WO2011055822A1 - 基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法 - Google Patents

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transfer arm
electrostatic chuck
electrodes
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石沢　繁
近藤　昌樹
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Tokyo Electron Ltd
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    • H10P72/7602—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade or gripped by a gripper for conveyance

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate transfer apparatus, and a method for controlling the substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus As a manufacturing apparatus for manufacturing such a semiconductor device, there is a substrate processing apparatus called a cluster tool.
  • a substrate processing apparatus a plurality of single-wafer processing chambers for performing various processes and a single transfer chamber are connected, and processing on semiconductor wafers is sequentially performed in each processing chamber, whereby one substrate processing is performed.
  • the apparatus can perform various processes.
  • the movement of the semiconductor wafer between the processing chambers is performed by an expansion / contraction operation and a rotation operation of a transfer arm provided in the transfer chamber.
  • This transfer arm usually has an electrostatic chuck, and the semiconductor wafer is sucked and transferred by the electrostatic chuck of the transfer arm.
  • the semiconductor wafer moves between the processing chambers, it is in a state of being attracted to the electrostatic chuck on the transfer arm by applying a voltage to the electrode of the electrostatic chuck.
  • the semiconductor wafer is not easily separated from the transfer arm, and over-adsorption may occur. Therefore, there is a demand for a substrate processing apparatus having a transfer arm that is unlikely to cause excessive adsorption, a substrate transfer apparatus, and a method for controlling the substrate processing apparatus.
  • an electrostatic chuck capable of placing the substrate and attracting the placed substrate, and transporting the substrate, and the substrate on the transport arm.
  • a substrate processing apparatus includes a control unit that applies the voltage between the electrodes.
  • the substrate can be placed, the electrostatic chuck that attracts the placed substrate, and an expansion and contraction operation and a rotation operation are possible for transporting the substrate.
  • a voltage for attracting the substrate to the electrostatic chuck is set to
  • the substrate is placed on the transfer arm without applying between the electrodes of the electrostatic chuck, and when the transfer arm is rotating, the voltage is applied between the electrodes.
  • a method for controlling a substrate processing apparatus comprising: an electrostatic chuck that can place the substrate, and that attracts the placed substrate, and includes a transport arm that transports the substrate.
  • the substrate is placed on the transfer arm, and a voltage is applied between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm to attract the substrate to the transfer arm.
  • a method for controlling a substrate processing apparatus comprising: an electrostatic chuck that can place the substrate, and that attracts the placed substrate, and includes a transport arm that transports the substrate.
  • the control method includes a step of placing the substrate on the transfer arm, and a first movement step of moving the substrate by expanding and contracting the transfer arm without causing the electrostatic chuck to attract the substrate. After the first moving step, the substrate is attracted to the transfer arm by applying a voltage between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm, and the transfer arm rotates without expanding and contracting.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment.
  • Top view of transfer arm Cross-sectional enlarged view of transfer arm Timing chart of control method of comparative example in substrate processing apparatus (1) Timing chart of control method of substrate processing apparatus in first embodiment Explanatory drawing (1) of the control method in the substrate processing apparatus in 1st Embodiment Explanatory drawing (2) of the control method in the substrate processing apparatus in 1st Embodiment Explanatory drawing (3) of the control method in the substrate processing apparatus in 1st Embodiment Timing chart of control method of comparative example in substrate processing apparatus (2) Timing chart of control method of substrate processing apparatus in second embodiment Timing chart of control method of comparative example in substrate processing apparatus (3) Timing chart of control method of substrate processing apparatus in third embodiment Timing chart of control method of substrate processing apparatus in fourth embodiment Timing chart of control method of substrate processing apparatus in fifth embodiment
  • a substrate processing apparatus having a transfer arm capable of adsorbing a semiconductor wafer by an electrostatic chuck, a substrate processing apparatus and a substrate transfer that can prevent over-adsorption and sticking as much as possible.
  • An apparatus and a method for controlling the substrate processing apparatus can be provided. As a result, the wafer can be easily peeled off from the transfer arm, and damage to the device can be prevented.
  • the substrate processing apparatus it is possible to provide a substrate processing apparatus, a substrate transport apparatus, and a substrate processing apparatus control method capable of improving throughput and saving power when operating the substrate processing apparatus. That is, the voltage application time to the electrostatic chuck of the transfer arm can be shortened, and power can be saved. Further, there is a case where application of a reverse voltage is not necessary, and further power saving can be achieved.
  • This embodiment is a substrate processing apparatus called a cluster tool, that is, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer having a plurality of processing chambers and a transfer chamber connected to the plurality of processing chambers.
  • the transfer chamber is provided with a transfer arm for adsorbing a semiconductor wafer by an electrostatic chuck (ESC: Electrostatic Chuck), and the substrate between the processing chambers or between the process chamber and the load lock chamber by the transfer arm.
  • ESC Electrostatic Chuck
  • the substrate processing apparatus in the present embodiment will be described with reference to FIG.
  • the substrate processing apparatus in the present embodiment includes an atmospheric transfer chamber 10, a common transfer chamber 20, four single wafer processing chambers 41, 42, 43, 44, and a control unit 50.
  • the atmospheric transfer chamber 10 and the common transfer chamber 20 have a function as a substrate transfer device, and the atmospheric transfer chamber 10 and the common transfer chamber 20 are also referred to as substrate transfer devices.
  • the common transfer chamber 20 has a substantially hexagonal shape, and four processing chambers 41, 42, 43, and 44 are connected to a portion corresponding to the side of the substantially hexagonal shape.
  • Two load lock chambers 31 and 32 are provided between the common transfer chamber 20 and the atmospheric transfer chamber 10.
  • Gate valves 61, 62, 63, and 64 are provided between the common transfer chamber 20 and the processing chambers 41, 42, 43, and 44, respectively.
  • the common transfer chamber 20 can be shut off.
  • gate valves 65 and 66 are provided between the common transfer chamber 20 and the load lock chambers 31 and 32, respectively, and between the load lock chambers 31 and 32 and the atmospheric transfer chamber 10.
  • a vacuum pump (not shown) is connected to the common transfer chamber 20 and can be evacuated
  • a vacuum pump (not shown) is connected to the load lock chambers 31 and 32 and can be evacuated independently. It is.
  • a loading-side transfer mechanism 16 having two transfer arms 16 ⁇ / b> A and 16 ⁇ / b> B is provided to hold the semiconductor wafer W, and the transfer arms 16 ⁇ / b> A and 16 ⁇ / b> B extend, rotate, move up and down, move linearly, and the like.
  • the semiconductor wafer W stored in the cassette at the introduction ports 12A, 12B, and 12C can be taken out and moved to one of the load lock chambers 31 and 32.
  • a transfer mechanism 80 having two transfer arms 80A and 80B for holding the semiconductor wafer W is provided, and the transfer arm 80A or 80B performs an expansion / contraction operation, a rotation operation, and the like.
  • the movement of the semiconductor wafer W between the processing chambers 41, 42, 43, 44, the movement from the inside of the load lock chamber 31 or 32 to the processing chambers 41, 42, 43, 44, the respective processing chambers 41, 42. , 43, 44 can be moved into the load lock chamber 31 or 32.
  • the semiconductor wafers W can be moved from the load lock chamber 31 or 32 to the respective processing chambers 41, 42, 43, 44 by the transfer arms 80A and 80B, and the respective processing chambers 41, 42, In 43 and 44, the semiconductor wafer W is processed.
  • the processing chambers 41, 42, 43, 44 the processing of the semiconductor wafer W is performed individually. Therefore, the semiconductor wafer W is moved between the processing chambers 41, 42, 43, 44 by the transfer arms 80 ⁇ / b> A and 80 ⁇ / b> B. Processing is performed.
  • the semiconductor wafer W is transferred from the processing chamber 41, 42, 43, 44 to the load lock chamber 31 or 32 by the transfer arm 80A or 80B. Further, the semiconductor wafer W after the substrate processing is accommodated in the cassette at the transfer ports 12A, 12B, and 12C by the transfer arm 16A or 16B of the transfer-side transfer mechanism 16 in the atmospheric transfer chamber 10.
  • the semiconductor wafer W is placed on the transfer arm 80A or 80B.
  • the semiconductor wafer W is placed on the transfer arm 80A or 80B and is not attracted by the electrostatic chuck, it is placed by gravity.
  • the operation of the transfer arm 16A or 16B in the transfer-side transfer mechanism 16, the transfer arms 80A and 80B in the transfer mechanism 80, the processing of semiconductor wafers in the processing chambers 41, 42, 43, and 44, the gate valves 61, 62, 63, and 64. , 65, 66, 67, 68, the exhaust of the load lock chamber 31 or 32, etc. are controlled by the control unit 50.
  • voltage application between the electrostatic chuck electrodes 82 and 83 (described later) for adsorption by the electrostatic chuck is also controlled by the control unit 50.
  • the relationship (timing) between the voltage application controlled by the control unit 50 and the operations of the transfer arms 80A and 80B will be described later.
  • the transfer arm 80A in the present embodiment will be described.
  • 3 is an enlarged cross-sectional view taken along broken line 3A-3B in FIG.
  • the transfer arm 80A has a U-shaped tip portion on which the bifurcated semiconductor wafer W is placed.
  • the main body 81 of the transfer arm 80A is made of a ceramic material such as aluminum oxide, and has a U-shaped tip portion on which the semiconductor wafer W is placed.
  • the U-shaped tip portion has electrodes 82 and 83 formed of a metal material for performing electrostatic chucking, and an insulating layer 84 made of polyimide or the like is formed on the surfaces of the electrodes 82 and 83. And 85 are formed.
  • an O-ring 86 made of silicon rubber containing a silicon compound is provided on the suction surface side of the main body 81 of the main body 81 in the transfer arm 80A, and the semiconductor wafer W is in direct contact with the main body 81. It is configured not to do.
  • the transfer arm 80B and the transfer arms 16A and 16B in the transfer-side transfer mechanism 16 are configured in the same manner.
  • FIG. 4A shows whether or not a semiconductor wafer is present on the transfer arm
  • FIG. 4B shows the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck.
  • 4 (c) shows the operating state of the transfer arm, that is, whether the transfer arm is operating or stopped.
  • FIG. 4 (d) shows the state of the transfer arm and the semiconductor wafer by the electrostatic chuck. It shows the adsorption power.
  • the transfer arm sucks the semiconductor wafer by the electrostatic chuck. Specifically, after the gate valve between the processing chamber on which the semiconductor wafer is placed and the common transfer chamber is opened and the U-shaped tip of the transfer arm is inserted into the lower portion of the semiconductor wafer, the transfer arm is A voltage V ⁇ b> 1 for attracting between the electrodes of the electrostatic chuck provided on the electrode is applied. As a result, the semiconductor wafer is attracted to the transfer arm. Therefore, at time t0, the semiconductor wafer is attracted to the transfer arm, and the semiconductor wafer is placed on the transfer arm.
  • the transfer arm performs an expansion / contraction operation and a rotation operation. Specifically, as the transfer arm contracts, the semiconductor wafer placed at the U-shaped tip of the transfer arm moves from the processing chamber to the common transfer chamber. Thereafter, by rotation, the semiconductor wafer moves to the vicinity of the next processing chamber in which the semiconductor wafer is not placed in the common transfer chamber.
  • the transfer arm performs an expansion / contraction operation. Specifically, when the transfer arm is extended, the semiconductor wafer placed at the U-shaped tip portion of the transfer arm moves from the common transfer chamber to the processing chamber.
  • a semiconductor wafer is mounted at a predetermined position in the next processing chamber. That is, after the semiconductor wafer is moved to a predetermined position, the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck is set to 0 V at time t3, so that the attracting force by the electrostatic chuck is released, and the inside of the next processing chamber is released. A semiconductor wafer is placed at a predetermined position.
  • the semiconductor wafer may come into close contact with the semiconductor ring via the O-ring. It is not easy to release.
  • FIG. 5A shows whether or not the semiconductor wafer W is present on the transfer arm 80A
  • FIG. 5B shows the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck
  • FIG. 5C shows the operating state of the transfer arm 80A, that is, the state where the transfer arm 80A is operating or stopped, and FIG. The suction force between the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W by the electric chuck is shown.
  • the semiconductor wafer W is attracted by an electrostatic chuck.
  • the gate valve 61 between the processing chamber 41 on which the semiconductor wafer W is placed and the common transfer chamber 20 is opened, and the U-shaped tip portion of the transfer arm 80A is After being inserted into the lower part of the semiconductor wafer W, a voltage V1 for attracting the semiconductor wafer W by the electrostatic chuck is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A.
  • the semiconductor wafer W is attracted to the electrostatic chuck. Therefore, at time t0, the semiconductor wafer W is attracted to the transfer arm 80A.
  • the transfer arm 80A performs an expansion / contraction operation and a rotation (turning) operation (first movement step and rotation step). Specifically, when the transfer arm 80 ⁇ / b> A contracts, the semiconductor wafer W placed at the U-shaped tip portion of the transfer arm 80 moves from the processing chamber 81 into the common transfer chamber 20. Thereafter, as shown in FIG. 7, the semiconductor wafer W is moved to the vicinity of the next processing chamber 42 in which the semiconductor wafer W is not placed in the common transfer chamber 20 by performing a rotation operation.
  • the transfer arm 80A performs an expansion / contraction operation. Specifically, when the transfer arm 80A is extended, the semiconductor wafer W placed at the U-shaped tip portion of the transfer arm 80A moves from the common transfer chamber 20 into the processing chamber 42. At this time, the voltage V1 is again applied between the electrodes 82 and 83 in the transfer arm 80A, and the semiconductor wafer W is attracted to the transfer arm 80A (second movement step).
  • the semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the next processing chamber 42. That is, as shown in FIG. 8, after the semiconductor wafer is moved to a predetermined position for a time t3, the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck is set to 0 V, so that the adsorption by the electrostatic chuck is released. The semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the next processing chamber 42.
  • the semiconductor wafer W can be moved between the processing chambers in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
  • the voltage is applied between the electrodes 82 and 83 except for the time when the transfer arm 80A is operating, that is, from time t0 to time t1, and from time t2 to time t3.
  • the voltage is 0V.
  • the suction by the electrostatic chuck is released, and the excessive suction between the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W can be prevented.
  • the voltage V1 is not applied between the electrodes 82 and 83 during the time when the transfer arm 80A is not operating, that is, from the time t1 to the time t2, power is not consumed during this time, so that power saving is achieved. It is possible to reduce the cost.
  • the present embodiment is a control method for a substrate processing apparatus in the substrate processing apparatus according to the first embodiment, in which the adsorption force due to the residual charge of the electrostatic chuck is removed.
  • FIG. 9A shows whether or not a semiconductor wafer is present on the transfer arm
  • FIG. 9B is applied between the electrodes of the electrostatic chuck to attract the electrostatic chuck
  • FIG. 9C shows the voltage application state
  • FIG. 9C shows the voltage application state applied between the electrodes of the electrostatic chuck in order to remove the residual adhesion due to the electrostatic chuck.
  • D shows the state of the transfer arm, that is, whether the transfer arm is extended or contracted
  • FIG. 9 (e) shows whether or not the transfer arm is rotating.
  • FIG. 9F shows the vertical positions of pins for raising and lowering the semiconductor wafer in the processing chamber (hereinafter referred to as “processing chamber A”) in which the semiconductor wafer is first placed.
  • FIG. 9G shows a process in which a semiconductor wafer is placed next.
  • FIG. 9H shows the vertical position of the pins for moving the semiconductor wafer up and down in the chamber (hereinafter referred to as “processing chamber B”). FIG. It is shown.
  • the transfer arm extends toward the processing chamber A where the semiconductor wafer is first placed. At this time, no semiconductor wafer is placed on the transfer arm, and no voltage is applied between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm. In the processing chamber A, the pins for lifting the semiconductor wafer are already raised in the processing chamber A, and the semiconductor wafer is in a lifted state. Therefore, at time t11, the transfer arm is in an extended state, and the U-shaped tip end portion of the transfer arm enters the processing chamber A below the semiconductor wafer.
  • a voltage V1 for attracting by the electrostatic chuck is applied between the electrodes of the electrostatic chuck provided on the transport arm, whereby the semiconductor wafer is applied to the electrostatic chuck of the transport arm.
  • the semiconductor wafer is moved from the processing chamber A to the common transfer chamber by the operation of being attracted and further contracting the transfer arm.
  • the transfer arm performs a rotating operation to move the semiconductor wafer to the vicinity of the processing chamber B.
  • the transfer arm moves toward the inside of the processing chamber B by moving the semiconductor wafer into the processing chamber B.
  • the voltage V1 applied between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm at time t15 is turned off, and the voltage applied between the electrodes from time t12 to time t15 from time t15 to time t16 Applies a reverse voltage V2 between the electrodes, thereby removing the charge remaining on the semiconductor wafer and the electrostatic chuck in the transfer arm and reliably releasing the attracting force.
  • the pins for lifting the semiconductor wafer in the processing chamber B are raised, and the semiconductor wafer placed on the transfer arm is lifted.
  • the transfer arm moves the U-shaped tip from the processing chamber B to the common transfer chamber by performing a contracting operation.
  • the pins in the processing chamber B are lowered, and the semiconductor wafer is placed at a predetermined position in the processing chamber B. As described above, the semiconductor wafer can be moved from the processing chamber A to the processing chamber B.
  • FIG. 10A shows whether or not the semiconductor wafer W exists on the transfer arm 80A.
  • FIG. 10B shows the electrostatic force applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck.
  • FIG. 10C shows a state of voltage applied between the electrodes 82 and 83 in order to remove residual adhesion due to the electrostatic chuck.
  • FIG. 10D shows the state of the transfer arm 80A, that is, the state where the transfer arm 80A is extended or contracted.
  • FIG. 10E shows the rotation of the transfer arm 80A.
  • FIG. 10F shows the vertical positions of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 41
  • FIG. In the processing chamber 42 the semiconductor wafer It is indicative of the vertical position of pins (not shown) for raising and lowering the wafer W
  • Fig. 10 (h) shows the attraction force of the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W by an electrostatic chuck.
  • the control method of the substrate processing apparatus in the present embodiment is to perform adsorption by the electrostatic chuck only when the transfer arm 80A performs the rotation operation.
  • the transfer arm 80A performs an operation of extending toward the processing chamber 41.
  • the semiconductor wafer W is not placed on the transfer arm 80A, and the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck of the transfer arm 80A is 0V.
  • the semiconductor wafer W is lifted onto the pins by raising a pin (not shown) for lifting the semiconductor wafer W.
  • the transfer arm 80 ⁇ / b> A is in an extended state, and the U-shaped tip of the transfer arm 80 ⁇ / b> A enters the lower side of the semiconductor wafer W in the processing chamber 41. Specifically, the state shown in FIG. 6 is obtained.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 41 is lowered, so that the semiconductor wafer W is placed on the U-shaped tip of the transfer arm 80A.
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W from the processing chamber 41 to the common transfer chamber 20 by performing a contraction operation (first moving step).
  • the semiconductor wafer W becomes It is attracted to the electrostatic chuck. Further, after the voltage V1 is applied to each electrode of the electrostatic chuck, the transfer arm 80A rotates to move the semiconductor wafer W to the vicinity of the processing chamber 42 (rotation process). Specifically, the rotation operation is performed as shown in FIG.
  • the voltage V1 for attracting by the electrostatic chuck applied between the electrostatic chuck electrodes 82 and 83 of the transfer arm 80A at time t24 is turned off (releasing step), and 0 V is applied between the electrodes. Apply voltage.
  • a voltage V2 having a polarity opposite to that applied between the electrodes 82 and 83 from the time t23 to the time t24 is applied, so that the static force of the transfer arm 80A can be reduced.
  • the suction of the semiconductor wafer W by the electric chuck is surely canceled, and at the same time, the transfer arm 80A moves to the inside of the processing chamber 42 to move the semiconductor wafer W into the processing chamber 42 (second movement). Process). Specifically, the state shown in FIG. 8 is obtained. Even in this state, the semiconductor wafer W is still placed on the transfer arm 80A by the force of gravity.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is raised, and the semiconductor wafer W placed on the transfer arm 80A is lifted.
  • the transfer arm 80 ⁇ / b> A performs a contracting operation to move the U-shaped tip from the processing chamber 42 to the common transfer chamber 20.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is lowered, and the semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the processing chamber 42.
  • the expansion / contraction operation of the transfer arm 80A and the application of the reverse voltage for reliably releasing the electrostatic chuck are performed simultaneously, so that the semiconductor wafer W can be moved between the processing chambers in a short time. And throughput can be improved. That is, in the case of the control method of the comparative example (FIG. 9), the time required from time t14 to time t16 can be shortened from time t24 to time t25 in this embodiment, thereby improving throughput. Can be made. Further, in the case shown in the control method of the comparative example (FIG. 9), the time that is attracted by the electrostatic chuck is from time t12 to time t15, whereas in this embodiment, the time from time t23 to time is shown.
  • the time can be shortened to t24, and it is possible to prevent the semiconductor wafer W from being excessively adsorbed and to save power.
  • 9 is the same as the time t20 to the time t24 shown in FIG. 10, the time t16 to the time t19 shown in FIG. 9, the time t25 to the time t28 shown in FIG. Are the same time.
  • This embodiment differs from the second embodiment in the substrate processing apparatus according to the first embodiment, requires a waiting time for transporting the semiconductor wafer, and applies reverse voltage for removing the chucking force of the electrostatic chuck. This is a method for controlling the substrate processing apparatus when the process is not performed.
  • FIG. 11A shows whether or not a semiconductor wafer is present on the transfer arm
  • FIG. 11B shows the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck
  • 11 (c) shows the state of the transfer arm, that is, whether the transfer arm is extended or contracted
  • FIG. 11 (d) shows whether or not the transfer arm is rotating.
  • FIG. 11E shows the vertical positions of pins for raising and lowering the semiconductor wafer in the processing chamber (hereinafter referred to as “processing chamber A”) in which the semiconductor wafer is first placed.
  • processing chamber A the processing chamber in which the semiconductor wafer is first placed.
  • 11F shows the vertical positions of pins for moving the semiconductor wafer up and down in a processing chamber (hereinafter referred to as “processing chamber B”) in which the semiconductor wafer is placed next.
  • processing chamber B a processing chamber in which the semiconductor wafer is placed next.
  • 11 (g) is a transfer arm by an electrostatic chuck and It shows a suction force of the conductor wafer.
  • the transfer arm first extends toward the processing chamber A in which the semiconductor wafer is placed. At this time, no semiconductor wafer is placed on the transfer arm, and the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm is 0V. In the processing chamber A, the pins for lifting the semiconductor wafer are already raised in the processing chamber A, and the semiconductor wafer is in a lifted state. At time t31, the transfer arm is in an extended state, and the U-shaped tip of the transfer arm enters the lower side of the semiconductor wafer lifted by the pins in the processing chamber A. ing.
  • the pins in the processing chamber A descend, and the semiconductor wafer is placed on the U-shaped tip of the transfer arm.
  • the voltage V1 for attracting by the electrostatic chuck is applied between the electrodes of the electrostatic chuck provided on the transfer arm, whereby the semiconductor wafer is attracted to the electrostatic chuck, Further, the transfer arm moves the semiconductor wafer from the processing chamber A to the common transfer chamber by performing a contraction operation.
  • the transfer arm performs a rotating operation to move the semiconductor wafer to the vicinity of the processing chamber B.
  • the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck of the transfer arm is changed from V1 to 0V. Since the voltage V1 is applied for a long time until the voltage applied between the electrodes of the electrostatic chuck is changed to 0 V at this time t36, the adsorption force of the electrostatic chuck gradually increases during this time. Yes. For this reason, even if the voltage applied between the electrodes is changed to 0 V at time t36, the attractive force does not immediately become 0 but gradually decreases. For this reason, this state is maintained until time t37 when the attractive force becomes equal to or less than a predetermined value.
  • the transfer arm performs a contracting operation to move the U-shaped tip from the process chamber B to the common transfer chamber.
  • the pins in the processing chamber B are lowered, and the semiconductor wafer is placed at a predetermined position in the processing chamber B.
  • the semiconductor wafer can be moved from the processing chamber A to the processing chamber B.
  • FIG. 12A shows whether or not the semiconductor wafer W exists on the transfer arm 80A.
  • FIG. 12B shows the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck.
  • FIG. 12C shows the state of the transfer arm 80A, that is, the state where the transfer arm 80A is extended or contracted.
  • FIG. 12D shows the state of the transfer arm 80A.
  • FIG. 12E shows the vertical position of a pin (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 41.
  • FIG. ) Shows the vertical position of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 42.
  • FIG. 12G shows the suction force between the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W by the electrostatic chuck. It is shown.
  • the transfer arm 80A first extends toward the processing chamber 41 in which the semiconductor wafer W is placed. At this time, the semiconductor wafer W is not placed on the transfer arm 80A, and the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck of the transfer arm 80A is 0V. In the processing chamber 41, pins (not shown) for lifting the semiconductor wafer in the processing chamber 41 have already been raised, and the semiconductor wafer W is in a lifted state. Therefore, at time t51, the transfer arm 80A is in an extended state, and the U-shaped tip of the transfer arm 80A is below the semiconductor wafer W lifted by the pins in the processing chamber 41. It is in a state of entering.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 41 descends, and the semiconductor wafer W is placed on the U-shaped tip of the transfer arm 80A.
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W from the processing chamber 41 to the common transfer chamber 20 by performing a contraction operation (first moving step).
  • the voltage V1 for attracting by the electrostatic chuck is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A, whereby the semiconductor wafer W is Further, the transfer arm 80 ⁇ / b> A is rotated by the electrostatic chuck and moves the semiconductor wafer W to the vicinity of the processing chamber 42. Specifically, a rotation operation is performed as shown in FIG. 7 (rotation process).
  • the transfer arm 80A moves toward the inside of the processing chamber 42 by moving the semiconductor wafer W into the processing chamber 42 (second moving step). Specifically, the state shown in FIG. 8 is obtained.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is raised, and the semiconductor wafer W placed on the transfer arm 80A is lifted.
  • the transfer arm 80 ⁇ / b> A performs a contracting operation to move the U-shaped tip from the processing chamber 42 to the common transfer chamber 20.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is lowered, and the semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the processing chamber 42.
  • the semiconductor wafer W can be moved from the processing chamber 41 to the processing chamber 42 by the control method in the present embodiment.
  • the application of the voltage V1 for adsorption between the electrodes of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A is the time during which the transfer arm 80A is rotated, that is, from time t53 to time t54. It is done only in between. Therefore, no excessive adsorption occurs, and it is not necessary to provide a time until the adsorption force is reduced, that is, a time between time t36 and time t37 shown in FIG. Therefore, the throughput in the substrate processing apparatus can be improved, and further, power saving can be achieved.
  • the time t30 to time t36 shown in FIG. 11 is the same as the time t50 to time t56 shown in FIG. 12, and the time t37 to time t40 shown in FIG. 11 and the time t56 to time t59 shown in FIG. It is the same time.
  • This embodiment is a control method for a substrate processing apparatus in the case where an electrostatic chuck is performed in the expansion and contraction operation of the transfer arm 80A, unlike the third embodiment, in the substrate processing apparatus in the first embodiment.
  • FIG. 13A shows whether or not the semiconductor wafer W is present on the transfer arm 80A
  • FIG. 13B shows the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck
  • FIG. 13C shows the state of the transfer arm 80A, that is, whether the transfer arm 80A is extended or contracted.
  • FIG. 13D shows the state of the transfer arm 80A.
  • FIG. 13 (e) shows the vertical position of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 41.
  • FIG. ) Shows the vertical position of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 42.
  • FIG. 13G shows the suction force between the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W by the electrostatic chuck. It is shown.
  • the transfer arm 80A performs an extension operation toward the processing chamber 41 in which the semiconductor wafer W is first placed. At this time, the semiconductor wafer W is not placed on the transfer arm 80A, and no voltage is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck of the transfer arm 80A. In the processing chamber 41, a pin (not shown) for lifting the semiconductor wafer has already been raised in the processing chamber 41, and the semiconductor wafer W is lifted by the pin. Therefore, at time t61, the transfer arm 80A is in an extended state, and the U-shaped tip of the transfer arm 80A enters the processing chamber 41 below the semiconductor wafer W. .
  • a pin (not shown) in the processing chamber 41 is lowered, so that the semiconductor wafer W is placed on the U-shaped tip of the transfer arm 80A.
  • a voltage V1 for adsorbing by the electrostatic chuck is applied between the electrodes 82 and 83 provided on the transfer arm 80A, whereby the semiconductor wafer W is transferred to the electrostatic chuck of the transfer arm 80A.
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W from the processing chamber 41 to the common transfer chamber 20 by performing a contraction operation (first moving step).
  • the transfer arm 80A performs a rotation operation to move the semiconductor wafer W to the vicinity of the processing chamber 42 (rotation process). Specifically, the rotation operation is performed as shown in FIG.
  • the movement of the semiconductor wafer W in the common transfer chamber 20 is stopped, that is, the transfer arm 80A is moved.
  • the operation is stopped.
  • the voltage application for adsorbing between the electrodes 82 and 83 is stopped (release process). That is, since the voltage applied between the electrodes is set to 0 V, the electrostatic chuck is released from the time t64 to the time t65. Even in this state, the semiconductor wafer W is still placed on the transfer arm 80A by the force of gravity.
  • a voltage V1 is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A, and the semiconductor wafer W is attracted to the transfer chuck 80A by the electrostatic chuck, and further, the time is reached.
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W into the processing chamber 42 by performing an operation extending toward the processing chamber 42 (second movement step). Specifically, the state shown in FIG. 8 is obtained.
  • the voltage applied between the electrodes 82 and 83 is set to 0 V, so that the chucking of the electrostatic chuck is released.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 rises, and the semiconductor wafer W placed on the transfer arm 80A is lifted.
  • the transfer arm 80A moves the U-shaped tip from the processing chamber 42 to the common transfer chamber 20 by performing a contraction operation.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is lowered, and the semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the processing chamber 42.
  • the semiconductor wafer W can be moved from the processing chamber 41 to the processing chamber 42 by the control method in the present embodiment.
  • applying the voltage V1 for attracting the electrostatic chuck between the electrodes of the electrostatic chuck of the semiconductor wafer W in the transfer arm 80A is performed while the semiconductor wafer W is placed on the transfer arm 80A.
  • it is performed only during the time when the transfer arm 80A performs the expansion / contraction operation and the rotation operation, that is, from the time t62 to the time t64, and from the time t65 to the time t66.
  • the time for applying the voltage for adsorption is short, excessive adsorption does not occur, throughput can be improved, and power saving can be achieved.
  • 11 is the same as the time t60 to the time t66 shown in FIG. 13, and the time t37 to the time t40 shown in FIG. 11 and the time t66 to the time t69 shown in FIG. 13 are the same. It is the same time.
  • the transfer arm 80B and the transfer arms 16A and 16B in the transfer-side transfer mechanism 16 can be operated in the same manner as the transfer arm 80A.
  • FIG. 14A shows whether or not the semiconductor wafer W exists on the transfer arm 80A.
  • FIG. 14B is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck.
  • FIG. 14 (c) shows the state of the transfer arm 80A, that is, whether the transfer arm 80A is extended or contracted, and
  • FIG. 14 (d) shows the transfer arm 80A.
  • FIG. 14E shows the vertical positions of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 41.
  • FIG. FIG. 14F shows the vertical positions of pins (not shown) for moving the semiconductor wafer W up and down in the processing chamber 42.
  • FIG. 14G shows the adsorption force between the transfer arm 80A and the semiconductor wafer W by the electrostatic chuck.
  • the transfer arm 80A first extends toward the processing chamber 41 in which the semiconductor wafer W is placed. At this time, the semiconductor wafer W is not placed on the transfer arm 80A, and the voltage applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck of the transfer arm 80A is 0V. In the processing chamber 41, pins (not shown) for lifting the semiconductor wafer in the processing chamber 41 have already been raised, and the semiconductor wafer W is in a lifted state. Accordingly, at time t51, the transfer arm 80A is in an extended state, and the U-shaped tip of the transfer arm 80A enters the lower side of the semiconductor wafer W lifted by the pins in the processing chamber 41. It is in a state.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 41 is lowered, so that the semiconductor wafer W is placed on the U-shaped tip of the transfer arm 80A.
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W from the processing chamber 41 to the common transfer chamber 20 by performing a contraction operation (first moving step).
  • the voltage V1 for attracting by the electrostatic chuck is applied between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A. Is attracted to the electrostatic chuck. Further, the transfer arm 80 ⁇ / b> A rotates to move the semiconductor wafer W to the vicinity of the processing chamber 42. Specifically, a rotation operation is performed as shown in FIG. 7 (rotation process).
  • the transfer arm 80A moves the semiconductor wafer W into the processing chamber 42 by performing an operation extending toward the processing chamber 42 (second moving step). Specifically, the state shown in FIG. 8 is obtained.
  • the voltage applied between the electrodes 82 and 83 is set to 0V.
  • the residual charges accumulated in the respective electrodes of the electrostatic chuck and the semiconductor wafer W are removed, and the adsorption force of the electrostatic chuck is lost.
  • the semiconductor wafer W remains on the transfer arm 80A due to the force of gravity.
  • the transfer arm 80A performs a contracting operation to move the U-shaped tip from the processing chamber 42 to the common transfer chamber 20.
  • a pin (not shown) in the processing chamber 42 is lowered, and the semiconductor wafer W is placed at a predetermined position in the processing chamber 42.
  • the semiconductor wafer W can be moved from the processing chamber 41 to the processing chamber 42 by the control method in the present embodiment.
  • the application of the voltage V1 for adsorption between the electrodes of the electrostatic chuck provided on the transfer arm 80A is the time during which the transfer arm 80A is rotated, that is, from time t53 to time t54. It is done only in between. Therefore, no excessive adsorption occurs, and it is not necessary to provide a time until the adsorption force is reduced, that is, a time between time t36 and time t37 shown in FIG. Therefore, the throughput in the substrate processing apparatus can be improved, and further, power saving can be achieved.
  • the time t30 to time t36 shown in FIG. 11 is the same as the time t50 to time t56 shown in FIG. 12, and the time t37 to time t40 shown in FIG. 11 and the time t56 to time t59 shown in FIG. It is the same time.
  • the transfer arm 80B and the transfer arms 16A and 16B in the transfer-side transfer mechanism 16 can be operated in the same manner as the transfer arm 80A.
  • the case where the semiconductor wafer W is transferred from the processing chamber 41 to the processing chamber 42 has been described.
  • the semiconductor wafer W is transferred between the processing chambers 41, 42, 43, and 44.
  • the transfer arm 80B and the transfer arms 16A and 16B in the transfer-side transfer mechanism 16 can be operated in the same manner as the transfer arm 80A.
  • the electrostatic chuck A voltage for adsorbing between the electrodes 82 and 83 is applied (see FIGS. 12 and 13), and when the transfer arms 80A and 80B are expanding and contracting, the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck
  • the voltage applied between the electrodes can be 0V.
  • the sliding operation is an operation in which the entire transfer arm 80 moves in the horizontal direction.
  • a voltage having a polarity opposite to the polarity of the voltage applied when the semiconductor wafer W is attracted to the electrostatic chuck is applied between the electrodes of the electrostatic chuck.
  • the voltage having the opposite polarity may be applied for a time sufficient to remove the charge remaining on the semiconductor wafer and the electrostatic chuck.
  • the application time may be appropriately set.
  • a step of applying 0 V between the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck As described in the fifth embodiment, the electrodes 82 and 83 are opened, and then the semiconductor wafer W placed on the transfer arm 80A is transferred from, for example, the transfer arm 80A onto the pins of the processing chamber. Prior to passing, 0V may be applied between the electrodes 82 and 83.
  • the electrostatic chuck of the transfer arm 80A has been described as an electrostatic chuck using a Coulomb force type in which insulator layers 84 and 85 are formed on the surfaces of the electrodes 82 and 83 of the electrostatic chuck.
  • a Johnson-Labeck force type electrostatic chuck in which a slightly conductive dielectric layer is formed may be used.
  • 0 V may be applied between the electrodes, or a reverse polarity may be applied. It is not necessary to apply a voltage having the above, and the electrodes may be opened in the releasing step.
  • a cluster tool type substrate processing apparatus having a plurality of single-wafer processing chambers has been exemplified.
  • the present invention is not limited to such a substrate processing apparatus, and a static chuck for adsorbing a substrate is used.
  • voltage application between the electrodes of the electrostatic chuck is controlled in accordance with the operation state (including stationary) of the transfer arm that has an electric chuck and transfers the substrate and the transfer arm on which the substrate is placed.
  • the present invention can be applied to a substrate processing apparatus having a control unit.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

　前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームと、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームの動作が停止しているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないで、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが動作しているときは、前記電圧を前記電極間に印加する制御部とを備える基板処理装置を提供する。

Description

基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法
　本発明は、基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法に関する。
　半導体デバイスを製造する際には、半導体ウエハに対して、各種の薄膜の成膜処置、改質処理、酸化拡散処理、アニール処理、エッチング処理等が順次繰り返し行われ、これにより半導体ウエハ上に多層膜からなる半導体デバイスが製造される。
　このような半導体デバイスを製造する製造装置としては、クラスターツールと呼ばれる基板処理装置がある。この基板処理装置では、様々な処理を行うための複数の枚葉式の処理室と一つの搬送室とを連結し、各々の処理室内において半導体ウエハに対する処理を順次行うことにより、一つの基板処理装置で各種処理を行うことを可能とするものである。このような基板処理装置では、処理室間における半導体ウエハの移動は、搬送室に設けられた搬送アームの伸縮動作及び回転動作等により行われる。この搬送アームは、通常、静電チャックを有しており、半導体ウエハは搬送アームの静電チャックによって吸着されて搬送される。
特開２００２－２８０４３８号公報 特開２００４－１１９６３５号公報
　ところで、半導体ウエハは処理室間等を移動する際には、静電チャックの電極へ電圧を印加することにより搬送アーム上の静電チャックに吸着された状態となるが、長時間静電チャックによる吸着を行うことにより、搬送アームから半導体ウエハが容易に離れなくなってしまい、過吸着が生じてしまう場合がある。このため、過吸着の生じにくい搬送アームを有する基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法が望まれている。
　また、クラスターツール型の基板処理装置においては、スループットを向上させることが、製造される半導体デバイスの製造コストの低下に直結することから、スループットの向上が特に望まれており、更には、基板処理装置を稼働する際の省電力化等も望まれている。
　本発明の第１の態様は、前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームと、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームの動作が停止しているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないで、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが動作しているときは、前記電圧を前記電極間に印加する制御部とを備える基板処理装置を提供する。
　本発明の第２の態様は、前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行うために伸縮動作及び回転動作が可能な搬送アームと、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが前記伸縮動作をしているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないで、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが前記回転動作をしているときは、前記電圧を前記電極間に印加する制御部とを備える基板処理装置を提供する。
　本発明の第３の態様は、前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームを備える基板処理装置の制御方法を提供する。この制御方法は、前記搬送アームに前記基板を載置する工程と、前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームにより前記基板を移動させる第１の移動工程と、前記第１の移動工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックによる吸着を解除する解除工程と、前記解除工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームにより前記基板を移動させる第２の移動工程とを含む。
　本発明の第４の態様は、前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームを備える基板処理装置の制御方法を提供する。この制御方法は、前記搬送アームに前記基板を載置する工程と、前記静電チャックに前記基板を吸着させることなく、前記搬送アームが伸縮することにより前記基板を移動させる第１の移動工程と、前記第１の移動工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームが伸縮することなく回転し前記基板を移動させる回転工程と、前記回転工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックによる吸着を解除する解除工程と、前記解除工程の後に、前記静電チャックに前記基板を吸着させることなく、前記搬送アームが伸縮することにより前記基板を移動させる第２の移動工程とを含む。
第1の実施の形態における基板処理装置の構成図 搬送アームの上面図 搬送アームの断面拡大図 基板処理装置における比較例の制御方法のタイミングチャート（１） 第１の実施の形態における基板処理装置の制御方法のタイミングチャート 第１の実施の形態における基板処理装置における制御方法の説明図（１） 第１の実施の形態における基板処理装置における制御方法の説明図（２） 第１の実施の形態における基板処理装置における制御方法の説明図（３） 基板処理装置における比較例の制御方法のタイミングチャート（２） 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法のタイミングチャート 基板処理装置における比較例の制御方法のタイミングチャート（３） 第３の実施の形態における基板処理装置の制御方法のタイミングチャート 第４の実施の形態における基板処理装置の制御方法のタイミングチャート 第５の実施の形態における基板処理装置の制御方法のタイミングチャート
　本発明の実施の形態によれば、静電チャックにより半導体ウエハを吸着することができる搬送アームを有する基板処理装置において、過吸着及び固着の発生をできるだけ防ぐことが可能な基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法を提供することができる。これにより搬送アームからのウエハはがしを容易にし、デバイスへのダメージを防止することができる。
　さらに、スループットを向上させると共に、基板処理装置を稼働する際の省電力化をすることが可能な基板処理装置、基板搬送装置及び基板処理装置の制御方法を提供することができる。即ち、搬送アームの静電チャックへの電圧印加時間が短くすることができ、省電力化することができる。また、逆電圧の印加を必要としない場合があり、さらに省電力化することができる。
　以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきである。
　〔第１の実施の形態〕
　（基板処理装置）
　第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、クラスターツールと呼ばれる基板処理装置、即ち、複数の処理室と複数の処理室と接続された搬送室とを有する半導体ウエハ等の基板の処理を行う基板処理装置である。搬送室には、静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic Chuck）により半導体ウエハを吸着させる搬送アームが設けられており、搬送アームにより各々の処理室間または、処理室とロードロック室との間において、基板である半導体ウエハを移動させることができる。
　図１に基づき本実施の形態における基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、大気搬送室１０と、共通搬送室２０と、４つの枚葉式の処理室４１、４２、４３、４４、制御部５０を有している。尚、大気搬送室１０及び共通搬送室２０は、基板搬送装置としての機能を有するものであり、大気搬送室１０及び共通搬送室２０については、基板搬送装置ともいう。
　共通搬送室２０は、略６角形の形状をしており、略６角形の辺に相当する部分において、４つの処理室４１、４２、４３、４４が接続されている。また、共通搬送室２０と、大気搬送室１０との間には、２つのロードロック室３１及び３２が設けられている。共通搬送室２０と各々の処理室４１、４２、４３、４４との間には、各々ゲートバルブ６１、６２、６３、６４が設けられており、各々の処理室４１、４２、４３、４４は共通搬送室２０と遮断することができる。また、共通搬送室２０と各々のロードロック室３１及び３２との間には、各々ゲートバルブ６５及び６６が設けられており、各々のロードロック室３１及び３２と大気搬送室１０との間には、各々ゲートバルブ６７及び６８が設けられている。尚、共通搬送室２０には不図示の真空ポンプが接続されており、真空排気可能であり、また、ロードロック室３１及び３２には不図示の真空ポンプが接続されており独立して排気可能である。
　また、大気搬送室１０において、２つのロードロック室３１及び３２が設けられている側の反対側には、複数枚の半導体ウエハを収納することのできるカセットが設置される３つの導入ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが連結されている。
　大気搬送室１０内には、半導体ウエハＷを保持するため２つの搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂを有する搬入側搬送機構１６が設けられており、搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂが伸縮、回転、昇降及び直線移動等の動作を行うことにより、導入ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにおけるカセット内に納められている半導体ウエハＷを取り出し、ロードロック室３１及び３２のいずれかの内部まで、移動させることができる。
　共通搬送室２０内には、半導体ウエハＷを保持するため２つの搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂを有する搬送機構８０が設けられており、搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂが伸縮動作及び回転動作等を行うことにより、半導体ウエハＷを各々の処理室４１、４２、４３、４４間の移動、ロードロック室３１又は３２の内部から各々の処理室４１、４２、４３、４４への移動、各々の処理室４１、４２、４３、４４からロードロック室３１又は３２の内部に移動させることができる。
　具体的には、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂにより、半導体ウエハＷは、ロードロック室３１又は３２から各々の処理室４１、４２、４３、４４へ移動させることができ、各々の処理室４１、４２、４３、４４において、半導体ウエハＷに対する処理が行われる。処理室４１、４２、４３、４４においては、各々個別に半導体ウエハＷの処理が行われるため、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂにより、処理室４１、４２、４３、４４間において半導体ウエハＷを移動させて処理が行われる。各処理室４１、４２、４３、４４における半導体ウエハＷに対する処理が終了した後は、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂにより、処理室４１、４２、４３、４４からロードロック室３１又は３２に移動し、更に、大気搬送室１０における搬入側搬送機構１６の搬送アーム１６Ａ又は１６Ｂにより、搬送ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにおけるカセット内に、基板処理が終了した半導体ウエハＷが収納される。
　尚、半導体ウエハＷは搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂ上に載置される。言い換えれば、搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂ上に半導体ウエハＷが置かれており、静電チャックによる吸着がされていない状態では、重力により載置された状態となっている。
　また、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ又は１６Ｂの動作、搬送機構８０における搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂ、処理室４１、４２、４３、４４における半導体ウエハの処理、ゲートバルブ６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、ロードロック室３１又は３２の排気等の制御は、制御部５０において行われる。尚、静電チャックによる吸着のための、静電チャックの電極８２と８３（後述）との間への電圧印加もまた、制御部５０により制御される。制御部５０により制御される電圧印加と搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂの動作との関係（タイミング）については、後述する。
　次に、図２及び図３に基づき、本実施の形態における搬送アーム８０Ａについて説明する。図３は、図２における破線３Ａ－３Ｂにおいて切断した断面拡大図である。搬送アーム８０Ａは二股に分かれた半導体ウエハＷが載置されるＵ字状の先端部分を有している。搬送アーム８０Ａの本体部８１は、酸化アルミニウム等のセラミックス材料により形成されており、半導体ウエハＷを載置するためのＵ字状の先端部分を有している。このＵ字状の先端部分には、静電チャックを行うための金属材料により形成される電極８２及び８３を有しており、電極８２及び８３の表面には、ポリイミド等からなる絶縁体層８４及び８５が形成されている。また、搬送アーム８０Ａにおける本体部８１の半導体ウエハＷの吸着面側には、シリコン化合物を含有するシリコン系ゴムからなるＯリング８６が設けられており、半導体ウエハＷは、本体部８１と直接接触することがないよう構成されている。尚、搬送アーム８０Ｂ及び、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても同様に構成されている。
　（比較例の基板処理装置の制御方法）
　次に、図４に基づき上述した基板処理装置における比較例の制御方法について説明する。図４（ａ）は、搬送アームに半導体ウエハが存在しているか否かを示すものであり、図４（ｂ）は、静電チャックの電極間に印加される電圧を示すものであり、図４（ｃ）は、搬送アームの動作状態、即ち、搬送アームが動作しているか停止しているかの状態を示すものであり、図４（ｄ）は、静電チャックによる搬送アームと半導体ウエハの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ０において、搬送アームは、半導体ウエハを静電チャックにより吸着する。具体的には、半導体ウエハの載置されている処理室と共通搬送室との間のゲートバルブを開き、搬送アームのＵ字状の先端部分が半導体ウエハの下部に挿入された後、搬送アームに設けられた静電チャックの電極間に吸着させるための電圧Ｖ１が印加される。これにより、半導体ウエハは搬送アームに吸着される。このため、時間ｔ０においては、半導体ウエハは搬送アームに吸着しており、搬送アーム上には半導体ウエハが置かれた状態となっている。
　次に、時間ｔ０から時間ｔ１まで、搬送アームは伸縮動作及び回転動作を行う。具体的には、搬送アームが縮むことにより、搬送アームのＵ字状の先端部分に置かれている半導体ウエハは処理室から共通搬送室内に移動する。この後、回転することにより、共通搬送室内における半導体ウエハが載置されていない次の処理室の近傍まで半導体ウエハが移動する。
　次に、次の処理室内に半導体ウエハを移動するまで、半導体ウエハの移動は停止した状態、即ち、時間ｔ１から時間ｔ２まで、共通搬送室内で搬送アームの動作は停止した状態となる。この状態において、静電チャックの電極間にはＶ１の電圧が印加された状態のままであり吸着力は上昇していく。
　次に、時間ｔ２から時間ｔ３まで、搬送アームは伸縮動作を行う。具体的には、搬送アームが伸びることにより、搬送アームのＵ字状の先端部分に置かれている半導体ウエハは共通搬送室から処理室内に移動する。
　次に、次の処理室内の所定の位置に半導体ウエハを載置する。即ち、半導体ウエハを所定の位置まで移動させた後、時間ｔ３において静電チャックの電極間に印加される電圧を０Ｖにすることにより、静電チャックによる吸着力は解除され、次の処理室内の所定の位置に半導体ウエハが載置される。
　このようにして、処理室間における半導体ウエハの移動を行うことができる。しかしながら、この方法では、図４（ｄ）に示すように、電極間に長時間にわたって電圧Ｖ１が印加されると、搬送アームの静電チャックと半導体ウエハとの間の吸着力が次第に高くなる傾向にあり、電圧の印加時間が長くなればなるほど、過吸着の状態となってしまう。このような過吸着の状態では、搬送アームから半導体ウエハを離すことは容易ではない。
　特に、搬送アームと半導体ウエハとの間に挟まれるＯリングがシリコン化合物を含有するゴム等である場合には、Ｏリングを介し半導体ウエハとが密着してしまう場合があり、搬送アームから半導体ウエハを離すことは容易ではない。
　（本発明の一実施形態による基板処理装置の制御方法）
　次に、図５に基づき、図１に示す基板処理装置を用いた本発明の一実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図５（ａ）は、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが存在しているか否かを示すものであり、図５（ｂ）は、静電チャックの電極８２と８３との間に印加される電圧を示すものであり、図５（ｃ）は、搬送アーム８０Ａの動作状態、即ち、搬送アーム８０Ａが動作しているか停止しているかの状態を示すものであり、図５（ｄ）は、静電チャックによる搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷとの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ０において、半導体ウエハＷを静電チャックにより吸着する。具体的には、図６に示すように、半導体ウエハＷの載置されている処理室４１と共通搬送室２０との間のゲートバルブ６１を開き、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分が半導体ウエハＷの下部に挿入された後、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極８２と８３との間に静電チャックによって半導体ウエハＷを吸着させるための電圧Ｖ１が印加される。これにより、半導体ウエハＷは静電チャックに吸着される。このため、時間ｔ０においては、半導体ウエハＷは搬送アーム８０Ａに吸着されている。
　次に、時間ｔ０から時間ｔ１まで、搬送アーム８０Ａは伸縮動作及び回転（旋回）動作を行う（第１の移動工程及び回転工程）。具体的には、搬送アーム８０Ａが縮むことにより、搬送アーム８０のＵ字状の先端部分に置かれている半導体ウエハＷは処理室８１から共通搬送室２０内に移動する。この後、図７に示すように、回転動作を行うことにより、共通搬送室２０内における半導体ウエハＷが載置されていない次の処理室４２の近傍まで半導体ウエハＷが移動する。
　次に、次の処理室４２内に半導体ウエハＷを移動するまで、半導体ウエハＷの移動は停止した状態、即ち、時間ｔ１から時間ｔ２まで、共通搬送室２０内で搬送アーム８０Ａの動作は停止した状態となる。この状態において、電極８２と８３との電極間への吸着させるための電圧印加を停止する（解除工程）。即ち、時間ｔ１において、電極８２と８３との間に印加されている電圧がＶ１から０Ｖとされるため、時間ｔ１から時間ｔ２までの間に、静電チャックが半導体ウエハＷを吸着する吸着力は低下する。尚、この状態においても、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に重力の力により、載置されたままの状態である。
　次に、時間ｔ２から時間ｔ３まで、搬送アーム８０Ａは伸縮動作を行う。具体的には、搬送アーム８０Ａが伸びることにより、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分に置かれている半導体ウエハＷは共通搬送室２０から処理室４２内に移動する。この際、再び搬送アーム８０Ａにおける電極８２と８３との間に電圧Ｖ１が印加され、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが吸着されている（第２の移動工程）。
　次に、次の処理室４２内の所定の位置に半導体ウエハＷを載置する。即ち、図８に示すように、時間ｔ３半導体ウエハを所定の位置まで移動させた後、静電チャックの電極間に印加されている電圧を０Ｖにすることにより、静電チャックによる吸着は解除され、次の処理室４２内の所定の位置に半導体ウエハＷが載置される。
　このようにして本実施の形態における基板処理装置において処理室間における半導体ウエハＷの移動を行うことができる。本実施の形態における基板処理装置の制御方法では、搬送アーム８０Ａが動作している時間以外、即ち、時間ｔ０から時間ｔ１、時間ｔ２から時間ｔ３以外では、電極８２と８３との間に印加される電圧は０Ｖとなっている。言い換えれば、時間ｔ１から時間ｔ２では、静電チャックによる吸着が解除されており、搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷとの過吸着を防止することができる。即ち、搬送アーム８０Ａが動作している時間のみ電極８２と８３との間に電圧Ｖ１が印加され、半導体ウエハＷが短時間吸着しているため、吸着力の上昇が少ない。従って、過吸着の発生を防ぐことができる。
　また、搬送アーム８０Ａが動作していない時間、即ち、時間ｔ１から時間ｔ２においては、電極８２と８３との間に電圧Ｖ１が印加されていないため、この間は電力を消費しないため、省電力化、低コスト化することが可能となる。
　〔第２の実施の形態〕
　次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における基板処理装置において、静電チャックの残留電荷による吸着力を除去することを行う場合の基板処理装置の制御方法である。
　（比較例の基板処理装置の制御方法）
　図９に基づき基板処理装置における比較例の制御方法について説明する。この制御方法においては静電チャック除去が行われる。図９（ａ）は、搬送アームに半導体ウエハが存在しているか否かを示すものであり、図９（ｂ）は、静電チャックに吸着させるために静電チャックの電極間に印加される電圧の印加状態を示すものであり、図９（ｃ）は、静電チャックによる残留付着を除去するために静電チャックの電極間に印加される電圧の印加状態を示すものであり、図９（ｄ）は、搬送アームの状態、即ち、搬送アームが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図９（ｅ）は、搬送アームが回転動作をしているか否かを示すものであり、図９（ｆ）は、最初に半導体ウエハが載置されている処理室（以下、「処理室Ａ」と記す）において半導体ウエハを上下させるためのピンの上下位置を示すものであり、図９（ｇ）は、次に半導体ウエハが載置される処理室（以下、「処理室Ｂ」と記す）において半導体ウエハを上下させるためのピンの上下位置を示すものであり、図９（ｈ）は、静電チャックによる搬送アームと半導体ウエハの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ１０から時間ｔ１１において、搬送アームは、最初に半導体ウエハが載置されている処理室Ａに向けて伸び動作を行う。この際、搬送アームには、半導体ウエハは載置されておらず、搬送アームの静電チャックの電極間には電圧は印加されていない。尚、処理室Ａでは、既に処理室Ａにおいて半導体ウエハを持ち上げるためのピンが上昇しており、半導体ウエハは持ち上げられた状態となっている。よって、時間ｔ１１においては、搬送アームは伸びた状態となっており、処理室Ａ内において半導体ウエハの下側に、搬送アームのＵ字状の先端部が入り込んだ状態となっている。
　次に、時間ｔ１１から時間ｔ１２において、処理室Ａ内におけるピンが降下することにより半導体ウエハは、搬送アームのＵ字状の先端部に載置される。
　次に、時間ｔ１２から時間ｔ１３において、搬送アームに設けられた静電チャックの電極間に静電チャックにより吸着させるための電圧Ｖ１が印加されることにより、半導体ウエハは搬送アームの静電チャックに吸着され、更に、搬送アームが縮む動作を行うことにより、処理室Ａから共通搬送室に半導体ウエハを移動させる。
　次に、時間ｔ１３から時間ｔ１４において、搬送アームは回転動作を行い、処理室Ｂの近傍まで、半導体ウエハを移動させる。
　次に、時間ｔ１４から時間ｔ１５において、搬送アームは処理室Ｂ内に向かって伸び動作を行うことにより、半導体ウエハを処理室Ｂ内まで移動させる。
　次に、時間ｔ１５において搬送アームの静電チャックの電極間へ印加されていた電圧Ｖ１をオフにすると共に、時間ｔ１５から時間ｔ１６において、時間ｔ１２から時間ｔ１５において電極間に印加されていた電圧とは逆向きの電圧Ｖ２を電極間へ印加することにより、搬送アームにおける半導体ウエハと静電チャックとに残留している電荷を除去し、吸着力を確実に解除する。
　次に、時間ｔ１６から時間ｔ１７において、処理室Ｂ内における半導体ウエハを持ち上げるためのピンが上昇し、搬送アームに載置されていた半導体ウエハを持ち上げる。　
　次に、時間ｔ１７から時間ｔ１８において、搬送アームは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部を処理室Ｂより共通搬送室に移動させる。　
　次に、時間ｔ１８から時間ｔ１９において、処理室Ｂ内におけるピンが降下し、半導体ウエハは処理室Ｂの所定の位置に載置される。　
　以上により、処理室Ａから処理室Ｂに半導体ウエハを移動することができる。
　（本発明の一実施の形態による基板処理装置の制御方法）
　次に、図１０に基づき、図１に示す基板処理装置を用いた本発明の一実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図１０（ａ）は、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが存在しているか否かを示すものであり、図１０（ｂ）は、静電チャックの電極８２と８３との間に印加する静電チャックにより吸着させるための電圧の印加状態を示すものであり、図１０（ｃ）は、静電チャックによる残留付着を除去するために電極８２と８３との間に印加される電圧の状態を示すものであり、図１０（ｄ）は、搬送アーム８０Ａの状態、即ち、搬送アーム８０Ａが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図１０（ｅ）は、搬送アーム８０Ａが回転動作をしているか否かを示すものであり、図１０（ｆ）は、処理室４１において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１０（ｇ）は、処理室４２において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１０（ｈ）は、静電チャックによる搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷの吸着力を示すものである。本実施の形態における基板処理装置の制御方法は、搬送アーム８０Ａが回転動作を行う際にのみ静電チャックによる吸着を行うものである。即ち、搬送アーム８０Ａの動作においては、搬送アーム８０Ａの回転動作においては、半導体ウエハＷに遠心力が働くため、伸縮動作よりも回転動作の場合の方が半導体ウエハＷには強い力がかかる。よって、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷを載置した状態において、静電チャックにより吸着することなく伸縮動作が可能な場合であっても、回転動作においては、静電チャックにより吸着させることが必要である。
　最初に、時間ｔ２０から時間ｔ２１において、搬送アーム８０Ａは、処理室４１に向けて伸びる動作を行う。この際、搬送アーム８０Ａには、半導体ウエハＷは載置されておらず、搬送アーム８０Ａの静電チャックの電極８２と８３との間に印加されている電圧は０Ｖである。尚、処理室４１では、半導体ウエハＷを持ち上げるための不図示のピンが上昇することにより、半導体ウエハＷはピン上に持ち上げられている。そして、時間ｔ２１においては、搬送アーム８０Ａは伸びた状態となっており、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部が処理室４１内において半導体ウエハＷの下側に進入した状態となっている。具体的には、図６に示す状態となる。
　次に、時間ｔ２１から時間ｔ２２において、処理室４１における不図示のピンが降下することにより半導体ウエハＷは、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部に載置される。　
　次に、時間ｔ２２から時間ｔ２３において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、処理室４１より半導体ウエハＷを共通搬送室２０に移動させる（第１の移動工程）。
　次に、時間ｔ２３から時間ｔ２４において、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極８２と８３との間に静電チャックによる吸着をさせるための電圧Ｖ１を印加することにより、半導体ウエハＷは静電チャックに吸着される。更に、前記静電チャックの各電極への電圧Ｖ１の印加後に、搬送アーム８０Ａは回転動作を行い、処理室４２の近傍まで、半導体ウエハＷを移動させる（回転工程）。具体的には、図７に示すように回転動作を行う。
　次に、時間ｔ２４において搬送アーム８０Ａの静電チャックの電極８２と８３との間に印加されていた静電チャックによる吸着をさせるための電圧Ｖ１をオフにし（解除工程）、電極間に０Ｖの電圧を印加する。また、時間ｔ２４から時間ｔ２５において、電極８２と８３との間に時間ｔ２３から時間ｔ２４の間において印加されていた電圧Ｖ１とは極性が逆の電圧Ｖ２を印加することにより、搬送アーム８０Ａの静電チャックによる半導体ウエハＷの吸着を確実に解除し、同時に、搬送アーム８０Ａは処理室４２内に向かって伸びる動作を行うことにより、半導体ウエハＷを処理室４２内まで移動させる（第２の移動工程）。具体的には、図８に示す状態となる。尚、この状態においても、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に重力の力により、載置されたままの状態である。
　次に、時間ｔ２５から時間ｔ２６において、処理室４２内における不図示のピンが上昇し、搬送アーム８０Ａに載置されていた半導体ウエハＷを持ち上げる。　
　次に、時間ｔ２６から時間ｔ２７において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部が処理室４２より共通搬送室２０に移動させる。　
　次に、時間ｔ２７から時間ｔ２８において、処理室４２内における不図示のピンが降下し、半導体ウエハＷは処理室４２の所定の位置に載置される。　
　以上の工程により、処理室４１から処理室４２に半導体ウエハＷを移動することができる。
　本実施の形態では、搬送アーム８０Ａの伸縮動作と静電チャックを確実に解除するための逆電圧の印加とを同時に行っているため、処理室間を短時間で半導体ウエハＷを移動させることができ、スループットを向上させることができる。即ち、比較例の制御方法（図９）に示す場合では、時間ｔ１４から時間ｔ１６まで要していた時間が、本実施の形態では、時間ｔ２４から時間ｔ２５まで短縮することができ、スループットを向上させることができる。また、静電チャックにより吸着されている時間についても、比較例の制御方法（図９）に示す場合では、時間ｔ１２から時間ｔ１５までであるのに対し、本実施の形態では、時間ｔ２３から時間ｔ２４までと短縮することができ、半導体ウエハＷの過吸着を防止することができるとともに、省電力化することが可能となる。尚、図９に示す時間ｔ１０から時間ｔ１４と、図１０に示す時間ｔ２０から時間ｔ２４とは同じ時間であり、図９に示す時間ｔ１６から時間ｔ１９と、図１０に示す時間ｔ２５から時間ｔ２８とは同じ時間である。
　〔第３の実施の形態〕
　次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における基板処理装置において、第２の実施形態と異なり、半導体ウエハの搬送に待ち時間を要し、静電チャックの吸着力除去のための逆電圧印加を行わない場合における基板処理装置の制御方法である。
　（比較例の基板処理装置の制御方法）
　図１１に基づき基板処理装置における比較例の制御方法について説明する。この制御方法においては静電チャック除去が行われる。図１１（ａ）は、搬送アームに半導体ウエハが存在しているか否かを示すものであり、図１１（ｂ）は、静電チャックの電極間に印加される電圧を示すものであり、図１１（ｃ）は、搬送アームの状態、即ち、搬送アームが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図１１（ｄ）は、搬送アームが回転動作をしているか否かを示すものであり、図１１（ｅ）は、最初に半導体ウエハが載置されている処理室（以下、「処理室Ａ」と記す）において半導体ウエハを上下させるためのピンの上下位置を示すものであり、図１１（ｆ）は、次に半導体ウエハが載置される処理室（以下、「処理室Ｂ」と記す）において半導体ウエハを上下させるためのピンの上下位置を示すものであり、図１１（ｇ）は、静電チャックによる搬送アームと半導体ウエハの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ３０から時間ｔ３１において、搬送アームは、最初に半導体ウエハが載置されている処理室Ａに向けて伸び動作を行う。この際、搬送アームには、半導体ウエハは載置されておらず、搬送アームの静電チャックの電極間へ印加される電圧は０Ｖとなっている。尚、処理室Ａでは、既に処理室Ａにおいて半導体ウエハを持ち上げるためのピンが上昇しており、半導体ウエハは持ち上げられた状態となっている。時間ｔ３１においては、搬送アームは伸びた状態となっており、処理室Ａ内において前記ピンによって持ち上げられている半導体ウエハの下側に、搬送アームのＵ字状の先端部が入り込んだ状態となっている。
　次に、時間ｔ３１から時間ｔ３２において、処理室Ａ内におけるピンが降下することにより半導体ウエハは、搬送アームのＵ字状の先端部に載置される。　
　次に、時間ｔ３２から時間ｔ３３において、搬送アームに設けられた静電チャックの電極間に静電チャックによって吸着させるための電圧Ｖ１が印加されることにより、半導体ウエハは静電チャックに吸着され、更に、搬送アームは、縮む動作を行うことにより、処理室Ａより半導体ウエハを共通搬送室に移動させる。　
　次に、時間ｔ３３から時間ｔ３４において、搬送アームは回転動作を行い、処理室Ｂの近傍まで、半導体ウエハを移動させる。
　次に、時間ｔ３４から時間ｔ３５において、処理室Ｂ等における準備が完了するまで、共通搬送室内で半導体ウエハの移動は停止した状態、即ち、搬送アームの動作は停止した状態となる。この際、電極間にはＶ１の電圧が印加された状態のままであり、吸着力は次第に上昇していく。　
　次に、時間ｔ３５から時間ｔ３６において、搬送アームは処理室Ｂ内に向かって伸びる動作を行うことにより、半導体ウエハを処理室Ｂ内まで移動させる。
　次に、時間ｔ３６において搬送アームの静電チャックの電極間に印加される電圧をＶ１から０Ｖへと変える。この時間ｔ３６において静電チャックの電極間に印加される電圧を０Ｖへと変えるまでの間、電圧Ｖ１が長時間にわたって印加されているため、この間に静電チャックの吸着力は徐々に増加している。このため、時間ｔ３６において電極間への印加電圧を０Ｖに変えても、吸着力はすぐに０にはならず徐々に低下していく。このため吸着力が所定の値以下になる時間ｔ３７まで、この状態を維持する。
　次に、時間ｔ３７から時間ｔ３８において、処理室Ｂ内における半導体ウエハを持ち上げるためのピンが上昇し、搬送アームに載置されていた半導体ウエハを持ち上げる。
　次に、時間ｔ３８から時間ｔ３９において、搬送アームは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部が処理室Ｂより共通搬送室に移動させる。　
　次に、時間ｔ３９から時間ｔ４０において、処理室Ｂ内におけるピンが降下し、半導体ウエハは処理室Ｂの所定の位置に載置される。　
　以上により、処理室Ａから処理室Ｂに半導体ウエハを移動することができる。
　（本発明の一実施の形態による基板処理装置の制御方法）
　次に、図１２に基づき、図１に示す基板処理装置を用いた本発明の一実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図１２（ａ）は、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが存在しているか否かを示すものであり、図１２（ｂ）は、静電チャックの電極８２と８３との間に印加される電圧を示すものであり、図１２（ｃ）は、搬送アーム８０Ａの状態、即ち、搬送アーム８０Ａが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図１２（ｄ）は、搬送アーム８０Ａが回転動作をしているか否かを示すものであり、図１２（ｅ）は、処理室４１において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１２（ｆ）は、処理室４２において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１２（ｇ）は、静電チャックによる搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ５０から時間ｔ５１において、搬送アーム８０Ａは、最初に半導体ウエハＷが載置されている処理室４１に向けて伸び動作を行う。この際、搬送アーム８０Ａには、半導体ウエハＷは載置されておらず、搬送アーム８０Ａの静電チャックの電極８２と８３との間に印加される電圧は０Ｖである。尚、処理室４１では、既に処理室４１において半導体ウエハを持ち上げるための不図示のピンが上昇しており、半導体ウエハＷは持ち上げられた状態となっている。従って、時間ｔ５１においては、搬送アーム８０Ａは伸びた状態となっており、処理室４１内において前記ピンによって持ち上げられている半導体ウエハＷの下側に、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部が入り込んだ状態となっている。
　次に、時間ｔ５１から時間ｔ５２において、処理室４１における不図示のピンが降下することにより半導体ウエハＷは、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部に載置される。　
　次に、時間ｔ５２から時間ｔ５３において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、処理室４１より半導体ウエハＷを共通搬送室２０に移動させる（第１の移動工程）。　
　次に、時間ｔ５３から時間ｔ５４において、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極８２と８３との間に静電チャックにより吸着させるための電圧Ｖ１が印加されることにより、半導体ウエハＷは静電チャックに吸着され、更に、搬送アーム８０Ａは回転動作を行い、処理室４２の近傍まで、半導体ウエハＷを移動させる。具体的には、図７に示すように回転動作を行う（回転工程）。
　次に、時間ｔ５４から時間ｔ５５において、処理室４２に半導体ウエハＷを搬入するための準備が完了するまで、共通搬送室２０内で半導体ウエハＷの移動は停止した状態、即ち、搬送アーム８０Ａの動作は停止した状態となる。尚、時間ｔ５４において、電極８２と８３との間への吸着させるための電圧印加を停止する（解除工程）、即ち電極間に印加する電圧は０Ｖにされ、静電チャックによる吸着は解除されている。尚、この状態においても、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に重力の力により、載置されたままの状態である。
　次に、時間ｔ５５から時間ｔ５６において、搬送アーム８０Ａは処理室４２内に向かって伸びる動作を行うことにより、半導体ウエハＷを処理室４２内まで移動させる（第２の移動工程）。具体的には、図８に示す状態となる。　
　次に、時間ｔ５６から時間ｔ５７において、処理室４２内における不図示のピンが上昇し、搬送アーム８０Ａに載置されていた半導体ウエハＷを持ち上げる。　
　次に、時間ｔ５７から時間ｔ５８において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部が処理室４２より共通搬送室２０に移動させる。　
　次に、時間ｔ５８から時間ｔ５９において、処理室４２内における不図示のピンが降下し、半導体ウエハＷは処理室４２の所定の位置に載置される。　
　以上により、本実施の形態における制御方法により、処理室４１から処理室４２に半導体ウエハＷを移動することができる。
　本実施の形態では、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極間に、吸着させるための電圧Ｖ１を印加することは、搬送アーム８０Ａの回転動作を行う時間、即ち、時間ｔ５３から時間ｔ５４までの間においてのみ行われる。よって、過吸着が生じることがなく、吸着力が低下するまでの時間、即ち、図１１に示す時間ｔ３６から時間ｔ３７までの間の時間を設ける必要がない。従って、基板処理装置におけるスループットを向上させることができ、更には、省電力化が可能となる。尚、図１１に示す時間ｔ３０から時間ｔ３６と、図１２に示す時間ｔ５０から時間ｔ５６は同じ時間であり、図１１に示す時間ｔ３７から時間ｔ４０と、図１２に示す時間ｔ５６から時間ｔ５９とは同じ時間である。
　〔第４の実施の形態〕
　次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における基板処理装置において、第３の実施形態と異なり、搬送アーム８０Ａの伸縮動作においても静電チャックを行う場合における基板処理装置の制御方法である。
　図１３に基づき、図１に示す基板処理装置を用いた本実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図１３（ａ）は、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが存在しているか否かを示すものであり、図１３（ｂ）は、静電チャックの電極８２と８３との間に印加される電圧を示すものであり、図１３（ｃ）は、搬送アーム８０Ａの状態、即ち、搬送アーム８０Ａが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図１３（ｄ）は、搬送アーム８０Ａが回転動作をしているか否かを示すものであり、図１３（ｅ）は、処理室４１において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１３（ｆ）は、処理室４２において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１３（ｇ）は、静電チャックによる搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ６０から時間ｔ６１において、搬送アーム８０Ａは、最初に半導体ウエハＷが載置されている処理室４１に向けて伸び動作を行う。この際、搬送アーム８０Ａには、半導体ウエハＷは載置されておらず、搬送アーム８０Ａの静電チャックの電極８２と８３との間には電圧は印加されていない。尚、処理室４１では、既に処理室４１において半導体ウエハを持ち上げるための不図示のピンが上昇しており、半導体ウエハＷは該ピンによって持ち上げられた状態となっている。従って、時間ｔ６１においては、搬送アーム８０Ａは伸びた状態となっており、処理室４１内において半導体ウエハＷの下側に、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部が入り込んだ状態となっている。
　次に、時間ｔ６１から時間ｔ６２において、処理室４１における不図示のピンが降下することにより半導体ウエハＷは、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部に載置される。　
　次に、時間ｔ６２において、搬送アーム８０Ａに設けられた電極８２と８３との間に静電チャックによって吸着させるための電圧Ｖ１が印加されることにより、半導体ウエハＷは搬送アーム８０Ａの静電チャックに吸着され、更に、時間ｔ６２から時間ｔ６３において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、処理室４１より半導体ウエハＷを共通搬送室２０に移動させる（第１の移動工程）。
　次に、時間ｔ６３から時間ｔ６４において、搬送アーム８０Ａは回転動作を行い、処理室４２の近傍まで、半導体ウエハＷを移動させる（回転工程）。具体的には、図７に示すように回転動作を行う。
　次に、時間ｔ６４から時間ｔ６５において、処理室４２に半導体ウエハＷを搬入するための準備が完了するまで、共通搬送室２０内で半導体ウエハＷの移動は停止した状態、即ち、搬送アーム８０Ａの動作は停止した状態となる。尚、時間ｔ６４において、電極８２と８３との間への吸着させるための電圧印加を停止する（解除工程）。即ち電極間に印加される電圧は０Ｖにされるため、時間ｔ６４から時間ｔ６５の間は静電チャックの吸着が解除される。尚、この状態においても、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に重力の力により、載置されたままの状態である。
　次に、時間ｔ６５において、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極８２と８３との間に電圧Ｖ１が印加され、半導体ウエハＷは搬送アーム８０Ａに静電チャックに吸着され、更に、時間ｔ６５から時間ｔ６６において、搬送アーム８０Ａは処理室４２内に向かって伸びる動作を行うことにより、半導体ウエハＷを処理室４２内まで移動させる（第２の移動工程）。具体的には、図８に示す状態となる。尚、時間ｔ６６において、電極８２と８３との電極間に印加される電圧は０Ｖにされることで、静電チャックの吸着は解除されている。
　次に、時間ｔ６６から時間ｔ６７において、処理室４２内における不図示のピンが上昇し、搬送アーム８０Ａに載置されていた半導体ウエハＷを持ち上げる。　
　次に、時間ｔ６７から時間ｔ６８において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部を処理室４２より共通搬送室２０に移動させる。　
　次に、時間ｔ６８から時間ｔ６９において、処理室４２内における不図示のピンが降下し、半導体ウエハＷは処理室４２の所定の位置に載置される。　
　以上の本実施の形態における制御方法により、処理室４１から処理室４２に半導体ウエハＷを移動することができる。
　本実施の形態では、搬送アーム８０Ａにおける半導体ウエハＷの静電チャックの電極間へ静電チャックに吸着させるための電圧Ｖ１を印加することは、半導体ウエハＷが搬送アーム８０Ａに置かれた状態であって、搬送アーム８０Ａが伸縮動作、回転動作を行う時間、即ち、時間ｔ６２から時間ｔ６４までの間、時間ｔ６５から時間ｔ６６までの間においてのみ行われる。このように吸着させるための電圧を印加する時間が短いため過吸着が生じることがなく、スループットを向上させることができ、更には、省電力化が可能となる。尚、図１１に示す時間ｔ３０から時間ｔ３６と、図１３に示す時間ｔ６０から時間ｔ６６は同じ時間であり、図１１に示す時間ｔ３７から時間ｔ４０と、図１３に示す時間ｔ６６から時間ｔ６９とは同じ時間である。
　本実施の形態では、処理室４１から処理室４２において半導体ウエハＷを搬送する場合について説明したが、処理室４１、４２、４３、４４の相互間における半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様であり、また、ロードロック室３１及び３２と処理室４１、４２、４３、４４との間において半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様である。更に、搬送アーム８０Ｂ、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に動作させることが可能である。
　〔第５の実施の形態〕
　次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における基板処理装置において、第３の実施形態と異なり、搬送アーム８０Ａ上にウエハを保持して待機しているときと、その後伸縮動作をするときにおいては、静電チャックの電極間へ電圧を印加せず、開放状態とし、搬送アーム８０Ａ上のウエハを搬送アーム８０Ａから離す前に、静電チャックの電極間へ０Ｖの電圧を印加する、基板処理装置の制御方法である。
　図１４（ａ）は、搬送アーム８０Ａに半導体ウエハＷが存在しているか否かを示すものであり、図１４（ｂ）は、静電チャックの電極８２と８３との電極間に印加される電圧を示すものであり、図１４（ｃ）は、搬送アーム８０Ａの状態、即ち、搬送アーム８０Ａが伸びているか縮んでいるかの状態を示すものであり、図１４（ｄ）は、搬送アーム８０Ａが回転動作をしているか否かを示すものであり、図１４（ｅ）は、処理室４１において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１４（ｆ）は、処理室４２において半導体ウエハＷを上下させるための不図示のピンの上下位置を示すものであり、図１４（ｇ）は、静電チャックによる搬送アーム８０Ａと半導体ウエハＷの吸着力を示すものである。
　最初に、時間ｔ５０から時間ｔ５１において、搬送アーム８０Ａは、最初に半導体ウエハＷが載置されている処理室４１に向けて伸び動作を行う。この際、搬送アーム８０Ａには、半導体ウエハＷは載置されておらず、搬送アーム８０Ａの静電チャックの電極８２と８３との電極間に印加される電圧は０Ｖである。尚、処理室４１では、既に処理室４１において半導体ウエハを持ち上げるための不図示のピンが上昇しており、半導体ウエハＷは持ち上げられた状態となっている。従って、時間ｔ５１においては、搬送アーム８０Ａは伸びた状態となっており、処理室４１内において前記ピンによって持ち上げられた半導体ウエハＷの下側に、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部が入り込んだ状態となっている。
　次に、時間ｔ５１から時間ｔ５２において、処理室４１における不図示のピンが降下することにより半導体ウエハＷは、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部に載置される。
　次に、時間ｔ５２から時間ｔ５３において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、処理室４１より半導体ウエハＷを共通搬送室２０に移動させる（第１の移動工程）。
　次に、時間ｔ５３から時間ｔ５４において、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極８２と８３との電極間に静電チャックにより吸着させるための電圧Ｖ１が印加されることにより、半導体ウエハＷは静電チャックに吸着される。更に、搬送アーム８０Ａは回転動作を行い、処理室４２の近傍まで、半導体ウエハＷを移動させる。具体的には、図７に示すように回転動作を行う（回転工程）。
　次に、時間ｔ５４から時間ｔ５５において、処理室４２に半導体ウエハＷを搬入するための準備が完了するまで、共通搬送室２０内で半導体ウエハＷの移動は停止した状態、即ち、搬送アーム８０Ａの動作は停止した状態となる。尚、時間ｔ５４において、電極８２と８３との電極間への吸着させるための電圧印加を停止し、開放としている（解除工程）。これにより、各電極と半導体ウエハＷとに蓄積されていた電荷（残留電荷）はほぼそのまま維持されるか、漏れによって減少する。つまり静電チャックによる吸着力は、電極間を開放する直前の状態を維持するか、または電極間に電圧０Ｖを印加した場合と比べ緩やかに減少する。尚、この状態においても、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に残留電荷による吸着力により吸着された状態のままか、または徐々に吸着力が低下し、しばらく時間が経過した後には重力の力によって載置された状態となる。
　次に、時間ｔ５５から時間ｔ５６において、搬送アーム８０Ａは処理室４２内に向かって伸びる動作を行うことにより、半導体ウエハＷを処理室４２内まで移動させる（第２の移動工程）。具体的には、図８に示す状態となる。尚時間ｔ５５において、電極８２と８３との電極間に印加する電圧は０Ｖにされる。これにより静電チャックの各電極と半導体ウエハＷとに蓄積されていた残留電荷は取り去られ、静電チャックの吸着力はなくなる。これにより、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ上に重力の力により、載置されたままの状態である。
　次に、時間ｔ５６から時間ｔ５７において、処理室４２内における不図示のピンが上昇し、搬送アーム８０Ａに載置されていた半導体ウエハＷは該ピン上に持ち上げられる。
　次に、時間ｔ５７から時間ｔ５８において、搬送アーム８０Ａは、縮む動作を行うことにより、Ｕ字状の先端部が処理室４２より共通搬送室２０に移動させる。
　次に、時間ｔ５８から時間ｔ５９において、処理室４２内における不図示のピンが降下し、半導体ウエハＷは処理室４２の所定の位置に載置される。　
　以上により、本実施の形態における制御方法により、処理室４１から処理室４２に半導体ウエハＷを移動することができる。
　本実施の形態では、搬送アーム８０Ａに設けられた静電チャックの電極間に、吸着させるための電圧Ｖ１の印加することは、搬送アーム８０Ａの回転動作を行う時間、即ち、時間ｔ５３から時間ｔ５４までの間においてのみ行われる。よって、過吸着が生じることがなく、吸着力が低下するまでの時間、即ち、図１１に示す時間ｔ３６から時間ｔ３７までの間の時間を設ける必要がない。従って、基板処理装置におけるスループットを向上させることができ、更には、省電力化が可能となる。尚、図１１に示す時間ｔ３０から時間ｔ３６と、図１２に示す時間ｔ５０から時間ｔ５６は同じ時間であり、図１１に示す時間ｔ３７から時間ｔ４０と、図１２に示す時間ｔ５６から時間ｔ５９とは同じ時間である。
　本実施の形態では、処理室４１から処理室４２において半導体ウエハＷを搬送する場合について説明したが、処理室４１、４２、４３、４４の相互間における半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様であり、また、ロードロック室３１及び３２と処理室４１、４２、４３、４４との間において半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様である。更に、搬送アーム８０Ｂ、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に動作させることが可能である。
　以上、本発明の実施の形態を参照しながら、本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更または変形が可能である。
　たとえば、上述の実施の形態では、処理室４１から処理室４２において半導体ウエハＷを搬送する場合について説明したが、処理室４１、４２、４３、４４の相互間における半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様であり、また、ロードロック室３１及び３２と処理室４１、４２、４３、４４との間において半導体ウエハＷの搬送を行う場合においても同様である。更に、搬送アーム８０Ｂ、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に動作させることが可能である。
　また、本発明の本実施の形態における基板処理装置では、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂに半導体ウエハＷが載置されている状態で、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂがスライド動作している際に、静電チャックの電極８２と８３との間に吸着させるための電圧を印加し（図１２および１３参照）、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂが伸縮動作している際には、静電チャックの電極８２と８３との電極間に印加する電圧を０Ｖとすることも可能である。なお、スライド動作とは搬送アーム８０全体が水平方向に移動する動作である。
　また、静電チャックによる半導体ウエハＷの吸着を解除するために、静電チャックに半導体ウエハＷを吸着させる際に印加される電圧の極性と逆の極性を有する電圧を静電チャックの電極間に印加する場合には、この逆の極性を有する電圧は、半導体ウエハと静電チャックとに残留している電荷を除去するのに十分な時間印加すればよい。静電チャックの電極間に０Ｖを印加する場合も同様に、印加時間は適宜設定して良い。
　また、例えば、第１，２，３の実施の形態において、搬送アーム８０Ａの上に半導体ウエハＷが載置されている場合、静電チャックの電極８２と８３との間に０Ｖを印加する工程において、第５の実施の形態に説明したように、電極８２と８３とを開放し、その後、搬送アーム８０Ａに載置されていた半導体ウエハＷを、たとえば搬送アーム８０Ａから処理室のピン上へ渡すに先だって、電極８２と８３との間に０Ｖを印加してもよい。
　さらに、例えば、搬送アーム８０Ａが有する静電チャックは、該静電チャックの電極８２及び８３の表面に絶縁体層８４及び８５が形成されたクーロン力型を用いた静電チャックを説明してきたが、絶縁体層８４及び８５に代えてわずかに導電性を有する誘電層が形成されたジョンソン・ラベック力型の静電チャックとしてもよい。
　なお、ジョンソン・ラベック力型の静電チャックのように、電極間を開放するだけで残留電荷が放出される静電チャックを用いる場合には、電極間に０Ｖを印加したり、逆の極性を有する電圧を印加したりする必要はなく、解除工程において電極間を開放すればよい。
　また、上述の実施の形態においては複数の枚葉式の処理室を備えるクラスターツール型の基板処理装置を例示したが、本発明はそのような基板処理装置に限定されず、基板を吸着する静電チャックを有し、基板を搬送する搬送アームと、基板を載置している搬送アームの動作状態（静止も含む）に応じて静電チャックの電極間への電圧印加を上述のように制御する制御部とを有する基板処理装置に適用可能である。
　本出願は、２００９年１１月９日に日本国特許庁へ出願された特許出願第２００９－２５６３０１号に号に基づく優先権を主張するものであり、それらの内容のすべてをここに援用する。

Claims (20)

  1. 　前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームと、
    　前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームの動作が停止しているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないで、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが動作しているときは、前記電圧を前記電極間に印加する制御部と
    　を備える基板処理装置。
  2. 　基板の処理を行う複数の処理室と、
    　前記複数の処理室が接続された搬送室と、
    　前記搬送室に接続されたロードロック室と、
    　を更に備え、
    　前記搬送アームは、前記搬送室内に設けられ、前記複数の処理室間または前記処理室と前記ロードロック室との間において前記基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記ロードロック室に接続された大気搬送室と、
    　前記大気搬送室に接続され、複数の基板を収納するカセットを設置するための導入ポートと
    　を更に備え、
    　前記搬送アームは、前記大気搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記導入ポートとの間で前記基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行うために伸縮動作及び回転動作が可能な搬送アームと、
    　前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが前記伸縮動作をしているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないで、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが前記回転動作をしているときは、前記電圧を前記電極間に印加する制御部と
    　を備える基板処理装置。
  5. 　基板の処理を行う複数の処理室と、
    　前記複数の処理室が接続された搬送室と、
    　前記搬送室に接続されたロードロック室と、
    　を更に備え、
    　前記搬送アームは、前記搬送室内に設けられ、前記複数の処理室間または前記処理室と前記ロードロック室との間において前記基板の搬送を行う、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記ロードロック室に接続された大気搬送室と、
    　前記大気搬送室に接続された複数の基板を収納するカセットを設置するための導入ポートと
    　を更に備え、
    　前記搬送アームは、前記大気搬送室に設けられ、前記ロードロック室と前記導入ポートとの間で前記基板の搬送を行う、請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 　前記搬送アームは、前記伸縮動作及び前記回転動作に加えてスライド動作が可能であり、
    　前記制御部は、前記搬送アームに前記基板が載置されている場合であって、前記搬送アームが前記スライド動作をしているときは、前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加する、請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 　前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないことは、前記電極間にゼロＶの電圧を印加することである、請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 　前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないことは、前記電極間にゼロＶの電圧を印加することである、請求項４に記載の基板処理装置。
  10. 　前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないことは、前記電極間を開放することである、請求項１に記載の基板処理装置。
  11. 　前記静電チャックに前記基板を吸着させるための電圧を前記静電チャックの電極間に印加しないことは、前記電極間を開放することである、請求項４に記載の基板処理装置。
  12. 　前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームを備える基板処理装置の制御方法であって、
    　前記搬送アームに前記基板を載置する工程と、
    　前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームにより前記基板を移動させる第１の移動工程と、
    　前記第１の移動工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックによる吸着を解除する解除工程と、
    　前記解除工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームにより前記基板を移動させる第２の移動工程と
    　を含む、基板処理装置の制御方法。
  13. 　前記基板を載置可能であり、載置された前記基板を吸着する静電チャックを有し、前記基板の搬送を行う搬送アームを備える基板処理装置の制御方法であって、
    　前記搬送アームに前記基板を載置する工程と、
    　前記静電チャックに前記基板を吸着させることなく、前記搬送アームが伸縮することにより前記基板を移動させる第１の移動工程と、
    　前記第１の移動工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、当該搬送アームが伸縮することなく回転し前記基板を移動させる回転工程と、
    　前記回転工程の後に、前記搬送アームの前記静電チャックによる吸着を解除する解除工程と、
    　前記解除工程の後に、前記静電チャックに前記基板を吸着させることなく、前記搬送アームが伸縮することにより前記基板を移動させる第２の移動工程と
    　を含む、基板処理装置の制御方法。
  14. 　前記搬送アームの前記静電チャックの電極間に電圧を印加することにより前記基板を前記搬送アームに吸着し、前記搬送アームがスライド動作し前記基板を移動させるスライド工程と、
    　を更に含む、請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
  15. 　前記解除工程では、前記静電チャックの前記電極間にゼロＶが印加される、請求項１２に記載の基板処理装置の制御方法。
  16. 　前記解除工程では、前記静電チャックの前記電極間が開放される、請求項１２に記載の基板処理装置の制御方法。
  17. 　前記解除工程では、前記静電チャックに前記基板を吸着させる際に印加される電圧の極性と逆の極性を有する電圧が前記静電チャックの前記電極間に印加される、請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
  18. 　前記解除工程では、前記静電チャックの前記電極間にゼロＶが印加される、請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
  19. 　前記解除工程では、前記静電チャックの前記電極間が開放される、請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
  20. 　前記解除工程は、
    　前記静電チャックに前記基板を吸着させる際に印加される電圧の極性と逆の極性を有する電圧を前記静電チャックの前記電極間に印加する工程と、
    　前記静電チャックの前記電極間にゼロＶを印加する工程と
    　を含む、請求項１３に記載の基板処理装置の制御方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014138022A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 搬送装置及び搬送用部材
TWI496241B (zh) * 2011-07-14 2015-08-11 住友重機械工業股份有限公司 Impurity introduction layer forming device and electrostatic chuck protection method
WO2020084938A1 (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20220336248A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Transfer apparatus and substrate-supporting member

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077191A1 (ja) 2011-11-25 2013-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置群コントローラ、生産処理システム、処理装置群制御方法、生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法
US10427303B2 (en) 2013-03-15 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
CN105579612B (zh) 2013-09-20 2019-06-14 应用材料公司 具有一体式静电夹盘的基板载体
US20150090295A1 (en) * 2013-09-28 2015-04-02 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for a mask inverter
US10153191B2 (en) 2014-05-09 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system and method for using the same
CN104538344B (zh) * 2014-12-22 2017-09-12 华中科技大学 一种用于超薄、柔性电子器件转移的装置、方法和应用
JP6905382B2 (ja) * 2017-04-14 2021-07-21 株式会社ディスコ ウェーハの搬入出方法
KR102524810B1 (ko) * 2017-12-26 2023-04-24 삼성전자주식회사 반도체 공정의 제어 방법
US11196360B2 (en) * 2019-07-26 2021-12-07 Applied Materials, Inc. System and method for electrostatically chucking a substrate to a carrier
JP7566526B2 (ja) * 2020-07-29 2024-10-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04372151A (ja) * 1991-06-20 1992-12-25 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP2002280438A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Ulvac Japan Ltd 真空処理方法
JP2003282671A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Tsukuba Seiko Co Ltd 静電保持装置及びそれを用いた搬送装置
JP2004165198A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Canon Inc 半導体製造装置
JP2006120799A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板載置台交換方法、及びプログラム
WO2006123680A1 (ja) * 2005-05-20 2006-11-23 Tsukuba Seiko Ltd. 静電保持装置及びそれを用いた静電ピンセット

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5382803A (en) * 1991-05-28 1995-01-17 Tokyo Electron Limited Ion injection device
JPH08279544A (ja) * 1995-04-10 1996-10-22 Toshiba Corp 搬送装置
JP2003142393A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 電子ビーム露光装置
KR100511854B1 (ko) * 2002-06-18 2005-09-02 아네르바 가부시키가이샤 정전 흡착 장치
JP2006005136A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Canon Inc 搬送装置
US7611322B2 (en) * 2004-11-18 2009-11-03 Intevac, Inc. Processing thin wafers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04372151A (ja) * 1991-06-20 1992-12-25 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP2002280438A (ja) * 2001-03-19 2002-09-27 Ulvac Japan Ltd 真空処理方法
JP2003282671A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Tsukuba Seiko Co Ltd 静電保持装置及びそれを用いた搬送装置
JP2004165198A (ja) * 2002-11-08 2004-06-10 Canon Inc 半導体製造装置
JP2006120799A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板載置台交換方法、及びプログラム
WO2006123680A1 (ja) * 2005-05-20 2006-11-23 Tsukuba Seiko Ltd. 静電保持装置及びそれを用いた静電ピンセット

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI496241B (zh) * 2011-07-14 2015-08-11 住友重機械工業股份有限公司 Impurity introduction layer forming device and electrostatic chuck protection method
JP2014138022A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 搬送装置及び搬送用部材
WO2020084938A1 (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2020068257A (ja) * 2018-10-23 2020-04-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7227729B2 (ja) 2018-10-23 2023-02-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US20220336248A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Transfer apparatus and substrate-supporting member
US11646217B2 (en) * 2021-04-14 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Transfer apparatus and substrate-supporting member

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