JP2013515369A - バラクタ、およびバラクタを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
第1のPTC層(4)とコンデンサ領域(3)は熱伝導式に相互に結合されており、コンデンサ領域(3)のキャパシタンスは、第1のPTC領域(4)、コンデンサ領域(3)、または第1のPTC領域(4)およびコンデンサ領域(3)へのバイアス電圧の印加によって変更可能である。
Description
バラクタの広く知られた問題の1つは、誘電性の観点から良好な同調可能性を実現することにある。
−抵抗に関して正の温度係数を有する第1のPTC領域と、
−コンデンサ領域とを含んでおり、該コンデンサ領域は、
−−第1の電極と、
−−第2の電極と、
−−第1の電極と第2の電極との間に配置された第1の誘電性層とを含んでおり、
第1のPTC層とコンデンサ領域は熱伝導式に相互に結合されており、コンデンサ領域のキャパシタンスは、
−第1のPTC領域、
−コンデンサ領域、
−第1のPTC領域およびコンデンサ領域、
へのバイアス電圧の印加によって変更可能である。
「上に配置されている」とは、本発明との関連においては、これら両方の層/領域の間にさらに別の層/領域があってよいことを意味している。このとき第1のPTC領域でバイアス電圧の印加によって生成される熱は、たとえば非常に高い熱伝導性を有する材料で製作された第1の電極を介して、第1の誘電性層に伝達することができる。第1の電極は、そのためにたとえば金属を含むことができる。
このドーピング物質はたとえばPb、Ca、Sn、Zr、Sr、Bi、Hf、またはこれらのイオンの組み合わせであってよい。PTC領域にこのような元素をドーピングすることで、バイアス電圧の印加により実現することができる温度範囲を変えることができる。そのようにして、たとえばドーピングによって温度範囲を引き上げることができ、それにより、コンデンサ領域ないし第1の誘電性層へ伝達することができる熱を、いっそう多く生成することができる。
ここで電気接触部とは、コンデンサ領域の第1の電極を意味するのではない。たとえば外部電極である電気接触部を介して、コンデンサ領域に電圧を印加することなく、第1のPTC領域に電圧を印加することができる。それにより、コンデンサ領域から独立して第1のPTC領域に電圧を供給することができる。
これについては、第1のPTC領域およびその接触部との関連で上に説明したのと同様のことが当てはまるが、この接触部は、第1のPTC領域の接触部とは別個に成形されていてよい。
バラクタに加えて、バラクタを製造する方法も権利申請される。
A)少なくとも次の各層を含んでいる積層を成形し:
−第1のPTC領域
−第1の電極
−第1の誘電性層
−第2の電極
B)A)の積層を焼結し、それにより、第1のPTC領域、コンデンサ領域、または第1のPTC領域とコンデンサ領域へのバイアス電圧の印加によってコンデンサ領域のキャパシタンスを変更することができるバラクタが形成される。
本方法の別の態様では、追加の方法ステップで電気接触部が第1のPTC領域に塗布される。
製造方法の別の態様では、個々の層/領域は、それらが互いに接合されて積層になる前に焼結される。互いの接合はたとえば付着剤を用いて行うことができる。付着剤はたとえばエポキシを含むことができる。
2 第1の電極
2’ 第2の電極
3 コンデンサ領域
4 第1のPTC領域
5 第2の誘電性層
6 第1の中間層
7 第3の誘電性層
8 第2の中間層
9 第2のPTC領域
10 第1のPTC領域の電気接触部
10’ 第2のPTC領域の電気接触部
11 第1の誘電性層の電気接触部
Claims (15)
- バラクタにおいて、次の各構成要素すなわち
抵抗に関して正の温度係数を有するセラミック材料を含む第1のPTC領域(4)と、
コンデンサ領域(3)とを含んでおり、該コンデンサ領域は、
第1の電極(2)と、
第2の電極(2’)と、
前記第1の電極(2)と前記第2の電極(2’)との間に配置された第1の誘電性層(1)とを含んでおり、
前記第1のPTC層(4)と前記コンデンサ領域(3)は熱伝導式に相互に結合されており、前記コンデンサ領域(3)のキャパシタンスは、
前記第1のPTC領域(4)、
前記コンデンサ領域(3)、
前記1のPTC領域(4)および前記コンデンサ領域(3)
へのバイアス電圧の印加によって変更可能であるバラクタ。 - 前記第1のPTC領域(4)は電圧の印加によって、前記第1の誘電性層(1)が誘電性の観点から最大の同調可能性を有する温度に合わせて調整可能である、請求項1に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)は電圧の印加によって、前記コンデンサ領域(3)の誘電損を調整可能である温度に合わせて調整可能である、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)は前記第1の電極(2)の上に配置されている、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)はドーピング物質を有している、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)と前記第1の電極(2)との間に配置され、前記ドーピング物質に対してほぼ不透過性である第1の中間層(6)を追加的に含んでいる、請求項5に記載のバラクタ。
- 前記第1の中間層(6)と前記第1の電極(2)との間に配置された第2の誘電性層(5)を追加的に含んでいる、請求項6に記載のバラクタ。
- 前記コンデンサ領域(3)と熱伝導式に結合された第2のPTC領域(9)を追加的に含んでいる、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)、前記第2のPTC領域(9)、および前記コンデンサ領域(3)は積層を形成しており、前記第1のPTC領域(4)と前記第2のPTC領域(9)は前記コンデンサ領域(3)の互いに向き合う側に配置されている、請求項8に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)は電気接触部を有している、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1のPTC領域(4)はBa1−xSrxTi1−yZryO3を含んでおり、このとき0<x<1;0≦y<1が成り立つ、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1の誘電性層(1)はBa1−xSrxTi1−yZryO3を含んでおり、このとき0<x<1;0≦y<1が成り立つ、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 前記第1の誘電性層(1)に関して対称の構造を有している、先行請求項のうちいずれか1項に記載のバラクタ。
- 請求項1から13のいずれか1項に記載のバラクタを製造する方法において、次の各方法ステップを含んでおり、すなわち、
A)少なくとも次の各層を含んでいる積層を成形し:
第1のPTC領域(4)
第1の電極(2)
第1の誘電性層(1)
第2の電極(2’)
B)前記A)の積層を焼結し、それにより、前記第1のPTC領域(4)、前記コンデンサ領域(3)、または前記第1のPTC領域(4)と前記コンデンサ領域(3)へのバイアス電圧の印加によって前記コンデンサ領域(3)のキャパシタンスを変更することができるバラクタが形成される方法。 - 前記方法ステップA)でドーピング物質を含む第1のPCT領域(4)が生成され、前記第1のPTC領域(4)と前記第1の電極(2)の間に配置された、前記ドーピング物質に対してほぼ不透過性である第1の中間層(6)が成形される、請求項14に記載の方法。
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