WO2012029735A1 - Procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice - Google Patents

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隆秀 城市
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Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce de DEL qui comprend : une étape consistant à préparer une plaquette comportant une couche semi-conductrice (110') formée sur la première surface principale (126) d'un substrat (120') qui possède une première surface principale (126) et une deuxième surface principale (127) à l'opposé de la première ; une première étape d'irradiation consistant à irradier la plaquette avec un faisceau laser en ayant un point de collecte de lumière (F1) à l'intérieur de la plaquette, et former dans une première direction une première région modifiée (122a) qui peut être utilisée pour diviser la plaquette ; et une deuxième étape d'irradiation consistant à irradier la plaquette avec un faisceau laser en ayant un point de collecte de lumière (F2) à l'intérieur de la plaquette, et former dans une deuxième direction différente de la première une deuxième région modifiée (122b) qui peut être utilisée pour diviser la plaquette. Si la distance la plus courte entre la surface du côté où est formée la couche semi-conductrice (110') de la plaquette et le point de collecte de lumière dans la première étape d'irradiation est désignée Dmin1, et la distance la plus courte entre la surface du côté où est formée la couche semi-conductrice (110') de la plaquette et le point de collecte de lumière dans la deuxième étape d'irradiation est désignée Dmin2, l'inégalité Dmin1 < Dmin2 est satisfaite.
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