WO2011085931A1 - Varaktor und verfahren zur herstellung eines varaktors - Google Patents

Varaktor und verfahren zur herstellung eines varaktors Download PDF

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WO2011085931A1
WO2011085931A1 PCT/EP2010/070422 EP2010070422W WO2011085931A1 WO 2011085931 A1 WO2011085931 A1 WO 2011085931A1 EP 2010070422 W EP2010070422 W EP 2010070422W WO 2011085931 A1 WO2011085931 A1 WO 2011085931A1
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WO
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ptc
region
electrode
dielectric layer
varactor
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Application number
PCT/EP2010/070422
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English (en)
French (fr)
Inventor
Andrea Testino
Original Assignee
Epcos Ag
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/04—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
    • H01G7/06—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type

Definitions

  • Varactor and method of making a varactor There is provided a varactor according to claim 1.
  • a common problem of varactors is to achieve good dielectric compliance.
  • Varactors are voltage tunable capacitors in which the capacitance is dependent on a voltage applied thereto, or the capacitance can be changed by a change in the applied voltage. Varactors are used, for example, in high-frequency circuits in which an electrical vote takes place, such as
  • Varactors can be used as frequency filters, for example for radio and radio frequencies, which can be electrically tuned.
  • Semiconductor diode varactors have only a low quality factor, a low load capacity and a limited capacity range.
  • Ferroelectric material is tuned by changing the bias, however, has a high quality factor, a high load capacity and at the same time a large
  • An object of embodiments of the invention is to provide a varactor in which the capacitance of the capacitor region can be varied in different ways.
  • the object is achieved by a varactor according to claim 1.
  • a first PTC region comprising a ceramic material having a positive temperature coefficient with respect to
  • a capacitor area comprising:
  • Capacitor area are created. In embodiments of the invention, it is additionally possible to increase the capacity of the
  • Capacitor area also by applying a bias voltage to change the PTC range. Furthermore, it is possible to change the capacitance of the capacitor by simultaneously applying in each case an independent voltage both to the PTC region and to the capacitor region. Thus, there are three ways to vary the capacitance of the capacitor area.
  • the temperature of this region can be controlled. Because the PTC region is thermally conductive with the
  • Temperature change of the first dielectric layer for example, change the dielectric constant of the first dielectric layer, which is a change of
  • the first PTC region is adjustable by applying a voltage to a temperature at which the first dielectric layer has a maximum tunability with respect to the dielectric.
  • Bias voltage for example, 0 V
  • s Umax the maximum bias
  • Dielectric constant ⁇ of the first dielectric layer can be influenced by the application of a bias, the greater the tunability n with respect to the dielectric. Here it is desirable, one possible great tunability to achieve. Due to the fact that in a varactor according to the invention there are two separate possibilities for increasing the capacitance of the capacitor region
  • the varactor can be tuned over a very wide range.
  • the first PTC region is adjustable by applying a voltage to a temperature at which the dielectric loss of the
  • Capacitor range is adjustable.
  • Another goal in addition to the maximum tunability is to be able to adjust the dielectric loss ⁇ of the capacitor area.
  • the dielectric loss ⁇ should be set to the lowest possible value.
  • the first PTC region can be adjusted by applying a voltage to a temperature at which the varactor has as high a potential as possible
  • the quality factor K also called Q-factor, is a measure of certain properties of a vibrating system, such as a resonant circuit.
  • the quality factor K is a measure of certain properties of a vibrating system, such as a resonant circuit.
  • the first PTC region is arranged on the first electrode. Under “arranged on” is related to this
  • Layers / areas can be even more layers / areas.
  • the heat generated in the first PTC region by the application of a bias voltage can be transmitted to the first dielectric layer via the first electrode, which is made, for example, from a material which has a very high thermal conductivity.
  • the first electrode may for example comprise a metal for this purpose.
  • the first PTC region is made of a ceramic material with a positive
  • the first PTC region has a dopant.
  • the dopant may be, for example, Pb, Ca, Sn, Zr, Sr, Bi, Hf or a combination of these ions
  • the temperature range that can be achieved by applying the bias voltage can be varied.
  • the temperature range can be increased by the doping, whereby more heat can be generated, which on the capacitor area or the first dielectric
  • the dopants may, for example, also be Si, Al, B, Cu, Zn and combinations of these elements.
  • the sintering behavior such as the shrinkage or the thermal expansion coefficient
  • the sintering behavior of the first PTC region is based on the sintering behavior of the
  • the first PTC area can also be used with
  • Transition metals / transition metal oxides or
  • Rare earth metals / rare earth metal oxides and combinations thereof may be doped.
  • the varactor additionally comprises a first intermediate layer, which is arranged between the first PTC region and the first electrode and which is largely impermeable to the dopants.
  • the first intermediate layer is completely impermeable to the dopants.
  • the intermediate layer largely or completely impermeable to the dopants.
  • Dopants of the first PTC region is ensured by the first interlayer, that both during the sintering process, as well as during operation of the varactor no dopants from the first PTC region in the
  • Capacitor area can get. Thus, the functionality of the capacitor area is not affected by the
  • Intermediate layer may in this case comprise, for example, elements from group 2A. These may be present, for example, as oxides.
  • the first intermediate layer can with
  • transition metals may also be present as oxides.
  • the element from group 2A and the transition metal preferably form a compound having acceptor properties.
  • the varactor additionally comprises a second dielectric layer, which is arranged between the first intermediate layer and the first electrode.
  • the second dielectric layer has a good thermal conductivity.
  • the same material may be used for the second dielectric layer as for the first one
  • the second electrode dielectric layer Preferably, the second
  • dielectric layer has a similar sintering behavior as the first dielectric layer.
  • the varactor additionally comprises a second PTC region, which is thermally conductively connected to the capacitor region.
  • the varactor additionally comprises a second intermediate layer which is between the second PTC region and the second electrode is arranged. This second intermediate layer is correspondingly largely impermeable to the dopants of the second PTC region.
  • the varactor additionally comprises a third dielectric layer, which is between the second intermediate layer and the second
  • Electrode is arranged.
  • the third dielectric layer according to advantageous embodiments apply, as they were mentioned in connection with the second dielectric layer.
  • Capacitor region of a layer stack and the first PTC region and the second PTC region are on two opposite sides of the capacitor region
  • the layer stack advantageously comprises superimposed ceramic films, wherein the topmost and bottom foils are constituents of the first and second capacitor regions.
  • the first PTC region has an electrical contact.
  • electrical contacting does not mean the first electrode of the capacitor region.
  • electrical contact for example, an external Electrode
  • voltage can be applied to the first PTC range without voltage being applied to the capacitor area.
  • the first PTC region can be supplied with voltage independently of the capacitor region.
  • the second PTC region has an electrical contact.
  • Contacting the first PTC area may be formed.
  • Electrode an additional electrical contact.
  • the first PTC region comprises Bai-x Srx Ti-y Zry Os, where 0 ⁇ x ⁇ 1; 0 ⁇ y ⁇ 1.
  • the first PTC region may additionally comprise dopants.
  • the second PTC region Bai x Sr x Tii_ y Zr y 0 3 , where: 0 ⁇ x ⁇ 1; 0 ⁇ y ⁇ 1.
  • the first comprises
  • Barium titanate or its corresponding doped variants may be ferroelectrics.
  • Ferroelectrics are a class of
  • the first dielectric layer comprises one of the following ions or combinations thereof: Pb, Ca, Sn, Zr, Sr, Bi, Hf.
  • the Curie temperature T c at which the phase transition occurs can be shifted.
  • the Curie temperature T c can thereby be shifted into a temperature range which is achieved in the first dielectric layer by the heat supply from the PTC region.
  • the dielectric constant ⁇ of the first dielectric layer can be changed.
  • the first dielectric layer comprises one of the following dopants or combinations thereof: Ni, Al, Mg, Fe, Cr, Mn.
  • the first dielectric layer comprises one of the following dopants or combinations thereof: Si, Al, B, Cu, Zn.
  • the shrinkage behavior or the thermal expansion coefficient of the first dielectric layer can be influenced.
  • all dielectric layers of the varactor have a comparable sintering behavior.
  • the first dielectric layer can also consist of a mixture of different ceramic phases, namely, for example, a perovskite phase and a further dielectric ceramic with a lower dielectric constant, such as zirconates, silicates, titanates, aluminates, stannates, niobates, tantalates or rare earth metal oxides. Furthermore, the first dielectric layer may comprise elements of the group 1A and 2A.
  • Dielectric layer may also comprise the following elements or their oxides: Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W.
  • the first dielectric layer may also comprise the following elements or their oxides: Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W.
  • the first dielectric layer may also comprise the following elements or their oxides: Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W.
  • the first dielectric layer may also comprise the following elements or their oxides: Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W.
  • Dielectric layer with respect to the sintering behavior apply in an analogous manner to other dielectric layers of the varactor.
  • the second and / or third dielectric layer Bai x Sr x Tii_ y Zr y 0 3 where: 0 ⁇ x ⁇ 1; 0 ⁇ y ⁇ 1.
  • the varactor has a symmetrical construction with respect to the first dielectric layer.
  • the corresponding layers each have the same same layer thickness, as well as the same outer dimensions.
  • the respective layers each have the same
  • Symmetrieebene which passes through the first dielectric layer, all transferred on the one side of the first dielectric layer located layers also on the other opposite side.
  • the benefits discussed in relation to the first page apply accordingly to the opposite side.
  • the first dielectric layer is heated from both sides the same, ie with the same thickness and with the same heat distribution over the adjoining surfaces.
  • a temperature gradient in the first dielectric layer is avoided from one to the other electrode, and by the heating of the first
  • Dielectric layer occurring tuning effect thus occurs also symmetrically in this.
  • Dielectric layer occurring tuning effect thus occurs also symmetrically in this.
  • Varactor molded as a surface mountable device is the
  • Varactor thermally isolated from the environment This can be done for example by means of a material which has a low thermal conductivity.
  • the varactor may be sheathed, for example, with this material.
  • the layer thickness of the first dielectric layer disposed between the first electrode and the second electrode is 14.5 ym.
  • the first electrode and the second electrode are each made of Pd.
  • a method for producing the varactor is claimed.
  • the method comprises
  • Capacitor region can be changed by applying a bias voltage to the first PTC region, the capacitor region or the first PTC region and the capacitor region.
  • such a method can be used to produce a varactor as described above.
  • Process step A) generates a first PCT region comprising dopants, and a first intermediate layer
  • the first intermediate layer is completely impermeable to ions.
  • Intermediate layer in process step A) can be prevented in the following process step B), the sintering, as well as during operation of the varactor migration of dopants, for example, from the first PTC region in the first dielectric layer. This avoids that, for example, dopants in the
  • the layer stack in method step A) can be any of the previously mentioned layers in addition to the already mentioned layers
  • the layer described in connection with the varactor comprise
  • the ceramic layers can be used to reduce the
  • a sintering aid such as a glass phase
  • This can be a
  • LTCC low temperature co-fired ceramic
  • the sintering temperature is in a range of 800 ° C to 1600 ° C.
  • an electrical contacting is applied to the first PTC region in an additional process step.
  • an electrical contacting is applied to the second PTC region in an additional method step.
  • the application of the electrical contact can be any convenient application of the electrical contact.
  • first electrode and the second electrode can be used.
  • Pd can be used.
  • the individual layers / regions are sintered before they are joined together to form a layer stack.
  • Joining can be done for example by means of an adhesive.
  • the adhesive may include, for example, an epoxy.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a first embodiment of a device according to the invention
  • Figure 2 shows a schematic cross section through a
  • Embodiment of a varactor according to the invention which has a symmetrical structure with respect to the first dielectric layer.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through a
  • Embodiment of a varactor according to the invention which in each case has electrical contacts at the two PTC regions.
  • Figure 4 shows a schematic cross section through a
  • FIG. 5 shows the profile of the dielectric constant ⁇ and the dielectric loss tan ⁇ in Dependence on the bias voltage applied to the PTC area.
  • FIG. 6 shows the course of the capacity
  • Bias on the first dielectric layer for different bias voltages at the PTC region.
  • Figure 8 shows the quality factor K plotted against the
  • Bias on the first dielectric layer for different bias voltages at the PTC region.
  • Figure 10 shows the tunability applied against the
  • FIG. 1 shows a schematic cross section
  • Embodiment of a varactor according to the invention comprises a capacitor region 3, which comprises a first dielectric layer 1, on the upper side of which a first electrode 2 and on its underside a second electrode 2
  • Electrode 2 ' is arranged. On the first electrode 2, a first PTC region 4 is arranged. By applying a bias voltage to the first PTC region 4 is generated in this heat, which via the first electrode 2 to the first
  • the dielectric layer 1 is forwarded.
  • the capacitance of the capacitor region 3 can be changed.
  • FIG. 2 shows, in a schematic cross-section, a further exemplary embodiment of a varactor, which has a symmetrical construction with respect to the first dielectric layer 1.
  • the varactor includes the following
  • Layers / regions a second PTC region 9, a second intermediate layer 8, a third dielectric layer 7, a second electrode 2 ', a first dielectric layer 1, a first electrode 2, a second dielectric layer 5, a first intermediate layer 6 and a first PTC area 4.
  • the first dielectric layer 1, the first electrode 2 and the second electrode 2 form the first dielectric layer
  • Biasing be applied, which is discharged from these two PTC regions each heat in the direction of the first dielectric layer 1.
  • the first intermediate layer 6 and the second intermediate layer 8 prevent dopants from migrating in the direction of the second dielectric layer 5 and the third dielectric layer 7, respectively, from the adjoining PTC regions. This ensures that no dopants in the
  • Symmetrical construction of the varactor with respect to the first dielectric layer 1 ensures that the first dielectric layer 1 can be heated to the same extent both from the top and from the bottom.
  • the first PTC region 4 and the second PTC region 9 are each formed by 25 layers of Bao, 7 sSro, 2 5 T 1 O 3 (BST).
  • the BST is doped with 0.3 at% Nb and 0.05 at% Mn.
  • the first intermediate layer 6 and the second intermediate layer 8 are each formed by a layer of MgO, which is doped with 1 wt% T 1 O 2, whereby a magnesium titanate (MT) is present.
  • the second dielectric layer 5 and the third dielectric layer 7 are each formed by 23 layers Bao, 7 sSro, 2 5 T 1 O 3 .
  • Capacitor region 3 comprises two layers Bao, 7sSro, 2sTi0 3 , in which the upper side of the first layer and the lower side of the second layer are provided with Pd electrodes which form the first electrode 2 and the second electrode 2 ', respectively.
  • the undoped layers of BST in this case have a layer thickness of 20 ym, the doped BST layers have a layer thickness of 35 ym.
  • Interlayers each have a layer thickness of 200 ym.
  • the individual layers / areas each have a base area of 10 ⁇ 10 cm.
  • Such a varactor for example, by sintering the corresponding green parts for two hours at 1350 ° C.
  • the first intermediate layer and the second intermediate layer each consisting of MgO doped with 1 wt% T 1 O 2 (MT), have several advantageous functions.
  • the intermediate layers allow the doped layers / regions and the undoped ones
  • dielectric layers can be sintered together.
  • the dopants from the PTC Were migrated during the sintering process in the dielectric layers.
  • the dielectric layers were electrically conductive, which has significantly impaired the functionality of the varactor.
  • the MT layers function both as a physical diffusion barrier and as a chemical barrier, since Mg 2+ acts as an acceptor.
  • Mg 2+ acts as an acceptor.
  • Mg 2+ can compensate for the donor effect of the BST dopants.
  • Another positive effect recognized by the inventors is that Mg 2+ ions migrate into the dielectric layers during the sintering process and also have an acceptor effect there. This acceptor effect reduces the dielectric loss of the capacitor region.
  • the inventors have found that the presence of Mg 2+ during the sintering process reduces the number of oxygen vacancies. As a result, the grain size growth is limited, so that the grain size does not exceed the desired level. Comparative measurements without the intermediate layers comprising Mg 2+ have shown that the grain size increases beyond a value of 100 ym, which reduces the dielectric constant ⁇ and increases the dielectric loss ⁇ .
  • FIG. 3 shows, in a schematic cross-section, a further exemplary embodiment of a varactor which corresponds to that of FIG. 2 and additionally has electrical contacts 10/10 'on the first PTC region 4 and the second PTC region 9.
  • the electrical contacts 10 and 10 ' are formed as external electrodes. Via the electrical contacts 10, a voltage can be applied to the first PTC region 4, via the electrical
  • FIG. 4 shows, in a schematic cross-section, a further exemplary embodiment of a varactor which corresponds to that of FIG. 2 and additionally comprises electrical contacts 11. These are on the first dielectric layer 1, the first electrode 2 and the second electrode 2 '.
  • the electrical contacts 11 are in this case electrically conductively connected to these three layers. A voltage can thus be applied directly to the first dielectric layer 1 via the electrical contacts 11, and indirectly via the first electrode 2 and the second
  • Electrode 2 the voltage can be applied via the electrical contacts 11, with which the varactor is operated, this may, for example, to
  • AC voltage as well as the bias voltage with which the first dielectric layer 1 can be tuned this may be, for example, DC voltage
  • Embodiment of a varactor according to the invention both electrical contacts 11 for contacting the
  • Capacitor region 3 as well as separate contacts 10 and 10 'for contacting the first PTC region 4 or
  • second PTC area 9 are present.
  • the following is a second concrete
  • the electrical contacts 10 and 10 ' which are arranged on the same side, are
  • Bias can be applied to the first PTC region 4 and the second PTC region 9.
  • the resistance of the varactor was measured between the two Ni electrodes ⁇ 300 ⁇ .
  • the second concrete embodiment further comprises two electrical contacts 11. In this case
  • Embodiment protrude the first electrode 2 and the second electrode 2 'only on the side surfaces to the outside.
  • the electrical contacts 11, which in this case comprise Ag, are thus connected in an electrically conductive manner to both the first dielectric layer 1, as well as to the first electrode 2 and the second electrode 2 '.
  • electrical contacts 11 are each located on one of the two side surfaces. About the electrical
  • the voltage with which the varactor is operated this may be, for example, AC voltage, as well as the bias voltage with the first dielectric layer.
  • Contacts 10 and 10 ' may be applied, for example, by printing on Ni paste, which is subsequently fired.
  • the electrical contacts 11 can also be applied by the printing of metal paste and subsequent annealing.
  • Bao, 75 Sro, 2 5 T1O 3 was achieved in a temperature range of 50 to 51 ° C. This temperature range was reached in the first dielectric layer 1 by applying a bias between 10.5 and 8 V at the PTC regions 4 and 9. The current was less than 10 mA. The temperatures that could be achieved for the dielectric layer 1 ranged from room temperature to over 200 ° C.
  • the dielectric constant ⁇ and the dielectric loss tan ⁇ are in each case opposite to the bias voltage, which was applied to the PTC area (U-PTC), plotted.
  • the two arrows in the figure indicate which of the two curves belongs to which Y-axis.
  • the curve of the dielectric constant ⁇ in this case has a maximum in the range of about 8 V, after which the curve steeply drops towards higher voltages.
  • the dielectric loss curve tan ⁇ falls slightly in the range 0 to 6 V, then very steeply in the range between 6 and 9 V. For voltages greater than 9 V, the curve falls only slightly, or at values of greater than 12 V as good as no longer off.
  • Figure 6 shows the curves of the capacitance C and the dielectric constant ⁇ , respectively, against the
  • Bias are applied to the first dielectric layer (BV). The measurement was for each
  • FIG. 7 shows the tunability n plotted against the bias applied to the first dielectric layer (BV).
  • the tunability n was measured for different PTC range biases.
  • the different PTC range biases are at the given respective curves in volts.
  • the highest tunability n was achieved for a PTC range bias of 7.8 V and 7.5 V.
  • the maximum value achieved for tunability n is 6.02, which corresponds to a relative tunability of 83.3%.
  • This value was achieved at a PTC range bias of 7.5 V and a bias on the first dielectric layer (BV) of -40 and +40 V, respectively, which corresponds to 2.75 V / ym.
  • FIG. 8 shows the quality factor K plotted against the PTC range bias voltage (U-PTC).
  • the bias voltage at the first dielectric layer was kept constant at 40 V in this measurement.
  • the maximum of the quality factor K was achieved for a PTC range bias of 8.1V. This is a consequence, inter alia, of the dielectric loss ⁇ sharply decreasing in the range between 6 and 8 V, as shown in FIG.
  • Bias on the first dielectric layer were made for different PTC range biases, indicated at the respective curves in volts. The highest quality factor K was achieved for a PTC range bias of 8.1V.
  • the tunability n is plotted against the bias on the first dielectric layer (BV).
  • RT room temperature
  • T c Curie temperature
  • higher tunabilities could be achieved both in the low field (LV) and in the high field (HV) be achieved.
  • LV low field
  • HV high field

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

Varaktor umfassend die folgenden Bestandteile: einen ersten PTC-Bereich (4), welcher ein Keramikmaterial mit einem positiven Temperaturkoeffizienten bezüglich des Widerstandes umfasst, und einen Kondensatorbereich (3) umfassend: eine erste Elektrode (2), eine zweite Elektrode (2'), eine erste dielektrische Schicht (1), welche zwischen der ersten Elektrode (2) und der zweiten Elektrode (2') angeordnet ist, wobei der erste PTC-Bereich (4) und der Kondensatorbereich (3) thermisch leitend miteinander verbunden sind, und die Kapazität des Kondensatorbereichs (3) durch das Anlegen einer Vorspannung an den ersten PTC-Bereich (4), den Kondensatorbereich (3), oder den ersten PTC-Bereich (4) und den Kondensatorbereich (3), veränderbar ist.

Description

Beschreibung
Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors Es wird ein Varaktor nach dem Anspruch 1 angegeben.
Ein weit verbreitetes Problem von Varaktoren ist es, eine gute Durchstimmbarkeit im Hinblick auf die Dielektrizität zu erzielen .
Varaktoren sind spannungsabstimmbare Kondensatoren, bei denen die Kapazität von einer daran anliegenden Spannung abhängig ist, beziehungsweise die Kapazität durch eine Änderung der anliegenden Spannung verändert werden kann. Varaktoren finden beispielsweise Anwendung in Hochfrequenzschaltungen, bei denen eine elektrische Abstimmung stattfindet, wie
beispielsweise in Filtern oder Phasenschiebern. Varaktoren können als Frequenz-Filter, beispielsweise für Funk- und Radiofrequenzen, welche elektrisch abgestimmt werden können, eingesetzt werden. Halbleiterdioden-Varaktoren weisen nur einen geringen Gütefaktor, eine niedrige Belastbarkeit und einen begrenzten Kapazitätsbereich auf. Ein ferroelektrischer Varaktor, bei dem die Kapazität beispielsweise durch
Variieren der Dielektrizitätskonstante eines
ferroelektrischen Materials mittels Änderung der Vorspannung abgestimmt wird, weist hingegen einen hohen Gütefaktor, eine hohe Belastbarkeit und gleichzeitig einen großen
Kapazitätsbereich auf. Eine Aufgabe von Ausführungsformen der Erfindung besteht darin, einen Varaktor bereitzustellen, bei dem die Kapazität des Kondensatorbereichs auf unterschiedliche Weise verändert werden kann. Die Aufgabe wird durch einen Varaktor nach dem Anspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen des Varaktors und
Verfahren zu dessen Herstellung sind Gegenstand weiterer abhängiger Patentansprüche.
Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft einen Varaktor umfassend die folgenden Bestandteile:
- einen ersten PTC-Bereich, welcher ein Keramikmaterial mit einem positiven Temperaturkoeffizienten bezüglich des
Widerstandes umfasst, und
- einen Kondensatorbereich umfassend:
-- eine erste Elektrode,
-- eine zweite Elektrode,
-- eine erste dielektrische Schicht, welche zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist,
wobei der erste PTC-Bereich und der Kondensatorbereich thermisch leitend miteinander verbunden sind, und
die Kapazität des Kondensatorbereichs durch das Anlegen einer Vorspannung an:
- den ersten PTC-Bereich,
- den Kondensatorbereich,
- den ersten PTC-Bereich und den Kondensatorbereich,
veränderbar ist.
Bei einem solchen erfindungsgemäßen Varaktor ist es möglich, die Kapazität des Kondensatorbereiches auf unterschiedliche Art und Weise zu verändern. Die Vorspannung kann hierbei, wie auch bei den herkömmlichen Varaktoren, an den
Kondensatorbereich angelegt werden. Bei Ausführungsformen der Erfindung ist es zusätzlich möglich, die Kapazität des
Kondensatorbereiches auch durch das Anlegen einer Vorspannung an den PTC-Bereich zu verändern. Des Weiteren besteht die Möglichkeit, die Kapazität des Kondensators auch durch ein zeitgleiches Anlegen von jeweils einer unabhängigen Spannung sowohl an den PTC-Bereich wie auch an den Kondensatorbereich zu ändern. Somit ergeben sich also drei Möglichkeiten, die Kapazität des Kondensatorbereichs zu variieren.
Durch das Anlegen einer Vorspannung an den PTC-Bereich kann die Temperatur dieses Bereiches gesteuert werden. Dadurch, dass der PTC-Bereich thermisch leitend mit dem
Kondensatorbereich und somit auch thermisch leitend mit der ersten dielektrischen Schicht verbunden ist, wird die im PTC- Bereich durch die Vorspannung erzeugte Wärme in die erste dielektrische Schicht übertragen. Durch die
Temperaturänderung der ersten dielektrischen Schicht kann sich beispielsweise die Dielektrizitätskonstante der ersten dielektrischen Schicht ändern, was eine Veränderung der
Kapazität des Kondensatorbereichs zur Folge hat. In einer Ausführungsform der Erfindung ist der erste PTC- Bereich durch Anlegen einer Spannung auf eine Temperatur einstellbar, bei der die erste dielektrische Schicht eine maximale Durchstimmbarkeit im Hinblick auf die Dielektrizität aufweist .
Als Durchstimmbarkeit n ist hierbei der Unterschied der
Dielektrizitätskonstanten ε zwischen der minimalen
Vorspannung (sUmin ) , beispielsweise 0 V, und der maximalen Vorspannung (sUmax) zu verstehen. Je stärker also die
Dielektrizitätskonstante ε der ersten dielektrischen Schicht durch das Anlegen einer Vorspannung beeinflusst werden kann, desto größer ist die Durchstimmbarkeit n im Hinblick auf die Dielektrizität. Hierbei ist es erstrebenswert, eine möglichst große Durchstimmbarkeit zu erzielen. Dadurch, dass bei einem erfindungsgemäßen Varaktor zwei separate Möglichkeiten bestehen, die Kapazität des Kondensatorbereiches zu
verändern, welche zu einer dritten Möglichkeit kombiniert werden können, kann der Varaktor über einen sehr breiten Bereich durchgestimmt werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der erste PTC-Bereich durch Anlegen einer Spannung auf eine Temperatur einstellbar, bei der der dielektrische Verlust des
Kondensatorbereiches einstellbar ist.
Ein weiteres Ziel neben der maximalen Durchstimmbarkeit ist es, auch den dielektrischen Verlust δ des Kondensator- bereiches einstellen zu können. Der dielektrische Verlust δ soll hierbei auf einen möglichst geringen Wert eingestellt werden .
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der erste PTC-Bereich durch Anlegen einer Spannung auf eine Temperatur einstellbar, bei der der Varaktor einen möglichst hohen
Gütefaktor aufweist.
Der Gütefaktor K, auch Q-Faktor genannt, ist ein Maß für bestimmte Eigenschaften eines schwingenden Systems, wie beispielsweise eines Schwingkreises. Der Gütefaktor
beschreibt unter anderem das Verhältnis der Durchstimmbarkeit zum dielektrischen Verlust: K = (l-n)2/[(n · tan5(Umax) · tanö (umin) ] / wobei n gegeben ist durch: n = sUmin/sUmax.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der erste PTC-Bereich auf der ersten Elektrode angeordnet. Unter "angeordnet auf" ist im Zusammenhang mit dieser
Erfindung zu verstehen, dass sich zwischen den beiden
Schichten/Bereichen auch noch weitere Schichten/Bereiche befinden können. Die im ersten PTC-Bereich durch das Anlegen einer Vorspannung erzeugte Wärme kann hierbei über die erste Elektrode, welche beispielsweise aus einem Material gefertigt ist, welches über eine sehr große thermische Leitfähigkeit verfügt, auf die erste dielektrische Schicht übertragen werden. Die erste Elektrode kann hierfür beispielsweise ein Metall umfassen.
In einer Ausführungsform der Erfindung besteht der erste PTC- Bereich aus einem Keramikmaterial mit einem positiven
Temperaturkoeffizienten bezüglich des Widerstandes, d.h. der gesamte erste PTC-Bereich wird durch das Keramikmaterial ausgebildet .
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der erste PTC-Bereich einen Dotierstoff auf.
Bei dem Dotierstoff kann es sich beispielsweise um Pb, Ca, Sn, Zr, Sr, Bi, Hf oder eine Kombination dieser Ionen
handeln. Durch die Dotierung des PTC-Bereiches mit diesen Elementen kann der Temperaturbereich, der durch das Anlegen der Vorspannung erreicht werden kann, variiert werden. Somit kann beispielsweise der Temperaturbereich durch die Dotierung erhöht werden, wodurch mehr Wärme erzeugt werden kann, welche auf den Kondensatorbereich bzw. die erste dielektrische
Schicht übertragen werden kann.
Bei den Dotierstoffen kann es sich beispielsweise auch um Si, AI, B, Cu, Zn und Kombinationen dieser Elemente handeln.
Durch eine Dotierung mit diesen Elementen kann beispielsweise das Sinterverhalten, wie das Schrumpf erhalten oder der thermische Ausdehnungskoeffizient, beeinflusst werden.
Vorteilhafterweise ist das Sinterverhalten des ersten PTC- Bereiches hierbei auf das Sinterverhalten des
Kondensatorbereiches abgestimmt.
Der erste PTC-Bereich kann des Weiteren auch mit
Übergangsmetallen/Übergangsmetalloxiden oder
Seltenerdmetallen/Seltenerdmetalloxiden und Kombinationen daraus dotiert sein.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der Varaktor zusätzlich eine erste Zwischenschicht, welche zwischen dem ersten PTC-Bereich und der ersten Elektrode angeordnet ist und die für die Dotierstoffe weitgehend undurchlässig ist.
Vorzugsweise ist die erste Zwischenschicht ganz undurchlässig für die Dotierstoffe. Dadurch, dass die Zwischenschicht weitgehend beziehungsweise ganz undurchlässig für die
Dotierstoffe des ersten PTC-Bereichs ist, wird durch die erste Zwischenschicht sichergestellt, dass sowohl während des Sintervorgangs, wie auch während des Betrieb des Varaktors keine Dotierstoffe aus dem ersten PTC-Bereich in den
Kondensatorbereich gelangen können. Somit wird die Funktionsfähigkeit des Kondensatorbereichs nicht durch die
Dotierstoffe des ersten PTC-Bereichs gestört. Die erste
Zwischenschicht kann hierbei beispielsweise Elemente aus der Gruppe 2A umfassen. Diese können beispielsweise als Oxide vorliegen. Die erste Zwischenschicht kann mit
Übergangsmetallen dotiert sein. Die Übergangsmetalle können ebenfalls als Oxide vorliegen. Das Element aus der Gruppe 2A und das Übergangsmetall bilden vorzugsweise eine Verbindung mit Akzeptoreigenschaften aus.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der Varaktor zusätzlich eine zweite dielektrische Schicht, welche zwischen der ersten Zwischenschicht und der ersten Elektrode angeordnet ist.
Durch die zweite dielektrische Schicht findet eine größere räumliche Trennung zwischen dem Kondensatorbereich und der ersten Zwischenschicht statt. Hierdurch kann unter anderem sichergestellt werden, dass der PTC-Bereich und die
Zwischenschicht keine störenden Einflüsse auf den
Kondensatorbereich ausüben. Vorzugsweise weist die zweite dielektrische Schicht eine gute thermische Leitfähigkeit auf. Für die zweite dielektrische Schicht kann beispielsweise das gleiche Material verwendet werden wie für die erste
dielektrische Schicht. Vorzugsweise weist die zweite
dielektrische Schicht ein ähnliches Sinterverhalten wie die erste dielektrische Schicht auf.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der Varaktor zusätzlich einen zweiten PTC-Bereich, welcher mit dem Kondensatorbereich thermisch leitend verbunden ist.
Die zuvor und auch im Folgenden für den ersten PTC-Bereich, beispielsweise im Hinblick auf das Material oder auch im Hinblick auf die räumliche Anordnung, ausgeführten Vorteile gelten entsprechend analog auch für den zweiten PTC-Bereich.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der Varaktor zusätzlich eine zweite Zwischenschicht, welche zwischen dem zweiten PTC-Bereich und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Diese zweite Zwischenschicht ist entsprechend für die Dotierstoffe des zweiten PTC-Bereichs weitgehend undurchlässig . In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der Varaktor zusätzlich eine dritte dielektrische Schicht, welche zwischen der zweiten Zwischenschicht und der zweiten
Elektrode ausgeordnet ist. Für die dritte dielektrische Schicht gelten entsprechend vorteilhafte Ausgestaltungen, wie sie im Zusammenhang mit der zweiten dielektrischen Schicht angeführt wurden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung bilden der erste PTC-Bereich, der zweite PTC-Bereich und der
Kondensatorbereich einen Schichtstapel aus, und der erste PTC-Bereich und der zweite PTC-Bereich sind an zwei sich gegenüberliegenden Seiten des Kondensatorbereiches
angeordnet. Der Schichtstapel umfasst vorteilhafterweise übereinandergelegte keramische Folien, wobei die obersten und auch untersten Folien Bestandteile des ersten und zweiten Kondensatorbereichs sind.
Hierdurch ist es möglich, den Kondensatorbereichen von zwei gegenüberliegenden Seiten mit Wärme zu versorgen. Somit kann der Kondensatorbereich gleichmäßiger aufgeheizt werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der erste PTC-Bereich eine elektrische Kontaktierung auf.
Unter der elektrischen Kontaktierung ist hierbei nicht die erste Elektrode des Kondensatorbereichs zu verstehen. Über die elektrische Kontaktierung, beispielsweise eine externe Elektrode, kann Spannung an den ersten PTC-Bereich angelegt werden, ohne dass Spannung an den Kondensatorbereich angelegt wird. Hierdurch kann der erste PTC-Bereich unabhängig von dem Kondensatorbereich mit Spannung versorgt werden.
In einer weiteren Ausführungsform weist der zweite PTC- Bereich eine elektrische Kontaktierung auf.
Für diese gilt Entsprechendes, was zuvor im Zusammenhang mit dem ersten PTC-Bereich und dessen Kontaktierung ausgeführt wurde, wobei diese Kontaktierung aber separat von der
Kontaktierung des ersten PTC-Bereichs ausgeformt sein kann.
In einer weiteren Ausführungsform weist die erste
dielektrische Schicht neben der ersten und der zweiten
Elektrode eine zusätzlich elektrische Kontaktierung auf.
Hierbei kann es sich beispielsweise um eine externe Elektrode handeln. Über diese kann Spannung an die erste dielektrische Schicht angelegt werden, welche unabhängig von der
Betriebsspannung des Kondensatorbereiches ist. Durch das Anlegen der Spannung über diese elektrische Kontaktierung kann beispielsweise die Dielektrizität der ersten
dielektrischen Schicht durchgestimmt werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst der erste PTC-Bereich Bai-xSrxTii-yZryOs, wobei gilt: 0 < x < 1 ; 0 < y < 1. Entsprechend der vorangegangenen Ausführungen kann der erste PTC-Bereich zusätzlich Dotierstoffe aufweisen. In einer weiteren Ausführungsform umfasst der zweite PTC- Bereich Bai-xSrxTii_yZry03, wobei gilt: 0 < x < 1; 0 ^ y < 1.
Für die Dotierstoffe des zweiten PTC-Bereichs gilt das
Entsprechende, was zuvor zum ersten PTC-Bereich ausgeführt wurde .
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die erste
dielektrische Schicht Bai-xSrxTii_yZry03, wobei gilt: 0 < x < 1 ; 0 < y < 1.
Bei Bariumtitanat beziehungsweise deren entsprechenden dotierten Varianten kann es sich um Ferroelektrika handeln. Als Ferroelektrika bezeichnet man eine Klasse von
Materialien, die auch ohne äußeres angelegtes Feld eine
Polarisation besitzen. Die Eigenschaft der Ferroelektrizität verschwindet oberhalb einer charakteristischen Temperatur, der Curie-Temperatur. Diesen Übergang bezeichnet man als Phasenübergang. Oberhalb dieser Temperatur verschwindet die Polarisation und man bezeichnet die Substanz dann als
Paraelektrika . Im ferroelektrischen Zustand sind die Zentren positiver und negativer Ladung, beispielsweise die Anionen und Kationen, relativ zu einander verschoben. Im Falle des Bariumtitanats ist beispielsweise das Ti4+ relativ zu den Sauerstoffionen 02~ verschoben. Oberhalb von 120 °C
verschwindet die Ferroelektrizität von Bariumtitanat und dieses verhält sich wie ein paraelektrisches Dielektrikum.
Bei Bariumstrontiumtitanat (BST) findet ein Phasenübergang von der tetragonalen, ferroelektrischen Phase zur kubischen, paraelektrischen Phase im Bereich der Curie-Temperatur Tc statt. Die genaue Curie-Temperatur Tc ist hierbei von der genauen Zusammensetzung, also der Dotierung, des Bariumstrontiumtitanats abhängig .
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht einen der folgenden Ionen oder Kombination daraus: Pb, Ca, Sn, Zr, Sr, Bi, Hf.
Durch die Dotierung der ersten dielektrischen Schicht kann die Curie-Temperatur Tc, bei der der Phasenübergang eintritt, verschoben werden. Die Curie-Temperatur Tc kann hierdurch in einen Temperaturbereich verschoben werden, der in der ersten dielektrischen Schicht durch die Wärmezufuhr aus dem PTC- Bereich erreicht wird. Somit kann durch ein Anlegen der
Vorspannung an den PTC-Bereich und die hieraus resultierende Wärme, welche auf die erste elektrische Schicht übertragen wird, in dieser eine Phasenumwandlung bewirkt werden. Über die Phasenumwandlung können die ferroelektrischen
beziehungsweise paraelektrischen Eigenschaften wie
beispielsweise die Dielektrizitätskonstante ε der ersten dielektrischen Schicht verändert werden.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht einen der folgenden Dotierstoffe beziehungsweise Kombinationen daraus: Ni, AI, Mg, Fe, Cr, Mn .
Durch die Dotierung der ersten dielektrischen Schicht mit diesen Dotierstoffen kann der dielektrische Verlust des
Kondensatorbereiches reduziert werden. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung umfasst die erste dielektrische Schicht einen der folgenden Dotierstoffe beziehungsweise Kombinationen daraus: Si, AI, B, Cu, Zn. Durch eine Dotierung der ersten dielektrischen Schicht mit diesen Dotierstoffen kann das Sinterverhalten, wie
beispielsweise das Schrumpfverhalten oder der thermische Ausdehnungskoeffizient, der ersten dielektrischen Schicht beeinflusst werden. Vorzugsweise weisen alle dielektrischen Schichten des Varaktors ein vergleichbares Sinterverhalten auf .
Die erste dielektrische Schicht kann auch aus einer Mischung von unterschiedlichen keramischen Phasen bestehen, nämlich beispielsweise aus einer Perovskitphase und einer weiteren dielektrischen Keramik mit einer geringeren Dielektrizitätskonstante, wie beispielsweise Zirkonate, Silikate, Titanate, Aluminate, Stanate, Niobate, Tantalate oder Seltenerdmetall- oxiden. Des Weiteren kann die erste dielektrische Schicht Elemente aus der Gruppe 1A und 2A umfassen. Die erste
dielektrische Schicht kann auch die folgenden Elemente beziehungsweise deren Oxide umfassen: Ti, V, Cr, Mn, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta und W. Die erste dielektrische Schicht kann
Elemente oder Oxide der Seltenerdmetalle, wie beispielsweise Sc, Y, La, Ce, Pr und Nd sowie Mischungen daraus umfassen.
Ausführungen, welche im Zusammenhang mit der ersten
dielektrischen Schicht in Bezug auf das Sinterverhalten gemacht wurden, treffen in analoger Weise auch auf weitere dielektrische Schichten des Varaktors zu.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst die zweite und/oder dritte dielektrische Schicht Bai-xSrxTii_yZry03, wobei gilt: 0 < x < 1; 0 < y < 1.
Ausführungen, die zuvor im Bezug auf die Dotierung im
Zusammenhang mit der ersten dielektrischen Schicht gemacht wurden, treffen in analoger Weise auch auf die zweite
beziehungsweise dritte dielektrische Schicht zu.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist der Varaktor in Bezug auf die erste dielektrische Schicht einen symmetrischen Aufbau auf.
Dies bedeutet insbesondere, dass alle Schichten, welche auf die erste Elektrode folgen, in der entsprechenden Abfolge auch auf die zweite Elektrode folgen. Vorzugsweise weisen die korrespondierenden Schichten jeweils entsprechende gleiche Schichtdicke, sowie die gleichen Außenmaße auf. Vorzugsweise weisen die entsprechenden Schichten jeweils die gleiche
Zusammensetzung auf. Somit lassen sich bezüglich der
Symmetrieebene, welche durch die erste dielektrische Schicht verläuft, alle auf der einen Seite der ersten dielektrischen Schicht befindlichen Schichten auch auf die auf die anderen gegenüberliegende Seite überführen. Die in Bezug auf die erste Seite diskutierten Vorteile gelten entsprechend auch für die gegenüberliegende Seite.
Durch den symmetrischen Aufbau des Varaktors kann
gewährleistet werden, dass die erste dielektrische Schicht von beiden Seiten gleich, also in gleicher Stärke und mit gleicher Wärmeverteilung über die anliegenden Flächen, erwärmt wird. Somit wird ein Temperaturgefälle in der ersten dielektrischen Schicht von der einen zur anderen Elektrode vermieden, und der durch die Erwärmung der ersten
dielektrischen Schicht auftretende Durchstimm-Effekt tritt somit auch symmetrisch in dieser auf. In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der
Varaktor als oberflächenmontierbares Bauelement (SMD) ausgeformt . In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der
Varaktor thermisch gegenüber der Umgebung isoliert. Dies kann beispielsweise mittels eines Materials geschehen, welches eine niedrige thermische Leitfähigkeit aufweist. Der Varaktor kann beispielsweise mit diesem Material ummantelt sein.
Hierdurch wird sichergestellt, dass die Wärme, welche durch das Anlegen der Vorspannung im ersten PTC-Bereich erzeugt wird, überwiegend an den Kondensatorbereich weitergegeben wird, und nur zu einem geringen Anteil an die Umgebung. In einer Ausführungsform beträgt die Schichtdicke der ersten dielektrischen Schicht, welche zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist 14,5 ym.
In einer Ausführungsform ist die erste Elektrode und die zweite Elektrode jeweils aus Pd.
Neben dem Varaktor wird auch ein Verfahren zur Herstellung des Varaktors beansprucht. In einer Variante des Verfahrens zur Herstellung eines zuvor beschriebenen Varaktors umfasst das Verfahren die
Verfahrensschritte :
A) Ausformen eines Schichtenstapels umfassend mindestens die Schichten :
- erster PTC-Bereich,
- erste Elektrode,
- erste dielektrische Schicht,
- zweite Elektrode, B) Sintern des Schichtenstapes aus A) , so dass ein Varaktor ausgebildet wird, bei dem sich die Kapazität des
Kondensatorbereichs durch das Anlegen einer Vorspannung an den ersten PTC-Bereich, den Kondensatorbereich oder den ersten PTC-Bereich und den Kondensatorbereich, verändern lässt .
Über ein solches Verfahren kann beispielsweise ein wie zuvor beschriebener Varaktor hergestellt werden. Für die
entsprechenden Schichten/Bereiche können jene Materialien verwendet werden, wie sie zuvor im Zusammenhang mit dem Varaktor erläutert wurden.
In einer weiteren Variante des Verfahrens wird im
Verfahrensschritt A) ein erster PCT-Bereich erzeugt, der Dotierstoffe umfasst, und eine erste Zwischenschicht
ausgeformt, welche zwischen dem ersten PTC-Bereich und der ersten Elektrode angeordnet ist, und für die Dotierstoffe weitgehend undurchlässig ist. Vorzugsweise ist die erste Zwischenschicht ganz für Ionen undurchlässig. Durch das Ausbilden ein solchen
Zwischenschicht im Verfahrenschritt A) kann sowohl im folgenden Verfahrensschritt B) , dem Sintern, wie auch im Betrieb des Varaktors einen Wanderung von Dotierstoffen beispielsweise aus dem ersten PTC-Bereich in die erste dielektrische Schicht unterbunden werden. Hierdurch wird vermieden, dass beispielsweise Dotierstoffe in den
Kondensatorbereich gelangen und dort die Funktionsfähigkeit des Kondensatorbereichs beeinträchtigen.
Der Schichtenstapel im Verfahrensschritt A) kann neben dem bereits angeführten Schichten jede weitere zuvor im Zusammenhang mit dem Varaktor beschriebene Schicht zusätzlich umfassen .
Den keramischen Schichten kann zur Herabsetzung der
Sintertemperatur ein Sinterhilfsmittel, wie beispielsweise eine Glasphase, zugesetzt werden. Hierdurch kann ein
komplexes Keramiksystem ausgebildet werden, welches bereits bei niedrigen Temperaturen gesintert, und auch gemeinsam mit beispielsweise niedrig schmelzenden Elektroden gesintert werden kann. Ein solches Keramiksystem wird auch als LTCC (low temperature co-fired ceramic) bezeichnet.
In einer Variante des Verfahrens liegt die Sintertemperatur in einem Bereich von 800 °C bis 1600 °C.
In einer weiteren Variante des Verfahrens wird in einem zusätzlichen Verfahrensschritt eine elektrische Kontaktierung auf den ersten PTC-Bereich aufgebracht. In einer weiteren Variante des Verfahrens umfasst der
Schichtenstapel im Verfahrensschritt A) zusätzlich einen zweiten PTC-Bereich.
In einer weiteren Variante des Verfahrens wird in einem zusätzlichen Verfahrensschritt eine elektrische Kontaktierung auf den zweiten PTC-Bereich aufgebracht.
Das Aufbringen der elektrischen Kontaktierung kann
beispielsweise mittels Sputtern oder Screen-print oder einer anderen Abscheidetechnik erfolgen.
Für die erste Elektrode und die zweite Elektrode kann
beispielsweise Pd verwendet werden. In einer anderen Variante eines Herstellungsverfahrens werden die einzelnen Schichten/Bereiche gesintert, bevor sie zu einem Schichtenstapel zusammengefügt werden. Das
Zusammenfügen kann beispielsweise mittels eines Haftmittels erfolgen. Das Haftmittel kann beispielsweise ein Epoxyd umfassen .
Im Folgenden sollen Varianten der Erfindung anhand von
Figuren und Ausführungsbeispielen näher erläutert werden
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen
Varaktors .
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Varaktors, welche in Bezug auf die erste dielektrische Schicht einen symmetrischen Aufbau aufweist.
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Varaktors, welche an den beiden PTC-Bereichen jeweils elektrische Kontaktierungen aufweist.
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Varaktors, welche an der ersten dielektrischen Schicht
zusätzliche elektrische Kontaktierungen aufweist.
Figur 5 zeigt den Verlauf der Dielektrizitätskonstante ε und den dielektrischen Verlust tan δ in Abhängigkeit von der Vorspannung, die am PTC- Bereich angelegt ist.
Figur 6 zeigt den Verlauf der Kapazität und der
Dielektrizitätskonstante ε aufgetragen gegen die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht in Abhängigkeit von unterschiedlichen am PTC-Bereich angelegten Vorspannungen. Figur 7 zeigt die Durchstimmbarkeit aufgetragen gegen die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht für unterschiedliche Vorspannungen am PTC-Bereich.
Figur 8 zeigt den Gütefaktor K aufgetragen gegen die
Vorspannung am PTC-Bereich.
Figur 9 zeigt den Gütefaktor K aufgetragen gegen die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht für unterschiedliche Vorspannungen am PTC-Bereich.
Figur 10 zeigt die Durchstimmbarkeit aufgetragen gegen die
Vorspannung für unterschiedliche Temperaturen.
Die Figur 1 zeigt im schematischen Querschnitt ein
Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Varaktors. Dieses umfasst einen Kondensatorbereich 3, welcher eine erste dielektrische Schicht 1 umfasst, auf deren Oberseite eine erste Elektrode 2 und auf deren Unterseite eine zweite
Elektrode 2 ' angeordnet ist. Auf der ersten Elektrode 2 ist ein erster PTC-Bereich 4 angeordnet. Durch das Anlegen einer Vorspannung an den ersten PTC-Bereich 4 wird in diesem Wärme erzeugt, welche über die erste Elektrode 2 zur ersten
dielektrischen Schicht 1 weitergeleitet wird. Durch die Wärmezufuhr in die ersten dielektrischen Schicht 1 kann die Kapazität des Kondensatorbereichs 3 verändert werden.
Figur 2 zeigt im schematischen Querschnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Varaktors, welches in Bezug auf die erste dielektrische Schicht 1 einen symmetrischen Aufbau aufweist. Der Varaktor umfasst hierbei die folgenden
Schichten/Bereiche: Einen zweiten PTC-Bereich 9, eine zweite Zwischenschicht 8, eine dritte dielektrische Schicht 7, eine zweite Elektrode 2', eine erste dielektrische Schicht 1, eine erste Elektrode 2, eine zweite dielektrische Schicht 5, eine erste Zwischenschicht 6 und einen ersten PTC-Bereich 4.
Hierbei bilden die erste dielektrische Schicht 1, die erste Elektrode 2 und die zweite Elektrode 2 ' den
Kondensatorbereich 3 aus. An den ersten PTC-Bereich 4 und einen zweiten PTC-Bereich 9 können nun jeweils eine
Vorspannung angelegt werden, wodurch von diesen beiden PTC- Bereichen jeweils Wärme in Richtung erster dielektrischer Schicht 1 abgegeben wird. Die erste Zwischenschicht 6 beziehungsweise die zweite Zwischenschicht 8 verhindern jeweils, dass aus den angrenzenden PTC-Bereichen Dotierstoffe in Richtung zweite dielektrische Schicht 5 beziehungsweise dritte dielektrische Schicht 7 wandern. Hierdurch wird sichergestellt, dass keine Dotierstoffe in den
Kondensatorbereich 3 gelangen und die Funktionsfähigkeit des Kondensatorbereichs 3 herabsetzt wird. Durch den
symmetrischen Aufbau des Varaktors in Bezug auf die erste dielektrische Schicht 1 wird sichergestellt, dass die erste dielektrische Schicht 1 sowohl von der Oberseite als auch von der Unterseite im gleichen Maße erwärmt werden kann.
Im Folgenden soll nun ein erstes konkretes
Ausführungsbeispiel näher beschrieben werden. Dieses weist den Aufbau auf, wie er in Figur 2 schematisch dargestellt ist. Der erste PTC-Bereich 4 und der zweite PTC-Bereich 9 werden hierbei jeweils durch 25 Schichten aus Bao, 7sSro, 25 T 1 O3 (BST) gebildet. Das BST ist hierbei mit 0,3 at-% Nb und 0,05 at-% Mn dotiert. Die erste Zwischenschicht 6 und die zweite Zwischenschicht 8 werden jeweils von einer Schicht MgO gebildet, welche mit 1 gew-% T 1 O2 dotiert ist, wodurch ein Magnesiumtitanat (MT) vorliegt. Die zweite dielektrische Schicht 5 sowie die dritte dielektrische Schicht 7 werden jeweils von 23 Lagen Bao, 7sSro, 25 T 1 O3 gebildet. Der
Kondensatorbereich 3 umfasst zwei Schichten Bao,7sSro,2sTi03, bei denen die Oberseite der ersten Schicht beziehungsweise die Unterseite der zweiten Schicht mit Pd-Elektroden versehen sind, die die erste Elektrode 2 beziehungsweise die zweite Elektrode 2 ' ausbilden. Die undotierten Schichten von BST weisen hierbei eine Schichtdicke von 20 ym auf, die dotierten BST-Schichten eine Schichtdicke von 35 ym. Die
Zwischenschichten weisen jeweils eine Schichtdicke von 200 ym auf. Die einzelnen Schichten/Bereiche weisen jeweils eine Grundfläche von 10 x 10 cm auf.
Ein solcher Varaktor kann beispielsweise durch Sintern der entsprechenden Grünteile für zwei Stunden bei 1350 °C
erhalten werden.
Die erste Zwischenschicht und die zweite Zwischenschicht, welche jeweils aus MgO bestehen, welches mit 1 gew-% T 1 O2 dotiert wurde (MT) , weisen mehrere vorteilhafte Funktionen auf. Zum einen erlauben die Zwischenschichten, dass die dotierten Schichten/Bereiche und die nicht dotierten
dielektrischen Schichten gemeinsam gesintert werden können. Bei einem Vergleichsversuch ohne die Zwischenschichten konnte festgestellt werden, dass die Dotierstoffe aus den PTC- Bereichen während des Sinterprozesses in die dielektrischen Schichten gewandert sind. Hierdurch wurden die dielektrischen Schichten elektrisch leitfähig, was die Funktionsfähigkeit des Varaktors deutlich beeinträchtigt hat. In diesem
Ausführungsbeispiel fungieren die MT-Schichten sowohl als physikalische Diffusionsbarriere, wie auch als chemische Barriere, da Mg2+ als Akzeptor agiert. Als Akzeptor kann Mg2+ den Donoreffekt der Dotierstoffe des BST kompensieren. Ein weiterer positiver Effekt, welcher von den Erfindern erkannt wurde, ist, dass während des Sinterprozesses Mg2+-Ionen in die dielektrischen Schichten wandern, und dort ebenfalls einen Akzeptoreffekt haben. Dieser Akzeptoreffekt vermindert den dielektrischen Verlust des Kondensatorbereichs. Als dritten positiven Effekt haben die Erfinder festgestellt, dass die Anwesenheit von Mg2+ während des Sinterprozesses die Anzahl der Sauerstoffleerstellen reduziert wird. Hierdurch wird das Korngrößenwachstum beschränkt, sodass die Korngröße das gewünschte Maß nicht überschreitet. Vergleichsmessungen ohne die Zwischenschichten, welche Mg2+ umfassen, haben gezeigt, dass hierbei die Korngröße über einen Wert von 100 ym hinaus wächst, wodurch die Dielektrizitätskonstante ε vermindert und der dielektrische Verlust δ erhöht wird.
Figur 3 zeigt im schematischen Querschnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Varaktors, welches der aus Figur 2 entspricht und zusätzlich auf dem ersten PTC-Bereich 4 und dem zweiten PTC-Bereich 9 elektrische Kontaktierungen 10 / 10' aufweist. Die elektrischen Kontaktierungen 10 und 10' sind als externe Elektroden ausgeformt. Über die elektrischen Kontaktierungen 10 kann eine Spannung an den ersten PTC- Bereich 4 angelegt werden, über die elektrischen
Kontaktierungen 10' eine hiervon unabhängige Spannung an den zweiten PTC-Bereich 9. Figur 4 zeigt im schematischen Querschnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Varaktors, welches der aus Figur 2 entspricht und zusätzlich elektrische Kontaktierungen 11 umfasst. Diese sind auf der ersten dielektrischen Schicht 1, der ersten Elektrode 2 und der zweiten Elektrode 2 '
angeordnet. Die elektrischen Kontaktierungen 11 sind hierbei elektrisch leitend mit diesen drei Schichten verbunden. Über die elektrischen Kontaktierungen 11 kann somit direkt an die erste dielektrische Schicht 1 eine Spannung angelegt werden, und indirekt über die erste Elektrode 2 und die zweite
Elektrode 2'. Über die elektrischen Kontaktierungen 11 kann zum einen die Spannung angelegt werden, mit der der Varaktor betrieben wird, hierbei kann es sich beispielsweise um
Wechselspannung handeln, wie auch die Vorspannung mit der die erste dielektrische Schicht 1 durchgestimmt werden kann, hierbei kann es sich beispielsweise um Gleichspannung
handeln . An den Seitenflächen reichen die erste Elektrode 2 und die zweite Elektrode 2 ' jeweils bis nach außen und können somit über die Außenflächen kontaktiert werden. An der Vorder- und Rückseite sind die erste Elektrode 2 und die zweite Elektrode 2 ' bei einem Ausführungsbeispiel über das BST-Material nach außen hin elektrisch isoliert.
Weiterhin ist es möglich, dass in einer weiteren
Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Varaktors sowohl elektrische Kontaktierungen 11 zur Kontaktierung des
Kondensatorbereichs 3 als auch separate Kontaktierungen 10 und 10' zur Kontaktierung des ersten PTC-Bereichs 4 bzw.
zweiten PTC-Bereichs 9 vorhanden sind. Im Folgenden soll nun ein zweites konkretes
Ausführungsbeispiel näher beschrieben werden. Dieses weist eine Schichtenfolge auf, wie sie im Zusammenhang mit dem ersten konkreten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde. Des Weiteren weist dieses Ausführungsbeispiel elektrische
Kontaktierungen 10, welche Ni umfassen, am ersten PTC-Bereich 4 auf, sowie elektrische Kontaktierungen 10', welche
ebenfalls Ni umfassen, am zweiten PTC-Bereich 9 auf. Die elektrischen Kontaktierungen 10 und 10' befinden sich sowohl auf der Vorderseite des Varaktors, sowie auf dessen
Rückseite. Die elektrischen Kontaktierungen 10 und 10', welcher auf der gleichen Seite angeordnet sind, sind
elektrisch leitend miteinander verbunden, so dass an beide elektrische Kontaktierungen 10 und 10' die gleiche
Vorspannung an den ersten PTC-Bereich 4 und den zweiten PTC- Bereich 9 angelegt werden kann. Der Widerstand des Varaktors wurde zwischen den beiden Ni-Elektroden mit < 300 Ω gemessen.
Das zweite konkrete Ausführungsbeispiel weist des Weiteren zwei elektrische Kontaktierungen 11 auf. In diesem
Ausführungsbeispiel ragen die erste Elektrode 2 und die zweite Elektrode 2 ' nur an den Seitenflächen bis nach Außen. Die elektrische Kontaktierungen 11, welche in diesem Fall Ag umfassen, sind somit elektrisch leitend sowohl mit der ersten dielektrischen Schicht 1, wie auch mit der ersten Elektrode 2 und der zweiten Elektrode 2 ' verbunden. Die beiden
elektrischen Kontaktierungen 11 befinden sich jeweils auf einer der beiden Seitenflächen. Über die elektrischen
Kontaktierungen 11 kann zum einen die Spannung angelegt werden, mit der der Varaktor betrieben wird, hierbei kann es sich beispielsweise um Wechselspannung handeln, wie auch die Vorspannung mit der die erste dielektrische Schicht 1
durchgestimmt werden kann, hierbei kann es sich beispielsweise um Gleichspannung handeln. Durch die
Kombination von Wechsel- und Gleichspannung kann die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht 1 hierbei unabhängig von der Betriebsspannung des Kondensatorbereiches 3 angelegt werden.
Die als externen Elektroden ausgeformten elektrischen
Kontaktierungen 10 und 10' können beispielsweise durch das Aufdrucken von Ni-Paste, welche anschließend gebrannt wird, aufgebracht werden. Die elektrischen Kontaktierungen 11 können ebenfalls durch das Aufdrucken von Metallpaste und anschließendem Glühen aufgebracht werden.
Ein solches Ausführungsbeispiel, wie es als zweites konkretes Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, wurde zu Messung herangezogen. Die Messung erfolgt mit einem Agilent 4294A Präzisions-Widerstands-Analysator in einem Frequenzbereich von 1 bis 500 kHz. Die maximale Dielektrizität von
Bao, 75Sro, 25T1O3 wurde in einen Temperaturbereich von 50 bis 51 °C erreicht. Dieser Temperaturbereich wurde in der ersten dielektrischen Schicht 1 dadurch ereicht, dass an den PTC- Bereichen 4 und 9 eine Vorspannung zwischen 10,5 und 8 V angelegt wurde. Der Strom betrug hierbei weniger als 10 mA. Die Temperaturen, die für die dielektrische Schicht 1 erreicht werden konnten, lagen im Bereich von Raumtemperatur bis über 200 °C.
Die Ergebnisse weiterer Messungen, welche mit diesem zweiten konkreten Ausführungsbeispiel durchgeführt wurden, sind in den folgenden Figuren 5 bis 10 dargestellt.
In Figur 5 ist die Dielektrizitätskonstante ε sowie die dielektrische Verlust tan δ jeweils gegen die Vorspannung, welche an dem PTC-Bereich angelegt wurde (U-PTC) , aufgetragen. Die beiden Pfeile in der Figur zeigen an, welcher der beiden Kurven zu welcher Y-Achse gehört. Die Kurve der Dielektrizitätskonstante ε weist hierbei im Bereich von etwa 8 V ein Maximum auf, nach welchem die Kurve zu höheren Spannungen hin steil abfällt. Die Kurve für den dielektrischen Verlust tan δ fällt in den Bereich 0 bis 6 V erst leicht, dann in den Bereich zwischen 6 und 9 V sehr steil ab. Für Spannungen größer 9 V fällt die Kurve nur noch leicht, beziehungsweise bei Werten von größer 12 V so gut wie nicht mehr ab.
Figur 6 zeigt die Kurven der Kapazität C beziehungsweise der Dielektrizitätskonstante ε, welche jeweils gegen die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) aufgetragen sind. Die Messung wurde für jeweils
unterschiedliche Vorspannungen an den PTC-Bereichen (U-PTC) durchgeführt. Für jede PTC-Bereich-Vorspannung ist somit eine Kurve dargestellt. Die jeweilige PTC-Bereich-Vorspannung, variiert von 0 bis 20 V ist an der jeweiligen Kurve in Volt angegeben. Für jede dieser PTC-Bereich-Vorspannungen wurde die Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) in einen Bereich von -40 V bis 40 V durchgefahren. Die besten Ergebnisse wurden für eine PTC-Bereich-Vorspannung (U-PTC) für die Werte 7,8 V, 7,5 V und 8,1 V erreicht. Bei diesen PTC-Bereich-Vorspannungen wurden die höchsten
Dielektrizitätskonstanten ε gemessen.
Die Figur 7 zeigt die Durchstimmbarkeit n aufgetragen gegen die Vorspannung, welche an die erste dielektrische Schicht (BV) angelegt wurde. Die Durchstimmbarkeit n wurde hierbei für unterschiedliche PTC-Bereich-Vorspannungen gemessen. Die unterschiedlichen PTC-Bereich-Vorspannungen sind an den jeweiligen Kurven in Volt angegeben. Die höchste Durchstimm- barkeit n wurde hierbei für eine PTC-Bereich-Vorspannung von 7,8 V und 7,5 V erreicht. Für diese PTC-Bereich-Vorspannungen wurden auch in der Messreihe, die in Figur 6 dargestellt ist, die besten Messergebnisse erzielt. Der Maximalwert, der für die Durchstimmbarkeit n erreicht wurde ist 6,02, was einer relativen Durchstimmbarkeit von 83,3 % entspricht. Dieser Wert wurde bei einer PTC-Bereich-Vorspannung von 7,5 V und einer Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) von -40 bzw. +40 V erreicht, was 2,75 V/ym entspricht.
Figur 8 zeigt den Gütefaktor K aufgetragen gegen die PTC- Bereich-Vorspannung (U-PTC) . Die Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht wurde bei dieser Messung konstant auf 40 V gehalten. Das Maximum des Gütefaktors K wurde für eine PTC-Bereich-Vorspannung von 8,1 V erreicht. Dies ist eine Folge unter anderem des in den Bereich zwischen 6 und 8 V stark abfallenden dielektrischen Verlustes δ, wie er in Figur 5 dargestellt ist.
Figur 9 zeigt den Gütefaktor K aufgetragen gegen die
Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) . Die Messungen wurden für unterschiedliche PTC-Bereich- Vorspannungen durchgeführt, welche an den jeweiligen Kurven in Volt angegeben sind. Der höchste Gütefaktor K wurde für eine PTC-Bereich-Vorspannung von 8,1 V erzielt.
In Figur 10 ist die Durchstimmbarkeit n gegen die Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) aufgetragen.
Hierbei wurde die Vorspannung bis zum Zusammenbruch (break down) erhöht. Es wurden insgesamt vier Messreihen
durchgeführt, hiervon zwei bei niedrigem Feld (LV) und zwei weitere bei hohem Feld (HV) . Bei beiden Feldern wurde jeweils eine Messreihe bei Raumtemperaturen (RT) und eine im
Temperaturbereich der Curie-Temperatur (Tc) durchgeführt. Bei Raumtemperaturen und hohem Feld konnte sich die Spannung bis etwa 800 V, was etwa 55 V/ym entspricht, erhöht werden. Durch das Anlegen einer Vorspannung an die PTC-Bereiche und die damit verbundene Temperaturerhöhung von Raumtemperatur (RT) auf die Curie-Temperatur (Tc) konnten sowohl im niedrigen Feld (LV) wie auch in hohem Feld (HV) höhere Durchstimm- barkeiten n erzielt werden. So konnte beispielsweise für eine Vorspannung an der ersten dielektrischen Schicht (BV) von 20 V/ym bei Curie-Temperatur eine Durchstimmbarkeit von etwa 17 erreicht werden.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die
Erfindung jedes neuen Merkmals sowie jede Kombination von Merkmalen, dass insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüche beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
1) erste dielektrische Schicht
2) erste Elektrode
2') zweite Elektrode
3) Kondensatorbereich
4) erster PTC-Bereich
5) zweite dielektrische Schicht
6) erste Zwischenschicht
7) dritte dielektrische Schicht
8) zweite Zwischenschicht
9) zweiter PTC-Bereich
10) elektrische Kontaktierung des ersten PTC-Bereichs 10') elektrische Kontaktierung des zweiten PTC-Bereichs
11) elektrische Kontaktierung der ersten dielektrischen Schicht

Claims

Patentansprüche
1. Varaktor umfassend die folgenden Bestandteile:
- einen ersten PTC-Bereich (4), welcher ein Keramikmaterial mit einem positiven Temperaturkoeffizienten bezüglich des Widerstandes umfasst, und
- einen Kondensatorbereich (3) umfassend:
-- eine erste Elektrode (2),
-- eine zweite Elektrode {2') ,
-- eine erste dielektrische Schicht (1), welche zwischen der ersten Elektrode (2) und der zweiten Elektrode (2') angeordnet ist,
wobei der erste PTC-Bereich (4) und der Kondensatorbereich (3) thermisch leitend miteinander verbunden sind, und die Kapazität des Kondensatorbereichs (3) durch das Anlegen einer Vorspannung an:
- den ersten PTC-Bereich (4),
- den Kondensatorbereich (3) ,
- den ersten PTC-Bereich (4) und den Kondensatorbereich (3), veränderbar ist.
2. Varaktor nach Anspruch 1,
wobei der erste PTC-Bereich (4) durch Anlegen einer Spannung auf eine Temperatur einstellbar ist, bei der die erste dielektrische Schicht (1) eine maximale Durchstimmbarkeit im Hinblick auf die Dielektrizität aufweist.
3. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der erste PTC-Bereich (4) durch Anlegen einer Spannung auf eine Temperatur einstellbar ist, bei der der
dielektrische Verlust des Kondensatorbereiches (3)
einstellbar ist.
4. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der erste PTC-Bereich (4) auf der ersten Elektrode (2) angeordnet ist.
5. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei der erste PTC-Bereich (4) einen Dotierstoff aufweist.
6. Varaktor nach Anspruch 5,
zusätzlich umfassend:
- eine erste Zwischenschicht (6),
welche zwischen dem ersten PTC-Bereich (4) und der ersten Elektrode (2) angeordnet ist, und für die Dotierstoffe weitgehend undurchlässig ist.
7. Varaktor nach Anspruch 6,
zusätzlich umfassend:
- eine zweite dielektrische Schicht (5) ,
welche zwischen der ersten Zwischenschicht (6) und der ersten Elektrode (2) angeordnet ist.
8. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
zusätzlich umfassend:
- einen zweiten PTC-Bereich (9),
welcher mit dem Kondensatorbereich (3) thermisch leitend verbunden ist.
9. Varaktor nach Anspruch 8,
wobei der erste PTC-Bereich (4), der zweite PTC-Bereich (9) und der Kondensatorbereich (3) einen Schichtenstapel
ausbilden, und der erste PTC-Bereich (4) und der zweite PTC- Bereich (9) an zwei sich gegenüberliegenden Seiten des
Kondensatorbereichs (3) angeordnet sind.
10. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste PTC-Bereich (4) eine elektrische
Kontaktierung aufweist.
11. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der erste PTC-Bereich (4) Bai-xSrxTii_yZry03 umfasst, wobei gilt: 0 < x < 1; 0 < y < 1.
12. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste dielektrische Schicht (1) Bai-xSrxTii_yZry03 umfasst, wobei gilt: 0 < x < 1; 0 < y < 1.
13. Varaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, welcher in Bezug auf die erste dielektrische Schicht (1) einen symmetrischen Aufbau aufweist.
14. Verfahren zur Herstellung eines Varaktors nach einem der Ansprüche 1 bis 13, umfassend die Verfahrensschritte:
A) Ausformen eines Schichtenstapels umfassend mindestens die Schichten :
- erster PTC-Bereich (4),
- erste Elektrode (2),
- erste dielektrische Schicht (1),
- zweite Elektrode {2') ,
B) Sintern des Schichtenstapes aus A) , so dass ein Varaktor ausgebildet wird, bei dem sich die Kapazität des
Kondensatorbereichs (3) durch das Anlegen einer Vorspannung an den ersten PTC-Bereich (4), den Kondensatorbereich (3) oder den ersten PTC-Bereich (4) und den Kondensatorbereich (3), verändern lässt.
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei im Verfahrensschritt A) ein erster PCT-Bereich (4) erzeugt wird, der Dotierstoffe umfasst, und eine erste Zwischenschicht (6) ausgeformt wird, welche zwischen dem ersten PTC-Bereich (4) und der ersten Elektrode (2) angeordnet ist, und für die Dotierstoffe weitgehend undurchlässig ist.
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