DE19653792A1 - Bauteil mit flacher Temperaturcharakteristik - Google Patents
Bauteil mit flacher TemperaturcharakteristikInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Schichtbauteil, insbesondere einen
Kondensator, mit mindestens zwei Schichten aus einem elektrisch leitendem Material
und mindestens zwei Schichten aus einem keramischen isolierenden Material, das
eine flache Temperaturcharakteristik aufweist.
Kondensatoren können in elektrischen Schaltungen unterschiedliche Aufgaben
übernehmen. Beispielsweise sind sie als Abblockkondensatoren dazu geeignet,
Gleichspannungsversorgungen stabilisieren, indem sie Wechselspannungsanteile die
als Restwelligkeit oder als Rauschen von den Versorgungseinheiten herrühren oder
durch den Betrieb der Schaltung selbst entstehen, kurzschließen. Insbesondere in
schnellen digitalen Schaltungen treten durch die Schaltvorgänge in den IC's
hochfrequente Störungen auf, die durch Abblockkondensatoren in unmittelbarer
Nähe der entsprechenden IC's abgefangen werden müssen. In der Analogtechnik
werden Kondensatoren zur galvanischen Trennung und wechselstrommäßigen
Kopplung von Schaltungsteilen eingesetzt. In Kombination mit Bauelementen wie
Widerständen, Spulen und aktiven Komponenten sind Kondensatoren Bestandteile
von frequenzbestimmenden Filtern.
Für Kondensatoren zur Wechselspannungskopplung und für Kondensatoren in
frequenzbestimmenden Funktionen benötigt man Kondensatoren, die eine hohe
Temperaturstabilität, niedrige dielektrische Verluste, eine hohe Kapazität und eine
besonders flache Temperaturcharakteristik aufweisen.
Die Herstellung von keramischen Kondensatoren, genauso wie die von Speichern,
mit einer flachen Temperaturcharakteristik ist jedoch dadurch erschwert, daß die
üblicherweise zur Herstellung des aus keramischen isolierendem Material
bestehenden Dielektrikums verwendeten Perowskite eine mehr oder weniger steile
Temperaturcharakteristik aufweisen.
Eine der Möglichkeiten für Kondensatoren die Spezifikation X7R gemäß des
Standards der EIA (Electronic Industries Association) zu erreichen, ist es, speziell
dotierte Perowskite zu verwenden, die eine heterogene Core-Shell-Struktur im Korn
aufweisen und die sich nur in Pulverform herstellen lassen.
Durch ein anderes Verfahren hergestellte Kondensatoren mit flacher Temperatur
charakteristik sind in der US-Patentschrift US 4,86,711 offenbart. Diese beschreibt
einen keramischen Vielschichtkondensator, der eine Kombination umfaßt von a)
einer Vielzahl von dünnen, keramischen Filmen, die für sich gesintert worden sind,
b) Verbindungsschichten, die auf den dünnen keramischen Filmen abgeschieden sind
und mit diesen abwechselnd laminiert werden und wobei die dünnen keramischen
Filme zwischen zwei Verbindungsschichten eingebettet sind und die Verbindungs
schichten dazu dienen, nebeneinanderliegende Schichten zu verbinden, die zwischen
den Verbindungsschichten eingebettet sind und c) Schichten aus leitfähigem Material
auf den Oberflächen der dünnen keramischen Schichten abgeschieden sind, wobei
die Vielzahl von keramischen Schichten zwei oder mehr Arten von keramischen
Filmen umfaßt, die unabhängig unterschiedlich in den dielektrischen Eigenschaften
sind, wobei jede diese Arten aus einem ausgewählten dielektrischen Material
gemacht ist und jede Art wenigstens einen Film in dem laminierten Schichtenstapel
hat. Dabei kann eines der ausgewählten dielektrischen Materialien einen positiven
Koeffizienten der elektrostatischen Kapazität haben und das andere einen negativen
Koeffizienten der elektrostatischen Kapazität.
In den Kondensatoren gemäß US 4,868,711 sind benachbarte dielektrische Schichten
jeweils entweder durch eine Schicht aus Glasmaterial bzw. durch eine Schicht aus
leitfähigem Material für die Elektroden getrennt. Das Glasmaterial senkt jedoch die
Kapazität der Kondensatoren. Außerdem wird für die Kondensatoren gemäß der
US 4,868,711 jede dielektrische Schicht einzeln gebrannt, das macht die Herstellung
solcher Kondensatoren aufwendig.
Die vorliegende Erfindung hat daher die Aufgabe, ein elektronisches Schichtbauteil
mit mindestens zwei Schichten aus einem elektrisch leitendem Material und
mindestens zwei Schichten aus einem keramischen isolierendem Material mit flacher
Temperaturcharakteristik zur Verfügung zu stellen, das einfach herzustellen ist.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch einen keramischen Kondensator
bei dem das keramische Dielektrikum aus einem oder mehreren Paaren von jeweils
zwei keramischen dielektrischen Schichten besteht, wobei das keramische dielek
trische Material der einen Schicht eines Paares eine Dielektrizitätskonstante mit
negativem Temperaturkoeffizienten und das keramische dielektrische Material der
anderen Schicht eines Paares einen positiven Temperaturkoeffizienten hat.
Die erfindungsgemäßen Kondensatoren mit keramischen dielektrischen Schichten,
deren Material alternierende Temperaturkoeffizienten haben, zeichnen sich durch ein
flache Temperaturcharakteristik aus.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das keramische
dielektrische Material mit einer Dielektrizitätskonstante mit negativem Temperatur
koeffizienten aus einer oder mehreren Verbindungen der Gruppe SrTiO3, SrTiO3
mit Dotierung aus Lanthan, Niob oder Mangan, CaTiO3, TiO2, KTaO3, NaNbO3,
CdTiO3, Pb(Fe0.67W0.33)O3, Pb(Fe0.5Ta0.5)O3, Pb(Mg0.33Nb0.67)O3, Pb(Ni0.33Nb0.67)O3,
Pb(Ni0.33Ta0.67)O3, Pb(Mg0.33Ta0.67)O3, Pb(CO0.33Nb0.67)O3, Pb(CO0.33Ta0.67)O3,
BaNd2Ti5O14, BaNd2Ti3O10, Bi2Ti2O7, ZrTiO4, La2Ti3O9 und BaZrO3 besteht.
Es ist auch bevorzugt, daß das keramische dielektrische Material mit einer
Dielektrizitätskonstante mit positivem Temperaturkoeffizienten aus einer oder
mehreren Verbindungen aus der Gruppe Ta2O5, MgTiO3, SrZrO3, KNbO3, MgO,
CeO2, Pb0.6Ba0.4Nb2O6, BaTiO3, PbTiO3, PbHfO3, PbZrO3, PbTi1-xZrxO3 mit
0 < x < 1, niobdotiertes PbTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1, Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1
und 0 < y < 0,14, mangandotiertes Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und
0 < y < 0,14, KNbO3, PbSc0.5Ta0.5O3, PbSc0.5Nb0.5O3, PbFe0.5Nb0.5O3 und
PbZn0.5Nb0.5O3 besteht.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung kann es bevorzugt sein, daß das
Dielektrikum aus mehreren Paaren von keramischen dielektrischen Schichten
besteht, wobei das keramische dielektrische Material der Paare unterschiedlich ist.
Es ist besonders bevorzugt, daß die keramischen dielektrischen Schichten eine
Schichtdicke von 10 bis 100 nm Dicke haben.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist es ebenfalls besonders bevorzugt, daß
die keramischen dielektrischen Schichten durch ein Dünnschichtverfahren hergestellt
sind. Im Dünnschichtverfahren hergestellte keramische dielektrische Schichten
können bei niedrigen Temperaturen hergestellt werden. Dadurch wird eine un
erwünschte Mischkristallbildung zwischen unterschiedlichen Materialien in der
Schichtenfolge unterdrückt.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer Figur und von Beispielen weiter
erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kondensators.
In dieser Ausführungsform ist der erfindungsgemäße Kondensator ein diskretes
Bauelement. Er kann als monolithischer Kondensator oder als Vielschicht
kondensator aufgebaut sein. Er umfaßt ein keramisches Dielektrikum, das aus
mindestens zwei, im allgemeinen aus einer Vielzahl von keramischen dielektrischen
Schichten mit einer Dicke von im allgemeinen nicht mehr als 1000 nm besteht.
Dabei sind paarweise je eine Schicht aus einem keramischen dielektrischen Material
mit positivem Temperaturkoeffizient 1 und eine Schicht aus einem keramischen
dielektrischen Material mit negativem Temperaturkoeffizient 2 übereinander
gestapelt. Der Kondensator umfaßt mindestens zwei Elektroden 3, die sich zu den
gegenüberliegenden Endflächen des Dielektrikums erstrecken. Auf den Endflächen
des keramischen Dielektrikums sind metallische Kontakte 4 als äußere Anschlüsse
vorgesehen. Der Kondensator kann auf einem Substrat 5 aufgebracht und durch eine
Schutzschicht 6 abgedeckt sein.
Für die Kontaktierung des Dielektrikums können auch andere Ausführungsformen
der Elektroden und der äußeren Kontakte vorgesehen werden.
In einer anderen Ausführungsform ist der erfindungsgemäße Kondensator ein in eine
integrierte Schaltung integriertes Bauelement, das entweder in Dickschicht- oder in
Dünnschichttechnik hergestellt werden kann.
Bevorzugt ist die Herstellung in Dünnschichttechnik, z. B. durch ein naßchemisches
Verfahren wie das Sol-Gel-Verfahren oder durch ein Vakuum-Verfahren wie das
Kathodenzerstäubungsverfahren, thermisches Verdampfen oder chemische Ab
scheidung aus der Gasphase. Es werden bevorzugt Schichtpakete mit einer Gesamt
dicke von 100-5000 nm hergestellt, die aus einer Schichtfolge von Schichten von
jeweils 10 bis 1000 nm pro Schicht bestehen. Innerhalb der Schichtfolge besteht
alternierend eine Schicht aus einem keramischen dielektrischen Material mit
positivem Temperaturkoeffizienten und eine Schicht aus einem keramischen
dielektrischen Material mit negativem Temperaturkoeffizienten.
Die erfindungsgemäßen, in Dünnschicht hergestellten Kondensatoren sind besonders
geeignet zur Herstellung von passiven Modulen, die die Kondensatoren in Verbin
dung mit Spulen als LC-Kombination, in Verbindung mit Widerständen als
RC-Kombination oder in Verbindung mit Spulen und Widerständen als
RCL-Kombination enthalten. Die LC, RC oder RCL-Kombinationen werden für
Filteranwendungen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.
Geeignete Materialsysteme in Form dünner Schichten sind z. B. Dielektrika mit
einem negativen Temperaturkoeffizienten im Temperaturbereich zwischen (-55°C)
bzw. (-10°C) und 100 bzw. 400°C, wie z. B. SrTiO3, SrTiO3 mit einer Dotierung
aus Lanthan, Niob oder Mangan, CaTiO3, TiO2, KTaO3, NaNbO3, CdTiO3,
Pb(Fe0.67W0.33)O3, Pb(Fe0.5Ta0.5)O3, Pb(Mg0.33Nb0.67)O3, Pb(Ni0.33Nb0.67)O3,
Pb(Ni0.33Ta0.67)O3, Pb(Mg0.33Ta0.67)O3, Pb(CO0.33Nb0.67)O3, Pb(CO0.33Ta0.67)O3,
BaNd2Ti5O14, BaNd2Ti3O10, Bi2Ti2O7, ZrTiO4, La2Ti3O9, BaZrO3.
Die Schichten können aus einer oder mehreren der genannten Verbindungen
bestehen. Materialsysteme aus mehreren Verbindungen können als physikalische
Mischung oder als Mischkristall vorliegen.
Geeignete Materialsysteme in Form dünner Schichten sind z. B. Dielektrika mit
einem positiven Temperaturkoeffizienten im Temperaturbereich von (-55°C) bzw.
(-10°C) bis 125 bzw. 400°C wie z. B. Ta2O5, MgTiO3, SrZrO3, KNbO3, MgO,
CeO2, Pb0.6Ba0.4Nb2O6, BaTiO3, PbTiO3, PbHfO3, PbZrO3, PbTi1-xZrxO3 mit
0 < x < 1, niobdotiertes PbTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1, Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1
und 0 < y < 0,14, mangandotiertes Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und 0 < y < -0,14,
KNbO3, PbSc0.5Ta0.5O3, PbSc0.5Nb0.5O3, PbFe0.5Nb0.5O3, PbZn0.5Nb0.5O3.
Die Schichten können aus einer oder mehreren der genannten Verbindungen
bestehen. Materialsysteme aus mehreren Verbindungen können als physikalische
Mischung oder als Mischkristall vorliegen.
In einer weiteren Ausführung der oben beschriebenen Erfindung werden Dünn
schichtkondensatoren mit hoher Kapazität und flacher Temperaturcharakteristik
dadurch hergestellt, daß Schichtpakete hergestellt werden. Hohe Kapazitätswerte
werden dadurch erreicht, daß die Schichtpakete aus dünnen oxidischen Schichten
bestehen, welche Materialsysteme mit hohen Dielektrizitätskonstanten aufweisen.
Die einzelnen Materialsysteme zeigen das Maximum der Dielektrizitätskonstante bei
verschiedenen Temperaturen. Die Maxima der Dielektrizitätskonstanten können
dabei zwischen -30°C und +400°C liegen. Durch einen in der oben beschriebenen
Weise hergestellten Schichtaufbau, bei welchem jeweils eine Schicht mit einem
Maximum der Dielektrizitätskonstante bei einer Temperatur abgeschieden wird. Auf
diese Schicht wird eine zweite Schicht mit einem Maximum der Dielektrizitäts
konstante bei einer anderen Temperatur abgeschieden wird. Der Schichtaufbau wird
mehrmals wiederholt. Auf diese Weise wird ein Dünnschichtpaket mit hoher
Kapazität über einen weiten Temperaturbereich erhalten. Typische Schichtpakete
bestehen z. B. aus einer Schicht der Zusammensetzung Pb(Mg0.33Nb0.67)O3 auf einer
Schicht der Zusammensetzung Pb(Mg0.33Nb0.67)O3)1-x(PbTiO3)x.
Ein anderes Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung
Pb(Mg0.33Nb0.67)O3; die darauf abgeschiedene Schicht hat die Zusammensetzung
Pb(Zn0.33Nb0.67)O3.
Ein weiteres Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung
PbTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 die darauf abgeschiedene Schicht hat die Zusammen
setzung SrTiO3 mit Lanthandotierung.
Ein weiteres Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung
Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und 0 < y < 0,14; die darauf abgeschiedene
Schicht hat die Zusammensetzung SrTiO3 mit Lanthandotierung.
Ein weiteres Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung
Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und 0 < y < 0,14; die darauf abgeschiedene
Schicht hat die Zusammensetzung Pb(Mg0.33Nb0.67)O3.
Ein weiteres Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung
Pb(Sc0.5Nb0.5)O3; die darauf abgeschiedene Schicht hat die Zusammensetzung
Pb(Mg0.33Nb0.67)O3.
Ein weiteres Schichtpaket besteht aus einer Schicht der Zusammensetzung SrTiO3
mit Lanthandotierung; die darauf abgeschiedene Schicht hat die Zusammensetzung
Pb(Sc0.5Nb0.5)O3.
Zur Herstellung eines Kondensatorschichtpakets mit geringer Temperaturab
hängigkeit der Kapazität im Temperaturbereich von -55°C bis 125°C werden
Schichtpakete unterschiedlicher oxidischen Materialien mit negativem sowie
positivem Temperaturkoeffizienten abgeschieden. Zu diesem Zweck wird ein
naßchemisches Verfahren eingesetzt. Zur Abscheidung von SrTiO3 Schichten mit
Lanthandotierung, welche einen negativen Temperaturkoeffizienten zeigen, wird eine
Lösung hergestellt, bei welcher Strontiumacetat . 0.5 H2O in Eisessig gelöst wird. Zu
dieser Lösung wird Titan-tetra-butylat gelöst in Ethylenglykolmonomethylether zu
gegeben. Zur Dotierung der Schichten mit 0.1 at% Lanthan wird eine Lathan
acetylacetonat Lösung (0.0624 g Lathanacetylacetonat (30.2 Gew.-% La) in 100 ml
Ethylenglykolmonomethylether) zur Sr-Ti Lösung zugefügt. Die erhaltene Lösung
wird mit Ethylenglykolmonomethylether, H2O und Eisessig versetzt.
Die Abscheidung einer PbZr0.35Ti0.65O3 Schicht, welche demgegenüber einen
positiven Temperaturkoeffizienten zeigt, erfolgt durch Einsatz einer Lösung, bei
welcher Bleiacetat-tri-hydrat in Ethylenglykolmonomethylether aufgelöst wird. Zu
dieser Lösung wird Titan-tetra-n-butylat (14.1 Gew.-% Ti) und
Zirkon-tetra-n-butylat (20.53 Gew.-% Zr) gegeben.
Zur Abscheidung eines Schichtpakets oxidischer Schichten wird ein Siliziumsubstrat
eingesetzt, welches zunächst durch thermische Oxidation mit einer ca. 0.5 um
dicken SiO2-Schicht versehen wird. Auf die thermische Oxidschicht wird mittels
eines Kathodenstrahlzerstäubungsverfahren eine 5 nm dicke Titanschicht als
Haftschicht aufgebracht. Auf die Titanschicht wird eine 70 nm dicke Pt Schicht
aufgebracht. Auf dieses Substrat werden ca. 1 ml der Pb-Ti-Zr-Lösung aufgebracht
und mit einem Schleuderverfahren mit 2000 Umdrehungen pro Minute beschichtet.
Die Schicht wird mit 200 mm/min in einen Diffusionsofen, welcher bei einer
Temperatur von 700°C unter Sauerstoffatmosphäre gehalten wird, eingefahren und
dort 1 Stunde bei dieser Temperatur umgesetzt. Die Schicht wird anschließend mit
200 mm/min aus dem Ofen ausgefahren. Auf diese gesinterte PbZr0.35Ti0.65O3 Schicht
wird ca. 1 ml der Sr-La-Ti-Lösung aufgebracht und ebenso wie bei der
PbZr0.35Ti0.65O3 Beschichtung verfahren. Die Umsetzung zur SrTiO3 Schicht erfolgt
wie beim PbZr0.35Ti0.65O3 beschrieben bei 700°C. Die abwechselnde Beschichtung
mit PbZr0.35Ti0.65O3 und SrTiO3 wird 5 mal wiederholt. Nach der letzten Beschich
tung bestehend aus SrTiO3 wird eine Behandlung des Schichtpakets bei 700°C für
10 Stunden durchgeführt. Das 0.86 µm dicke oxidische Schichtpaket zeigt eine
relative Dielektrizitätskonstante von ca. 400, eine Kapazität von ca. 5.5-6 nF/mm2
und dielektrische Verluste von 1.1-1.2%. Durch die Verwendung eines Schicht
pakets bestehend aus SrTiO3 und PbZrO0.53Ti0.47O3 wird ein keramischer Dünn
schichtkondensator mit einer Temperaturcharakteristik erhalten, welcher geringere
Abweichungen der Kapazitätswerte vom Raumtemperaturwert zeigt als ein Dünn
schichtkondensator bestehend aus SrTiO3. Unter der Annahme eines linearen
Temperaturverlaufs wird für dieses Schichtpaket ein Temperaturkoeffizient von
-1400 ppm/K ermittelt. Dies ist ein weitaus geringerer Temperaturkoeffizient,
verglichen mit reinen SrTiO3 Schichten, für welche ein Temperaturkoeffizient von
ca. -3000 ppm/K gemessen wird.
Zur Herstellung eines Kondensatorschichtpakets mit hoher Kapazität und relativ
flacher Temperaturcharakteristik werden Schichtpakete unterschiedlicher oxidischen
Materialien, die das Maximum der Dielektrizitätskonstante bei unterschiedlichen
Temperaturen zeigen, verwendet. Zum Beispiel wird eine Pb(Sc0.5Nb0.5)O3-Schicht
abgeschieden, die ihr Maximum der Dielektrizitätskonstante bei ca. 90°C zeigt. Auf
diese Schicht wird eine oxidische Schicht der Zusammensetzung Pb(Mg0.33Nb0.67)O3
abgeschieden, die nach keramischen Daten ihr Maximum der Dielektrizitätskonstante
bei ca. -12°C zeigt. In dem hier beschriebenen Ausführungsbeispiel wird zu diesem
Zweck ein naßchemisches Verfahren eingesetzt.
Für die Beschichtung von Substraten mit einer Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 Schicht wird eine
Beschichtungslösung hergestellt. Zu diesem Zweck wird Niobethoxid (29.64 Gew.-%
Nb), und Scandiumacetylacetonat (12.95 Gew.-%. Sc) in Ethylenglykolmono
methylether gelöst und 2 Stunden unter Rückfluß erhitzt. Die Lösung wird ab
gekühlt. Danach wird Bleiacetat (64.1 Gew.-% Pb) zu der Sc-Ta-Lösung zugefügt.
Dann wird die Lösung durch ein Teflonfilter mit einer Porenweite von 0.2 µm
filtriert. Zur Beschichtung der Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 Schicht mit Pb(Mg0.33Nb0.67)O3 wird
eine Lösung hergestellt. Zu diesem Zweck wird Magnesiumethoxid (21.46 Gew.-%
Mg), Niobethoxid (29.64 Gew.-%. Nb) und Bleiacetat (63.85 Gew.-% Pb) in
Ethylenglykolmonomethylether erhitzt. Danach wird die Lösung durch ein Teflon
filter mit einer Porenweite von 0.2 µm filtriert.
Zur Abscheidung eines Schichtpakets oxidischer Schichten wird ein Siliziumsubstrat
eingesetzt, welches zunächst durch thermische Oxidation mit einer ca. 0.5 um
dicken SiO2 Schicht versehen wurde. Auf die thermische Oxidschicht wird mittels
eines Kathodenstrahlzerstäubungsverfahren eine 5 nm dicke Titanschicht als Haft
schicht aufgebracht. Auf die Titanschicht wurde eine 70 nm dicke Pt Schicht
aufgebracht. Auf dieses Substrat wurden ca. 1 ml der Pb-Sc-Nb-Lösung aufgebracht
und mit einem Schleuderverfahren mit 2000 Umdrehungen pro Minute beschichtet.
Die Schicht wird auf 850°C aufgeheizt. Auf diese gesinterte Pb(Sc0.5Nb0.5)O3
Schicht wird ca. 1 ml der Pb-Mg-Nb-Lösung aufgebracht und ebenso wie bei der
Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 Beschichtung verfahren. Die abwechselnde Beschichtung mit
Pb(Mg0.33Nb0.67O3 und Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 wird 5 mal wiederholt. Nach der letzten
Beschichtung wird eine Behandlung des Schichtpakets bei 850°C für 5 Minuten
durchgeführt.
Claims (7)
1. Elektronisches Schichtbauteil mit mindestens zwei Schichten aus elektrisch
leitendem Material und mindestens zwei Schichten aus keramischen isolierendem
Material, wobei in einer alternierenden Schichtenfolge jeweils eine Schicht aus
keramischen isolierendem Material aus einem Material mit einem physikalischen
Parameter mit negativem Temperaturkoeffizienten und eine Schicht aus einem
Material mit einem physikalischen Parameter mit positivem Temperaturkoeffizienten
besteht.
2. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Schichtbauteil ein Kondensator ist,
3. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Material mit einem physikalischen Parameter mit negativem Temperatur
koeffizienten aus einer oder mehreren Verbindungen der Gruppe SrTiO3, SrTiO3
mit Dotierung aus Lanthan, Niob oder Mangan, CaTiO3, TiO2, KTaO3, NaNbO3,
CdTiO3, Pb(Fe0.67W0.33)O3, Pb(Fe0.5Ta0.5)O3, Pb(Mg0.33Nb0.67)O3, Pb(Ni0.33Nb0.67)O3,
Pb(Ni0.33Ta0.67)O3, Pb(Mg0.33Ta0.67)O3, Pb(Co0.33Nb0.67)O3, Pb(Co0.33Ta0.67)O3,
BaNd2Ti5O14, BaNd2Ti3O10, Bi2Ti2O7, ZrTiO4, La2Ti3O9 und BaZrO3 besteht.
4. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das keramische dielektrische Material mit einer Dielektrizitätskonstante mit
positivem Temperaturkoeffizienten aus einer oder mehreren Verbindungen aus der
Gruppe Ta2O5, MgTiO3, SrZrO3, KNbO3, MgO, CeO2, Pb0.6Ba0.4Nb2O6, BaTiO3,
PbTiO3, PbHfO3, PbZrO3, PbTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1, niobdotiertes PbTi1-xZrxO3 mit
0 < x < 1, Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und 0 < y < 0,14, mangandotiertes
Pb1-1.5yLayTi1-xZrxO3 mit 0 < x < 1 und 0 < y < 0,14, KNbO3, PbSc0.5Ta0.5O3,
PbSc0.5Nb0.5O3, PbFe0.5Nb0.5O3 und PbZn0.5Nb0.5O3 besteht.
5. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Dielektrikum aus mehreren Paaren von keramischen dielektrischen
Schichten besteht, wobei das keramische dielektrische Material der Paare
unterschiedlich ist.
6. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die keramischen dielektrischen Schichten eine Schichtdicke von 10 bis 100 nm
dicke haben.
7. Elektronisches Schichtbauteil gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die keramischen dielektrischen Schichten durch ein Dünnschichtverfahren
hergestellt sind.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1996153792 DE19653792A1 (de) | 1996-12-21 | 1996-12-21 | Bauteil mit flacher Temperaturcharakteristik |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1996153792 DE19653792A1 (de) | 1996-12-21 | 1996-12-21 | Bauteil mit flacher Temperaturcharakteristik |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19653792A1 true DE19653792A1 (de) | 1998-06-25 |
Family
ID=7815862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1996153792 Ceased DE19653792A1 (de) | 1996-12-21 | 1996-12-21 | Bauteil mit flacher Temperaturcharakteristik |
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| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19653792A1 (de) |
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- 1996-12-21 DE DE1996153792 patent/DE19653792A1/de not_active Ceased
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