DE102020108369A1 - Dielektrischer film und elektronische komponente - Google Patents

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Shohei Fujii
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Abstract

Ein dielektrischer Film umfasst ein komplexes Oxid, das durch die allgemeine Formel xAO-yBO-zC2O5 als Hauptkomponente dargestellt wird, wobei A mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Barium, Kalzium und Strontium ist, B mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Magnesium und Zink ist, C mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Niob und Tantal ist und x, y und z die folgenden Beziehungen erfüllen: x+y+z=1,000, 0,375≤x≤0,563, 0,250≤y≤0,500 und x/3≤z≤(x/3)+1/9. In einem Röntgendiffraktogramm des dielektrischen Films ist eine Beugungspeakintensität der (21 1)-Ebene des komplexen Oxids oder eine Beugungspeakintensität der (222)-Ebene des komplexen Oxids größer als eine Beugungspeakintensität der (1 10)-Ebene des komplexen Oxids.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen dielektrischen Film und eine elektronische Komponente.
  • In den letzten Jahren ist die Anzahl der verwendeten Frequenzbereiche in mobilen Kommunikationsgeräten, die durch Smartphones repräsentiert werden, gestiegen, um eine schnelle und leistungsfähige Kommunikation zu erreichen. Die verwendeten Frequenzbereiche sind Hochfrequenzbereiche wie z.B. GHz-Bänder. Einige Hochfrequenzkomponenten, die in den Hochfrequenzbereichen arbeiten, wie Baluns, Koppler, Filter und Duplexer oder Diplexer in Kombination mit Filtern, verwenden dielektrische Materialien als Resonatoren.
  • Mit der Leistungssteigerung von mobilen Kommunikationsgeräten steigt tendenziell auch die Anzahl der auf einem mobilen Kommunikationsgerät montierten elektronischen Komponenten, so dass parallel dazu eine Verkleinerung der elektronischen Komponenten erforderlich ist, um die Größe des mobilen Kommunikationsgerätes zu erhalten. Aufgrund der Nichtwendigkeit, die Elektrodenfläche für die Verkleinerung von Hochfrequenzkomponenten unter Verwendung von dielektrischem Material zu reduzieren, ist es erforderlich, dass die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials in Hochfrequenzbereichen hoch ist, um die dadurch verursachte Verringerung der Kapazität zu kompensieren.
  • In Patentdokument 1 wird eine dielektrische Keramik mit einer Zusammensetzung, die von der stöchiometrischen Zusammensetzung Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 abweicht, und die dielektrische Keramik mit einer relativen Dielektrizitätskonstante von etwa 24 offenbart.
  • Patentdokument 1: Offengelegtes japanisches Patent Nr. 8-319162
  • Bei der in Patentdokument 1 offengelegten dielektrischen Keramik handelt es sich jedoch um einen Sinterkörper, der ein ausreichendes Volumen haben muss, um die in Patentdokument 1 gezeigten dielektrischen Eigenschaften zu zeigen. Die offenbarte dielektrische Keramik hat daher folgendes Problem: Die Größe ist als dielektrisches Material zu groß, um auf Hochfrequenzkomponenten, die in Hochfrequenzbereichen verwendet werden, aufgebracht zu werden.
  • In Anbetracht dieser Umstände ist es Gegenstand der vorliegenden Erfindung, einen dielektrischen Film mit einer hohen relativen Dielektrizitätskonstante in Hochfrequenzbereichen bereitzustellen.
  • KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Aspekte der vorliegenden Erfindung, um das Ziel zu erreichen, sind folgende.
    1. [1] Ein dielektrischer Film, umfassend ein komplexes Oxid, dargestellt durch die allgemeine Formel xAO-yBO-zC2O5 als eine Hauptkomponente, wobei
      • A mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Barium, Kalzium und Strontium ist,
      • B mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Magnesium und Zink ist,
      • C mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Niob und Tantal ist,
      • x, y und z die folgenden Beziehungen erfüllen: x+y+z=1,000,0,375≤x≤0,563, 0,250≤y≤0,500, und x/3≤z≤(x/3)+1/9, und
      • eine Beugungspeakintensität einer (211)-Ebene des komplexen Oxids oder eine Beugungspeakintensität einer (222)-Ebene des komplexen Oxids größer ist als eine Beugungspeakintensität einer (110)-Ebene des komplexen Oxids in einem Röntgendiffraktogramm des dielektrischen Films.
    2. [2] Der dielektrische Film gemäß Punkt [1], wobei die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene des komplexen Oxids größer ist als die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene des komplexen Oxids, und I(211) und I(222) eine Beziehung von 1,2≤I(211)/I(222) erfüllen, wenn die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene durch 1(211) und die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene durch 1(222) repräsentiert wird.
    3. [3] Der dielektrische Film gemäß Punkt [2], wobei 1(211) und 1(222) eine Beziehung von 15≤I(211)/I(222) erfüllen.
    4. [4] Ein elektronisches Bauelement, das den dielektrischen Film gemäß einem der Punkte [1] bis [3] umfasst.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein dielektrischer Film mit einer hohen relativen Dielektrizitätskonstante in Hochfrequenzbereichen bereitgestellt werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Dünnfilmkondensators als Beispiel für eine elektronische Komponente in einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wird anhand konkreter Ausführungsformen in der folgenden Reihenfolge detailliert beschrieben.
    1. 1. Dünnfilmkondensator
      • 1. 1. Gesamtstruktur des Dünnfilmkondensators
      • 1. 2. Dielektrischer Film
      • 1. 2. 1. Komplexes Oxid
      • 1. 3. Substrat
      • 1. 4. Untere Elektrode
      • 1. 5. Obere Elektrode
    2. 2. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators
    3. 3. Zusammenfassung der vorliegenden Ausführungsform
    4. 4. Modifiziertes Beispiel
  • (Dünnfilmkondensator)
  • Zunächst wird als elektronisches Bauelement nach der vorliegenden Ausführungsform ein Dünnfilmkondensator erklärt, bei dem eine dielektrische Schicht aus einem dünnen dielektrischen Film aufgebaut ist.
  • (Gesamtstruktur des Dünnfilmkondensators)
  • Wie in 1 gezeigt, hat ein Dünnfilmkondensator 10 als Beispiel für das elektronische Bauelement nach der vorliegenden Ausführungsform einen Aufbau, bei dem ein Substrat 1, eine untere Elektrode 3, ein dielektrischer Film 5 und eine obere Elektrode 4 in dieser Reihenfolge gestapelt sind. Die untere Elektrode 3, der dielektrische Film 5 und die obere Elektrode 4 bilden einen Kondensatorteil. Wenn die untere Elektrode 3 und die obere Elektrode 4 an einen externen Stromkreis angeschlossen sind und Spannung angelegt wird, weist der dielektrische Film 5 eine vorbestimmte Kapazität auf, wodurch der Kondensatorteil als Kondensator fungiert. Jede Komponente wird im Folgenden ausführlich besprochen.
  • Außerdem wird in der vorliegenden Ausführung eine Unterlage 2 zwischen dem Substrat 1 und der unteren Elektrode 3 gebildet, um die Haftung zwischen dem Substrat 1 und der unteren Elektrode 3 zu verbessern. Ein Material, das die Unterlage 2 bildet, ist nicht besonders begrenzt, solange die Haftung zwischen dem Substrat 1 und der unteren Elektrode 3 ausreichend gesichert werden kann. Wenn z.B. die untere Elektrode 3 aus Cu besteht, kann die Unterlage 2 aus Cr bestehen; und wenn die untere Elektrode 3 aus Pt besteht, kann die Unterlage 2 aus Ti bestehen.
  • Außerdem kann in dem in 1 gezeigten Dünnfilmkondensator 10 ein Schutzfilm gebildet werden, um den dielektrischen Film 5 vor der äußeren Atmosphäre zu schützen.
  • Beachten Sie, dass die Form eines Dünnfilmkondensators nicht besonders begrenzt ist und normalerweise die Form eines rechteckigen Parallelepipeds hat. Auch die Größe eines Dünnfilmkondensators ist nicht besonders begrenzt, und die Dicke und Länge kann je nach Verwendungszweck angemessen bestimmt werden.
  • (Dielektrischer Film)
  • Der dielektrische Film 5 enthält ein komplexes Oxid, das später als eine Hauptkomponente beschrieben wird. In der vorliegenden Ausführung ist die Hauptkomponente eine Komponente, die 50 Mol% oder mehr in 100 Mol% des dielektrischen Films ausmacht.
  • In der vorliegenden Ausführung ist der dielektrische Film 5 ein dünner Film, der durch eine bekannte Filmbildungsmethode gebildet wird. Da ein solcher Dünnfilm normalerweise durch Abscheidung von Atomen auf einem Substrat gebildet wird, ist der dielektrische Film vorzugsweise ein abgeschiedener Film aus dielektrischem Material. Der dielektrische Film enthält keinen Sinterkörper, der durch Brennen eines grünen Presslings aus Rohmaterialpulver aus dielektrischem Material (durch eine Festkörperreaktion) erhalten wird.
  • Die Dicke des dielektrischen Films 5 beträgt vorzugsweise 10 nm bis 4000 nm, und noch bevorzugter 50 nm bis 3000 nm. Wenn der dielektrische Film 5 zu dünn ist, kann es leicht zu einem Durchschlag der Isolation des dielektrischen Films 5 kommen. Tritt der Durchschlag der Isolation auf, kann ein Kondensator seine Funktion nicht ausführen. Ist der dielektrische Film 5 dagegen zu dick, muss die Elektrodenfläche vergrößert werden, um die Kapazität des Kondensators zu erhöhen, so dass eine Verkleinerung der Größe und Höhe der elektronischen Komponenten je nach Design schwierig werden kann.
  • Beachten Sie, dass der Dünnfilmkondensator einschließlich des dielektrischen Films 5 mit einer FIB (Focused Ion Beam)-Bearbeitungsvorrichtung bearbeitet wird und der erhaltene Querschnitt mit einem REM (Rasterelektronenmikroskop) und ähnlichem beobachtet wird, wodurch die Dicke des dielektrischen Films 5 gemessen werden kann.
  • (Komplexes Oxid)
  • Das komplexe Oxid ist ein Oxid, das ein Element A, ein Element B und ein Element C enthält, dargestellt durch die allgemeine Formel xAO-yBO-zC2O5. In der vorliegenden Ausführung umfassen das Element A und das Element B jeweils ein zweiwertiges Element und das Element C ein fünfwertiges Element.
  • In der allgemeinen Formel stellt „x“ den Anteil der Molzahl eines Oxids AO in 1,000 Mol des komplexen Oxids dar. In ähnlicher Weise stellt in der allgemeinen Formel „y“ den Anteil der Molzahl eines Oxids BO in 1,000 Mol des komplexen Oxids dar, und „z“ ist der Anteil der Molzahl eines Oxids C2O5 in 1.000 Mol des komplexen Oxids.
  • In der gegenwärtigen Ausführungsform erfüllen „x“, „y“ und „z“ die folgenden Beziehungen: x+y+z=1,000, 0,375≤x≤0,563, 0,250≤y≤0,500, und x/3≤z≤(x/3)+1/9.
  • Wenn „x“ zu klein ist, nimmt die relative Dielektrizitätskonstante tendenziell ab. Wenn „x“ dagegen zu groß ist, reagiert das überschüssige Element A leicht mit Kohlendioxid, Feuchtigkeit und ähnlichem in der Atmosphäre, so dass die Formbeständigkeit aufgrund der Verschlechterung des dielektrischen Films tendenziell schwierig ist.
  • Wenn „y“ zu klein ist, neigt das Element A dazu, relativ im Überschuss vorzuliegen, so dass sich die oben beschriebene Tendenz zeigt. Wenn „y“ einen zu großen Wert annimmt, neigt der dielektrische Film zur Rissbildung.
  • Wenn „z“ zu klein ist, neigt das Element A dazu, relativ im Überschuss vorzuliegen, so dass sich die oben beschriebene Tendenz zeigt. Wenn „z“ zu groß ist, liegt das Element C überschüssig vor, so dass Sauerstoffdefekte in dem dielektrischen Film auftreten, die dann zu halbleitenden Verhalten neigt.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das Element A mindestens ein Element aus der Gruppe Barium (Ba), Calcium (Ca) und Strontium (Sr). Es ist vorzuziehen, dass das Element A mindestens Barium enthält. In diesem Fall ist das Element A Barium oder Barium und mindestens ein Element, das aus der Gruppe bestehend aus Calcium und Strontium ausgewählt ist. Wenn das Element A mindestens Barium enthält, führt dies tendenziell zu einer Verbesserung der relativen Dielektrizitätskonstante.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das Element B mindestens ein Element aus der Gruppe Magnesium (Mg) und Zink (Zn). Es ist vorzuziehen, dass das Element B mindestens Magnesium enthält. In diesem Fall ist das Element B Magnesium oder Magnesium und Zink. Wenn das Element B mindestens Magnesium enthält, führt dies tendenziell zu einer Verbesserung der relativen Dielektrizitätskonstante.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist das Element C mindestens ein Element aus der Gruppe Niob (Nb) und Tantal (Ta). Es ist vorzuziehen, dass das Element C mindestens Tantal enthält. In diesem Fall ist das Element C Tantal oder Tantal und Niob. Wenn das Element C mindestens Tantal enthält, führt dies tendenziell zu einer Verbesserung der relativen Dielektrizitätskonstante.
  • Der dielektrische Film in der vorliegenden Ausführungsform hat eine bevorzugte Orientierungsebene. Die bevorzugte Orientierung kann durch die Bildung des dielektrischen Films mit einer bekannten Filmbildungsmethode erreicht werden. Andererseits hat ein Sinterkörper, der durch das Brennen eines grünen Presslings aus Rohmaterialpulver aus dielektrischem Material, d.h. durch eine Festkörperreaktion, erhalten wird, normalerweise eine zufällige Orientierungsebene, so dass der Sinterkörper keine bevorzugte Orientierung hat.
  • Die im dielektrischen Film in der vorliegenden Ausführung enthaltenen Kristallite haben eine bevorzugte Orientierung auf einer (211)-Ebene oder einer (222)-Ebene des oben beschriebenen komplexen Oxids. Mit anderen Worten, die Kristallite, die in dem dielektrischen Film in der vorliegenden Ausführungsform enthalten sind, werden vorzugsweise in einer <211> Richtung oder einer <222> Richtung gezüchtet.
  • In der vorliegenden Ausführung ist in einem Röntgendiffraktogramm, das durch Röntgenbeugungsmessung des dielektrischen Films erhalten wurde, die Beugungspeakintensität der (21 1)-Ebene des komplexen Oxids oder die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene des komplexen Oxids größer als die Beugungspeakintensität einer (1 10)-Ebene des komplexen Oxids.
  • In dem komplexen Oxid ist die Beugungspeakintensität der (1 10)-Ebene normalerweise größer als andere Beugungspeakintensitäten. In der vorliegenden Ausführung wird jedoch die bevorzugte Orientierungsebene im dielektrischen Film so eingestellt, dass die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene des komplexen Oxids oder die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene des komplexen Oxids größer ist als die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene des komplexen Oxids.
  • Durch das Einstellen der bevorzugten Orientierungsebene wird die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films verbessert. In der vorliegenden Ausführungsform ist es vorzuziehen, dass die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene im Röntgendiffraktogramm größer ist als die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene.
  • Insbesondere ist es vorzuziehen, dass ein Verhältnis der Beugungspeakintensität der (211)-Ebene zur Beugungspeakintensität der (222)-Ebene in einem bestimmten Bereich liegt.
  • Insbesondere wenn die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene durch 1(211) und die Beugungspeakintensität der (222) durch 1(222) dargestellt wird, ist es vorzuziehen, dass 1(211) und 1(222) eine Beziehung von 1,2≤I(211)/I(222) erfüllen. Es ist mehr vorzuziehen, dass 1(211) und 1(222) eine Beziehung von 15≤I(211)/I(222) erfüllen. Der Grund dafür ist, dass die bevorzugte Orientierung auf der (211)-Ebene die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films tendenziell stärker verbessert als die bevorzugte Orientierung auf der (222)-Ebene.
  • Im Falle der Verwendung von Cu-Kα-Strahlung als Röntgenquelle erscheint der Beugungspeak der (211)-Ebene bei einem Beugungswinkel 20 von etwa 54°und der Beugungspeak der (222)-Ebene bei einem Beugungswinkel 20 von etwa 80°.
  • Die bevorzugte Orientierungsebene im dielektrischen Film kann durch eine bekannte Methode kontrolliert werden. Beispiele für die Methode umfassen die Art der Filmbildungsmethode, die Substrattemperatur bei der Filmbildung, die bei der Filmbildung zugeführte Energie und die Atmosphäre bei der Filmbildung.
  • Außerdem kann der dielektrische Film gemäß der vorliegenden Ausführungsform Spuren von Verunreinigungen, Nebenkomponenten und ähnlichem enthalten, solange die vorliegende Erfindung ihre Wirkung entfalten kann.
  • (Substrat)
  • Das in 1 gezeigte Substrat ist nicht besonders begrenzt, solange es aus einem Material mit mechanischer Festigkeit besteht, das die Unterlage 2, die untere Elektrode 3, den dielektrischen Film 5 und die obere Elektrode 4, die auf dem Substrat 1 gebildet werden, tragen kann. Zum Beispiel ein Einkristallsubstrat, das aus Si-Einkristall, SiGe-Einkristall, GaAs-Einkristall, InP-Einkristall, SrTiO3-Einkristall, MgO-Einkristall, LaAlO3-Einkristall, ZrO2-Einkristall, MgAl2O4-Einkristall, NdGaO3-Einkristall und dergleichen besteht; ein keramisches Polykristallsubstrat, das aus Al2O3-Polykristall, ZnO-Polykristall, SiO2-Polykristall und dergleichen besteht; ein Metallsubstrat, das aus Metallen wie Ni, Cu, Ti, W, Mo, Al, Pt, einer Legierung dieser Metalle und dergleichen besteht; und dergleichen kann erwähnt werden. In der vorliegenden Ausführung wird auf Grund der niedrigen Kosten und der Verarbeitbarkeit ein Si-Einkristall als Substrat verwendet.
  • Eine Dicke des Substrats 1 liegt z.B. zwischen 10 µm und 5000 µm. Wenn es zu dünn ist, kann die mechanische Festigkeit in einigen Fällen nicht ausreichen, und wenn es zu dick ist, kann die elektronische Komponente in einigen Fällen nicht kompakt gestaltet werden.
  • Das oben erwähnte Substrat 1 hat je nach Material des Substrats einen unterschiedlichen spezifischen Widerstand. Wenn das Substrat aus dem Material mit einem niedrigen spezifischen Widerstand besteht, kann während des Betriebs des Dünnfilmkondensators Strom zur Substratseite hin austreten, was die elektrischen Eigenschaften des Dünnfilmkondensators beeinträchtigen kann. Wenn der spezifische Widerstand des Substrats 1 niedrig ist, wird daher vorzugsweise eine Isolationsbehandlung der Oberfläche des Substrats 1 durchgeführt, damit kein Strom zur Seite des Substrats 1 hin abfließt, während der Kondensator läuft.
  • Wenn z.B. ein Si-Einkristall als Substrat 1 verwendet wird, wird eine Isolierschicht vorzugsweise auf der Oberfläche des Substrats 1 gebildet. Solange das Substrat 1 und der Kondensatorteil ausreichend isoliert sind, sind das Material, aus dem die Isolierschicht besteht, und die Dicke der Isolierschicht nicht besonders begrenzt. In der vorliegenden Ausführung können als Material, das die Isolierschicht bildet, SiO2, Al2O3, Si3Nx und ähnliche als Beispiele genannt werden. Auch die Dicke der Isolierschicht beträgt vorzugsweise 0,01 µm oder mehr.
  • (Untere Elektrode)
  • Wie in 1 gezeigt, wird die untere Elektrode 3 in Form eines dünnen Films über die Unterlage 2 auf dem Substrat 1 gebildet. Der dielektrischen Film 5 wird zwischen der unteren Elektrode 3 und der oberen Elektrode 4, die unten beschrieben wird, angeordnet. Die untere Elektrode 3 ist eine Elektrode, die es dem dielektrischen Film 5 ermöglicht, als Kondensator zu fungieren. Das Material, aus dem die untere Elektrode 3 besteht, ist nicht besonders begrenzt, solange es leitfähig ist. Zum Beispiel können Metalle wie Pt, Ru, Rh, Pd, Ir, Au, Ag, Cu und dergleichen, deren Legierung oder ein leitfähiges Oxid und dergleichen erwähnt werden.
  • Die Dicke der unteren Elektrode 3 ist nicht besonders begrenzt, solange die untere Elektrode 3 als Elektrode fungiert. In der vorliegenden Ausführungsform beträgt die Dicke vorzugsweise 0,01 µm oder mehr.
  • (Obere Elektrode)
  • Wie in 1 gezeigt, ist die obere Elektrode 4 in Form eines dünnen Films auf der Oberfläche des dielektrischen Films 5 ausgebildet. Der dielektrische Film 5 wird zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 3 platziert, und die obere Elektrode 4 ist eine Elektrode, die es dem dielektrischen Film 5 ermöglicht, als Kondensator zu fungieren. Daher haben die obere Elektrode 4 und die untere Elektrode 3 eine unterschiedliche Polarität.
  • Ähnlich wie bei der unteren Elektrode 3 ist ein Material, das die obere Elektrode 4 bildet, nicht besonders begrenzt, solange es leitfähig ist. Zum Beispiel können Metalle wie Pt, Ru, Rh, Pd, Ir, Au, Ag, Cu und ähnliche Metalle, deren Legierung oder ein leitfähiges Oxid und ähnliches erwähnt werden.
  • (Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmkondensatoren)
  • Als nächstes wird ein Beispiel für die in 1 gezeigte Methode zur Herstellung eines Dünnfilmkondensators 10 wie folgt beschrieben.
  • Zunächst wird das Substrat 1 vorbereitet. Zum Beispiel wird bei Verwendung eines Si-Einkristallsubstrats eine Isolierschicht auf einer der Hauptflächen des Substrats 1 gebildet. Als Verfahren zur Bildung der Isolierschicht kann ein bekanntes Verfahren zur Bildung eines Films, wie z.B. ein thermisches Oxidationsverfahren, ein CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) und ähnliches verwendet werden.
  • Als nächstes wird ein dünner Film aus einem Material, das eine Unterlage bildet, auf der Isolierschicht gebildet, die mit einer bekannten Methode zur Bildung eines Films gebildet wurde, wodurch die Unterlage 2 gebildet wird.
  • Nachdem die Unterlage 2 gebildet wurde, wird auf der Unterlage 2 ein dünner Film aus einem Material, das eine untere Elektrode bildet, mit einem bekannten Verfahren zur Bildung eines Films gebildet, wodurch die untere Elektrode 3 gebildet wird.
  • Nach der Bildung der unteren Elektrode 3 kann eine Wärmebehandlung durchgeführt werden, um die Haftung zwischen der Unterlage 2 und der unteren Elektrode 3 zu verbessern und auch die Stabilität der unteren Elektrode 3 zu erhöhen. Als Wärmebehandlungsbedingung ist zum Beispiel eine Temperaturanstiegsrate von 10 °C/min bis 2000 °C/min und noch bevorzugter 100 °C/min bis 1000 °C/min zu empfehlen. Eine Haltetemperatur während der Wärmebehandlung beträgt vorzugsweise 400 °C bis 800 °C und eine Haltezeit beträgt vorzugsweise 0,1 bis 4,0 Stunden. Wenn die Wärmebehandlungsbedingungen außerhalb des oben genannten Bereichs liegen, haften die Unterlage 2 und die untere Elektrode 3 möglicherweise nicht ausreichend und die Oberfläche der unteren Elektrode 3 wird leicht rau. Infolgedessen neigen die dielektrischen Eigenschaften des dielektrischen Films 5 leicht zur Abnahme der dielektrischen Eigenschaften.
  • Als nächstes wird der dielektrische Film 5 auf der unteren Elektrode 3 gebildet. In der vorliegenden Ausführung wird der dielektrische Film 5 als Abscheidungsfilm gebildet, indem das Material, das den dielektrischen Film 5 bildet, durch ein bekanntes Verfahren zur Bildung eines Films in Filmform auf der unteren Elektrode 3 abgeschieden wird.
  • Beispiele für die bekannte Filmbildungsmethode sind ein Vakuumabscheidungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Laserstrahlverdampfungsverfahren (pulsed laser deposition, PLD), ein Verfahren zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MO-CVD), ein Verfahren zur metallorganischen Zersetzung (MOD), ein Sol-Gel-Verfahren und ein Verfahren zur chemischen Lösungsabscheidung (CSD). In der gegenwärtigen Ausführungsform wird das Sputterverfahren unter dem Gesichtspunkt der Kosten und der Einstellung der bevorzugten Orientierungsebene bevorzugt.
  • Obwohl in den für die Filmbildung zu verwendenden Rohmaterialien (Aufdampfmaterialien, verschiedene Zielmaterialien, organometallische Materialien usw.) in einigen Fällen eine gewisse Menge an Verunreinigungen, Teilkomponenten und Ähnlichem enthalten sein kann, gibt es keine besonderen Probleme, solange die gewünschten dielektrischen Eigenschaften erreicht werden können.
  • Im Falle der Anwendung des Sputterverfahrens wird ein Target mit einer gewünschten Zusammensetzung verwendet, um den dielektrischen Film auf der unteren Elektrode zu bilden. In der vorliegenden Ausführungsform ist es vorzuziehen, dass der dielektrische Film als Kristall ausgebildet wird. Die Bildung des dielektrischen Films als Kristall macht eine Glühbehandlung nach der Filmbildung überflüssig. Die Kontrolle der bevorzugten Orientierungsebene wird dadurch leicht möglich, so dass das oben beschriebene Verhältnis zwischen der Beugungspeakintensität der (21 1)-Ebene und der Beugungspeakintensität der (222)-Ebene leicht erreicht werden kann.
  • Für die Bildung des dielektrischen Films als Kristall ist es z.B. vorzuziehen, dass die Substrattemperatur höher, die beim Sputtern aufgenommene elektrische Leistung größer und der Filmbildungsdruck beim Sputtern geringer ist. Diese Filmbildungsbedingungen können in geeigneter Weise kombiniert werden.
  • Als nächstes wird ein dünner Materialfilm, der die obere Elektrode bildet, durch ein bekanntes Verfahren zur Bildung eines Films auf dem gebildeten dielektrischen Film 5 gebildet; dadurch wird die obere Elektrode 4 gebildet.
  • Durch die oben genannten Schritte kann der Dünnfilmkondensator 10 mit einem Kondensatorteil (die untere Elektrode 3, der dielektrische Film 5 und die obere Elektrode 4) auf dem Substrat 1 wie in 1 dargestellt erhalten werden. Es ist zu beachten, dass ein Schutzfilm zum Schutz des dielektrischen Films 5 so gebildet werden kann, dass er zumindest einen Teil des dielektrischen Films 5, der nach außen hin freiliegt, mit einer bekannten Methode zur Bildung eines Films bedeckt.
  • (Zusammenfassung der vorliegenden Ausführungsform)
  • Als Hauptkomponente des dielektrischen Films, der durch ein Filmbildungsverfahren erhalten wird, konzentriert sich die vorliegende Ausführungsform auf ein komplexes Oxid, das ein Element A, ausgewählt aus Barium, Kalzium und Strontium, ein Element B, ausgewählt aus Magnesium und Zink, und ein Element C, ausgewählt aus Niob und Tantal, enthält.
  • Zusätzlich zur Zusammensetzungsoptimierung des komplexen Oxids mit jeweils einem innerhalb des oben beschriebenen Bereichs kontrollierten Anteil des Elements A, des Elements B und des Elements C wird die bevorzugte Orientierungsebene des dielektrischen Films so eingestellt, dass bestimmte Beugungspeakintensitäten des komplexen Oxids bestimmte Beziehungen haben. Dadurch kann die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films verbessert werden.
  • Obwohl die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene des oben beschriebenen komplexen Oxids normalerweise am größten ist, haben die gegenwärtigen Erfinder festgestellt, dass die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films verbessert werden kann, indem die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene oder die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene größer als die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene gemacht wird.
  • Die gegenwärtigen Erfinder haben auch festgestellt, dass die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films weiter verbessert werden kann, indem die Beugungspeakintensität der (21 1)-Ebene größer als die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene gemacht wird.
  • Die anwesenden Erfinder haben auch festgestellt, dass die oben beschriebenen Beziehungen des Peakintensitätsverhältnisses durch Änderung der Filmbildungsmethode, der Filmbildungsbedingungen usw. erreicht werden können.
  • (modifiziertes Beispiel)
  • In der vorliegenden Ausführungsform wurde ein dielektrischer Film beschrieben, der nur den dielektrischen Film gemäß der vorliegenden Ausführungsform darstellt, jedoch kann ein elektronisches Bauelement eine Mehrschichtstruktur mit einer Kombination aus dem dielektrischen Film gemäß der vorliegenden Ausführungsform und einem Film mit einer anderen dielektrischen Zusammensetzung aufweisen. Zum Beispiel ermöglicht eine Mehrschichtstruktur mit einem vorhandenen amorphen dielektrischen Film wie Si3Nx, SiOx, Al2Ox, ZrOx, und Ta2Ox oder einem Kristallfilm die Kontrolle der Temperaturänderung der Impedanz und der relativen Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films 5.
  • Eine elektronische Komponente kann auch ein Mehrschichtkondensator sein, der eine Vielzahl der dielektrischen Filme in der vorliegenden Ausführungsform aufweist.
  • In der obigen Ausführungsform wird die Unterlage gebildet, um die Haftung zwischen dem Substrat und der unteren Elektrode zu verbessern. Wenn jedoch die Haftung zwischen dem Substrat und der unteren Elektrode ausreichend gesichert werden kann, dann kann die Unterlage weggelassen werden. Auch wenn Metalle wie Cu, Pt und ähnliche, deren Legierungen, ein leitfähiges Oxid und ähnliche Materialien, die für die Elektrode verwendet werden können, als Substratmaterial verwendet werden, können die Unterlage und die untere Elektrode weggelassen werden.
  • Obwohl eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung oben beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die Ausführungsform beschränkt, und es können verschiedene Änderungen im Rahmen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden.
  • BEISPIELE
  • Die vorliegende Erfindung wird anhand von Beispielen und Vergleichsbeispielen näher beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die folgenden Beispiele beschränkt.
  • (Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1)
  • Zunächst wurde ein für die Bildung eines dielektrischen Films erforderliches Target wie folgt hergestellt.
  • Pulver aus Bariumkarbonat (BaCO3), Kalziumkarbonat (CaCO3) und Strontiumkarbonat (SrCO3) wurden jeweils als Rohmaterialpulver des Elements A hergestellt. Pulver aus Magnesiumoxid (MgO) und Zinkoxid (ZnO) wurden jeweils als Rohmaterialpulver des Elements B hergestellt. Pulver aus Nioboxid (Nb2O5) und Tantaloxid (Ta205) wurden jeweils als Rohmaterialpulver des Elements C hergestellt. Jedes der Pulver wurde so gewogen, dass es den Zusammensetzungen von Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1 entspricht.
  • Das gewogene Rohmaterialpulver des Elements B, das gewogene Rohmaterialpulver des Elements C, Wasser und ZrO2-Perlen mit einem Durchmesser von 2 mm wurden in einen weitmundigen Polypropylentopf mit einem Fassungsvermögen von 1 L gegeben und 20 Stunden lang nass gemischt. Der gemischte Pulverschlamm wurde dann 20 Stunden lang bei 100°C getrocknet. Das so entstandene Mischpulver wurde in einen Tiegel aus Al2O3 gegeben und einer primären Kalzinierung unter Brennbedingungen bei einer Haltetemperatur von 1250°C für 5 Stunden in Luftatmosphäre unterzogen, so dass ein primär kalziniertes Pulver mit einem komplexen Oxid des Elements B und des Elements C erhalten wurde.
  • Das resultierende, primär kalzinierte Pulver, das Rohmaterialpulver des Elements A, Wasser und ZrO2-Perlen mit einem Durchmesser von 2 mm wurden in einen weitmundigen Polypropylentopf mit einem Fassungsvermögen von 1 L gegeben und 20 Stunden lang nass gemischt. Der gemischte Pulverschlamm wurde dann 20 Stunden lang bei 100°C getrocknet. Das resultierende Mischpulver wurde in einen Tiegel aus Al2O3 gegeben und einer sekundären Kalzinierung unter Brennbedingungen bei einer Haltetemperatur von 1050°C für 5 Stunden in Luftatmosphäre unterzogen, so dass ein sekundär kalziniertes Pulver entstand, das ein komplexes Oxid des Elements A, des Elements B und des Elements C enthielt.
  • Obwohl eine AO-C2O5-Verbindung ohne das Element B die Bildung des gewünschten AO-C2O5 hemmt, kann die zweistufige Kalzinierung die Bildung der AO-C2O5-Verbindung verhindern.
  • Das resultierende, sekundär kalzinierte Pulver wurde in einen Mörser gegeben und eine wässrige Lösung aus Polyvinylalkohol (PVA) in einer Konzentration von 6 Gew.-% als Bindemittel bis zu einem Anteil von 10 Gew.-% auf das sekundär kalzinierte Pulver zugegeben, um mit einem Pistill ein granuliertes Pulver herzustellen. Das resultierende granulierte Pulver wurde in eine Pressform mit einem Durchmesser von 100 mm eingebracht, um durch Druckformen unter Verwendung einer einachsigen Pressmaschine einen Grünling mit einer Dicke von etwa 5 mm zu erhalten. Als Pressbedingungen wurden der Druck auf 2,0×108 Pa und die Temperatur auf Raumtemperatur eingestellt.
  • Der resultierende Grünling wurde einer Behandlung zur Bindemittelentfernung bei einer Temperaturanstiegsrate von 100°C/Stunde und einer Haltetemperatur von 400°C für eine Temperaturhaltezeit von 4 Stunden in einer Luftatmosphäre unter Normaldruck unterzogen. Anschließend wurde der Grünling mit einer Temperaturanstiegsrate von 200°C/Stunde und einer Haltetemperatur von 1600°C bis 1700°C für eine Temperaturhaltezeit von 12 Stunden in einer Luftatmosphäre unter Normaldruck gebrannt, so dass ein Sinterkörper entstand.
  • Beide Oberflächen des erhaltenen Sinterkörpers wurden mit einer Rundschleifmaschine poliert, so dass die Dicke des erhaltenen Sinterkörpers 4 mm betrug, wodurch das Ziel für die Bildung des dielektrischen Films erreicht wurde.
  • Als nächstes wurde ein quadratisches Substrat von 10 mm × 10 mm mit einer SiO2-Isolierschicht mit einer Dicke von 6 µm auf einer Oberfläche des Si-Einkristallsubstrats mit einer Dicke von 350 µm vorbereitet. Auf der Oberfläche dieses Substrats wurde durch ein Sputterverfahren ein Ti-Dünnfilm mit einer Dicke von 20 nm als Unterlage gebildet.
  • Als nächstes wurde auf dem oben gebildeten Ti-Dünnfilm ein Pt-Dünnfilm als untere Elektrode mit einer Dicke von 100 nm durch ein Sputterverfahren gebildet.
  • Der geformte Ti/Pt-Dünnfilm wurde einer Wärmebehandlung bei einer Temperaturanstiegsrate von 400°C/min und einer Haltetemperatur von 700°C für eine Temperaturhaltezeit von 30 Minuten in einer Sauerstoffatmosphäre unter Normaldruck unterzogen.
  • Nach der Wärmebehandlung wurde ein dielektrischer Film auf dem Ti/Pt-Dünnfilm gebildet. Im vorliegenden Beispiel wurde der dielektrische Film, mit Ausnahme der Probe Nr. 23, auf der unteren Elektrode durch das Sputterverfahren unter Verwendung des wie oben beschrieben hergestellten Targets so gebildet, dass er eine Dicke von 2000 nm aufweist. Bei der Filmbildung durch das Sputterverfahren wurden die Bedingungen der Substrattemperatur, der elektrischen Eingangsleistung beim Sputtern und des Filmbildungsdrucks gemäß Tabelle 1 verwendet. Um einen Teil der unteren Elektrode freizulassen, wurde eine Metallmaske verwendet, um einen Bereich zu bilden, in dem der dielektrische Film nicht gebildet wurde.
  • Bei der Probe Nr. 23 wurde ein dielektrischer Film mit einer Dicke von 400 nm auf der unteren Elektrode durch eine PLD-Methode unter Verwendung des wie oben beschrieben hergestellten Targets gebildet. Als Bedingungen für die Filmbildung wurde der Filmbildungsdruck auf 1×10-1 (Pa) und die Substrattemperatur auf 200°C eingestellt. In der gleichen Weise wie bei den Proben Nr. 1 bis 22 wurde, um einen Teil der unteren Elektrode freizulassen, eine Metallmaske verwendet, um einen Bereich zu bilden, in dem der dielektrische Film nicht gebildet wurde.
  • Bei der Probe Nr. 22 wurde der geformte dielektrische Film einer 30-minütigen Glühbehandlung bei 600°C unterzogen, so dass der dielektrische Film kristallisiert wurde.
  • Als nächstes wurde auf dem erhaltenen dielektrischen Film mit Hilfe einer Abscheidemaschine ein Ag-Dünnfilm als obere Elektrode gebildet. Die obere Elektrode wird mit Hilfe der Metallmaske so geformt, dass sie eine Form mit einem Durchmesser von 100 µm und einer Dicke von 100 nm aufweist. Dabei wurden die dünnen Kondensatoren (Muster Nr. 1 bis 23) mit der in 1 gezeigten Zusammensetzung erhalten.
  • Beachten Sie, dass eine Zusammensetzung des dielektrischen Films mittels Röntgenfluoreszenz (XRF)-Elementanalyse für alle Proben analysiert wurde, um zu bestätigen, dass die Zusammensetzung mit der in Tabelle 1 gezeigten Zusammensetzung übereinstimmt. Die Dicke des dielektrischen Films wurde durch Bearbeitung des Dünnfilmkondensators mittels FIB und Beobachtung des resultierenden Querschnitts mit einem Rasterelektronenmikroskop (REM) ermittelt.
  • Die relative Dielektrizitätskonstante jeder der erhaltenen Dünnfilmkondensatorproben wurde mit der folgenden Methode gemessen. Außerdem wurde die XRD-Messung des dielektrischen Films mit der folgenden Methode durchgeführt, so dass die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene, die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene und die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene berechnet wurden.
  • (Relative Dielektrizitätskonstante)
  • Die relative Dielektrizitätskonstante wurde aus der Dicke des dielektrischen Films, die wie oben beschrieben erhalten wurde, und der Kapazität der Dünnfilmkondensatorprobe berechnet. Die Kapazität wurde bei einer Referenztemperatur von 25°C, einer Frequenz von 2 GHz und einem Eingangssignalpegel (Messspannung) von 0,5 Vrms unter Verwendung eines HF-Impedanz/Materialanalysators (4991A von Agilent Technologies, Inc.) gemessen. Eine höhere relative Dielektrizitätskonstante wird bevorzugt, sodass im vorliegenden Beispiel Proben mit einer relativen Dielektrizitätskonstante von 30 oder mehr als gut bewertet wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • (XRD-Messung)
  • Der dielektrische Film wurde einer XRD-Messung unterzogen, und die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene, die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene und die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene in dem erhaltenen Röntgendiffraktogramm wurden berechnet, um die in Tabelle 1 gezeigten Beziehungen zu erhalten.
  • Die XRD-Messung wurde mit Cu-Ka-Strahlung als Röntgenquelle unter Messbedingungen von einer Spannung von 45 kV und einem Strom von 200 mA im Bereich von 2θ=20° bis 90°durchgeführt.
    [Tabelle 1]
    Figure DE102020108369A1_0001
  • Ausgehend von Tabelle 1 wurde bestätigt, dass Proben mit Beziehungen zwischen „x“, „y“ und „z“ im oben beschriebenen Bereich und den vorgegebenen Beugungspeakintensitäten, die die oben beschriebenen Beziehungen erfüllen, eine hohe relative Dielektrizitätskonstante in einem Hochfrequenzbereich (2 GHz) aufweisen.
  • Andererseits wurde bestätigt, dass Proben, die Beziehungen zwischen „x“, „y“ und „z“ außerhalb des oben beschriebenen Bereichs aufweisen, die Beziehungen der oben beschriebenen vorbestimmten Beugungspeakintensitäten nicht erfüllen, was zu einer niedrigen relativen Dielektrizitätskonstante im Hochfrequenzbereich führt. Es wurde auch bestätigt, dass, obwohl die Beziehungen zwischen „x“, „y“ und „z“ in dem oben beschriebenen Bereich lagen, die relative Dielektrizitätskonstante im Hochfrequenzbereich gering war, wenn die vorbestimmten Beugungspeakintensitäten die oben beschriebenen Beziehungen nicht erfüllten.
  • (Beispiele 2 und 3)
  • Dielektrische Filme wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 gebildet, mit der Ausnahme, dass die Filmbildungsbedingungen für die Proben Nr. 1, 3, 5 und 7 auf die in Tabelle 2 dargestellten Bedingungen geändert wurden und die dielektrischen Filme unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 bewertet wurden. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt.

    [Tabelle 2] Tabelle 2
    Probe Nr. xAO-yBO-zC2O5 Bedingungen für die Filmbildung XRD Eigenschaften
    AO BO C2O5 I(211)>I(110) I(222)>I(110) I(211 )/I(222) Relative Dielektrizitätskonstante
    Ba Mg Ta SubstratTemperatur elektrische EingangsLeistung Druck
    x y z °C w Pa (-)
    Beispiel 3 1 0,563 0,250 0,188 200°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 0,01 31,2
    24 0,563 0,250 0,188 400°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 5,20 36,1
    3 0,375 0,500 0,125 200°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 0,01 31,3
    25 0,375 0,500 0,125 400°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 7,28 36,4
    5 0,375 0,389 0,236 200°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 0,08 32,9
    26 0,375 0,389 0,236 400°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 1,20 35,0
    Beispiel 2 7 0,479 0,250 0,271 200°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 3,83 35,9
    27 0,479 0,250 0,271 0°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 0,26 33,8
  • Ausgehend von Tabelle 2 wurde bestätigt, dass sich die relative Dielektrizitätskonstante mit steigender Substrattemperatur verbesserte. Mit anderen Worten, es wurde bestätigt, dass die bevorzugte Orientierungsebene des dielektrischen Films durch die Filmbildungsbedingungen kontrolliert werden kann.
  • (Beispiele 4 bis 6)
  • Dielektrische Filme wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 gebildet, mit der Ausnahme, dass die Filmbildungsbedingungen für Probe Nr. 9 auf die in Tabelle 3 gezeigten Bedingungen geändert wurden. Die dielektrischen Filme wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 bewertet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt.

    [Tabelle 3] Tabelle 3
    Probe Nr. xAO-yBO-zC2O5 Bedingungen für die Filmbildung XRD Eigenschaften
    AO BO C2O5 I(211)>I(110) I(222)>I(110) I(211 )/I(222) Relative Dielektrizitätskonstante
    Ba Mg Ta SubstratTemperatur Elektrische EingangsLeistung Druck
    x y z °C w Pa (-)
    Beispiel 4 9 0,465 0,328 0,208 200°C 400W 0,1Pa erfüllt erfüllt 20,29 37,2
    28 0,465 0,328 0,208 200°C 400W 0,3Pa erfüllt erfüllt 15,80 37,0
    Beispiel 5 29 0,465 0,328 0,208 200°C 400W 0,5Pa erfüllt erfüllt 10,69 36,7
    30 0,465 0,328 0,208 200°C 270W 0,1Pa erfüllt erfüllt 0,01 30,1
    Beispiel 6 31 0,465 0,328 0,208 400°C 400W 0,1Pa erfüllt nicht erfüllt ∞ 39,1
  • Ausgehend von Tabelle 3 wurde bestätigt, dass sich die relative Dielektrizitätskonstante mit zunehmender elektrischer Eingangsleistung verbesserte. Es wurde auch bestätigt, dass die relative Dielektrizitätskonstante mit zunehmendem Filmbildungsdruck abnahm. Mit anderen Worten, es wurde bestätigt, dass die bevorzugte Orientierungsebene des dielektrischen Films durch die Filmbildungsbedingungen kontrolliert werden kann.
  • Weiterhin wurde bestätigt, dass sich die relative Dielektrizitätskonstante in dem Fall verbesserte, wenn nur der Beugungspeak der (21 1)-Ebene und kein Beugungspeak der (222)-Ebene beobachtet wurde.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein dielektrischer Film mit einer hohen relativen Dielektrizitätskonstante in einem Hochfrequenzbereich erhalten werden. Ein solcher dielektrischer Film in Dünnfilmform wird in geeigneter Weise auf elektronische Komponenten für den Hochfrequenzbereich wie Baluns, Koppler, Filter und Duplexer oder Diplexer in Kombination von Filtern aufgebracht.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    Dünnfilmkondensator
    1
    Substrat
    2
    Unterlage
    3
    untere Elektrode
    4
    obere Elektrode
    5
    dielektrischer Film
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 8319162 [0005]

Claims (4)

  1. Ein dielektrischer Film, umfassend ein komplexes Oxid, dargestellt durch die allgemeine Formel xAO-yBO-zC2O5 als eine Hauptkomponente, wobei A mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Barium, Kalzium und Strontium ist, B mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Magnesium und Zink ist, C mindestens eines aus der Gruppe bestehend aus Niob und Tantal ist, x, y und z die folgenden Beziehungen erfüllen: x+y+z=1,000, 0,375≤x≤0,563, 0,250≤y≤0,500 und x/3≤z≤(x/3)+1/9, und eine Beugungspeakintensität der (211)-Ebene des komplexen Oxids oder eine Beugungspeakintensität der (222)-Ebene des komplexen Oxids größer ist als eine Beugungspeakintensität der (110)-Ebene des komplexen Oxids in einem Röntgendiffraktogramm des dielektrischen Films.
  2. Dielektrische Film nach Anspruch 1, wobei die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene des komplexen Oxids größer ist als die Beugungspeakintensität der (110)-Ebene des komplexen Oxids, und I(211) und I(222) eine Beziehung von 1,2≤I(211)/I(222) erfüllen, wenn die Beugungspeakintensität der (211)-Ebene durch 1(211) und die Beugungspeakintensität der (222)-Ebene durch 1(222) repräsentiert wird.
  3. Dielektrische Film nach Anspruch 2, wobei 1(211) und 1(222) eine Beziehung von 15≤I(211)/I(222) erfüllen.
  4. Eine elektronische Komponente, die einen dielektrischen Film nach Anspruch 1 umfasst.
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