JP2919387B2 - 高周波特性測定治具 - Google Patents
高周波特性測定治具Info
- Publication number
- JP2919387B2 JP2919387B2 JP25443196A JP25443196A JP2919387B2 JP 2919387 B2 JP2919387 B2 JP 2919387B2 JP 25443196 A JP25443196 A JP 25443196A JP 25443196 A JP25443196 A JP 25443196A JP 2919387 B2 JP2919387 B2 JP 2919387B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- hole
- electronic device
- mounting surface
- microstrip substrate
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- Expired - Lifetime
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスにお
ける高周波特性を測定する高周波特性測定治具に関す
る。
ける高周波特性を測定する高周波特性測定治具に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、この種の高周波特性測定治具は、
被測定物である電子デバイスを載置する架台と、この架
台に取り付けられるとともに電子デバイスの入出力回路
回路として用いるマイクロストリップ基板とを備えてい
る。
被測定物である電子デバイスを載置する架台と、この架
台に取り付けられるとともに電子デバイスの入出力回路
回路として用いるマイクロストリップ基板とを備えてい
る。
【０００３】従来、このマイクロストリップ基板の架台
への取付けは、高周波特性を最良に得るために、架台の
表面にマイクロストリップ基盤が入り込む溝を形成し、
その溝に半田片を介してマイクロストリップ基板を乗
せ、加熱することにより半田を溶解させ接着し取り付け
ていた。
への取付けは、高周波特性を最良に得るために、架台の
表面にマイクロストリップ基盤が入り込む溝を形成し、
その溝に半田片を介してマイクロストリップ基板を乗
せ、加熱することにより半田を溶解させ接着し取り付け
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロストリップ基板が入り込む溝に半田片を乗せリフロー
させマイクロストリップ基板を架台に接着させても、マ
イクロストリップ基板と溝底との間に空気を抱き込み、
その結果、基板と溝底との間に気泡が生じ誘電損失を起
し正確な高周波特性の測定ができないという問題があ
る。
ロストリップ基板が入り込む溝に半田片を乗せリフロー
させマイクロストリップ基板を架台に接着させても、マ
イクロストリップ基板と溝底との間に空気を抱き込み、
その結果、基板と溝底との間に気泡が生じ誘電損失を起
し正確な高周波特性の測定ができないという問題があ
る。
【０００５】また、これを解消する方法として、溝底に
厚めに半田ペーストを塗布し、リフローさせ接着する方
法が考えられるが、この方法では溶融した半田がはみ出
し架台に取付けられたコネクタと短絡したり、電子デバ
イスの載置面に流れ出し汚染したりする問題を発生させ
る。たとえ、このはみ出した半田を除去するにしても多
大な工数を浪費することになる。さらに、半田の厚さの
むらが生じ易く載置面と平行に取付けることが困難とな
り、測定時における電子デバイスの入出力端子とマイク
ロストリップラインとの接触不良を起し正確な測定がで
きないという問題もあった。
厚めに半田ペーストを塗布し、リフローさせ接着する方
法が考えられるが、この方法では溶融した半田がはみ出
し架台に取付けられたコネクタと短絡したり、電子デバ
イスの載置面に流れ出し汚染したりする問題を発生させ
る。たとえ、このはみ出した半田を除去するにしても多
大な工数を浪費することになる。さらに、半田の厚さの
むらが生じ易く載置面と平行に取付けることが困難とな
り、測定時における電子デバイスの入出力端子とマイク
ロストリップラインとの接触不良を起し正確な測定がで
きないという問題もあった。
【０００６】従って、本発明の目的は、他の場所に半田
をはみ出させることなく電子デバイスの載置面と平行に
取付けることができるとともに誘電損失のない高周波特
性測定治具を提供することにある。
をはみ出させることなく電子デバイスの載置面と平行に
取付けることができるとともに誘電損失のない高周波特
性測定治具を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、電子デ
バイスを載置する載置面とこの載置面と隣接して設けら
れるとともに前記電子デバイスの入出力端子と接続する
マイクロストリップ基板を半田付けする半田付け面とを
有する架台を備える高周波特性測定治具において、前記
半田が溶融されたとき該半田の流れ落ちる貫通穴とこの
貫通穴より放射状に派生する半田の流路溝が形成される
前記半田付け面を有する架台を備える高周波特性測定治
具である。また、隣接する前記流路溝間の凸部の全ての
高さが同じであるとともに前記凸部の先端を含む平面が
前記載置面と平行であることが望ましい。
バイスを載置する載置面とこの載置面と隣接して設けら
れるとともに前記電子デバイスの入出力端子と接続する
マイクロストリップ基板を半田付けする半田付け面とを
有する架台を備える高周波特性測定治具において、前記
半田が溶融されたとき該半田の流れ落ちる貫通穴とこの
貫通穴より放射状に派生する半田の流路溝が形成される
前記半田付け面を有する架台を備える高周波特性測定治
具である。また、隣接する前記流路溝間の凸部の全ての
高さが同じであるとともに前記凸部の先端を含む平面が
前記載置面と平行であることが望ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施の形
態における高周波特性測定治具を説明するための高周波
特性測定治具の斜視図（ａ）、マイクロストリップ基板
を除いた部分平面図（ｂ）およびＡＡ断面矢視図（ｃ）
である。この高周波特性測定治具は、図１（ａ）に示す
ように、中央に電子デバイスを載置する載置面３を有す
る銅材で製作される架台２と、架台２の載置面３の両側
に配置されテフロン樹脂などの誘電体の板材に導電性材
のマイクロストリップライン４が形成されるマイクロス
トリップ基板１と、マイクロストリップライン４と接続
し架台２に取付けられるコネクタ５とを備えている。
態における高周波特性測定治具を説明するための高周波
特性測定治具の斜視図（ａ）、マイクロストリップ基板
を除いた部分平面図（ｂ）およびＡＡ断面矢視図（ｃ）
である。この高周波特性測定治具は、図１（ａ）に示す
ように、中央に電子デバイスを載置する載置面３を有す
る銅材で製作される架台２と、架台２の載置面３の両側
に配置されテフロン樹脂などの誘電体の板材に導電性材
のマイクロストリップライン４が形成されるマイクロス
トリップ基板１と、マイクロストリップライン４と接続
し架台２に取付けられるコネクタ５とを備えている。
【００１０】そこで、本発明では、この高周波特性測定
治具におけるマイクロスプトリップ基板１を取付けるの
に、図１（ｂ）に示すように、マイクロストリップ基板
１を取付けるべき溝８の底部に貫通穴７を開け、この貫
通穴７から放射状に派生する流路溝６を形成することで
ある。勿論、この流路溝６の凸部は、後述するようにマ
イクロストリップ基板１の平坦度を決めるので、流路溝
６を形成した後、全ての流路溝６の凸部の高さが同一に
なるように加工する必要がある。
治具におけるマイクロスプトリップ基板１を取付けるの
に、図１（ｂ）に示すように、マイクロストリップ基板
１を取付けるべき溝８の底部に貫通穴７を開け、この貫
通穴７から放射状に派生する流路溝６を形成することで
ある。勿論、この流路溝６の凸部は、後述するようにマ
イクロストリップ基板１の平坦度を決めるので、流路溝
６を形成した後、全ての流路溝６の凸部の高さが同一に
なるように加工する必要がある。
【００１１】そして、図１（ｃ）に示すように、この流
路溝６の凸部が隠れるまで予じめ乗せられた半田片を溶
解させる。次に、マイクロストリップ基板１を溝８に入
れ込むように載置し、マイクロストリップ基板１にウェ
イトを乗せると、溶融した半田は流路溝６を経由し貫通
穴７を通り架台２外に排出される。このことより、マイ
クロストリップ基板１は下降し裏面が流路溝６の凸部に
当接し載置面３と平行になると同時にマイクロストリッ
プ基板１と溝８の底部に存在する空気は貫通穴７を通し
押し出され気泡の無く半田接合が完了する。なお、より
気泡の除去を確実にするためには、貫通穴７の内部を真
空ポンプなどで減圧することが望ましい。
路溝６の凸部が隠れるまで予じめ乗せられた半田片を溶
解させる。次に、マイクロストリップ基板１を溝８に入
れ込むように載置し、マイクロストリップ基板１にウェ
イトを乗せると、溶融した半田は流路溝６を経由し貫通
穴７を通り架台２外に排出される。このことより、マイ
クロストリップ基板１は下降し裏面が流路溝６の凸部に
当接し載置面３と平行になると同時にマイクロストリッ
プ基板１と溝８の底部に存在する空気は貫通穴７を通し
押し出され気泡の無く半田接合が完了する。なお、より
気泡の除去を確実にするためには、貫通穴７の内部を真
空ポンプなどで減圧することが望ましい。
【００１２】このように、被着面に貫通穴と貫通穴から
放射状に派生する溝を設ければ、半田が流路溝に円滑に
流れ不要な半田は貫通穴を通して排出されるので、従
来、起きていた、載置面３への半田のはみ出しやコネク
タ５に流れ込む半田が皆無となる。
放射状に派生する溝を設ければ、半田が流路溝に円滑に
流れ不要な半田は貫通穴を通して排出されるので、従
来、起きていた、載置面３への半田のはみ出しやコネク
タ５に流れ込む半田が皆無となる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マイクロ
ストリップ基板の架台の半田付け面に貫通穴とこの貫通
穴から放射状に派生する半田流路溝を設けることによっ
て、半田付け面の溶融半田がマイクロストリップ基板の
押圧力によって流路溝から貫通穴を通し流れ、マイクロ
ストリップ基板と半田付け面との間に介在する空気が貫
通穴を通し押し出されるとともにマイクロストリップ基
板は流路溝間の凸部と当接した状態で半田付けされるの
で、マイクロストリップ基板を気泡を発生させることや
他の場所に半田をはみ出させることなく電子デバイスの
載置面と平行に取付けることができる。このことにより
誘電損失など無くなり正確な測定ができるという効果が
得られた。
ストリップ基板の架台の半田付け面に貫通穴とこの貫通
穴から放射状に派生する半田流路溝を設けることによっ
て、半田付け面の溶融半田がマイクロストリップ基板の
押圧力によって流路溝から貫通穴を通し流れ、マイクロ
ストリップ基板と半田付け面との間に介在する空気が貫
通穴を通し押し出されるとともにマイクロストリップ基
板は流路溝間の凸部と当接した状態で半田付けされるの
で、マイクロストリップ基板を気泡を発生させることや
他の場所に半田をはみ出させることなく電子デバイスの
載置面と平行に取付けることができる。このことにより
誘電損失など無くなり正確な測定ができるという効果が
得られた。
【図１】本発明の一実施の形態における高周波特性測定
治具を説明するための高周波特性測定治具の斜視図
（ａ）、マイクロストリップ基板を除いた部分平面図
（ｂ）およびＡＡ断面矢視図（ｃ）である。
治具を説明するための高周波特性測定治具の斜視図
（ａ）、マイクロストリップ基板を除いた部分平面図
（ｂ）およびＡＡ断面矢視図（ｃ）である。
１ マイクロストリップ基板 ２ 架台 ３ 載置面 ４ マイクロストリップライン ５ コネクタ ６ 流路溝 ７ 貫通穴 ８ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 電子デバイスを載置する載置面とこの載
置面と隣接して設けられるとともに前記電子デバイスの
入出力端子と接続するマイクロストリップ基板を半田付
けする半田付け面とを有する架台を備える高周波特性測
定治具において、前記半田が溶融されたとき該半田の流
れ落ちる貫通穴とこの貫通穴より放射状に派生する半田
の流路溝が形成される前記半田付け面を有する架台を備
えることを特徴とする高周波特性測定治具。 - 【請求項２】 隣接する前記流路溝間の凸部の全ての高
さが同じであるとともに前記凸部の先端を含む平面が前
記載置面と平行であることを特徴とする請求項１記載の
高周波特性測定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25443196A JP2919387B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 高周波特性測定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25443196A JP2919387B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 高周波特性測定治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104297A JPH10104297A (ja) | 1998-04-24 |
| JP2919387B2 true JP2919387B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=17264899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25443196A Expired - Lifetime JP2919387B2 (ja) | 1996-09-26 | 1996-09-26 | 高周波特性測定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2919387B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8916964B2 (en) | 2009-11-27 | 2014-12-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of producing same |
-
1996
- 1996-09-26 JP JP25443196A patent/JP2919387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10104297A (ja) | 1998-04-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990406 |