JP2020010051A - 発光素子の製造方法 - Google Patents
発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020010051A JP2020010051A JP2019155724A JP2019155724A JP2020010051A JP 2020010051 A JP2020010051 A JP 2020010051A JP 2019155724 A JP2019155724 A JP 2019155724A JP 2019155724 A JP2019155724 A JP 2019155724A JP 2020010051 A JP2020010051 A JP 2020010051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- along
- irradiation
- lines
- pitch
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 72
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図2及び図3は、実施形態に係る発光素子の製造方法で用いられるウェーハを例示する模式図である。図2は、図3のII−II線断面図である。図3は、図2の矢印ARから見た平面図である。
図4は、レーザ光の照射を例示している。図4に示すように、ウェーハ50Wの基板50に、レーザ光61が照射される。この例では、レーザ光61は、第1面50aから基板50に入射する。
図5は、実施形態に係る発光素子の製造方法の一部を例示する模式的平面図である。
図5は、第1照射工程(ステップS111)を例示している。図5に示すように、第1照射工程においては、複数の第1線L1に沿ってレーザ光61を走査する。
図6は、第2照射工程(ステップS112)を例示している。図6に示すように、第2照射工程においては、複数の第2線L2に沿ってレーザ光61を走査する。
図7は、実施形態に係る発光素子の製造方法の一部を例示する模式的平面図である。
図7は、第1分離工程を例示している。第1分離工程においては、複数の第2線L2に沿って、ウェーハ50Wを複数のバー52に分離する。例えば、ブレードを用いて、荷重を第2線L2に沿ってウェーハ50Wに加えることにより、ウェーハ50Wが、複数のバー52に分離される。実施形態において、1つのバー52は、複数の領域51rが第2方向D2に並んだ状態である。
図8は、第2分離工程を例示している。第2分離工程は、第1分離工程の後に行われる。第2分離工程は、第1分離工程の後に、複数の第1線L1に沿って、バー52を複数の発光素子51eに分離する。例えば、ブレードを用いて、荷重を第1方向D1に沿ってバー52(ウェーハ50W)に加えることにより、バー52が、複数の発光素子51eに分離される。
図9の横軸は、レーザ照射ピッチLp(μm)である。縦軸は、破断強度F1(ニュートン:N)である。図9には、a軸方向に沿ってレーザ光61を照射したときの破断強度F1の値が、丸印で示されている。m軸に沿ってレーザ光61を照射したときの破断強度F1の値が、三角印で示されている。a軸方向に沿ってレーザ光61を照射したときの破断強度F1の値の平均値が、四角印で示されている。
本発明者らは、レーザ照射ピッチを狭くすることで基板が割れやすくなると考えていた。しかしながら、上述のとおり、実際には、レーザ照射ピッチを狭くすることで破断強度F1が上昇し、基板が分離されにくくなることが分かった。分離されにくくなった理由としては、レーザ光の走査線上における基板の内部に複数の改質領域が密に形成され、それらが互いに重なり合うことで基板の分離が抑制されたと考えられる。
実施例において、ウェーハ50Wとしてサファイア基板上に、窒化物半導体を含む半導体構造51が設けられた。サファイア基板の厚さは、120μmである。レーザ光61の波長は、約1060nmである。レーザ光61の出力は、100mW〜150mW程度である。
参考例においては、第1照射ピッチLp1が、3.0μmである。参考例におけるこれ以外の条件は、上記の実施例と同じである。参考例において、不良が生じた割合は2.0%であった。実施例における製造方法により、不良を抑制し生産性を向上させることができる。
Claims (7)
- 第1面及び第2面を有する基板と、前記第2面に設けられた半導体構造と、を含むウェーハの前記基板にレーザ光を照射し、前記基板の内部に複数の改質領域を形成するレーザ光照射工程と、
前記レーザ光照射工程の後に前記ウェーハを複数の発光素子に分離する分離工程と、
を備え、
前記レーザ光照射工程は、
複数の第1線に沿って前記レーザ光を走査し、互いに重なり合う前記複数の改質領域を形成する第1照射工程であって、前記複数の第1線は、前記第1面に平行な第1方向に延び、前記第1面に平行で前記第1方向と交差する第2方向に並ぶ、前記第1照射工程と、
複数の第2線に沿って前記レーザ光を走査する第2照射工程であって、前記複数の第2線は、前記第2方向に延び、前記第1方向に並ぶ、前記第2照射工程と、
を含み、
前記複数の第1線の前記第2方向における第1ピッチは、前記複数の第2線の前記第1方向における第2ピッチよりも大きく、
前記第1照射工程における複数の第1線の1つに沿った前記レーザ光の照射において、前記レーザ光は、前記第1方向に沿う複数の第1位置に照射され、前記第1方向に沿う前記複数の第1位置の第1照射ピッチは、2.0μm以下であり、
前記分離工程は、
前記複数の第2線に沿って前記ウェーハを複数のバーに分離する第1分離工程と、
前記第1分離工程の後に前記複数の第1線に沿って前記バーを前記複数の発光素子に分離する第2分離工程と、
を含み、
前記第2照射工程における複数の第2線の1つに沿った前記レーザ光の照射において、前記レーザ光は、前記第2方向に沿う複数の第2位置に照射され、前記第2方向に沿う前記複数の第2位置の第2照射ピッチは、3.0μm以上3.5μm以下である、発光素子の製造方法。 - 前記第2ピッチは、300μm以下である、請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1照射工程及び前記第2照射工程における前記レーザ光の出力は、100mW以上150mW以下である、請求項1または2に記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1照射工程の後に、前記第2照射工程が実施される、請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記基板は、サファイアからなる、請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1方向は、前記基板のa軸に沿い、前記第2方向は、前記基板のm軸に沿う、請求項5記載の発光素子の製造方法。
- 前記第1ピッチは、1mm以上である、請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019155724A JP6819897B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019155724A JP6819897B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 発光素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017165584A Division JP6579397B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020010051A true JP2020010051A (ja) | 2020-01-16 |
JP6819897B2 JP6819897B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=69152442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019155724A Active JP6819897B2 (ja) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | 発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6819897B2 (ja) |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078440A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Dowa Holdings Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2010129987A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ加工方法、レーザ加工装置およびレーザ加工用プログラム |
WO2010098186A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2012029735A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
US20120077296A1 (en) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
WO2012063348A1 (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-18 | パイオニア株式会社 | レーザ加工方法及び装置 |
JP2012176420A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 基板加工装置および基板加工方法 |
JP2013051246A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Ledパターン付き基板の加工方法 |
JP2013051260A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光チップの製造方法および半導体発光チップ |
JP2013063454A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2014011358A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
JP2014147946A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2015122402A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 豊田合成株式会社 | 基板分割方法 |
JP2015130470A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP6579397B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
-
2019
- 2019-08-28 JP JP2019155724A patent/JP6819897B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008078440A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Dowa Holdings Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2010129987A (ja) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハ加工方法、レーザ加工装置およびレーザ加工用プログラム |
WO2010098186A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
WO2012029735A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | 三菱化学株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
US20120077296A1 (en) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
WO2012063348A1 (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-18 | パイオニア株式会社 | レーザ加工方法及び装置 |
JP2012176420A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 基板加工装置および基板加工方法 |
JP2013051246A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | Ledパターン付き基板の加工方法 |
JP2013051260A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光チップの製造方法および半導体発光チップ |
JP2013063454A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2014011358A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Toshiba Mach Co Ltd | レーザダイシング方法 |
JP2014147946A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2015130470A (ja) * | 2013-12-05 | 2015-07-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2015122402A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 豊田合成株式会社 | 基板分割方法 |
JP6579397B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-09-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6819897B2 (ja) | 2021-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6260601B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
US10672660B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor element | |
US20070298529A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices | |
JP5747743B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JPWO2012017771A1 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US10756233B2 (en) | Method of manufacturing a light emitting element | |
JP7222991B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
KR102539062B1 (ko) | 발광소자의 제조 방법 | |
KR102529797B1 (ko) | 발광소자의 제조 방법 | |
JP6819897B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US10964841B2 (en) | Method for manufacturing light-emitting element | |
JP2015144180A (ja) | Led素子製造用ウェハとその作製方法、およびled素子 | |
JP2015144177A (ja) | Led素子製造用ウェハとその作製方法、およびled素子 | |
US11901233B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element | |
JP7186357B2 (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6819897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |