WO2012049821A1 - 近接無線通信を用いた半導体装置 - Google Patents

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WO2012049821A1
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antenna
unit
circuit
mode
transmission
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PCT/JP2011/005599
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大作 北川
武司 中山
雅博 石井
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パナソニック株式会社
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
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    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device

Definitions

  • the present invention relates to a technique for setting an operation mode or the like using proximity wireless communication in a semiconductor device.
  • the setting of the internal operation mode is changed according to the situation. For example, in an operation test of a semiconductor device performed before shipment, the semiconductor device is set to a test mode (Patent Document 1).
  • an operation mode may be set at the time of shipment in accordance with a memory or an input / output device such as a home appliance on which the semiconductor device is mounted.
  • different operation modes may be set for each household electrical appliance so that the semiconductor device can handle multiple types of household electrical appliances.
  • Such a setting change is generally performed via an external connection terminal included in the semiconductor device.
  • the semiconductor device has a dedicated terminal for setting a test mode, and to set the semiconductor device to the test mode, the dedicated terminal is set to an H (high) level voltage or an L (low) level voltage.
  • the test mode is set for the semiconductor device.
  • JP 2007-171060 A Japanese Patent No. 4131544
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of changing the setting of an internal operation mode without increasing the number of terminals of the semiconductor device.
  • the present invention provides a semiconductor device comprising a transmission circuit, a reception circuit, a first antenna connected to the transmission circuit, and a second antenna connected to the reception circuit; And a conductor portion provided close to the first antenna and the second antenna, and proximity wireless communication is used between the transmission circuit and the reception circuit.
  • This configuration has an excellent effect that the setting of the internal operation mode can be changed without increasing the number of terminals of the semiconductor device.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a semiconductor device 100a according to a first embodiment. It is an exploded view of the semiconductor device 100a. It is sectional drawing of the semiconductor device 100a. It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor part 120 of the semiconductor device 100a. The relationship between arrangement
  • FIG. 10 is an exploded view of a semiconductor device 100d in the second embodiment. It is sectional drawing of the semiconductor device 100d. It is a block diagram which shows the structure of the semiconductor part of the semiconductor device as a modification.
  • Embodiment 1 A semiconductor device 100a as an embodiment according to the present invention will be described.
  • the semiconductor device 100a As shown in FIG. 1, the semiconductor device 100a is mounted on the circuit board 10a together with other electronic components (not shown). As shown in FIG. 2, the sheet-like propagation part 101a, the semiconductor part 120, and the package part are mounted. 150. The propagation part 101 a is attached to the upper surface of the semiconductor part 120, and the package part 150 is provided so as to surround the periphery of the semiconductor part 120 for protection.
  • a plurality of bonding pads (electrodes) 151 are arranged in a square shape along the four sides of the upper surface.
  • the plurality of bonding pads 151,... are connected to the plurality of leads 152,.
  • Each lead 152 is provided by being bent downward along the upper surface of the package unit 150 and further along the outer peripheral side surface at the end of the upper surface.
  • the plurality of leads 152,... Connect the semiconductor unit 120 and the circuit board 10a.
  • transmission antennas 121 a, 121 b, 121 c, and reception antennas are formed in a matrix in the shape of a square formed by a plurality of bonding pads 151,. 122a, 122b, 122c, and transmission antennas 121d, 121e, 121f are exposed from the top surface of the semiconductor unit 120, the transmission antennas 121a, 121b, 121c, the reception antennas 122a, 122b, 122c, and the transmission antennas 121d, 121e. , 121f are formed inside the semiconductor portion 120.
  • the propagation part 101a is a sheet-like (plate-like) signal propagation board made of cellophane seal, and is made of acrylic adhesive or the like on the upper surface of the semiconductor part 120. Are bonded to the inside of the square shape formed by the plurality of bonding pads 151.
  • Conductor portions 111a, 111b, and 111c are provided on the upper surface of the propagation portion 101a.
  • the conductor portions 111a, 111b, and 111c are foil-like conductors made of, for example, Cu and having a band shape.
  • the end part 111ax of the conductor part 111a is close to the transmission antenna 121a, and the other end part 111ay of the conductor part 111a is close to the reception antenna 122a. Further, the end 111bx of the conductor 111b is close to the transmitting antenna 121b, the other end 111by of the conductor 111b is close to the receiving antenna 122b, and the end 111cx of the conductor 111c is receiving.
  • the conductor portions 111a, 111b, and 111c are bonded to the upper surface of the propagation portion 101a so that the other end portion 111cy of the conductor portion 111c is close to the antenna 122c and close to the transmission antenna 121f.
  • the distance between the lower surface of each conductor part and the upper surface of the semiconductor part 120 is 1 mm or less.
  • the propagation part 101a When the propagation part 101a is pasted on the upper surface of the semiconductor part 120, there is no restriction on the arrangement method of the conductor part on the propagation part 101a, and it may be arranged in any way. However, data cannot be transmitted from the transmitting antenna of the semiconductor unit 120 toward the receiving antenna unless both the transmitting antenna and the receiving antenna exist immediately below each conductor.
  • the number of transmitting antennas that can exist immediately below one conductor is only one. This is because when the electrical signals from two or more transmission antennas flow through the conductor, the electrical signals collide and normal communication cannot be performed.
  • Two or more receiving antennas may be provided directly under the conductor. When two or more receiving antennas are directly under one conductor part, two or more receiving antennas can receive an electric signal corresponding to one electric signal transmitted from the transmitting antenna.
  • Conductor portions 111d and 111e are provided on the upper surface of the propagation portion 101b.
  • the conductor parts 111d and 111e are foil-like conductors made of, for example, Cu and having a strip shape, like the conductor part 111a and the like.
  • the conductor portion 111d has a shape in which a band is bent in the middle, and the shape of the conductor portion 111e is a rectangle like the conductor portion 111a and the like.
  • the end part 111dx of the conductor part 111d is close to the transmission antenna 121a, and the central part 111dy (part that is bent halfway) of the conductor part 111d is close to the reception antenna 122b.
  • the other end 111dz of the conductor 111d is close to the receiving antenna 122c, the end 111ex of the conductor 111e is close to the receiving antenna 122a, and the other end 111ey of the conductor 111e is
  • the conductor portions 111d and 111e are bonded to the upper surface of the propagation portion 101b so as to be close to the transmission antenna 121f.
  • Conductor portions 111f and 111g are provided on the upper surface of the propagation portion 101c.
  • the conductor parts 111f and 111g are foil-like conductors made of, for example, Cu and having a strip shape, like the conductor part 111a and the like.
  • the end part 111fx of the conductor part 111f is close to the transmission antenna 121b, and the other end part 111fy of the conductor part 111f is close to the reception antenna 122a.
  • the conductor portions 111f and 111g are arranged on the upper surface of the propagation portion 101c so that the end portion 111gx of the conductor portion 111g is close to the reception antenna 122b and the other end portion 111gy of the conductor portion 111g is close to the transmission antenna 121f. Is glued.
  • the semiconductor unit 120 includes transmission antennas 121a, 121b, 121c, 121d, 121e, 121f, transmission units 123a, 123b, 123c, 123d, 123e, 123f, generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, 125f, receiving antennas 122a, 122b, 122c, receiving units 124a, 124b, 124c, a first storage unit 126, a second storage unit 127, a third storage unit 128, an input / output unit 130, and a logic unit 131, These components are formed inside the semiconductor portion 120 using semiconductor process technology.
  • the transmitting antenna 121a is a coil (inductor) -shaped metal wiring of one or more turns formed inside the semiconductor portion 120 using a multilayer wiring of a semiconductor process technology.
  • the transmitting antenna 121a is arranged inside the semiconductor unit 120 so that the magnetic field faces in a direction orthogonal to the upper surface of the semiconductor unit 120, and the upper part of the coil is exposed from the upper surface of the semiconductor unit 120 as shown in FIG. It is formed near the upper surface of.
  • the transmission antennas 121b, 121c, 121d, 121e, 121f and the reception antennas 122a, 122b, 122c are also formed in the same manner as the transmission antenna 121a.
  • Each transmission antenna transmits and receives data between the transmission antenna and the reception antenna by inductively coupling with another reception antenna via a conductor provided on the propagation unit 101a.
  • transmission antennas 121 a, 121 b, 121 c, 121 d, 121 e, 121 f and reception antennas 122 a, 122 b, 122 c are formed in a matrix in the semiconductor unit 120.
  • the transmitting antennas 121a, 121b, 121c are arranged in this order
  • the receiving antennas 122a, 122b, 122c are arranged in this order
  • the transmitting antennas 121d, 121e are arranged.
  • 121f are arranged in this order.
  • the generation unit 125a generates transmission data.
  • the transmission data is H (high level). ) Or L (low level).
  • the generation unit 125a includes the semiconductor device 100.
  • a is reset, the generated transmission data is output to the transmission unit 123a only once thereafter. That is, the transmission data is output only once when the system is started.
  • a clock signal is received from a clock signal generation unit (not shown) as a synchronization signal, and the received clock signal is output to the transmission unit 123a as a transmission clock signal.
  • the generation units 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f have the same configuration as the generation unit 125a, description thereof will be omitted.
  • the generation units 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f output the generated transmission data and transmission clock signal to the transmission units 123b, 123c, 123d, 123e, and 123f, respectively.
  • each of the transmission data generated by the generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f indicates H or L is determined for each generation unit.
  • the generation unit 125a may output the transmission data a plurality of times after the semiconductor device 100a is reset.
  • the generation unit 125a outputs the transmission data during the operation of the semiconductor device 100a according to an instruction from another circuit included in the semiconductor unit 120 at another timing, not after the semiconductor device 100a is reset. May be.
  • the operation mode can be changed during the operation of the semiconductor device 100a.
  • the transmission data may be output during the operation of the semiconductor device 100a according to an instruction from another circuit included in the semiconductor unit 120 at another timing.
  • the operation mode can be further changed.
  • the transmission unit 123a receives transmission data and a transmission clock signal from the generation unit 125a, and generates an electric signal that changes based on the received transmission data in synchronization with the received transmission clock signal.
  • the generated electric signal changes linearly from the first potential (for example, 0 v) to the second potential (for example, 5 v), and further from the second potential to the second potential. It changes linearly to one potential (first pattern).
  • the transmission data indicates a second potential.
  • the time required for the change from the first potential to the second potential is a fixed length, and the time required for the change from the second potential to the first potential is also a fixed length, for example, 100 ms.
  • the first pattern is a triangular wave.
  • the start point of the change of the electric signal is determined in synchronization with the transmission clock signal.
  • the generated electric signal changes linearly from the first potential (eg, 0 v) to the third potential (eg, ⁇ 5 v), and further from the third potential. It changes linearly to the first potential (second pattern).
  • the transmission data indicates a third potential.
  • the time required for the change from the first potential to the third potential is a fixed length, and the time required for the change from the third potential to the first potential is also a fixed length, for example, 100 milliseconds.
  • the second pattern is a triangular wave.
  • the start point of the change of the electric signal is determined in synchronization with the transmission clock signal.
  • the transmission unit 123a outputs the generated electrical signal to the transmission antenna 121a.
  • the transmission units 123b, 123c, 123d, 123e, and 123f each have the same configuration as the transmission unit 123a, and a description thereof is omitted.
  • the transmission units 123b, 123c, 123d, 123e, and 123f receive the transmission data and the transmission clock signal from the generation units 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f, respectively.
  • Patent Document 2 describes an example of each transmission unit and an electric signal that changes according to the first pattern and the second pattern.
  • the receiving unit 124a interprets a state where the received electrical signal is changing according to the third pattern as H, and interprets a state where the received electrical signal is changed according to the fourth pattern as L.
  • the transmitting unit 123a outputs an electrical signal that changes according to the first pattern to the transmitting antenna unit 121a
  • the receiving unit 124a is connected to the transmitting antenna unit 121a from the receiving antenna unit 122a by the third pattern.
  • the transmission unit 123a outputs an electrical signal that changes according to the second pattern to the transmission antenna unit 121a
  • the reception unit 12a receives from the reception antenna unit 122a inductively coupled to the transmission antenna unit 121a.
  • 4a receives an electrical signal that varies according to the fourth pattern.
  • the receiving unit 124a receives an electric signal from the receiving antenna 122a, determines whether or not the received electric signal is changed, and further determines whether the electric signal is changing in the third pattern or the fourth pattern. If it is changed according to the third pattern, it is interpreted that H is received, and H is output to the first storage unit 126 as the first mode. If it is changed according to the fourth pattern, it is interpreted that L has been received, and L is output to the first storage unit 126 as the first mode.
  • the receiving units 124b and 124c have the same configuration as the receiving unit 124a.
  • the receiving unit 124b interprets that it has received H, it outputs H to the second storage unit 127 as the second mode.
  • L is output to the second storage unit 127 as the second mode.
  • the receiving unit 124c interprets that H has been received, the receiving unit 124c outputs H to the third storage unit 128 as the third mode.
  • L is output to the third storage unit 128 as the third mode.
  • First storage unit 126 includes an area for storing the first mode.
  • the first mode takes a value indicating any one of H, L, and Hi-Z (high impedance).
  • the second storage unit 127 includes an area for storing the second mode.
  • the second mode takes a value indicating any one of H, L, and Hi-Z.
  • the third storage unit 128 includes an area for storing the third mode.
  • the third mode takes a value indicating any one of H, L, and Hi-Z.
  • Input / output unit 130 The input / output unit 130 controls input / output of data between the external bus 30 a and the logic unit 131.
  • the input / output unit 130 changes the operation mode according to the first mode, the second mode, and the third mode stored in the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128, respectively.
  • Operate. That is, the input / output unit 130 is a circuit unit that operates by switching the operation mode according to a changing electrical signal detected by any of the receiving units.
  • the logic unit 131 is, for example, an MPU (micro processing unit) or a DSP (digital signal processor), memory controller, or a combination of them.
  • the logic unit 131 inputs and outputs data to and from other electronic components mounted on the circuit board 10 a such as the external memory 20 a via the input / output unit 130.
  • FIG. 5 shows the arrangement of conductor parts 111a, 111b, and 111c on propagation part 101a, and the transmission antenna of semiconductor part 120. The relationship between the first mode, the second mode, and the third mode stored in the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128 is shown.
  • the transmission unit 123a transmits an electric signal whose potential changes according to the first pattern to the transmission antenna 121.
  • the transmission antenna 121a and the reception antenna 122a are coupled by electromagnetic induction via the conductor portion 111a.
  • the receiving unit 124a receives an electrical signal that changes according to the third pattern from the receiving antenna 122a. Since the electric signal received by the receiving unit 124a changes in potential, when the receiving unit 124a detects an electric signal whose potential changes according to the third pattern, H is set as the first mode as the first storage unit 126. Output to.
  • the first storage unit 126 stores H as the first mode.
  • FIG. 5 shows a path 201 through which a signal travels in this case. In addition, the first mode in this case is shown.
  • the transmission unit 123a when the transmission unit 123a outputs an electrical signal whose potential changes according to the second pattern to the transmission antenna 121a, the transmission antenna 121a and the reception antenna 122a are inductively coupled via the conductor unit 111a. Therefore, the receiving unit 124a receives an electrical signal that changes according to the fourth pattern from the receiving antenna 122a. Since the electric signal received by the receiving unit 124a changes in potential, when the receiving unit 124a detects an electric signal whose potential changes according to the fourth pattern, L is set as the first mode and the first storage unit 126 is set. Output to. The first storage unit 126 stores L as the first mode.
  • the transmission unit 123a when the transmission unit 123a outputs an electrical signal whose potential does not change to the transmission antenna 121a, or when the electrical signal is not output to the transmission antenna 121a, the transmission antenna 121a and the reception antenna 122a connect the conductor unit 111a. There is no inductive coupling. For this reason, the receiving unit 124a does not receive an electrical signal from the receiving antenna 122a.
  • the receiving unit 124a When receiving no electrical signal, the receiving unit 124a outputs Hi-Z to the first storage unit 126 as the first mode.
  • the first storage unit 126 stores Hi-Z as the first mode.
  • the second storage unit 127 stores H, L, or Hi-Z as the second mode.
  • FIG. 5 shows a path 202 through which a signal is transmitted when the transmission antenna 121b and the reception antenna 122b are inductively coupled.
  • storage part 127 has shown the case where L is memorize
  • the third storage unit 128 stores H, L, or Hi-Z as the third mode.
  • FIG. 5 shows a path 203 through which a signal is transmitted when the transmission antenna 121f and the reception antenna 122c are inductively coupled. Further, the third mode in this case is shown.
  • the transmission antennas 121c, 121d, and 121e do not inductively couple with other reception antennas. Accordingly, none of the receiving antennas receives electrical signals from the transmitting antennas 121c, 121d, and 121e.
  • FIG. 6 shows the arrangement of the conductors 111d and 111e on the propagation unit 101b, the inductive coupling between the transmission antenna unit and the reception antenna unit of the semiconductor unit 120, and the first storage unit 126 and second The relationship between the 1st mode memorize
  • the transmission unit 123a When the transmission unit 123a outputs an electrical signal whose potential changes according to the first pattern to the transmission antenna 121a, the transmission antenna 121a and the reception antenna 122b are inductively coupled via the conductor 111d, and the transmission antenna 121a and the reception antenna are coupled. 122c is inductively coupled through the conductor 111d. Therefore, the receiving unit 124b receives an electrical signal that changes according to the third pattern from the receiving antenna 122b, and the receiving unit 124c also receives the receiving antenna 12b. From 2c, an electrical signal that changes according to the third pattern is received.
  • the second storage unit 127 stores H as the second mode.
  • FIG. 6 shows a path 204 through which a signal travels in this case. Further, the second mode in this case is shown.
  • H is stored as the third mode.
  • the third storage unit 128 stores H as the third mode.
  • FIG. 6 shows a path 205 through which a signal travels in this case. Further, the third mode in this case is shown.
  • the transmission unit 123a when the transmission unit 123a outputs an electrical signal whose potential changes according to the second pattern to the transmission antenna 121a, the transmission antenna 121a and the reception antenna 122b are inductively coupled via the conductor unit 111d, and the transmission antenna 121a.
  • the receiving antenna 122c is inductively coupled via the conductor portion 111d. Therefore, the receiving unit 124b receives an electrical signal that changes according to the fourth pattern from the receiving antenna 122b, and the receiving unit 124c also receives an electrical signal that changes according to the fourth pattern from the receiving antenna 122c.
  • the second storage unit 127 stores L as the second mode.
  • L is stored as the third mode.
  • the third storage unit 128 stores L as the third mode.
  • the transmission antenna 121a and the reception antenna 122b connect the conductor unit 111d.
  • the transmission antenna 121a and the reception antenna 122c are not inductively coupled via the conductor portion 111d.
  • the receiving unit 124b does not receive an electrical signal from the receiving antenna 122b.
  • the receiving unit 124b outputs Hi-Z to the second storage unit 127 as the second mode.
  • the second storage unit 127 stores Hi-Z as the second mode.
  • the receiving unit 124c does not receive an electrical signal from the receiving antenna 122c.
  • the receiving unit 124c outputs Hi-Z to the third storage unit 128 as the third mode.
  • the third storage unit 128 stores Hi-Z as the third mode.
  • the first storage unit 126 stores H, L, or Hi-Z as the first mode.
  • FIG. 6 shows a path 206 through which a signal is transmitted when the transmission antenna 121f and the reception antenna 122a are inductively coupled. Further, the first mode in the case of inductive coupling is shown.
  • the transmission antennas 121b, 121c, 121d and 121e since there is no conductor in the propagation part 101b above the transmission antennas 121b, 121c, 121d and 121e, the transmission antennas 121b, 121c, 121d and 121e must be inductively coupled to other reception antennas. There is no. Accordingly, none of the receiving antennas receives electrical signals from the transmitting antennas 121b, 121c, 121d, and 121e.
  • FIG. 7 shows the arrangement of the conductors 111f and 111g on the propagation unit 101c, the inductive coupling between the transmission antenna unit and the reception antenna unit of the semiconductor unit 120, and the first storage unit 126, the second The relationship between the 1st mode memorize
  • the transmission unit 123b When the transmission unit 123b outputs an electrical signal whose potential changes according to the first pattern to the transmission antenna 121b, the transmission antenna 121b and the reception antenna 122a are inductively coupled via the conductor unit 111f. For this reason, the receiving unit 124a receives an electrical signal that changes according to the third pattern from the receiving antenna 122a. Since the electric signal received by the receiving unit 124a changes in potential, when the receiving unit 124a detects an electric signal whose potential changes according to the third pattern, H is set as the first mode as the first storage unit 126. Output to. The first storage unit 126 stores H as the first mode.
  • the transmission unit 123b when the transmission unit 123b outputs an electrical signal whose potential changes according to the second pattern to the transmission antenna 121b, the transmission antenna 121b and the reception antenna 122a are inductively coupled via the conductor unit 111f. Therefore, the receiving unit 124a receives an electrical signal that changes according to the fourth pattern from the receiving antenna 122a. Since the electric signal received by the receiving unit 124a changes in potential, when the receiving unit 124a detects an electric signal whose potential changes according to the fourth pattern, L is set as the first mode and the first storage unit 126 is set. Output to. The first storage unit 126 stores L as the first mode.
  • FIG. 7 shows a path 207 through which a signal travels in this case.
  • the transmission unit 123b when the transmission unit 123b outputs an electrical signal whose potential does not change to the transmission antenna 121b, or when the electrical signal is not output to the transmission antenna 121b, the transmission antenna 121b and the reception antenna 122a connect the conductor unit 111f. There is no inductive coupling. For this reason, the receiving unit 124a does not receive an electrical signal from the receiving antenna 122a. When receiving no electrical signal, the receiving unit 124a outputs Hi-Z to the first storage unit 126 as the first mode. The first storage unit 126 stores Hi-Z as the first mode.
  • FIG. 7 shows a path 208 through which a signal is transmitted when the transmission antenna 121f and the reception antenna 122b are inductively coupled. Further, the second mode in the case of inductive coupling is shown.
  • the transmission antennas 121a, 121c, 121d, and 121e since there is no conductor in the propagation part 101c above the transmission antennas 121a, 121c, 121d, and 121e, the transmission antennas 121a, 121c, 121d, and 121e must be inductively coupled to other reception antennas. There is no. Therefore, none of the receiving antennas receives electrical signals from the transmitting antennas 121a, 121c, 121d, and 121e.
  • the receiving antenna 122c is not inductively coupled to any transmitting antenna and is in a Hi-Z state. In this case, as shown in FIG. 7, the third mode is Hi-Z.
  • the substrate 10c is shown in FIGS. 8, 9, and 10, respectively.
  • the semiconductor device 100a, the 8-bit bus 30a and the NOR flash memory 20a are mounted on the circuit board 10a, and the semiconductor device 100b, the 16-bit bus 30b and the NOR flash memory 20b are mounted on the circuit board 10b.
  • a semiconductor device 100c, a NAND bus 30c, and a NAND flash memory 20c are mounted on the circuit board 10c.
  • other electronic components are also mounted on each circuit board, these are omitted.
  • the first mode, the second mode, and the first mode received by the receiving antennas 122a, 122b, and 122c and stored in the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128, respectively.
  • the three modes are for determining memories and buses in the circuit boards 10a, 10b and 10c.
  • the type of memory to be activated is determined. If the first mode is H, the semiconductor unit 120 operates as being connected as a memory that activates the NOR flash memory. If the first mode is L, the semiconductor unit 120 is connected as a memory that activates the NAND flash memory. Shall operate as if
  • the bus is determined. If the second mode is H, the semiconductor unit 120 operates assuming that a 16-bit bus is connected, and if the second mode is L, an 8-bit bus is connected.
  • the third mode determines the operation mode when the memory to be activated is a NOR flash memory.
  • the semiconductor unit 120 operates in a fixed weight mode, and when the third mode is L, the semiconductor unit 120 operates in a handshake mode using a response signal (Acknowledge).
  • the memory to be activated is a NAND flash memory, the semiconductor unit 120 does not refer to the third mode.
  • the transmission unit 123f of the semiconductor unit 120 always outputs H
  • the transmission unit 123b always outputs L
  • the transmission unit 123a always outputs H.
  • H is set in the third mode of the semiconductor device 100a
  • L is set in the second mode
  • H is set in the first mode.
  • H is set in the third mode of the semiconductor device 100b, H is set in the second mode, and H is set in the first mode.
  • Hi-Z is set in the third mode of the semiconductor device 100c
  • H is set in the second mode
  • L is set in the first mode.
  • H is set in the third mode
  • L is set in the second mode
  • H is set in the first mode.
  • H since H is set in the third mode, H is set in the second mode, and H is set in the first mode, the memory to be activated in the circuit board 10b.
  • the type of memory to be activated in the circuit board 10c is NAN.
  • Embodiment 2 A semiconductor device 100d as another embodiment according to the present invention will be described.
  • the semiconductor device 100d has a configuration similar to that of the semiconductor device 100a.
  • the difference from the semiconductor device 100d is that the conductor portion is provided so as to be close to the transmission antenna and the reception antenna provided on the lower surface of the semiconductor device 100d, as will be described in detail below.
  • the other points are the same as those of the semiconductor device 100a.
  • the semiconductor device 100d is mounted on a circuit board 10d together with other electronic components (not shown), and includes a propagation part 101d, a semiconductor part 120d, and a package part 150d.
  • the propagation part 101d is mounted on the circuit board 10d, and the package part 150d is provided so as to surround the periphery of the semiconductor part 120d for protection.
  • the upper portions of the transmission antennas 121ad, 121bd, 121cd, the reception antennas 122ad, 122bd, 122cd, and the transmission antennas 121dd, 121ed, 121fd are exposed from the lower surface of the semiconductor portion 120, Transmission antennas 121ad, 121bd, 121cd, reception antennas 122ad, 122bd, 122cd, and transmission antennas 121dd, 121ed, 121fd are formed inside the semiconductor portion 120d.
  • the propagation part 101d is made of a non-conductive material and is adhered to the upper surface of the circuit board 10d.
  • the conductor parts 111ad, 111bd, and 111cd are bonded to the upper surface of the propagation part 101d by acrylic. It is adhered with an agent.
  • the conductor portions 111ad, 111bd, and 111cd are foil-like conductors made of, for example, Cu and having a band shape, like the conductor portions 111a, 111b, and 111c.
  • the end of the conductor part 111ad is close to the transmission antenna 121ad
  • the other end of the portion 111ad is close to the receiving antenna 122ad
  • the end of the conductor 111bd is close to the transmitting antenna 121bd
  • the other end of the conductor 111bd is close to the receiving antenna 122bd.
  • the conductor portion 111 cd is placed on the upper surface of the propagation portion 101 d so that the end portion of the conductor portion 111 cd is close to the receiving antenna 122 cd and the other end portion of the conductor portion 111 cd is close to the transmitting antenna 121 fd. 111bd and 111cd are bonded together.
  • the distance between the upper surface of each conductor part and the lower surface of the semiconductor part 120d is 1 mm or less.
  • the propagation part 101a is bonded to the upper surface of the semiconductor part 120, whereas in the semiconductor device 100d in the second embodiment, the propagation part 101d is connected to the circuit board 10d. It is provided above.
  • the semiconductor unit 120 may further include a first circuit 141, a switching unit 142, a second circuit 143, and a third circuit 144. Further, instead of the logic unit 131, the first circuit 141, the switching unit 142, the second circuit 143, and the third circuit 144 shown in FIG.
  • the logic unit 131 may include the first circuit 141, the switching unit 142, the second circuit 143, and the third circuit 144 shown in FIG.
  • the switching unit 142 reads the first mode from the first storage unit 126.
  • the read first mode is H
  • the switching unit 142 connects the first circuit 141 and the second circuit 143, and connects the first circuit 141 and the first mode.
  • the three circuits 144 are disconnected.
  • the read first mode is L
  • the first circuit 141 and the second circuit 143 are disconnected, and the first circuit 141 and the third circuit 144 are connected.
  • the semiconductor unit 120 is mounted on a digital camera.
  • the second circuit 143 is a normal operation circuit that outputs a normal signal, and is, for example, an imaging processing unit of a digital camera, and outputs a video signal generated by photographing with the digital camera.
  • the third circuit 144 is a test circuit that outputs a test signal. For example, the third circuit 144 outputs test video signals of several predetermined patterns.
  • the first circuit 141 is connected to the second circuit 143 or the third circuit 144, receives a video signal from the second circuit 143 or the third circuit 144, and generates compressed video data from the received video signal.
  • the semiconductor unit 120 when the first mode is H, the semiconductor unit 120 operates as a circuit unit of a normal digital camera.
  • the semiconductor unit 120 performs the test of the first circuit 141. Work for.
  • (B) As a second example, it is assumed that the semiconductor unit 120 is mounted on a content reproduction device that reproduces content recorded on a recording medium.
  • the recording medium records the encrypted content according to the first encryption method, and the content reproduction device reproduces the decrypted content by decrypting the encrypted content.
  • the first circuit 141 reads the encrypted content from the recording medium.
  • the second circuit 143 decrypts the encrypted content by the first encryption method.
  • the third circuit 144 decrypts the encrypted content by the second encryption method.
  • H is stored in the first storage unit 126, and the first circuit 141 and the second circuit 143 are connected. It is assumed that the first encryption method has been decrypted by an unauthorized person after the content playback device has been sold.
  • the content encrypted by the second encryption method is recorded and sold on a new recording medium.
  • a new propagation unit is attached to the semiconductor unit 120, a new content reproduction device is manufactured and sold, and L is stored in the first storage unit 126.
  • the first circuit 141 and the third circuit 144 are connected, and the encrypted content stored in the new recording medium is decrypted and reproduced by the second encryption method.
  • the first circuit 141 includes an FPGA (Field Programmable Gate).
  • the second circuit 143 is a memory circuit, stores configuration data for configuring the first processing circuit in the FPGA
  • the third circuit 144 is also a memory circuit, in the FPGA.
  • Configuration data for configuring the second processing circuit may be stored.
  • the first circuit 141 that is an FPGA reads configuration data from the second circuit 143 that is a memory circuit, and uses the read configuration data.
  • the first processing circuit is configured in the FPGA.
  • the first circuit 141 that is an FPGA reads configuration data from the third circuit 144 that is a memory circuit, and uses the read configuration data.
  • the second processing circuit is configured in the FPGA.
  • the logic unit included in the semiconductor device is, for example, a photographing processing circuit that processes a photographed image photographed by a digital camera.
  • the semiconductor portion including each component shown in FIG. 4 is a large-scale integrated circuit (LSI) formed by one silicon device. ).
  • the generation unit 125a generates transmission data indicating H or L. However, it is not limited to this.
  • the generation unit 125a may generate only transmission data indicating H and output the transmission data to the transmission unit 123a.
  • the first mode stored in the first storage unit 126 is L as an initial value.
  • H is output to the first storage unit 126 as the first mode.
  • the first storage unit 126 stores H as the first mode.
  • the generation unit 125a may generate more types of transmission data. For example, transmission data indicating four types of ⁇ 10v, ⁇ 5v, 5v, and 10v may be generated.
  • the transmission unit 123a receives transmission data from the generation unit 125a, and generates four types of electrical signals based on the transmission data. Each of these four types of electrical signals is a triangular wave as described above, and the potentials at the apexes thereof are ⁇ 10v, ⁇ 5v, 5v, and 10v, respectively.
  • the receiving unit 124a receives the electric signals corresponding to the four types of electric signals, the four types of electric signals are identified, and any one of the four types of mode information corresponding to the identified electric signals is changed to the first mode. Is output to the first storage unit 126.
  • the first storage unit 126 stores a first mode indicating any one of four types of mode information.
  • the input / output unit 130 uses four types of operations properly according to the first mode stored in the first storage unit 126.
  • the semiconductor unit 120 is formed with 6 sets of generating units, transmitting units and transmitting antennas, and 3 sets of receiving units and receiving antennas. Not.
  • ⁇ 6 sets of generation units, transmission units, and transmission antennas may be provided, or 7 or more sets of generation units, transmission units, and transmission antennas may be provided.
  • less than three sets of receiving units and receiving antennas may be provided, or more than seven sets of receiving units and receiving antennas may be provided.
  • the number of modes is increased or decreased according to the number of sets of receiving units and receiving antennas.
  • the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128 store the first mode, the second mode, and the third mode, respectively.
  • the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128 store the first mode, the second mode, and the third mode, respectively.
  • the semiconductor unit 120 includes a mode storage unit instead of the first storage unit 126, the second storage unit 127, and the third storage unit 128, and the mode storage unit stores the first mode, the second mode, and the third mode. May be.
  • the semiconductor unit 120 includes the generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f, but is not limited thereto.
  • the semiconductor unit 120 includes only one generation unit instead of the generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f.
  • the generation unit transmits the same transmission data and transmission clock signal to the transmission unit 123a, respectively.
  • 123b, 123c, 123d, 123e, and 123f may be transmitted.
  • the semiconductor unit 120 includes only the first and second generation units instead of the generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f, and the first generation unit includes the first transmission data and the transmission
  • the clock signal may be transmitted to the transmission units 123a, 123b, and 123c, respectively, and the second generation unit may transmit the second transmission data and the transmission clock signal to the transmission units 123d, 123e, and 123f, respectively.
  • the first transmission data indicates H
  • the second transmission data indicates L.
  • the first transmission data may indicate L
  • the second transmission data may indicate H.
  • the semiconductor unit 120 includes only one generation unit instead of the generation units 125a, 125b, 125c, 125d, 125e, and 125f, and the generation unit receives the first transmission data and the transmission clock signal, respectively.
  • Transmission to the transmission units 123a, 123b, and 123c may be performed, and the second transmission data and the transmission clock signal may be transmitted to the transmission units 123d, 123e, and 123f, respectively.
  • the first transmission data indicates H
  • the second transmission data indicates L.
  • the first transmission data may indicate L
  • the second transmission data may indicate H.
  • the semiconductor device described in each of the above embodiments includes a digital still camera, a digital video camera, a mobile phone, a content playback device stored in a recording medium such as a DVD or a BD, a digital broadcast receiving device, and a digital content recording. It may be used in a device (video recorder), a video display device (digital television), a personal computer, and the like.
  • One conductor part may be affixed on the propagation part, and four or more conductor parts may be affixed.
  • the present invention is a semiconductor device, which includes a transmission circuit, a reception circuit, a first antenna connected to the transmission circuit, and a second antenna connected to the reception circuit; And a conductor portion provided close to the first antenna and the second antenna, and proximity wireless communication is used between the transmission circuit and the reception circuit.
  • This configuration has an excellent effect that the setting of the internal operation mode can be changed without increasing the number of terminals of the semiconductor device.
  • the first antenna and the second antenna are coil-shaped metal wirings, and the first antenna and the second antenna may be coupled by electromagnetic induction via the conductor portion. .
  • a sheet including the conductor portion may be attached to the surface of the semiconductor portion.
  • the semiconductor part may be provided on the circuit board, and the conductor part may be provided on the circuit board so as to be close to the first antenna and the second antenna.
  • the transmitting circuit outputs a first electric signal that changes from a first potential to a second potential to the first antenna
  • the receiving circuit detects the changing second electric signal
  • the semiconductor portion is Furthermore, a circuit unit that operates by switching an operation mode according to the second electric signal detected by the receiving circuit may be provided.
  • the present invention is a signal propagation plate provided in the vicinity of a semiconductor unit including a transmission circuit, a reception circuit, a first antenna connected to the transmission circuit and a second antenna connected to the reception circuit, A conductor portion provided close to the first antenna and the second antenna is provided, and proximity wireless communication is used between the transmission circuit and the reception circuit.
  • the semiconductor device using proximity wireless communication can change the setting of the internal operation mode without increasing the number of terminals of the semiconductor device, and can be used for setting the operation mode and the like in the semiconductor device. Applicable to. In particular, it is useful when the same semiconductor device is used in a variety of products (for example, a digital TV, a video recorder, a mobile phone, etc.).

Abstract

　半導体装置の端子数を増やすことなく、内部の動作モードの設定変更をすることができる半導体装置を提供する。　半導体装置１００ａは、送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された送信アンテナ１２１ａ及び前記受信回路に接続された受信アンテナ１２２ａを備える半導体部１２０と、送信アンテナ１２１ａ及び受信アンテナ１２２ａに近接して設けられた導体部１１１ａとを備え、前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いる。

Description

近接無線通信を用いた半導体装置
　本発明は、半導体装置において、近接無線通信を用いて動作モードなどを設定する技術に関する。
　ＬＳＩ（ｌａｒｇｅ　ｓｃａｌｅ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）に代表される半導体装置では、状況に応じて内部の動作モードの設定変更が行われる。例えば、出荷前に行われる半導体装置の動作テストにおいて、半導体装置がテストモードに設定される（特許文献１）。また、出荷時に、当該半導体装置が搭載される家電機器等のメモリや入出力デバイスに合わせた動作モードを設定することがある。また、半導体装置が複数種類の家電機器等に対応できるように、家電機器毎に異なる動作モードを設定することもある。
　このような設定変更は、一般に、半導体装置が有する外部接続端子を介して行われる。例えば、半導体装置は、テストモード設定用の専用端子を有しており、半導体装置をテストモードにするには、この専用端子をＨ（ｈｉｇｈ）レベル電圧又はＬ（ｌｏｗ）レベル電圧にする。こうして、半導体装置にテストモードが設定される。
特開２００７－１７１０６０号公報 特許第４１３１５４４号特許公報
　近年、半導体装置の機能は増加しており、それに伴って必要な端子の数が増加している。一方、半導体プロセスの微細化に伴い、パッケージサイズが縮小しており、半導体装置に設けることができる端子の数は、減少傾向にある。従って、モード設定のために、専用端子を設けることが難しくなってきているという問題がある。
　本発明は、上記問題点を解決するために、半導体装置の端子数を増やすことなく、内部の動作モードの設定変更をすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明は、半導体装置であって、送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された第１アンテナ及び前記受信回路に接続された第２アンテナを備える半導体部と、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接して設けられた導体部とを備え、前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いることを特徴とする。
　この構成によると、半導体装置の端子数を増やすことなく、内部の動作モードの設定変更をすることができるという優れた効果を奏する。
実施の形態１における半導体装置１００ａの外観斜視図である。 半導体装置１００ａの分解図である。 半導体装置１００ａの断面図である。 半導体装置１００ａの半導体部１２０の構成を示すブロック図である。 伝播部１０１ａ上の導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの配置と、半導体部１２０の送信アンテナ部及び受信アンテナ部の接続との関係を示す。 伝播部１０１ｂ上の導体部１１１ｄ、１１１ｅの配置と、半導体部１２０の送信アンテナ部及び受信アンテナ部の接続との関係を示す。 伝播部１０１ｃ上の導体部１１１ｆ、１１１ｇの配置と、半導体部１２０の送信アンテナ部及び受信アンテナ部の接続との関係を示す。 伝播部１０１ａ上の導体部の配置と、回路基板１０ａに搭載された他のデバイスとの関係を示す。 伝播部１０１ｂ上の導体部の配置と、回路基板１０ｂに搭載された他のデバイスとの関係を示す。 伝播部１０１ｃ上の導体部の配置と、回路基板１０ｃに搭載された他のデバイスとの関係を示す。 実施の形態２における半導体装置１００ｄの分解図である。 半導体装置１００ｄの断面図である。 変形例としての半導体装置の半導体部の構成を示すブロック図である。
　１．実施の形態１
　本発明に係る一の実施の形態としての半導体装置１００ａについて説明する。
　１．１　半導体装置１００ａ
　半導体装置１００ａは、図１に示すように、図示していない他の電子部品とともに、回路基板１０ａ上に搭載され、図２に示すように、シート状の伝播部１０１ａ、半導体部１２０及びパッケージ部１５０から構成されている。伝播部１０１ａは、半導体部１２０の上面に、貼設され、パッケージ部１５０は、半導体部１２０の保護のために、その周囲を囲むように設けられている。
　図２及び図３に示すように、半導体部１２０の上面において、上面の四辺に沿って、複数のボンディングパッド（電極）１５１、・・・が、ロの字状に、配されている。複数のボンディングパッド１５１、・・・それぞれは、ボンディングワイヤ１５３、・・・により、複数のリード１５２、・・・に接続されている。各リード１５２は、パッケージ部１５０の上面に沿って、さらに、上面の端部で外周側面に沿うように、下方に折り曲げられて設けられている。これらの複数のリード１５２、・・・は、半導体部１２０と回路基板１０ａとを接続する。
　図２及び図３に示すように、半導体部１２０の上面において、複数のボンディングパッド１５１、・・・が形成するロの字の内側に、行列状に、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、送信アンテナ１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆのそれぞれの上部が半導体部１２０の上面から露出する態様で、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、送信アンテナ１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆが半導体部１２０の内部に形成されている。
　なお、図３に示す断面図において、半導体部１２０の内部に形成された送信アンテナ１２１ａ、１２１ｄ及び受信アンテナ１２２ａのみを示し、半導体部１２０の内部のその他の構成要素については、表示を省略している。
　１．２　伝播部１０１ａ
　伝播部１０１ａは、図２及び図３に示すように、例えば、セロファンシールを材料とするシート状（板状）の信号伝播板であり、アクリル系の接着剤などで、半導体部１２０の上面において、複数のボンディングパッド１５１、・・・が形成するロの字の形状の内側に、接着されている。伝播部１０１ａの上面には、導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃが設けられている。導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃは、例えば、Ｃｕ等を材料とし、帯形状を有する箔状の導体である。
　半導体部１２０の上面に伝播部１０１ａを張り付ける際、導体部１１１ａの端部１１１ａｘが、送信アンテナ１２１ａに近接し、導体部１１１ａの他の端部１１１ａｙが、受信アンテナ１２２ａに近接するように、また、導体部１１１ｂの端部１１１ｂｘが、送信アンテナ１２１ｂに近接し、導体部１１１ｂの他の端部１１１ｂｙが、受信アンテナ１２２ｂに近接するように、さらに、導体部１１１ｃの端部１１１ｃｘが、受信アンテナ１２２ｃに近接し、導体部１１１ｃの他の端部１１１ｃｙが、送信アンテナ１２１ｆに近接するように、伝播部１０１ａの上面に、導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃが接着されている。
　各導体部の下面と、半導体部１２０の上面との距離は、１ｍｍ以下である。
　半導体部１２０の上面に、伝播部１０１ａを張り付ける場合、伝播部１０１ａ上の導体部の配置の方法については、制限はなく、どのように配置してもよい。ただし、各導体部の直下には、送信アンテナ及び受信アンテナの両方が存在しないと、半導体部１２０の送信アンテナから受信アンテナに向けて、データを送信することができない。
　また、一つの導体部の直下に存在させることができる送信アンテナの数は、一つだけである。これは、二つ以上の送信アンテナからの電気信号が導体部を流れると、電気信号が衝突して正常な通信ができないためである。これに対して、導体部の直下に存在させることができる受信アンテナの数には、論理的な制限はない。導体部の直下に、二つ以上の受信アンテナを設けてもよい。二つ以上の受信アンテナが一つの導体部の直下にある場合、送信アンテナから送信される一つの電気信号に対して、二つ以上の受信アンテナが対応する電気信号を受信できる。
　伝播部１０１ａのその他の例を図６及び図７に示す。
　図６に示す伝播部１０１ｂは、伝播部１０１ａとは、その上に配置される導体部の数、形状及び配置位置のみが異なる。伝播部１０１ｂの上面には、導体部１１１ｄ及び１１１ｅが設けられている。導体部１１１ｄ及び１１１ｅは、導体部１１１ａ等と同様に、例えば、Ｃｕ等を材料とし、帯形状を有する箔状の導体である。導体部１１１ｄは、帯が途中で折れ曲がった形状を有し、導体部１１１ｅの形状は、導体部１１１ａ等と同様に、長方形である。
　半導体部１２０の上面に伝播部１０１ｂを張り付ける際、導体部１１１ｄの端部１１１ｄｘが、送信アンテナ１２１ａに近接し、導体部１１１ｄの中央部１１１ｄｙ（途中で折れ曲がる部分）が、受信アンテナ１２２ｂに近接し、導体部１１１ｄの他の端部１１１ｄｚが、受信アンテナ１２２ｃに近接するように、また、導体部１１１ｅの端部１１１ｅｘが、受信アンテナ１２２ａに近接し、導体部１１１ｅの他の端部１１１ｅｙが、送信アンテナ１２１ｆに近接するように、伝播部１０１ｂの上面に、導体部１１１ｄ及び１１１ｅが接着されている。
　図７に示す伝播部１０１ｃは、伝播部１０１ａとは、その上に配置される導体部の数、形状及び配置位置のみが異なる。伝播部１０１ｃの上面には、導体部１１１ｆ及び１１１ｇが設けられている。導体部１１１ｆ及び１１１ｇは、導体部１１１ａ等と同様に、例えば、Ｃｕ等を材料とし、帯形状を有する箔状の導体である。
　半導体部１２０の上面に伝播部１０１ｃを張り付ける際、導体部１１１ｆの端部１１１ｆｘが、送信アンテナ１２１ｂに近接し、導体部１１１ｆの他の端部１１１ｆｙが、受信
アンテナ１２２ａに近接するように、また、導体部１１１ｇの端部１１１ｇｘが、受信アンテナ１２２ｂに近接し、導体部１１１ｇの他の端部１１１ｇｙが、送信アンテナ１２１ｆに近接するように、伝播部１０１ｃの上面に、導体部１１１ｆ及び１１１ｇが接着されている。
　１．３　半導体部１２０
　半導体部１２０は、図４に示すように、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆ、送信部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ、１２３ｆ、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ、１２５ｆ、受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ、受信部１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、第一記憶部１２６、第二記憶部１２７、第三記憶部１２８、入出力部１３０及び論理部１３１から構成され、これらの構成要素は、半導体のプロセス技術を利用して、半導体部１２０の内部に形成されている。
　（１）送信アンテナ及び受信アンテナ
　送信アンテナ１２１ａは、半導体のプロセス技術の多層配線を利用して半導体部１２０の内部に形成された１回巻き以上のコイル（インダクタ）状の金属配線である。送信アンテナ１２１ａは、磁界が半導体部１２０の上面に直交する方向を向くように、また、図３に示すように、コイルの上部が半導体部１２０の上面から露出するように、半導体部１２０の内部の上面近くに、形成されている。送信アンテナ１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆ及び受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃについても、送信アンテナ１２１ａと同様に形成されている。
　各送信アンテナは、伝播部１０１ａ上に設けられた導体部を介して、他の受信アンテナと、誘導結合することにより、送信アンテナと受信アンテナとの間でデータの送受信を行う。
　また、図２に示すように、半導体部１２０内部において、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆ及び受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃが行列状に配されて形成されている。行列の第１列において、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃがこの順序で配され、第２列において、受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃがこの順序で配され、第３列において、送信アンテナ１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆがこの順序で配されている。
　（２）生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆ
　生成部１２５ａは、送信データを生成する。送信データは、Ｈ（ｈｉｇｈ ｌｅｖｅｌ
）又はＬ（ｌｏｗ ｌｅｖｅｌ）の何れかを示す。生成部１２５ａは、半導体装置１００
ａがリセットされたとき、その後に、一度だけ、生成した送信データを送信部１２３ａへ出力する。つまり、システム起動時に、一度だけ、送信データを出力する。また、同期信号として、図示していないクロック信号生成部からクロック信号を受け取り、受け取ったクロック信号を送信クロック信号として送信部１２３ａへ出力する。
　生成部１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆは、それぞれ、生成部１２５ａと同じ構成を有しているので、説明を省略する。なお、生成部１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆは、それぞれ、生成した送信データ及び送信クロック信号を送信部１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆへ出力する。
　また、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆにより、それぞれ生成される送信データがＨ及びＬのいずれを示すかは、生成部毎に、どちらか一方に定まっている。
　なお、生成部１２５ａは、半導体装置１００ａがリセットされたとき、その後に、複数回、送信データを出力してもよい。
　また、生成部１２５ａは、半導体装置１００ａがリセットされたその後ではなく、別のタイミングにおいて、半導体部１２０が備えるその他の回路からの指示により、半導体装置１００ａの動作中に、前記送信データを出力してもよい。こうして、半導体装置１００ａの動作中に、動作モードの変更が可能となる。さらに、別のタイミングにより、半導体部１２０が備えるその他の回路からの指示により、半導体装置１００ａの動作中に、前記送信データを出力してもよい。こうして、動作モードが変更された後に、さらに、動作モードの変更が可能となる。
　（３）送信部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆ
　データを無線により送信する場合に、恒常的にＨの状態を保つことは困難であるので、送信部１２３ａは、電気信号が第１のパターンにより変化している状態をＨとして出力し、電気信号が第２のパターンにより変化している状態をＬとして出力する。第１のパターン及び第２のパターンについては、後述する。
　送信部１２３ａは、生成部１２５ａから送信データ及び送信クロック信号を受信し、受信した送信クロック信号に同期して、受信した送信データに基づいて変化する電気信号を生成する。
　送信データがＨを示す場合には、生成される電気信号は、一例として、第１電位（例えば、０ｖ）から第２電位（例えば、５ｖ）に線型に変化し、さらに、第２電位から第１電位に線型に変化する（第１のパターン）。前記送信データは、第２電位を示す。第１電位から第２電位までの変化に要する時間は、固定長であり、第２電位から第１電位までの変化に要する時間も固定長であり、例えば、１００ｍ秒である。このように、第１のパターンは、三角波である。電気信号の変化の開始時点は、送信クロック信号に同期して定まる。
　送信データがＬを示す場合には、生成される電気信号は、一例として、第１電位（例えば、０ｖ）から第３電位（例えば、－５ｖ）に線型に変化し、さらに、第３電位から第１電位に線型に変化する（第２のパターン）。前記送信データは、第３電位を示す。第１電位から第３電位までの変化に要する時間は、固定長であり、第３電位から第１電位までの変化に要する時間も固定長であり、例えば、１００ｍ秒である。このように、第２のパターンは、三角波である。電気信号の変化の開始時点は、送信クロック信号に同期して定まる。
　次に、送信部１２３ａは、生成した電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力する。
　送信部１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆは、それぞれ、送信部１２３ａと同じ構成を有しており、説明を省略する。なお、送信部１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆは、それぞれ、生成部１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆから送信データ及び送信クロック信号を受信する。
　なお、各送信部の一例について、また第１のパターン及び第２のパターンにより変化する電気信号について、特許文献２において説明されている。
　（４）受信部１２４ａ、１２４ｂ及び１２４ｃ
　受信部１２４ａは、受信した電気信号が第３のパターンにより変化している状態をＨと解釈し、受信した電気信号が第４のパターンにより変化している状態をＬと解釈する。ここで、送信部１２３ａが第１のパターンにより変化する電気信号を送信アンテナ部１２１ａへ出力したとき、送信アンテナ部１２１ａと誘導結合した受信アンテナ部１２２ａから、受信部１２４ａは、第３のパターンにより変化する電気信号を受信する。また、送信部１２３ａが第２のパターンにより変化する電気信号を送信アンテナ部１２１ａへ出力したとき、送信アンテナ部１２１ａと誘導結合した受信アンテナ部１２２ａから、受信部１２
４ａは、第４のパターンにより変化する電気信号を受信する。
　受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから電気信号を受信し、受信した電気信号が変化しているか否かを判断し、さらに、第３のパターン又は第４のパターンのいずれで変化しているかを判断し、第３のパターンにより変化している場合に、Ｈを受け取ったと解釈し、第一モードとして、Ｈを第一記憶部１２６へ出力する。第４のパターンにより変化している場合に、Ｌを受け取ったと解釈し、第一モードとして、Ｌを第一記憶部１２６へ出力する。
　受信部１２４ｂ及び１２４ｃは、受信部１２４ａと同じ構成を有している。
　受信部１２４ｂは、Ｈを受け取ったと解釈すると、第二モードとして、Ｈを第二記憶部１２７へ出力する。Ｌを受け取ったと解釈すると、第二モードとして、Ｌを第二記憶部１２７へ出力する。
　受信部１２４ｃは、Ｈを受け取ったと解釈すると、第三モードとして、Ｈを第三記憶部１２８へ出力する。Ｌを受け取ったと解釈すると、第三モードとして、Ｌを第三記憶部１２８へ出力する。
　なお、各受信部の一例について、また第３のパターン及び第４のパターンにより変化する電気信号について、特許文献２において説明されている。
　（５）第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８
　第一記憶部１２６は、第一モードを記憶するための領域を備える。第一モードは、Ｈ、Ｌ及びＨｉ－Ｚ（ハイインピーダンス）の何れかを示す値をとる。
　また、第二記憶部１２７は、第二モードを記憶するための領域を備える。第二モードは、Ｈ、Ｌ及びＨｉ－Ｚの何れかを示す値をとる。
　さらに、第三記憶部１２８は、第三モードを記憶するための領域を備える。第三モードは、Ｈ、Ｌ及びＨｉ－Ｚの何れかを示す値をとる。
　（６）入出力部１３０
　入出力部１３０は、外部のバス３０ａと、論理部１３１との間で、データの入出力を制御する。また、入出力部１３０は、第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８にそれぞれ記憶されている第一モード、第二モード、第三モードにより、動作モードを変更して動作する。つまり、入出力部１３０は、いずれかの受信部により検出した変化する電気信号により、動作モードを切り換えて動作する回路部である。
　（７）論理部１３１
　論理部１３１は、例えば、ＭＰＵ（micro processing unit）やＤＳＰ（digital
signal processor）やメモリコントローラであり、または、それらを組み合わせたものである。また、論理部１３１は、入出力部１３０を介して、外部メモリ２０ａなどの回路基板１０ａに搭載された他の電子部品との間で、データの入出力を行う。
　１．２　送信アンテナと受信アンテナとの誘導結合及び各モードの設定
　（１）伝播部１０１ａの例
　図５に、伝播部１０１ａ上の導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃの配置、半導体部１２０の送信アンテナ部と受信アンテナ部との誘導結合、及び第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８に記憶されている第一モード、第二モード及び第三モードの関係を示す。
　送信部１２３ａが第１のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１
ａへ出力すると、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ａとは、導体部１１１ａを介して、電磁誘導により結合する。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから、第３のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ａが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ａが、第３のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第一モードとして、Ｈを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈを記憶する。図５には、この場合において、信号の伝わる経路２０１を示している。また、この場合の第一モードを示している。
　また、送信部１２３ａが第２のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力すると、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ａとは、導体部１１１ａを介して、誘導結合する。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから、第４のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ａが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ａが、第４のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第一モードとして、Ｌを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｌを記憶する。
　一方、送信部１２３ａが電位が変化しない電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力する場合、または、電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力しない場合には、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ａとが、導体部１１１ａを介して、誘導結合することはない。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから電気信号を受信しない。受信部１２４ａは、電気信号を受信しない場合には、第一モードとして、Ｈｉ－Ｚを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈｉ－Ｚを記憶する。
　また、上記と同様に、送信アンテナ１２１ｂと受信アンテナ１２２ｂとが、誘導結合する場合と、誘導結合しない場合とがある。このため、第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｈ、Ｌ又はＨｉ－Ｚを記憶する。図５には、送信アンテナ１２１ｂと受信アンテナ１２２ｂとが、誘導結合する場合において、信号の伝わる経路２０２を示している。また、第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｌを記憶する場合を示している。
　さらに、上記と同様に、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ｃとが、誘導結合する場合と、誘導結合しない場合とがある。このため、第三記憶部１２８は、第三モードとして、Ｈ、Ｌ又はＨｉ－Ｚを記憶する。図５には、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ｃとが、誘導結合する場合において、信号の伝わる経路２０３を示している。また、この場合の第三モードを示している。
　しかし、送信アンテナ１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅの上方には、伝播部１０１ａにおいて、導体部が存在していないので、送信アンテナ１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅは、他の受信アンテナと誘導結合することはない。従って、どの受信アンテナも、送信アンテナ１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅから、電気信号を受信することはない。
　（２）伝播部１０１ｂの例
　図６に、伝播部１０１ｂ上の導体部１１１ｄ、１１１ｅの配置、半導体部１２０の送信アンテナ部と受信アンテナ部との誘導結合、及び第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８に記憶される第一モード、第二モード及び第三モードの関係を示す。
　送信部１２３ａが第１のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力すると、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｂとは、導体部１１１ｄを介して、誘導結合し、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｃとは、導体部１１１ｄを介して、誘導結合する。このため、受信部１２４ｂは、受信アンテナ１２２ｂから、第３のパターンにより変化する電気信号を受信し、受信部１２４ｃも、受信アンテナ１２
２ｃから、第３のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ｂが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ｂが、第３のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第二モードとして、Ｈを第二記憶部１２７へ出力する。第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｈを記憶する。図６には、この場合において、信号の伝わる経路２０４を示している。また、この場合の第二モードを示している。また、受信部１２４ｃが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ｃが、第３のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第三モードとして、Ｈを第三記憶部１２８へ出力する。第三記憶部１２８は、第三モードとして、Ｈを記憶する。図６には、この場合において、信号の伝わる経路２０５を示している。また、この場合の第三モードを示している。
　また、送信部１２３ａが第２のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力すると、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｂとは、導体部１１１ｄを介して、誘導結合し、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｃとは、導体部１１１ｄを介して、誘導結合する。このため、受信部１２４ｂは、受信アンテナ１２２ｂから、第４のパターンにより変化する電気信号を受信し、受信部１２４ｃも、受信アンテナ１２２ｃから、第４のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ｂが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ｂが、第４のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第二モードとして、Ｌを第二記憶部１２７へ出力する。第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｌを記憶する。また、受信部１２４ｃが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ｃが、第４のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第三モードとして、Ｌを第三記憶部１２８へ出力する。第三記憶部１２８は、第三モードとして、Ｌを記憶する。
　一方、送信部１２３ａが電位が変化しない電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力する場合、または、電気信号を送信アンテナ１２１ａへ出力しない場合には、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｂとが、導体部１１１ｄを介して、誘導結合することはないし、送信アンテナ１２１ａと受信アンテナ１２２ｃが、導体部１１１ｄを介して、誘導結合することはない。このため、受信部１２４ｂは、受信アンテナ１２２ｂから電気信号を受信しない。受信部１２４ｂは、電気信号を受信しない場合には、第二モードとして、Ｈｉ－Ｚを第二記憶部１２７へ出力する。第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｈｉ－Ｚを記憶する。また、受信部１２４ｃは、受信アンテナ１２２ｃから電気信号を受信しない。受信部１２４ｃは、電気信号を受信しない場合には、第三モードとして、Ｈｉ－Ｚを第三記憶部１２８へ出力する。第三記憶部１２８は、第三モードとして、Ｈｉ－Ｚを記憶する。
　また、上記と同様に、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ａとが、誘導結合する場合と、誘導結合しない場合とがある。このため、第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈ、Ｌ又はＨｉ－Ｚを記憶する。図６には、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ａとが、誘導結合する場合において、信号の伝わる経路２０６を示している。また、誘導結合する場合の第一モードを示している。
　しかし、送信アンテナ１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅの上方には、伝播部１０１ｂにおいて、導体部が存在していないので、送信アンテナ１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅは、他の受信アンテナと誘導結合することはない。従って、どの受信アンテナも、送信アンテナ１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅから、電気信号を受信することはない。
　（３）伝播部１０１ｃの例
　図７に、伝播部１０１ｃ上の導体部１１１ｆ、１１１ｇの配置、半導体部１２０の送信
アンテナ部と受信アンテナ部との誘導結合、及び第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８に記憶される第一モード、第二モード及び第三モードの関係を示す。
　送信部１２３ｂが第１のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１ｂへ出力すると、送信アンテナ１２１ｂと受信アンテナ１２２ａとは、導体部１１１ｆを介して、誘導結合する。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから、第３のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ａが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ａが、第３のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第一モードとして、Ｈを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈを記憶する。
　また、送信部１２３ｂが第２のパターンにより電位が変化する電気信号を送信アンテナ１２１ｂへ出力すると、送信アンテナ１２１ｂと受信アンテナ１２２ａとは、導体部１１１ｆを介して、誘導結合する。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから、第４のパターンにより変化する電気信号を受信する。受信部１２４ａが受信した電気信号は、電位が変化しているので、受信部１２４ａが、第４のパターンにより電位の変化する電気信号を検出すると、第一モードとして、Ｌを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｌを記憶する。図７には、この場合において、信号の伝わる経路２０７を示している。
　一方、送信部１２３ｂが電位が変化しない電気信号を送信アンテナ１２１ｂへ出力する場合、または、電気信号を送信アンテナ１２１ｂへ出力しない場合には、送信アンテナ１２１ｂと受信アンテナ１２２ａとが、導体部１１１ｆを介して、誘導結合することはない。このため、受信部１２４ａは、受信アンテナ１２２ａから電気信号を受信しない。受信部１２４ａは、電気信号を受信しない場合には、第一モードとして、Ｈｉ－Ｚを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈｉ－Ｚを記憶する。
　また、上記と同様に、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ｂとが、誘導結合する場合と、誘導結合しない場合とがある。このため、第二記憶部１２７は、第二モードとして、Ｈ、Ｌ又はＨｉ－Ｚを記憶する。図７には、送信アンテナ１２１ｆと受信アンテナ１２２ｂとが、誘導結合する場合において、信号の伝わる経路２０８を示している。また、誘導結合する場合の第二モードを示している。
　しかし、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅの上方には、伝播部１０１ｃにおいて、導体部が存在していないので、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅは、他の受信アンテナと誘導結合することはない。従って、どの受信アンテナも、送信アンテナ１２１ａ、１２１ｃ、１２１ｄ及び１２１ｅから、電気信号を受信することはない。
　受信アンテナ１２２ｃは、どの送信アンテナとも誘導結合しておらず、Ｈｉ－Ｚの状態になっている。この場合には、図７に示すように、第三モードは、Ｈｉ－Ｚとなる。
　１．３　半導体装置の応用例
　上記において説明した各伝播部を貼り付けた半導体装置の応用例について、説明する。
　伝播部１０１ａを貼り付けた半導体装置１００ａを搭載する回路基板１０ａ、伝播部１０１ｂを貼り付けた半導体装置１００ｂを搭載する回路基板１０ｂ、及び、伝播部１０１ｃを貼り付けた半導体装置１００ｃを搭載する回路基板１０ｃを、それぞれ図８、図９及び図１０に示す。
　回路基板１０ａには、半導体装置１００ａ、８ビット幅のバス３０ａ及びＮＯＲフラッ
シュメモリ２０ａが搭載され、回路基板１０ｂには、半導体装置１００ｂ、１６ビット幅のバス３０ｂ及びＮＯＲフラッシュメモリ２０ｂが搭載され、回路基板１０ｃには、半導体装置１００ｃ、ＮＡＮＤバス３０ｃ及びＮＡＮＤフラッシュメモリ２０ｃが搭載されている。なお、各回路基板にはその他の電子部品も搭載されているが、これらを省略している。
　ここで、半導体部１２０において、受信アンテナ１２２ａ、１２２ｂ及び１２２ｃにより受信され、それぞれ第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８に記憶される第一モード、第二モード及び第三モードは、上記の回路基板１０ａ、１０ｂ及び１０ｃにおいて、メモリやバスを決定するためのものとする。
　第一モードは、起動するメモリの種類を決定するものとする。半導体部１２０は、第一モードが、Ｈならば、ＮＯＲフラッシュメモリが起動するメモリとして接続されているものとして動作し、第一モードが、Ｌならば、ＮＡＮＤフラッシュメモリが起動するメモリとして接続されているとして動作するものとする。
　第二モードは、バスを決定するものとする。半導体部１２０は、第二モードが、Ｈならば、１６ビット幅のバスが接続され、Ｌならば、８ビット幅のバスが接続されているとして、動作するものとする。
　第三モードは、起動するメモリがＮＯＲフラッシュメモリである場合の動作モードを決定するものとする。半導体部１２０は、第三モードが、Ｈならば、固定ウェイトモード、第三モードが、Ｌならば、応答信号（Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅ）を用いたハンドシェークモードで動作するものとする。また、起動するメモリがＮＡＮＤフラッシュメモリの場合、半導体部１２０は、第三モードを参照しないものとする。
　半導体部１２０の送信部１２３ｆは、常に、Ｈを出力し、送信部１２３ｂは、常に、Ｌを出力し、送信部１２３ａは、常に、Ｈを出力するものとする。
　従って、半導体装置１００ａの第三モードには、Ｈが設定され、第二モードには、Ｌが設定され、第一モードには、Ｈが設定される。
　また、半導体装置１００ｂの第三モードには、Ｈが設定され、第二モードには、Ｈが設定され、第一モードには、Ｈが設定される。
　さらに、半導体装置１００ｃの第三モードには、Ｈｉ－Ｚが設定され、第二モードには、Ｈが設定され、第一モードには、Ｌが設定される。
　上記のように、図８に示す半導体装置１００ａにおいて、第三モードには、Ｈが、第二モードには、Ｌが、第一モードには、Ｈが設定されるので、起動するメモリの種類は、ＮＯＲフラッシュメモリ（第一モード＝Ｈ）となり、回路基板１０ａにおいて、バス幅は、８ビット（第二モード＝Ｌ）となり、ＮＯＲフラッシュメモリのアクセスは、固定ウェイトモード（第三モード＝Ｈ）となる。
　また、図９に示す半導体装置１００ｂにおいて、第三モードには、Ｈが、第二モードには、Ｈが、第一モードには、Ｈが設定されるので、回路基板１０ｂにおいて、起動するメモリの種類は、ＮＯＲフラッシュメモリ（第一モード＝Ｈ）となり、バス幅は、１６ビット（第二モード＝Ｈ）となり、ＮＯＲフラッシュメモリのアクセスは、固定ウェイトモード（第三モード＝Ｈ）となる。
　また、図１０に示す半導体装置１００ｃにおいて、第二モードには、Ｈが、第一モードには、Ｌが設定されるので、回路基板１０ｃにおいて、起動するメモリの種類は、ＮＡＮ
Ｄフラッシュメモリ（第一モード＝Ｌ）となり、バス幅は、１６ビット（第二モード＝Ｈ）となる。
　以上説明したように、本実施の形態の構成によれば、近接無線通信を用いて、専用または兼用の外部端子を必要とすることなく、設定変更可能な半導体装置を構成できる。
　２．実施の形態２
　本発明に係る別の実施の形態としての半導体装置１００ｄについて説明する。
　半導体装置１００ｄは、半導体装置１００ａと類似する構成を有してる。半導体装置１００ｄとの相違点は、以下に詳細に説明するように、導体部が半導体装置１００ｄの下面に設けられた送信アンテナ及び受信アンテナに近接するように設けられていることである。その他の点については、半導体装置１００ａと同一である。
　半導体装置１００ｄは、図１１及び図１２に示すように、図示していない他の電子部品とともに、回路基板１０ｄ上に搭載され、伝播部１０１ｄ、半導体部１２０ｄ及びパッケージ部１５０ｄから構成されている。伝播部１０１ｄは、回路基板１０ｄ上に搭載され、パッケージ部１５０ｄは、半導体部１２０ｄの保護のために、その周囲を囲むように設けられている。
　半導体部１２０ｄの下面に、行列状に、送信アンテナ１２１ａｄ、１２１ｂｄ、１２１ｃｄ、受信アンテナ１２２ａｄ、１２２ｂｄ、１２２ｃｄ、送信アンテナ１２１ｄｄ、１２１ｅｄ、１２１ｆｄのそれぞれの上部が半導体部１２０の下面から露出する態様で、送信アンテナ１２１ａｄ、１２１ｂｄ、１２１ｃｄ、受信アンテナ１２２ａｄ、１２２ｂｄ、１２２ｃｄ、送信アンテナ１２１ｄｄ、１２１ｅｄ、１２１ｆｄが半導体部１２０ｄの内部に形成されている。
　伝播部１０１ｄは、図１１及び図１２に示すように、非導体を材料とし、回路基板１０ｄの上面に接着され、伝播部１０１ｄの上面には、導体部１１１ａｄ、１１１ｂｄ、１１１ｃｄがアクリル系の接着剤などで接着されている。導体部１１１ａｄ、１１１ｂｄ、１１１ｃｄは、導体部１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃと同様に、例えば、Ｃｕ等を材料とし、帯形状を有する箔状の導体である。
　回路基板１０ｄの上面に伝播部１０１ｄを張り付け、その上にパッケージ部１５０ｄにより保護のために囲まれた半導体部１２０ｄを搭載する際、導体部１１１ａｄの端部が、送信アンテナ１２１ａｄに近接し、導体部１１１ａｄの他の端部が、受信アンテナ１２２ａｄに近接するように、また、導体部１１１ｂｄの端部が、送信アンテナ１２１ｂｄに近接し、導体部１１１ｂｄの他の端部が、受信アンテナ１２２ｂｄに近接するように、さらに、導体部１１１ｃｄの端部が、受信アンテナ１２２ｃｄに近接し、導体部１１１ｃｄの他の端部が、送信アンテナ１２１ｆｄに近接するように、伝播部１０１ｄの上面に、導体部１１１ａｄ、１１１ｂｄ、１１１ｃｄが接着されている。
　各導体部の上面と、半導体部１２０ｄの下面との距離は、１ｍｍ以下である。
　以上説明したように、実施の形態１における半導体装置１００ａでは、伝播部１０１ａを半導体部１２０の上面に張り合わせているのに対し、実施の形態２における半導体装置１００ｄでは、伝播部１０１ｄが回路基板１０ｄ上に設けられている。
　３．その他の変形例
　なお、本発明を上記の実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上記の実施の形態に限定されないのはもちろんである。以下のような場合も本発明に含まれる。
　（１）半導体部１２０は、図１３に示すように、さらに、第一回路１４１、切換部１４２、第二回路１４３、第三回路１４４を含むとしてもよい。また、論理部１３１に代えて、図１３に示す第一回路１４１、切換部１４２、第二回路１４３、第三回路１４４を含むとしてもよい。また、論理部１３１の内部に、図１３に示す第一回路１４１、切換部１４２、第二回路１４３、第三回路１４４を含むとしてもよい。
　切換部１４２は、第一記憶部１２６から第一モードを読み出し、読み出した第一モードがＨである場合には、第一回路１４１と第二回路１４３とを接続し、第一回路１４１と第三回路１４４とを切り離す。読み出した第一モードがＬである場合には、第一回路１４１と第二回路１４３とを切り離し、第一回路１４１と第三回路１４４とを接続する。
　（ａ）第１の例として、半導体部１２０は、デジタルカメラに搭載されるものとする。第二回路１４３は、通常時の信号を出力する通常動作時用回路であって、例えば、デジタルカメラの撮像処理部であり、デジタルカメラによる撮影により生成された映像信号を出力する。第三回路１４４は、テスト用の信号を出力するテスト用回路であって、例えば、予め定められたいくつかのパターンのテスト用の映像信号を出力する。第一回路１４１は、第二回路１４３又は第三回路１４４に接続され、第二回路１４３又は第三回路１４４から映像信号を受け取り、受け取った映像信号から圧縮された映像データを生成する。このように、第一モードがＨである場合、半導体部１２０は、通常のデジタルカメラの回路部として動作し、第一モードがＬである場合、半導体部１２０は、第一回路１４１のテストのために動作する。
　（ｂ）第２の例として、半導体部１２０は、記録媒体に記録されているコンテンツを再生するコンテンツ再生装置に搭載されるものとする。記録媒体は、第１暗号方式による暗号化コンテンツを記録しており、コンテンツ再生装置は、暗号化コンテンツを復号して復号コンテンツを再生する。第一回路１４１は、記録媒体から暗号化コンテンツを読み出す。第二回路１４３は、第１暗号化方式により暗号化コンテンツを復号する。第三回路１４４は、第２暗号化方式により暗号化コンテンツを復号する。当初、第一記憶部１２６にＨが記憶され、第一回路１４１と第二回路１４３とが接続されている。コンテンツ再生装置が販売された後、不正者により第１暗号化方式が解読されてしまったとする。その後、新たな記録媒体には、第２暗号化方式により暗号化されたコンテンツが記録されて販売される。半導体部１２０には、新たな伝播部が貼り付けられ、新たなコンテンツ再生装置が製造されて販売され、第一記憶部１２６には、Ｌが記憶される。この場合に、第一回路１４１と第三回路１４４とが接続され、新たな記録媒体に記憶された暗号化コンテンツは、第２暗号化方式により復号されて再生される。
　（ｃ）第３の例として、第一回路１４１は、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate 
Array）であり、第二回路１４３は、メモリ回路であり、ＦＰＧＡにおいて、第１の処理
回路を構成するための構成データを記憶しており、第三回路１４４も、メモリ回路であり、ＦＰＧＡにおいて、第２の処理回路を構成するための構成データを記憶しているとしてもよい。第一記憶部１２６に記憶されている第一モードがＨである場合には、ＦＰＧＡである第一回路１４１は、メモリ回路である第二回路１４３から構成データを読み出し、読み出した構成データを用いて、ＦＰＧＡに第１の処理回路を構成する。第一記憶部１２６に記憶されている第一モードがＬである場合には、ＦＰＧＡである第一回路１４１は、メモリ回路である第三回路１４４から構成データを読み出し、読み出した構成データを用いて、ＦＰＧＡに第２の処理回路を構成する。
　（２）上記の各実施の形態において、半導体装置に含まれる論理部は、一例として、デジタルカメラにより撮影された撮影画像を処理する撮影処理回路である。図４に示す各構成部を含む半導体部は、ひとつのシリコンデバイスで形成される大規模集積回路（ＬＳＩ
）であるとしても良い。
　（３）上記において、生成部１２５ａは、Ｈ又はＬを示す送信データを生成するとしている。しかし、これには限定されない。
　生成部１２５ａは、Ｈを示す送信データのみを生成し、この送信データを送信部１２３ａへ出力するとしてもよい。第一記憶部１２６に記憶されている第一モードは、初期値として、Ｌである。受信部１２４ａが、第３のパターンにより変化する電気信号を受信すると、第一モードとして、Ｈを第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、第一モードとして、Ｈを記憶する。
　また、生成部１２５ａは、さらに多くの種類の送信データを生成するとしてもよい。例えば、－１０ｖ、－５ｖ、５ｖ、１０ｖの４種類を示す送信データを生成するとしてもよい。送信部１２３ａは、生成部１２５ａから送信データを受け取り、送信データに基づいて、４種類の電気信号を生成する。この４種類の電気信号は、それぞれ、上述したような三角波であり、その頂点の電位は、それぞれ、－１０ｖ、－５ｖ、５ｖ、１０ｖである。受信部１２４ａが、上記の４種類の電気信号に応じた電気信号を受信すると、４種類の電気信号を識別し、識別した電気信号に対応する４種類のモード情報のいずれかを、第一モードとして、第一記憶部１２６へ出力する。第一記憶部１２６は、４種類のモード情報の何れかを示す第一モードを記憶する。入出力部１３０は、第一記憶部１２６に記憶されている第一モードにより、４種類の動作を使い分ける。
　（４）上記の実施の形態においては、半導体部１２０には、６組の生成部、送信部及び送信アンテナと、３組の受信部及び受信アンテナとが形成されているが、これには限定されない。
　６組未満の組の生成部、送信部及び送信アンテナを備えてもよいし、７組以上の組の生成部、送信部及び送信アンテナを備えてもよい。
　また、３組未満の組の受信部及び受信アンテナを備えてもよいし、７組以上の組の受信部及び受信アンテナを備えてもよい。ここで、モードの数は、受信部及び受信アンテナの組の数に合わせて、増減させる。
　（５）上記の実施の形態において、第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８には、それぞれ、第一モード、第二モード及び第三モードが記憶されているとしているが、これには限定されない。
　半導体部１２０は、第一記憶部１２６、第二記憶部１２７及び第三記憶部１２８に代えて、モード記憶部を備え、モード記憶部は、第一モード、第二モード及び第三モードを記憶してもよい。
　（６）上記の実施の形態において、半導体部１２０は、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆを備えるとしているが、これには限定されない。
　半導体部１２０は、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆに代えて、一つの生成部のみを備え、この生成部は、同一の送信データ及び送信クロック信号を、それぞれ、送信部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆへ送信するとしてもよい。
　また、半導体部１２０は、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆに代えて、第１及び第２の生成部のみを備え、第１の生成部は、第１の送信
データ及び送信クロック信号を、それぞれ、送信部１２３ａ、１２３ｂ及び１２３ｃへ送信し、第２の生成部は、第２の送信データ及び送信クロック信号を、それぞれ、送信部１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆへ送信するとしてもよい。ここで、第１の送信データは、Ｈを示し、第２の送信データは、Ｌを示す。なお、逆に、第１の送信データは、Ｌを示し、第２の送信データは、Ｈを示すとしてもよい。
　さらに、半導体部１２０は、生成部１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ及び１２５ｆに代えて、一つの生成部のみを備え、この生成部は、第１の送信データ及び送信クロック信号を、それぞれ、送信部１２３ａ、１２３ｂ及び１２３ｃへ送信し、また、第２の送信データ及び送信クロック信号を、それぞれ、送信部１２３ｄ、１２３ｅ及び１２３ｆへ送信するとしてもよい。ここで、第１の送信データは、Ｈを示し、第２の送信データは、Ｌを示す。なお、逆に、第１の送信データは、Ｌを示し、第２の送信データは、Ｈを示すとしてもよい。
　（７）上記の各実施の形態に示す半導体装置は、デジタルスチールカメラ、デジタル動画カメラ、携帯電話、ＤＶＤやＢＤなどの記録媒体に記憶されたコンテンツの再生装置、デジタル放送受信装置、デジタルコンテンツ記録装置（ビデオレコーダ）、映像表示装置（デジタルテレビ）、パーソナルコンピュータなどにおいて、用いられるとしてもよい。
　（８）上記の実施の形態において、伝播部１０１ａ上には、３個の導体部が貼り付けられ、伝播部１０１ｂ上及び伝播部１０１ｃ上には、それぞれ、２個の導体部が貼り付けられている。しかし、これには限定されない。
　伝播部上には、１個の導体部が貼り付けられているとしてもよいし、４個以上の導体部が貼り付けられているとしてもよい。
　（９）上記実施の形態及び上記変形例をそれぞれ組み合わせるとしてもよい。
　４．以上説明したように、本発明は、半導体装置であって、送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された第１アンテナ及び前記受信回路に接続された第２アンテナを備える半導体部と、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接して設けられた導体部とを備え、前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いることを特徴とする。
　この構成によると、半導体装置の端子数を増やすことなく、内部の動作モードの設定変更をすることができるという優れた効果を奏する。
　ここで、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナは、コイル状の金属配線であり、前記第１アンテナと前記第２アンテナとは、前記導体部を介して、電磁誘導により結合されるとしてもよい。
　ここで、前記導体部を備えるシートが前記半導体部表面に貼設されているとしてもよい。
　ここで、前記半導体部は、回路基板上に設けられ、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接するように、前記導体部が前記回路基板上に設けられているとしてもよい。
　ここで、前記送信回路は、第１電位から第２電位に変化する第１電気信号を前記第１アンテナへ出力し、前記受信回路は、変化する第２電気信号を検出し、前記半導体部は、さらに、前記受信回路により検出した前記第２電気信号により、動作モードを切り換えて動作する回路部を備えるとしてもよい。
　また、本発明は、送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された第１アンテナ及び前記受信回路に接続された第２アンテナを備える半導体部に近接して設けられる信号伝播板であって、前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接して設けられた導体部を備え、前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いることを特徴とする。
　本発明にかかる近接無線通信を用いた半導体装置は、半導体装置の端子数を増やすこと
なく、内部の動作モードの設定変更をすることができ、半導体装置において、動作モードなどを設定する等の用途に適用できる。特に、同一の半導体装置を、多品種（例えば、デジタルテレビ、ビデオレコーダ、携帯電話など）において用いる場合において有用である。
　　　１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ　回路基板
　　１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ　半導体装置
　　１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ　伝播部
　　１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ　導体部
　　１１１ｅ、１１１ｆ、１１１ｇ　導体部
　　１２０、１２０ｄ　半導体部
　　１２１ａ、１２１ｂ、１２１ｃ、１２１ｄ、１２１ｅ、１２１ｆ　送信アンテナ
　　１２２ａ、１２２ｂ、１２２ｃ　受信アンテナ
　　１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ、１２３ｄ、１２３ｅ、１２３ｆ　送信部
　　１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ　受信部
　　１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ、１２５ｄ、１２５ｅ、１２５ｆ　生成部
　　１２６　　第一記憶部
　　１２７　　第二記憶部
　　１２８　　第三記憶部
　　１３０　　入出力部
　　１３１　　論理部
　　１５０、１５０ｄ　パッケージ部

Claims (6)

  1. 　半導体装置であって、
    　送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された第１アンテナ及び前記受信回路に接続された第２アンテナを備える半導体部と、
    　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接して設けられた導体部とを備え、
    　前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いる
    　ことを特徴とする半導体装置。
  2. 　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナは、コイル状の金属配線であり、
    　前記第１アンテナと前記第２アンテナとは、前記導体部を介して、電磁誘導により結合される
    　ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記導体部を備えるシートが前記半導体部表面に貼設されている
    　ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記半導体部は、回路基板上に設けられ、
    　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接するように、前記導体部が前記回路基板上に設けられている
    　ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  5. 　前記送信回路は、第１電位から第２電位に変化する第１電気信号を前記第１アンテナへ出力し、
    　前記受信回路は、変化する第２電気信号を検出し、
    　前記半導体部は、さらに、前記受信回路により検出した前記第２電気信号により、動作モードを切り換えて動作する回路部を備える
    　ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  6. 　送信回路、受信回路、前記送信回路に接続された第１アンテナ及び前記受信回路に接続された第２アンテナを備える半導体部に近接して設けられる信号伝播板であって、
    　前記第１アンテナ及び前記第２アンテナに近接して設けられた導体部を備え、
    　前記送信回路及び前記受信回路の間で近接無線通信を用いる
    　ことを特徴とする信号伝播板。
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