WO2012147372A1 - 磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラスブランク - Google Patents

Abstract

プレス成形によって平面度が良好な磁気ディスク用ガラスブランクが得られる磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラスブランクを提供する。溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、落下中の上記溶融ガラスの塊を上記一対の金型を用いてプレス成形する。

Description

磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラスブランク

　本発明は、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。

　今日、パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(ＨＤＤ：Hard Disk Drive)が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッド（ＤＦＨ（Dynamic Flying Height)ヘッド)で磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板として、金属基板（アルミニウム基板）等に比べて塑性変形し難い性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられる。

　磁気ヘッドは例えば磁気抵抗効果型素子を備えているが、このような磁気ヘッドに固有の障害としてサーマルアスペリティ障害を引き起こす場合がある。サーマルアスペリティ障害とは、磁気ディスクの微小な凹凸形状の主表面上を磁気ヘッドが浮上飛行しながら通過するときに、空気の断熱圧縮または接触により磁気抵抗効果型素子が加熱され、読み出しエラーを生じる障害である。そのため、サーマルアスペリティ障害を回避するため、磁気ディスク用ガラス基板の主表面の表面粗さ、平面度などの表面性状は良好なレベルとなるように作製されている。

　従来の板状ガラス（ガラスブランク）の製造方法としては、垂直ダイレクトプレス法が知られている。このプレス法は、下型上に溶融ガラスの塊を供給し、上型を使用して溶融ガラスの塊（溶融ガラス塊）をプレス成形する方法である（特許文献１、図４等）。垂直ダイレクトプレス法では、プレス後に得られたガラスブランクを把持して金型から取り出すためのワーク把持装置を必要とする。

特開２００９－２６９７６２号公報

　しかしながら、公知の垂直ダイレクトプレス法は、作製されるガラスブランクの平面度（形状精度）が悪いという問題がある。この理由は以下のとおりである。
　垂直ダイレクトプレス法では、下型上に溶融ガラス塊を配置した直後から溶融ガラス塊のうち下型との接触面および接触面に近い部分のみが急激には冷却されて固化することになる。ガラスは熱伝導率が低いため、溶融ガラス塊が下型と接触している間においても溶融ガラス塊の上方の部分（後で上型と接触する部分）は高温のままである。その後、その上方の部分が上型と接触して急激に冷却されて固化することになる。したがって、垂直ダイレクトプレス法の場合、溶融ガラス塊がガラスブランクに成形される過程では、溶融ガラス塊の下側と上側とで冷却されて固化するタイミングにずれが生じており、その結果、上側で凹形状に反ってしまい、ガラスブランクの平面度の増加（悪化）が生じてしまう。上記タイミングのずれは、垂直ダイレクトプレス法のプレス方式上、抜本的に抑制することができない。
　さらに、垂直ダイレクトプレス法では、溶融ガラス塊を下型に貼り付いて除去できなくなることを防止するために、例えばＢＮ（ボロンナイトライド）等の離型材（(mold）release agent）を予め金型に付着させておく必要があるが、このような離型材がガラスブランクに付着したままでは表面粗さを小さくすることができない。また、平面度が良好なガラスブランクを作製するには、上型と下型の温度を極力同じにすることが好ましいが、離型材が下型に付着していると下型の熱伝導率が悪化するため、プレス成形過程においてガラスブランクの両面を均一に冷却することが困難となる。したがって、垂直ダイレクトプレス法で作製されたガラスブランクは、その平面度を改善し、かつガラスブランクの表面に突き刺さった離型材を除去するため、後工程で研磨・研削等による除去工程が必須である。

　さらに、垂直ダイレクトプレス法では、上述したように、プレス後に得られたガラスブランクを把持して金型から取り出すためのワーク把持装置が必要となるが、プレス後に金型上のガラスブランクを把持するときに、ガラスブランクあるいは金型表面にワーク把持装置が接触してガラスブランクあるいは金型表面が損傷してしまう場合があった。

　本発明は、プレス成形によって平面度が良好な磁気ディスク用ガラスブランクが得られるようにした磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラスブランクを提供することを目的とする。
　本発明の他の目的は、プレス成形によって平面度が良好な磁気ディスク用ガラスブランクが得られ、かつ、ガラスブランクを金型から取り出すときにガラスブランクあるいは金型を損傷させることがないようにした、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することである。

　上記課題に直面して本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、発明者らは新たなプレス成形方法を考案した。すなわち、本実施形態のガラスブランクの製造方法では、落下中の溶融ガラス塊を、溶融ガラス塊の落下方向に対して直交する方向（水平方向）に対向配置された一対の金型（プレス成形型）によりプレス成形する水平ダイレクトプレス法を採用している。この水平ダイレクトプレス法において溶融ガラス塊は、プレス成形されるまでの間、従来の垂直ダイレクトプレス法とは異なり、溶融ガラス塊よりも温度の低い部材に一時的に接触・保持されない。このため、プレス成形の開始直前の時点において、垂直ダイレクトプレス法では溶融ガラス塊の内部の粘度分布がプレス成形時に非常に広くなるのに対して、本実施形態の水平ダイレクトプレスでは、溶融ガラス塊の粘度分布は均一に保たれる。よって、垂直ダイレクトプレス法と比べて、水平ダイレクトプレス法では、プレス成形される溶融ガラス塊を均一に薄く延伸させることが極めて容易である。したがって、結果的に、垂直ダイレクトプレス法を利用してガラスブランクを作製した場合と比べて、水平ダイレクトプレス法を利用してガラスブランクを作製した場合では、平面度の低下を抜本的に抑制することが極めて容易である。

　また、溶融ガラス塊をプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度の差が小さい場合には、その差が大きい場合と比較して、生成されるガラスブランクの平面度を低下させることができる。これは、一対の金型間の温度差がより小さい場合には、高温の溶融ガラス塊が型の内周面に接触して急激に冷却するときの熱的均衡が実現されやすいため、冷却段階での一対の金型間での微小な熱変形度合いの差に起因して生じうるガラスブランクの平面度の低下をより抑制することができるためである。つまり、溶融ガラス塊をプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間には相関関係が存在する。この相関関係を既知とすると、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を実現するための一対の金型間の温度差（絶対値）の最大値が分かる。そこで、一対の金型間の温度差をその最大値以下となるように制御することで、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を実現することができる。

　上述した観点から、本発明の第１の観点は、溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、上記溶融ガラスをプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間の相関関係を得て、上記相関関係に基づいて、ガラスブランクに要求される平面度を実現できる上記一対の金型の温度差を求め、一対の金型の温度が上記求められた温度差以内でプレス成形を行うことを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、好ましくは、上記ガラスブランクに要求される平面度は、上記磁気ディスクがハードディスク装置に搭載されたときにヘッドの接触を防止しうる磁気ディスクの平面度に等しいことを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、好ましくは、成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、成形後に得られるガラスブランクの１００℃～３００℃の熱膨張係数が３０×１０^-7～１００×１０^-7（Ｋ^-1）の範囲内であることを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、前記成形工程では、ガラスブランクの平面度が８μｍ以下となるように上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする。

　本発明の第２の観点は、溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、前記成形工程では、上記一対の金型の対向位置における温度差が１０℃以内となるようにして上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする。

　本発明の第３の観点は、溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、前記成形工程では、ガラスブランクの平面度が８μｍ以下となるように上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第１～第３の観点に係る磁気ディスク用ガラス基板ブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して上記磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第１～第３の観点に係る磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　ところで、上記水平ダイレクトプレス法では、溶融ガラス塊の落下方向に対して直交する方向に対向配置された一対の金型によりプレス成形するため、型を開いた後は、多くの場合、プレス成形されたガラスブランクは自重により鉛直下方に落下する。そのため、金型からガラスブランクを取り出すためのワーク把持装置を必要とせず、それゆえ、垂直ダイレクトプレス法とは異なり、ガラスブランクを金型から取り出すときにガラスブランクあるいは金型を損傷させることがない。
　しかし、発明者らが上記考案した水平ダイレクトプレス法によって多くのプレス成形を行った結果、型を開いた後においても、水平方向に配置された一対の金型のうちの一方の金型にガラスブランクが貼り付いている場合が生ずる事実が判明した。金型に対するガラスブランクの貼りつき力は大きくないため、型を開いた後に型の内部からプレス成形面に向けて（つまり、水平方向に）空気を吐出させ、その吐出力によってガラスブランクを型から剥離させる方法が検討された。この方法ではガラスブランクを型から剥離させることは可能であったものの、ガラスブランクを量産するときにガラスブランクの平面度が低下してしまうという問題が生じた。これは、以下の理由による。つまり、ガラスブランクが一対の型のいずれの型に貼り付いているかについては、型を開けてみないと分からない。そのため、空気の水平方向の吐出を双方の金型に対して行わざるを得ないが、そうすると、ガラスブランクが貼り付いた型とそうでない型との間で空気の吐出による金型の冷却度合いが異なるため、金型間で温度差が大きくなった状態で次の溶融ガラス塊をプレスすることになる。金型間で温度差が大きい状態でプレス成形を行うと、成形されるガラスブランクの一方の面と他方の面とで冷却過程が異なることとなって歪みが生じ、その結果、平面度が低下する。

　上述したように、ある溶融ガラスのプレス成形と次の溶融ガラスのプレス成形の間に、金型間の温度差が大きくなる要因が存在する場合には、次の溶融ガラスを基に成形されたガラスブランクの平面度が低下する。本発明者らは、上記知見を基に、ある溶融ガラスのプレス成形と次の溶融ガラスのプレス成形の間に、金型間の温度差が大きくなる要因が存在する場合であっても、ガラスブランクの平面度を悪化させない方法を考案した。この方法は、開型後に一方の金型に貼り付いたガラスブランクを金型から取り出した後から、新たな溶融ガラスをプレス成形のために落下させるまでの間に、上記一対の金型の各々の溶融ガラスと接触する部分の温度差を低減すべく、上記部分と均熱材を面接触させることを含む。この方法によれば、例えば上述したようにガラスブランクを型から剥離させるための処理等、金型間の温度差が大きくなる要因を生じさせる処理を行った場合であっても、次の溶融ガラスをプレス成形する時点では、一対の金型の等温化が短時間で図れるため、連続的に溶融ガラスをプレス成形するときに（つまり、量産工程において）平面度が良好なガラスブランクを連続的に得ることができる。

　上述した観点から、本発明の第４の観点は、落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、上記成形工程は、開型してから新たな溶融ガラスをプレス成形するまでの間に、上記一対の金型間の温度差を低減するための均熱化工程を有することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、上記均熱化工程は、上記一対の金型の少なくとも一方に均熱材を接触させる工程であることを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、好ましくは、成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第４の観点に係る磁気ディスク用ガラス基板ブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して上記磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第４の観点に係る磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　さらに、本発明者らは、上記知見を基に、一対の金型のうちいずれかの金型からガラスブランクを剥離させるときに、金型間の温度差を大きくさせない方法を考案した。プレス成形後に一対の金型のうちのいずれかにガラスブランクが貼り付いた場合でも、そのガラスブランクを、金型間の温度差を大きくさせない方法で剥離させれば、その次の溶融ガラスをプレス成形する時点で金型間に温度差が大きくならないため、連続的に溶融ガラスをプレス成形するときに（つまり、量産工程において）平面度が良好なガラスブランクを連続的に得ることができる。

　上述した観点から、本発明の第５の観点は、落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、上記成形工程の後、上記金型に貼り付いたガラスブランクを上記金型間の温度差を発生させないように金型から剥離する剥離工程を行った後で、次の溶融ガラスに対して上記成形工程を行うことを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法の一形態において、上記剥離工程は、両金型とガラスブランクが接触した状態で、上記ガラスブランクの外周部の少なくとも一部を冷却することを特徴とする

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法の一形態において、上記剥離工程は、ガラスブランクに対して気体を供給することで上記ガラスブランクの外周端部の少なくとも一部を冷却することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法の一形態において、上記気体を供給するタイミングは、閉じた状態の上記一対の金型が開き始める直前に、または開き始めるタイミングと同時であることを特徴とする

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、好ましくは、成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする。

　上記磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法において、金型の表面粗さ(Ra)が０．１μｍ以下であってよい。

　また、本発明の第６の観点は、落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、上記一対の金型の各々は、金型の閉型によって形成される空間に気体を導入するための通路を備え、上記成形工程では、金型の閉型時において各々の金型の上記通路を通して上記空間に気体を供給することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第５又は第６の観点に係る磁気ディスク用ガラス基板ブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して上記磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、第５又は第６の観点に係る磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする。

　本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によれば、プレス成形によって平面度が良好な磁気ディスク用ガラスブランクおよび磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる。
　本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によれば、プレス成形によって平面度が良好な磁気ディスク用ガラスブランクが得られ、かつ、ガラスブランクを金型から取り出すときにガラスブランクあるいは金型を損傷させることがない。

実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の外観形状を示す斜視図。 実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図。 実施形態のプレス成形において用いられる装置の平面図。 実施形態のプレス成形を示す図。 ゴブ形成形を用いた実施形態のプレス成形の変形例を示す図。 切断ユニットを用いないようにした、実施形態のプレス成形の変形例を示す図。 軟化炉で加熱した光学ガラスを用いた実施形態のプレス成形の変形例を示す図。 実施形態のプレス成形の別の変形例を示す図。 一対の金型間の温度差とガラスブランクの平面度との間の実施例における相関関係を示す図。 第２の実施形態のプレス成形における金型の均熱化処理を説明するための図。 第２の実施形態の金型の均熱化処理の前後における一対の金型の各々のプレス成形面の温度変化を例示する図。 第２の実施形態の金型の均熱化処理の前後における一対の金型の各々のプレス成形面の温度変化を例示する図。 第３の実施形態のプレス成形において、金型の閉型によって形成される空間に気体を供給する方法を例示する図。

　＜第１の実施形態＞
　以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。

　［磁気ディスク用ガラス基板］
　図１に示すように、本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板１は、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板として好適である。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径が６５ｍｍ、中心穴２の径が２０ｍｍ、板厚Ｔが０．６～１．０ｍｍである。実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の主表面の平面度は例えば４μｍ以下であり、主表面の表面粗さ（算術平均粗さRa）は例えば０．２ｎｍ以下である。なお、最終製品である磁気ディスク用基板に求められる平面度は、例えば４μｍ以下である。

　本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アモルファスのアルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平面度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。また、これらガラス材料はアモルファスガラスとすると表面粗さを極めて小さくできるため好ましい。したがって、アモルファスのアルミノシリケートガラスとすると、強度と表面粗さ低減の両方の観点で好ましい。

　本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス基板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５０～７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１～１５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５～３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０～２０％、ならびにＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０～１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。

　本実施形態のガラス基板は以下の組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスでもよい。
　モル％表示にて、
　ＳｉＯ_２を５６～７５％、
　Ａｌ_２Ｏ_３を１～１１％、
　Ｌｉ_２Ｏを０％超かつ４％以下、
　Ｎａ_２Ｏを１％以上かつ１５％未満、
　Ｋ_２Ｏを０％以上かつ３％未満、
　含み、かつＢａＯを実質的に含まず、
　Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏからなる群から選ばれるアルカリ金属酸化物の合計含有量が６～１５％の範囲であり、
　Ｎａ_２Ｏ含有量に対するＬｉ_２Ｏ含有量のモル比（Ｌｉ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏ）が０．５０未満であり、
　上記アルカリ金属酸化物の合計含有量に対するＫ_２Ｏ含有量のモル比｛Ｋ_２Ｏ／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）｝が０．１３以下であり、
　ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯからなる群から選ばれるアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が１０～３０％の範囲であり、
　ＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量が１０～３０％の範囲であり、
　上記アルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）｝が０．８６以上であり、
　上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が２０～４０％の範囲であり、
　上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯ、ＣａＯおよびＬｉ_２Ｏの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ）／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）が０．５０以上であり、
　ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＴａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれる酸化物の合計含有量が０％超かつ１０％以下であり、
　Ａｌ_２Ｏ_３含有量に対する上記酸化物の合計含有量のモル比｛(ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２＋Ｙ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５)／Ａｌ_２Ｏ_３｝が０．４０以上。

　本実施形態のガラス基板は以下の組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスでもよい。
　モル％表示にて、
　ＳｉＯ_２を５０～７５％、
　Ａｌ_２Ｏ_３を０～５％、
　Ｌｉ_２Ｏを０～３％、
　ＺｎＯを０～５％、
　Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを合計で３～１５％、
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４～３５％、
　ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＨｆＯ_２を合計で２～９％含み、
　モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８～１の範囲であり、かつ
　モル比［Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０～０．３０の範囲内であるガラス。

　［実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法］
　次に、図２を参照して、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法のフローを説明する。図２は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを示す図である。
　図２に示すように、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法では先ず、円板上のガラスブランクをプレス成形により作製する（ステップＳ１０）。次に、成形されたガラスブランクをスクライブして、円環状のガラス基板を作製する（ステップＳ２０）。次に、スクライブされたガラス基板に対して形状加工（チャンファリング加工）を行う（ステップＳ３０）。次に、ガラス基板に対して固定砥粒による研削を施す（ステップＳ４０）。次に、ガラス基板の端面研磨を行う（ステップＳ５０）。次に、ガラス基板の主表面に第１研磨を施す（ステップＳ６０）。次に、第１研磨後のガラス基板に対して化学強化を施す（ステップＳ７０）。次に、化学強化されたガラス基板に対して第２研磨を施す（ステップＳ８０）。以上の工程を経て、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
　以下、各工程について、詳細に説明する。

　（ａ）プレス成形工程（ステップＳ１０）
　先ず図３を参照して、プレス成形工程について説明する。図３は、プレス成形において用いられる装置の平面図である。図３に示されるように、装置１０１は、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０，１５０と、切断ユニット１６０と、切断刃１６５（図２には不図示）を備える。切断ユニット１６０は、溶融ガラス流出口１１１から流出する溶融ガラスの経路上に設けられる。装置１０１は、切断ユニット１６０によって切断されてできる溶融ガラスの塊(以降、ゴブともいう)を落下させ、そのとき、塊の落下経路の両側から、互いに対向する一対の型の面で塊を挟み込みプレスすることにより、ガラスブランクを成形する。
　具体的には、図４に示されるように、装置１０１は、溶融ガラス流出口１１１を中心として、４組のプレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０が９０度おきに設けられている。

　プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０の各々は、図示しない移動機構によって駆動されて、溶融ガラス流出口１１１に対して進退可能となっている。すなわち、溶融ガラス流出口１１１の真下に位置するキャッチ位置（図３においてプレスユニット１４０が実線で描画されている位置）と、溶融ガラス流出口１１１から離れた退避位置（図３において、プレスユニット１２０，１３０及び１５０が実線で描画されている位置及び、プレスユニット１４０が破線で描画されている位置）との間で移動可能となっている。

　切断ユニット１６０は、キャッチ位置（プレスユニットによるゴブの捕獲位置）と溶融ガラス流出口１１１との間の溶融ガラスの経路上に設けられ、溶融ガラス流出口１１１から流出される溶融ガラスを適量に切り出して溶融ガラスの塊を形成する。切断ユニット１６０は、一対の切断刃１６１及び１６２を有する。切断刃１６１及び１６２は、一定のタイミングで溶融ガラスの経路上で交差するよう駆動され、切断刃１６１及び１６２が交差したとき、溶融ガラスが切り出されてゴブが得られる。得られたゴブは、キャッチ位置に向かって落下する。

　プレスユニット１２０は、第１の型１２１、第２の型１２２、第１駆動部１２３及び第２駆動部１２４を有する。第１の型１２１と第２の型１２２の各々は、ゴブをプレス成形するための面を有するプレート状の部材である。この２つの面の法線方向が略水平方向となり、この２つの面が互いに平行に対向するよう配置されている。第１駆動部１２３は、第１の型１２１を第２の型１２２に対して進退させる。一方、第２駆動部１２４は、第２の型１２２を第１の型１２１に対して進退させる。第１駆動部１２３及び第２駆動部１２４は、例えばエアシリンダやソレノイドとコイルばねを組み合わせた機構など、第１駆動部１２３の面と第２駆動部１２４の面とを急速に近接させる機構を有する。
　なお、プレスユニット１３０，１４０及び１５０の構造は、プレスユニット１２０と同様であるため、説明は省略する。

　プレスユニットの各々は、キャッチ位置に移動した後、第１駆動部と第２駆動部の駆動により、落下するゴブを第１の型と第２の型の問で挟み込んで所定の厚さに成形すると共に急速冷却し、円形状のガラスブランクＧを作製する。つぎに、プレスユニットは退避位置に移動した後、第１の型と第２の型を引き離し、成形されたガラスブランクＧを落下させる。プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０の退避位置の下には、第１コンベア１７１、第２コンベア１７２、第３コンベア１７３及び第４コンベア１７４が設けられている。第１～第４コンベア１７１～１７４の各々は、対応する各プレスユニットから落下するガラスブランクＧを受け止めて図示しない次工程の装置にガラスブランクＧを搬送する。

　装置１０１では、プレスユニット１２０，１３０，１４０及び１５０が、順番にキャッチ位置に移動して、ゴブを挟み込んで退避位置に移動するよう構成されているため、各プレスユニットでのガラスブランクＧの冷却を待たずに、連続的にガラスブランクＧの成形を行うことができる。

　図４（ａ）～（ｃ）は、装置１０１を用いたプレス成形をより具体的に説明している。図４（ａ）は、ゴブを作る以前の状態を示す図であり、図４（ｂ）は、切断ユニット１６０によってゴブが作られた状態を示す図であり、図４（ｃ）は、ゴブをプレスすることによりガラスブランクＧが成形された状態を示す図である。

　図４（ａ）に示されるように、溶融ガラス流出口１１１から、溶融ガラス材料Ｌ_Gが連続的に流出される。このとき、所定のタイミングで切断ユニット１６０を駆動し、切断刃１６１及び１６２によって溶融ガラス材料Ｌ_Gを切断する(図４（ｂ）)。これにより、切断された溶融ガラスは、その表面張力によって、概略球状のゴブＧ_Gとなる。溶融ガラス材料Ｌ_Gの時間当たりの流出量及び切断ユニット１６０の駆動間隔の調整は、目標とするガラスブランクＧの大きさ、板厚から定まる体積に応じて適宜行われてよい。

　作られたゴブＧ_G は、プレスユニット１２０の第１の型１２１と第２の型１２２の隙間に向かって落下する。このとき、ゴブＧ_G が第１の型１２１と第２の型１２２の隙間に入るタイミングで、第１の型１２１と第２の型１２２が互いに近づくように、第１駆動部１２３及び第２駆動部１２４（図４参照）が駆動される。これにより、図４（ｃ）に示されるように、第１の型１２１と第２の型１２２の間にゴブＧ_G が捕獲(キャッチ)される。さらに、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａとが、微小な間隔にて近接した状態になり、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの間に挟み込まれたゴブＧ_G が、薄板状に成形される。なお、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの間隔を一定に維持するために、第１の型１２１の内周面１２１ａおよび第２の型１２２の内周面１２２ａにはそれぞれ、突起１２１ｂおよび突起１２２ｂが設けられる。すなわち、突起１２１ｂおよび突起１２２ｂが当接することによって、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの間隔は一定に維持されて、板状の空間が作られる。
　このプレス成形工程で一対の金型１２１，１２２を用いてプレス成形するが、本実施形態におけるプレス成形では、ガラスブランクの外形は金型の形状によって規制されない。すなわち、図４（ｃ）に示すように、閉型により引き伸ばされたゴブが型の突起１２１ｂ，１２２ｂまで到達することはない。

　第１の型１２１及び第２の型１２２には、図示しない温度調節機構が設けられており、第１の型１２１及び第２の型１２２の温度は、溶融ガラスＬ_Gのガラス転移温度(Tg)よりも十分に低い温度に保持されている。また、プレス成形工程において、第１の型１２１及び第２の型１２２に離型材を付着させる必要はない。

　なお、ゴブＧ_Gをプレス成形する際の第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの対向位置における温度差と、プレス成形後に得られるガラスブランクの平面度との間には相関関係が存在する。つまり、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの対向位置における温度差が小さいほど、プレス成形後に得られるガラスブランクの平面度は良好なものとなる。これは、一対の型の間の温度がより近い場合には、高温のゴブＧ_Gが型の内周面に接触して急激に冷却するときに熱的均衡が実現されるため、冷却段階での一対の金型間での微小な熱変形度合いの差に起因して生じうるガラスブランクの平面度の低下を、より抑制することができるためである。
　そこで、この相関関係を既知としたならば、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を実現するための一対の金型間（第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの間）の温度差（絶対値）の最大値が分かる。そこで、一対の金型間の温度差をその最大値以下となるように制御することで、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を実現することができる。例えば、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を４μｍとしたならば、一対の金型間の上記温度差を１０℃以内とした状態でプレス成形を行うようにする。
　金型間の温度差は、第１の型１２１の内周面１２１ａおよび第２の型１２２の内周面１２２ａのそれぞれの表面から型の内部に１ｍｍ移動した地点であって、内周面１２１ａおよび内周面１２２ａの互いに対向する地点（例えば、ガラスブランクの中心位置に対応する地点や内周面１２１ａおよび内周面１２２ａの中心点）で、熱電対を用いて計測するときの温度の差分である。金型間の温度差を測定するタイミングは、ゴブが第１の型１２１及び第２の型１２２に接触する時点である。

　磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度に応じて上記温度差は、上記相関関係から適宜決定してよいが、以下の観点から決定してもよい。
　本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板は、最終製品である磁気ディスクとして、ハードディスク装置内で熱膨張係数の高い金属製のスピンドルに軸支されて組み込まれるため、磁気ディスク用ガラス基板の熱膨張係数もスピンドルと同程度に高いことが好ましい。このため、磁気ディスク用ガラス基板の熱膨張係数が高くなるように磁気ディスク用ガラス基板の組成は定められている。磁気ディスク用ガラス基板の熱膨張係数は、例えば、３０×１０^-7～１００×１０^-7（Ｋ^-1）の範囲内であり、好ましくは、５０×１０^-7～１００×１０^-7（Ｋ^-1）の範囲内である。８０×１０^-7（Ｋ^-1）以上であるとより好ましい。上記熱膨張係数は、磁気ディスク用ガラス基板の温度１００度と温度３００度における線膨張率を用いて算出される値である。熱膨張係数は、例えば３０×１０^-7（Ｋ^-1）未満または１００×１０^-7より大きい場合、スピンドルの熱膨張係数との差が大きくなり好ましくない。この点から、熱膨張係数が高い磁気ディスク用ガラス基板を作製する際、上記プレス成形工程においてガラスブランクの主表面周りの温度条件を揃える。一例として、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの温度が実質的に同一になるように温度管理をすることが好ましい。実質的に温度が同一となるように温度管理される場合、例えば、温度差は５度以下であることが好ましい。上記温度差は、より好ましくは３度以下であり、特に好ましくは１度以下である。
　なお、本実施形態では水平プレスを用いるため幅広い範囲の粘度のガラスをプレス成形することが可能であるが、特に高い粘度のガラスに好適である。これは、鉛直方向に落下する途中でプレスするため、粘度が比較的高いガラスの方が真円度が良好となるためである。具体的には、５００ポアズ以上であることが好ましい。なお、２０００ポアズ以上になると薄板化が困難となるため好ましくない。

　装置１０１では、ゴブＧ_G が第１の型１２１の内周面１２１ａ又は第２の型１２２の内周面１２２ａに接触してから、第１の型１２１と第２の型１２２とがゴブＧ_Gを完全に閉じ込める状態になるまでの時間は約０．１秒以内（約０．０６秒）と極めて短い。このため、ゴブＧ_G は極めて短時間の内に第１の型１２１の内周面１２１ａ及び第２の型１２２の内周面１２２ａに沿って広がって略円形状に成形され、さらに、急激に冷却されて非晶質のガラスとして固化する。これによって、ガラスブランクＧが作製される。なお、本実施形態において成形されるガラスブランクＧの大きさは、目的とする磁気ディスク用ガラス基板の大きさにもよるが、例えば、直径２０～２００ｍｍ程度である。

　また、本実施形態のプレス成形方法では、第１の型１２１の内周面１２１ａ及び第２の型１２２の内周面１２２ａが形状転写された形でガラスブランクＧが形成されるため、一対の型の内周面の平面度および平滑性は、目的とする磁気ディスク用ガラス基板のそれと同等なものとしておくことが好ましい。この場合、プレス成形後に、ガラスブランクＧに対する表面加工工程、すなわち研削および研磨工程は不要とすることができる。すなわち、本実施形態のプレス成形方法において成形されるガラスブランクＧは、最終的に得られる磁気ディスク用ガラス基板の目標板厚と同一の板厚であってよい。例えば、ガラスブランクＧは、厚さ０．２～１．１ｍｍの円形状の板である。内周面１２１ａ及び内周面１２２ａの表面粗さは面内で実質的に同一であり、ガラスブランクＧの算術平均粗さＲａが好ましくは０．０００５～０．０５μｍとなるように、より好ましくは０．００１～０．１μｍとなるように、調整される。ガラスブランクＧの表面粗さは、内周面１２１ａ及び内周面１２２ａの表面性状が形状転写されるため、面内で同一の表面粗さとなる。
　なお、プレス成形により得られるガラスブランクの表面粗さＲａが０．２μｍ以下となるようにすることで、後述する研削工程を経ずに研磨工程を実施できる。表面粗さＲａが０．２μｍより大きいと、表面粗さを最終的に十分に小さいレベル（例えば、Ｒａで０．２ｎｍ以下）となるまで研磨する際に、研磨取り代が多くなることで研磨時間が長くなり過ぎて生産性が低下し、さらには端部形状が悪化する等の問題が生ずる。

　第１の型１２１と第２の型１２２が閉じられた後、プレスユニット１２０は速やかに退避位置に移動し、代わりに、他のプレスユニット１３０がキャッチ位置に移動し、このプレスユニット１３０によって、ゴブＧ_G のプレスが行われる。

　プレスユニット１２０が退避位置に移動した後、ガラスブランクＧが十分に冷却されるまで(少なくとも屈服点よりも低い温度となるまで)、第１の型１２１と第２の型１２２は閉じた状態を維特する。この後、第１駆動部１２３及び第２駆動部１２４が駆動されて第１の型１２１と第２の型１２２が離間し、ガラスブランクＧは、プレスユニット１２０を離れて落下し、下部にあるコンベア１７１に受け止められる(図３参照)。

　装置１０１では、上記のように、０．１秒以内(約０．０６秒)という極めて短時間の問に第１の型１２１と第２の型１２２が閉じられ、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａの全体に、略同時に溶融ガラスが接触することになる。このため、第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａが局所的に加熱されることは無く、内周面１２１ａと内周面１２２ａに歪みは殆ど生じない。また、溶融ガラスから第１の型１２１及び第２の型１２２に熱が移動する前に、溶融ガラスが円形状に成形されるため、成形される溶融ガラスの温度分布は略一様なものとなる。このため、溶融ガラスの冷却時、ガラス材料の収縮量の分布は小さく、ガラスブランクＧの歪みが大きく発生することはない。したがって、作製されたガラスブランクＧの主表面の平面度は、従来の上下型のプレス成形により作製されるガラスブランクに比べて向上する。

　なお、図４に示す例では、切断刃１６１及び１６２を用いて、流出する溶融ガラスＬ_Gを切断することによって略球状のゴブＧ_Gが形成される。しかしながら、溶融ガラス材料Ｌ_G の粘度が、切り出そうとするゴブＧ_Gの体積に対して小さい場合は、溶融ガラスＬ_Gを切断するのみでは切断されたガラスが略球状とはならず、ゴブが作れない。このような場合は、ゴブを作るためのゴブ形成形を用いる。

　図５（ａ）～（ｃ）は、図４に示す実施形態の変形例を説明する図である。この変形例ではゴブ形成形を用いる。図５（ａ）は、ゴブを作る前の状態を示す図であり、図５（ｂ）は、切断ユニット１６０及びゴブ形成形１８０によってゴブＧ_Gが作られた状態を示す図であり、図５（ｃ）は、ゴブＧ_Gをプレス成形してガラスブランクＧが作られた状態を示す図である。
　図５（ａ）に示すように、プレスユニット１２０は、ブロック１８１，１８２を溶融ガラスＬ_Gの経路上で閉じることにより溶融ガラスＬ_Gの経路が塞がれ、ブロック１８１，１８２で作られる凹部１８０Ｃで、切断ユニット１６０で切断された溶融ガラスＬ_Gの塊が受け止められる。この後、図５（ｂ）に示すように、ブロック１８１，１８２が開かれることにより、凹部１８０Ｃにおいて球状となった溶融ガラスＬ_Gが一度にプレスユニット１２０に向けて落下する。この落下時、ゴブＧ_Gは、溶融ガラスＬ_Gの表面張力により球状になる。球状のゴブＧ_Gは、落下途中、図５（ｃ）に示すように、第１の型１２１と第２の型１２２とに挟まれてプレス成形されることにより、円形状のガラスブランクＧが作製される。

　あるいは、図６（ａ）～（ｄ）に示すように、装置１０１は、図５（ａ）～（ｃ）に示す切断ユニット１６０を用いずに、ゴブ形成形１８０を、溶融ガラスＬ_Gの経路に沿って上流側方向あるいは下流側方向に移動させる移動機構を用いてもよい。図６（ａ）～（ｄ）は、ゴブ形成形１８０を使用する変形例を説明する図である。図６（ａ），（ｂ）は、ゴブＧ_Gが作られる前の状態を示す図であり、図６（ｃ）は、ゴブ形成形１８０によってゴブＧ_Gが作られた状態を示す図であり、図６（ｄ）は、ゴブＧ_Gをプレス成形してガラスブランクＧが作られた状態を示す図である。
　図６（ａ）に示すように、ブロック１８１，１８２によって作られる凹部１８０Ｃが溶融ガラス流出口１１１から流出する溶融ガラスＬ_Gを受け止め、図６（ｂ）に示すように、所定のタイミングでブロック１８１，１８２を溶融ガラスＬ_Gの流れの下流側に素早く移動させる。これにより、溶融ガラスＬ_Gが切断される。この後、所定のタイミングで、図６（ｃ）に示すように、ブロック１８１，１８２が離間する。これにより、ブロック１８１，１８２で保持されている溶融ガラスＬ_Gは一度に落下し、ゴブＧ_Gは、溶融ガラスＬ_Gの表面張力により球状になる。球状のゴブＧ_Gは、落下途中、図６（ｄ）に示すように、第１の型１２１と第２の型１２２とに挟まれてプレス成形されることにより、円形状のガラスブランクＧが作製される。

　図７（ａ）～（ｃ）は、ゴブＧ_Gとの代わりに図示されない軟化炉で加熱した光学ガラスの塊Ｃ_Pを落下させ、落下途中の両側から型２２１，２２２で挟んでプレス成形する変形例を説明する図である。図７（ａ）は、加熱した光学ガラスの塊を成形する前の状態を示す図であり、図７（ｂ）は、光学ガラスの塊を落下する状態を示す図であり、図７（ｃ）は、光学ガラスの塊をプレス成形してガラスブランクＧが作られた状態を示す図である。
　図７（ａ）に示すように、装置２０１は、光学ガラスの塊Ｃ_Pをガラス材把持機構２１２でプレスユニット２２０の上部の位置に搬送し、この位置で、図７（ｂ）に示すように、ガラス材把持機構２１２による光学ガラスの塊Ｃ_Pの把持を開放して、光学ガラスの塊Ｃ_Pを落下させる。光学ガラスの塊Ｃ_Pは、落下途中、図７（ｃ）に示すように、第１の型２２１と第２の型２２２とに挟まれて円形状のガラスブランクＧが成形される。第１の型２２１及び第２の型２２２は、図５に示す第１の型１２１及び第２の型１２２と同じ構成及び作用をするので、その説明は省略する。

　［プレス成形方法の変形例］
　上記プレス成形方法の変形例を図８を参照して説明する。
　この変形例では、図８（ａ）に示されるように、図４（ａ）～（ｃ）に示される第１の型１２１及び第２の型１２２において、平面状のプレス成形面である内周面１２１ａおよび内周面１２２ａのそれぞれに対して反対側の外周面１２１ｃおよび１２２ｃの外周縁に、円板状のガラスブランクの外周を取り巻くようにヒートシンク１２１ｄ，１２２ｄが設けられる。第１の型１２１および第２の型１２２にヒートシンク１２１ｄ，１２２ｄが設けられることにより、プラス成形中の第１の型１２１および第２の型１２２には、図８（ｂ）に示すような熱の流れが生じ、プレス成形中のガラスブランクの外周側の部分と中心部側では冷却に差が生じる。これにより、プレス成形後のガラスブランクＧは、図８（ｃ）に示すように、成形されたガラスブランクＧの断面形状が外周側から中心側に向かうに従って板厚が減少する凹形状のガラスブランクが成形される。この場合においても、ガラスブランクＧの平面度は、磁気ディスク用ガラス基板に与えられる目標平面度、例えば４μｍ以下にすることができる。これは、ガラスブランクＧをプレス成形する際、金型のプレスの開始からプレスされたガラスブランクＧの温度が歪点に下がるまでの期間、金型の両側の内周面１２１ａおよび内周面１２２ａのガラスブランクと接触する部分の温度が、内周面１２１ａおよび内周面１２２ａ間で実質同一になるからである。
　また、凹形状のガラスブランクを意図的に成形するのは、後工程の固定砥粒による研削を効率よく行うためである。つまり、ガラスブランクの表面の平坦度が良好過ぎる場合にはダイヤモンドシートなどの固定砥粒がガラスブランクの表面上を滑ってしまい、研削が実質的に行われない場合が生ずるが、表面を凹形状とすることで、研削の際、ガラスブランクの板厚が厚い外周エッジ部が、ダイヤモンドシートなどの固定砥粒による研削加工の起点となり易くなる。また、研削における取り代を、厚さが均一なガラスブランクに比べて約半分に抑えることができる。さらに、平面度に比べて周期の長い表面凹凸であるガラスブランクの反りも改善することができる。
　図８（ｃ）に示すような凹形状の断面を有するガラスブランクＧの板厚は、最大厚さと最小厚さの差が、例えば８μｍ以下である。ガラスブランクＧの板厚は、例えばマイクロメーターで測定することができる。

　（ｂ）スクライブ工程（ステップＳ２０）
　次に、スクライブ工程について説明する。プレス成形工程の後、スクライブ工程では、成形されたガラスブランクＧに対してスクライブが行われる。
　ここでスクライブとは、成形されたガラスブランクＧを所定のサイズのリング形状とするために、ガラスブランクＧの表面に超鋼合金製あるいはダイヤモンド粒子からなるスクライバにより２つの同心円（内側同心円および外側同心円）状の切断線（線状のキズ）を設けることをいう。２つの同心円の形状にスクライブされたガラスブランクＧは、部分的に加熱され、ガラスブランクＧの熱膨張の差異により、外側同心円の外側部分および内側同心円の内側部分が除去される。これにより、円環状のガラス基板が得られる。
　なお、ガラスブランクに対してコアドリル等を用いて円孔を形成することにより円環状のガラス基板を得ることもできる。

　（ｃ）形状加工工程（ステップＳ３０）
　次に、形状加工工程について説明する。形状加工工程では、スクライブ工程後のガラス基板の端部に対するチャンファリング加工（外周端部および内周端部の面取り加工）を含む。チャンファリング加工は、スクライブ工程後のガラス基板の外周端部および内周端部において、主表面と、主表面と垂直な側壁部との間で、ダイヤモンド砥石により面取りを施す形状加工である。面取り角度は、主表面に対して例えば４０～５０度である。

　（ｄ）固定砥粒による研削工程（ステップＳ４０）
　固定砥粒による研削工程では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、形状加工工程後のガラス基板の主表面に対して研削加工（機械加工）を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ～１００μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板の両主表面を研削することができる。
　なお、本実施形態のプレス成形工程では、極めて平面度の高いガラスブランクを作製できるため、この研削工程を行わなくてもよい。また、研削工程の前に、研削工程で用いた装置と同様の両面研削装置およびアルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング工程を行ってもよい。

　（ｅ）端面研磨工程（ステップＳ５０）
　次に、研削工程後のガラス基板に対して端面研磨が行われる。
　端面研磨では、ガラス基板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。

　（ｆ）第１研磨工程（ステップＳ６０）
　次に、端面研磨工程後のガラス基板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ～５０μｍ程度である。第１研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、微小な表面凹凸（マイクロウェービネス、粗さ）の調整を目的とする。第１研磨工程では、研削工程で用いたものと同様の構造の両面研磨装置を用いて、研磨液を与えながら研磨する。研磨液に含有させる研磨剤は、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒である。

　なお、第１研磨工程では、ガラス基板の主表面について、表面粗さ(Ra)を０．５ｎｍ以下とし、かつマイクロウェービネス(MW-Rq)を０．５ｎｍ以下とするように研磨を行う。ここで、マイクロウェービネスは、主表面全面の半径１４．０～３１．５ｍｍの領域における波長帯域１００～５００μｍの粗さとして算出されるＲＭＳ（Ｒｑ）値で表すことができ、例えば、ポリテック社製のＭｏｄｅｌ－４２２４を用いて計測できる。
　表面粗さは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１により規定される算術平均粗さRaで表され、０．００６μｍ以上２００μｍ以下の場合は、例えば、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ－３１００で測定し、ＪＩＳ　Ｂ０６３３：２００１で規定される方法で算出できる。その結果、粗さが０．０３μｍ以下であった場合は、例えば、日本Ｖｅｅｃｏ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡；ＡＦＭ）ナノスコープで計測しＪＩＳ　Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。本願においては、１μｍ×１μｍ角の測定エリアにおいて、５１２×５１２ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さRaを用いることができる。

　（ｇ）化学強化工程（ステップＳ７０）
　次に、第１研磨工程後のガラス基板に対して化学強化処理が行われる。
　化学強化液として、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。化学強化工程では、化学強化液を例えば３００℃～４００℃に加熱し、洗浄したガラス基板を例えば２００℃～３００℃に予熱した後、ガラス基板を化学強化液中に例えば３時間～４時間浸漬する。
　ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換されることで表層部分に圧縮応力層が形成され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。

　（ｈ）第２研磨工程（ステップＳ８０）
　次に、化学強化工程後のガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨による取り代は、例えば１μｍ程度、具体的には、０．５～２μｍの範囲内とすることが好ましい。取り代がこの範囲より小さいと、表面粗さを十分に低減できない場合がある。また、この範囲より大きいと、端部形状の悪化（ダレ等）を招く場合がある。第２研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨では例えば、第１研磨で用いた研磨装置を用いる。このとき、第１研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。
　第２研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子（粒子サイズ：直径１０～５０ｎｍ程度）が用いられる。
　研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
　第２研磨工程を実施することは必ずしも必須ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。第２研磨工程を実施することで、主表面の粗さ(Ｒａ)を０．１５ｎｍ以下、より好ましくは０．１ｎｍ以下かつ上記主表面のマイクロウェービネス（ＭＷ－Ｒｑ）を０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．１ｎｍ以下とすることができる。

　以上説明したように、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形するプレス成形工程を含む。そのため、一対の金型の内周面の表面粗さを良好なレベル（例えば磁気ディスク用ガラス基板に求められる表面粗さ）に設定しておけば、その表面粗さが、プレス成形によって得られるガラスブランクの表面粗さとして形状転写されるため、ガラスブランクの表面粗さを良好なレベルとすることができる。また、プレス成形工程では、溶融ガラスをプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間の相関関係に基づいて、磁気ディスク用ガラス基板に要求される平面度を実現できる一対の金型の温度差を求め、一対の金型の温度を上記求められた温度差以内になるように一対の金型温度を制御しながら、プレス成形を行ってよい。したがって、本実施形態のプレス成形工程で得られるガラスブランクは、その主表面の表面粗さおよび平面度を磁気ディスク用ガラス基板に求められるレベルとすることができるため、後工程で主表面の加工工程を要しない。このガラスブランクを基に所定の形状に形状加工されたガラス基板に対して化学強化が施されるが、本実施形態では化学強化によってガラス基板の平面度に対して悪化させることはない。そのため、最終的に得られる磁気ディスク用ガラス基板は薄型で高い機械的強度を備え、かつ従来よりも平面度が高いものとなる。

　［磁気ディスク］
　以上の各工程を経て、磁気ディスク用ガラス基板が作製される。この磁気ディスク用ガラス基板を用いて、磁気ディスクは以下のようにして得られる。
　磁気ディスクは、例えばガラス基板の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層（磁気記録層）、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
　例えば基板を真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばＣｒＴｉ、下地層としては例えばＣｒＲｕを用いることができる。磁性層としては、例えばＣｏＰｔ系合金を用いることができる。また、Ｌ_１０規則構造のＣｏＰｔ系合金やＦｅＰｔ系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばＣＶＤ法によりＣ_２Ｈ_４を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。

　以下に、本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。

　（１）溶融ガラスの作製
　以下の組成のガラスが得られるように原料を秤量し、混合して調合原料とした。この原料を熔融容器に投入して加熱、熔融し、清澄、攪拌して泡、未熔解物を含まない均質な熔融ガラスを作製した。得られたガラス中には泡や未熔解物、結晶の析出、熔融容器を構成する耐火物や白金の混入物は認められなかった。
　［ガラスの組成１］
　酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５０～７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１～１５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５～３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０～２０％、ならびにＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０～１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラス

　上記溶融ガラスを準備し、本発明のプレス成形方法（図３、図４の装置を用いた方法）を用いて、直径７５ｍｍ、厚さ０．９ｍｍのガラスブランクを作製した。溶融ガラス流出口１１１から吐出される溶融ガラス材料Ｌ_Gの温度は１３００℃であり、この時の溶融ガラス材料Ｌ_Gの粘度は７００ポアズである。また、第１の型及び第２の型の内周面の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、０．０１μｍ～０．１μｍとした。
　溶融ガラス流出口１１１から吐出される溶融ガラス材料Ｌ_Gは、切断ユニット１６０によって切断され、直径約２０ｍｍのゴブＧ_Gが形成される。ゴブＧ_Gとは、プレスユニットによって荷重３０００ｋｇｆで、その温度が溶融ガラス材料のガラス転移温度(Tg)以下となるまで（約１０秒）プレスしつつ冷却され、直径７５ｍｍのガラスブランクが形成された。
　この実施例では、一例として、プレス成形工程によって成形されるガラスブランクの目標平面度（ガラスブランクに要求される平面度）を８μｍ以下とした。ここで、ガラスブランクの目標平面度を８μｍ以下としたのは、最終製品である磁気ディスクがハードディスク装置に搭載されたときにヘッドの接触を防止するために磁気ディスクの目標平面度を４μｍとすることを想定しているためである。磁気ディスク用ガラス基板上の成膜の前後で平面度は変わらないため、磁気ディスク用ガラス基板の平面度を４μｍ以下とすれば磁気ディスクの平面度を４μｍ以下とすることができるが、プレス成形工程で成形されるガラスブランクの平面度が８μｍを超えてしまうと、後工程の研削工程を行った場合でも研削工程後のガラス基板の平面度を４μｍ以下とすることが困難となる。そこで、ガラスブランクの目標平面度を８μｍ以下とした。なお、プレス成形工程で成形されるガラスブランクの平面度を４μｍ以下とすれば、後工程の研削工程を省略しても磁気ディスクの平面度を４μｍ以下とすることができるため、さらに好ましい。
　本実施例では、上記ガラスブランクの目標平面度を満足する一対の型の温度差の条件を見出すため、第１の型の温度を４７０℃一定とし、第２の型の温度を４５０～４９０℃と変化させて、得られるガラスブランクの平面度を測定した。なお、型の最低温度を４５０℃としたのは、４５０℃未満とするとプレス時にガラスが割れてしまう可能性があるためである。

　［実施例のガラスブランクの測定］
　実施例で作製された直径７５ｍｍのガラスブランクについて、平面度および表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を測定した。
　平面度は、円板状のガラスブランクの主表面において、法線軸方向における最も低い位置と最も高い位置の高さの差として定義することができ、例えばＮｉｄｅｋ社製フラットネステスターＦＴ－９００を用いて測定した。表１に示す平面度の評価基準は、以下のとおりである。以下の基準において、ガラスブランクの平面度が８．０μｍ以下であれば研削工程にて平面度を磁気ディスク用ガラス基板の目標平面度である４μｍ以下のレベルまで改善できる点でよい。また、ガラスブランクの平面度が４．０μｍ以下であれば、研削工程を省略しても磁気ディスク用ガラス基板の目標平面度を達成できることになるためコスト低減になってさらに良い。
　○○○：平面度が２．０μｍ以下
　○○：平面度が２．０μｍより大きく４．０μｍ以下
　○：平面度が４．０μｍより大きく８．０μｍ以下
　×：平面度が８．０μｍより大きい

　表面粗さは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２００１により規定される算術平均粗さＲａで表され、０．００６μｍ以上２００μｍ以下の場合は、例えば、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ－３１００で測定し、ＪＩＳ　Ｂ０６３３：２００１で規定される方法で算出できる。その結果粗さが０．０３μｍ以下であった場合は、例えば、日本Ｖｅｅｃｏ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡；ＡＦＭ）ナノスコープで計測しＪＩＳ　Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。本願においては、１０μｍ×１０μｍ角の測定エリアにおいて、２５６×２５６ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さＲａを用いた。その結果、ガラスブランクの表面粗さについてはすべての例において０．０５μｍ以下であった。これは、型の温度とは無関係に、第１の型及び第２の型の内周面がガラスブランクに形状転写されるため、ガラスブランクの表面粗さが第１の型及び第２の型の内周面の表面粗さと同等となるためである。なお、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以下であれば、主表面に対する研削工程を省略して直接研磨工程を行うことで、目標とする磁気ディスク用ガラス基板の表面性状を得ることができる。
　なお、本実施形態のプレス成形方法では、従来のダイレクトプレス法とは異なり、溶融ガラスが金型に接触を開始してから極めて短期間に成形が完了するため、表面粗さを低下させても金型へのガラスゴブの焼き付きが生じない。そのため、本実施形態のプレス成形方法は、所望の表面粗さのガラスブランクを得るために金型の表面粗さを低減することができる点で好ましい。

　（※）第１の型と第２の型の温度差は、第２の型の温度から第１の型の温度（ここでは、４７０℃）を引いた値とする。
 

　表１から、各サンプルのガラスブランクをプレス成形したときの一対の金型間の温度差と、各サンプルのガラスブランクの平面度との間には、相関関係が存在することが分かる。表１の各サンプルの温度差と平面度の関係をプロットすると、図９に示すように、ほぼ比例関係となっている。つまり、横軸の温度差をＸ[℃]、縦軸の平面度をＹ[μｍ]とすると、概ねＹ＝０．８Ｘの関係が成立している。また、表１および図９から分かるように、特に温度差を１℃以下にした場合に最も高い平面度が得られた。
　また、図９を参照すると、ガラスブランクの目標平面度（本実施例では、８μｍ以下）を満足させるためには、第１の型と第２の型の温度差を約１０℃以下とすればよいことが分かる。また、上述したように、プレス成形後の研削工程を省くためにはガラスブランクの平面度を４μｍ以下とすればよいが、この平面度を得るためには第１の型と第２の型の温度差を約５℃以下とすればよいことが分かる。

　また、他の組成のガラス組成（以下のガラスの組成２、ガラスの組成３）についても同様に、第１の型と第２の型の温度差と平面度とを測定した。なお、第１の型の温度を、それぞれのガラスのＴｇよりも３０℃低い温度とし、第１の型と第２の型の温度差を表１と同様に設定した。その結果、型の温度差と平面度は、同程度の相関関係が得られた。
　［ガラスの組成２］
　以下の組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラス（Ｔｇ：６３０℃、１００～３００℃における平均線膨張係数が８０×１０^－７／℃）。
　モル％表示にて、
　ＳｉＯ_２を５６～７５％、
　Ａｌ_２Ｏ_３を１～１１％、
　Ｌｉ_２Ｏを０％超かつ４％以下、
　Ｎａ_２Ｏを１％以上かつ１５％未満、
　Ｋ_２Ｏを０％以上かつ３％未満、
　含み、かつＢａＯを実質的に含まず、
　Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏからなる群から選ばれるアルカリ金属酸化物の合計含有量が６～１５％の範囲であり、
　Ｎａ_２Ｏ含有量に対するＬｉ_２Ｏ含有量のモル比（Ｌｉ_２Ｏ／Ｎａ_２Ｏ）が０．５０未満であり、
　上記アルカリ金属酸化物の合計含有量に対するＫ_２Ｏ含有量のモル比｛Ｋ_２Ｏ／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）｝が０．１３以下であり、
　ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯからなる群から選ばれるアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が１０～３０％の範囲であり、
　ＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量が１０～３０％の範囲であり、
　上記アルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯおよびＣａＯの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）｝が０．８６以上であり、
　上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が２０～４０％の範囲であり、
　上記アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の合計含有量に対するＭｇＯ、ＣａＯおよびＬｉ_２Ｏの合計含有量のモル比｛（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｌｉ_２Ｏ）／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ）が０．５０以上であり、
　ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＴａ_２Ｏ_５からなる群から選ばれる酸化物の合計含有量が０％超かつ１０％以下であり、
　Ａｌ_２Ｏ_３含有量に対する上記酸化物の合計含有量のモル比｛(ＺｒＯ_２＋ＴｉＯ_２＋Ｙ_２Ｏ_３＋Ｌａ_２Ｏ_３＋Ｇｄ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５)／Ａｌ_２Ｏ_３｝が０．４０以上。

　［ガラスの組成３］
　以下の組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラス（Ｔｇ：６８０℃、１００～３００℃における平均線膨張係数が８０×１０^－７／℃）。
　モル％表示にて、
　ＳｉＯ_２を５０～７５％、
　Ａｌ_２Ｏ_３を０～５％、
　Ｌｉ_２Ｏを０～３％、
　ＺｎＯを０～５％、
　Ｎａ_２ＯおよびＫ_２Ｏを合計で３～１５％、
　ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で１４～３５％、
　ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５およびＨｆＯ_２を合計で２～９％含み、
　モル比［（ＭｇＯ＋ＣａＯ）／（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）］が０．８～１の範囲であり、かつ
　モル比［Ａｌ_２Ｏ_３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）］が０～０．３０の範囲内であるガラス。

　［実施例の磁気ディスク用ガラス基板の作製］
　上記サンプル２、サンプル４、サンプル６、サンプル７のガラスブランクを用い、図２に示したステップＳ４０の工程のみ行わずにそれぞれ磁気ディスク用ガラス基板を作製した。つまり、平面度を向上させるための主表面の研削工程を行わずに磁気ディスク用ガラス基板を作製した。作製した磁気ディスク用ガラス基板は公称２．５インチサイズ（内径２０ｍｍ、外径６５ｍｍ、板厚０．８ｍｍ）である。
　なお、上記磁気ディスク用ガラス基板の作製に当たっては、第１研磨、第２研磨の各工程は、以下の条件で行った。
　・第１研磨工程：酸化セリウム（平均粒子サイズ；直径１～２μｍ）、硬質ウレタンパッドを使用して研磨した。取り代１０μｍ。
　・第２研磨工程：コロイダルシリカ（平均粒子サイズ；直径０．０３μｍ）、軟質ポリウレタンパッドを使用して研磨した。取り代１μｍ。

　次に、サンプル２、サンプル４、サンプル６、サンプル７のガラスブランクを元にして作製された磁気ディスク用ガラス基板に記録層を成膜して磁気ディスクを作製した（それぞれ順に、サンプル２Ａ、サンプル４Ａ、サンプル６Ａ、サンプル７Ａ）。
　なお、磁気ディスク用ガラス基板に対する記録層の成膜は以下の通り行った。まず、真空引きを行った成膜装置を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板上に付着層／軟磁性層／前下地層／下地層／主記録層／補助記録層／保護層／潤滑層を順次成膜した。なお、断らない限り成膜時のＡｒガス圧は０．６Ｐａで行った。付着層としては、Ｃｒ－５０Ｔｉを１０ｎｍ成膜した。軟磁性層としては、０．７ｎｍのＲｕ層を挟んで、９２Ｃｏ－３Ｔａ－５Ｚｒをそれぞれ２０ｎｍ成膜した。前下地層としては、Ｎｉ－５Ｗを８ｎｍ成膜した。下地層としては、０．６ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した上に５ＰａでＲｕを１０ｎｍ成膜した。主記録層としては、３Ｐａで９０（７２Ｃｏ－１０Ｃｒ－１８Ｐｔ）－５（ＳｉＯ２）－５（ＴｉＯ２）を１５ｎｍ成膜した。補助記録層としては、６２Ｃｏ－１８Ｃｒ－１５Ｐｔ－５Ｂを６ｎｍ成膜した。保護層としては、ＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて４ｎｍ成膜し、表層を窒化処理した。潤滑層としては、ディップコート法によりＰＦＰＥを用いて１ｎｍ形成した。

　［実施例の磁気ディスクの評価］
　サンプル２Ａ、サンプル４Ａ、サンプル６Ａ、サンプル７Ａの磁気ディスクを対象として、クボタコンプス社製ＨＤＦテスター(Head/Disk　Flyability　Tester)を用いて、ＤＦＨ（Dynamic Fly height）ヘッド素子部のタッチダウン試験（ＤＦＨタッチダウン試験）を行った。この試験は、ＤＦＨ機構によって素子部を徐々に突き出していき、ＡＥ(Acoustic Emission)センサによって磁気ディスク表面との接触を検知することによって、ヘッド素子部が磁気ディスク表面と接触するときの突き出し量を評価するものである。ヘッドは３２０ＧＢ／Ｐ磁気ディスク（２．５インチサイズ）向けのＤＦＨヘッドを用いた。素子部の突き出しがない時の浮上量は１０ｎｍである。すなわち、例えば突き出し量が８ｎｍのとき、ヘッド浮上量は２ｎｍとなる。また、その他の条件は以下の通り設定した。
　・評価半径：２２ｍｍ
　・磁気ディスクの回転数：５４００ｒｐｍ
　・温度：２５℃
　・湿度：６０％

　ＤＦＨタッチダウン試験の結果を表２に示す。なお、表２において、ヘッド素子部の突き出し量に応じて以下の通り評価した。
　○：突き出し量≧８ｎｍ
　×：突き出し量＜８ｎｍ

 

　なお、サンプル６Ａ、７Ａの突き出し量は７ｎｍ以上であり、サンプル２Ａ、４Ａの突き出し量は７ｎｍ未満であった。
　サンプル７Ａについては、元になるサンプル７のガラスブランクが、表１に示したとおり磁気ディスク用ガラス基板の目標平面度である４．０μｍ以下の平面度である。そのため、サンプル７のガラスブランクを元に研削工程を経ずに作製された磁気ディスクであるサンプル７Ａもまた、４．０μｍ以下の平面度となっている。その結果、サンプル７Ａについては、研削工程を省略してもＤＦＨヘッドの突き出し量を十分大きくすることができた。すなわち、サンプル７Ａについては、研削工程を省略しても平面度、表面粗さともに良好で、かつ媒体化した際に良好なＤＦＨタッチダウン試験結果が得られる磁気ディスク用ガラス基板が製造できることが確認できた。

　＜第２の実施形態＞
　本実施形態では、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法のプレス成形工程以外については、第１の実施形態と同一であり、重複説明を省略する。本実施形態では、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法におけるプレス成形工程において金型の均熱化処理が行われる点で第１の実施形態と相違する。
　［金型の均熱化処理］
　本実施形態のプレス成形工程では、連続して溶融ガラス材料Ｌ_Gを切断してゴブＧ_Gを落下させてガラスブランクＧを作製するときに、あるゴブＧ_Gのプレス成形とその次のゴブＧ_Gのプレス成形の間のタイミングで、金型の均熱化処理（均熱化工程）を行う。この金型の均熱化処理について、図１０～１２を参照して説明する。図１０は、本実施形態のプレス成形における金型の均熱化処理を説明するための図である。図１１および図１２はそれぞれ、金型の均熱化処理の前後における一対の金型の各々のプレス成形面の温度変化を例示する図である。

　図１０の（ａ）～（ｄ）は、図４に示したゴブＧ_Gのプレス成形からその次のゴブＧ_Gのプレス成形までの処理を順に示している。図１０（ａ）は、図４（ｃ）と同じである。図１０（ａ）においてゴブをプレスすることによりガラスブランクＧが成形された後に開型して、成形されたガラスブランクＧが鉛直下方に落下する（図１０には不図示）。その後、図１０（ｂ）に示すように、例えば下方から第１の型１２１および第２の型１２２の間に、所定の温度に設定された均熱材Ｈを導入する。さらに、図１０（ｃ）に示すように、均熱材Ｈを型内に導入した状態で型を閉じ、それによって、均熱材Ｈの両面が第１の型１２１の内周面１２１ａおよび第２の型１２２の内周面１２２ａと面接触させる。なお、この面接触は、図１０（ｃ）に示すように型の内周面（プレス形成面）の全面で行われてもよいが、少なくとも内周面のうちゴブと接触する部分で行われればよい。この面接触によって、一対の型の内周面は共に、均熱材Ｈの温度と同じか、あるいは均熱材Ｈの温度に近くなる。この面接触は、図１０（ｄ）に示すように溶融ガラスを切断して新たなゴブをプレス成形のために落下させるまで続けられる。金型と均熱材Ｈとの接触時間は、例えば１秒以上である。図１０（ｄ）の時点では、再び開型されて均熱材Ｈが下方に退避させられている。

　上述したように、均熱材は、ゴブを連続的にプレス成形していく場合、あるゴブのプレス成形からその次のゴブのプレス成形までの間に第１の型１２１および第２の型１２２の間の温度差を低減する、より好ましくは温度差をゼロにする目的で使用される。均熱材は、例えば銅、銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金等の高い熱伝導率を有する材料で形成されていることが好ましく、また、第１の型１２１の内周面１２１ａおよび第２の型１２２の内周面１２２ａと均等な圧力で面接触可能な外形を有している。均熱材を高い熱伝導率の材料で形成すると、均熱材全体を一様な温度に設定しやすいため、第１の型１２１および第２の型１２２の間の温度を揃えやすくなる。

　均熱材の温度は、好ましくは、仮に均熱材を金型に接触させずにプレス成形する場合におけるゴブと接触する部分の温度の上限値と下限値の間とする。均熱材をこの範囲の温度とすることで、型と均熱材の接触開始時点の温度差が小さい状態となるため、より短時間で第１の型１２１および第２の型１２２の間の温度差をゼロに近付けることができるようになる。

　図１１は、型と均熱材の接触開始時点において型の温度よりも均熱材の温度の方が高い場合における一対の金型の各々のプレス成形面の温度変化（金型の均熱化処理による温度変化）を示している。
　図１１において、時刻ｔ０は、Ｎ個目のガラスブランクを作製するときに、ゴブのプレスを開始した時点を示している。なお、図１１では時刻ｔ０において、第１の型１２１と第２の型１２２の温度が同一である場合を想定している。時刻ｔ０～ｔ１の期間Ａでは、高熱のゴブが双方の型に接触し、ゴブから双方の型に均等に熱が伝わるため、双方の型の温度が同じ勾配で上昇する。そして、時刻ｔ１の前後でガラスブランクが型から取り出される。
　時刻ｔ１～ｔ２の期間Ｂでは、時刻ｔ２のときの温度をピークとして、型のプレス成形面が外気によって徐々に冷却されて温度が低下していく。このとき、例えば、一対の型は、時刻ｔ２において同じピーク温度であったとしても、温度の低下勾配が異なる場合がある。例えば、ガラスブランクを成形後に開型してもなおガラスブランクが一方の型に貼り付いている場合である。このとき、型の内部からプレス成形面に向けて空気を吐出させ、その吐出力によってガラスブランクを型から剥離させるようにした場合には、この空気の吐出を双方の金型に対して行うと、ガラスブランクが貼り付いた型とそうでない型との間で空気の吐出による金型の冷却度合いが異なるため、期間Ｂにおける各々の型の温度の低下勾配が異なってくる。
　本実施形態では、例えば時刻ｔ２において均熱材を型内に導入し、時刻ｔ２～ｔ３の期間Ｃの間、均熱材を一対の型に面接触させる。これにより、時刻ｔ３では、第１の型１２１と第２の型１２２の温度が均熱材と同一の温度まで上昇する。そして、時刻ｔ３において、次のＮ＋１個目のガラスブランクの作製のために、ゴブの落下およびプレスが開始される。時刻ｔ３では金型間の温度がゼロとなっているので、Ｎ＋１個目のガラスブランクの平面度が良好なものとなる。

　図１２は、型と均熱材の接触開始時点において型の温度よりも均熱材の温度の方が低い場合における一対の金型の各々のプレス成形面の温度変化（金型の均熱化処理による温度変化）を示している。図１２において、図１１とは異なり、時刻ｔ３では、第１の型１２１と第２の型１２２の温度が均熱材と同一の温度まで下降する。次のゴブのプレス成形までに金型間の温度差を低減、あるいはゼロにすればよいので、図１１および図１２に示したように、均熱材によって一対の型の温度を上昇させても下降させてもよい。

　第１の実施形態で述べたように、プレス成形工程では、溶融ガラスをプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間に相関関係が存在するが、本実施形態では、上記金型の均熱化処理の実行によって、連続して行われるプレス成形の初期における金型間の温度差を低下、もしくはゼロにすることができるため、連続してガラスブランクを作製するときにガラスブランクの平面度を常に良好に保つことができる。

　＜第３の実施形態＞
　本実施形態では、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法のプレス成形工程以外については、第１の実施形態と同一であり、重複説明を省略する。本実施形態では、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法におけるプレス成形工程において剥離工程が設けられる点で第１の実施形態と相違する。

　剥離工程では、プレス成形後に第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａのいずれかにガラスブランクＧが貼り付かずに確実に下方に落下させるための処理を行う。この剥離工程の処理について、図１３を参照して説明する。図１３は、剥離工程の処理として、金型の閉型によって形成される空間に気体を供給する方法を利用する場合を例示する図である。

　剥離工程では、両金型（第１の型１２１および第２の型１２２）とガラスブランクＧが接触した状態でガラスブランクＧの外周部の少なくとも一部を局所的に冷却し、ガラスブランクＧを金型から剥がれ易くする。これは、ガラスブランクＧの外周端部が冷却されて収縮し、金型の内周面から僅かに捲れることによって、金型が開いたときにガラスブランクＧと金型の内周面の間に空気が入りやすくなり、剥がれ易くなると考えられる。
　両金型とガラスブランクＧが接触した状態でガラスブランクＧの外周部の少なくとも一部を冷却するための具体的な方法の例としては、金型の閉型によって形成される空間Ｓに気体（例えば空気(air)）を供給する方法が挙げられる。つまり、閉じた状態の第１の型１２１及び第２の型１２２（例えば、図４（ｃ）に示す閉型状態）が開き始める直前に、または開き始めるタイミングと同時に、ガラスブランクＧを冷却させるべく、金型の閉型によって形成される空間Ｓに気体（例えば空気(air)）を供給する。供給される気体の温度は、プレス成形時のガラスブランクＧを局部的に冷却させる温度であればよく、例えば常温である。図１３には、気体の供給態様として（ａ）及び（ｂ）の２態様が図示されている。図１３（ａ）に示す態様では、型の内周面１２１ａ，１２２ａに平行に気体が空間Ｓに導入（供給）される。これにより、ガラスブランクＧが局所的に冷却されて熱収縮し、その直後あるいは同時に型が開くため、ガラスブランクＧが第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａのいずれかに貼り付くことなく、鉛直方向に落下する。

　なお、図１３（ａ）では、各々の型で２箇所から気体が各々の金型に設けられた通路を介して空間Ｓに導入される一例を示しているが、これに限られない。空間Ｓは、ガラスブランクＳの周上に沿ってドーナツ形状で形成されているため、型の周上の任意の場所から気体を空間Ｓに導入することができる。
　また、気体が空間Ｓへ導入されるタイミングは、上述したように、閉じた状態の型が開き始める直前に、または開き始めるタイミングと同時であるが、ここで「直前」とは例えば、型が開き始めるタイミングよりも１０～1０００ｍｓ程度前のタイミングをいう。
　一方、図１３（ｂ）に示す態様では、各々の金型に設けられた通路を介して、型の内周面１２１ａ，１２２ａに垂直に（つまり、プレス方向に）気体が空間Ｓに導入される。このような導入態様であっても、対向して導入された気体が空間Ｓの内部で対流が発生し、ガラスブランクＧへ向かう気体の流れが生ずるため、ガラスブランクＧが局所的に冷却されて熱収縮する。したがって、図１３（ａ）と同様、開型とともに、ガラスブランクＧが第１の型１２１の内周面１２１ａと第２の型１２２の内周面１２２ａのいずれかに貼り付くことなく鉛直方向に落下する。

　図１３に示した剥離工程の処理では、一対の金型の各々に対して対称となる位置から気体を導入し、導入される気体が一対の金型間で同一の量及び圧力であることが好ましい。また、一対の金型の各々に設けられる気体供給用の通路の構造（経路、通路径等）は、金型間で対称であることが好ましい。これによって、ガラスブランクＧが形成されてから型が開くまでに、気体の導入による金型間の温度差への影響がないようにすることができる。そのため、上記剥離工程の実行に伴って、金型間の温度差が大きくなることによってガラスブランクＧの平面度が悪化することを回避することができる。
　また、前述したように、金型の内周面１２１ａ及び内周面１２２ａの表面粗さ(Ra)を０．１μｍ以下とすることで、成形工程で得られるガラスブランクＧの表面粗さが良好なレベルとなる。従来、このような小さい表面粗さの内周面を備えた金型で成形すると、成形後にガラスブランクＧが金型の内周面に貼り付き易かったが、本実施形態では、上記剥離工程によって、いずれかの金型の内周面に貼り付くことなく金型を落下させることができる。つまり、上記剥離工程によれば、ガラスブランクＧの表面粗さを低下させる点と、成形後にガラスブランクが金型に貼り付かないようにする点とを両立させることができる。つまり、特に小さい表面粗さが求められるガラスブランクの製造において、上記剥離工程を好適に用いることができる。

　第１の実施形態で述べたように、プレス成形工程では、溶融ガラスをプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間に相関関係が存在するが、本実施形態では、剥離工程の処理の実行によって、プレス成形後にいずれかの型にガラスブランクが貼り付くことを確実に防止するとともに、この剥離工程の処理によって金型間の温度差が大きくならないため、連続してガラスブランクを作製するときにガラスブランクの平面度が悪化することが避けられる。

　以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスク用ガラスブランクは上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは勿論である。

　１…磁気ディスク用ガラス基板
　２…中心穴

Claims (37)

1. 　溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
   　上記溶融ガラスをプレス成形する際の一対の金型の対向位置における温度差と、プレス成形後に得られたガラスブランクの平面度との間の相関関係を得て、
   　上記相関関係に基づいて、ガラスブランクに要求される平面度を実現できる上記一対の金型の温度差を求め、
   　一対の金型の温度が上記求められた温度差以内でプレス成形を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
2. 　上記ガラスブランクに要求される平面度は、磁気ディスクがハードディスク装置に搭載されたときにヘッドの接触を防止しうる磁気ディスクの平面度に等しいことを特徴とする、請求項１に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
3. 　上記成形工程では、落下中の上記溶融ガラスの塊を、その落下方向と直交する方向から上記一対の金型を用いてプレス成形することを特徴とする、請求項１または２に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
4. 　上記成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする、請求項１～３のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
5. 　ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
6. 　上記成形工程では、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする、請求項１～５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
7. 　プレス成形後に得られるガラスブランクの１００℃～３００℃の熱膨張係数が３０×１０^-7～１００×１０^-7（Ｋ^-1）の範囲内であることを特徴とする、請求項１～６のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
8. 　前記成形工程では、ガラスブランクの平面度が８μｍ以下となるように上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする、請求項１～７のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
9. 　溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
   　前記成形工程では、上記一対の金型の対向位置における温度差が１０℃以内となるようにして上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
10. 　溶融ガラスの塊を一対の金型を用いてプレス成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
    　前記成形工程では、ガラスブランクの平面度が８μｍ以下となるように上記溶融ガラスをプレス成形することを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
11. 　請求項１～１０のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
12. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
13. 　磁気ディスクがハードディスク装置に搭載されたときにヘッドの接触を防止しうる磁気ディスクに要求される平面度、と実質的に同一の平面度を有することを特徴とする、磁気ディスク用ガラスブランク。
14. 　プレス成形で作製されたことを特徴とする、請求項１３に記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
15. 　前記平面度は、ガラスブランクの主表面上で直径６５ｍｍの領域を選択して測定したときの値が４μｍ以下であることを特徴とする、請求項１３または１４に記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
16. 　一対の主表面の表面粗さ(Ra)が０．１μｍ以下であることを特徴とする、請求項１３～１５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
17. 　一対の主表面のガラス組成が実質的に同一であることを特徴とする、請求項１３～１６のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
18. 　ガラスブランクの主表面上で直径６５ｍｍの領域を選択して測定したときの板厚の最大値と最小値の差が８μｍ以下であることを特徴とする、請求項１３～１７のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
19. 　ガラスブランクの断面形状が外周側から中心側に向かうに従って板厚が減少することを特徴とする、請求項１３～１８のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランク。
20. 　落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
    　上記成形工程は、開型してから新たな溶融ガラスをプレス成形するまでの間に、上記一対の金型間の温度差を低減するための均熱化工程を有することを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
21. 　上記均熱化工程は、上記一対の金型の少なくとも一方に均熱材を接触させる工程であることを特徴とする、請求項２０に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
22. 　上記成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする、請求項２０または２１に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
23. 　ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする請求項２０～２２のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
24. 　上記成形工程では、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする、請求項２０～２３のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
25. 　請求項２０～２４のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
26. 　請求項２０～２４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
27. 　落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
    　上記成形工程の後、上記金型に貼り付いたガラスブランクを上記金型間の温度差を発生させないように金型から剥離する剥離工程を行った後で、次の溶融ガラスに対して上記成形工程を行うことを特徴とする磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
28. 　上記剥離工程は、両金型とガラスブランクが接触した状態で、上記ガラスブランクの外周部の少なくとも一部を冷却することを特徴とする請求項２７に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
29. 　上記剥離工程は、ガラスブランクに対して気体を供給することで上記ガラスブランクの外周端部の少なくとも一部を冷却することを特徴とする請求項２８に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
30. 　上記気体を供給するタイミングは、閉じた状態の上記一対の金型が開き始める直前に、または開き始めるタイミングと同時であることを特徴とする、請求項２９に記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
31. 　上記成形工程では、上記金型の溶融ガラスと接触する部分の温度が、上記一対の金型間で実質的に同一の温度となるようにプレス成形することを特徴とする、請求項２７～３０のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
32. 　ガラスブランクが金型に接触してから離れるまでの上記一対の金型の温度を、上記溶融ガラスのガラス転移点（Tg）未満の温度とすることを特徴とする請求項２７～３１のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
33. 　上記成形工程では、上記金型に離型材を付着させることなくプレス成形することを特徴とする、請求項２７～３２のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
34. 　上記金型の表面粗さ(Ra)が０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項２７～３３のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
35. 　落下中の溶融ガラスを、落下方向と直交する方向から一対の金型を用いてプレス成形することにより、板状のガラスブランクを成形する成形工程を含む磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法であって、
    　上記一対の金型の各々は、金型の閉型によって形成される空間に気体を導入するための通路を備え、上記成形工程では、金型の閉型時において各々の金型の上記通路を通して上記空間に気体を供給することを特徴とする、磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法。
36. 　請求項２７～３５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法により製造されたガラスブランクに対して、取り代５０μｍ以下の研磨加工を施して磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
37. 　請求項２７～３５のいずれか１項に記載の磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法によって得られた磁気ディスク用ガラスブランクを用いて磁気ディスク用ガラス基板を製造することを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
     

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