WO2012111709A1 - 環境耐性のある新規な可視光応答性光触媒 - Google Patents

環境耐性のある新規な可視光応答性光触媒 Download PDF

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Abstract

 酸化タングステン可視光応答性半導体のアルカリ性条件下における環境耐性を向上させた、新規な可視光応答性光触媒を提供する。 アルカリ性条件下で不安定な酸化タングステン可視光応答性半導体に銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、光触媒機能を失わせることなくその環境耐性を向上させる。得られた環境耐性可視光応答性光触媒は、アルカリ処理することにより、更に光触媒活性が向上する。

Description

環境耐性のある新規な可視光応答性光触媒
 本発明は、環境耐性のある新規な可視光応答性光触媒に関するものである。
 近年、太陽光や室内光によって環境汚染物質を吸着し分解除去したり、表面に付着した汚れに対してセルフクリーニング作用を示したりする光触媒が注目され、その研究が精力的に行われている。酸化チタンはその代表的なものであり強力な光触媒活性を示す。しかし、酸化チタンはバンドギャップが大きいため太陽光の大部分を占める可視光には吸収性がなく、紫外光による光触媒活性を示すが、可視光による活性を示さない。そのため太陽光を十分に利用することができず、また紫外光が極めて弱い室内では機能しないという問題があった。
 その対策として、窒素ドープなどで可視光を吸収できるようにするなどの酸化チタンの改良研究や可視光で光触媒としての活性を示す酸化チタン以外の新規な酸化物半導体の探索研究などが行われており、酸化チタンに比較してバンドギャップが小さいために可視光を吸収することができる酸化タングステンなどの可視光応答性の半導体化合物がCuOやCuBi2O4、銅イオン、白金、パラジウムなどの適切な助触媒を混合ないしその表面に担持させることで可視光活性な光触媒(可視光応答性光触媒)として効率良く働くことが知られている(特許文献1等)。
 しかしながら、これらの半導体化合物および助触媒は、アルカリ性や酸性などの過酷な条件下では不安定な物質が多いため、応用範囲が限定されていた。例えば、酸化タングステンはアルカリ性で溶解しやすいため、流し台などアルカリ性の洗剤が使用される場所においてそのままでは用いることができない。そのため、家庭の水回りなど様々な用途に利用するために、アルカリ性や酸性などの条件下でも安定な可視光応答性の光触媒が望まれていた。
 またアルカリ性や酸性などの条件下で不安定な物質を安定に使うために、従来から様々な検討がなされてきた。例えば、基材表面に耐アルカリ性に優れた光触媒層を形成するために、ジルコニウム、チタン、アルミニウムなどの化合物を含んだ樹脂で基材上にプライマリー皮膜を形成してからジルコニウムやチタンの化合物を含む組成物による中間層をさらに形成し、その上に光触媒粒子およびバインダーとしてのジルコニウム化合物を含有する組成物によって光触媒層を形成することにより、光触媒層が基材から脱落するのを防止する方法が報告されている(特許文献2)。また抗菌性光触媒性塗料の耐アルカリ性を向上させるため、光触媒を含有する水系塗料にポリオルガノシロキサンおよびアクリルポリマーを添加して複合化する方法やアクリルシリコン塗料に光触媒乾燥粉末を含有させる方法も報告されている(特許文献3および4)。
 これらは安定な物質で基材表面あるいは光触媒を被覆してアルカリから保護する方法である。しかし、光触媒反応のためには、光照射で生成する正孔と電子が外表面へ到達し、そこで正孔が有機物などの反応基質を酸化分解し、電子が空気中の酸素の還元により消費されることが必要であるが、光触媒をこのような被覆により保護した場合は、正孔も電子もともに同じく新たに被覆した保護物質層を通り抜けてその表面で基質や酸素と反応しなければないため、電荷分離が効率的に促進されず途中で正孔と電子が再結合する、被覆した物質の表面の反応性が低い等のために光触媒活性が低下するなどの問題がある。またさらに被覆を行うために複雑な過程を要しコストが増大することや使用目的に即した、望んでいる被覆構造を容易に得られないことも問題となる。
(独)産業技術総合研究所他 特開2008-149312 ヤマハリビングテック株式会社 特開2001-137711 東陶機器株式会社 特開2000-95976 東陶機器株式会社 特開2000-95977
 本発明は、可視光応答性半導体自体のアルカリ性条件下における環境耐性を向上させた、新規な可視光応答性光触媒を提供することを課題とする。
 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、アルカリ性条件下で不安定な可視光応答性半導体に他の元素を添加することにより、可視光に対する光触媒機能を失わせずにその環境耐性を向上させ得ることを見出し、上記の課題を解決した。具体的には、アルカリ条件下で不安定な酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、その光触媒機能を失わせずにアルカリ性条件下における環境耐性を向上させることに成功した。さらに、ビスマスを添加した場合には条件によって光触媒活性が向上することを見出した。
 また、本発明者らは、酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加した光触媒を更にアルカリ処理することにより、光触媒活性が向上することを見出した。
 すなわち、この出願は、以下の発明を提供するものである。
〈1〉酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、酸化タングステンの可視光による光触媒機能を失わせずにアルカリ性条件下における環境耐性を向上させる方法。
〈2〉添加する上記の元素の量がタングステンに対するモル比で0.005~0.50である、〈1〉に記載の方法。
〈3〉添加する上記の元素の量がタングステンに対するモル比で0.01~0.15である、〈2〉に記載の方法。
〈4〉〈1〉~〈3〉に記載の方法により環境耐性を向上させたことを特徴とする、酸化タングステン可視光応答性光触媒。
〈5〉酸化タングステンにビスマスを添加し、400~700℃で焼成することにより、光触媒活性を向上させることを特徴とする、〈1〉~〈3〉に記載の方法。
〈6〉〈5〉に記載の方法により、環境耐性を向上させるとともに、光触媒活性を向上させたことを特徴とする酸化タングステン可視光応答性光触媒。
〈7〉酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、酸化タングステンの可視光による光触媒機能を失わせずにアルカリ性条件下における環境耐性を向上させ、これを更にアルカリ処理することにより光触媒活性を向上させる方法。
〈8〉〈7〉に記載の方法により光触媒活性を向上させたことを特徴とする、酸化タングステン可視光応答性光触媒。
 酸化タングステンは酸性条件下で安定な可視光応答性光触媒である。本発明により、アルカリ性条件下においても安定で環境耐性のある新規な酸化タングステン可視光応答性光触媒が提供される。
 本発明による新規な可視光応答性光触媒は、アルカリ性や酸性の条件下においても安定なため、流し台、浴室、トイレなどにおいて洗剤や漂白剤などに曝されることによってアルカリ性や酸性の環境となる場合でも使用することができる。これらの設備は屋内にあることがほとんどなので、そこで光触媒製品を用いる場合には太陽の紫外光による光触媒作用が期待できないため、屋内の可視光によって機能する可視光応答性光触媒が必要となるが、本発明により環境耐性を向上させることで、これまではこれらの設備では使用できなかった酸化タングステン可視光応答性光触媒を使用することが可能になる。本発明の酸化タングステンを使用することにより表面が有機物で汚染されてもその光触媒作用によるセルフクリーニング機能で汚れが分解除去され表面を清浄に保持することができる。
可視光応答性半導体に他の元素を添加することにより環境耐性を向上させた可視光応答性光触媒の概念図。 銅を添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒をアルカリ性水溶液で処理した後の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 銅を添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒のアルカリ性水溶液処理による光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)の向上。 タンタルを添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒をアルカリ性水溶液で処理した前後の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 ニオブを添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒をアルカリ性水溶液で処理した前後の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛の各元素を添加(800℃焼成)することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 ビスマスを添加(500℃焼成)することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 ビスマスを添加(500℃焼成)することによる酸化タングステン光触媒の光触媒活性の向上(ビスマス添加量の異なる光触媒の、光照射開始20分後におけるアセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生量の比較)。 ランタンとビスマスを複合して添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒薄膜をアルカリ性水溶液で処理した前後の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。 タンタルとビスマスを複合して添加することでアルカリ性条件下の環境耐性を向上させた酸化タングステン光触媒薄膜をアルカリ性水溶液で処理した前後の光触媒活性(アセトアルデヒドの光分解による二酸化炭素発生の時間変化)。
 1 可視光応答性光触媒内部
 2 添加により環境耐性が増加した表面
 3 分解する吸着物質
 4 助触媒
 5 正孔
 6 励起電子
 本発明では、アルカリ性条件下で不安定な可視光応答性半導体にアルカリ性条件下で安定な元素を添加することで環境耐性を向上させる。図1の模式図に示すように、アルカリ性条件下で安定な元素を添加することにより、可視光応答性半導体の少なくとも表面がアルカリ性条件下で安定な構造となり、それにより不安定であった可視光応答性半導体全体が保護されて環境耐性が向上すると考えられる。本発明による可視光応答性光触媒は環境耐性のある助触媒と組み合わせて用いることができる。特に有機物の完全酸化分解を行う場合は酸素還元を促進する助触媒を担持することが好ましい。助触媒としては酸素還元を促進する、白金、パラジウムなどの貴金属や銅化合物などが用いられる。助触媒を担持する場所は、半導体膜の外表面や多孔質膜の内部や底部でもよい。
 さらに酸化チタンのような、環境耐性があり、表面における正孔の反応性も高いものによって本発明の外表面を被覆して用いることもできる。そのような場合は、本発明と被覆との相乗効果を期待することができる。
 環境耐性を向上させるために他の元素を添加した酸化タングステンは、水酸化ナトリウム水溶液などに一定時間浸漬することによるアルカリ処理を行うことで光触媒活性が向上する。処理するアルカリの濃度や処理時間は添加する元素の種類・量や酸化タングステンの形状などにより異なるため、適宜最適な条件により行う必要があるが、一般的には、水酸化ナトリウム水溶液を処理に用いる場合の濃度は、望ましくは0.01M~3.0M、より望ましくは0.1M~2.0M、また浸漬処理時間は10分から10時間、さらに望ましくは30分から6時間である。
 現在のところ、環境耐性が向上する表面の詳細な構造は不明であるが、以下のような可能性が考えられる。添加された元素が可視光応答性半導体全体にドープされ、そのドープ構造の安定性がアルカリ性においても高いために環境耐性が向上すると考えられる。この場合には全体として元の可視光応答性半導体の割合が添加された元素に比較して大きいため、元の光触媒機能が失われないと考えられる。
 別の可能性としては、新たに生成した光触媒の内部に添加した元素を含まない元の可視光応答性半導体の構造の部分がそのまま残って光触媒機能が保持されているのに対して、表面近くでは添加した元素の割合が大きく、元の半導体の成分と合わさって複合酸化物などの複合化合物を形成し、外部の環境に対して保護する作用をしていることも考えられる。この場合は少なくとも環境耐性が向上している表面において、光触媒機能により生成する正孔と電子がそれぞれ反応基質や空気中の酸素と容易に反応できる必要がある。ただし光の吸収と正孔および電子の生成は、内部に元の可視光応答性半導体構造が残っていた場合などはその部分で機能してもよく、そのような場合にはそこで発生した正孔と電子が表面まで移動して反応する。
 さらに別の可能性としては、添加した元素の影響で可視光応答性半導体粒子が大きくなることによって比表面積が減少し、アルカリ性の環境においても溶解しにくくなることが考えられる。添加により可視光応答性半導体の1次粒子が大きくなるとそれが凝集して形成される粒子も表面積が減少するため溶解しにくくなる。
 これらの要因が複合的に寄与して全体としてアルカリ性条件下における環境耐性が向上していることも考えられる。
 以下に、アルカリ性条件下では溶解する酸化タングステンの環境耐性を、光触媒機能を失わせることなく向上させるため、PA法(過酸化物の熱分解法)により酸化タングステンを製造するときに銅を添加する方法に関して説明する。ただし、後に示すように本発明は特定の製造方法に何ら限定されるものではない。
 最初にタングステン酸または金属タングステンなどのタングステン含有材料を過酸化水素水溶液に溶解させたのち乾燥させる。得られた白色結晶を水で再度溶解させホットスターラー上で撹拌・加熱を行いながら熟成させ濃いオレンジ色の過酸化ポリタングステンを生成させる。これに銅が所定の添加量となるように硝酸銅を加えて焼成することで銅を添加した酸化タングステンを得る。このように酸化タングステンの製造過程において銅化合物を添加するという単純な方法で本発明を実施することができる。
 本方法により得られる、銅を添加した酸化タングステンは、アルカリ性条件下における環境耐性が向上するとともに可視光による光触媒機能が失われない。
 このとき添加する銅の割合は、望ましくはタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.005~0.50、より望ましくは0.01~0.15であるが、必要とされる環境耐性の向上度は光触媒としての使用目的・使用条件によって異なるため、状況により適宜決定される。また、好ましい添加量は添加する元素や添加方法によっても異なる。
 光触媒活性を示す化合物の環境耐性を向上させる目的で他の元素をその製造過程において何らかの方法によって添加する場合を考えると、通常は、添加量が少なすぎると環境耐性があまり向上せず、また添加量が多すぎると環境耐性が十分向上しても光触媒機能そのものがそれによって著しく低下する又は失われてしまうと考えられる。また一般には、他の元素の添加量を増やしていった場合に、環境耐性が必要とされるだけ向上する前に光触媒機能が全く失われてしまうことも十分に考えられる。しかしながら本発明者らは、酸化タングステンの製造過程において銅などの本発明に示す元素を単独でもしくは複合して添加した場合は、その光触媒機能を失わせることなくアルカリ性条件下における環境耐性の向上を実現できることを見いだして本発明を成すに至った。
 また、ビスマスなどの特定の元素は、一定条件で酸化タングステンに添加することにより、環境耐性の向上のみならず、無添加の酸化タングステンに比較して光触媒活性が向上することも見出した。
 さらに単にアルカリ性条件下で安定な元素を添加することによってアルカリ性条件下で不安定な物質の環境耐性が必ずしも向上するものではない。酸化タングステンの場合も、アルカリ性条件下における環境耐性を向上させることを目指してアルカリ性条件下で安定な元素を添加してもすべてにおいてその向上が見られるわけではなく(後述の比較例6)、本発明では銅などの本発明に示す元素の単独もしくは複合の添加においてこの目的を達成することができた。故に本発明の酸化タングステンとこれらの元素の組み合わせは課題解決に対して特に優れたものである。
 また本発明においては、具体的な添加方法を変えても光触媒機能を失わせることなく環境耐性の向上を実現できることを見いだしている。このことは、製造方法が異なっても光触媒製造過程において酸化タングステンに銅を添加することによって最終的に同じような構造が生成するためと考えられる。以下の実施例にも示すように、酸化タングステンについては、PA法・IE法(イオン交換法)・錯体重合法などの様々な光触媒製造法があるが、これらのどの方法も本発明による銅の添加ために用いることができる。これらの製造方法の場合は、酸化タングステンの前駆体に銅の金属塩を加えて混合してから焼成することにより銅を添加することができる。通常、焼成温度は、単にこれらの製造方法により酸化タングステンを製造する場合と同じで良く、望ましくは400℃~900℃、より望ましくは500℃~800℃である。またさらに酸化タングステン粉末試料に銅の金属塗布液を含浸して焼成することによっても本発明を実施することができる。この場合には、粉末表面に添加された銅が焼成により原子レベルで酸化タングステンと混ざり合う必要があるため、焼成は比較的高温で行う必要があり、望ましくは600℃~900℃、より望ましくは750℃~850℃である。一般に、銅以外の元素の添加に関してもこれらの様々な製造方法を同様に用いることができるが、好ましい焼成温度などの条件は添加する元素によって異なる。また前記したような前駆体溶液などを基板上に塗布・焼成して作製した酸化タングステン薄膜に、添加する元素を含んだ金属塗布液を塗布してさらに焼成する方法によっても実施することができる。このような薄膜形状の場合の焼成温度は、添加する元素の種類にもよるが、粉末形状の場合とは一般には異なっており、望ましくは400℃~600℃、より望ましくは450℃~550℃である。このような場合には焼成温度の上限は基板の耐熱性の上限で決まることが多く、基板が耐えられる場合は900℃程度の高温でも焼成することが可能である。
 以下に、具体的な実施例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。
〈銅添加によるアルカリ性条件下における環境耐性の向上について〉
実施例1および比較例1 PA法
 アルカリ性条件下では溶解する酸化タングステンにアルカリ性条件下で安定な銅をタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13添加した可視光応答性銅添加酸化タングステン光触媒を下記のPA法で調製して、実施例1とした。またこの方法で製造した銅を添加しない酸化タングステンを比較例1とした。
 金属タングステンを過酸化水素水溶液に溶解して乾燥させたものを水で再溶解し、さらにホットスターラー上で撹拌・加熱を行いながら熟成させ透明黄色溶液を経て濃いオレンジ色の過酸化ポリタングステンを生成させる。次に銅がタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13となるように硝酸銅を添加する。この操作により生成する、銅が添加された過酸化ポリタングステンを800℃で焼成することで実施例1となる銅を添加した酸化タングステンが得られる。
 実施例1(銅をタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13添加した酸化タングステン)および比較例1(銅を添加しない酸化タングステン)の粉末を1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し、2時間にわたり放置した後に目視で変化を観察した。その結果、比較例1では9割以上が溶解したのに対して、実施例1では見かけ上はまったく変化がなかった。実施例1では明らかに銅を添加することによりアルカリ性条件下における酸化タングステンの環境耐性が向上している。
実施例2および比較例2 IE法
 銅添加酸化タングステン光触媒の調製法を以下に示すIE法に変更して、実施例2とした。0.5Mのタングステン酸ナトリウム水溶液20mlをイオン交換樹脂に通してエタノールに滴下し、タングステン酸のエタノール・水混合溶液を調製し、ポリエチレングリコール300を5ml添加する。さらにこの溶液に硝酸銅水溶液を撹拌しながらタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13となるように添加する。この溶媒を蒸発させ、さらに650℃で1時間加熱することで実施例2となる銅添加酸化タングステンが得られる。またこの方法で製造した銅を添加しない酸化タングステンを比較例2とした。
 この実施例2(銅をタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13添加した酸化タングステン)および比較例2(銅を添加しない酸化タングステン)を1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し安定性の比較を行った。その結果、比較例2は3時間で完全に溶解したのに対して、実施例2は3時間後においても濾過後の残存重量として68%以上が溶け残った。実施例2においても明らかに銅を添加することによりアルカリ性条件下における酸化タングステンの環境耐性が向上している。
実施例3および比較例3 錯体重合法
 銅添加酸化タングステン光触媒の調製法を以下に示す錯体重合法に変更して、実施例3とした。タングステン酸アンモニウムとクエン酸をエチレングリコールとメタノールの混合溶液に溶解し、さらに硝酸銅水溶液を撹拌しながらタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)が0.13、0.06、0.05となるように添加する。この溶媒を蒸発させ、650℃で1時間加熱することで実施例3となる銅添加酸化タングステンが得られる。またこの方法で製造した銅を添加しない酸化タングステンを比較例3とした。
 この実施例3(銅をタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13、0.06、0.05添加した酸化タングステン)および比較例3(銅を添加しない酸化タングステン)を1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し安定性の比較を行った。その結果、比較例3では、3時間後に濾過後の残存重量として溶け残ったのは20%であった。一方、実施例3では、6時間後においても濾過後の残存重量として、銅の添加量がタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.13、0.06、0.05の場合それぞれについて、92%、86%、79%が溶け残った。実施例3においても明らかに銅を添加することによりアルカリ性条件下における酸化タングステンの環境耐性が向上している。
実施例4および比較例4~6 酸化タングステン粉末試料への銅添加
 酸化タングステン粉末に後から銅を添加した場合についても調べるために、酸化タングステン粉末(和光純薬工業)に、高純度化学研究所より購入した銅の金属塗布液(SYMETRIX、SYM-CU04、EMOD塗布型材料CuO膜用、銅含有量0.4M)を酢酸ブチルで2倍に希釈してタングステンに対するモル比で0.05となるように混合し、800℃で1時間焼成することにより調製した銅添加タングステンを実施例4とした。また酸化タングステン粉末(和光純薬工業)そのままのものを比較例4、酸化タングステン粉末(和光純薬工業)をそのまま800℃で1時間焼成しただけのものを比較例5、同じく高純度化学研究所より購入した、アルカリ性条件下で安定な元素であるインジウムの金属塗布液(SYMETRIX、SYM-IN02、EMOD塗布型材料InO1.5膜用、インジウム含有量0.2M)を銅の代わりにモル比で0.05となるように混合し、800℃で1時間焼成することにより調製したインジウム添加タングステンを比較例6とした。
 これらを1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し、3.5時間後に濾過後の残存重量を調べ、アルカリ性条件下における安定性の比較を行った。その結果、比較例4(何も処理しなかった酸化タングステン)では残存重量0%(完全溶解)、比較例5(800℃で1時間焼成した酸化タングステン)では残存重量23%、比較例6(インジウムをタングステンに対してモル比(In/Wモル比)で0.05添加した酸化タングステン)では残存重量9%であったのに対して、実施例4(銅をタングステンに対してモル比(Cu/Wモル比)で0.05添加した酸化タングステン)では残存重量は85%となった。このように実施例4においても溶け残る量が明らかに増加しており、銅を添加することによりアルカリ性条件下における酸化タングステンの環境耐性が向上している。
 このような含浸と焼成により粉末の酸化タングステンに銅を添加する場合は焼成温度を600~900℃、好ましくは750~850℃程度の高温にすることが望ましい。本発明の銅添加の場合は、銅が酸化タングステン表面に単に担持されるのではなく、その内部に浸透してある程度混ざり合う必要があるため焼成を比較的高温で行う必要があり、そのような状況では添加された銅は表面に担持された助触媒としては作用しない。一方、銅を単に助触媒として粉末の酸化タングステン表面に類似の方法で担持する場合は、特許文献1のように500~550℃程度の、もっと低温度で焼成を行うことにより、酸化タングステン内部に浸透して混ざり合わないようにする必要がある。なお最適な焼成温度は酸化タングステンの形状(粉末・薄膜)や添加する元素の種類等の諸条件により異なる。
 また何も処理しない比較例4が完全溶解であったのに対して焼成した比較例5では残存重量が23%で溶け残る量が増加しており、何も添加しなかった場合でも焼成によりアルカリ性条件下における環境耐性の向上が見られる。このことは焼成過程で粒子が結合して成長し、表面積が減少して溶解速度が小さくなったことに起因すると考えられる。しかし銅添加の場合は、実施例4における残存重量が85%で比較例5の場合の23%よりもはるかに多い。このことからすると銅添加によるアルカリ性条件下における環境耐性の向上は単なる焼成による表面積の減少以外の要因が大きい。
 さらに銅と同じくアルカリ性条件下で安定なインジウムを添加した比較例6では実施例4のようなアルカリ性条件下における環境耐性の大きな向上は見られず、残存重量は何も添加していない比較例5よりも少なく9%であった。このことは酸化タングステンのアルカリ性条件下における環境耐性の向上は単にアルカリ性で安定な元素を添加するだけでは達成できるものではないことを示している。故に酸化タングステンの場合は銅などの本発明に示す元素を添加することが特異的に環境耐性を向上させることに優れていると考えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
〈銅添加の場合の光触媒活性について〉
 光触媒活性を調べるため、実施例1において調製した銅をタングステンに対するモル比で0.13添加した酸化タングステンを0.1M水酸化ナトリウム水溶液で6時間処理したものに、助触媒として白金を0.1重量%添加し、それらを4.7mlのバイアルびんにおよそ150mg入れ、これにアセトアルデヒドの気体を約8000ppm分加えて300WのXeランプで光照射し、ガスクロマトグラフィーにより光分解で生じる二酸化炭素の量の時間変化をモニターした。図2に結果を示す。なお、本例では、存在するアセトアルデヒドが完全に二酸化炭素にまで分解すると、およそ16000ppmの二酸化炭素が理論的に発生する。
 図2から分かるように、本発明の実施例1の銅添加酸化タングステンは、0.1M水酸化ナトリウム水溶液で6時間処理しても、120分経過後にはほぼアセトアルデヒドの完全分解近くにまで達している。また比較例1において調製した銅を添加していない酸化タングステンについても水酸化ナトリウム水溶液で処理せずに同様のアセトアルデヒドの光分解を行った結果を図2示す。これと比較すると分解速度が若干遅くはなっているが、実施例1の銅添加酸化タングステンはアルカリ性の条件下に曝された後であっても、光触媒活性を十分に保持しており、アセトアルデヒドを完全分解できることが示された。本実施例では気相中のアセトアルデヒトの分解除去について示したが、本発明の酸化タングステン光触媒を用いて、表面に付着した有機物を分解除去する光触媒作用によるセルフクリーニング機能を発現させることも可能である。なお比較例1において調製した銅を添加していない酸化タングステンは水酸化ナトリウム水溶液で処理すると完全に溶解するため、アルカリ処理後の光触媒活性は測定できない。
 また実施例3において調製した、銅をタングステンに対するモル比で0.13添加した錯体重合法による酸化タングステンを1.0M水酸化ナトリウム水溶液で3時間処理したものおよび未処理のものに対して同様のアセトアルデヒト分解による二酸化炭素の発生量をモニターした。図3に結果を示す。図3に矢印で示すように、アルカリ処理により光触媒活性が向上することが分かる。
〈銅以外の元素の添加によるアルカリ性条件下における環境耐性の向上について〉
実施例5~12および比較例4~6 酸化タングステン粉末試料への銅以外の元素の添加
 銅以外の元素の添加効果を調べるため、銅添加の場合と同じように酸化タングステン粉末(和光純薬工業)に、高純度化学研究所より購入した各添加元素の金属塗布液をタングステンに対してモル比で0.05となるように混合し、800℃で1時間焼成することにより各試料を調製した。タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を添加した場合には1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し、3.5時間後に濾過後の残存重量が50%を超えた。比較例4~6との比較から明らかなように、これらの元素を添加することによりアルカリ性条件下における酸化タングステンの環境耐性が向上している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
〈銅以外の元素の添加の場合の光触媒活性について〉
(1)タンタルまたはニオブを添加した場合の光触媒活性
 光触媒活性を調べるため、実施例5および6において調製したタンタルまたはニオブをタングステンに対してモル比で0.05添加した酸化タングステンに助触媒として白金を0.1重量%添加し、それらを4.7mlのバイアルびんにおよそ150mg入れ、これにアセトアルデヒドの気体を約7500ppm分加えて300WのXeランプで光照射し、ガスクロマトグラフィーにより光分解で生じる二酸化炭素の量の時間変化をモニターした。図4および図5に結果を示す。なお、本例では、存在するアセトアルデヒドが完全に二酸化炭素にまで分解すると、およそ15000ppmの二酸化炭素が理論的に発生する。
 図4および図5から分かるように、本発明のタンタルおよびニオブを添加した酸化タングステンは、アセトアルデヒドを分解することができ、光触媒活性を十分に保持していることが示された。
 またタンタルおよびニオブを添加した酸化タングステンの実施例5および実施例6を1.0M水酸化ナトリウム水溶液で4時間処理したものについて、同様の試験を行い、アセトアルデヒトの光分解活性を調べた。その結果を、図4および図5に、水酸化ナトリウム水溶液で処理しない場合の結果と対比して示す。矢印で示したようにアルカリ性環境下における環境耐性を向上させるため、これらの元素を添加した酸化タングステンは、アルカリ処理することにより光触媒活性が著しく向上することが分かる。
(2)ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガンまたは亜鉛を添加した場合の光触媒活性
 光触媒活性を調べるため、実施例7~12において調製したランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガンまたは亜鉛をタングステンに対してモル比で0.05添加した酸化タングステンに助触媒として白金を0.1重量%添加し、それらを4.7mlのバイアルびんにおよそ150mg入れ、これにアセトアルデヒドの気体を約8000ppm分加えて300WのXeランプで光照射し、ガスクロマトグラフィーにより光分解で生じる二酸化炭素の量の時間変化をモニターした。図6に結果を示す。なお、本例では、存在するアセトアルデヒドが完全に二酸化炭素にまで分解すると、およそ16000ppmの二酸化炭素が理論的に発生する。
 図6から分かるように、ビスマスをのぞき本発明のこれらの元素を添加した酸化タングステンは、アセトアルデヒドを分解することができ、光触媒活性を十分に保持していることが示された。また、ビスマスについては、後で示すようにランタンやタンタルなどと組み合わせて添加することにより光触媒活性を保持することができる。
 また、上記の条件で光触媒活性が低かったビスマス添加の実施例8については、金属塗布液混合後の焼成温度を500℃とすると光触媒活性の著しい向上が見られた。また、焼成温度を500℃としても、得られたビスマス添加酸化タングステンはアルカリ性条件下において十分な環境耐性を有していた。
 実施例8で焼成温度を500℃とし、ビスマス添加量をタングステンに対するモル比でそれぞれ0.01、0.05、0.10、0.12、0.15とした場合の、各ビスマス添加酸化タングステンのアルカリ性条件下における環境耐性を表3に示す。表3に示されるように、当該各ビスマス添加酸化タングステンについて、アルカリ性条件下で良好な環境耐性が得られている。なお、表3中の比較例5は、市販の酸化タングステン粉末に500℃での焼成のみを行ったものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 上述のとおり実施例8で焼成温度を500℃とすることにより得られたビスマス添加酸化タングステンの光触媒活性を調べるため、ビスマスの添加量をタングステンに対してモル比で0.10としたものについて、助触媒として白金を0.1重量%添加し、これにアセトアルデヒドの気体を約2000ppm分加えて300WのXeランプからL42フィルターを通して可視光を照射し、ガスクロマトグラフィーにより光分解で生じる二酸化炭素の量の時間変化をモニターした。当該ビスマス添加タングステンを1.0M水酸化ナトリウム水溶液中に24時間浸漬処理したものについても、同様に光触媒活性を調べた。また、上述の焼成温度を500℃とした比較例5についても比較のため同様に光触媒活性を調べた。図7に結果を示す。なお、本例では、存在するアセトアルデヒドが完全に二酸化炭素にまで分解すると、およそ4000ppmの二酸化炭素が理論的に発生する。図7から分かるように、この条件でビスマスを添加した酸化タングステンおよびこれをアルカリ処理した酸化タングステン(実施例8)は、150分程度の可視光照射によってアセトアルデヒドをほぼ完全に分解し、またその分解速度も500℃で焼成しただけの何も添加していない酸化タングステン(比較例5)とほぼ同じであり、光触媒活性を十分に保持していることが示された。
 このように、酸化タングステン粉末に金属塗布液などを含浸して焼成することによりビスマスを添加する場合は、焼成温度は好ましくは400~700℃、より好ましくは450~550℃であり、前記した、同様の方法で銅を添加する場合の好ましい焼成温度とは異なっており、このことは最適な焼成温度が添加する元素の種類に依存することを示している。
 さらに実施例8で焼成温度を500℃、ビスマスの添加量をタングステンに対してモル比で0.01~0.12としたものについて、助触媒として白金を0.1重量%添加し、これにアセトアルデヒドの気体を約2000ppm分加えて300WのXeランプからL42フィルターを通して可視光を照射し、20分後における二酸化炭素の生成量を調べた。比較のため比較例5で焼成温度を500℃としたものについても同様に二酸化炭素の生成量を調べた。図8に結果を示す。ビスマスの添加によりアセトアルデヒドの分解により生成する二酸化炭素の量は無添加の比較例5の場合より増加しており、ビスマスの添加により酸化タングステンの光触媒活性が向上していることが分かる。比較的にビスマスの添加量が少ない領域において、無添加の場合に対する光触媒活性の向上が見られた。この場合のビスマスの添加量は、タングステンに対するモル比で、好ましくは0.005~0.15、より好ましくは0.01~0.12であった。表3から分かるように、光触媒活性の向上が見られるような比較的にビスマスの添加量が少ない場合でも、無添加の場合と比較するとアルカリ性条件下における環境耐性は向上する。
〈薄膜形状の酸化タングステンに銅以外の元素を添加した場合のアルカリ性条件下における環境耐性の向上について(元素の単独および複合添加)〉
ランタンまたはビスマスを単独で、および、それらを複合して添加した場合
 実施例1の場合に用いたPA法の過酸化ポリタングステンを導電性ガラス上にスピンコートにより製膜して500℃で焼成することで酸化タングステン薄膜を作製した。この薄膜にランタンまたはビスマスの金属塗布液をスピンコートし、500℃で焼成してそれぞれ実施例13および実施例14とした。また酸化タングステン薄膜に最初にランタンの金属塗布液をスピンコートして500℃で焼成してから希釈したビスマスの金属塗布液をスピンコートしてさらに500℃で焼成することによってランタンとビスマスを複合添加した酸化タングステン薄膜を作製した。ビスマスの金属塗布液(原液のビスマス濃度0.5M)を酢酸ブチルで希釈し、スピンコートする塗布液の濃度が0.2Mのものを実施例15、0.1Mのものを実施例16、0.04Mのものを実施例17、0.02Mのものを実施例18とした。実施例16~18はさらに塩化白金酸を塗布して300℃で焼成し、白金を助触媒として担持させた。同様の方法で作製した何も添加しない酸化タングステン薄膜を比較例7とした。
 アルカリ性条件下における環境耐性の向上を調べるため1.0Mの水酸化ナトリウム水溶液に投入し、30分経過後の酸化タングステンの残存量を測定した。結果を表3に示す。ランタン添加の実施例13ではおよそ90%が残り、ビスマス添加の実施例14ではおよそ80%が残った。さらにランタンとビスマスを複合添加した実施例15~18ではすべて90%以上が残った。一方、何も添加しなかった比較例7では全く酸化タングステンは残っていない。このことから薄膜形状の酸化タングステンにおいても元素添加によりアルカリ性条件下における環境耐性が向上することが分かる。また複数の元素を複合して添加することによってもアルカリ性条件下における環境耐性が向上することも分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
〈薄膜形状の酸化タングステンに銅以外の元素を添加した場合の光触媒活性について〉
 光触媒活性を調べるため、先に助触媒として白金を製膜した導電性ガラスに酸化タングステン、ランタン、ビスマス(0.1Mに希釈)を上記の方法により順に製膜したものを実施例19、またランタンの代わりにタンタルを用いたものを実施例20として、それらを市販のアルカリ性カビ除去剤(ジョンソン株式会社 カビキラー:水酸化ナトリウム濃度0.125M)で6時間処理したものおよび処理しないものを用いてアセトアルデヒトの光分解を行った。アセトアルデヒドの気体を約500ppm分加えて300WのXeランプL42フィルターを通して光照射し、ガスクロマトグラフィーにより光分解で生じる二酸化炭素の量の時間変化をモニターした。また比較のため先に助触媒として白金を製膜した導電性ガラスに酸化タングステンのみを製膜したものを比較例8としての同様の光分解を行った。図9および図10に結果を示す。なお、本例では、存在するアセトアルデヒドが完全に二酸化炭素にまで分解すると、およそ1000ppmの二酸化炭素が理論的に発生する。
 ランタンとビスマスを複合的に添加した実施例19、タンタルとビスマスを複合的に添加した実施例20においても比較例8と比較してアルカリ暴露後も含めて光触媒活性が失われていないこと、またアルカリ処理により光触媒活性が向上することが確かめられた。本実施例では、粉末形状の場合と同じく、気相中のアセトアルデヒトの分解除去について示したが、本発明の酸化タングステン光触媒薄膜を用いて、光触媒作用によって表面に付着した有機物を分解除去するセルフクリーニング機能を発現させることも可能である。
 本発明のアルカリ性条件下における可視光応答性光触媒の環境耐性を向上させる方法を用いることにより、これまで洗剤などに暴露されてアルカリ性や酸性となるために、環境耐性が低い可視光応答性光触媒を使用できなかった流し台、浴室、トイレなどの壁面やそれらの場所で使用するその他の製品表面に、可視光応答性光触媒として銅添加酸化タングステンを使用することができるようになる。これらにおいてセルフクリーニング材料としてこの可視光応答性光触媒を用いることで、その表面を清浄に保つことが可能になる。

Claims (8)

  1.  酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、酸化タングステンの可視光による光触媒機能を失わせずにアルカリ性条件下における環境耐性を向上させる方法。
  2.  添加する上記の元素の量がタングステンに対するモル比で0.005~0.50である、請求項1に記載の方法。
  3.  添加する上記の元素の量がタングステンに対するモル比で0.01~0.15である、請求項2に記載の方法。
  4.  請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の方法により環境耐性を向上させたことを特徴とする、酸化タングステン可視光応答性光触媒。
  5.  酸化タングステンにビスマスを添加し、400~700℃で焼成することにより、光触媒活性を向上させることを特徴とする、請求項1~3のいずれか1項に記載の方法。
  6.  請求項5に記載の方法により、環境耐性を向上させるとともに、光触媒活性を向上させたことを特徴とする、酸化タングステン可視光応答性光触媒。
  7.  酸化タングステンに銅、タンタル、ニオブ、ランタン、ビスマス、カルシウム、クロム、マンガン、亜鉛を単独もしくは複合して添加することにより、酸化タングステンの可視光による光触媒機能を失わせずにアルカリ性条件下における環境耐性を向上させ、これを更にアルカリ処理することにより光触媒活性を向上させる方法。
  8.  請求項7に記載の方法により光触媒活性を向上させたことを特徴とする、酸化タングステン可視光応答性光触媒。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083831A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 独立行政法人産業技術総合研究所 ビスマスを添加した酸化タングステン光触媒を含む抗かび及び抗菌材料

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107200356B (zh) * 2016-03-18 2019-12-17 纳琳威纳米科技(上海)有限公司 掺铋的氧化钨近红外高反射粉体制备方法
CN106902808B (zh) * 2017-03-31 2020-02-11 北京宇极科技发展有限公司 高活性钨基催化剂、制备方法及用途
CN111495382B (zh) * 2020-03-24 2023-05-23 山西师范大学 铜/介孔三氧化钨复合催化剂及其制备方法和应用
CN112536039B (zh) * 2020-12-03 2021-09-17 浙江大学 一种阶层结构复合氧化物可见光催化材料的制备方法
KR102466111B1 (ko) 2021-11-25 2022-11-14 주식회사 제이앤켐텍 광촉매 조성물 및 이의 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000095977A (ja) 1998-09-22 2000-04-04 Toto Ltd 抗菌性光触媒性塗料および抗菌性光触媒性部材
JP2000095976A (ja) 1998-09-22 2000-04-04 Toto Ltd 抗菌性光触媒性水系塗料及び抗菌性光触媒性部材
JP2001137711A (ja) 1999-11-10 2001-05-22 Yamaha Livingtec Corp 光触媒層の形成方法
JP2008149312A (ja) 2006-11-20 2008-07-03 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 可視光応答性光触媒とその触媒活性促進剤並びに環境汚染有機物質の光分解法
JP2009189952A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体光触媒
JP2009202151A (ja) * 2008-01-28 2009-09-10 Toshiba Corp 可視光応答型光触媒粉末とそれを用いた可視光応答型の光触媒材料、光触媒塗料、光触媒製品
JP2009254954A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Hokkaido Univ 貴金属含有酸化タングステン光触媒体の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1676890B1 (en) * 2003-10-20 2019-06-26 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Infrared shielding material microparticle dispersion, infrared shield, process for producing infrared shielding material microparticle, and infrared shielding material microparticle
JP2008168277A (ja) * 2006-12-14 2008-07-24 Toshiba Lighting & Technology Corp 可視光応答型光触媒合成法
KR100876031B1 (ko) 2006-12-14 2008-12-26 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 가시광 응답형 광촉매 합성법, 광촉매 재료, 광촉매 도료및 광촉매체
EP2186561B1 (en) 2007-09-05 2022-08-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Visible-light-responsive photocatalyst powder, and visible-light-responsive photocatalyst material, photocatalytic coating material, and photocatalytic product each containing the same
CN101204652A (zh) 2007-12-19 2008-06-25 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高效半导体异质结光催化材料及其制备方法
WO2009096177A1 (ja) 2008-01-28 2009-08-06 Kabushiki Kaisha Toshiba 可視光応答型光触媒粉末とそれを用いた可視光応答型の光触媒材料、光触媒塗料、光触媒製品
WO2009110234A1 (ja) * 2008-03-04 2009-09-11 株式会社 東芝 水系分散液とそれを用いた塗料、膜および製品
CN101767002A (zh) * 2009-01-01 2010-07-07 中国石油大学(北京) 一种采用微乳-水热技术合成新型可见光活性Bi2WO6光催化剂的方法
JP5537858B2 (ja) * 2009-07-30 2014-07-02 国立大学法人 東京大学 光触媒材料及びその製造方法
WO2011102353A1 (ja) 2010-02-16 2011-08-25 昭和電工株式会社 銅イオンで修飾された酸化タングステン光触媒及びその製造方法
JP5598919B2 (ja) 2010-10-28 2014-10-01 独立行政法人産業技術総合研究所 環境耐性のある可視光応答性光触媒膜構造体および光触媒用助触媒

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000095977A (ja) 1998-09-22 2000-04-04 Toto Ltd 抗菌性光触媒性塗料および抗菌性光触媒性部材
JP2000095976A (ja) 1998-09-22 2000-04-04 Toto Ltd 抗菌性光触媒性水系塗料及び抗菌性光触媒性部材
JP2001137711A (ja) 1999-11-10 2001-05-22 Yamaha Livingtec Corp 光触媒層の形成方法
JP2008149312A (ja) 2006-11-20 2008-07-03 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 可視光応答性光触媒とその触媒活性促進剤並びに環境汚染有機物質の光分解法
JP2009202151A (ja) * 2008-01-28 2009-09-10 Toshiba Corp 可視光応答型光触媒粉末とそれを用いた可視光応答型の光触媒材料、光触媒塗料、光触媒製品
JP2009189952A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体光触媒
JP2009254954A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Hokkaido Univ 貴金属含有酸化タングステン光触媒体の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2676729A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083831A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 独立行政法人産業技術総合研究所 ビスマスを添加した酸化タングステン光触媒を含む抗かび及び抗菌材料
JPWO2015083831A1 (ja) * 2013-12-06 2017-03-16 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ビスマスを添加した酸化タングステン光触媒を含む抗かび及び抗菌材料

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