CN109494284B - 发光元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能提升生产率的发光元件的制造方法。根据实施方式，发光元件的制造方法包括：激光照射工序，对包括基板和半导体结构在内的晶片的基板照射激光，在基板的内部形成多个改性区域；和分离工序，在激光照射工序后将晶片分离成多个发光元件。激光照射工序包括沿着多个第1线扫描激光的第1照射工序。多个第1线在与第1面平行的第1方向上延伸，在与第1面平行并与第1方向交叉的第2方向上排列。激光照射工序包括在第1照射工序后沿着在第2方向上延伸的第2线扫描激光的第2照射工序。在第1照射工序中，激光被照射到沿着第1方向的多个位置，多个位置的第1照射间距为2.5μm以下，多个第1线的第2方向上的间距是0.7mm以上。

Description

发光元件的制造方法
技术领域
本发明涉及发光元件的制造方法。
背景技术
在制造在基板上层叠成为发光层的化合物半导体的发光元件的方法中，提出通过对基板进行激光器照射来形成元件分离线的方法。在发光元件的制造方法中谋求生产率的提升。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：JP专利第5119463号公报
发明内容
本发明提供能提升生产率的发光元件的制造方法。
根据本发明的一个方案，发光元件的制造方法包括：激光照射工序，其对包括具有第1面以及第2面的基板和设于所述第2面的半导体结构在内的晶片的所述基板照射激光，在所述基板的内部形成多个改性区域；和分离工序，在所述激光照射工序后将所述晶片分离成多个发光元件。所述激光照射工序包括沿着多个第1线扫描所述激光的第1照射工序。所述多个第1线在与所述第1面平行的第1方向上延伸，在与所述第1面平行且与所述第1方向交叉的第2方向上排列。所述激光照射工序包括在所述第1照射工序后沿着在所述第2方向上延伸的第2线扫描所述激光的第2照射工序。在所述第1照射工序中，所述激光照射到沿着所述第1方向的多个位置，沿着所述第1方向的所述多个位置的第1照射间距为2.5μm以下，所述多个第1线在所述第2方向上的间距为0.7mm以上。
发明的效果
根据本发明的一个方案，提供能提升生产率的发光元件的制造方法。
附图说明
图1是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的流程图。
图2是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法中所用的晶片的示意图。
图3是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法中所用的晶片的示意图。
图4是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意图。
图5是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图6是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图7是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图8是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图9是例示发光元件的制造方法的一部分的示意截面图。
图10是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的图表图。
图11是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的显微镜照片像。
图12是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的显微镜照片像。
图13是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的示意图。
图14是例示实施方式所涉及的发光元件的另外制造方法的一部分的示意图。
附图标记的说明
50-基板；50W-晶片；50a-第1面；50b-第2面；51-半导体结构；51e-发光元件；51r-区域；52-条；53、53A-改性区域；53L、53X-线；53a、53b-改性区域；54-晶格点；55-定向平面；61-激光；61a、61b-第1、第2位置；AR-箭头；CR-裂缝；D1、D2-第1、第2方向；L1、L2-第1、第2线；Lp-激光器照射间距；Lp1、Lp2-第1、第2照射间距；N1-破断强度；P1、P2-第1、第2间距；SP11～SP14、SP21～SP23-样本。
具体实施方式
以下参考附图来说明本发明的各实施方式。
另外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定限于与现实的情况相同。另外，即使是表征相同部分的情况，也有根据附图不同而相互的尺寸或比率表征得不同的情况。
另外，在本申请说明书中，关于已经出现的图，对与前述同样的要素标注相同附图标记并适当省略详细的说明。
图1是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的流程图。
图2以及图3是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法中所用的晶片的示意图。图2是图3的II-II线截面图。图3是从图2的箭头AR来看的俯视图。
如图1所示那样，实施方式所涉及的发光元件的制造方法包括激光照射工序(步骤S110)以及分离工序(步骤S120)。激光照射工序包括第1照射工序(步骤S111)以及第2照射工序(步骤S112)。分离工序包括第1分离工序(步骤S121)以及第2分离工序(步骤S122)。
在激光照射工序中，对晶片照射激光。以下说明晶片的示例。
如图2以及图3所示那样，晶片50W包含基板50以及半导体结构51。基板50具有第1面50a以及第2面50b。第2面50b为与第1面50a相反一侧的面。半导体结构51例如设于第2面50b。
半导体结构51例如包含n形半导体层、活性层以及p形半导体层。n形半导体层位于p形半导体层与基板50之间。活性层位于p形半导体层与n形半导体层之间。半导体结构51例如包含InxAlyGa1-x-yN(0≤x、0≤y、x+y＜1)等氮化物半导体。活性层发出的光的峰值波长例如为360nm以上650nm以下。
将从第2面50b朝向第1面50a的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与Z轴方向以及X轴方向垂直的方向设为Y轴方向。第1面50a以及第2面50b沿着X-Y平面扩展。Z轴方向与基板50的厚度方向(例如深度方向)对应。
如图3所示那样，半导体结构51例如包含多个区域51r。多个区域51r分别与1个发光元件对应。多个区域51r在第1方向D1以及第2方向D2上排列。
第1方向D1是与第1面50a平行的1个方向。第2方向D2与第1面50a平行且与第1方向D1交叉。第2方向D2例如相对于第1方向D1垂直。在该示例中，第1方向D1沿着X轴方向。第2方向D2沿着Y轴方向。
基板50例如由蓝宝石构成。基板50例如是蓝宝石基板(例如c面蓝宝石基板)。在基板50中，第1面50a可以相对于c面倾斜。在基板50是蓝宝石基板的情况下，在1个示例中，第1方向D1沿着蓝宝石基板的m轴。这时第2方向D2沿着蓝宝石基板的a轴。
基板50具有定向平面55。在该示例中，定向平面55延伸的方向沿着晶片50W的第1方向D1。在实施方式中，第1方向D1与定向平面55延伸的方向的关系是任意的。第2方向D2与定向平面55延伸的方向的关系是任意的。
对这样的晶片50W照射激光。晶片50W沿着多个区域51r的边界分离。从多个区域51r得到多个发光元件。
图4是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意图。
图4例示激光的照射。如图4所示那样，对晶片50W的基板50照射激光61。在该示例中，激光61从第1面50a入射到基板50。
激光61脉冲状地出射。作为激光器光源，例如使用Nd：YAG激光器、钛蓝宝石激光器、Nd：YVO4激光器或Nd：YLF激光器等。激光61的波长是透射基板50的光的波长。激光61例如是在800nm以上且1200nm以下的范围有峰值波长的激光。
激光61沿着与X-Y平面平行的方向扫描。例如激光61与基板50的相对的位置沿着与X-Y平面平行的方向变更。激光61的聚光点的沿着Z轴方向的位置(以基板50为基准时的位置)也可变更。
例如沿着沿基板50的第1面50a的1个方向离散地照射激光61。照射激光61的多个位置沿着该1个方向相互分开。照射激光61的多个位置以1个间距(激光器照射间距Lp)排列。激光器照射间距Lp与激光61的发射间间距对应。
通过激光61的照射在基板50的内部形成多个改性区域53。激光61在基板50的内部聚光。在基板50的内部的特定的深度的位置，激光61所产生的能量集中。由此形成多个改性区域53。形成多个改性区域53时的激光61的聚光点的间距与激光器照射间距Lp对应。改性区域53例如是在基板50的内部因激光器照射而脆化的区域。
从多个改性区域53例如龟裂进展。龟裂在基板50的Z轴方向上伸展。龟裂成为基板50的分离的开始位置。例如在后述的分离工序中施加力(例如荷重或碰撞等)。由此基于龟裂来分离基板50。
如此，在激光照射工序(步骤S110)中，对基板50照射激光61来在基板50的内部形成多个改性区域53。激光器照射例如沿着第1方向D1以及第2方向D2进行。
然后在分离工序(步骤S120)中，在激光照射工序之后将晶片50W分离成多个发光元件。例如通过进行沿着2个方向的分离而晶片50W被分离成多个发光元件。
以下说明激光照射工序的示例。
图5是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图5例示第1照射工序(步骤S111)。如图5所示那样，在第1照射工序中沿着多个第1线L1扫描激光61。
多个第1线L1在第1方向D1上延伸，在第2方向D2上排列。如已经说明的那样，第1方向D1与第1面50a平行。第2方向D2与第1面50a平行且与第1方向D1交叉。多个第1线L1以第1间距P1排列。第1间距P1是在第2方向D2上相邻的2个第1线L1沿着第2方向D2的距离。在实施方式中，第1间距P1例如是0.7mm以上。第1间距P1优选是0.7mm以上且3mm以下，更优选是0.9mm以上且2.5mm以下，进一步优选是1mm以上且2mm以下。
多个第1线L1例如沿着在第2方向D2上排列的多个区域51r(参考图3)彼此间的边界。
如图5所示那样，在沿着多个第1线L1之一的激光61的照射中，激光61照射到多个第1位置61a。多个第1位置61a沿着第1方向D1排列。多个第1位置61a的间距与第1照射间距Lp1对应。第1照射间距Lp1是在第1方向D1上相邻的2个第1位置61a沿着第1方向D1的距离。
第1照射间距Lp1例如是2.5μm以下，优选2.0μm以下，更优选1.5μm以下。
图6是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图6例示第2照射工序(步骤S112)。如图6所示那样，在第2照射工序中，沿着多个第2线L2扫描激光61。
多个第2线L2在第2方向D2上延伸。多个第2线L2在第1方向D1上以第2间距P2排列。第2间距P2是在第1方向D1上相邻的2个第2线L2沿着第1方向D1的距离。
多个第2线L2例如沿着在第1方向D1上排列的多个区域51r(参考图3)彼此间的边界。
在第2照射工序中的沿着多个第2线L2之一的激光61的照射中，激光61被照射到多个第2位置61b。多个第2位置61b沿着第2方向D2排列。多个第2位置61b的间距与第2照射间距Lp2对应。第2照射间距Lp2是在第2方向D2上相邻的2个第2位置61b沿着第2方向D2的距离。
在1个示例中，第1照射间距Lp1小于第2照射间距Lp2。
在1个示例中，第1间距P1(参考图5)小于第2间距P2(参考图6)。也可以使第1间距P1大于第2间距P2，还可以使第1间距P1和第2间距P2相同。
以下说明分离工序的示例。
图7是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图7例示第1分离工序。在第1分离工序中，沿着多个第1线L1将晶片50W分离成多个条52。例如通过使用刀具将荷重沿着第1线L1施加在晶片50W，从而晶片50W被分离成多个条52。在实施方式中，1个条52是多个区域51r在第1方向D1上排列的状态。
图8是例示实施方式所涉及的发光元件的制造方法的一部分的示意俯视图。
图8例示第2分离工序。第2分离工序在第1分离工序之后进行。第2分离工序在第1分离工序之后，沿着多个第2线L2将条52分离成多个发光元件51e。例如通过使用刀具将荷重沿着第2方向D2施加在条52(晶片50W)，从而条52被分离成多个发光元件51e。
上述的分离例如通过割断执行。
如已经说明的那样，在1个示例中，第1间距P1小于第2间距P2。在通过上述的制造方法得到的多个发光元件51e的1个中，沿着第1方向D1的长度长于沿着第2方向D2的长度。多个发光元件51e的1个具有长边和短边。长边的长度与第2间距P2实质上对应。短边的长度与第1间距P1对应。
如上述那样，在激光照射工序中实施第1照射工序(步骤S111)以及第2照射工序(步骤S112)。已知在第1照射工序后实施第2照射工序时，有在并非所期望的状态下激光61照射到基板50(晶片50W)的情况。以下说明该示例。
图9是例示发光元件的制造方法的一部分的示意截面图。
图9例示在第1照射工序后实施第2照射工序时的基板50以及激光61的照射的状态。在该示例中，第1照射工序未在合适的条件下进行。
如图9所示那样，在第1照射工序中沿着第1线L1照射激光61。由此在基板50的内部形成多个改性区域53a。在图9中图示了包含第2方向D2和Z轴方向的平面的截面。为此图示了多个改性区域53a的1个。多个改性区域53a沿着第1方向D1排列。
在激光61的照射的条件合适的情况下，在基板50形成多个改性区域53a，在基板50产生裂缝CR，但基板50的主面(例如第1面50a)连续，是1个平面。即，仅照射激光61，基板50不会以裂缝CR为起点分离。裂缝CR以多个改性区域53为起点产生。
另一方面，在激光61的照射的条件不合适的情况下，在基板50形成多个改性区域53a，在基板50产生裂缝CR。通过裂缝CR，以第1线L1为边界而基板50的第1面50a被分离。被分离而形成的2个第1面50a不连续。2个第1面50a相互倾斜。如此，在激光61的照射的条件不合适的情况下，会在基板50产生预想外的“开裂”。
由于该预想外的“开裂”而基板50的第1面50a不再平坦。由于“开裂”而第1面50a倾斜。若在该状态下实施第2照射工序，则在基板50内，激光61的聚光点的深度位置就不再恒定。为此，在第2照射工序形成的多个改性区域53b的深度位置不再恒定。
如图9所示那样，例如在靠近裂缝CR的区域，改性区域53b的位置深。另一方面，在远离裂缝CR的区域，改性区域53b的位置浅。为此，基于第2照射工序的分离(第2分离工序)难以在所期望的状态下实施。例如由于易于产生不良，成品率降低，由此难以充分提高生产率。在靠近裂缝CR的区域，激光61聚光的位置靠近半导体结构51。为此会在半导体结构51产生激光61造成的损伤。
如此可知，若第1照射工序的条件不合适，就会产生预想外的“开裂”，其结果，变得难以在合适的条件实施第2照射工序。
在实施方式中，使第1照射工序的条件合适。由此能抑制例如预想外的“开裂”。由此能在合适的条件下实施第2照射工序。能提供能提升生产率的发光元件的制造方法。
以下说明关于第1照射工序的条件的实验结果。
在实验中，作为基板50而使用厚度200μm的蓝宝石基板。样本的平面形状是边的长度为10.2mm的正方形。对样本的中央部照射改变了照射条件的激光61。沿着蓝宝石基板的m轴照射了激光61。在激光61的照射后测定样本的破断强度。在破断强度的测定中，对样本施加的头的推入速度是0.05mm/sec。
在样本SP11中，激光61的功率(power)为3.5μJ，激光器照射间距Lp为1.5μm。在样本SP11中，激光器脉冲宽度是5.0ps。
在样本SP12中，激光61的功率为3.5μJ，激光器照射间距Lp为2.0μm。在样本SP12中，激光器脉冲宽度是5.0ps。
在样本SP13中，激光61的功率为3.5μJ，激光器照射间距Lp为2.5μm。在样本SP13中，激光器脉冲宽度是5.0ps。
在样本SP14中，激光61的功率为3.5μJ，激光器照射间距Lp为3.0μm。在样本SP14中，激光器脉冲宽度是5.0ps。
如此，在样本SP11～SP14中，激光61的照射条件当中的功率、激光器脉冲宽度是相同值，变更激光器照射间距的值。
图10是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的图表图。
图10的纵轴是破断强度N1(牛顿：N)。在图10示出上述的样本SP11～SP14的破断强度N1。图10所示的样本SP11～SP14的破断强度N1是对各个样本SP11～SP14进行3次测定，在各个测定中得到的值的平均值。样本SP11中的破断强度N1是3.8N。样本SP12中的破断强度N1是2.3N。样本SP13中的破断强度N1是1.6N。样本SP14中的破断强度N1是0.6N。
如从图10获知的那样，破断强度N1较强依赖于激光器照射间距Lp。通过减小激光器照射间距Lp，能得到高的破断强度N1。在上述的实验中，激光61沿着蓝宝石基板的m轴被照射。认为例如在激光61沿着蓝宝石基板的a轴照射的情况下也得到与图10同样的结果。
例如如样本SP14那样破断强度N1比较小的情况下，在实施第1照射工序后的基板50会出现预想外的“开裂”。另一方面，在破断强度N1高的情况下，能在实施了第1照射工序后的基板50抑制预想外的“开裂”的产生。
通过减小激光器照射间距Lp，能得到高的破断强度N1。例如在激光器照射间距Lp为1.5μm以下时，能得到高于3.8N的破断强度N1。能在实施了第1照射工序后的基板50进一步抑制预想外的“开裂”的产生。
在激光器照射间距Lp大于给定值的情况下，形成的龟裂彼此难以相连而使基板50具有难以开裂的倾向。为此本发明的发明者们认为，通过缩窄激光器照射间距Lp而基板50变得易于开裂。但如上述那样可知，实际上，通过缩窄激光器照射间距Lp而破断强度N1上升，抑制了基板50的预想外的“开裂”。作为抑制了预想外的“开裂”的理由，认为是因为在激光61的扫描线上的基板50的内部密集地形成了多个改性区域53，通过它们相互重合而基板50变得难以开裂。
在实施方式中，缩小第1照射工序中的激光器照射间距Lp(即第1照射间距Lp1)。例如第1照射间距Lp1为2.5μm以下。由此能得到高的破断强度N1，能抑制预想外的“开裂”。由此，例如第2照射工序中的激光61的照射的状态(聚光点的深度)稳定。
在实施方式中，第1照射间距Lp1是1.0μm以上。由此例如能在激光照射工序抑制激光给半导体结构51带来的损伤。另外，能抑制激光照射工序所需的时间变长，能提升生产率。
在实施方式中，例如优选第1照射间距Lp1小于第2照射间距Lp2。由此能在第1照射工序后抑制预想外的“开裂”。
例如第2照射间距Lp2为5.0μm以上且12.0μm以下，优选5.0μm以上且7.0μm以下。通过第2照射间距Lp2为5.0μm以上，例如在基板的分离时，成为分离的起点的线易于成为直线。通过第2照射间距Lp2为12.0μm以下，例如能抑制从改性区域53起的裂缝CR彼此难以相连，基板50的分离变得容易。
如已经说明的那样，在实施方式中，第1间距P1(多个第1线L1在第2方向D2上的间距)是0.7mm以上。第1间距P1优选是0.7mm以上3mm以下，更优选是0.9mm以上2.5mm以下，进一步优选是1mm以上2mm以下。在第1间距P1为0.7mm以上的情况下，基板50当中形成改性区域53的部分会作用比较大的力，易于出现预想外的“开裂”。认为晶片50W具有应力引起的翘曲，若第1间距P1变大，则相邻的第1线D1间各自的翘曲量就会变得比较大，该翘曲引起预想外的“开裂”。其结果，认为在进行了第1照射工序后，或在进行第1照射工序的中途，处于在形成改性区域53的部分易于出现预想外的“开裂”的倾向。在本实施方式中，缩窄第1照射间距Lp1。由此破断强度N1变大，在第1间距P1比较大的情况下也能抑制预想外的“开裂”。
如上述那样，第1照射间距Lp1优选小于第2照射间距Lp2。这时在1个示例中，第1线L1(第1方向D1)沿着m轴，第2线L2(第2方向D2)沿着a轴。在另外的示例中，第1线L1(第1方向D1)沿着a轴，第2线L2(第2方向D2)沿着m轴。在其他另外的示例中，可以第1线L1(第1方向D1)相对于a轴倾斜，第2线L2(第2方向D2)也相对于a轴倾斜。
在实施方式中，特别优选第1方向D1(第1线L1)沿着m轴，第2方向D2(第2线L2)沿着a轴。这是因为，如以下说明的那样，通过激光61的扫描沿着m轴进行，从而即使减小激光器照射间距Lp(第1照射间距Lp1)，成为分离的起点的线(后述)也易于成为直线。
以下说明激光61沿着a轴扫描时的实验结果的示例。
图11以及图12是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的显微镜照片像。
在这些图中示出样本SP21、样本SP22以及样本SP23的显微镜照片像。在这些样本中，激光61的激光器照射间距Lp相互不同。在这些样本中，激光61沿着Y轴方向扫描。在该实验中，Y轴方向沿着蓝宝石基板的a轴。X轴方向沿着蓝宝石基板的m轴。
样本SP21中的激光器照射间距Lp为12μm。样本SP22中的激光器照射间距Lp为10μm。样本SP23中的激光器照射间距Lp为8μm。在图11中，照片的焦点位于改性区域53的深度。在图12中，照片的焦点位于基板50(蓝宝石基板)的表面(该示例中为第1面50a)。
如从图11获知的那样，在激光器照射间距Lp大的样本SP21中，观察到将多个改性区域53直线地连起来的线53L。认为该线53L与裂缝CR(或裂缝CR的起源)对应。在激光器照射间距Lp为中间程度的样本SP22中，也在多个改性区域53的一部分观察到将改性区域53直线地连起来的线53L。但该线53L若与样本SP21相比，则有弯曲。在激光器照射间距Lp小的样本SP23中，未实质观察到将多个改性区域53直线地连起来的线53L。在样本SP23中，观察到通过多个改性区域53的附近的曲线的线53X。
如从图12获知的那样，在蓝宝石基板的表面(第1面50a)，在激光器照射间距Lp大的样本SP21中，观察到沿着第1方向D1的明确的线53L。认为该线53L与裂缝CR(或裂缝CR的起源)对应。在激光器照射间距Lp为中间程度的样本SP22中，该线53L的直线性变低，线53L的一部分相对于第1方向D1倾斜。在激光器照射间距Lp小的样本SP23中，线53L进一步变得不明确，线53L的一部分相对于第1方向D1较大地倾斜。
图13是例示关于发光元件的制造方法的实验结果的示意图。
图13示意地示出从图11以及图12的显微镜照片估计的基板50中的线53L以及线53X。
如图13所示那样，在激光器照射间距Lp大的样本SP21中，出现将蓝宝石的结晶的晶格点54沿着第2方向D2连起来的线53L。认为在激光器照射间距Lp小的样本SP23中，除了上述的线53L以外，还出现了穿过蓝宝石的结晶的晶格点54在相对于第2方向D2倾斜的方向上延伸的线53X。认为在激光器照射间距Lp为中间的样本SP22中，出现样本SP21与样本SP23的中间的状态。
如此，在激光器照射间距Lp大的情况下，形成将蓝宝石的结晶的晶格点54沿着第2方向D2连起来的线53L。与此相对，在激光器照射间距Lp小的情况下，易于出现在相对于第2方向D2倾斜的方向上延伸的线53X。线53X是蜿蜒的线状。若出现蜿蜒的线53X，则例如在将基板50分离时，还有切断面不再是直线的情况。
如此，在沿着a轴照射激光61的情况下，若减小激光器照射间距Lp，就易于出现蜿蜒的线53X。认为这在六方晶中是特有的现象。
另一方面，在沿着m轴照射激光61的情况下，即使减小激光器照射间距Lp也难以出现蜿蜒的线53X。
根据上述，在实施方式中，在激光器照射间距Lp小的第1照射工序中，优选不是沿着a轴而是沿着m轴扫描激光61。这时在第2照射工序中，优选沿着a轴扫描激光61。由此能减小激光器照射间距Lp来抑制预想外的“开裂”。进而能抑制蜿蜒的线53X的产生。其结果，能提供能更加提升生产率的发光元件的制造方法。
在实施方式中，第1照射工序以及第2照射工序中的激光61的输出为100mW以上300mW以下，优选为100mW以上150mW以下。若输出高于300mW，则例如会有在半导体结构51(例如发光元件51e)出现损伤的情况。若输出低于100mW，则例如变得难以形成改性区域53，或者从改性区域53起的龟裂变得难以伸展。为此基板50的分离变得困难。在输出为100mW以上300mW以下时，例如能抑制给半导体结构51的损伤，并能实现容易的分离。
图14是例示实施方式所涉及的发光元件的另外制造方法的一部分的示意图。
图14例示激光61的照射。在该示例中，激光61的聚光点位于基板50的多个深度位置。例如多次扫描激光61来对基板50进行照射。例如在多次的扫描中变更激光61的聚光点的深度位置。由此例如形成多个改性区域53的群和多个改性区域53A的群。多个改性区域53的Z轴方向上的位置与多个改性区域53A的Z轴方向上的位置不同。
如此在第1照射工序中，激光61可以照射从第1面50a朝向第2面50b的深度方向(Z轴方向)上的多个位置。由此例如能更稳定地抑制蜿蜒的线53X的产生。
根据实施方式，能提供能提升生产率的发光元件的制造方法。
另外，在本申请说明书中，“垂直”以及“平行”不仅是严密的垂直以及严密的平行，例如还包含制造工序中的偏差等的情形，实质垂直以及实质平行即可。
以上参考具体例说明了本发明的实施方式。但本发明并不限定于这些具体例。例如关于发光元件的制造方法中所用的晶片、基板、半导体结构、发光元件以及激光器等各个具体结构，本领域技术人员通过从公知的范围适宜选择来同样实施本发明，只要能得到同样的效果，就也包含在本发明的范围内。
另外，将各具体例的任意2个以上的要素在技术上可能的范围内组合的产物，只要包含本发明的要旨，则也含在本发明的范围内。
此外，以作为本发明的实施方式而上述的发光元件的制造方法为基础，本领域技术人员实施适宜设计变更得到的全部发光元件的制造方法，只要包含本发明的要旨也属于本发明的范围。
此外，在本发明的思想的范畴中，只要是本领域技术人员就能想到各种变更例以及修正例，应当理解这些变更例以及修正例也属于本发明的范围。

Claims (6)

1.一种发光元件的制造方法，具备：
激光照射工序，对包括基板和半导体结构在内的晶片的所述基板照射激光，在所述基板的内部形成多个改性区域，其中所述基板具有第1面以及第2面，所述半导体结构设于所述第2面；
分离工序，在所述激光照射工序后将所述晶片分离成多个发光元件，
所述激光照射工序包括：
第1照射工序，沿着多个第1线扫描所述激光，其中所述多个第1线在与所述第1面平行的第1方向上延伸，并在与所述第1面平行且与所述第1方向交叉的第2方向上排列：和
第2照射工序，在所述第1照射工序后沿着在所述第2方向上延伸的第2线扫描所述激光，
在所述第1照射工序中，所述激光被照射到沿着所述第1方向的多个位置，沿着所述第1方向的所述多个位置的第1照射间距为2.5μm以下，所述多个第1线在所述第2方向上的间距为0.7mm以上，
在所述第2照射工序中，所述激光被照射到沿着所述第2方向的多个位置，沿着所述第2方向的所述多个位置的第2照射间距大于所述第1照射间距。
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中，
所述基板由蓝宝石构成，
所述第1方向沿着所述蓝宝石的m轴，
所述第2方向沿着所述蓝宝石的a轴。
3.根据权利要求2所述的发光元件的制造方法，其中，
所述第2面是所述蓝宝石的c面。
4.根据权利要求2或3所述的发光元件的制造方法，其中，
所述第2照射间距为5.0μm以上且12.0μm以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，
所述第1照射工序以及所述第2照射工序中的所述激光的输出为100mW以上且300mW以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的发光元件的制造方法，其中，
在所述第1照射工序中，所述激光被照射到从所述第1面朝向所述第2面的深度方向上的多个位置。
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