JP2005191338A - 基板の保持装置および方法 - Google Patents

基板の保持装置および方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005191338A
JP2005191338A JP2003431838A JP2003431838A JP2005191338A JP 2005191338 A JP2005191338 A JP 2005191338A JP 2003431838 A JP2003431838 A JP 2003431838A JP 2003431838 A JP2003431838 A JP 2003431838A JP 2005191338 A JP2005191338 A JP 2005191338A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
holding
holding surface
fixing jig
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2003431838A
Other languages
English (en)
Inventor
Naruhiro Michitani
考博 道谷
Isao Ihara
功 井原
Takaaki Ukeda
高明 受田
Kiyoto Nakase
清人 中瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2003431838A priority Critical patent/JP2005191338A/ja
Publication of JP2005191338A publication Critical patent/JP2005191338A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】基板の固定を高精度に行え、離脱時のダメージが小さい基板保持装置を提供する。
【解決手段】ウエハWの少なくとも外周領域を第1保持面に吸着保持可能な第1チャック1と、第1チャック1内の中空部2に配置されて第2保持面15にウエハWを吸着保持可能な第2チャック11と、第2チャック11を昇降させて第2保持面15と第1保持面5と同一の保持位置Lとその上方の受渡し位置Hとの間で昇降させるチャック昇降装置と、第1チャック1の第1保持面5に形成された中空部2と第2チャック11の第2保持面15に形成された吸着口12とに接続されて、ウエハWを第1保持面5と第2保持面15にそれぞれ吸着解放可能な真空ポンプ21とを具備した。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハなどの基板を処理や加工する際に、基板を固定するための基板の保持装置および方法に関する。
LSI等の半導体装置の製造においては、シリコンのような半導体ウエハにトランジスタ等の素子を集積形成するために、多数の微細加工工程が存在する。このような微細加工工程においては、高い加工精度やウエハを回転させるために、ウエハを高精度に固定させる必要がある。例えば、露光工程においては、精密なマスク合わせが必要であり、また回転式レジスト塗布工程では、均一にレジストをウエハに塗布する必要があり、ウエハを高精度に固定させる必要がある。
半導体製造装置におけるウエハ保持装置は、大別すると、真空を利用して固定を行う真空タイプと、静電力を利用して固定を行う静電タイプとがある。また、真空と静電力とを併用した兼用タイプのウエハ固定装置もある。
真空タイプのウエハ固定装置は、ウエハ固定治具(以下、チャックと称する)とウエハの間を真空引きして吸着することによりウエハが大気圧に押されて、チャックに固定されることを利用した方式である。一方、静電タイプの上は固定装置は、チャック内部に設けられた金属電極に電圧を印加し、ウエハと静電チャックの表面に正・負の電荷を発生させて、この間に働くジャンセン・ラーベック力によってウエハを固定する方式である。
以下に図1を用いて真空タイプのウエハ固定装置の従来例を説明する。
図9はウエハ固定装置の中央断面図であり、円板状のウエハ101を保持する円形の真空チャック102には、保持面107に複数の貫通孔108が貫通形成され、これら貫通孔108には、図示しない昇降機構により、ウエハ101を真空チャック102から持ち上げる突き上げピン103がそれぞれ昇降自在に配置されている。真空チャック102の保持面107には、ウエハ101と密着する表面部材104が設けられている。またこの保持面107には、ウエハ101を真空チャック102に密着させる為の吸排気口105が形成されており、これら吸排気口105には排気ライン106が接続されている。
前記従来構成において、ウエハ101を真空チャック102に固定する際、ウエハ101を真空チャック102まで搬送アーム等で搬送し、突き上げピン103を上昇させ、突き上げピン103上にウエハ101を載せる。ウエハ載置後に突き上げピン103が下降し、ウエハ101が真空チャック102の保持面107に接触する。この接触後、吸排気口105から排気ライン106を通してウエハ101と真空チャック102の表面部分104の間の空気を吸引排出し、真空チャック102の保持面107とウエハ101とを密着固定させる。ウエハ101を真空チャック102から離脱させる際は、吸排気口105を大気開放した後、突上げピン103を上昇させてウエハ101を真空チャック102の保持面107から離脱させる。
以上のような操作を繰り返し行うことによりウエハの着脱を行っている。
特開平09-167751号公報 特開昭56―130935号公報
しかしながら、従来のウエハ固定装置では、ウエハ101を真空チャック102に固定する際とウエハ101を真空チャック102から突き上げピン103で離脱させる際に以下の課題が発生する。
すなわち、ウエハ101を真空チャック102に固定する際、ウエハ101の裏面全面を真空チャック102の保持面107と密着させる為、表面部材104又はウエハ101裏面にパーティクル等の異物が付着している場合、ウエハ101を固定した時の密着力でウエハ101の裏面を異物によって傷つけてしまう可能性がある。またチャック102とウエハ101の間に異物が挟まった状態で露光などの処理を実施した場合、フォーカスボケが発生して正確なパターンの形成に支障をきたす場合がある。ウエハ101をチャック102から離脱させる際には、真空状態で密着しているウエハ101とチャック102間に吸排気口105から空気を送り込んでウエハ101とチャック102間を大気圧状態に戻すが、完全に大気圧状態にするためには時間がかかるため、完全には大気圧状態に戻らないうちに突上げピン103を用いて機械的にウエハ101とチャック102とを引き離している。この為、突き上げピン103による局所的な物理的ストレスでウエハ101の裏面を傷つけたり、ウエハ101にクラックが生じる場合がある。ウエハ101の裏面に傷が生じると、その後の工程にてストレスを受けてクラックとなったり、傷からシリコンくずが生じて後の工程に、前記のようなウエハ固定時の異物起因の問題が生じる。
本発明は、ウエハなどの基板の固定を高精度に行え、かつ基板の離脱時に基板へのダメージが小さくできる基板保持装置および保持方法を提供する事を目的とする。
前記目的を達成するために請求項1記載の基板保持装置は、中空部を減圧して基板の少なくとも外周領域を第1保持面に吸着保持可能な第1固定治具と、前記中空部内に配置され、吸着口を減圧して基板を第2保持面に吸着保持可能な第2固定治具と、前記第1固定治具および第2固定治具の少なくとも一方を昇降させて第1保持面と第2保持面の上下位置を変位させる治具昇降装置と、前記第1固定治具の中空部と前記第2固定治具の吸着口とに接続されて基板を第1保持面および第2保持面の少なくとも一方に吸着解放可能な吸着装置とを具備し、前記吸着装置により第1固定治具と第2固定治具への吸着と開放とがそれぞれ独立して制御されるとともに、前記治具昇降装置により基板を第1保持面と第2保持面とに当接離間させるように構成したものである。
上記構成によれば、基板裏面が接触する第1保持面と第2保持面を、基板の裏面全体ではなく、ごく限られた領域とすることができ、これにより、基板の裏面と第1保持面および第2保持面の間にパーティクルが介在される確率が著しく低下される。したがって、パーティクルにより基板の裏面を傷つけることなく、かつパーティクルにより歪が発生することなく高精度で基板を固定して処理することができる。また第1固定治具の中空部を低真空度とすることで、基板の離脱時において、第1固定治具の中空部と、面積の小さい第2固定治具の吸着口とをそれぞれ極めて短時間で大気圧状態に戻すことが可能となり、短時間で基板の搬入保持、離脱搬出することができる。さらに第1固定治具の中空部を大気圧状態に戻した後、治具昇降装置により、第1固定治具または第2固定治具を両方または一方を昇降させて、第1保持面から基板を離脱させた後に、第1固定治具の吸着口を大気圧に戻すことによって、基板に局所的に物理的ストレスがかかること無く、基板を短時間で固定治具から離脱させることができ、離脱時に基板に加わるダメージを大幅に低減することができる。
請求項2記載の基板保持装置は、前記第1保持面が基板の外周領域に沿うリング状に形成され、前記外周領域が基板の無効領域であるものである。
上記構成によれば、基板の無効領域、すなわち良品の半導体素子が形成されないことがあらかじめ判明している領域に限定して、第1固定装置の第1保持面が接触するため、第1固定装置が基板に及ぼす悪影響を無視することができ、基板裏面へのダメージをより小さくすることができる。
請求項3記載の基板保持装置は、前記第2固定治具は単一の第2保持面を有し、該第2保持面は、第1保持面の中心位置に配置されるとともに、第1保持面中心を中心とする対称形状に形成されたものである。
上記構成によれば、基板の裏面が第2保持面と接触する面積を、第1固定治具の第1保持面に接触する面積よりより一層小さくすることが可能となり、基板裏面へのダメージをより小さくすることができる。また第2保持面を第1保持面中心を中心とする対称形状に形成したので、第2保持面により基板を安定して固定することができる。
請求項4記載の基板保持装置によれば、前記第2固定治具は複数の第2保持面を有するとともに、前記第2保持面は、第1保持面中心を中心とする対称形状で、かつ対称位置近傍に配置されたものである。
上記構成によれば、第2保持面が基板の裏面に対して複数でかつ対称位置で均等に接触するので、基板にたわみ等が生じることが無くなり、基板を高精度で固定することができ、第2保持面により基板を安定して固定することができる。
請求項5記載の基板保持装置は、前記第2固定治具を筒状の真空ノズルにより構成したものである。
上記構成によれば、第2固定治具の第2保持面が基板の裏面に均等に接触するので、基板にたわみ等が生じることが無くなり、基板を高精度で安定して固定することができる。
請求項6記載の基板保持装置は、前記基板を吸着するための吸着口を有する基板固定治具と、前記基板固定治具の中央部近傍に昇降自在に挿設されて基板を昇降可能な少なくとも一つの突き上げピンと、前記吸着口に接続され基板を吸着解放可能な吸着装置とを具備した基板保持装置であって、前記突き上げピンの上端部で基板の裏面に密接する当接面の面積を、前記基板上に形成される単位素子よりも大きく形成したものである。
上記構成によれば、基板の離脱時に突き上げピンを使用しても、突き上げピンの基板裏面に当接する当接面の面積が、基板上に形成される単位素子の大きさよりも大きい面積であることから、基板の裏面への局所的なストレスを分散させることが可能となり、基板裏面へのダメージを小さくすることができる。
請求項7記載の基板保持方法は、請求項1記載の基板保持装置により基板を保持する基板保持方法であって、第1保持装置の第1保持面より上方に配置された第2固定治具の第2保持面に基板を載置する工程と、前記第2固定治具の吸着口から吸引して基板を前記第2保持面に固定する工程と、前記第2固定治具を下降するか、または第1固定具を上昇して前記第1保持面上に基板を載置させる工程と、第1固定治具の中空部から吸引して基板を前記第1保持面に固定する工程とを順次行って基板を保持するものである。
上記構成によれば、基板固定時に、第2固定治具の第2保持面に基板を瞬時に吸着保持し、固定された基板を第1固定治具の第1保持面に載置するので、高速かつ高精度で基板を搬入固定することができる。また、第1保持面および第2保持面とも、基板との接触面が従来に比較して大幅に削減できるので、基板の裏面と第1保持面および第2保持面の間に、パーティクルの存在する確率を著しく低下させることができ、加工や処理を精度よく行うことができる。
請求項8記載の基板保持方法は、前記基板が第1固定治具と前記第2固定治具にそれぞれ保持されて処理された後、前記第1固定治具による吸引と前記第2固定治具による吸引の両方を同時に、または個別に大気圧状態に戻して基板を解放する工程と、前記第2固定治具の上昇または第1固定治具の下降により、基板を第1固定治具の第1保持面から離脱させる工程と、基板を第2固定治具の第2保持面から搬出する工程とを順次行い基板を離脱させるものである。
上記構成によれば、第1固定治具の中空部および第2固定治具の吸引口をそれぞれ大気圧状態に戻して基板を第1保持面および第2保持面から開放した後、基板を第2固定治具の第2保持面に載置した状態で、基板を第1保持面から離脱させ、さらに基板を第2保持面から離脱させるので、ウエハの裏面に局所的な物理的ストレスがかかることなく、高速で基板を開放、離脱して搬出することができる。
請求項9記載の基板保持方法は、前記第1固定治具の中空部から吸引して基板を第1保持面に固定する工程で、第1固定装置の中空部を低真空度として基板を保持すると同時に、第2固定装置の吸引口を前記中空部と同じ真空度かまたは高真空度として基板を保持するものである。
上記構成によれば、基板の離脱時に、第1固定治具の中空部の面積が大きくても、中空部を短時間で大気圧に戻すことができ、また基板との接触面積が小さい第2固定治具の吸着口も短時間で大気圧に戻すことができ、基板を高速で離脱可能にできて局所的な物理的ストレスを軽減でき、基板の裏面へのダメージを小さくすることができる。
請求項10記載の基板保持方法は、請求項1記載の基板保持装置により基板を保持する基板保持方法であって、第1保持装置の第1保持面より上方に配置された第2固定治具の第2保持面に基板を載置する工程と、前記第2固定治具を下降させるか、または第1固定治具を上昇させて第1固定治具の第1保持面に基板を載置する工程と、前記第1固定治具の中空部から吸引して基板を前記第1保持面に固定する工程と、前記第2固定治具の吸着口から吸引して基板を第2保持面に固定する工程とを順次行って基板を保持するものである。
上記構成によれば、基板の搬入固定時に、第2保持面上に載置された状態の基板を、第1固定治具の中空部で減圧して第1保持面上に吸着固定するので、基板の裏面と第2保持面との間で局所的な物理的ストレスが発生することがなく、基板の裏面へのダメージを小さくすることができる。また、第1保持面および第2保持面とも、基板との接触面が従来に比較して大幅に削減できるので、基板の裏面と第1保持面および第2保持面の間に、パーティクルの存在する確率を著しく低下させることができ、加工や処理を精度よく行うことができる。
請求項11記載の基板保持方法は、前記基板を第2保持面に固定する前記工程で、基板が処理された後、前記第1固定治具の中空部を大気圧に戻して基板を第1保持面から解放する工程と、前記第2固定治具を上昇させるか、または第1固定具を下降させて基板を第1保持面から離脱させる工程と、前記第2固定治具の吸着口を大気圧に戻して基板を第2保持面から解放する工程と、基板を第2固定治具の第2保持面から離脱させる工程とを順次行い基板を離脱するものである。
上記構成によれば、第1固定治具の中空部を大気圧状態に戻して基板の裏面を第1保持面から解放した後、基板を第2固定治具に載置した状態で、基板を第1保持面から離脱させ、さらに第2固定治具の吸着口を大気圧状態に戻して基板を第2保持面から開放し、基板を第2固定治具から離脱させるので、基板の裏面に局所的な物理的ストレスがかかるのを防止することができる。また第2保持面に吸着固定した状態で、基板を第1保持面から離脱させるので、基板の位置ずれを防止して精度よく搬出することができる。
請求項12記載の基板保持方法は、前記第2固定治具の吸着口から吸引して基板を第2保持面に固定する工程で、第1固定装置の中空部を低真空度として基板を保持すると同時に、第2固定装置の吸引口を前記中空部と同じ真空度かまたは高真空度として基板を保持するものである。
上記構成によれば、基板の離脱時に、第1固定治具の中空部の面積が大きくても、中空部を短時間で大気圧に戻すことができ、また基板との接触面積が小さい第2固定治具の吸着口も短時間で大気圧に戻すことができるので、基板を短時間で開放して高速で離脱することができるとともに、局所的な物理的ストレスを軽減でき、基板の裏面へのダメージを小さくすることができる。
上記構成によれば、基板を高速でかつ高精度で搬入して吸着固定することができ、また基板を短時間で開放して高速かつ高精度で搬出し、基板の裏面へのダメージを小さくできる基板保持装置および基板保持方法を提供することができる。
[第1の実施の形態]
以下、本発明に係るウエハ保持装置の第1の実施形態について、図1〜図4を参照して説明する。
図1(a)は、ウエハ固定装置の平面図、図1(b)は中央縦断面図である。
図1において、1は、直径がウエハ(基板)Wよりも若干大きい有底円筒形に形成された第1チャック(第1固定治具)で、同一軸心O上に形成された円柱状の中空部2と底部3とを有している。そして、第1チャック1の上端面には、受け部材4が設けられて第1保持面5が形成され、前記受け部材4はウエハWの固定時の気密性が高くウエハWに傷が付きにくいたとえばポリイミド、アルミナ等の材質により形成されている。前記中空部2は、底部3に形成された吸排気口6に第1真空配管22を介して真空ポンプ21が接続され、第1真空配管22に第1レギュレータ(調整弁)23が介装されている。この第1レギュレータ23により、中空部2による真空吸引と大気解放がそれぞれ選択されて切替えられ、第1保持面5上にウエハWを保持、解放することができる。
11は、前記中空部2内に底部3貫通孔3aを貫通して昇降自在に配置された第2チャック(第2固定治具)で、吸着口12を有する4本の円筒形の吸着筒13からなり、これら吸着筒13は第1チャック1の軸心Oの回転対称位置に軸心OからウエハWの半径の約1/3程度離れた円弧上に90°ずつ隔てて配置されている。そして吸着筒13の上端面には、受け部材14が設けられて第2保持面15が形成され、前記受け部材14はウエハWの固定時の気密性が高くウエハWに傷が付きにくいたとえばポリイミド、アルミナ等の材質により形成されている。前記吸着筒13の下端側には、吸着口12と真空ポンプ21とが第2真空配管24を介して接続され、第2真空配管24に第2レギュレータ(調整弁)25が介装されている。この第2レギュレータ25により、吸着口12による真空吸引と大気解放がそれぞれ選択されて第1チャック1とは独立して切替えられ、第1保持面5上にウエハWを保持、解放することができる。なお、図示しないが、底部3の貫通孔3aには空気漏れを防ぐシール材が設けられている。
さらに第2チャック11の下部には、図示しないチャック昇降装置(治具昇降装置)が設けられており、吸着筒13の第2保持面15が第1保持面5と同一平面状となる保持位置Lと、第2保持面15が第1保持面5より所定距離上方位置の受渡し位置Hとの間で昇降駆動するように構成されている。なお、この実施の形態では、第2チャック11を昇降させているが、第1チャック1を昇降させることもできる。また第1チャック1および第2チャック11をそれぞれ相対して昇降させることもできる。
ここで、第2チャック11は外径10mmであり、その軸心位置付近に設けられた吸着口12の内径は2〜3mm程度である。
このウエハ保持装置にウエハWを搬入固定する場合、ウエハWは第1チャック1および第2チャック11によって保持される。第1チャック1では、第1保持面5によりウエハWの外周部の無効領域部分を保持し、第2チャック11では、第2保持面15でウエハW裏面の中央部分を保持する。第1保持面5および第2保持面15とウエハWが接触する部分には、固定時の気密性が高くウエハに傷がつきにくい受け部材4,14を用いている。そして真空ポンプ21と第1レギュレータ23よび第2レギュレータ25を使って真空引きを行い、ウエハWを第1,第2保持面5,15に完全に吸着する。
第1チャック1では、ウエハWの裏面全体を吸着し、第2チャック9ではウエハWの裏面中央部近傍の4箇所を局所的に吸着する。真空吸着の際の真空レベルについては、第1,第2レギュレータ23、25によって調節する。第1チャック1は第2チャック11よりも低い真空度でウエハWの裏面全体を真空吸着することで第1保持面5にウエハWの仮固定をし、第2チャック11は第1チャック1よりも高い真空度でウエハWの中央部4箇所を局所的に真空吸着して第2保持面15に完全固定する。第1チャック1は吸着面積が広いが、比較的低い真空度で吸着しているので、大気圧としてウエハWの解放に必要な時間は短い。同様に第2チャック11は比較的高い真空度で吸着するが、吸着面積が狭いので、大気圧としてウエハWの解放にかかる時間は短く、短時間でウエハWを解放することができる。
なお、図1では第1チャック1の深さ、すなわち中空部2の深さを大きく図示しているが、ウエハWを保持した時に、底部3とウエハW裏面が触れない程度の深さであれば問題ない。また第2チャック11の吸着筒13の本数を4本としたが、十分な吸着力が得られれば、何本でも良く、吸着口12の内径(吸着面積)も問わない。
また、吸着筒13を円柱形としたが、楕円柱形や多角形柱でもよい。さらに、吸着筒13を軸心Oを中心とする回転対称の位置に配置したが、ウエハWを高精度で安定して固定できれば、軸心Oを通る水平線に対して線対称の位置であってもよい。
さらに、受け部材4,14をポリイミド、アルミナ等の材質としたが、ウエハWの固定時に気密性が高くかつウエハWに傷がつきにくい材質であれば、これらの材質に限定されるものではない。真空ポンプ21に関しては真空が引ける吸引装置であればよく、第1,第2レギュレータ23,25に関しては、吸引空気流量を調節でき、かつ中空部2および吸着口12を大気圧に戻せる弁装置であればよい。
(第1の保持方法)
上記構成におけるウエハ保持方法を図2、図3を用いて説明する。
図2は上記ウエハ保持装置により行う第1のウエハ保持方法を説明するフローチャートで、この第1の保持方法は、ウエハWを高速で固定および離脱するものである。
ウエハWの固定は、ステップA1、A2、A3、A4、A5の順に行われる。
[ステップA1]搬送アーム等のウエハ搬送装置(図示しない)によりウエハWをウエハ固定装置に搬入する。
[ステップA2]吸着筒13を上方の受渡し位置Hに上昇させた第2チャック11の第2保持面15上に、ウエハWを載せる。
[ステップA3]真空ポンプ21による真空引きを開始する。その際、第1レギュレータ23は閉じておき、第2レギュレータ25を開放して第2チャック11に対してのみ真空引きを行い、吸引口12を真空引きしてウエハWを第2保持面15上に完全に固定する。
[ステップA4]チャック昇降装置により第2チャック11を下降させてウエハWの外周部を第1チャック1の第1保持面5に当接させる。この時、第1チャック1の第1保持面5と第2のチャック11の第2保持面15の高さを同一にして密着させ、ウエハWにたわみが発生しないようにする。
[ステップA5]第2レギュレータ25が開放された状態で、第1レギュレータ23を開放して真空ポンプ21により中空部2を真空引きし、ウエハWの裏面全体を吸着させて第1保持面5上に完全に固定する。この時第1チャック1の真空度をウエハWを仮固定する程度の真空度にしておき、第2チャック11の真空度を第1チャック1の真空度よりも高くしてウエハWを完全に固定させる。これら真空度の調節は第1,第2レギュレータ23,25によってそれぞれ独立に調節する。
[ステップA6]ステップA5により保持されたウエハWに対して微細加工や露光処理、レジスト塗布などの処理が施される。
次に固定状態で処理されたウエハWの離脱方法について説明する。
ウエハWの離脱方法はステップA7、A8、A9の順番に行う。
[ステップA7]第1,第2レギュレータ23,25をそれぞれ閉じて、第1チャック1および第2チャック11がそれぞれ大気圧状態に戻され、ウエハWが解放される。
[ステップA8]チャック昇降装置により第2チャック11を上昇させてウエハWを第1チャック1の第1保持面5から離脱させ、受渡し位置Hに上昇させる。
[ステップA9]ウエハ搬送装置によりウエハWを保持させて第2チャック11の第2保持面15から離脱させ搬出する。
上記保持方法によれば、第1チャック1によりウエハWの裏面のほぼ全体を真空吸着するが、第1レギュレータ23により中空部2はウエハ仮固定程度の真空度で吸着固定するので、ステップA8におけるウエハWの解放に要する時間を短くすることができる。また第2チャック11では、第2レギュレータ25により吸着筒13の吸着口12を比較的高真空度としてウエハWを吸着固定するが、吸着筒13の吸着口12はウエハWの中央部分の4箇所を局所的に真空吸着してウエハWを吸着する面積が小さいので、ステップA8におけるウエハWの解放に要する時間を短くすることができる。本実施形態ではウエハ離脱の際、ステップA7で同時に第一および第二のチャック8、9を大気圧状態に戻しているが、必ずしも同時でなくても構わず、多少の時間的な前後があってもよい。
(第2の保持方法)
上記構成における第2の保持方法を図3に基いて説明する。図3は第2の保持方法を説明するフローチャートである。この第2保持方法はウエハの裏面へのダメージを軽減することを主な目的とした方法である。
本発明の第一の実施形態に係るウエハ固定装置を用いた第二のウエハ着脱方法はB1からB10までの10ステップから構成される。
ウエハWの固定は、ステップB1、B2、B3、B4、B5の順に行われる。
[ステップB1]搬送アーム等の搬送装置(図示しない)によりウエハWをウエハ固定装置に搬入する。
[ステップB2]吸着筒13を上方の受渡し位置Hに上昇させた第2チャック11の第2保持面15上に、ウエハWを載せる。
[ステップB3]チャック昇降装置により第2チャック11の吸着筒12をウエハWが第1チャック11の第1保持面5に接する位置まで下降して第1保持面5上にウエハWの外周部を載せ密着した状態にする。その際、第1保持面5と第2保持面15の高さを同一にして、ウエハWにたわみが発生しないようにする。
[ステップB4]第1レギュレータ23を解放して真空ポンプ21により中空部2を真空引きし、ウエハWを第1チャック11の第1保持面5上に密着固定する。
[ステップB5]第2レギュレータ25を開放して真空ポンプ21により吸着口12を真空引きし、ウエハWの裏面中央部を第2保持面15に吸着させ完全に固定する。ステップB4で第1チャック1の真空度をウエハWの仮固定程度の真空度にしておき、ステップB5で第2チャック11の真空度を第1チャック1の真空度よりも高くしてウエハWを完全に固定させる。これら真空度の調節は第1よび第2レギュレータ23,25によって独立に調節する。
このウエハWを固定する際に、最初に第1チャック1によりウエハWの外周部を仮固定してあるので、第2チャック11によりウエハWの裏面中央部を完全固定させる時にウエハWが擦れて裏面が傷つくのを軽減することができる。
[ステップB6]ステップB5により保持されたウエハWに対して微細加工や露光処理、レジスト塗布などの処理が施される。
次に固定状態で処理されたウエハWの離脱方法について説明する。
ウエハの離脱方法はステップB7、B8、B9、B10の順番に行う。
[ステップB7]第1レギュレータ23が閉じられて第1チャック1の中空部が大気圧状態に戻され、ウエハWが第1保持面から解放される。
[ステップB8]チャック昇降装置により第2チャック11を受渡し位置まで上昇させてウエハWを第1保持面5から離脱させる。
[ステップB9]第2レギュレータ25が閉じられて第2チャック11の吸着口12を大気圧状態に戻し、ウエハWを第2保持面15から解放する。
[ステップB10]ウエハ搬送装置によりウエハWを保持させて第2チャック11の第2保持面15から離脱させ搬出する。
上記保持方法によれば、第1チャック1の中空部2を大気圧状態に戻す際や、第2チャック11の吸着筒13を上昇させる際も、第2チャック11の第2保持面15にウエハWを吸着固定している状態にある為、物理的なストレスでウエハWの裏面が第2チャック11の第2保持面15に擦れて傷つくことは無い。また第1チャック11はウエハWの裏面全体を真空吸着するが、第1レギュレータ23により中空部2をウエハ仮固定程度の真空度に設定することで、第1保持面からウエハWを離脱する際にウエハWの裏面にかかるダメージが少なくなる。
上記第1の保持方法と第2保持方法は、その目的に応じて使い分ける。例えば高速でウエハWを固定、離脱させたい場合は、第1保持方法を使い、ウエハWk裏面への真空吸着時のダメージを軽減させたい場合には第2保持方法を使えばよい。
なお、第1の保持方法における第1チャック1の真空度と、第2チャック11の真空度とは、第1チャック1よりも第2チャック11を高く設定することが望ましいが、同等であっても構わない。
また、吸着時の真空度についても、第1チャック1をウエハWの仮固定程度が可能な低真空度に設定し、第2チャック11をウエハWの完全固定可能な高真空度に設定することが望ましいが、第1チャック1および第2チャック11両方または片方でウエハWが完全固定できるという目的が達成できれば、その組み合わせや真空度は本実施形態の構成に限定されるものではない。
[第2の実施の形態]
次に本発明に係るウエハ固定装置の第2の実施形態について、図4を参照しながら説明する。なお、第1の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
図4(a)はウエハ固定装置の平面図、図4(b)は同中央縦断面図である。第1の実施形態と異なる点は、第2チャック31の構成である。
第2チャック31は、第1チャック1の中空部で底部3の形成された貫通孔3bに、吸着筒33が図示しないチャック昇降装置により軸心O上で昇降自在に垂設配置されて構成されている。前記吸着筒33は、直径がウエハWの直径の1/3程度の有底円筒形に形成され、内部に円柱形の吸着口32が形成されている。また吸着筒33は、10mm程度の肉厚に形成されるとともに、上端部に第2保持面35を形成する受け部材34が取り付けられ、受け部材34はウエハWの固定時に気密性が高くかつウエハWに傷が付きにくい材質により形成されている。
上記構成によれば、第1の実施形態のウエハ固定装置における第2チャック11では、小さい吸着口12を4つに分散して配置したので、ウエハWに対する物理的ストレスが局所に集中しやすいのと比較して、第2チャック31の吸着口を比較的広い円形に形成したので、第2チャック31による吸着固定によりウエハWに及ぼす物理的ストレスを分散させることができる。
なお、第2チャック31の直径および肉厚は、十分な吸着力が得られる範囲において、第2の実施の形態の値に限定されるものではない。また第2チャック31を円筒形としたが、軸心Oを中心とする回転対称形または略回転対称であれば、どのような断面形状の筒形であってもよく、ウエハWを高精度に固定できれば、正確な回転対称形である必要はない。
第2の実施の形態における保持方法は、第1の実施形態で説明した第1保持方法および第2保持方法を適用して、ウエハWを吸着固定および解放離脱することができる。
[第3の実施の形態]
次に本発明に係るウエハ固定装置の第3の実施形態について図5を参照しながら説明する。第1の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。図5(a)はウエハ固定装置の平面図、図5(b)は同中央縦断面図である。
第2の実施形態に係るウエハ固定装置と異なる点は、第2チャック41の吸着筒43の形状を四角形断面に変更し、吸着口42も四角形形成された点にある。
また吸着筒43は、軸心O上に配置されるとともに、外周が軸心Oを中心とするウエハWの1/3程度の円周に内接するように形成されている。さらに吸着筒43の上端部には、第2保持面45を形成する受け部材44が設けられており、受け部材44はウエハWの固定時に気密性が高くかつウエハWに傷が付きにくい材質により形成されている。そして図示しないチャック昇降装置により、第2保持面を保持位置Lと受渡し位置Hの間で軸心Oに沿って昇降移動される。
上記構成によれば、第2の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
[第4の実施の形態]
次に本発明に係るウエハ固定装置の第4の実施形態について図6を参照しながら説明する。第1の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
図6(a)はウエハ固定装置の平面図、図6(b)は同中央縦断面図である。
第1の実施形態に係るウエハ固定装置と異なる点は、第2チャック51の構成である。
すなわち、第2チャック51は、第1チャック1の中空部2内に底部3に形成された3つの貫通孔3c,3d,3dを介して、1本の中央吸着筒53Aと2本の側部吸着筒53Bが図示しないチャック昇降装置によりそれぞれ昇降自在に垂設配置されて構成される。
第2チャック51の中央吸着筒53Aは、軸心O上でウエハWの直径の2/3程度の横幅で10mm程度の厚さを有する長方形筒状に形成されている。また第2チャック51の側部吸着筒53Bは、軸心OからウエハWの直径の2/3程度の円周に内接する長方形筒状に形成され、かつ中央吸着筒53Aに平行な配置されている。また中央吸着筒53A内および側部吸着筒53B内には、第2吸着口52A,52Bがそれぞれ形成されて中央付近に長さ方向に沿って幅が2〜3mm程度のスリット状に開口され、中央吸着筒53Aおよび側部吸着筒53Bの上端部に、第2保持面55を形成する受け部材54がそれぞれ取り付けられている。そして、受け部材54はウエハWの固定時に気密性が高くかつウエハWに傷が付きにくい材質により形成されている。
上記構成によれば、第1の実施形態のウエハ固定装置における第2チャック11では、小さい吸着口12を4つに分散して配置したので、ウエハWに対する物理的ストレスが局所に集中しやすいのと比較して、第2チャック51の吸着口52をスリット状にして分離したので、第2チャック51による吸着固定によりウエハWに及ぼす物理的ストレスを分散させることができる。
なお、第2チャック51におけるの吸着口52A,52Bの幅や長さ、面積、個数は、十分な吸着力が得られる範囲において、第4の実施の形態の値に限定されるものではない。また中央吸着筒53Aと側部吸着筒53Bの第2保持面55を互いに平行で軸心Oに交差する水平線に線対称になるように配置したが、ウエハWを高精度に固定できる範囲でこれに限るものではなく、平行に配置する必要もない。
上記構成のウエハ固定装置における保持方法は、第1の実施の形態で説明した第1保持方法および第2保持方法に適用可能である。
[第5の実施の形態]
次に本発明に係るウエハ固定装置の第5の実施形態について図7を参照しながら説明する。第1の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。図7(a)はウエハ固定装置の平面図、図7(b)は同中央縦断面図である。
第1の実施形態に係るウエハ固定装置と異なる点は、第2チャック61の吸着筒63の形状である。すなわち、第2チャック61の吸着筒63は、第1チャック1の軸心Oを中心として180°ごとに半径方向に伸びる放射板部63aに形成され、放射板部63aの外周は、軸心O上にウエハの直径の2/3程度の円を描いた円周に内接するように形成されている。吸着筒63の各放射板部63aは、それぞれ前記円周の半径程度の幅で、10mm程度の肉厚を有して軸心O位置で接続された吸着口62が形成され、吸着口62はそれぞれ幅が2〜3mm程度で半径方向に沿うスリット形で、軸心Oを中心とする回転対称に形成されている。そして、第1チャック1の底部3に形成された貫通孔3eを介して吸着筒63が昇降自在に配置されている。
上記構成によれば、第1の実施形態のウエハ固定装置における第2チャック11では、小さい吸着口12を4つに分散して配置したので、ウエハWに対する物理的ストレスが局所に集中しやすいのと比較して、第2チャック61の吸着口62を放射方向のスリット状に形成して均等に配置したので、第2チャック31による吸着固定によりウエハWに及ぼす物理的ストレスを分散させることができる。また第4の実施形態のウエハ固定装置と比較して、ウエハWに対して、均等に物理的ストレスがかかることになり、ウエハWのたわみを非常に小さくすることができる。
なお、第2チャック61の幅および肉厚は、十分な吸着力が得られる範囲において、本実施形態の値に限定されるものではない。また第2チャック61を軸心Oの回転対称となるように放射線状に組み合わせたが、ウエハWを高精度に固定できる範囲で、必ずしも回転対称となるように組み合わる必要はない。更に第2チャック61の放射板部63aの枚数を3枚としたが、十分な吸着力が得られる範囲において、何枚でも良い。
上記構成のウエハ固定装置における保持方法は、第1の実施の形態で説明した第1保持方法および第2保持方法に適用可能である。
[第6の実施形態]
本発明に係るウエハ固定装置の第6の実施形態について、図8を参照しながら説明する。第1の実施の形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。図8(a)はウエハ固定装置の平面図、図8(b)は同中央縦断面図である。
円板状のウエハWを保持する円形の真空チャック(基板固定治具)71には、その上面である保持面72で真空チャック71の軸心Oの近傍位置に複数の貫通孔73が貫通形成され、これら貫通孔73には、図示しない昇降機構により、ウエハWを真空チャック71から持ち上げる突き上げピン74がそれぞれ昇降自在に配置されている。真空チャック71の保持面72には、ウエハWと密着する受け部材75が設けられ、この受け部材75はウエハWの固定時の気密性が高くウエハWに傷が付きにくいたとえばポリイミド、アルミナ等の材質により形成されている。またこの保持面72には、ウエハWを真空チャック71に密着させる為の複数の吸排気口(吸着口)76が軸心Oを中心とする円周上に形成配置されており、これら吸排気口76は真空配管77を介して真空ポンプ(吸着装置)78が接続され、真空配管77にレギュレータ(調整弁)79が介装されている。
前記突き上げピン74は、真空チャック71の軸心Oを中心とした正方形の各頂点である4箇所に形成された貫通孔73に挿設され、図示しないピン昇降装置により貫通孔73内に後退された保持位置Lと、保持面72から上方に突出された受渡し位置Hとの間で昇降されて、ウエハWを保持面72に載置、離脱させることができる。これら突き上げピン74は、ウエハWに当接する先端の当接面74aが、ウエハW上に形成される単位素子の大きさよりも大きい面積に形成されており、これによりウエハWの裏面への局所的な物理的なストレスを分散させて、ウエハWの裏面へのダメージを小さくすることができる。
真空チャック71にウエハWを固定する場合、受渡し位置Hに上昇された突上げピン74上にウエハWが載置され、ピン昇降装置により突上げピン74を保持位置Lまで下方に後退させることによってウエハWが保持面72上に載せられる。次いでレギュレータ79を開放して真空ポンプ78により吸排気口76に真空吸着し、ウエハWを真空チャック71の保持面72上に完全に吸着固定する。
ウエハWの処理後に、真空チャック71からウエハWを分離排出する場合、レギュレータ79を閉じて吸排気口76を大気圧とすることにより、ウエハWを保持面72から開放し、さらにピン昇降装置により突上げピン74を受渡し位置Hまで上昇させて当接面74aによりウエハWを保持面72から離脱させる。
上記実施の形態によれば、突き上げピン74の当接面74aをウエハWに形成される単位素子の大きさよりも大きい面積に形成したので、ウエハWの裏面への局所的な物理的なストレスを分散させてウエハWの裏面へのダメージを小さくすることができる。
なお、ここで突き上げピン74の本数を4本としたが、ウエハWを安定して上下移動できれば、その本数は4本に限定されない。また、突き上げピン74の配置も、ウエハWを安定して上下移動できれば、本実施の形態の配置に限定されない。
また吸排気口17は、真空チャック71の軸心Oを中心とする円周上に配置されているが、ウエハWを高精度に固定できる範囲で、本実施の形態の配置に限定されない。
さらに真空ポンプ78は真空が引けるもの、レギュレータ79に関しては流量を調節できるものであれば、本実施の形態の構成に限定されるものではない。
本発明は、半導体製造装置などのように、基板をダメージを与えることなく高精度で固定するための保持装置および保持方法に適用できる。
(a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第1の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 同ウエハ保持装置による第1のウエハの保持方法を説明するフローチャートである。 同ウエハ保持装置による第2のウエハの保持方法を説明するフローチャートである。 (a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第2の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 (a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第3の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 (a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第4の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 (a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第5の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 (a)(b)はそれぞれ本発明に係るウエハ保持装置の第6の実施の形態を示し、(a)は平面図、(b)は中央縦断面図である。 従来のウエハ保持装置を示す中央縦断面図である。
符号の説明
W ウエハ
O 軸心
H 受渡し位置
L 保持位置
1 第1チャック
2 中空部
3 底部
4 受け部材
5 第1保持面
11 第2チャック
12 吸着口
13 吸着筒
14 受け部材
15 第2保持面
31 第2チャック
32 吸着口
33 吸着筒
34 受け部材
35 第2保持面
41 第2チャック
42 吸着口
43 吸着筒
44 受け部材
45 第2保持面
51 第2チャック
52A,52B 第2吸着口
53A 中央吸着筒
53B 側部吸着筒
54 受け部材
55 第2保持面
61 第2チャック
62 吸着口
63 吸着筒
63a 放射板部
64 受け部材
65 第2保持面
71 真空チャック
72 保持面
73 貫通孔
74 突き上げピン
74a 当接面
75 受け部材

Claims (12)

  1. 中空部を減圧して基板の少なくとも外周領域を第1保持面に吸着保持可能な第1固定治具と、
    前記中空部内に配置され、吸着口を減圧して基板を第2保持面に吸着保持可能な第2固定治具と、
    前記第1固定治具および第2固定治具の少なくとも一方を昇降させて第1保持面と第2保持面の上下位置を変位させる治具昇降装置と、
    前記第1固定治具の中空部と前記第2固定治具の吸着口とに接続されて基板を第1保持面および第2保持面の少なくとも一方に吸着解放可能な吸着装置とを具備し、
    前記吸着装置により第1固定治具と第2固定治具への吸着と開放とがそれぞれ独立して制御されるとともに、前記治具昇降装置により基板を第1保持面と第2保持面とに当接離間させるように構成した
    ことを特徴とする基板保持装置。
  2. 前記第1保持面が基板の外周領域に沿うリング状に形成され、
    前記外周領域が基板の無効領域である
    ことを特徴とする請求項1記載の基板保持装置。
  3. 前記第2固定治具は単一の第2保持面を有し、
    該第2保持面は、第1保持面の中心位置に配置されるとともに、第1保持面中心を中心とする対称形状に形成された
    ことを特徴とする請求項1または2記載の基板保持装置。
  4. 前記第2固定治具は複数の第2保持面を有するとともに、
    前記第2保持面は、第1保持面中心を中心とする対称形状で、かつ対称位置近傍に配置された
    ことを特徴とする請求項1または2記載の基板保持装置。
  5. 前記第2固定治具を筒状の吸着筒により構成した
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板保持装置。
  6. 前記基板を吸着するための吸着口を有する基板固定治具と、前記基板固定治具の中央部近傍に昇降自在に挿設されて基板を昇降可能な少なくとも一つの突き上げピンと、前記吸着口に接続され基板を吸着解放可能な吸着装置とを具備した基板保持装置であって、
    前記突き上げピンの上端部で基板の裏面に密接する当接面の面積を、前記基板上に形成される単位素子よりも大きく形成した
    ことを特徴とする基板保持装置。
  7. 請求項1記載の基板保持装置により基板を保持する基板保持方法であって、
    第1保持装置の第1保持面より上方に配置された第2固定治具の第2保持面に基板を載置する工程と、
    前記第2固定治具の吸着口から吸引して基板を前記第2保持面に固定する工程と、
    前記第2固定治具を下降するか、または第1固定具を上昇して前記第1保持面上に基板を載置させる工程と、
    第1固定治具の中空部から吸引して基板を前記第1保持面に固定する工程とを順次行って基板を保持する
    ことを特徴とする基板保持方法。
  8. 前記基板が第1固定治具と前記第2固定治具にそれぞれ保持されて処理された後、
    前記第1固定治具による吸引と前記第2固定治具による吸引の両方を同時に、または個別に大気圧状態に戻して基板を解放する工程と、
    前記第2固定治具の上昇または第1固定治具の下降により、基板を第1固定治具の第1保持面から離脱させる工程と、
    基板を第2固定治具の第2保持面から搬出する工程とを順次行い基板を離脱させる
    ことを特徴とする請求項7記載の基板保持方法。
  9. 前記第1固定治具の中空部から吸引して基板を第1保持面に固定する工程で、第1固定装置の中空部を低真空度として基板を保持すると同時に、第2固定装置の吸引口を前記中空部と同じ真空度かまたは高真空度として基板を保持する
    ことを特徴とする請求項7または8記載の基板保持方法。
  10. 請求項1記載の基板保持装置により基板を保持する基板保持方法であって、
    第1保持装置の第1保持面より上方に配置された第2固定治具の第2保持面に基板を載置する工程と、
    前記第2固定治具を下降させるか、または第1固定治具を上昇させて第1固定治具の第1保持面に基板を載置する工程と、
    前記第1固定治具の中空部から吸引して基板を前記第1保持面に固定する工程と、
    前記第2固定治具の吸着孔から吸引してとを順次行って基板を保持する
    ことを特徴とする基板保持方法。
  11. 前記基板を第2保持面に固定する工程で基板が第1固定治具と第2固定治具の両方に保持された状態で基板が処理された後、
    前記第1固定治具の中空部を大気圧に戻して基板を第1保持面から解放する工程と、
    前記第2固定治具を上昇させるか、または第1固定具を下降させて基板を第1保持面から離脱させる工程と、
    前記第2固定治具の吸着口を大気圧に戻して基板を第2保持面から解放する工程と、
    基板を第2固定治具の第2保持面から離脱させる工程とを順次行い基板を離脱する
    ことを特徴とする請求項10記載の基板保持方法。
  12. 前記第1固定治具の中空部から吸引して基板を第1保持面に固定する工程で、第1固定装置の中空部を低真空度として基板を保持すると同時に、第2固定装置の吸引口を前記中空部と同じ真空度かまたは高真空度として基板を保持する
    ことを特徴とする請求項10または11記載の基板保持方法。
JP2003431838A 2003-12-26 2003-12-26 基板の保持装置および方法 Withdrawn JP2005191338A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003431838A JP2005191338A (ja) 2003-12-26 2003-12-26 基板の保持装置および方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003431838A JP2005191338A (ja) 2003-12-26 2003-12-26 基板の保持装置および方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005191338A true JP2005191338A (ja) 2005-07-14

Family

ID=34789722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003431838A Withdrawn JP2005191338A (ja) 2003-12-26 2003-12-26 基板の保持装置および方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005191338A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060744A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 振動片の製造方法および水晶振動デバイスの製造方法、並びに水晶振動片および水晶振動デバイス
JP2010177607A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Ushio Inc ワークステージ及び該ワークステージを使用した露光装置
CN102082109A (zh) * 2009-10-27 2011-06-01 Nps股份有限公司 基座单元和用于使用基座单元来处理衬底的设备
US9130000B2 (en) 2008-09-30 2015-09-08 Mitsubishi Heavy Industries Wafer bonding device and wafer bonding method
KR20180108470A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 웨이퍼 지지장치 및 웨이퍼 착탈방법
CN114454092A (zh) * 2021-03-02 2022-05-10 华中科技大学 晶圆磨削用旋转顶升吸附平台

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060744A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 振動片の製造方法および水晶振動デバイスの製造方法、並びに水晶振動片および水晶振動デバイス
US9130000B2 (en) 2008-09-30 2015-09-08 Mitsubishi Heavy Industries Wafer bonding device and wafer bonding method
JP2010177607A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Ushio Inc ワークステージ及び該ワークステージを使用した露光装置
KR101203356B1 (ko) 2009-02-02 2012-11-20 우시오덴키 가부시키가이샤 워크 스테이지 및 이 워크 스테이지를 사용한 노광 장치
TWI385489B (zh) * 2009-02-02 2013-02-11 Ushio Electric Inc A workpiece table and an exposure apparatus using the work table
CN102082109A (zh) * 2009-10-27 2011-06-01 Nps股份有限公司 基座单元和用于使用基座单元来处理衬底的设备
KR20180108470A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 웨이퍼 지지장치 및 웨이퍼 착탈방법
CN108630593A (zh) * 2017-03-24 2018-10-09 住友重机械离子科技株式会社 晶圆保持装置及晶圆装卸方法
US10896843B2 (en) 2017-03-24 2021-01-19 Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. Wafer holding device and wafer chucking and dechucking method
TWI743336B (zh) * 2017-03-24 2021-10-21 日商住友重機械離子科技股份有限公司 晶圓保持裝置及晶圓裝卸方法
KR102382765B1 (ko) * 2017-03-24 2022-04-06 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 웨이퍼 지지장치 및 웨이퍼 착탈방법
CN108630593B (zh) * 2017-03-24 2023-03-31 住友重机械离子科技株式会社 晶圆保持装置及晶圆装卸方法
CN114454092A (zh) * 2021-03-02 2022-05-10 华中科技大学 晶圆磨削用旋转顶升吸附平台

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9773692B2 (en) In-situ removable electrostatic chuck
TWI567863B (zh) Plasma processing device, substrate unloading device and method
KR102146633B1 (ko) 접합 장치 및 접합 시스템
KR102125606B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2010129929A (ja) 基板保持装置、基板保持方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2010087278A (ja) ウェハ接合装置およびウェハ接合方法
CN110544664B (zh) 用于保持基板的保持装置和方法
KR101372805B1 (ko) 웨이퍼 식각 시스템 및 이를 이용한 웨이퍼 식각 공정
TW202205347A (zh) 邊緣環、基板支持台、電漿處理系統及邊緣環之更換方法
TW202137325A (zh) 電漿處理系統及邊緣環的更換方法
JP2019536290A (ja) プロセスチャンバキャリアのための静電チャッキング力測定ツール
JP2021141305A (ja) プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
TW202137326A (zh) 基板支持台、電漿處理系統及環狀構件之安裝方法
JP2008041969A (ja) 基板の脱離方法
JP2007134433A (ja) 対象物間の脱ガス方法および脱ガス装置
JP6292934B2 (ja) 基板処理装置
JP2005191338A (ja) 基板の保持装置および方法
JP2009170761A (ja) 基板体の貼着装置及び基板体の取り扱い方法
TW202223969A (zh) 基板支承裝置以及利用其的基板搬出方法
JP4060941B2 (ja) プラズマ処理方法
JP7441711B2 (ja) 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの載置方法
JP6294121B2 (ja) 基板処理装置
JP5329916B2 (ja) 半導体ウエハの支持具
JP2002313902A (ja) 静電チャック、該静電チャックから基板を離脱する方法
JP6230941B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060628

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070731

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080430

A072 Dismissal of procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20080819