JP2000201024A - ヒ―タ内蔵型水晶発振器 - Google Patents
ヒ―タ内蔵型水晶発振器Info
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- JP2000201024A JP2000201024A JP11000873A JP87399A JP2000201024A JP 2000201024 A JP2000201024 A JP 2000201024A JP 11000873 A JP11000873 A JP 11000873A JP 87399 A JP87399 A JP 87399A JP 2000201024 A JP2000201024 A JP 2000201024A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低音側の周波数安定度の変化が小さくかつ小形
の水晶発振器の提供すること。 【解決手段】本発明では、水晶発振器の近傍に熱源を配
置し、その熱源に供給する電源を水晶発振器の電源と同
一とする。熱源としては、キュリー点を超えると急激に
抵抗値が増加する性質を有するＰＴＣサーミスタを採用
し、低温側でのみヒータとして作用させ、水晶発振器と
ＰＴＣサーミスタ気密封止するよう設ける。上記構成に
より、低音側の周波数安定度の変化が小さくかつ小形の
水晶発振器を実装できる。
の水晶発振器の提供すること。 【解決手段】本発明では、水晶発振器の近傍に熱源を配
置し、その熱源に供給する電源を水晶発振器の電源と同
一とする。熱源としては、キュリー点を超えると急激に
抵抗値が増加する性質を有するＰＴＣサーミスタを採用
し、低温側でのみヒータとして作用させ、水晶発振器と
ＰＴＣサーミスタ気密封止するよう設ける。上記構成に
より、低音側の周波数安定度の変化が小さくかつ小形の
水晶発振器を実装できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子装置に使用する
タイミング回路の基準となる、水晶振動子に関し、特に
水晶発振器の低温側周波数安定度を改善するためのヒー
タを有するヒータ内蔵型水晶発振器に関する。
タイミング回路の基準となる、水晶振動子に関し、特に
水晶発振器の低温側周波数安定度を改善するためのヒー
タを有するヒータ内蔵型水晶発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、水晶素子とコンデンサあるいはコ
イルなどのリアクタンス素子とから構成され、所望の共
振周波数を出力する水晶振動器においては、第４図に示
すとおりの正特性の共振周波数温度特性がある。しかし
ながら、この種の水晶発振器では、共振周波数の周波数
安定度の幅が大きいため、広範囲の温度変化に対する周
波数安定度の幅を一定に保つことが不可能であり障害と
なっている。上記課題を解決する手段として、例えば特
開平９−１９１２２６号公報に記載されている水晶振動
子が知られており、第７図にその共振周波数温度特性を
示す。図中の一点破線は従来の水晶振動子、実線は改善
した特性を示す。
イルなどのリアクタンス素子とから構成され、所望の共
振周波数を出力する水晶振動器においては、第４図に示
すとおりの正特性の共振周波数温度特性がある。しかし
ながら、この種の水晶発振器では、共振周波数の周波数
安定度の幅が大きいため、広範囲の温度変化に対する周
波数安定度の幅を一定に保つことが不可能であり障害と
なっている。上記課題を解決する手段として、例えば特
開平９−１９１２２６号公報に記載されている水晶振動
子が知られており、第７図にその共振周波数温度特性を
示す。図中の一点破線は従来の水晶振動子、実線は改善
した特性を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の水晶振動子では、ある一定の温度範囲、例えば−１
０℃から＋６０℃までの間における周波数安定度の幅を
一定に保つことが可能であるが、−１０℃以下における
周波数安定度は一定に保つことが困難であるという課題
がある。
来の水晶振動子では、ある一定の温度範囲、例えば−１
０℃から＋６０℃までの間における周波数安定度の幅を
一定に保つことが可能であるが、−１０℃以下における
周波数安定度は一定に保つことが困難であるという課題
がある。
【０００４】本発明の目的は、上記課題を解決し、特に
低温側の水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定
度の幅を小さくできるヒータ内蔵型水晶発振器を提供す
ることにある。
低温側の水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定
度の幅を小さくできるヒータ内蔵型水晶発振器を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明による水晶発振器は、水晶発振器と、ヒ
ータと、リアクタンス素子を備えている。このヒータ
は、水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定度の
幅が小さくなるように発熱する一次温度係数を有してい
る。
ために、本発明による水晶発振器は、水晶発振器と、ヒ
ータと、リアクタンス素子を備えている。このヒータ
は、水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定度の
幅が小さくなるように発熱する一次温度係数を有してい
る。
【０００６】好ましくは、リアクタンス素子は温度補償
用コンデンサで形成される。
用コンデンサで形成される。
【０００７】また、本願発明の水晶発振器は基板と、こ
の基板の上に設けられた水晶発振器と、基板上に設けら
れ、水晶発振器の温度補償用チップコンデンサと、ヒー
タと、基板を気密封止する封止部材とから構成されてい
る。本発明では、コンデンサ、サーミスタは、水晶発振
器やヒータとは異って、気密封止しなくてもよい。この
場合には、水晶発振器の気密封止後任意に特性を調整す
ることが可能となる。
の基板の上に設けられた水晶発振器と、基板上に設けら
れ、水晶発振器の温度補償用チップコンデンサと、ヒー
タと、基板を気密封止する封止部材とから構成されてい
る。本発明では、コンデンサ、サーミスタは、水晶発振
器やヒータとは異って、気密封止しなくてもよい。この
場合には、水晶発振器の気密封止後任意に特性を調整す
ることが可能となる。
【０００８】上述した構成によれば、水晶発振器と接続
されるヒータを適宜変更することで、発熱する一次温度
係数を変更することが可能である。また、水晶発振器と
ヒータを気密封止することで、気密内の温度は気密外の
温度を遮断することができ、気密外がいかなる温度にな
っても、気密内の温度はある一定の温度に設定すること
が可能となる。これにより、水晶発振器の共振周波数温
度特性の周波数安定度の幅を小さくすることができる。
さらに、水晶発振器が気密封止されない基板を有し、こ
の基板にコンデンサとを実装するため、外部温度が変化
しても回路のリアクタンス値が変化するので水晶発振器
の共振周波数温度特性を外部温度の変化に追従させるこ
とができる。したがって、水晶振動子の周波数安定度の
幅を小さくすることができる。
されるヒータを適宜変更することで、発熱する一次温度
係数を変更することが可能である。また、水晶発振器と
ヒータを気密封止することで、気密内の温度は気密外の
温度を遮断することができ、気密外がいかなる温度にな
っても、気密内の温度はある一定の温度に設定すること
が可能となる。これにより、水晶発振器の共振周波数温
度特性の周波数安定度の幅を小さくすることができる。
さらに、水晶発振器が気密封止されない基板を有し、こ
の基板にコンデンサとを実装するため、外部温度が変化
しても回路のリアクタンス値が変化するので水晶発振器
の共振周波数温度特性を外部温度の変化に追従させるこ
とができる。したがって、水晶振動子の周波数安定度の
幅を小さくすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に図面を参照して本願発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１０】図１および図２は、本発明の一実施形態を
示す温度補償機能付き水晶振動子の気密封止前の上面図
および図１の水晶振動子の Ａ−Ａ断面図である。
示す温度補償機能付き水晶振動子の気密封止前の上面図
および図１の水晶振動子の Ａ−Ａ断面図である。
【００１１】図１において、プリント基板５−１上に、
プログラマブル高精度水晶発振器２とＰＴＣサーミスタ
３及びチップコンデンサ４が面付実装技術（ＳＭＴ：Su
rface Mount Technolgy）によりはんだ付けされ（はん
だは図示省略）固定され、小型高密度の機能モジュール
となっている。これらプログラマブル高精度水晶発振器
２とＰＴＣサーミスタ３及びチップコンデンサ４は回路
パターンにより接続されている。２、３、４の部品は全
て表面実装型部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device ）
である。このモジュールは貫通している一番ピン６、８
番ピン７、９番ピン８、１６番ピン９に、はんだ付けさ
れることにより、電気的な回路を構成すると同時に機械
的にも固定されている。図2において、プリント基板は
上下二枚で構成し、２番から７番および１０番から１５
番のピンは下のプリント基板５−２だけに貫通してはん
だ付けされている。パッケージ１はカバー１０をシーム
溶接することにより完全に密封とし、内部は窒素ガスで
置換されている。
プログラマブル高精度水晶発振器２とＰＴＣサーミスタ
３及びチップコンデンサ４が面付実装技術（ＳＭＴ：Su
rface Mount Technolgy）によりはんだ付けされ（はん
だは図示省略）固定され、小型高密度の機能モジュール
となっている。これらプログラマブル高精度水晶発振器
２とＰＴＣサーミスタ３及びチップコンデンサ４は回路
パターンにより接続されている。２、３、４の部品は全
て表面実装型部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device ）
である。このモジュールは貫通している一番ピン６、８
番ピン７、９番ピン８、１６番ピン９に、はんだ付けさ
れることにより、電気的な回路を構成すると同時に機械
的にも固定されている。図2において、プリント基板は
上下二枚で構成し、２番から７番および１０番から１５
番のピンは下のプリント基板５−２だけに貫通してはん
だ付けされている。パッケージ１はカバー１０をシーム
溶接することにより完全に密封とし、内部は窒素ガスで
置換されている。
【００１２】図３は本発明品の電気的な接続状態の一例
である。実線が上のプリント基板５−１上の配線を示
し、破線が下のプリント基板５−２上の配線を示す。こ
の配線とパッケージ１の空ピンを利用して配線を交又さ
せ、従来パッケージのピン配列と同じピンコンパチビリ
ティーを実現している。
である。実線が上のプリント基板５−１上の配線を示
し、破線が下のプリント基板５−２上の配線を示す。こ
の配線とパッケージ１の空ピンを利用して配線を交又さ
せ、従来パッケージのピン配列と同じピンコンパチビリ
ティーを実現している。
【００１３】なお、上述の実施例では、基板５−１と基
板５−２の２枚基板の構成を用いたが、２枚のプリント
基板の配線パターンを両面配線可能なプリント基板１枚
へ実装することもできる。また、プリント基板を厚膜ま
たは薄膜の配線基板、例えばセラミックス基板に置き換
えることもできる。
板５−２の２枚基板の構成を用いたが、２枚のプリント
基板の配線パターンを両面配線可能なプリント基板１枚
へ実装することもできる。また、プリント基板を厚膜ま
たは薄膜の配線基板、例えばセラミックス基板に置き換
えることもできる。
【００１４】次に、図４の発振回路の発振周波数の温度
変化について図５および図６を用いて説明する。
変化について図５および図６を用いて説明する。
【００１５】従来の水晶発振器は、発振源となる水晶素
子片とこれを制御する電子回路を個別部品で組立てるこ
とにより構成されていた。
子片とこれを制御する電子回路を個別部品で組立てるこ
とにより構成されていた。
【００１６】最近の水晶発振器の進歩はめざましく、Ｉ
Ｃ化された電子制御回路と水晶素子片を一体モールド化
し、１個の部品として販売されるに到っている。
Ｃ化された電子制御回路と水晶素子片を一体モールド化
し、１個の部品として販売されるに到っている。
【００１７】さらに、ＰＬＬ（Phaed Locked Loop）の
技術とOne Time PROMへのプログラム入力により、幅広
い周波数への対応が可能なプログラマブル高精度水晶発
振器も開発されている。図４は環境温度に対する周波数
安定度のメーカーデータの一例を示し、ここでいう周波
数安定度（Ａ）は次の定義による。
技術とOne Time PROMへのプログラム入力により、幅広
い周波数への対応が可能なプログラマブル高精度水晶発
振器も開発されている。図４は環境温度に対する周波数
安定度のメーカーデータの一例を示し、ここでいう周波
数安定度（Ａ）は次の定義による。
【００１８】
【数１】
【００１９】図４によると、−３５℃から８０℃の間で
は１０個のサンプル全てが±１０ｐｐｍに入っているこ
とが分かる。高温８５℃では１個が＋１０ｐｐｍをオー
バーしているが、残り９個のサンプルは全て＋１０ｐｐ
ｍ以下である。これに対し、低温−４５℃では７個が−
１０ｐｐｍをオーバーし、−１０ｐｐｍ以内に入ってい
るのは３個のみである。即ち、低温−４５℃の方が周波
数安定度のばらつきが大きくなっている。
は１０個のサンプル全てが±１０ｐｐｍに入っているこ
とが分かる。高温８５℃では１個が＋１０ｐｐｍをオー
バーしているが、残り９個のサンプルは全て＋１０ｐｐ
ｍ以下である。これに対し、低温−４５℃では７個が−
１０ｐｐｍをオーバーし、−１０ｐｐｍ以内に入ってい
るのは３個のみである。即ち、低温−４５℃の方が周波
数安定度のばらつきが大きくなっている。
【００２０】これは使用する水晶素子片のばらつきその
ものであるため、このばらつきを小さくすることは、現
在の技術では不可能である。
ものであるため、このばらつきを小さくすることは、現
在の技術では不可能である。
【００２１】米軍規格であるＭＩＬ規格では、常温（２
５℃）初期値の基準周波数に対する偏差を含め、−４５
℃から８５℃の全ての環境温度範囲において、±１０ｐ
ｐｍ以下であることが要求される。即ち、
５℃）初期値の基準周波数に対する偏差を含め、−４５
℃から８５℃の全ての環境温度範囲において、±１０ｐ
ｐｍ以下であることが要求される。即ち、
【００２２】
【数２】
【００２３】これを満足させるためには、−４５℃で実
測し、選別する方法が最適であると判断されているが、
その場合、選別に要するために必要な時間の増加と、選
別結果として良品率が極めて低いという問題があるた
め、本発明は、この２つの問題点を解決するものであ
る。
測し、選別する方法が最適であると判断されているが、
その場合、選別に要するために必要な時間の増加と、選
別結果として良品率が極めて低いという問題があるた
め、本発明は、この２つの問題点を解決するものであ
る。
【００２４】本発明では水晶発振器、即ち内部の水晶素
子片の近傍に熱源を配置し、その熱源に供給する電源を
水晶発振器の電源と同一とすることとする。
子片の近傍に熱源を配置し、その熱源に供給する電源を
水晶発振器の電源と同一とすることとする。
【００２５】熱源としてはＰＴＣサーミスタ（POSITVE
TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTORS）を採用する。
TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTORS）を採用する。
【００２６】ＰＴＣサーミスタは、チタン酸バリウムに
希土類元素を添加した半導体磁器であり、材料組成で定
まる規定温度（キュリー点）に達すると抵抗値が急激に
増加する正の温度係数を持った感熱抵抗素子である。こ
のＰＴＣサーミスタは、材料組成を変えることにより、
キュリー点を−２０℃から３３０℃まで広い範囲に移動
させることが可能であり、温度の選択が容易であるとい
う特徴を有している。図５は温度に対する抵抗値変化の
メーカデータの一例を示すものである。
希土類元素を添加した半導体磁器であり、材料組成で定
まる規定温度（キュリー点）に達すると抵抗値が急激に
増加する正の温度係数を持った感熱抵抗素子である。こ
のＰＴＣサーミスタは、材料組成を変えることにより、
キュリー点を−２０℃から３３０℃まで広い範囲に移動
させることが可能であり、温度の選択が容易であるとい
う特徴を有している。図５は温度に対する抵抗値変化の
メーカデータの一例を示すものである。
【００２７】図５は２５℃における抵抗値が４７０Ωの
場合で、キュリー点（ＣＴ）が７０℃と８０℃および１
００℃の場合の抵抗値の変化を示している。いずれの場
合も−２０℃からキュリー点近くまでは温度が上がると
抵抗値が小さくなる傾向を示すが、キュリー点を超える
と急激に抵抗値が大きくなっていることが分かる。抵抗
に電圧を印加すると、オームの法則により、一定の電流
が流れ、ジュール熱により発熱することが知られてい
る。この場合は、低温側（−２０℃〜５０℃）では電流
が流れ発熱するが、５０℃からキュリー点を超えた高温
側では急激な抵抗値の増加により、電流が制限され、ほ
とんど発熱しなくなることを示している。なお、図５で
は−２０℃以下のデータがないが、グラフの連続性から
−４０℃まで同一傾向を示すであろうことが充分推定で
きる。このＰＴＣサーミスタを水晶発振器の近傍に配置
することにより、低温側で熱源となることが期待できる
ことを見い出した。
場合で、キュリー点（ＣＴ）が７０℃と８０℃および１
００℃の場合の抵抗値の変化を示している。いずれの場
合も−２０℃からキュリー点近くまでは温度が上がると
抵抗値が小さくなる傾向を示すが、キュリー点を超える
と急激に抵抗値が大きくなっていることが分かる。抵抗
に電圧を印加すると、オームの法則により、一定の電流
が流れ、ジュール熱により発熱することが知られてい
る。この場合は、低温側（−２０℃〜５０℃）では電流
が流れ発熱するが、５０℃からキュリー点を超えた高温
側では急激な抵抗値の増加により、電流が制限され、ほ
とんど発熱しなくなることを示している。なお、図５で
は−２０℃以下のデータがないが、グラフの連続性から
−４０℃まで同一傾向を示すであろうことが充分推定で
きる。このＰＴＣサーミスタを水晶発振器の近傍に配置
することにより、低温側で熱源となることが期待できる
ことを見い出した。
【００２８】ある水晶発振器単体での特性では、−４０
℃で−１９ｐｐｍ，−３０℃で−１２ｐｐｍであるた
め、ＭＩＬ規格の±１０ｐｐｍを満足することはでき
ず、規格外であることが分かる。
℃で−１９ｐｐｍ，−３０℃で−１２ｐｐｍであるた
め、ＭＩＬ規格の±１０ｐｐｍを満足することはでき
ず、規格外であることが分かる。
【００２９】その他の温度範囲においては、余裕をもっ
て±１０ｐｐｍの規格を満足している。図６は、この水
晶発振器の近傍にＰＴＣサーミスタを配置し、熱源とし
ての効果を確認した実験の結果を示す。図６は、ＰＴＣ
サーミスタに５Ｖ、６Ｖ，７Ｖを印加したときのそれぞ
れの周波数安定度を重ねてプロットする。図６から判断
できるように、高温側では水晶発振器単体の特性とほと
んど同一で変化はないが、低温側において顕著な特性の
変動が認められ、大幅に特性が改善できることが分か
る。さらに電圧が高くなるほど、効果が高いことが分か
る。これは、流れる電流の増加により発熱量が多くなる
ためであり、熱源として充分に効果があることが分か
る。
て±１０ｐｐｍの規格を満足している。図６は、この水
晶発振器の近傍にＰＴＣサーミスタを配置し、熱源とし
ての効果を確認した実験の結果を示す。図６は、ＰＴＣ
サーミスタに５Ｖ、６Ｖ，７Ｖを印加したときのそれぞ
れの周波数安定度を重ねてプロットする。図６から判断
できるように、高温側では水晶発振器単体の特性とほと
んど同一で変化はないが、低温側において顕著な特性の
変動が認められ、大幅に特性が改善できることが分か
る。さらに電圧が高くなるほど、効果が高いことが分か
る。これは、流れる電流の増加により発熱量が多くなる
ためであり、熱源として充分に効果があることが分か
る。
【００３０】このような構成において、ＰＴＣサーミス
タの熱源を用いることで、水晶発振器の共振周波数温度
特性に直接的に関係する環境温度を変化させることが可
能である。
タの熱源を用いることで、水晶発振器の共振周波数温度
特性に直接的に関係する環境温度を変化させることが可
能である。
【００３１】したがって、水晶振動子の共振周波数温度
特性が変化し、外部温度の変化に影響されずに低温側の
水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定度の幅を
小さくすることができることが分かる。
特性が変化し、外部温度の変化に影響されずに低温側の
水晶振動子の共振周波数温度特性の周波数安定度の幅を
小さくすることができることが分かる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による水晶
発振器では、ＰＴＣサーミスタを熱源として、水晶発振
器の近傍に配置することにより、低温側の周波数安定度
を大幅に改善することができ、水晶発振器の周波数安定
度の幅を小さくすることができる。
発振器では、ＰＴＣサーミスタを熱源として、水晶発振
器の近傍に配置することにより、低温側の周波数安定度
を大幅に改善することができ、水晶発振器の周波数安定
度の幅を小さくすることができる。
【００３３】また、良品の水晶素子を選別するために必
要な時間と良品率の低下を阻止することができる。
要な時間と良品率の低下を阻止することができる。
【００３４】さらに、ＳＭＤ部品の面付実装を採用する
ことにより、小型高密度のモジュールとし、このモジュ
ールを従来と同一寸法のパッケージ内に収納することに
より、モジュールの配線基板とパッケージの空ピンを利
用して、従来パッケージとピンユパチビリティーとする
ことができる。
ことにより、小型高密度のモジュールとし、このモジュ
ールを従来と同一寸法のパッケージ内に収納することに
より、モジュールの配線基板とパッケージの空ピンを利
用して、従来パッケージとピンユパチビリティーとする
ことができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示すカバーを取りはず
して真上から見た水晶発振器の上面図。
して真上から見た水晶発振器の上面図。
【図２】図１の水晶発振器のＡ−Ａ断面図。
【図３】図１および図２の電気的接続状態を示す模式
図。
図。
【図４】環境温度に対する水晶発振器単体の周波数安定
度のメーカデータを示す図。
度のメーカデータを示す図。
【図５】温度に対するＰＴＣサーミスタの抵抗値変化を
示すメーカデータを示す図。
示すメーカデータを示す図。
【図６】本発明によるヒータ内蔵型水晶発振器の環境温
度に対する周波数安定度の改善を示す実験結果を示す
図。
度に対する周波数安定度の改善を示す実験結果を示す
図。
【図７】従来の水晶振動子の共振周波数温度特性を示す
図である。
図である。
１…パッケージ、 ２…プログラマブル高精度水晶発振器、 ３…ＰＴＣサーミスタ、 ４…チップコンデンサ、 ５−１…上のプリント基板、 ５−２…下のプリント基板、 ６…１番ピン、 ７…８番ピン、 ８…９番ピン、 ９…16番ピン、 １０…カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林田 純夫 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立アドバンストシステムズ内 (72)発明者 小林 克己 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立アドバンストシステムズ内 (72)発明者 井口 重信 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 牧野 俊彦 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 Ｆターム(参考） 5J079 AA04 BA02 BA43 CA04 CA13 FA14 HA16 HA27 HA28 HA29
Claims (5)
- 【請求項１】水晶発振器、ヒータ及びリアクタンス素子
からなるヒータ内蔵型水晶発振器において、 リアクタンス素子と前記水晶発振器の共振周波数温度特
性の周波数安定度の幅が小さくなるような温度係数を有
するヒータを前記水晶発振器に電気的に接続することに
より、 高温側の周波数安定度は変化せずに、低温側の周波数安
定度のみ改善することを特徴とするヒータ内蔵型水晶発
振器。 - 【請求項２】前記水晶発振器における電源端子に第１お
よび第２の入出力端子を備えるヒータの第1端子と、第
１および第２の入出力端子を備えるコンデンサの第１端
子を電気的に接続する電極パターンと、前記水晶発振器
におけるＧＮＤ端子に第１および第２の入出力端子を備
えるヒータの第２端子と、第１および第２の入出力端子
を備えるコンデンサの第２端子を電気的に接続する電極
パターンを備え、 前記水晶発振器と、前記ヒータとコンデンサを前記電極
パターンに実装した後にカバーを取り付けて気密封止す
ることを特徴とするヒータ内蔵型水晶発振器。 - 【請求項３】水晶発振器、ヒータ、リアクタンス素子及
び基板を備えるヒータ内蔵型水晶発振器であって、前記
水晶発振器の共振周波数温度特性の周波数安定度の幅が
小さくなるような温度係数を有するヒータと、コンデン
サからなる回路を前記水晶発振器に電気的に接続するパ
ターンを実装する基板により電気的に接続し、前記水晶
発振器を気密封止することを特徴とするヒータ内蔵型水
晶発振器。 - 【請求項４】前記水晶発振器における電源端子に第１お
よび第２の入出力端子を備えるヒータの第1端子と、第
１および第２の入出力端子を備えるコンデンサの第１端
子を電気的に接続する電極パターンと、前記水晶発振器
におけるＧＮＤ端子に第１および第２の入出力端子を備
えるヒータの第２端子と、第１および第２の入出力端子
を備えるコンデンサの第２端子を電気的に接続する電極
パターンを実装する基板を備え、前記水晶発振器と、前
記ヒータとコンデンサを基板に実装した後にカバーを取
り付けて気密封止することを特徴とするヒータ内蔵型水
晶発振器。 - 【請求項５】基板と、この基板の上に設けられた面付け
水晶発振器と、前記基板上に設けるヒータ及びコンデン
サと、前記基板を気密封止する封止部材とから構成され
たヒータ内蔵型水晶発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000873A JP2000201024A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | ヒ―タ内蔵型水晶発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000873A JP2000201024A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | ヒ―タ内蔵型水晶発振器 |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2000201024A true JP2000201024A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11485800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000873A Pending JP2000201024A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | ヒ―タ内蔵型水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000201024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009059873A1 (de) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Epcos Ag, 81669 | Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP11000873A patent/JP2000201024A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009059873A1 (de) * | 2009-12-21 | 2011-06-22 | Epcos Ag, 81669 | Varaktor und Verfahren zur Herstellung eines Varaktors |
| US8988849B2 (en) | 2009-12-21 | 2015-03-24 | Epcos Ag | Varactor and method for producing a varactor |
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