する。ここで、センサが破壊しないように信頼性を確保した上で、大トルクの計測を可能にするためには、最大トルクが印加された際に、半導体ひずみセンサ5に発生するひずみ値が、ある許容ひずみ値(例.±1000με)以内となるように設計する必要がある。本実施例の場合、平板部4上の曲げひずみは、ほぼ線形に圧縮から引張ひずみに変化している。したがって、最大トルクが印加される際に発生するひずみ値が許容ひずみ値以下となる位置が、平板部4上に必ず存在することになる。そのような位置に、半導体ひずみセンサ5を搭載すれば、半導体ひずみセンサ5の破壊を防止して信頼性を確保することが可能となる。シャフト外周面のひずみを直接計測する場合は、発生ひずみ値がある許容値以下となるように、シャフト形状を変更する必要があることを述べたが、本実施例の場合、シャフト形状を変更することなく、平板部4への貼り付け位置のみを変更することによって、発生ひずみをある許容値以下となるように設計することが可能となる。
図11に、本実施例のトルク検出装置の側面図を示す。基本的な構成は、実施例1と同じである。半導体ひずみセンサ5を2個搭載している点が実施例1との相違点である。図11に示す通り、半導体ひずみセンサ5は、平板部4の中心線21に対して対称の位置に搭載されている。
図9および図10に示した通り、平板部4上に発生するひずみは、中心線21を対称として、圧縮ひずみと引張ひずみが発生する。つまり、2個の半導体ひずみセンサ5に発生するひずみは、一方が引張ひずみであり、もう一方が圧縮ひずみである。よって、負荷トルクを推定する際、両センサによって計測したひずみ値の差分を取得することによって、負荷トルクに対するセンサ出力値の大きさ(すなわち、センサ感度)を上げることが可能となり、トルク検出精度を向上させることができる。
図12に、本実施例のトルク検出装置の側面図を示す。基本的な構成は、実施例1と同じである。本実施例では、突起部2Aおよび突起部2Bに搭載された半導体ひずみセンサ5が、シャフト回転軸8に対して点対称の位置に2つ形成されている。なお、突起部2Aおよび突起部2Bは実施例1で説明した突起部2と同じ構成であるが、突起部2A、突起部2Bのように異なる符号を付して、両者を区別する。
本実施例のトルク検出装置の効果について説明する。シャフト1には、トルクに起因したねじり変形以外に、外力の影響によって、図12中に示す曲げ変形22が印加されることが考えられる。この場合、半導体ひずみセンサ5には、曲げ変形22に起因した曲げひずみが発生する。例えば、図12中に示す曲げ変形22が印加された場合、半導体ひずみセンサ5Aには引張ひずみが、半導体ひずみセンサ5Bには圧縮ひずみが発生する。ここで、突起部2および半導体ひずみセンサ5が1個の場合、センサ出力値は、トルクによって発生したひずみと曲げ変形22によって発生したひずみが加算されて出力されるため、求めたいトルク値の検出精度が低下することになる。
一方、本実施例のように突起部2および半導体ひずみセンサ5がシャフト回転軸8に対して軸対称に複数配置されて、図12に示す曲げ変形が発生した場合、半導体ひずみセンサ5Aには引張ひずみが、半導体ひずみセンサ5Bには前記引張ひずみと大きさが同じである圧縮ひずみが発生する。このため、両センサ5A,5Bの出力値を加算することによって、曲げ変形に起因して発生するひずみを打ち消すことが可能となる。
このように、本実施例の場合、シャフト1の曲げ変形に起因したひずみ変動の影響を打ち消すことが可能となるため、測定対象であるトルク値の検出精度を向上させることが可能となる。
本実施例の突起部2Aおよび突起部2Bを、それぞれ実施例2の突起部2のように構成してもよい。すなわち、各突起部2A,2Bに2つの半導体ひずみセンサ5を設けてもよい。
図13および図14に、本実施例のトルク検出装置の斜視図および側面図を示す。基本的な構成は、実施例1と同じであるが、半導体ひずみセンサ5を搭載した平板部4が、シャフト1とは別体となっていることを特徴とする。
図13および図14に示す通り、シャフト1に形成される突起部2は、接続部3のみで構成されている。また、接続部3には、隙間部24が形成されている。また、図15は、半導体ひずみセンサ5を搭載した金属板23を示す。金属板23は上述した各実施例の平板部4を構成するための部材である。なお、図15には、配線部、ワイヤ、封止樹脂などのその他部品は図示していない。本実施例では、この金属板23を、隙間部24に挿入し、金属板23の両端を固定する。固定する方法は、接着、溶接、ボルト締めなど各種方法が考えられる。図13~15はボルト締めすることを想定し、金属板23の両端には、丸穴23aが加工されている。また、接続部3には、丸穴3aとねじ部3bが加工されている。すなわち、隙間部24を介して対向する2つの部分3A,3Bには、一方の部分3Aに丸穴3aが形成され、他方の部分3Bにねじ部3bが形成されている。
このように、半導体ひずみセンサ5を搭載する金属板23とシャフト1とを別体とした場合、以下の効果が考えられる。まず、半導体ひずみセンサ5を金属板23に接続するプロセスは、ヒーターや高温槽によって高温加熱することが多いが、サイズの小さい金属板23に搭載する場合、金属板の温度上昇が速いので、製造時間を短縮できる。また、シャフト1には、接続部3のみを追加工すればよいので、シャフト1の加工を簡略化できる。
なお、本実施例では、接続部3とシャフト1は同一部材としたが、両部材を別体としてもよい。接続部3とシャフト1とを別体とすることにより、シャフト1の製造時間が短縮され、材料費の低減も可能である。一方で、接続部3とシャフト1とを一体形成する場合は、回転バランスに配慮してシャフト1と接続部3とを設計することができ、取付誤差等による回転アンバランスが生じ難い。
シャフト1、接続部3、金属板23に使用される材料の線膨張係数(α)は全て同じである。この場合、使用環境温度が変化しても、線膨張係数差に起因した熱ひずみは発生せず、半導体ひずみセンサ出力の変動は小さくなる。つまり、トルク推定精度を向上させることができる。
本発明に係る上述の各実施例では、平板部4の中心線(中央線)21上は曲げひずみがゼロとなる。従って、ひずみセンサ5は中心線(中央線)21上を避けて、接続部3,3A,3B側に偏らせて配置される。このため、回転軸8方向において、中心線(中央線)21の両側に、少なくともひずみセンサ5が一つずつ収まる長さ寸法が必要である。すなわち、回転軸8方向における平板部4の長さは、少なくともひずみセンサ5の二つ分の長さが必要である。さらに、中心線(中央線)21の近傍では、曲げひずみが非常に小さな値になる。この曲げひずみの小さい領域を避けてひずみセンサ5を配置するため、回転軸8方向において、中心線(中央線)21の両側に、少なくともひずみセンサ5が二つつずつ収まる長さ寸法のセンサ搭載部を設けることが望ましい。この場合、回転軸8方向における平板部4の長さは、少なくともひずみセンサ5の四個分の長さが必要である。上述した実施例では、ひずみセンサ5が受ける曲げひずみの大きさを確実に変化させて調整することができるように、中心線(中央線)21の片方の側に、ひずみセンサ5の5個分の長さを確保しており、合計10個分の長さを確保している。
なお、本実施例の突起部2A,2Bに係る構成を、実施例1~実施例3に適用してもよい。
なお、本発明は上記した各実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
1…シャフト、2,2A,2B…突起部、3,3A,3B…接続部、3a…丸穴、3b…ねじ部、4…平板部、4a…平板部の長手方向に沿う辺、5,5A,5B…半導体ひずみセンサ、5a…半導体ひずみセンサの表面、5b…半導体ひずみセンサの裏面、6…負荷トルク、7…センサ搭載面、8…シャフト回転軸、9…電極パッド、10…配線部、10a…配線部の端子、11…バッテリー、12…無線通信部品、13…ワイヤ、14…センサ領域、15…抵抗素子(ピエゾ抵抗素子)、16…封止樹脂、17…シャフト固定部(図中の右端)、18…シャフト負荷部(図中の左端)、19…平板部4の固定側(図中の右半分側)、19a…固定側19の上面、19b…固定側19の下面、20…平板部4のトルク負荷側(図中の左半分側)、20a…トルク負荷側20の上面、20b…トルク負荷側20の下面、21…平板部4の中心線、22…曲げ変形、23…金属板、23a…丸穴、24…隙間部。
Claims (8)
- トルク計測の対象とするシャフト部材の外周面に設けられた突起部と、前記突起部に搭載されたひずみを計測するひずみセンサとを備え、前記突起部が前記ひずみセンサを搭載する搭載部と前記搭載部の両端部を前記シャフト部材の軸方向に離間した2箇所で前記シャフト部材の外周面に連結固定する2つの接続部とで構成され、前記搭載部が前記シャフト部材の外周面から離間して設けられたトルク検出装置において、
前記ひずみセンサは、前記搭載部の前記軸方向における中央から一方の接続部の側に偏って配置されたことを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項1に記載のトルク検出装置において、
前記搭載部は、長手方向を有する平板形状であり、前記長手方向がシャフト回転軸と略平行に配置され、前記ひずみセンサを搭載する面が前記シャフト部材の周方向と略垂直に設置されていることを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項2に記載のトルク検出装置において、
前記搭載部の前記中央に対して、前記センサが配置された位置と、前記軸方向において対称となる位置に、もう一つのひずみセンサが配設されたことを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項1に記載のトルク検出装置において、
前記接続部は前記シャフト部材と一体に形成されたことを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項4に記載のトルク検出装置において、
前記搭載部は前記接続部とは別体の金属板で構成され、前記接続部に継合されていることを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項1に記載のトルク検出装置において、
前記ひずみセンサは、半導体基板の表面にピエゾ抵抗素子を形成した半導体ひずみセンサであることを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項1に記載のトルク検出装置において、
前記突起部および前記ひずみセンサが前記シャフト部材の回転軸に対して軸対称に配置されていることを特徴とするトルク検出装置。 - 請求項5に記載のトルク検出装置において、
前記シャフト部材および前記接続部の材質の線膨張係数と前記金属板の材質の線膨張係数とが同じであることを特徴とするトルク検出装置。
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