WO2011064873A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、接合部材と被接合部材とはろう材により確実に接合されるので、接合時および接合後において接合部材と被接合部材に熱が加わっても、接合部材と被接合部材との接合は外れない。
そのため、この態様によれば、通路の深さは貫通穴に向かうに従って大きくなるので、ろう材は貫通穴に向かって濡れ広がる。そのため、ろう材の内部に存在しうる空気は、より確実に貫通穴から排出される。したがって、より確実に接合層の内部にボイドが残らない。
図1は、本発明の半導体装置1の側面図である。図1に示すように、半導体装置1は、冷却器10と、絶縁部材12と、電子部品14などを備える。
なお、本実施例では、接合部材と被接合部材との接合の一例として、以下、絶縁部材12と蓋20との接合について説明する。
そして、図3に示すように、蓋20にろう材32(金属接合材など)を介して絶縁部材12を配置し、さらに、絶縁部材12にろう付け治具30に支持される押圧部材36を配置している。
ろう付け治具30は、例えば、図3に示すように箱形の形状の外枠38を有しており、この外枠38内に冷却器10を配置することができる構造を有している。
〔実施例1〕
図4~図6は、実施例1について、図2における2点鎖線で示される1個の絶縁部材12に着目し、絶縁部材12と蓋20との接合部分39を示した図である。そして、図4は、絶縁部材12と蓋20とを分解した状態の斜視図である。図5と図6は、絶縁部材12と蓋20とが接合する様子を示す図であり、図5は上面図を示し、図6は図5のB-B断面図を示す。
また、図6に示すように、溝42の底部42aは、絶縁部材12と蓋20との接合部分39の縁39a側から貫通穴40に向かって下り勾配で傾斜している。そのため、溝42の深さは貫通穴40に向かうに従って大きくなっている。なお、溝42の底部42aを傾斜させないで、溝42の深さを一定としてもよい。
接合面12bと接合面20aとの間に配置されたろう材32は、溶融して凝固するときに溝42に誘導されて規則的に濡れ広がる。そのため、ろう材32の内部に存在しうる空気は溝42に誘導され、この溝42を通って貫通穴40から冷却器10内に排出される。
また、貫通穴40の内部の面に表面張力で保持されたろう材32が最終的に凝固して蓋の役目を果たすことにより貫通穴40は塞がれるので、冷却器10の内部を流れる冷却水が貫通穴40から外部に漏れる恐れはない。
図7,図8は、実施例2について、図2における2点鎖線で示される1個の絶縁部材12に着目し、絶縁部材12と蓋20との接合部分を示した図である。そして、図7は、絶縁部材12と蓋20とを分解した状態の斜視図である。図8は、絶縁部材12と蓋20とが接合する様子を示す図であり、図5のB-B断面に相当する図である。なお、上面図は図5と同様に示されるので省略する。
ここで、貫通穴40の説明は、実施例1と同様であるので省略する。
溝44は、絶縁部材12における接合面12bに、微細なレーザなどで加工して設けられている。溝44は、絶縁部材12と蓋20とを接合する際に貫通穴40が位置する位置を中心として放射状に設けられている。そのため、溝44は、絶縁部材12と蓋20とを接合する際に貫通穴40に連通する。このように、溝44は、貫通穴40に連通する通路の一例である。
なお、図7に示すように、絶縁部材12の接合面12bと蓋20の接合面20aの間にろう材32を配置して絶縁部材12と蓋20とを接合する。
接合面12bと接合面20aとの間に配置されたろう材32は、溶融して凝固するときに溝44に誘導されて規則的に濡れ広がる。そのため、ろう材32の内部に存在しうる空気は溝44に誘導され、この溝44を通って貫通穴40から冷却器10内に排出される。
また、貫通穴40の内部の面に表面張力で保持されたろう材32が最終的に凝固して蓋の役目を果たすことにより貫通穴40は塞がれるので、冷却器10の内部を流れる冷却水が貫通穴40から外部に漏れる恐れはない。
図9,図10は、実施例3について、図2における2点鎖線で示される1個の絶縁部材12に着目し、絶縁部材12と蓋20との接合部分を示した図である。そして、図9は、絶縁部材12と蓋20とを分解した状態の斜視図である。図10は、絶縁部材12と蓋20とが接合する様子を示す上面図である。なお、図10のC-C断面図は、図6と同様に示されるので省略する。
ここで、貫通穴40の説明は、実施例1や実施例2と同様であるので省略する。
傾斜部46は、図9に示すように、貫通穴40を中心にすり鉢状に形成された傾斜部分であり、実施例1の溝42や実施例2の溝44と同様に、貫通穴40に連通する通路の一例である。また、傾斜部46は、図9と図10に示すように、絶縁部材12と蓋20との接合部分39の縁39aから貫通穴40側に所定距離離れた位置Zと貫通穴40の位置との間に設けられている。そのため、傾斜部46は、絶縁部材12と蓋20とを接合する際に絶縁部材12の外周縁部12aの位置では開口していない。
接合面12bと接合面20aとの間に配置されたろう材32は、溶融して凝固するときに傾斜部46に誘導されて規則的に濡れ広がる。そのため、ろう材32の内部に存在しうる空気は傾斜部46に誘導され、この傾斜部46を通って貫通穴40から冷却器10内に排出される。
さらに、実施例1,2と同様に、貫通穴40の内部の面に表面張力で保持されたろう材32が最終的に凝固して蓋の役目を果たすことにより貫通穴40は塞がれるので、冷却器10の内部を流れる冷却水が貫通穴40から外部に漏れる恐れはない。
図11と図12は、実施例4について、図2における2点鎖線で示される1個の絶縁部材12に着目し、絶縁部材12と冷却器10の蓋20との接合部分を示した図であり、図11は上面図を示し、図12は図10のD-D断面図を示す。
ろう材32が溶融した後、周囲から凝固するときに接合層24内で発生しうる空気は、凹み48または凹み50に集中的に溜まるので、凹み48または凹み50の他の部分における接合率を確保することができる。そのため、絶縁部材12と蓋20とを確実にろう付けにより接合することができる。
上記の実施例では、冷却器10の蓋20に直接的に絶縁部材12を接合したが、蓋20と絶縁部材12の間に不図示の金属板を挟む例も考えることができる。この例の場合には、絶縁部材12の代わりに金属板に、溝や凹みなどを設ける。
また、本発明は、冷却器10の蓋20以外の被接合部材についても適用できる。
また、冷却器10の蓋20に溝42を設け、同時に絶縁部材12に溝44を設けてもよい。
10 冷却器
12 絶縁部材
12a 外周縁部
12b 接合面
14 電子部品
18 フィン
20 蓋
20a 接合面
20b 面
22 隙間
24 接合層
32 ろう材
39 接合部分
39a 縁
40 貫通穴
40a 開口部
40b 開口部
42 溝
42a 底部
44 溝
44a 底部
46 傾斜部
48 凹み
50 凹み
Claims (7)
- 接合部材と、前記接合部材をろう付けにより接合した被接合部材とを有する半導体装置において、
前記被接合部材には前記接合部材との接合面に開口する貫通穴が設けられ、
前記貫通穴に連通する通路が前記接合部材における前記被接合部材との接合面または前記被接合部材における前記接合部材との接合面の少なくとも一方に設けられること、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載する半導体装置において、
前記通路は、前記接合部材と前記被接合部材との接合部分の縁から前記貫通穴側に所定距離離れた位置と前記貫通穴の位置との間に設けられていること、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2に記載する半導体装置において、
前記通路の深さは、前記貫通穴に向かうに従って大きくなること、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項3に記載するいずれか1項の半導体装置において、
前記通路は溝であること、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4に記載するいずれか1項の半導体装置において、
前記被接合部材は、前記接合部材に設けられた電子部品を冷却するための冷却器を構成する蓋部材であること、
を特徴とする半導体装置。 - 請求項5に記載する半導体装置において、
前記貫通穴は、前記接合面と反対側の面の開口部が前記冷却器に備わる複数のフィンの隙間に位置すること、
を特徴とする半導体装置。 - ろう付けにより接合部材と被接合部材とを接合する半導体装置の製造方法において、
前記被接合部材に前記接合部材との接合面に開口する貫通穴を設け、前記貫通穴に連通する通路を前記接合部材における前記被接合部材との接合面または前記被接合部材における前記接合部材との接合面の少なくとも一方に設けておき、前記接合部材における前記被接合部材との接合面と前記被接合部材における前記接合部材との接合面との間にろう材を配置し、前記ろう材を溶融させて凝固させることにより前記接合部材と前記被接合部材とを接合すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6029756B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103824824B (zh) * | 2014-03-03 | 2017-01-04 | 中国科学院微电子研究所 | 一种集成散热结构及其制造方法 |
JP7039917B2 (ja) * | 2017-10-06 | 2022-03-23 | 富士電機株式会社 | 冷却器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280503A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Unisia Jecs Corp | 半導体装置 |
JP2008311550A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Nichicon Corp | パワー半導体モジュール |
JP2009016659A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Denso Corp | 部品接続構造体および部品の接続方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01161892A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
JPH09275170A (ja) | 1996-04-03 | 1997-10-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2919387B2 (ja) * | 1996-09-26 | 1999-07-12 | 山形日本電気株式会社 | 高周波特性測定治具 |
US6414867B2 (en) * | 2000-02-16 | 2002-07-02 | Hitachi, Ltd. | Power inverter |
US7078803B2 (en) * | 2002-09-27 | 2006-07-18 | Isothermal Systems Research, Inc. | Integrated circuit heat dissipation system |
JP2006057930A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Denso Corp | 車両用ラジエータ |
JP5000105B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2012-08-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
EP2003691B1 (en) * | 2006-03-13 | 2019-01-09 | Showa Denko K.K. | Base for power module |
JP2007258605A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Corp | 部品内蔵プリント配線板、部品内蔵プリント配線板の製造方法および電子機器 |
JP2008159914A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Toyota Industries Corp | 部品実装方法 |
JP5117270B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 配線基板、半導体装置、ならびに半導体装置の製造方法 |
WO2010050129A1 (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 日本電気株式会社 | 冷却構造及び電子機器並びに冷却方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280503A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Unisia Jecs Corp | 半導体装置 |
JP2008311550A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Nichicon Corp | パワー半導体モジュール |
JP2009016659A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Denso Corp | 部品接続構造体および部品の接続方法 |
Non-Patent Citations (1)
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---|
See also references of EP2506299A4 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6029756B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2016-11-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
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