WO2012002612A1 - 프로브 - Google Patents

프로브 Download PDF

Info

Publication number
WO2012002612A1
WO2012002612A1 PCT/KR2010/006168 KR2010006168W WO2012002612A1 WO 2012002612 A1 WO2012002612 A1 WO 2012002612A1 KR 2010006168 W KR2010006168 W KR 2010006168W WO 2012002612 A1 WO2012002612 A1 WO 2012002612A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plunger
conductive member
upper plunger
elastic member
probe
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/006168
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이채윤
Original Assignee
리노공업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리노공업 주식회사 filed Critical 리노공업 주식회사
Priority to US13/807,108 priority Critical patent/US9128120B2/en
Priority to JP2013518211A priority patent/JP5591401B2/ja
Priority to CN201080067768.0A priority patent/CN102971842B/zh
Publication of WO2012002612A1 publication Critical patent/WO2012002612A1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716—Elastic
    • G01R1/06722—Spring-loaded
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips

Definitions

  • the present invention relates to a probe, and more particularly, to a probe capable of stably delivering a test signal.
  • Semiconductor devices such as semiconductor chips or wafers, go through a predetermined test process to determine good quality.
  • a test socket or a probe card for electrically connecting the semiconductor device with a tester for determining a good quality by applying a predetermined inspection signal to a semiconductor device such as a semiconductor chip or a wafer is used.
  • a probe for applying the predetermined test signal to a solder ball or pad of the semiconductor device is disposed.
  • One end and the other end of the probe are electrically connected to each other by contacting the load board of the semiconductor device and the tester, respectively.
  • the probe plays a role of transmitting a test signal (current or voltage) applied by the tester to the semiconductor device, it is important to stably transmit the test signal.
  • an object of the present invention is to provide a probe that can stably transmit an inspection signal.
  • Another object of the present invention is to provide a probe which is simple in structure and which can improve current carrying characteristics.
  • Another object of the present invention is to provide a probe that can reduce the inspection cost.
  • the object according to the invention is a probe for electrically connecting between a semiconductor device and a tester for testing the semiconductor device, comprising: an upper plunger electrically connectable with the semiconductor device; A lower plunger electrically connectable with said test; An elastic member disposed between the upper plunger and the lower plunger to elastically bias the upper plunger and the lower plunger such that the upper plunger and the lower plunger are spaced apart from each other; A conductive member disposed inside or outside the elastic member to electrically connect the upper plunger and the lower plunger; It may be achieved by a probe comprising a barrel for receiving the upper and lower plungers, the elastic member and the conductive member.
  • the conductive member may be provided to electrically connect the upper plunger and the lower plunger only when at least one of the upper plunger and the lower plunger approaches and moves toward the other.
  • the conductive member may be provided to selectively contact at least one of the upper plunger and the lower plunger.
  • the conductive member may be provided to apply an elastic force to the upper plunger and the lower plunger so that the upper plunger and the lower plunger are spaced apart from each other.
  • the conductive member may include at least one of a conductive coil spring and a conductive rubber.
  • the structure is relatively simple, but can improve the conduction characteristics.
  • test costs can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a probe and a test socket accommodating a probe according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a graph comparing resistance values of a probe according to a first exemplary embodiment of the present invention
  • 3 and 4 are schematic longitudinal cross-sectional views showing the operation of the probe according to the second embodiment of the present invention before and after the external force is applied, respectively;
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the probe of FIG. 3,
  • FIG. 6 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a probe according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic longitudinal sectional view of a probe according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic longitudinal sectional view of a probe according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic longitudinal cross-sectional view of a probe according to a sixth embodiment of the present invention.
  • Probe 100 the upper plunger 110; Lower plunger 120; An elastic member 140 elastically biasing the upper plunger 110 and the lower plunger 120 such that the upper plunger 110 and the lower plunger 120 are separated from each other; A conductive member 150 disposed inside the elastic member 140; And a barrel 130 accommodating the upper and lower plungers 110 and 120, the elastic member 140, and the conductive member 150.
  • the upper plunger 110 may include a tip 111 which may contact the solder ball 11 of the semiconductor device 10; A locking groove 113 formed on an outer circumferential surface of the upper plunger 110; And an elastic member contact part 115 contacting the elastic member 140.
  • the outer diameter of the tip 111 may be larger than the inner diameter of the barrel 130. Holding the tip portion 111 and pushing the upper plunger 110 toward the barrel 130 until the locking groove 113 is caught by the locking projection 131 of the barrel 130 to be described later the upper plunger ( 110 may be fixed to the barrel 130.
  • the shape of the tip part 111 may be variously changed according to the shape of the object to be contacted.
  • a semiconductor chip mounted in a ball grid array (BGA) type as an example of the semiconductor device 10 may have a crown shape as described above.
  • the tip portion 111 may be provided in any one of a so-called A shape having a single pointed tip and a dimple shape having an inside concave so that the solder ball 11 can be inserted therein.
  • a pad may be provided in a hemispherical shape, such as the tip portion 121 of the lower plunger 120 to be described later.
  • the locking groove 113 of the upper plunger 110 is engaged with the locking projection 131 of the barrel 130.
  • the upper plunger 110 is coupled to the barrel 130 so that the upper plunger 110 may not be moved.
  • the elastic member contact portion 115 may be provided in a conical shape protruding toward the lower plunger 120. In some cases, the elastic member contact portion 115 may be provided in a cylindrical shape that the elastic member 140 can be inserted therein. In addition, the contact part 115 may be changed into various shapes as long as the contact state with the elastic member 140 may be maintained.
  • the upper plunger 110 may be integrally formed.
  • the lower plunger 120 is a tip portion 121 that can contact the pad 21 of the load board 20 of the tester; A body portion 122 capable of being hooked to the tip portion 132 of the barrel 130; And an elastic member contact part 123 contacting the elastic member 140.
  • the tip portion 121 may be provided in a hemispherical shape to facilitate contact with the pad 21.
  • the outer diameter D1 of the body portion 122 is larger than the inner diameter D3 of the tip portion 132 of the barrel 130 and smaller than the inner diameter D2 of the barrel 130. Accordingly, the lower plunger 120 may be inserted through the other end of the barrel 130, and the body 122 may be caught by the tip 132 so as not to be separated in the direction of the load board 20.
  • the elastic member contact portion 123 may be provided in a conical shape protruding toward the upper plunger 110. In some cases, the elastic member contact portion 123 may be provided in a cylindrical shape that the elastic member 140 can be inserted therein. In addition to this, the contact part 123 may be changed into various shapes as long as the contact state with the elastic member 140 can be maintained.
  • the lower plunger 120 may be integrally formed.
  • the barrel 130 accommodates the upper plunger 110, the lower plunger 120, the elastic member 140 and the conductive member 150 described above.
  • the barrel 130 may be provided in a cylindrical shape with an upper portion open to allow the upper plunger 110 to be inserted.
  • the barrel 130 has a locking projection 131 is coupled to the locking groove 113 of the upper plunger 110; It includes a tip portion 132 to prevent the downward plunger of the lower plunger 120.
  • the lower plunger 120 may move in the direction of the upper plunger 110 when an external force greater than the elastic bias force of the elastic member 140 is applied.
  • the tip portion 132 serves as a stopper that regulates the downward movement of the lower plunger 120.
  • the barrel 130 is the upper plunger 110 and the lower plunger so that the tip portion 111 of the upper plunger 110 and the tip portion 121 of the lower plunger 120 are exposed to the outside, respectively. Accepts 120.
  • the elastic member 140 is disposed between the upper plunger 110 and the lower plunger 120 to elastically bias the upper plunger 110 and the lower plunger 120 to be spaced apart from each other.
  • the elastic member 140 may be made of a conductive metal.
  • the conductive member 150 electrically connects the upper plunger 110 and the lower plunger 120.
  • One end of the conductive member 150 contacts the elastic member contact portion 115 of the upper plunger 110 and the other end contacts the elastic member contact portion 123 of the lower plunger 120.
  • one end and the other end of the conductive member 150 maintains contact with the elastic member contact portions 115 and 123 (?), Respectively, regardless of the vertical movement of the lower plunger 120.
  • the conductive member 150 may apply an elastic force to the upper plunger 110 and the lower plunger 120 in a direction in which the upper plunger 110 and the lower plunger 120 are spaced apart from each other.
  • the conductive member 150 may be provided in a coil spring shape as shown in the figure.
  • the outer diameter of the conductive member 150 is smaller than the inner diameter of the elastic member 140. Accordingly, the conductive member 150 may be accommodated in the elastic member 140.
  • the conductive member 150 may be made of a conductive metal. In some cases, the conductive member 150 may be made of conductive rubber or plastic. The conductive rubber may be conductive by including a plurality of metal balls in a non-conductive material such as silicon.
  • the above-mentioned example is only an example, If it is possible to apply electricity, it can employ
  • the conductive member 150 preferably has an electrical conductivity equal to or higher than that of the barrel 130.
  • the barrel 130 has a relatively high mechanical strength and electrical conduction performance because it serves as a casing for accommodating the plungers 110 and 120, the elastic member 140, and the conductive member 150.
  • a material of good material property may be used for the barrel 130.
  • the conductive member 150 may be made of a material having the same electrical conductivity as that of the elastic member 140 or having a higher electrical conductivity than the elastic member 140.
  • the conductive member 150 may be formed of the same material as the upper plunger 110 and the lower plunger 120.
  • the probe 100 configured as described above is accommodated in the socket housing 210.
  • the socket housing 210 accommodates and supports the probe 100 so that the tip portion 111 of the upper plunger 110 and the tip portion 121 of the lower plunger 120 are exposed to the outside.
  • the handler (not shown) holding the semiconductor device 10 presses the semiconductor device 10 downward to contact the solder ball 11 and the upper plunger 110 with each other, the lower plunger that is in contact with each other (
  • the test signal (current) from the load board 20 is transmitted to the semiconductor device 10 through the 120 and the load board 20.
  • the impact generated when the semiconductor device 10 is pressed downward may be buffered by the elastic member 140.
  • test signal (current) applied from the load board 20 of the tester is transmitted to the solder ball 11 of the semiconductor device 10 through the upper plunger 110 along the following three paths.
  • the three paths have the same configuration as the closed circuit having three parallel circuits, and thus, the resistance of the entire probe 100 is significantly lowered, thereby stably delivering the test signal.
  • the upper plunger 110 is fixed to the barrel 130 and the lower plunger 120 is configured to be movable relative to the barrel 130, but in some cases, the upper plunger It is also possible to configure the 110 to move up and down and to fix the lower plunger 120 to the barrel 130.
  • FIG 2 is a graph comparing the resistance value between the probe 100 and the probe when there is no conductive member 160 therein according to the first embodiment of the present invention.
  • a coil spring was used, and each of 100 probes was tested.
  • the average resistance and the standard deviation were calculated by measuring the total resistance between the upper and lower plungers.
  • the total resistance value means the total resistance of the three signal transmission paths between the lower plunger-> upper plunger.
  • the resistance value (m ⁇ ) measured in 100 probes was 90.8 at the maximum, 18.9 at the minimum, and was calculated as the average 27.3 and the standard deviation 7.0.
  • the conductive member 160 by placing the conductive member 160 therein, not only the average resistance value of about 30% is reduced but also the standard deviation is smaller than 55%.
  • the probe according to the first embodiment has a much more stable resistance value, it is possible to stably transmit the test signal between the tester and the semiconductor device.
  • the probe 100a according to the second embodiment of the present invention, as shown in Figures 3 to 5, the upper plunger 110; The lower plunger 120; The elastic member 140; The conductive member 160 and the barrel 130 is included.
  • both ends of the upper plunger 110 and the lower plunger 120 are in contact with each other, while the conductive member 160 of the present embodiment has at least one of both ends. An end is not in contact with the upper plunger 110 and the lower plunger 120.
  • the conductive member 160 is spaced apart from the upper plunger 110 in a non-contact manner, but in some cases, both ends of the upper and lower plungers 110 and 120, respectively. It may be spaced apart from the contact and not in contact. In this case, the conductive member 160 may be supported by the barrel 130 through a connection portion (not shown) connected to the barrel 130.
  • the conductive member 160 may be accommodated in the elastic member 140.
  • the outer diameter of the conductive member 160 is smaller than the inner diameter of the elastic member 140.
  • One end of the conductive member 160 is spaced apart from the upper plunger 110 by a predetermined distance G, and the other end thereof is in contact with the lower plunger 120.
  • the elastic member (unless an external force is applied to the probe 100a by moving the semiconductor chip 10 downward and contacting the solder plunger 110 with the upper plunger 110).
  • the upper plunger 110 and the lower plunger 120 are spaced apart from each other by 140. Accordingly, at least one end of both ends of the conductive member 160 is spaced apart from the upper plunger 110 and the lower plunger 120 to be in a non-contact state.
  • the conductive member 160 has a length of H1 in a non-pressurized state.
  • the interval between the upper plunger 110 and the lower plunger 120 is G + H1.
  • the upper plunger 110 and the lower plunger 120 face each other while overcoming the elastic biasing force of the elastic member 140.
  • the conductive member 160 simultaneously contacts the upper plunger 110 and the lower plunger 120 only when the inspection of the semiconductor device 10 is performed and the inspection is not performed. Otherwise, the upper plunger 110 and the lower plunger 120 are not spaced from or contacted with either.
  • the movement distance J of the barrel 130 before the external force is applied and after the external force is applied is equal to or a predetermined distance G between the conductive member 160 and the upper plunger 110. Greater than (G)
  • the movement distance J corresponds to the difference between the position Y0 before the external force action of the tip portion 132 of the barrel 130 and the position Y1 after the external force action.
  • the probe 100b according to the third embodiment of the present invention, as shown in Figure 6, the upper plunger 110; The lower plunger 120; The elastic member 140; And a barrel 130 accommodating the conductive member 170 and the above-described configuration.
  • the conductive member 160 of the second embodiment described above may have a coil spring shape, while the conductive member 170 of the third embodiment may have a cylindrical tube shape.
  • the conductive member 170 may be provided as a tubular body of various shapes, not cylindrical.
  • it may be provided as a tubular body having a polygonal cross section or a tubular body having an elliptical cross section, such as a triangle or a square.
  • the lower plunger 120 may further include a protrusion 124 protruding toward the conductive member 170.
  • the tubular conductive member 170 may be pressed into the protrusion 124.
  • the conductive member 170 may be made of a metal having high electrical conductivity having a relatively thin thickness.
  • the conductive member 170 may be made of a conductive synthetic resin.
  • the conductive synthetic resin may be provided in a form capable of conducting electricity by including a plurality of metal balls in the synthetic resin, such as silicone resin or rubber.
  • the conductive member 170 may be provided in various forms as long as it can conduct electricity.
  • a protrusion may be formed on the conductive member 170, and a press portion (not shown) may be provided in the lower plunger 120 to press the protrusion.
  • the indentation part may include a groove or a protrusion.
  • Probe 100c according to a fourth embodiment of the present invention, as shown in Figure 7, the upper plunger 110; The lower plunger 120; An elastic member 190; And the barrel 130 containing the conductive member 180 and the aforementioned components 110, 120, 190, 180.
  • Both ends of the elastic member 190 are in contact with the upper plunger 110 and the lower plunger 120 to elastically bias the upper plunger 110 and the lower plunger 120 in a direction away from each other.
  • the conductive member 180 is disposed outside the elastic member 190. In other words, the inner diameter of the conductive member 180 is larger than the outer diameter of the elastic member 190.
  • One end of the conductive member 180 is spaced apart from the upper plunger 110 by a predetermined spacing G, and the other end is in contact with the lower plunger 120.
  • both ends of the conductive member 180 may be spaced apart from the upper and lower plungers 110 and 120 in a state where no external force is applied. Only when the external force is applied, that is, when the semiconductor device moves downward to press the upper plunger 110, the gap between the upper and lower plungers 110 and 120 is reduced, so that both ends of the conductive member 180 are respectively It may be in contact with the upper and lower plungers 110, 120.
  • the probe (100d) according to the fifth embodiment of the present invention, as shown in Figure 8, the upper and lower movable plunger (110a); The lower plunger 120; The elastic member 140 which elastically biases the upper plunger 110a and the lower plunger 120 to be separated from each other; The conductive member 150 and the barrel 130a.
  • the upper plunger 110 in the first to fourth embodiments was fixed to the barrel 130, while the upper plunger 110a in this embodiment is movable up and down relative to the barrel 130.
  • the barrel 130a accommodates the upper plunger 110a and the lower plunger 120 to be movable.
  • the barrel 130a further includes a tip portion 133 that is bent inward to prevent upward departure of the upper plunger 110a.
  • the test signal (current) is transmitted from the lower plunger 120 to the upper plunger 110a via the barrel 130a, the conductive member 150, and the elastic member 140.
  • the probe 100e according to the sixth embodiment of the present invention, as shown in Figure 9, the upper and lower movable plunger (110a); The lower plunger 120; The elastic member 140 which elastically biases the upper plunger 110a and the lower plunger 120 to be separated from each other; The conductive member 170 and the barrel 130a are included.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

검사신호를 안정적으로 전달할 수 있는 프로브를 개시한다. 개시된 프로브는, 반도체 디바이스 및 상기 반도체 디바이스를 테스트 하기 위한 테스터 사이를 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, 상기 반도체 디바이스와 전기적으로 연결 가능한 상부 플런저와; 상기 테스트와 전기적으로 연결 가능한 하부 플런저와; 상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저 사이에 배치되어 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저가 서로 이격되도록 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저를 탄성바이어스 시키는 탄성부재와; 상기 탄성부재 내부 또는 외부에 배치되어 상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저를 전기적으로 연결하는 도전성부재와; 상기 상부 및 하부플런저, 상기 탄성부재 및 상기 도전성부재를 수용하는 배럴을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

프로브
본 발명은 프로브에 관한 것으로, 보다 상세하게는 검사신호를 안정적으로 전달할 수 있는 프로브에 관한 것이다.
반도체 칩 또는 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스는 양품여부를 판별하기 위한 소정의 테스트 과정을 거치게 된다.
반도체 칩 또는 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스에 소정의 검사신호를 인가하여 양품여부를 판별하는 테스터와 상기 반도체 디바이스를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓 또는 프로브 카드가 사용된다.
상기 테스트 소켓 또는 프로브 카드에는 상기 반도체 디바이스의 솔더볼 또는 패드에 상기 소정의 검사신호를 인가하기 위한 프로브가 배치된다.
상기 프로브의 일단 및 타단이 각각 상기 반도체 디바이스 및 상기 테스터의 로드 보드(load board)에 접촉함으로써 양자를 전기적으로 연결한다.
여기서, 상기 프로브는 상기 테스터에서 인가하는 검사신호(전류 또는 전압)를 상기 반도체 디바이스로 전달하는 역할을 하므로 검사신호를 안정적으로 전달하는 것이 중요하다.
따라서, 본 발명의 목적은, 검사신호를 안정적으로 전달할 수 있는 프로브를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 구조가 간단하면서도 통전특성을 향상시킬 수 있는 프로브를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 검사비용을 절감할 수 있는 프로브를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 반도체 디바이스 및 상기 반도체 디바이스를 테스트 하기 위한 테스터 사이를 전기적으로 연결하기 위한 프로브에 있어서, 상기 반도체 디바이스와 전기적으로 연결 가능한 상부 플런저와; 상기 테스트와 전기적으로 연결 가능한 하부 플런저와; 상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저 사이에 배치되어 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저가 서로 이격되도록 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저를 탄성바이어스 시키는 탄성부재와; 상기 탄성부재 내부 또는 외부에 배치되어 상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저를 전기적으로 연결하는 도전성부재와; 상기 상부 및 하부플런저, 상기 탄성부재 및 상기 도전성부재를 수용하는 배럴을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브에 의해서 달성될 수 있다.
상기 도전성부재는, 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저 중 적어도 어느 하나가 다른 하나를 향해 접근 이동한 경우에만 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저를 전기적으로 연결하도록 마련될 수 있다.
여기서, 상기 도전성부재는, 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저 중 적어도 어느 하나에 대해 선택적으로 접촉 가능하도록 마련될 수 있다.
또한, 상기 도전성부재는, 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저가 서로 이격되도록 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저에 탄성력을 가하도록 마련될 수 있다.
상기 도전성부재는, 도전성 코일 스프링 또는 도전성 러버 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 구성된 프로브에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 프로브 내에 별도의 도전성부재를 배치함으로써 검사신호를 안정적으로 전달할 수 있다.
둘째, 비교적 구조가 간단하면서도 통전특성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 테스트 비용을 절감할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브 및 프로브를 수용하는 테스트 소켓의 개략단면도,
도 2는, 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브를 대상으로 실험한 저항값 비교 그래프,
도 3 및 도 4은, 각각 외력이 인가되기 전 및 후의 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브의 동작 과정을 도시한 개략 종단면도,
도 5는, 도 3의 프로브의 횡단면도,
도 6는, 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브의 개략 종단면도,
도 7은, 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브의 개략 종단면도,
도 8은, 본 발명의 제5실시예에 따른 프로브의 개략 종단면도,
도 9은, 본 발명의 제6실시예에 따른 프로브의 개략 종단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로브를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 프로브(100)는, 상부 플런저(110); 하부 플런저(120); 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로 멀어지도록 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)를 탄성바이어스 시키는 탄성부재(140); 상기 탄성부재(140) 내부에 배치된 도전성부재(150); 및 상기 상부 및 하부플런저(110, 120), 상기 탄성부재(140) 및 상기 도전성부재(150)를 수용하는 배럴(130)을 포함한다.
상기 상부 플런저(110)는 상기 반도체 디바이스(10)의 솔더볼(11)에 접촉 가능한 팁부(111); 상부 플런저(110)의 외주면에 형성된 걸림홈(113); 및 상기 탄성부재(140)에 접촉하는 탄성부재 접촉부(115)를 포함한다.
여기서, 상기 팁부(111)의 외경이 상기 배럴(130)의 내경보다 더 클 수 있다. 상기 팁부(111)를 잡고 상기 배럴(130)을 향해 상기 상부 플런저(110)를 상기 걸림홈(113)이 후술할 상기 배럴(130)의 걸림돌기(131)에 걸릴 때 까지 밀면 상기 상부 플런저(110)를 상기 배럴(130)에 고정할 수 있다.
상기 팁부(111)는 도면에서는 복수의 삼각뿔이 중심을 주위로 배치된 소위 크라운 형상으로 도시되어 있으나, 그 형상은 접촉될 대상의 형상에 따라서 다양하게 변경될 수 있다. 가령, 상기 반도체 디바이스(10)의 예로써 BGA(Ball Grid Array) 타입으로 실장된 반도체 칩인 경우 상술한 바와 같이 크라운 형상을 가질 수 있다. 또한, 다른 예로서 상기 팁부(111)는 단일의 뾰족한 팁을 갖는 소위 A자 형상 및 상기 솔더볼(11)이 내부에 삽입 가능하도록 내부가 오목한 딤플 형상 중 어느 한 형상으로 마련될 수도 있다. 또 다른 예로서, 상기 접촉될 대상이 패드인 경우 후술할 하부 플런저(120)의 팁부(121)와 같은 반구형상으로 마련될 수도 있다.
상기 상부 플런저(110)의 상기 걸림홈(113)은 상기 배럴(130)의 걸림돌기(131)과 서로 걸림 결합된다. 상기 상부 플런저(110)가 상기 배럴(130)에 결합되어 상기 상부 플런저(110)가 상하이동 하지 못하고 고정된다.
상기 탄성부재 접촉부(115)는 상기 하부 플런저(120)를 향해 돌출된 원뿔 형상으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 탄성부재 접촉부(115)는 상기 탄성부재(140)가 그 내부에 삽입가능한 원통형상으로 마련될 수도 있다. 이 이외에도, 상기 탄성부재(140)와 접촉 상태가 유지될 수 있는 한 상기 접촉부(115)는 다양한 형상으로 변경될 수 있다.
상기 상부 플런저(110)는 일체로 형성될 수 있다.
한편, 상기 하부 플런저(120)는 테스터의 로드 보드(20)의 패드(21)에 접촉 가능한 팁부(121); 상기 배럴(130)의 팁부(132)에 걸림 가능한 몸체부(122); 및 상기 탄성부재(140)에 접촉하는 탄성부재 접촉부(123)를 포함한다.
상기 팁부(121)는 상기 패드(21)에 접촉이 용이하도록 반구형으로 마련될 수 있다.
상기 몸체부(122)의 외경(D1)은 상기 배럴(130)의 상기 팁부(132)의 내경(D3)보다 더 크고, 상기 배럴(130)의 내경(D2)보다는 작다. 이에 따라, 상기 하부 플런저(120)는 상기 배럴(130)의 타단부를 통해 삽입 가능하고, 상기 몸체부(122)가 상기 팁부(132)에 걸려서 상기 로드 보드(20) 방향으로 이탈되지 않는다.
상기 탄성부재 접촉부(123)는 상기 상부 플런저(110)를 향해 돌출된 원뿔형상으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 탄성부재 접촉부(123)는 상기 탄성부재(140)가 그 내부에 삽입가능한 원통형상으로 마련될 수도 있다. 이 이외에도, 상기 탄성부재(140)와 접촉 상태가 유지될 수 있는 한 상기 접촉부(123)는 다양한 형상으로 변경될 수 있다.
상기 하부 플런저(120)는 일체로 형성될 수 있다.
한편, 상기 배럴(130)은 상술한 상부플런저(110), 하부플런저(120), 탄성부재(140) 및 도전성부재(150)를 수용한다.
상기 배럴(130)은 상기 상부 플런저(110)가 삽입 가능하도록 상부가 개방된 원통형상으로 마련될 수 있다.
상기 배럴(130)은 상기 상부 플런저(110)의 상기 걸림홈(113)에 걸림 결합되는 걸림돌기(131)와; 상기 하부 플런저(120)의 하향 이탈을 방지하는 팁부(132)를 포함한다. 여기서, 상기 하부 플런저(120)는 상기 탄성부재(140)의 탄성바이어스력보다 더 큰 외력이 가해지는 경우 상기 상부 플런저(110)방향으로 상하이동 가능하다. 상기 팁부(132)는 상기 하부플런저(120)의 하향 이동을 규제하는 스톱퍼 역할을 한다.
또한, 상기 배럴(130)은 상기 상부 플런저(110)의 상기 팁부(111) 및 상기 하부 플런저(120)의 상기 팁부(121)가 각각 외부를 향해 노출되도록 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)를 수용한다.
한편, 상기 탄성부재(140)는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120) 사이에 배치되어 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로 이격되도록 탄성 바이어스 시킨다.
상기 탄성부재(140)는 도전성 금속으로 마련될 수 있다.
상기 도전성부재(150)는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)를 전기적으로 연결한다.
상기 도전성부재(150)의 일단이 상기 상부 플런저(110)의 상기 탄성부재 접촉부(115)에 접촉하고 그 타단이 상기 하부 플런저(120)의 상기 탄성부재 접촉부(123)에 접촉한다.
여기서, 상기 도전성부재(150)의 일단 및 타단은 상기 하부 플런저(120)의 상하 이동에 관계없이 상기 탄성부재 접촉부(115, 123(?))에 각각 접촉상태를 유지한다.
상기 도전성부재(150)는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로 이격되는 방향으로 탄성력을 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)에 가할 수 있다. 상기 도전성부재(150)는 도면에 도시된 바와 같이 코일 스프링 형상으로 마련될 수 있다. 여기서, 상기 도전성부재(150)의 외경은 상기 탄성부재(140)의 내경보다 작다. 이에 따라, 상기 도전성부재(150)는 상기 탄성부재(140) 내부에 수용될 수 있다.
상기 도전성부재(150)는 도전성 금속으로 마련될 수 있다. 경우에 따라서, 상기 도전성부재(150)는 도전성 러버 또는 플라스틱으로 마련될 수 있다. 상기 도전성 러버는 실리콘과 같은 비도전성재질에 다수의 금속볼이 포함되어 도전성을 띄는 것일 수 있다. 상술한 예는 일례에 불과하고, 통전 가능한 것이면 그 재질 및 형상에 관계없이 다양하게 채용 가능하다.
여기서, 상기 도전성부재(150)는 상기 배럴(130)과 동등이상의 전기전도도를 갖는 것이 바람직하다. 상기 배럴(130)은 상기 플런저(110, 120), 탄성부재(140) 및 도전성부재(150)를 수용하는 케이싱의 역할 및 통전기능을 하기 때문에 상대적으로 기계적강도(strength)가 높고 전기적 통전성능이우수한 물성(material property)의 재질이 상기 배럴(130)용으로 사용될 수 있다.
또한, 상기 도전성부재(150)는 상기 탄성부재(140)와 전기전도도가 동일하거나 상기 탄성부재(140)보다 전기전도도가 더 큰 재질로 마련될 수 있다.
여기서, 상기 도전성부재(150)는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)와 동일한 재질로 마련될 수 있다.
상기와 같이 구성된 프로브(100)는 소켓 하우징(210) 내에 수용된다.
상기 소켓 하우징(210)은 각각 상기 상부 플런저(110)의 상기 팁부(111) 및 상기 하부 플런저(120)의 상기 팁부(121)가 외부로 노출되도록 상기 프로브(100)를 수용 지지한다.
상기 반도체 디바이스(10)를 파지하는 핸들러(미도시)가 상기 반도체 디바이스(10)를 하향 가압하여 그것의 솔더볼(11)과 상기 상부 플런저(110)를 서로 접촉시키면 서로 접촉하고 있던 상기 하부 플런저(120) 및 상기 로드 보드(20)를 통해 상기 로드 보드(20)로부터의 검사신호(전류)가 상기 반도체 디바이스(10)까지 전달된다. 여기서, 상기 반도체 디바이스(10)를 하향 가압하는 경우에 발생하는 충격은 상기 탄성부재(140)에 의해 완충될 수 있다.
상기 테스터의 상기 로드보드(20)에서 인가된 검사신호(전류)는 다음과 같은 3가지 경로를 따라 상기 상부 플런저(110)를 통해 상기 반도체 디바이스(10)의 솔더볼(11)로 전달된다.
먼저, 상기 패드(21)에 접촉하는 상기 하부 플런저(121) -> 상기 탄성부재(140) -> 상기 상부 플런저(110)로 전달되는 제1경로가 있다.
또한, 상기 하부 플런저(121) -> 상기 도전성부재(150) -> 상기 상부 플런저(110)로 전달되는 제2경로가 있다.
또한, 상기 하부 플런저(121)의 몸체부(122)와 상기 배럴(130)의 상기 팁부(132)의 접촉에 의해 상기 하부 플런저(121) -> 상기 배럴(130) -> 상기 상부 플런저(110)로 전달되는 제3경로가 있다.
상기 3가지 경로는 병렬회로수가 3개인 폐회로와 동일한 구성을 갖게 되며 이로 인해 프로브(100) 전체의 저항값이 현저히 낮아져 검사신호를 안정적으로 전달 할 수 있게 된다.
여기서, 이상의 제1실시예에서는 상기 상부 플런저(110)를 상기 배럴(130)에 고정하고 상기 하부 플런저(120)가 상기 배럴(130)에 대해서 상하이동 가능하게 구성하였으나, 경우에 따라서는 상부 플런저(110)를 상하 이동 가능하게 하고 하부 플런저(120)를 배럴(130)에 고정하는 구성도 가능하다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브(100)와 내부에 도전성 부재(160)이 없는 경우의 프로브 간의 저항값을 대비한 그래프이다.
도전성 부재(160)로서 도 1에 도시된 바와 같이, 코일 스프링을 사용하였으며, 각각 100개의 프로브를 대상으로 테스트를 수행하였다.
각각의 프로브 별로 상부 플런저와 하부 플런저 간의 걸리는 총 저항값을 측정하여 평균 및 표준편차를 계산하였다. 여기서, 총 저항값은 상술한 하부플런저 -> 상부플런저간의 3가지 신호전달경로의 합산 저항을 의미한다.
도전성 부재(160)가 없는 경우([표 1]에서 'B'), 100개의 프로브에서 측정된 저항값(mΩ)을 살펴보면, 최대 90.8, 최소 18.9 이며, 평균 27.3, 표준편차 7.0으로 계산되었다.
반면, 도전성 부재(160)가 있는 본 발명의 제1실시예의 경우([표 1]에서 'A'), 동일한 개수에서 측정된 저항값을 살펴보면, 최대 41.6, 최소 15.0로 측정되었으며 평균 19.3, 표준편차 3.1로 계산되었다.
이를 표로 정리하면 다음과 같다.
표 1
측정된 저항[m] 평균 표준편차 최대값 최소값
A 19.3 3.1 41.6 15.0
B 27.3 7.0 90.8 18.9
정리하면, 본 발명의 제1실시예의 경우, 도전성 부재(160)를 내부에 배치함으로써 대략 30% 평균 저항값이 줄어들 뿐만 아니라 표준편차는 55%이상 작아진다. 제1실시예에 따른 프로브가 훨씬 안정적인 저항값을 가짐에 따라, 테스터와 반도체 디바이스 간의 검사신호를 안정적으로 전달할 수 있다.
한편, 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브(100a)는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 상부 플런저(110); 상기 하부 플런저(120); 상기 탄성부재(140); 도전성 부재(160) 및 상기 배럴(130)을 포함한다.
상기 제1실시예의 도전성 부재(150)의 경우, 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)에 양단이 접촉상태를 유지하고 있는 반면, 본 실시예의 도전성 부재(160)는 양단 중 적어도 한 단부가 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)에 접촉되지 않는다.
도 3 및 도 4에서는 상기 도전성 부재(160)의 일단만이 상기 상부 플런저(110)에 비접촉되도록 이격된 것으로 도시되어 있으나, 경우에 따라서는 양단 모두가 각각 상기 상부 및 하부 플런저(110, 120)로부터 이격되어 비접촉상태에 있을 수도 있다. 이 경우에는, 상기 도전성 부재(160)는 상기 배럴(130)에 연결되는 연결부(미도시)를 통해 상기 배럴(130)에 지지될 수도 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 도전성 부재(160)는 상기 탄성부재(140) 내부에 수용될 수 있다. 상기 도전성 부재(160)의 외경이 상기 탄성부재(140)의 내경 보다 작다.
상기 도전성 부재(160)의 일단은 상기 상부 플런저(110)로부터 소정 이격간격(G)만큼 이격되어 있으며, 그 타단은 상기 하부 플런저(120)에 접촉되어 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 칩(10)이 하향 이동되어 상기 솔더볼(11)이 상기 상부 플런저(110)에 접촉됨으로써 상기 프로브(100a)에 외력이 가해지지 않는 이상, 상기 탄성부재(140)에 의해 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)는 서로 이격된 상태에 있다. 이에 따라, 상기 도전성 부재(160)의 양단 중 적어도 어느 한 단부는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)로부터 이격되어 비접촉상태에 있다.
이때, 상기 도전성 부재(160)는 비가압상태에서 H1의 길이를 갖는다.
또한, 상기 상부 플런저(110)와 상기 하부 플런저(120) 사이의 간격은 G+H1이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 프로브(100a)에 외력이 가해지는 경우, 상기 탄성부재(140)의 탄성 바이어스력을 극복하면서 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로를 향해 접근 이동한다. 보다 정확하게 설명하면, 상기 상부 플런저(110)는 상기 배럴(130)에 고정되어 있고 상기 하부 플런저(120)는 상기 로드 보드(20)에 지지되어 있는 바, 상기 탄성부재(140)가 압축되어 상대적으로 상기 상부 플런저(110) 및 상기 배럴(130)이 하향 이동되어 상기 상부 플런저(110)의 상기 탄성부재 접촉부(115)가 상기 도전성 부재(160)에 접촉된다. 이에 따라, 상기 로드보드(20)로부터의 검사신호(전류)가 상기 도전성 부재(160) 및 상기 탄성부재(140)를 통해 상기 상부 플런저(110)를 경유하여 상기 반도체 디바이스(10)로 전달된다.
다시 말해, 본 제2실시예의 경우, 상기 도전성 부재(160)는 반도체 디바이스(10)의 검사가 수행될 때에만 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)에 동시에 접촉하고 검사가 수행되지 않을 때에는 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120) 둘 다 또는 그 중 어느 하나로부터는 이격되어 접촉되지 않는다.
여기서, 상기 반도체 디바이스(10)의 하향 가압에 의해 상기 배럴(130)이 하향 이동함에 따라 상기 배럴(130)의 내측과 상기 하부 플런저(120)의 외면이 서로 접촉하게 됨으로써 하부 플런저(120) -> 배럴(130) -> 상부플런저로의 전류이동 경로가 발생한다. 이와 함께 상기 하부 플런저(120) -> 탄성부재(140) -> 상부 플런저(110)가 접촉되는 경로와 상기 하부 플런저(120) -> 도전성부재(160) -> 상부 플런저(110)로 이어지는 또 다른 경로를 형성된다. 이에 따라, 보다 안정적으로 검사신호를 전달할 수 있다.
외력이 작용하기 전과 외력이 작용한 후의 상기 배럴(130)의 이동거리(J)는 상기 도전성 부재(160)와 상기 상부 플런저(110)간의 상기 소정 이격간격(G)과 같거나 상기 소정 이격간격(G)보다 크다. 여기서, 상기 이동거리(J)는 상기 배럴(130)의 팁부(132)의 외력 작용 전 위치(Y0)와 외력 작용 후의 위치(Y1)간의 차이에 해당한다.
다시 말해, 상기 외력이 작용한 후의 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120) 사이의 이격간격(H2)은 상기 도전성 부재(160)의 길이(H1)와 같거나(H2=H1) 그 보다 작다(H2<H1).
한편, 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브(100b)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 상부 플런저(110); 상기 하부 플런저(120); 상기 탄성부재(140); 도전성 부재(170) 및 상술한 구성을 수용하는 배럴(130)을 포함한다.
상술한 제2실시예의 상기 도전성 부재(160)는 코일 스프링 형상인 반면, 제3실시예의 상기 도전성 부재(170)는 원통형 튜브 형상으로 마련될 수 있다. 물론, 상기 도전성 부재(170)는 원통형이 아닌 다양한 형상의 관상체로 마련될 수 있다. 가령, 삼각형, 사각형 등의 다각형 단면의 관상체 또는 타원형 단면의 관상체로 마련될 수도 있다.
상기 하부 플런저(120)는 상기 도전성 부재(170)를 향해 돌출된 돌출부(124)를 더 포함할 수 있다. 상기 돌출부(124)에 상기 관상의 도전성 부재(170)가 압입될 수 있다.
상기 도전성 부재(170)는 비교적 얇은 두께의 전기전도도가 높은 금속으로 마련될 수 있다.
경우에 따라서, 상기 도전성 부재(170)는 도전성 합성수지로 마련될 수도 있다. 여기서, 상기 도전성 합성수지는 실리콘 레진 또는 러버와 같은 합성수지 내에 다수의 금속볼이 포함되어 통전이 가능한 형태로 마련될 수 있다. 물론, 통전 가능한 한 상기 도전성 부재(170)는 다양한 형태로 마련될 수도 있다.
경우에 따라서, 상기 도전성 부재(170)에 돌출부(미도시)가 형성되고 상기 하부 플런저(120)에 상기 돌출부가 압입될 수 있는 압입부(미도시)가 마련될 수도 있다. 상기 압입부(미도시)는 홈 또는 돌출부를 포함할 수 있다.
본 발명의 제4실시예에 따른 프로브(100c)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 상부 플런저(110); 상기 하부 플런저(120); 탄성부재(190); 도전성 부재(180) 및 상술한 구성요소(110, 120, 190, 180)를 수용하는 상기 배럴(130)을 포함한다.
상기 탄성부재(190)는 양단이 각각 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부 플런저(120)에 접촉되어 상기 상부 플런저(110) 및 상기 하부플런저(120)를 서로 멀어지는 방향으로 탄성 바이어스 시킨다.
상기 도전성 부재(180)는 상기 탄성부재(190) 외부에 배치된다. 다시 말해, 상기 도전성 부재(180)의 내경이 상기 탄성부재(190)의 외경보다 더 크다.
상기 도전성 부재(180)의 일단은 상기 상부 플런저(110)로부터 소정의 이격간격(G)만큼 이격되어 있고, 타단은 상기 하부 플런저(120)에 접촉상태를 유지하고 있다. 경우에 따라서는, 외력이 인가되지 않는 상태에서 상기 도전성 부재(180)의 양단 모두가 상기 상부 및 하부 플런저(110, 120)로부터 이격되도록 마련될 수도 있다. 외력이 인가되는 경우, 즉, 반도체 디바이스가 하향 이동하여 상부 플런저(110)를 가압하는 경우에만 상기 상부 및 하부 플런저(110, 120) 사이의 간격이 줄어들어 상기 도전성 부재(180)의 양단이 각각 상기 상부 및 하부 플런저(110, 120)에 접촉될 수도 있다.
한편, 본 발명의 제5실시예에 따른 프로브(100d)는 도 8에 도시된 바와 같이, 상하 이동 가능한 상부 플런저(110a); 상기 하부 플런저(120); 상기 상부 플런저(110a) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로 멀어지도록 탄성바이어스 시키는 상기 탄성부재(140); 상기 도전성 부재(150) 및 배럴(130a)을 포함한다.
제1 내지 제4실시예에서의 상부 플런저(110)는 배럴(130)에 고정되어 있었던 반면, 본 실시예의 상부 플런저(110a)는 배럴(130)에 대해 상하 이동 가능하다.
상기 배럴(130a)은 상기 상부 플런저(110a) 및 상기 하부 플런저(120)를 이동 가능하게 수용한다.
상기 배럴(130a)은 상기 상부 플런저(110a)의 상향 이탈을 방지하기 위해 내측으로 절곡된 팁부(133)를 더 포함한다.
상기 상부 플런저(110a)가 가압되는 경우 상기 상부 플런저(110a)가 하향 이동하여 상기 상부 플런저(110a)의 원뿔형 탄성부재 접촉부(115)가 상기 도전성 부재(150)에 접촉된다. 이에 따라, 상기 하부 플런저(120)로부터 상기 배럴(130a), 상기 도전성 부재(150) 및 상기 탄성부재(140)를 경유하여 검사신호(전류)가 상기 상부 플런저(110a)로 전달된다.
한편, 본 발명의 제6실시예에 다른 프로브(100e)는 도 9에 도시된 바와 같이, 상하 이동 가능한 상부 플런저(110a); 상기 하부 플런저(120); 상기 상부 플런저(110a) 및 상기 하부 플런저(120)가 서로 멀어지도록 탄성바이어스 시키는 상기 탄성부재(140); 상기 도전성 부재(170) 및 배럴(130a)을 포함한다.
한편, 상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 반도체 디바이스 및 상기 반도체 디바이스를 테스트 하기 위한 테스터 사이를 전기적으로 연결하기 위한 프로브에 있어서,
    상기 반도체 디바이스와 전기적으로 연결 가능한 상부 플런저와;
    상기 테스트와 전기적으로 연결 가능한 하부 플런저와;
    상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저 사이에 배치되어 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저가 서로 이격되도록 상기 상부 플런저 및 상기 하부 플런저를 탄성바이어스 시키는 탄성부재와;
    상기 탄성부재 내부 또는 외부에 배치되어 상기 상부 플런저와 상기 하부 플런저를 전기적으로 연결하는 도전성부재와;
    상기 상부 및 하부플런저, 상기 탄성부재 및 상기 도전성부재를 수용하는 배럴을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전성부재는,
    상기 상부플런저 및 상기 하부플런저 중 적어도 어느 하나가 다른 하나를 향해 접근 이동한 경우에만 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 프로브.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도전성부재는,
    상기 상부플런저 및 상기 하부플런저 중 적어도 어느 하나에 대해 선택적으로 접촉 가능한 것을 특징으로 하는 프로브.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도전성부재는,
    상기 상부플런저 및 상기 하부플런저가 서로 이격되도록 상기 상부플런저 및 상기 하부플런저에 탄성력을 가하는 것을 특징으로 하는 프로브.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 도전성부재는,
    도전성 코일 스프링 또는 도전성 러버 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
PCT/KR2010/006168 2010-06-30 2010-09-10 프로브 WO2012002612A1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/807,108 US9128120B2 (en) 2010-06-30 2010-09-10 Probe
JP2013518211A JP5591401B2 (ja) 2010-06-30 2010-09-10 プローブ（ｐｒｏｂｅ）
CN201080067768.0A CN102971842B (zh) 2010-06-30 2010-09-10 探针

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0063058 2010-06-30
KR1020100063058A KR101149758B1 (ko) 2010-06-30 2010-06-30 프로브

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012002612A1 true WO2012002612A1 (ko) 2012-01-05

Family

ID=45402300

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/006168 WO2012002612A1 (ko) 2010-06-30 2010-09-10 프로브

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9128120B2 (ko)
JP (1) JP5591401B2 (ko)
KR (1) KR101149758B1 (ko)
CN (1) CN102971842B (ko)
TW (1) TWI426274B (ko)
WO (1) WO2012002612A1 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013018809A1 (ja) * 2011-08-02 2015-03-05 日本発條株式会社 プローブユニット
KR101715735B1 (ko) * 2012-02-02 2017-03-14 리노공업주식회사 프로브
JP6150666B2 (ja) * 2013-08-19 2017-06-21 富士通コンポーネント株式会社 プローブ及びプローブの製造方法
GB201413225D0 (en) * 2014-07-25 2014-09-10 Sykes Robert J And Xyztec Bv Solder cleaning system
CN104280904A (zh) * 2014-09-26 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板检测头及检测装置、阵列基板检测方法
KR101591013B1 (ko) * 2014-09-29 2016-02-03 (주) 네스텍코리아 셀프결합형 프로브 핀
KR101641923B1 (ko) * 2014-11-27 2016-07-25 리노공업주식회사 콘택트 프로브
WO2016114506A1 (ko) * 2015-01-14 2016-07-21 주식회사 메가터치 이차전지의 충방전 테스트용 프로브
KR101715738B1 (ko) * 2015-03-03 2017-03-14 리노공업주식회사 테스트 소켓
TWI582434B (zh) * 2015-12-18 2017-05-11 吳俊杰 探針裝置
KR101869335B1 (ko) * 2016-01-29 2018-06-20 최선영 프로브 핀 및 그 제조방법
KR101841107B1 (ko) * 2016-04-27 2018-03-22 주식회사 아이에스시 양분형 탐침 장치
CN107688107B (zh) * 2016-08-04 2019-11-22 创意电子股份有限公司 测试装置与其探针连接器
TWI603089B (zh) * 2016-08-04 2017-10-21 創意電子股份有限公司 測試裝置與其探針連接器
KR101962707B1 (ko) * 2017-06-28 2019-03-27 주식회사 아이에스시 포고핀용 탐침부재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포고핀
KR101962702B1 (ko) * 2017-06-28 2019-03-27 주식회사 아이에스시 포고핀용 탐침부재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포고핀
KR101852867B1 (ko) 2017-09-16 2018-06-07 최병철 반도체 검사용 코킹 핀 제조장치
KR102026478B1 (ko) 2017-09-16 2019-09-27 최병철 반도체 검사용 시보리 핀 제조장치
KR101954086B1 (ko) * 2017-11-07 2019-03-06 리노공업주식회사 검사 프로브 조립체 및 검사 소켓
TWI671529B (zh) * 2017-12-22 2019-09-11 馬來西亞商宇騰精密探針集團 具有壓縮性彈簧組件的接觸探針
JP7063609B2 (ja) * 2017-12-26 2022-05-09 株式会社エンプラス プローブピン及びソケット
CN108267620A (zh) * 2018-01-26 2018-07-10 平湖市日拓电子科技有限公司 一种探针
KR102052929B1 (ko) * 2019-01-10 2019-12-11 주식회사 아이에스시 포고핀용 탐침부재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포고핀
KR102052918B1 (ko) * 2019-01-10 2019-12-11 주식회사 아이에스시 포고핀용 탐침부재, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 포고핀
CN113287024A (zh) * 2019-01-29 2021-08-20 株式会社友华 柱塞及接触探针
KR102212346B1 (ko) * 2019-12-17 2021-02-04 주식회사 제네드 프로브 핀
KR102216143B1 (ko) * 2019-12-24 2021-02-16 주식회사 아이에스시 검사용 탐침장치
KR102202827B1 (ko) * 2020-10-27 2021-01-14 (주) 네스텍코리아 프로브 핀 및 이를 적용한 동축 프로브 조립체
KR102393628B1 (ko) * 2022-01-11 2022-05-04 주식회사 아썸닉스 테스트 핀

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004279141A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Japan Electronic Materials Corp 垂直型コイルスプリングプローブ、この垂直型コイルスプリングプローブに用いられるコイルスプリング及びこの垂直コイルスプリングプローブを用いたプローブユニット
JP2006153723A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Japan Electronic Materials Corp 垂直型コイルスプリングプローブとこれを用いたプローブユニット
KR20090093738A (ko) * 2008-02-29 2009-09-02 리노공업주식회사 검사용 탐침 장치
JP2010135249A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Nec Corp 半導体パッケージ用ソケット

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4659987A (en) 1985-03-25 1987-04-21 Qa Technology Company Electrical circuit test probe and connector
US6396293B1 (en) 1999-02-18 2002-05-28 Delaware Capital Formation, Inc. Self-closing spring probe
JP3773396B2 (ja) * 2000-06-01 2006-05-10 住友電気工業株式会社 コンタクトプローブおよびその製造方法
US6700397B2 (en) * 2000-07-13 2004-03-02 The Micromanipulator Company, Inc. Triaxial probe assembly
KR200260960Y1 (ko) * 2001-10-18 2002-01-17 리노공업주식회사 칩 검사용 탐침장치
JP4274832B2 (ja) 2003-03-27 2009-06-10 株式会社エンプラス コンタクトユニット
JP2005114547A (ja) 2003-10-08 2005-04-28 Toyo Denshi Giken Kk コンタクトプローブとこれを用いたコンタクト機器
SG131790A1 (en) 2005-10-14 2007-05-28 Tan Yin Leong Probe for testing integrated circuit devices
KR100659944B1 (ko) 2005-12-23 2006-12-21 리노공업주식회사 플런저 및 이를 장착한 검사용 탐침장치
JP4907171B2 (ja) 2005-12-28 2012-03-28 日本発條株式会社 プローブピン
US7545159B2 (en) 2006-06-01 2009-06-09 Rika Denshi America, Inc. Electrical test probes with a contact element, methods of making and using the same
KR100977491B1 (ko) 2008-03-17 2010-08-23 리노공업주식회사 반도체 칩 검사용 탐침 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004279141A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Japan Electronic Materials Corp 垂直型コイルスプリングプローブ、この垂直型コイルスプリングプローブに用いられるコイルスプリング及びこの垂直コイルスプリングプローブを用いたプローブユニット
JP2006153723A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Japan Electronic Materials Corp 垂直型コイルスプリングプローブとこれを用いたプローブユニット
KR20090093738A (ko) * 2008-02-29 2009-09-02 리노공업주식회사 검사용 탐침 장치
JP2010135249A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Nec Corp 半導体パッケージ用ソケット

Also Published As

Publication number Publication date
KR101149758B1 (ko) 2012-07-11
TW201200879A (en) 2012-01-01
US9128120B2 (en) 2015-09-08
TWI426274B (zh) 2014-02-11
JP5591401B2 (ja) 2014-09-17
CN102971842B (zh) 2016-02-10
KR20120002264A (ko) 2012-01-05
JP2013529789A (ja) 2013-07-22
CN102971842A (zh) 2013-03-13
US20130099811A1 (en) 2013-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012002612A1 (ko) 프로브
WO2011149203A2 (ko) 스프링 콘택트 구조
WO2014129784A1 (ko) 고밀도 도전부를 가지는 테스트용 소켓
WO2011152588A1 (ko) 전자부품 검침 프로브
WO2013165174A1 (ko) 검사용 탐침장치 및 검사용 탐침장치의 제조방법
WO2009145416A1 (ko) 반도체 칩 검사용 소켓
WO2016126024A1 (ko) 결합 형상의 도전성 입자를 가지는 검사용 소켓
WO2017023037A1 (ko) 테스트용 소켓
WO2014204161A2 (ko) 검사용 인서트
WO2012124867A1 (ko) 반도체 디바이스의 검사장치
WO2011002125A1 (ko) 검사용 탐침 장치
WO2015099431A1 (ko) 반도체 디바이스 얼라인 소켓유닛 및 이를 포함하는 반도체 디바이스 검사장치
WO2019235874A1 (ko) 일체형 하우징이 가능한 일체형 포고 핀
WO2021137527A1 (ko) 테스트 소켓 조립체
WO2023128428A1 (ko) 신호 손실 방지용 테스트 소켓
WO2020096238A1 (ko) 도전성 입자 및 이를 갖는 신호 전송 커넥터
WO2017188595A1 (ko) 양분형 탐침 장치
WO2018208117A1 (ko) 검사용 소켓
WO2021241992A1 (ko) 전기접속용 커넥터
WO2019045426A1 (ko) 검사용 소켓 및 도전성 입자
WO2017061651A1 (ko) 전기 단자 테스트용 컨택 핀
WO2023136439A1 (ko) 테스트 핀
WO2020209583A1 (ko) 테스트 소켓
WO2015076614A1 (ko) 하나의 절연성 몸체로 구성되는 소켓
WO2020230945A1 (ko) 스프링 콘택트 및 스프링 콘택트 내장 소켓

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080067768.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10854158

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013518211

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13807108

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10854158

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1