JPS6376461A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6376461A JPS6376461A JP21951986A JP21951986A JPS6376461A JP S6376461 A JPS6376461 A JP S6376461A JP 21951986 A JP21951986 A JP 21951986A JP 21951986 A JP21951986 A JP 21951986A JP S6376461 A JPS6376461 A JP S6376461A
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- brazing material
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
本発明は、半導体装置に係り、−＃に大口径のペレット
を有する半導体装置に好適な構造に関する。
を有する半導体装置に好適な構造に関する。
従来の装置は、第２図に示すように、ペレット１と基板
３と、この両者を接合するろう材２を有して２！Ｊ、こ
れらを重ねて治具５の上にのせて、炉を通すことにより
、ろう材２を溶かして、第３図に示すように、ペレット
１と基板３を接合していた。
３と、この両者を接合するろう材２を有して２！Ｊ、こ
れらを重ねて治具５の上にのせて、炉を通すことにより
、ろう材２を溶かして、第３図に示すように、ペレット
１と基板３を接合していた。
なお、この種の装置として関連するものには。
例えば特開昭６０−４２６０号公報が挙げられる。
〔発明が解決しようとする問題点」
上記従来技術はペレットにそりがある場合のろう材層の
ボイド発生防止については考慮されておらず、条件にＬ
ってはボイドが発生する場合があるという問題があった
。
ボイド発生防止については考慮されておらず、条件にＬ
ってはボイドが発生する場合があるという問題があった
。
例えば、第２図に示すように、ペレット１が上に凸にそ
っている場合、基板３とろう材２とペレット１を重ねた
状態で、ペレット１の下にすきま６が生じるつこの状態
で炉を通すと、すきま６の中のガスが外へ逃げることが
できないため、第３図に示すようにボイド７が生じるこ
とになる。
っている場合、基板３とろう材２とペレット１を重ねた
状態で、ペレット１の下にすきま６が生じるつこの状態
で炉を通すと、すきま６の中のガスが外へ逃げることが
できないため、第３図に示すようにボイド７が生じるこ
とになる。
ボイド７が発生すると、半導体装置の使用中にペレット
１で発生する熱がろう材２を通って基板３へ逃げにくく
なるため、ペレットの温度が上昇し、ペレットの電気的
特性が劣化したり、ペレットが破壊し九ルする場合もあ
る。
１で発生する熱がろう材２を通って基板３へ逃げにくく
なるため、ペレットの温度が上昇し、ペレットの電気的
特性が劣化したり、ペレットが破壊し九ルする場合もあ
る。
本発明の目的は、ペレットと基−板の接合層にボイドの
発生しないような、ペレットと基板の接合構造を得るこ
とにちる。
発生しないような、ペレットと基板の接合構造を得るこ
とにちる。
上記目的は、基板ＫｊｉＴ通穴を形成し、ろう材をこの
貫通穴まで導入することによシ達成される。
貫通穴まで導入することによシ達成される。
前記貫通穴により、ろう付時に接合層中に残存するガス
を外に逃がすとともに、溶融ろう材の一部をこの穴の中
に導き、この部分を最終凝固部とすることにより、ろう
材と基板との接置を強固にし、ろう材中の欠陥をこの部
分に集め、ボイド等の欠陥のない接合層の形成を可能と
する。
を外に逃がすとともに、溶融ろう材の一部をこの穴の中
に導き、この部分を最終凝固部とすることにより、ろう
材と基板との接置を強固にし、ろう材中の欠陥をこの部
分に集め、ボイド等の欠陥のない接合層の形成を可能と
する。
〔実施例〕
以下１本発明の一実施例を第１図、第４図及び第５図に
より説明する。
より説明する。
第１図に示すように一実施例は、べＶット１と基板３を
ろう材２で接合した構造を採用しているのは従来の装置
と同じでおるが、本発明の本実施例では、基板３に貫通
穴４が形成されている点が異なっている。
ろう材２で接合した構造を採用しているのは従来の装置
と同じでおるが、本発明の本実施例では、基板３に貫通
穴４が形成されている点が異なっている。
このような構造を作成するとき、第４図に示すように、
ペレット１とろう材２と基板３を治具５の上に重ねた場
合に、ペレット１がそっており、基板３の下にす＠ｔ６
が生じたとしても、加熱し、ろう材が溶けた状態になれ
ば、すきま６の中のガスは１貫通穴４を通して逃げるた
め、ガスが接合層中に残存することが・よい。
ペレット１とろう材２と基板３を治具５の上に重ねた場
合に、ペレット１がそっており、基板３の下にす＠ｔ６
が生じたとしても、加熱し、ろう材が溶けた状態になれ
ば、すきま６の中のガスは１貫通穴４を通して逃げるた
め、ガスが接合層中に残存することが・よい。
ここで、すきま６は、ペレット１の中心付近に生じやす
いため、４板３のペレット１の中心と対応する位置に、
貫通穴４を設けることが有効である。また、ガスは上に
抜けやすいため、部品の重ね方としては、基板３がペレ
ット１より上になるように重ねた方が工り効果がるる。
いため、４板３のペレット１の中心と対応する位置に、
貫通穴４を設けることが有効である。また、ガスは上に
抜けやすいため、部品の重ね方としては、基板３がペレ
ット１より上になるように重ねた方が工り効果がるる。
また、ろう材２の初期厚さ１−、すきま６を満たすのに
十分なだけ厚くしておく必要がある。また、基板３の上
に２もりをのせる等の方法により、ペレットのそりをも
どす方法を併用することも効果がある。
十分なだけ厚くしておく必要がある。また、基板３の上
に２もりをのせる等の方法により、ペレットのそりをも
どす方法を併用することも効果がある。
さらに、本実施例では、溶融ろう材を貫通穴４の一部４
ａまで入れ、この部分を最終凝固部としている。一般に
、最終凝固部には、凝固時のろう材の収縮等の影響によ
り、欠陥が生じやすい。本実施例では、最終凝固部を貫
通大中のろう材の部分とすることにより、接合層につい
ては、健全なろう材層を得ている。
ａまで入れ、この部分を最終凝固部としている。一般に
、最終凝固部には、凝固時のろう材の収縮等の影響によ
り、欠陥が生じやすい。本実施例では、最終凝固部を貫
通大中のろう材の部分とすることにより、接合層につい
ては、健全なろう材層を得ている。
貫通穴４の中のろう材は、接合層中のろう材より肉厚が
厚いため、最終凝固部となる傾向があるが、さらに貫通
穴４ｔべＶット中心に対応する位置におくことにより、
さらに確実に最終凝固部とできる。
厚いため、最終凝固部となる傾向があるが、さらに貫通
穴４ｔべＶット中心に対応する位置におくことにより、
さらに確実に最終凝固部とできる。
冷却により、溶融ろう材が凝固する過程を考えると、ろ
う材は周囲から熱をうばわれ、ペレット周辺に対応する
位置から凝固し、中央部が最後に凝固することになる。
う材は周囲から熱をうばわれ、ペレット周辺に対応する
位置から凝固し、中央部が最後に凝固することになる。
したがって、前記貫通穴４を基板３のペレット１の中心
と対応する位置に設けることが、この貫通穴に導かｎた
溶融ろう材を、最後に凝固させるために有効である、 ここで、溶融ろう材が貫通穴４に入りすざると、接置層
の厚さが薄くなりすぎる場合がある。ろう材層の厚さが
薄くなりすぎると、使用時等の熱応力がろう材層に集中
し、ろう材層の破壊を生じる場合があるため、ろう材ノ
ーの適正な厚さを保つことが重要でおる。
と対応する位置に設けることが、この貫通穴に導かｎた
溶融ろう材を、最後に凝固させるために有効である、 ここで、溶融ろう材が貫通穴４に入りすざると、接置層
の厚さが薄くなりすぎる場合がある。ろう材層の厚さが
薄くなりすぎると、使用時等の熱応力がろう材層に集中
し、ろう材層の破壊を生じる場合があるため、ろう材ノ
ーの適正な厚さを保つことが重要でおる。
このためには１貫通穴４の中に、細い部分４ｂを設ける
ことにより、ろう材がこの細い部分４ｂに入り込みにく
くすることが有効である。
ことにより、ろう材がこの細い部分４ｂに入り込みにく
くすることが有効である。
この場合１貫通穴の細い部分４ｂの内面にろう材にぬれ
にくい表面処理をするとさらに効果的である。この効果
は、一般に基板の表面に形成される、ろう材にぬれやす
いメタライズ層を貫通穴の部分４ｂではぶくことなどに
よっても達成できる。
にくい表面処理をするとさらに効果的である。この効果
は、一般に基板の表面に形成される、ろう材にぬれやす
いメタライズ層を貫通穴の部分４ｂではぶくことなどに
よっても達成できる。
本発明によれば、基板に形成した貫通穴により。
ろう付時に、接置ろう材層中に残存するガスを外へ逃が
すとともに、溶融ろう材の一部を穴の中に導き、この部
分を４に終凝固部とすることにより、ろう材中の欠陥を
この部分に集め、ボイド等の欠陥のない接合ろう材層の
形成を可能とするという効果がちる。
すとともに、溶融ろう材の一部を穴の中に導き、この部
分を４に終凝固部とすることにより、ろう材中の欠陥を
この部分に集め、ボイド等の欠陥のない接合ろう材層の
形成を可能とするという効果がちる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の側面断面
図を示す。 第２図は従来の装置の組み立て時のろう付前の状態を示
す側面断面図であり、第３図は同じくろう付後の側面断
面図である。 第４図は本発明の一実施例の組み立て時のろう付前の状
態を示す側面１！ｆｒ面図であり、第５図は同じくろう
付後の側面、！ｉｆ面図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・ろう材、３・・・基
板、４Ｚ １ 図 第 ３ 図 ７氷４）Ｓ
図を示す。 第２図は従来の装置の組み立て時のろう付前の状態を示
す側面断面図であり、第３図は同じくろう付後の側面断
面図である。 第４図は本発明の一実施例の組み立て時のろう付前の状
態を示す側面１！ｆｒ面図であり、第５図は同じくろう
付後の側面、！ｉｆ面図である。 １・・・半導体ペレット、２・・・ろう材、３・・・基
板、４Ｚ １ 図 第 ３ 図 ７氷４）Ｓ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ペレットと基板と両者を接合するろう材層を有する
半導体装置において、基板に貫通穴を設け、この貫通穴
にもろう材を導入したことを特徴とする半導体装置。 ２、貫通穴が、ペレツトの中心に対応する位置にある特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、貫通穴に太い部分と細い部分がある特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219519A JPH07120731B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61219519A JPH07120731B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376461A true JPS6376461A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH07120731B2 JPH07120731B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16736740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61219519A Expired - Lifetime JPH07120731B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120731B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6708862B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-03-23 | Fujitsu Ten Limited | Die bonding apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5820536U (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61219519A patent/JPH07120731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5820536U (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6708862B2 (en) | 2001-08-01 | 2004-03-23 | Fujitsu Ten Limited | Die bonding apparatus |
| US7308999B2 (en) | 2001-08-01 | 2007-12-18 | Fujitsu Ten Limited | Die bonding apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07120731B2 (ja) | 1995-12-20 |
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