JPH03156935A - 混成集積回路におけるダイボンディング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 混成集積回路におけるダイボンディング方法に関し、 位置ずれが少ないダイボンディング方法の提供を目的と
し、 金属パッケージの金属基板上に、チップ部品、ＩＣ基板
をダイボンディングし、各部品の端子パッド間をワイヤ
ボンディング接続して成る混成集積回路において、薄い
シート状で表面に実装格子を明示して設けた鑞材を、金
属基板上に載置し、鑞材の実装格子に合わせて所定位置
に、チップ部品、ｒｃ基板を載せ、全体を加熱さセて、
金属基板上に鑞付は固着させるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、混成集積回路におけるダイボンディング方法
に関する。

部品の小形化に伴い、構成回路も益々小形化、高密度実
装化が図られている。

この回路モジュールは、同一絶縁基板上に全構成部品を
作成、配線構成するり、ＳＴから、チップ部品のトラン
ジスタやコンデンサと膜構成の集積回路基板とを金属基
板に固着させて配線接続を行う混成集積回路、等各種の
形態がある。

高周波無線回路や電源回路は後者で構成され、論理回路
や低周波回路は前者が多く用いられる。

後者は、構成部品を金属基板にダイボンディングし、複
数個の部品の端子間をワイヤホンディングする組立工程
を伴う。

〔従来の技術〕

第２図に混成集積回路の一例の斜視図、第３図に従来の
一例のダイボンディング方法を示す。

混成集積回路の一例は、第２図に示す如く、３個に分か
れた薄膜集積回路のＩＣ基板９２と、２個のトランジス
タのＦＥＴベアチップや、２個のマイクロチップコンデ
ンサのデツプ部品９１とが、金属パッケージ１の金属基
板２上に固着され、端子パッド間及び外部接続端子と相
互に金細線６で短くワイヤボンディングし、最後に１１
１を被せて密閉封じを行っている。

ここで、金属基板２上にチップ部品９１及びＩＣ基板９
２を固着させるダイボンディングについて、一般的な従
来の一例は第３図（ａｌ〜（ｂｌに示す如くで、先に各
部品の固着位置に所定量の金錫鑞材４５のチップを置い
ておき、酸化を防止するために不活性ガス雰囲気中で金
属基板２を加熱し、図Ｔａｌのように鑞材４５が溶解状
態に達してから、先ずＩＣ基板９２を載せて多少押力を
加えてスクラブして止め、続いてチップ部品９１を載せ
、同様に止め、冷却させて図（ｂｌのようにその位置に
固着させている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、 ■　生産的に自動機械化困難で人手作業による場合は、
部品相互間に位置ずれを生じてしまう。

例えば、各部品間の主要間隔を、図（ｂｌに示すａＮＣ
ｌ　ａ′〜Ｃ′とし、ａ＝ａ　’、ｂ＝ｂ’ｃ＝ｃ　’
を条件としても、位置ずれにより程度の差こそあれａｈ
ａ’、ｂ≠ｂ′、ｃ＃ｃ　’とならざるを得ない。

■　これにより、ワイヤボンディングされた金線線６の
長さにばらつきを生じ、高周波回路では特性に著しく影
響を与えて、特性のばらつきを生じてしまう。

等の問題点がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みて、位置ずれが少ないダ
イボンディング方法の提供を目的とする。

〔課題を解決するだめの手段〕

上記問題点は、第１図に示す如く、 金属パッケージ１の金属基板２上に、チップ部品９１、
ｒｃｇ板９２をダイボンディングし、各部品の端子パッ
ド間をワイヤボンディング接続して成る混成集積回路３
において、薄いシート状で表面に実装格子５を明示して
設けた鑞材４を、金属基板２上に載置し、鑞材４の実装
格子５に合わせて所定位置に、チップ部品９１、ＩＣ基
板９２を載せ、全体を加熱させて、金属基板２上に鑞付
は固着させる、本発明の混成集積回路におけるダイボン
ディング方法により解決される。

〔作　用〕

即ち、シート状の鑞材４を置き、その実装格子５上に、
実装位置に合わせてチップ部品９１やＩＣ部品９２を配
置させ、全体を加熱して鑞材４が溶解したら、各部品を
上から押力を加えスクラブして止めるので、スクラブ時
の動きで多少の位置ずれは生じるが、前述の従来例の如
き、目盛りも無い目測による位置決めに比べれば　かに
高精度に配設固着出来る。

これにより、高周波回路においても十分に特性のばらつ
きを抑えることが出来る。

薄いシート状の鑞材４にこの実装格子５を設けるのは、
例えば、ダイスイングツ−で表面に所定ピッチで縦横に
刻線したり、押し型を押し当て筋目を付ける等により行
える。

かくして、位置ずれが少ないダイボンディング方法の提
供が可能となる。

〔実施例〕 以下図面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第１図（
ａｌに本発明の一実施例のダイボンディング方法の鑞材
、同図ｆｂ）に同載置状態図を示す。

本実施例は、マイクロ波回路モジュールで、２個のＦＥ
Ｔヘアチップと２個のマイクロチップコンデンサのチッ
プ部品９１と、３個の薄膜構成のＩＣ基板９２とから成
り、金属パンケージｌの金属基板２の上に部品が金錫の
鑞材４でダイボンディングされ、端子バンド聞及び外部
接続端子と金細線６にてワイヤボンディングして回路構
成され、最後にＩｌｌを被せて密封対じを行っている。

ここで部品のダイボンディングは、図（ａ）の如く、片
面にダイスイングツ−で０．５龍ピツチに刻線して実装
格子５を設けた、１０Ｘ６．５　龍の四角形で０゜１龍
厚のシー１〜状の金錫鑞材４を用い、図（ｂｌのように
、鑞材４を金属パッケージ１の金属基板２の上に実装格
子５が見えるように敷き、この実装格子５に合わせてチ
ップ部品９１及びＩＣ基板９２を正確に配置させてから
、全体を窒素ガス噴射雰囲気に置き、金属基板２を反対
面から加熱させ、鑞材４が溶解し始めたら、各部品を順
に上から少し押力を加えてスクラブして止めてから、冷
却し固着させる。

」−記実施例は一例を示し、各部の個数、形状、寸法は
上記のものに限定することはない。

又、鑞材４の材料も金錫に限らず他の適切な材料で差支
えなく、実装格子５の設は方も他のスクライバ−を用い
たり、押し型の押し付けによっても差支えない。

〔発明の効果〕

以上の如く、本発明のダイボンディング方法により、部
品の位置ずれを少なく抑えることが出来、これによりワ
イヤボンディングの金細線の長さのばらつきが抑えられ
、高周波での特性のばらつきを十分に小さく抑えること
が出来ると共に、＠置作業が多少短縮出来、生産効果は
大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のダイボンディング方法・ 第２図は混成集積回路の一例の斜視図、第３図は従来の
一例のダイボンディング方法である。 図において、 １は金属パッケージ、２は金属基板、 ３は混成集積回路、　４．４５は鑞材、５は実装格子、
　　　　６は金細線、 １１は蓋、　　　　　　９１はチ・ノブ部品、９２はｙ
ｃ基板である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 金属パッケージ（１）の金属基板（２）上に、チップ部
   品口（９１）、ＩＣ基板艶をダイボンディングし、各部
   品の端子パッド間をワイヤボンディング接続して成る混
   成集積回路（３）において、 薄いシート状で表面に実装格子（５）を明示して設けた
   鑞材（４）を、該金属基板（２）上に載置し、該鑞材（
   ４）の実装格子（５）に合わせて所定位置に、該チップ
   部品（９１）、ＩＣ基板（９２）を載せ、全体を加熱さ
   せて、該金属基板（２）上に鑞付け固着させることを特
   徴とする混成集積回路におけるダイボンディング方法。