WO2010147205A1

WO2010147205A1 - 有機電子デバイス及びその製造方法

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Publication number: WO2010147205A1
Application number: PCT/JP2010/060345
Authority: WO
Inventors: 滋弘上野; 政人岡田; 款小向; 政人麻生; 岳松橋; 池田　和成
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2009-06-19
Filing date: 2010-06-18
Publication date: 2010-12-23
Also published as: US20120091448A1; US9252381B2; EP2445027B1; EP2445027A1; CN102460765A; JP5760334B2; EP2445027A4; JP2011023711A; CN102460765B

Abstract

　製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能な有機電子デバイスを提供する。基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され少なくとも正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスであって、前記正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、ポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを水性溶媒に溶解あるいは均一に分散又は混合した流動性材料を薄膜状に形成したことを特徴とする、有機電子デバイス及びその製造方法である。

Description

有機電子デバイス及びその製造方法

　本発明は、有機電子デバイス及びその製造方法に関するものであり、特に有機エレクトロルミネセンス素子のような有機発光デバイス、有機トランジスタ、有機太陽電池等、及び正孔注入輸送層を有する量子ドット発光素子、酸化物系化合物太陽電池等の広範な基本素子及び用途を含む有機電子デバイス及びその製造方法に関するものである。

　有機物を用いた有機電子デバイスは、有機エレクトロルミネセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）、有機トランジスタ、有機太陽電池等、広範な基本素子及び用途への展開が期待されている。また、その他正孔注入輸送層を有する広義の有機デバイスとしては、有機ＥＬの発光性ドーパントを無機半導体ナノ粒子で置き換えた量子ドット発光素子がある。

　有機ＥＬ素子は、発光層に到達した電子と正孔とが再結合する際に生じる発光を利用した電荷注入型の自発光デバイスである。
　有機ＥＬ素子の素子構造は、陰極／発光層／陽極から構成される。有機ＥＬ素子においては、高い発光効率を得るために、発光中心となる発光材料に電荷（正孔、電子）を効率的かつ速やかに供給することが必要であるが、陽極あるいは陰極と発光層などの有機機能層との間にはエネルギー障壁が大きく、電荷を容易に注入できない。そのため、従来は、電荷輸送材料を発光層中に含有させたり、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けたり、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けたり、陽極あるいは陰極の仕事関数を最適化することで電極と有機機能層とのエネルギー障壁を小さくすることが行われている。したがって、発光層を含む有機機能層は、初期の有機ＥＬ素子においては発光層と正孔注入層とからなる２層構造、又は、電子輸送層と発光層と正孔輸送層とからなる３層構造が一般的であった。

　現在では、高い発光効率と長寿命を得るために、電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層とからなる５層構造など、様々な多層構造が提案されている。
　これら電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの発光層以外の層には、電荷を発光層へ注入・輸送しやすくする効果、あるいはブロックすることにより電子電流と正孔電流のバランスを保持する効果や、光エネルギー励起子の拡散を抑制するなどの効果があるといわれている。

　有機ＥＬ素子の他にも、ある程度のキャリア移動度を有する有機材料を用いた有機電子デバイスの例として、有機太陽電池が挙げられる。
　有機太陽電池は、最も基本的な構成は有機ＥＬ素子と同様の２層構造の有機薄膜を電極で挟んだ構造である。光をその有機薄膜に吸収させることによって生じる光電流を利用し、起電力を得ることができる。このとき流れる電流は、光によって生じたキャリアが有機材料のキャリア移動度を利用して流れるものと考えてよい。有機材料と電極との電荷注入障壁が低減すれば、より効率的に起電力を得ることができる。いわば、有機ＥＬ素子と逆の機構を利用するものである。

　また、有機電子デバイスのその他の例として有機トランジスタがある。有機トランジスタは、π共役系の有機高分子や有機低分子からなる有機半導体材料をチャネル領域に使用した薄膜トランジスタである。一般的な有機トランジスタは、基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース・ドレイン電極、及び有機半導体層の構成からなる。有機トランジスタにおいては、ゲート電極に印加する電圧（ゲート電圧）を変化させることで、ゲート絶縁膜と有機半導体膜の界面の電荷量を制御し、ソース電極及びドレイン電極間の電流値を変化させてスイッチングを行なう。
　しかし、この有機トランジスタで使われる有機半導体材料を用いた場合には、ソース電極又はドレイン電極との電荷注入障壁が大きく、素子駆動に問題があった。また、有機半導体層とソース電極又はドレイン電極との電荷注入障壁を低減すれば、有機トランジスタのオン電流値が向上し、かつ素子特性が安定化することが期待される。

　他方で、発光層や電荷輸送層などを形成する有機電子デバイスの製造方法については、真空蒸着、イオンスパッタリング法などの蒸着法や発光性や電荷輸送性などを有する有機材料を溶媒に溶解、分散又は混合させて基材に塗布して塗膜を形成する塗布法（スピンコート法、印刷法、インクジェット法など）によって発光層や電荷輸送層などを形成した有機ＥＬ素子などの有機電子デバイスの製造方法が提案されている。
　有機電子デバイスの製造方法として溶媒を用いて又は用いないで基材に塗布する塗布法は、真空蒸着法などの蒸着法に比べて大掛かりな蒸着装置が不要で、作製プロセス工程の簡便化が期待でき、材料の利用効率も高く、コストが安価で、基材の大面積化が可能というメリットがある。また、例えば有機ＥＬ素子におけるＲＧＢなど、材料を並列に塗り分けることも容易に行えるというメリットがあることから、塗布法により有機電子デバイスを形成することの意味は大きい。

　塗布による製膜性が良く、電荷輸送能力および電荷注入能力の高い正孔注入材料であるポリチオフェンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の長寿命化を目的として、硫酸イオンなどのアニオンやカチオンを取り除く（特許文献１）ことが行われている。

　注入特性や電荷移動特性の良い正孔注入層を得ることを目的として、例えば五酸化バナジウムや三酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物を用いて蒸着法で薄膜を形成（特許文献２～４）して正孔注入層としたもの、あるいは三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）とアミン系の低分子化合物（ＮＰＤ）との共蒸着により混合膜を形成（特許文献５、６）して正孔注入層としたもの、さらには、三酸化モリブデンを粉砕して作成した微粒子を溶液に分散させてスラリーを作製し、塗工して正孔注入層を形成（特許文献７）したものなどが挙げられる。

　また、有機ＥＬ素子以外の有機発光デバイスであるライトエミッティングエレクトロケミカルセル（ＬＥＣｓ）やエレクトロケミルミネセンス（ＥＣＬ）（例えば、非特許文献１）においても同様に、さらに、有機トランジスタにおいて、有機トランジスタ層とソース電極又はドレイン電極との電荷注入障壁を低減することにより、有機トランジスタのオン電流値を向上させ、かつ素子特性を安定化させる試みとして、有機トランジスタ中に電荷移動錯体を導入することによって、電極近傍の有機トランジスタ層中のキャリア密度を増加させることが知られている（例えば、特許文献８）など、有機トランジスタや有機太陽電池等の有機電子デバイスにおいても、同様に電極と有機層との電荷注入障壁が低下して高電荷注入効率であることは重要であり、また、塗布法で簡便に効率よく生産可能なことも重要である。

特開２００５－４４６１５号公報特開２００６－１５５９７８号公報特開２００７－２８７５８６号公報特許第２８２４４１１号公報特許第３７４８１１０号公報特開２００７－１８０５２６号公報特開２００８－４１８９４号公報特開２００２－２０４０１２号公報

"Synthetic Metals"，(1997)，vol.85，p.1229-1232

　本発明の有機電子デバイスは、基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され正孔注入層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスにおいて、前記正孔注入層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有する層であり、その金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートであることを特徴とする有機電子デバイス及びその製造方法を提供することである。

　有機電子デバイスの開発において、正孔注入層又は正孔輸送層における正孔注入特性、正孔輸送効率を改善することで、長寿命な有機電子デバイスが作製でき、さらには、素子構造を製造する方法を安価に形成できる塗布法が採用でき、しかも平滑で密着性のよい塗膜を形成することで有機電子デバイスの駆動寿命の向上をめざし開発が進められているところである。

　しかしながら、特許文献１の実施例で開示されている硫酸イオンなどのアニオンやカチオンの濃度の低いＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの場合には、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳそれ自体の耐久性が低く、寿命特性は不十分であった。さらに、硫酸イオンなどのアニオンやカチオンは取り除かれるべき不純物として考えられていた。また、特許文献２～６で開示されている金属酸化物で正孔注入層を形成すると、正孔注入特性は向上するものの酸化物中の酸素欠陥の駆動安定性が低く、寿命特性に悪影響を及ぼしていると考えられる。
　このように金属酸化物の蒸着膜を正孔注入層に適用すると比較的長寿命な有機ＥＬ素子などの有機電子デバイスを作製できるが、寿命特性は十分ではなく更なる改善の必要があった。

　また、特許文献２～８で開示されていたような酸化性材料は、水や有機溶媒に難溶もしくは不溶であり、塗布法で製膜する際には所望の膜厚を確保できず、さらに安定に形成できないという問題があった。また、これらの酸化性材料と正孔輸送性材料を混合したインキを用いて、塗布法で製膜する場合には、酸化性材料のみで凝集しやすく、使用可能な溶媒種も限られるため汎用性に欠けるなどの問題があった。
　特許文献７に塗布法で２０ｎｍ程度のモリブデンの微粒子を作製して正孔注入層に適用したとの記述はあるが、ＭｏＯ₃粉末を粉砕する方法だと、例えば１０ｎｍ以下の長さスケールで径のそろった微粒子を作製することは、実際的には困難であり、その微粒子を凝集させることなく溶液中に安定的に分散させることはさらに困難である。微粒子の溶液化が不安定であると、塗布膜作製の際に凹凸の大きな平滑性が悪い膜しか形成できず、デバイスの短絡の原因となる。

　正孔輸送性材料として、ＭｏＯ₃を使用した場合、比較的高い特性が得られているものの、溶媒に不溶であり塗布法を用いることができないという課題があった。蒸着法でしか薄膜形成できないと、発光層をインクジェット法などの塗布法で塗り分けて形成しても、結局、塗布法の利点を活かすことができないという問題があった。すなわち、親液性となるＭｏＯ₃によって各発光層の間の隔壁（バンク）の撥液性を損なわないために、ＭｏＯ₃を含有する正孔注入層あるいは正孔輸送層を高精細マスクを用いて蒸着する必要があり、結局コストや歩留まりの点から、塗布法の利点を活かすことができなかった。

　さらに、ＭｏＯ₃において、容易に熱蒸着できる化合物はＭｏＯ₃あるいはＭｏＯ₂などの安定な価数をもち、かつ酸化化合物に限定される。これらＭｏＯ₃は特にＭｏＯ₃の揮発性を利用して真空プロセスでのみ使用が可能であり、適用の範囲が限られる。価数の小さなモリブデン酸化物やモリブデン金属は、一般的に空気中で容易に酸化されやすく、取り扱いが困難なため有機電子デバイスの構成材料としてほとんど適用されていなかった。
　この有機電子デバイス素子構造を製造する方法は、ＭｏＯ₃が水や溶媒に不溶であるため蒸着法に限られるが、蒸着法はシャドウマスクが必要で高コストであるため、塗布法のような安価に形成する方法が望まれていた。

　以上のとおり、特許文献１～８で開示されたような酸化性材料を正孔注入・輸送性材料として用いても長寿命素子の実現は困難であるか、さらに寿命を向上させる必要があった。
　製膜性や薄膜の安定性は素子の寿命特性と大きく関係する。一般的に有機ＥＬ素子の寿命とは、一定電流駆動などで連続駆動させたときの輝度半減時間とし、輝度半減時間が長い素子ほど長寿命である。
　本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来にない正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する正孔注入・輸送材料として優れた材料を提供するとともに、塗布法により正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成することが可能で製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能な有機電子デバイスを提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、はっきりとした原理は明らかではないが、モリブデンなどの金属酸化物クラスターを正孔注入層及び／又は正孔輸送層に適用することにより駆動寿命が向上することを見出した。
　このモリブデンなどの金属酸化物クラスターは化学的に合成されたポリオキソメタレートからなる巨大クラスター分子であるため、大きさと重量は分子量で規定され、一つ一つのクラスター分子の大きさや形状は同じである。また、電気的性質はアニオンで、どのクラスターも等価という特徴がある。例えば、今回実施例で使用したNa₁[Mo^VI ₁₂₆Mo^V ₂₈O₄₆₂H₁₄(H₂O)₇₀]_0.5[Mo^VI ₁₂₄Mo^V ₂₈O₄₅₇H₁₄(H₂O)₆₈]_0.5・400H₂Oクラスター（Ｍｏ１５４）の場合には、分子はドーナツ形状をしていて個数平均粒子径の直径は約４ｎｍである。さらに、このモリブデン酸化物クラスターは１つ１つの分子が６価（Ｍｏ^VI）と５価のモリブデン（Ｍｏ^V）が分子内に共存する混合原子価ポリオキソメタレートである。

　一般的に、モリブデン酸化物は、酸素欠損型の酸化物半導体で、電気伝導性は６価のＭｏＯ₃よりも５価のＭｏ₂Ｏ₅や４価のＭｏＯ₄は常温で良導体である。そして、素子の正孔注入層として用いられる場合には、５価と６価のバランスによって正孔輸送性や正孔注入性が適度に制御されて低電圧駆動が実現し、その酸化還元性が安定なため長寿命特性が実現するものと考えられる。
　しかし、モリブデンは４価や５価よりも６価がより安定な価数であり、不安定な５価が６価に変化してそのバランスが崩れると、有機電子デバイスの正孔輸送性や正孔注入性が変化し、駆動安定性が劣化して寿命特性に悪影響を及ぼすと考えられる。
　したがって、長寿命化の目的のためには価数の異なる原子を５価と６価を安定的に共存させることが重要であり、正孔注入材料としては基本的に価数の異なるものが安定的に存在することができる金属元素が優れているという予測の上で、このような原子価の価数の異なる金属元素が共存する金属酸化物に着目し、特に、モリブデンを含有するアニオン性の金属酸化物クラスターにおいて、この異なる価数のもの、すなわち５価及び６価が一定の比率で安定的に存在し得ると考えられるモリブデン酸化物クラスターに着目し、少なくとも正孔注入層に適用することにより、駆動寿命が向上することを見出した。

　金属酸化物クラスターは、化学的に合成することにより比較的容易に、異なる価数状態の金属元素が同時に安定的に共存した金属酸化物クラスターを形成しているものである。
　そこで、このような異なる価数状態の共存した金属酸化物クラスターであるポリオキソメタレートについて、特に「混合原子価ポリオキソメタレート」と表記した。この「混合原子価」について説明すると、原子価の価数の異なる同一の金属元素が共存する状態、原子価の価数が異なる同族の複数の金属元素が共存する状態、又は、異なる原子価の価数の複数の金属元素が共存する状態を意味するものである。例えば、上記モリブデン酸化物クラスターは、５価と６価の異なる価数のものが共存する状態の酸化物であり、混合原子価ポリオキソメタレートということができる。また、金属酸化物クラスターはナノメートルオーダーの巨大分子で、化学的に合成されているので、その一次粒子径は１０ｎｍ以下の大きさがそろった微粒子であり、それぞれの微粒子の組成は同じであるという特徴がある。

　したがって、たとえクラスター分子が駆動中に凝集したとしても、等価な分子の集合体であるので、分子の大きさより長い数十ｎｍの長さスケールでは、組成や価数分布などの電気特性は空間的に均一になり、導電性や正孔注入性の変化が小さく、長寿命駆動できるものと推察される。さらに、金属酸化物クラスターは溶媒に溶解され易く、溶解して安定的に存在することが可能であるため、塗布することにより平滑な正孔注入層及び／又は正孔輸送層となる膜を容易に形成することができるものである。
　本発明では、この金属酸化物クラスターを正孔注入層及び／又は正孔輸送層に用いることで、塗布法により正孔注入層及び／又は正孔輸送層が形成でき、製造プロセスが容易でありながら、電荷輸送性材料として、通常のＭｏＯ₃などのモリブデン酸化物よりも正孔注入特性が向上し、且つ、隣接する電極や有機機能層との密着性にも優れた、安定性の高い正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成できることを見出し、発明を完成させるに至った。

　本発明の有機電子デバイスに用いられる金属酸化物クラスターは、アニオンであるため水溶液中に安定的に分散させることができる。さらにアニオンであるので、カチオン交換法などにより有機物を配位させて、有機溶媒中にも容易に分散させることができる。一方で、例えば通常のＭｏＯ₃を物理的に粉砕して作製された微粒子は、電気的に中性で、溶液中での安定な分散や、再現良い製膜は非常に困難である。したがって、本発明の有機酸化物クラスターを有機電子デバイスに適用することにより、安定に薄膜形成が可能であることから、製造プロセス上のメリットが大きい。
　また、撥液性バンクを持つ基板に正孔注入層及び／又は正孔輸送層から発光層までを順次塗布プロセスのみで形成することもできる。それ故、三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）の場合のように正孔注入層を高精細なマスク蒸着などで蒸着した後に、正孔輸送層や発光層を塗布法で形成し、さらに第２電極を蒸着するようなプロセスと比較して、単純であり、低コストでデバイスを作製できる利点がある。

　本発明の有機電子デバイスに用いられる正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、通常の金属酸化物の粒子を用いる場合と異なり、異なる価数状態の金属元素が安定的に共存する金属酸化物クラスターと、正孔輸送性材料として及び有機バインダーとして機能する有機化合物を併用することで、金属酸化物の粒子のみより塗膜の製膜性及び膜質、膜強度及び柔軟性が向上し、隣接する有機機能層との界面の密着性が良好となり、電荷移動性を維持できかつ有機電子デバイスの層間の密着性が向上するため、金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を備えた本発明の有機電子デバイスは、低電圧駆動、高電力効率、長寿命なデバイスを実現することが可能である。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターとともに用いる正孔輸送性材料を、例えば、本発明の芳香族アミン系化合物であれば、分子中に有する官能基の種類を選択すること、官能基で修飾することなどにより、親水性・疎水性、電荷輸送性あるいは密着性などの機能を付与するなど多機能化することで金属酸化物クラスターの物性に合わせた正孔輸送性材料としたものを用いることができ、優れた機能を有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成することができる。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスター及び正孔輸送性材料を少なくとも含有することが、駆動電圧の低下や素子寿命を安定させる点から好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスターを含有する層と、正孔輸送性材料を含有する層が少なくとも積層された層であってもよい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターを含有する層と金属酸化物クラスター及び正孔輸送性材料を少なくとも含有する層が少なくとも積層された層であってもよい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターと芳香族アミン系化合物を含むことが製膜性を安定化させる点から好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターとしてモリブデン酸化物クラスターが化学的に合成した巨大クラスター分子であることが、駆動電圧の低下や素子寿命をさらに向上させる点から好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターが水性媒体に溶解する化学的に合成したモリブデン酸化物クラスターであり、正孔輸送性材料の芳香族アミン系化合物が分子中に水酸基を導入し水性溶媒に相溶性であることが、金属酸化物クラスターの製膜性を安定化させる点から好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を塗布法により形成することが、製造プロセスが容易であり、ショートが発生しにくく、歩留まりが高くなり、また、正孔注入・輸送材料として異なる価数の金属元素を安定的に存在することができる金属酸化物クラスターをそのまま維持した状態で正孔注入層及び／又は正孔輸送層が形成できるので、長寿命なデバイスを達成する上で好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、有機機能層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層の上に塗布法により形成されたものであってもよい。本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は塗布法により製膜した後に当該溶液に用いられた溶媒に不溶となる場合があり、このような場合には、有機機能層を塗布法により積層することが可能になる。

　本発明の有機電子デバイスは、有機機能層が少なくとも発光層を含む有機ＥＬ素子として好適に用いられる。

　本発明に係る有機電子デバイスの製造方法は、基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され少なくとも正孔注入層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスの製造方法において、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、化学的に合成されたポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層を形成する工程を含み、正孔注入層を形成する工程が、前記金属酸化物クラスターを含有する、均一に溶解、あるいは均一に分散又は混合した流動性材料を層状に形成する工程を含むことにより製造プロセスが容易でありながら、長寿命化が可能な有機電子デバイスを提供することができる。

　本発明に係る有機電子デバイスの製造方法によれば、電極上のいずれかの層上に、金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を塗布法により形成可能で製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成できる有機電子デバイスを提供することが可能である。

　すなわち、本発明の有機電子デバイスは、基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスにおいて、正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、その金属酸化物クラスターが化学的に合成されたポリオキソメタレートであることを特徴とする有機電子デバイス及びその製造方法に関するものである。
　なお、色素増感太陽電池、有機薄膜太陽電池、有機半導体等のその他の有機デバイス、正孔注入輸送層を有する量子ドット発光素子、酸化物系化合物太陽電池等についても、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を上記本発明に係る正孔注入輸送層とすれば、その他の構成は特に限定されず、適宜公知の構成と同じであってよい。

　周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、化学的に合成されたポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を備えた本発明の有機電子デバイスは、低電圧駆動、高電力効率、長寿命なデバイスを実現することが可能である。
　また、本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターは金属元素の価数が一般的に安定とされる価数状態の１種類のみではなく、異なる価数の不安定とされる価数状態の金属元素が安定的に共存し、かつ金属酸化物クラスターに有機系の正孔注入・輸送性の化合物を添加することにより、親水性・疎水性、正孔輸送性、あるいは塗膜の製膜性及び膜質、膜強度及び柔軟性が向上し、密着性などの機能性を付与するなど、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を多機能化することが容易であり、素子の性能を向上することができる。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、正孔注入層を構成する金属酸化物クラスター単独のみならず、正孔輸送性材料が、正孔輸送性の有機化合物を金属酸化物クラスターと安定的に溶解、分散あるいは混合して存在し得るようにして使用することが、平滑な正孔注入層を容易に形成することができ、また、駆動電圧の低下又は素子の駆動寿命をさらに向上させることができることから好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、正孔注入材料及び／又は正孔輸送材料が、安定な流動性材料の状態をとることが可能であるため、塗布法により正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成することができ、製造プロセスが容易な上、ショートが発生しにくいため製造上の歩留まりが高く、長寿命を達成することができることから好ましい。

　本発明の有機電子デバイスにおいては、有機機能層が正孔注入層及び／又は正孔輸送層の上に塗布法により形成されたものであってもよい。本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は塗布法により製膜後に当該溶液に用いられた溶媒に不溶となる場合があり、このような場合には、有機機能層を塗布法により積層することが可能になる。

　以上のように、本発明の有機電子デバイスは、正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、金属酸化物クラスターを含有することにより、正孔注入特性が向上し、且つ、隣接する電極や有機機能層との密着性にも優れた、安定性の高い膜となるため、素子の長駆動寿命化が達成可能である。また、本発明の有機電子デバイスは、無機化合物の三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）を用いる場合と異なり、金属酸化物クラスターは溶媒に均一に溶解し、あるいは均一に分散又は混合して均一な流動性材料を形成可能なものであるので、塗布法によって薄膜形成が可能であることから、製造プロセスが容易である。

　本発明の有機電子デバイスは、製造プロセスが容易でありながら、長寿命を達成可能である。本発明に係る有機電子デバイスの製造方法によれば、塗布法による製造プロセスを採用でき、長寿命の有機電子デバイスを容易に製造できる製造プロセスを提供することができる。

本発明に係る有機電子デバイスの基本的な層構成を示す断面概念図である。本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子において正孔注入層２が金属酸化物クラスターを含む層で形成した層構成の他の一例を示す断面模式図である。本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子において正孔注入層２が金属酸化物クラスターと芳香族アミン系化合物を含有する層で形成した層構成の一例を示す断面模式図である。本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子において正孔注入層２及び正孔輸送層４ｂを金属酸化物クラスター及び芳香族アミン系化合物を含有する層で形成した層構成の他の一例を示す断面模式図である。本発明に係る有機電子デバイスの別の実施形態である有機トランジスタの層構成の一例を示す断面模式図である。本発明に係る有機電子デバイスの別の実施形態である有機トランジスタの層構成の他の一例を示す断面模式図である。本発明の有機電子デバイスで用いたモリブデン酸化物クラスターの粒子径を測定した結果を示す図である。

　上記の本発明について以下に図面などを用いて、さらに詳しく説明する。
　まず、本発明に係る有機電子デバイスについてその層構成の一例を例示して図面を用いて説明すると、図１は、本発明に係る有機電子デバイスの概略的断面図である。

１．有機電子デバイス
　本発明の有機電子デバイスは、基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され少なくとも正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスにおいて、正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、化学的に合成されたポリオキソメタレートであるアニオン性の金属酸化物クラスターを含有することを特徴とする。

　本発明の有機電子デバイスは、正孔注入層及び／又は正孔輸送層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、ポリオキソメタレートである巨大クラスター分子の金属酸化物クラスターを含有しており、金属酸化物クラスターの正孔輸送や正孔注入の導電メカニズムは、有機ＥＬ素子の一般的な正孔輸送材料や正孔注入材料と同じく、各クラスター中の原子が酸化還元を繰り返すことにより電荷が注入あるいは輸送されると考えられる。
　そして素子の正孔注入層として用いられる場合には、金属元素の異なる価数の共存状態である混合原子価（例えば、モリブデンの場合は５価と６価）のバランスによって正孔注入性や正孔輸送性が適度に制御されていて低電圧駆動が実現し、その酸化還元性が安定化するため正孔注入特性が向上し、且つ、隣接する電極や有機機能層との密着性にも優れた、安定性の高い膜となるため、素子の長寿命化を図ることが可能である。

　本発明の有機電子デバイスは、化学的に合成されたポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを含有するもので、溶媒に溶解又は均一な分散性を有するため、塗布法によって薄膜形成が可能であることから、製造プロセスが容易である。
　また、本発明の有機電子デバイスにおいては、金属酸化物クラスターとともに用いる芳香族アミン系などの有機化合物の選択、あるいは芳香族アミン系化合物などの有機化合物を化学的に修飾することにより、芳香族アミン系化合物に親水性・疎水性、電荷輸送性あるいは密着性などの機能を付与するなど多機能化することにより、均一な溶解性、均一な分散性あるいは混合性が向上し、均一な流動性材料として適用でき、正孔注入特性の優れた、安定性の高い膜を形成することが容易である。

　このように、本発明の有機電子デバイスに用いられる金属酸化物クラスターが寿命を向上できるのは、金属酸化物クラスターが周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、化学的に合成されたポリオキソメタレートであり、異なる価数状態の金属元素が安定に共存することが可能である原子配置になっていて、駆動のストレスによる正孔注入性や正孔輸送性の変化が抑制されるものと考えられ、また、正孔輸送性材料との間であるいは金属酸化物クラスター同士で、電荷移動しやすい状態を形成し易いからであると考えられる。
　また、本発明のポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターは、無機化合物の単なる金属酸化物の粒子と異なり、化学的に合成されたナノ微粒子の凝集状態のものからなり、有機物である正孔輸送性材料との均一な相溶性が可能となり、平滑な塗膜を形成することができ、且つ、隣接する有機機能層との界面の密着性も良好となる。そのため、金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を備えた本発明の有機電子デバイスは、低電圧駆動が可能で、高電力効率の、特に駆動寿命が向上したデバイスを実現できると考えられる。

　また、本発明の有機電子デバイスは、塗布法によって正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成することができるので、撥液性バンクを持つ基板に正孔注入層及び／又は正孔輸送層から発光層までを順次塗布プロセスのみで形成できる。そのため、蒸着法により層を形成する三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）の場合のように正孔注入層を高精細なマスク蒸着などで蒸着した後に、正孔輸送層や発光層を塗布法で形成し、さらに第２電極を蒸着するようなプロセスと比較して、単純であり、低コストで有機電子デバイスを作製できる利点がある。

　以下、本発明に係る有機電子デバイスの層構成について説明する。なお、本発明の実施例においては、発光層におけるキャリア再結合を生じさせるため発光層の陰極側に正孔ブロック層（正孔阻止層）を設け、キャリアバランスの改善を図っている層構成を採用しているが、図中に正孔ブロック層を図示することは省略した。
　図１は本発明に係る有機電子デバイスの基本的な層構成を示す断面概念図である。本発明の有機電子デバイスの基本的な層構成は、基板７上に対向する２つの電極（１及び６）と、その２つの電極（１及び６）間に配置され少なくとも正孔注入層２及び／又は正孔輸送層を含む有機機能層３を有する。
　基板７は、有機電子デバイスを構成する各層を形成するための支持体であり、必ずしも電極１の表面に設けられる必要はなく、有機電子デバイスの最も外側の面に設けられていればよい。
　正孔注入層２及び／又は正孔輸送層は、少なくとも化学的に合成した金属酸化物クラスターを含有し、電極１から有機機能層３への正孔の注入及び／又は輸送を担う層である。
　有機機能層３は、正孔が注入され輸送されることにより、デバイスの種類によって様々な機能を発揮する層であり、単層からなる場合と多層からなる場合がある。有機機能層が多層からなる場合は、有機機能層は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層の他に、さらに、有機電子デバイスの機能の中心となる層（以下、「機能層」と称呼する）や、当該機能層の補助的な層（以下、「補助層」と称呼する）を含んでいる。例えば、有機ＥＬ素子の場合、正孔注入層及び／又は正孔輸送層の表面に、さらに積層される正孔輸送層が補助層に該当し、当該正孔輸送層の表面に積層される発光層が機能層に該当する。
　電極６は、対向する電極１との間に正孔注入層２及び／又は正孔輸送層を含む有機機能層３が存在する場所に設けられる。また、必要に応じて、図示しない第３の電極を有していてもよい。これらの電極間に電場を印加することにより、有機電子デバイスの機能を発現させることができる。

　図２は、本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す断面模式図である。
　本発明の有機ＥＬ素子は、電極１の表面に正孔注入層２が積層され、当該正孔注入層２の表面に補助層として正孔輸送層４ａ、機能層として発光層５が積層された形態を有する。このように、本発明に特徴的な金属酸化物クラスターを正孔注入層の位置で用いる場合には、導電率の向上に加え、正孔注入層を積層する際に塗布法を適用することが可能である。さらに、電極との密着性の向上も期待できる。

　図３は、本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子の層構成の別の一例を示す断面模式図である。
　本発明の有機ＥＬ素子は、電極１の表面に本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層２が形成され、本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層２の表面にαＮＰＤからなる正孔輸送層を形成した後、さらに本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔輸送層４ｂ、機能層として発光層５が積層された形態を有する。このように、本発明に特徴的な金属酸化物クラスターを正孔注入層及び正孔輸送層の位置で用いる場合には、導電率の向上に加え、各正孔注入層、正孔輸送層を塗布法で形成するだけでなく、上層の発光層を積層する際にも塗布法を適用することが可能である。

　図４は、本発明に係る有機電子デバイスの一実施形態である有機ＥＬ素子の層構成の別の一例を示す断面模式図である。本発明の有機ＥＬ素子は、電極１の表面に本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層２、機能層として発光層５が順次積層された形態を有する。このように、本発明に特徴的な正孔注入層を１層で用いる場合には、工程数が削減されるというプロセス上のメリットがある。
　なお、上記図２～図４においては、本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層２、正孔輸送層４ａ、本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔輸送層４ｂのそれぞれが、単層ではなく複数層から構成されていてもよい。

　上記図２～図４においては、電極１は陽極、電極６は陰極として機能する。上記有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に電場を印加されると、正孔が陽極から本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層２及び／又は正孔輸送層４ａ・４ｂを経て発光層５に注入され、且つ電子が陰極から発光層に注入されることにより、発光層５の内部で注入された正孔と電子が再結合し、素子の外部に発光する機能を有する。
　素子の外部に光を放射するため、発光層の少なくとも一方の面に存在する全ての層は、可視波長域のうち少なくとも一部の波長の光に対する透過性を有することを必要とする。また、発光層と電極６（陰極）の間には、必要に応じて電子輸送層及び／又は電子注入層が設けられていてもよい（図示せず）。

　図５は、本発明に係る有機電子デバイスの別の実施形態である有機トランジスタの層構成の一例を示す断面模式図である。
　この有機トランジスタは、基板７上に、電極９（ゲート電極）と、対向する電極１（ソース電極）及び電極６（ドレイン電極）と、電極９、電極１、及び電極６間に配置された有機機能層としての有機トランジスタ層８と、電極９と電極１の間及び電極９と電極６の間に介在する絶縁層１０を有し、電極１と電極６の表面に、本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入輸送層２が形成されている。
　上記、有機トランジスタは、ゲート電極における電荷の蓄積を制御することにより、ソース電極－ドレイン電極間の電流を制御する機能を有する。

　図６は、本発明に係る有機電子デバイスの実施形態である有機トランジスタの別の層構成の一例を示す断面模式図である。
　この有機トランジスタは、基板７上に、電極９（ゲート電極）と、対向する電極１（ソース電極）及び電極６（ドレイン電極）と、電極９、電極１、及び電極６間に配置された有機機能層として本発明に係る金属酸化物クラスターを含有する正孔注入輸送層２を形成して有機トランジスタ層８とし、電極９と電極１の間、及び電極９と電極６の間に介在する絶縁層１０を有している。この例においては、正孔注入輸送層２が有機トランジスタ層８となっている。

　なお、本発明の有機電子デバイスの層構成は、上記例示に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
　以下、本発明に係る有機電子デバイスの各層について詳細に説明する。

（１）正孔注入層及び／又は正孔輸送層及び有機機能層
　本発明の有機電子デバイスに含まれる有機機能層は、少なくとも正孔注入層及び／又は正孔輸送層を含み、上述のように、有機機能層が多層の場合には、有機機能層は正孔注入層及び／又は正孔輸送層の他に、さらに有機電子デバイスの機能の中心となる層や当該機能層を補助する役割を担う補助層を含んでいるが、それらの機能層や補助層は後述する有機電子デバイスの具体例において詳細に述べる。

　本発明の有機電子デバイスにおける正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、少なくとも金属酸化物クラスターを含有するものである。本発明の有機電子デバイスにおける正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスターのみからなるものであってもよいが、さらに他の成分を含有していてもよい。中でも、さらに正孔輸送性材料を含有することが、駆動電圧の低下や素子寿命をさらに向上させる点から好ましい。

　さらに正孔輸送性材料を含有する場合に、本発明の有機電子デバイスにおける正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料を含有する混合層１層からなるものであってもよいし、当該混合層を含む複数層からなるものであってもよい。また、正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスターを含有する層と、正孔輸送性材料を含有する層とが少なくとも積層された複数層からなるものであってもよい。さらに、正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、金属酸化物クラスターを含有する層と、金属酸化物クラスター、並びに、正孔輸送性材料を少なくとも含有する層とが少なくとも積層された層からなるものであってもよい。

（正孔注入・輸送材料）
　本発明で用いられる金属酸化物クラスターは、周期律表の第５族、第６又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであって、ポリオキソメタレート（ＰＯＭ）であるアニオン性の金属酸化物クラスターであり、その一つ一つのクラスターは化学的に合成された巨大クラスター分子である。

　金属酸化物クラスターは、通常、金属酸化物のナノオーダー微粒子を含有するものである。ナノ微粒子とは、直径がｎｍ（ナノメートル）オーダー、すなわち１μｍ未満の粒子をいう。
　ここで、ＰＯＭとはオキソ酸からなるポリ酸構造である。ポリオキソメタレートは、一般的には下記式で表すことができる。
　　　[Ｘ_xＭ_yＯ_z]^n-
　ｘ＝０は、イソポリ酸であり、ｘ＝１、２、３、・・・は、ヘテロポリ酸である。Ｘは、主として、第１３～1５族から選ばれる少なくとも１種の元素かコバルトあるいは希土類から選ばれる少なくとも１種の元素であり、Ｍは、主として第５～１１族から選ばれる少なくとも１種の元素（ｙ＝１、２、３、・・・）であり、他にもランタノイド系、アクチノイド系のものも含まれる。例えば、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｔａ、Ａｌなどが挙げられ、ＸはＰ、Ａｓ、Ｓｉ、Ｂ、Ｃｏ、Ａｌなどが挙げられ、Ｘ、Ｍは、主として例示した金属元素から選ばれる。ｎは、ポリオキソメタレートでは自然数をとるといわれている。
　イソポリ酸の具体例は、[Mo₆O₁₉]^2-、[Mo₁₀O₃₂]^4-、ヘテロポリ酸としては、[PMo₁₂O₄₀]^3-、[BW₁₂O₄₀]^5-、[SbW₆O₂₄]^8- 、[SiV₂W₁₀O₄₀]^6-、[V₁₈O₄₄N₃]^n-、[PW_nMo_mO₄₀]^3-(n＋ｍ=12、n,mは0,1,2,3・・・)、[SiW_nMo_mO₄₀]^4-(n+m=12n,m=0,1,2,3・・・,[PV_nW_mO₄₀]^r-(n+m=1, n=1,2,3,4, r-n=3)、[PV_nMo_mO₄₀]^r-(n+m=12、n=1,2,3,4,r-n=3)などが挙げられる。通常のMoO₃などのモリブデン酸化物の組成式がMo^VI _nO_3nに対し、[Mo^VI ₆O₁₉]^2-などのポリ酸はMo_nO_3n+mと(m=1,2,3,…)同じ６価でも酸素が多く、アニオン状態に寄与している。これらのアニオンクラスターは通常対カチオンと共に水和物として存在しており、例えば、[BW₁₂O₄₀]^5-の場合は、K₅[BW₁₂O₄₀]・13H₂Oとして存在することが知られている。

　ＰＯＭの金属酸化物クラスターの構造として、ケギン型、ドーソン型、アンダーソン型などがある。これらのクラスター構造は、ＰＯＭが上記Ｍの遷移金属イオンに酸化物イオンが４－６配位できるので、四面体、四角錐、八面体などの多面体を基本単位とし、それらが積み重なって構成される。このように原子と構造の組み合わせから、非常に多くの分子構造が考えられ、さらにα、β、γ、σ体などの構造異性体も存在する。
　また、金属酸化物クラスターとして、どのＰＯＭでも還元反応により容易に混合原子価状態をとることができる。例えば、共存する有機物や無機物を酸化しながら、[PMo^VI ₁₂O₄₀]^3-は[PMo^VI ₁₁Mo^VO₄₀]^3-や[PMo^VI ₁₀Mo^V ₂O₄₀]^4-のように還元でき、分子内に異なる原子価を持つ構造をとることができる。例えば、ドナー性ゲスト分子（π電子化合物、2重結合や3重結合など不飽和結合をもつ有機分子、アミン、芳香族アミン、ピリジン誘導体、フェロセン、ヒドロキノンななど）により還元することができる。還元されたアニオンは一電子ごと安定に還元されるという特徴がある。

　本発明で用いることができる金属酸化物クラスターは、ポリオキソメタレートであり、上記一般式で表されるポリオキソメタレートが包含されているものであり、好ましくは、アニオン性の金属酸化物クラスターである上記一般式で表されるポリオキソメタレートが包含されているものである。本発明の金属酸化物クラスターの材料として、上記一般式で表わすことができ、例示される金属元素からなるＰＯＭは用いることができる。
　金属酸化物クラスターの構造として、本発明で用いることができるものには、ケギン型、ドーソン型、アンダーソン型などのものがある。また、本発明の金属酸化物クラスターとしては、上記の構造を組み合わせた、還元された混合原子価ポリオキソメタレートを用いることができる。還元されたアニオンは一電子ごと安定に還元されるという特徴があり、例えば、モリブデンであれば、モリブデン酸化物クラスターは通常のＭｏＯ₃などのモリブデン酸化物とは異なり、５価及び６価の価数状態のものが共存しているもので、混合原子価の状態をとることができる。

　混合原子価ポリオキソメタレートとして、例えば、本実施例で用いることができる金属酸化物クラスターとしてNa₁₅[Mo^VI ₁₂₆Mo^V ₂₈O₄₆₂H₁₄(H₂O)₇₀]_0.5[Mo^VI ₁₂₄Mo^V ₂₈O₄₅₇H₁₄(H₂O)₆₈]_0.5・400H₂Oが挙げられる。これは分子構造が複雑なために、簡便的な表記法として、分子内に含まれる遷移金属で代表してこの構造を｛Mo₁₅₄｝と表記する方法が一般に用いられる。その他の本発明に適用できる金属酸化物クラスターとして、球形状の｛Mo₁₃₂｝、リング形状｛Mo₁₄₂｝、｛Mo₁₅₄｝、｛Mo₁₇₆｝、ホイール形状の｛Mo₂₄₈｝、レモン形状の｛Mo₃₆₈｝が好適に用いられる。また、異なる金属元素からなる｛Mo₅₇V₆｝、｛Mo₅₇Fe₆｝も用いることができる。これらは前記の小さなＭｏ金属酸化物クラスターを化学反応で還元して合成し、５価と６価のMoを導入して結合させているので、構造的に安定で、取り込まれた５価のMoも安定に存在できる。異なる価数が安定に存在し、安定したアニオン状態を維持できるので寿命特性に優れた正孔注入層を形成することができる。
　一方で、通常のＭｏＯ₃のなどのモリブデン酸化物の場合はほとんどがMo^VIであり、組成式Ｍｏ_nＯ_3nとなる。しかし、ＭｏＯ₃の蒸着時やＭｏＯ₃を粉砕したスラリーによる層に５価のMo蒸着時の酸素欠損やスラリー形成時の物理的な粉砕により生じた粒子表面などに存在する酸素欠陥などによりMo_nO_3n-mになりＭｏ^Vも多少存在するかもしれない。しかし、ＭｏＯ₃で導入されるＭｏ^Vは酸素欠陥により生じるので、不均一であり不安定である。

　本発明では、特に、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）又は鉄（Ｆｅ）から選択される少なくとも１種類の金属元素からなる金属酸化物クラスターであるＰＯＭを挙げることができる。
　本発明に適用できる金属酸化物クラスターとして、具体的には、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）又は鉄（Ｆｅ）から選択される少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターであり、球形状の｛Mo₁₃₂｝、リング形状｛Mo₁₄₂｝、｛Mo₁₅₄｝、｛Mo₁₇₆｝、ホイール形状の｛Mo₂₄₈｝、レモン形状の｛Mo₃₆₈｝、又は｛Mo₁₁｝、｛Mo₁₂｝、｛W₁₀｝、｛W₁₂｝などの低分子の金属酸化物クラスターが好適に用いられる。また異なる原子からなる｛Mo₅₇V₆｝、｛Mo₅₇Fe₆｝、｛PMo₁₂｝、｛SiMo₁₂｝、｛PVMo₁₁]、｛PW₁₂｝、｛PV₂W₁₀｝なども用いることができる。
　本発明で用いられる金属酸化物クラスターのように多くのクラスターは対カチオンを含有することができ、対カチオンとしてはＨ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺を好適に用いられ、この他に、カチオン性有機物あるいはイオン性液体を用いることもできる。

　金属酸化物クラスターは正孔輸送性材料との相溶性や電荷輸送性の向上により、長寿命化に寄与する点から、金属酸化物クラスターを正孔輸送性材料と共存させて使用することが好ましい。また、これらにバインダーを添加することにより製膜性が向上し、インキの粘度を調整できるようにもなる。
　正孔輸送性材料としては、例えば、後述するように、例えば、芳香族アミン誘導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、アニリン誘導体などが挙げられる。
　本発明では、金属酸化物クラスターは溶媒に均一に溶解し、あるいは均一に分散又は混合して均一な流動性材料を形成可能なものであるので、正孔輸送性材料も同様に金属酸化物クラスターとともに、安定して均一に溶解あるいは均一に分散又は混合して流動性材料を形成するものを選択する又は均一な流動性材料を形成するように修飾したものを使用することが好ましい。例えば、金属酸化物クラスターがモリブデン酸化物クラスターの場合、水性溶媒に溶解することから、正孔輸送性材料も水性溶媒に溶解するようなものが特に好ましく、具体的には、Ｎ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミンや、ポリアニリンやポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（略称ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、スタルク社製、商品名；Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　ＡＩ４０８３、水溶液として市販）なども使用することができる。

　本発明で用いられる金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料との含有比率は、適宜選択され、特に限定されないが、金属酸化物クラスター１００重量部に対して、正孔輸送性材料が１～１００００重量部であることが好ましい。

　本発明の金属酸化物クラスターの平均粒子径は、特に限定されるものではなく、例えば０.５ｎｍ～９９９ｎｍの範囲内であるが、０.５ｎｍ～５０ｎｍの範囲内、中でも０.５ｎｍ～２０ｎｍの範囲内、特に１ｎｍ～１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。一方、平均粒子径が大きすぎると、単位重量当たりの表面積（比表面積）が小さくなり、所望のデバイスの効果が得られない可能性があるとともに、さらに形成した薄膜の表面粗さにも影響し、ショートが多発する恐れがある。
　平均粒子径を表す方法としては、多くの表記方法があるが、本発明で用いられる巨大分子の金属酸化物クラスターの平均粒子径は、凝集することもあり、体積平均や重量平均による表記では、凝集状態の影響を受け、大きく変動する可能性があることから、個数平均粒子径を用いて表記することとした。

　本発明で用いられる金属酸化物クラスターの製造方法は、上述した金属酸化物クラスターを得ることができる方法であれば、特に限定されるものではない。例えば、液相法などが挙げられる。

　本発明で金属酸化物クラスターとともに用いられる正孔輸送性材料は、正孔輸送性を有する化合物であれば、適宜用いることができる。ここで、正孔輸送性とは、公知の光電流法により、正孔輸送による過電流が観測されることを意味する。
　正孔輸送性材料としては、特に限定されることなく、低分子化合物としては、例えばアリールアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スピロ化合物などを挙げることができる。
　また、高分子化合物としては、例えばアリールアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、アニリン誘導体、スピロ化合物などを繰り返し単位に含む重合体を挙げることができる。
　これらの正孔輸送性高分子化合物は単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。
　正孔輸送性高分子化合物としては、中でも、隣接する有機機能層との密着安定性が良好になりやすく、ＨＯＭＯエネルギー値が陽極基板と発光層材料の間である材料を選択することが好ましい。
　本発明の正孔輸送性材料としては、低分子化合物の他、高分子化合物も好適に用いることができるが、本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層においては、塗布法により安定な膜を形成することを目的として、正孔輸送性材料としては有機溶媒、水あるいは水性溶媒に溶解しやすく且つ化合物が凝集し難い、安定な塗膜が形成できるポリチオフェン系化合物、ポリアニリン系、芳香族アミン系化合物を用いることが好ましい。

　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層において正孔輸送性材料が用いられる場合には、上記正孔輸送性材料が、金属酸化物クラスターと溶解、均一分散する親和性を有することにより金属酸化物クラスターを含む層と同じ層か又は隣接する層に含むことができる正孔輸送性材料と金属酸化物クラスターの相溶性や密着性が向上する。これにより金属酸化物クラスターの分散安定性が高まり、製膜した際や長時間の発光デバイスの駆動による、金属酸化物クラスター同士の凝集や相分離を防止し、長寿命を有する電子デバイスを得ることができる。

　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層において、正孔輸送性材料が用いられる場合には、正孔輸送性材料の含有量は、金属酸化物クラスター１００重量部に対して、1～１００００重量部であることが、正孔注入・輸送性を高くし、且つ、形成される膜の安定性が高く、長寿命を達成することができることから好ましい。
　正孔注入層及び／又は正孔輸送層において、正孔輸送性材料の含有量が少なすぎると、正孔輸送性材料を混合した相乗効果が得られ難い。一方、正孔輸送性材料の含有量が多すぎると、金属酸化物クラスターを用いる効果が得られ難くなる。

(添加材)
　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、本発明の効果を損なわない限り、バインダー樹脂や硬化性樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を含んでいてもよい。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリエステルなどが挙げられる。また、熱又は光などにより硬化するバインダー樹脂を含有していてもよい。熱又は光などにより硬化する材料としては、上記正孔輸送性材料において分子内に硬化性の官能基が導入されたもの、あるいは、硬化性樹脂などを使用することができる。具体的に、硬化性の官能基としては、アクリロイル基やメタクリロイル基などのアクリル系の官能基、又はビニレン基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂であっても光硬化性樹脂であってもよく、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、シランカップリング剤などを挙げることができる。
　さらにバインダーとして、従来有機ＥＬ素子で用いられてきた正孔注入材料あるいは正孔輸送性材料を用いることもできる。これらのバインダーを添加することにより製膜性が向上し、インキの粘度を調整できるようになる。具体的にはポリアニリンやポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホネート（略称ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、スタルク社製、商品名；Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　ＡＩ４０８３、水溶液として市販）なども使用することができる。

　上記正孔注入層及び／又は正孔輸送層の膜厚は、目的や隣接する層により適宜決定することができるが、通常０.１～１０００ｎｍ、好ましくは１～５００ｎｍである。
　また、上記正孔注入層及び／又は正孔輸送層の仕事関数は５.０～６.０ｅＶ、さらに５.０～５.８ｅＶであることが、正孔注入効率の点から好ましい。

　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、塗布法で形成することが可能である。本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、少なくとも金属酸化物クラスターが均一に溶解、あるいは均一に分散あるいは混合することからなる流動性材料を用いて、塗布法等により形成する。
　また、正孔輸送性材料が含まれる正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する場合、金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料を、双方が均一に溶解、あるいは均一に分散又は混合することからなる流動性材料を調製して、塗布法により形成する。
　この場合、金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料の双方が溶媒に均一に溶解、あるいは均一に分散又は混合することからなる流動性材料とすることで金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料が正孔注入層及び／又は正孔輸送層中に安定でかつ均一に存在しやすくなるため、正孔輸送性及び膜の経時安定性に優れた正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成できる。このような正孔注入層及び／又は正孔輸送層は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する際に用いた溶媒に不溶になる傾向があり、当該正孔注入層及び／又は正孔輸送層の上層に該当する有機機能層を形成する場合も、当該正孔注入層及び／又は正孔輸送層を溶出させることなく塗布法を用いることができる可能性が広がる。なお、塗布法及び蒸着法は、下記、有機電子デバイスの製造方法において説明する。

（２）基板
　基板は、本発明の有機電子デバイスの支持体になるものであり、例えば、フレキシブルな材質であっても硬質な材質であってもよい。具体的に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネートなどを挙げることができる。これらのうち、合成樹脂製の基板を使用する場合には、ガスバリア性を有することが望ましい。基板の厚さは特に限定されないが、通常、０.５～２.０ｍｍ程度である。

（３）電極
　本発明の有機電子デバイスは、基板上に対向する２つ以上の電極を有する。
　本発明の有機電子デバイスにおいて、電極は、金属又は金属酸化物で形成されることが好ましく、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金などの金属、インジウム及び／又はスズの酸化物などの金属酸化物により形成することができる。

（陰極電極）
　陰極電極６は、有機電子デバイスにおいて、例えば、有機ＥＬ素子では、発光層５に電子を注入するよう作用する上記電極材料を用いることができ、更には仕事関数が４.２ｅＶ以上の安定な金属を用いることができるが、発光層５で発光した光を陰極側から取り出す場合には、陰極電極６を透明な材料で形成する必要がある。
　有機太陽電池では、導電性材料であれば特に限定されないことから、有機ＥＬ素子における陰極と同様の導電性材料を用いることができる。基板を受光面とした場合には、上記第１電極が透明電極となり、このような場合には、第２電極は透明でなくてもよい。第１電極を仕事関数が高い電極を用いた場合、従来、第２電極は、仕事関数が低い材料を用いられている。
　有機トランジスタでも、導電性材料であれば特に限定されないことから、有機ＥＬ素子における陰極と同様の導電性材料を用いることができるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏ（ＩＴＯ）及び炭素が好ましい。

（陽極電極）
　陽極電極１は、有機電子デバイスにおいて、例えば、有機ＥＬ素子では、基板７の発光層側に設けられている場合は、発光層５に正孔を注入するよう作用する電極材料を用いることができ、更には仕事関数の大きい導電性材料を用いるのが好ましく、特に、仕事関数が４.２ｅＶ以上の金属の少なくとも１種、又はこれらの金属の合金、又は導電性無機酸化物からなる群に含まれる物質の少なくとも１種により陽極電極１が形成されることが好ましい。
　発光層５で発光した光を陰極側から取り出す場合には、陽極電極１を透明な材料で形成する必要がある。例えば、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏなどの金属、又はこれらの酸化物や合金など、或いは、これら金属材料の積層構造を挙げることができる。さらに、ＩＴＯ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ－Ａｌ、Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏなどの導電性無機酸化物、α－Ｓｉ、α－ＳｉＣなどを用いることができる。更に、前述の陰極に好適に用いられるような、湿式製膜法を用いて形成可能な溶融金属や金属微粒子、導電性高分子を用いることもできる。

　有機太陽電池では、導電性材料であれば特に限定されないことから、有機ＥＬ素子における陰極と同様の導電性材料を用いることができる。光の照射方向、第２電極を形成する材料の仕事関数などを考慮して適宜選択することが好ましい。基板を受光面とした場合には、第１電極を透明電極とすることが好ましく、この場合、一般的に透明電極として使用されているものを用いることができる。具体的には、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ（ＩＺＯ）、ＩＴＯ、ＺｎＯ－Ａｌ、Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏなどを挙げることができる。
　有機トランジスタでも、導電性材料であれば特に限定されないことから、有機ＥＬ素子における陰極と同様の導電性材料を用いることができるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ及び炭素が好ましい。

　本発明においては、電極と電荷注入材料との密着安定性を向上させるために、さらに金属層を有していてもよい。金属層は金属が含まれる層をいい、上述のような電極に用いられる金属や金属酸化物から形成される。
　電極の厚さは、各々の電極に要求される透明性などにより異なる。透明性が必要な場合には、電極の可視光波長領域の光透過率が、通常、６０％以上、好ましくは８０％以上となることが望ましく、この場合の厚さは、通常１０～１０００ｎｍ、好ましくは２０～５００ｎｍ程度である。

　電極は、通常、基板上にスパッタリング法、真空蒸着法などの方法により形成されることが多いが、スピンコート法やディッピング法などの塗布法により形成することもできる。
　通常、有機ＥＬ素子では、電極を形成するのに用いられる金属又は金属酸化物、さらには仕事関数が４.２ｅＶ以上の安定な金属を用いて真空蒸着法により形成してもよいが、塗布法により好適に形成することが可能である。陰極電極６を塗布法により形成する場合には、真空蒸着法に比べて大掛かりな蒸着装置が不要で、作製プロセスの簡便化が期待でき、材料の利用効率も高く、コストが安価で基材の大面積化が可能になり、好ましい。
　陽極電極は、前述の陰極に好適に用いられるような、塗布法を用いて形成可能な溶融金属や金属微粒子、導電性高分子を用いる場合には、塗布法を用いて形成することができる。それ以外の金属などを用いる場合には、陽極電極１は、スパッタリング法、真空加熱蒸着法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法などのドライプロセスを用いて形成することができる。

　以上のように、本発明の有機発光デバイスの電極を形成することができるが、これらの中でも、陽極電極と陰極電極の少なくとも一方が塗布法によって製膜されていることが、上記塗布法のメリットを享受できることから好ましい。さらに好ましくは陰極電極が、塗布法によって製膜されていることが、真空装置を必要とせず、製造プロセスの点から好ましい。

（４）その他
　本発明の有機電子デバイスは、必要に応じて、電子注入電極と有機機能層の間に、従来公知の電子注入層及び／又は電子輸送層を有していてもよい。

２．有機ＥＬ素子
　本発明の有機電子デバイスの一実施形態として、有機機能層が少なくとも本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層及び発光層を含む、有機ＥＬ素子が挙げられる。
　以下、有機ＥＬ素子を構成する各層について、図２～４を用いて順に説明する。

（基板）
　基板７は、有機ＥＬ素子の支持体になるものであり、例えば、フレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的には、例えば、上記有機電子デバイスの基板の説明において挙げたものを用いることができる。
　発光層５で発光した光が基板７側を透過して取り出される場合においては、少なくともその基板７が透明な材質である必要がある。

（陽極、陰極）
　電極１及び電極６は、発光層５で発光した光の取り出し方向により、どちらの電極に透明性が要求されるかが決まり、基板７側から光を取り出す場合は、電極１を透明な材料で形成する必要があり、また電極６側から光を取り出す場合は、電極６を透明な材料で形成する必要がある。基板７の発光層側に設けられている電極１は、発光層に正孔を注入する陽極として作用し、基板７の発光層側に設けられている電極６は、発光層５に電子を注入する陰極として作用する。
　本発明において、陽極及び陰極は、上記有機電子デバイスの電極の説明において列挙した金属又は金属酸化物を用いて形成することができる。有機ＥＬ素子の光を取り出す側の電極は透明電極であることが求められることから、ＩＴＯが通常用いられている。

（正孔注入層、及び正孔輸送層）　正孔注入層２、正孔輸送層４ａ、及び正孔輸送層４ｂは、図２～４に示すように、発光層５と電極１（陽極）の間に適宜形成される。図２のように、本発明に係る正孔注入層２の上にさらに正孔輸送層４ａを積層し、その上に発光層を積層してもよいし、図３のように、正孔注入層２の上にさらに本発明に係る正孔輸送層４ｂを積層し、その上に発光層を積層してもよいし、図４のように、電極１の上に、本発明に係る正孔注入層２及び／又は正孔輸送層を積層しその上に発光層を積層してもよい。

　図２のように、本発明に係る金属酸化物クラスターを含む正孔注入層２の上にさらに正孔輸送層４ａを積層する場合に、正孔輸送層４ａに用いられる正孔輸送性材料は特に限定されない。
　本発明に係る正孔注入層において説明した金属酸化物クラスターが正孔輸送性材料とともに用いられる場合は、同じ正孔輸送性材料を正孔輸送層４ａに用いることが好ましい。隣接する本発明に係る正孔注入層２に用いられている正孔輸送性材料と同じ材料を用いることにより、正孔注入層と正孔輸送層の界面の密着安定性を向上させ、長駆動寿命化に寄与する点から好ましい。
　正孔輸送層４ａは、通常使用されている正孔輸送性材料を用いて、後述の発光層と同様な方法で形成することができる。正孔輸送層４ａの膜厚は、通常０.１～１μｍ、好ましくは１～５００ｎｍである。

　図３のように、本発明に係る金属酸化物クラスターを含む正孔注入層２の上にさらに本発明に係る金属酸化物クラスターを含む正孔輸送層４ｂを積層する場合に、正孔輸送層４ｂに用いられる正孔輸送性材料は、特に限定されず、従来公知の化合物を用いることができる。
　正孔輸送層４ｂは、本発明に係る金属酸化物クラスターを含む正孔注入層と同様に金属酸化物クラスターと正孔輸送性材料を用いて、正孔注入層と同様な方法で形成することができる。この正孔輸送層は、陽極電極から正孔の注入を安定化するか、注入された正孔を発光層内に安定的に輸送することができる層である。正孔輸送層４ｂの膜厚は、正孔注入効率の点から、通常１ｎｍ～１μｍ、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　さらに、正孔注入特性を考慮すると、電極１側から有機機能層である発光層５に向かって各層の仕事関数（ＨＯＭＯ）の値が階段状に大きくなるような正孔注入材料及び正孔輸送性材料を選択して、各界面での正孔注入のエネルギー障壁をできるだけ小さくし、電極１と発光層５の間の大きな正孔注入のエネルギー障壁を補完することが好ましい。
　具体的には、例えば、電極１にＩＴＯ（ＵＶオゾン洗浄直後の仕事関数５.０ｅＶ）を用い、発光層５にＣＢＰ（ＨＯＭＯ５.９ｅＶ）を用いた場合、電極１（ＵＶオゾン洗浄直後の仕事関数５.０ｅＶ）と発光層５（例えばＨＯＭＯ５.９ｅＶ）の間の正孔注入の大きなエネルギー障壁を、ＨＯＭＯの値が階段状になるように補完可能で、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を構成する材料としてＴＦＢ（仕事関数５.４ｅＶ）と金属酸化物クラスター（仕事関数５.０～５.７ｅＶ）の混合物というように選択して、電極１側から発光層５に向かって各層の仕事関数の値が順に大きくなるような層構成をとるように配置することが好ましく、そうすることにより正孔注入効率に非常に優れた正孔注入層及び／又は正孔輸送層が得られる。
　なお、上記仕事関数又はＨＯＭＯの値は、光電子分光装置ＡＣ－１（理研計器製）を使用した光電子分光法の測定値より引用したものである。

（発光層）
　発光層５は、図２～図４に示すように、電極１が形成された基板７と電極６との間に、発光材料により形成される。
　本発明の発光層に用いられる材料としては、通常、発光材料として用いられている材料であれば特に限定されず、蛍光材料及びリン光材料のいずれも用いることができる。具体的には、色素系発光材料、金属錯体系発光材料、高分子系発光材料などの材料を挙げることができる。特に、本発明の目的である製造方法の簡易化、コストの低減などの観点を考慮して塗布法を採用できる発光材料を選択することが好ましい。

（色素系発光材料の具体例）
　色素系発光材料としては、有機色素系化合物誘導体を通常に用いることができる。例えば、トリフェニルアミン誘導体としてはＮ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）、４，４，４－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、アリールアミン類としてはビス（Ｎ－（１－ナフチル－Ｎ－フェニル）ベンジジン）（α－ＮＰＤ）、オキサジアゾール誘導体としては（２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、アントラセン誘導体としては９，１０－ジ－２－ナフチルアントラセン（ＤＮＡ）、カルバゾール誘導体としては４，４－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾール－ビフェニル（ＣＢＰ）、１，４－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）フェナントロリン類の具体例としては、バソキュプロイン、バソフェナントロリンなどが挙げられる。これらの２量体、３量体やオリゴマー、２種類以上の誘導体の化合物も用いることができる。これらの材料は単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。

（金属錯体系発光材料の具体例）
　金属錯体系発光材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、あるいは中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅなど又は、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダール、キノリン構造などを有する金属錯体を挙げることができる。
　具体的には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）、ビス（２－メチル－８－キノリラト）(ｐ－フェニルフェノラート)アルミニウム錯体（ＢＡｌｑ）、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ）を挙げることができる。これらの材料は単独で用いてもよく２種以上を併用してもよい。

（高分子系発光材料）
　高分子系発光材料としては、分子内に上記低分子系材料を分子内に直鎖あるいは側鎖あるいは官能基として導入されたもの、重合体及びデンドリマーなどを使用することができる。
　例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレノン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、及びそれらの共重合体などを挙げることができる。

（ドーパントの具体例）
　上記発光層中には、発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的でドーピング材料を添加してもよい。高分子系材料の場合は、これらを分子構造の中に発光基として含んでいてもよい。このようなドーピング材料としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクドリン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
　具体的には、１－ｔｅｒｔ－ブチル―ペリレン（ＴＢＰ）、クマリン６、ナイルレッド、１，４－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ベンゼン（ＤＰＶＢｉ）、１，１，４，４－テトラフェニル－１，３－ブタジエン（ＴＰＢ）などを挙げることができる。これらの材料は単独又は２種以上を併用してもよい。
　また、リン光系のドーパントとして、白金やイリジウムなどの重金属イオンを中心に有し、燐光を示す有機金属錯体が使用可能である。具体的には、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃、（ｐｐｙ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＢＱ）₃、（ＢＱ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＴＨＰ）₃、（ＴＨＰ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＢＯ）₃、（ＢＯ）₂（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＢＴ）₃、（ＢＴ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＢＴＰ）₃、（ＢＴＰ）₂Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒ₆、ＰｔＯＥＰなどを用いることができる。これらの材料は単独又は２種以上を併用してもよい。

　発光層の形成方法は、高精細なパターニングが可能な方法であれば特に限定されず、発光材料を用いて、塗布法、蒸着法又は転写法により形成することができる。
　塗布法は、後述の有機電子デバイスの製造方法において説明するのと同様の方法を用いることができる。
　蒸着法は、例えば、真空蒸着法の場合には、発光層の材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、発光層の材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた基板７、電極１、正孔注入層２及び／又は正孔輸送層、及び正孔輸送層４ａの積層体の上に発光層５を形成させる。
　転写法は、例えば、予めフィルム上に塗布法又は蒸着法で形成した発光層を電極上に設けた正孔注入層２及び／又は正孔輸送層に貼り合わせ、加熱により発光層５を正孔注入層２及び／又は正孔輸送層上に転写することにより形成される。また、フィルム、発光層５、正孔注入層２及び／又は正孔輸送層の順に積層された積層体の正孔注入層及び／又は正孔輸送層側を、電極上に転写してもよい。
　本発明は、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を塗布法で形成することが好適であるため、発光層も塗布法で形成することは、さらにプロセスコストを下げることができるという利点がある。
　発光層の膜厚は、電子と正孔の再結合の歯を提供して発光する機能を発現することができる厚さであれば特に限定されず、通常、１～５００ｎｍ、好ましくは２０～２００ｎｍ程度とすることができる。

３．有機トランジスタ
　本発明に係る有機電子デバイスの別の実施形態として、有機トランジスタが挙げられる。以下、有機トランジスタを構成する各層について、図５及び図６を用いて説明する。
　図５に示されるような本発明の有機トランジスタは、電極１（ソース電極）と電極６（ドレイン電極）の表面に正孔注入輸送層２が形成されているため、それぞれの電極と有機トランジスタ層との間の正孔注入輸送能力が高くなり、且つ本発明の正孔注入輸送層の膜安定性が高いため、長駆動寿命化に寄与する。
　本発明の有機トランジスタは、図６に示されるような、本発明の正孔注入輸送層２が有機トランジスタ層８として機能するものであってもよい。
　また、本発明の有機トランジスタは、図５に示されるように電極１（ソース電極）と電極６（ドレイン電極）の表面に正孔注入輸送層２を形成し、さらに、有機トランジスタ層８として電極表面に形成した正孔注入輸送層とは材料が異なる本発明の正孔注入輸送層２を形成してもよい。

　図５に示されるような有機トランジスタを形成する場合、有機トランジスタ層を形成する材料として、ドナー性（ｐ型）の、低分子あるいは高分子の有機トランジスタ材料が使用できる。
　上記有機トランジスタ材料としては、通常、有機トランジスタに用いられている有機材料、例えば、ポルフィリン誘導体としては、例えば、フタロシアニンや銅フタロシアニンなどの金属フタロシアニンを挙げることができ、アリールアミン誘導体としては、例えば、ｍ－ＴＤＡＴＡを用いることができ、ポリアセン誘導体としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、ペンタセンを用いることができる。また、その他、ペリレン誘導体、ルブレン誘導体、コロネン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリフルオレン誘導体、などの多くの誘導体も用いることができる。また、これらポルフィリン誘導体やトリフェニルアミン誘導体などにルイス酸や四フッ化テトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、バナジウムやモリブデンなど無機の酸化物などを混合し、導電性を高くした層を用いることもできる。

　図５に示されるような、本発明の正孔注入輸送層を含む有機トランジスタを形成する場合であっても、有機トランジスタ層８を構成する化合物としては、本発明の正孔注入輸送層に用いられる正孔輸送性材料、中でも正孔輸送性高分子化合物を用いることが、本発明の正孔注入輸送層２と有機トランジスタ層８の界面の密着安定性を向上させ、長寿命化に寄与する点から好ましい。

　有機トランジスタ層のキャリア移動度は１０^-6ｃｍ/Ｖｓ以上であることが、特に有機トランジスタに対しては１０^-3ｃｍ/Ｖｓ以上であることが、トランジスタ特性の点から好ましい。
　また、有機トランジスタ層は、上記有機ＥＬ素子の発光層と同様に、塗布法又はドライプロセスにより形成することが可能である。

　基板、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極と、絶縁層については、特に限定されず、例えば、以下のような材料を用いて形成することができる。
　基板７は、本発明の有機電子デバイスの支持体になるものであり、例えば、フレキシブルな材質であっても、硬質な材質であってもよい。具体的には、上記有機ＥＬ素子の基板と同様のものを用いることができる。
　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極としては、導電性材料であれば特に限定されないが、本発明に係る電荷輸送材料を用いて金属イオンが配位している化合物が吸着してなる正孔注入輸送層２を形成する点からは、金属又は金属酸化物であることが好ましい。具体的には、上述の有機ＥＬ素子における電極と同様の金属又は金属酸化物を用いることができるが、特に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ及び炭素が好ましい。

　ゲート電極を絶縁する絶縁層には、通常用いられている種々の絶縁材料を用いることができ、無機酸化物でも有機化合物でも用いることが出来るが、特に、比誘電率の高い無機酸化物が好ましい。無機酸化物としては、特に、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンが好ましく用いられる。窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの無機窒化物も好適に用いることができる。

　有機化合物としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、及びシアノエチルプルラン、ポリマー体、エラストマー体を含むホスファゼン化合物などを用いることができる。

４．有機電子デバイスの製造方法
　本発明の有機電子デバイスの製造方法は、基板上に対向する２つ以上の電極と、２つの電極間に配置され、少なくとも正孔注入層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスの製造方法であって、電極上のいずれかの層上に、化学的に合成された周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、その金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートである材料を用いて正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する工程、すなわち、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む、ポリオキソメタレートからなる金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層を、前記金属酸化物クラスター単独、又はさらに芳香族アミン系化合物などの正孔輸送性材料を均一混合した流動性材料を層状に形成する工程を含むことを特徴とする。

　本発明に係る有機電子デバイスの製造方法は、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、その金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートである材料を用いて正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する工程を含み、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、その金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートである材料を、均一に溶解、あるいは均一に分散又は混合した流動性材料を調製し、陽電極上に該金属酸化物クラスターを含有する薄膜を形成し、正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成するものである。
　正孔注入層及び／又は正孔輸送層の形成の際に、蒸着装置が不要でマスク蒸着などを用いることなく蒸着以外の手段で層形成ができ、生産性が高く、また、電極と正孔注入層及び／又は正孔輸送層の界面、及び正孔注入層及び／又は正孔輸送層と有機機能層界面の密着安定性が高い有機電子デバイスを形成できる。

　正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する工程は、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有し、その金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートである材料、及び必要に応じて正孔輸送性材料、さらに必要に応じて正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、溶媒を用いるか用いずに、均一に溶解、あるいは均一に分散又は混合した流動性材料を調製し、当該流動性材料を下地となる電極又は層上に塗布し、薄膜状に加熱乾燥して正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成することである。
　正孔注入層及び／又は正孔輸送層を塗布法により形成することにより、塗布法のメリットを享受することができる。すなわち、正孔注入層及び／又は正孔輸送層の形成の際に、蒸着装置が不要でマスク蒸着などを用いることなく、塗り分けが可能であり、生産性が高く、また、電極と正孔注入層及び／又は正孔輸送層の界面、及び正孔注入層及び／又は正孔輸送層と有機機能層界面の密着安定性が高い有機電子デバイスを形成できる。

　塗布法とは、採用する具体的な塗布方法として、材料の溶融流体、溶液、あるいは材料が均一に分散又は混合した流動性材料を塗布する際に使用する方法、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ロールコート法、キャスト法、バーコート法、ブレードコート法、スプレーコート法、ダイコート法などの一般的な塗布法のみに限定するものではなく、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法、例えば、グラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット法なども包含するものであり、単分子膜を形成したい場合には、浸漬法、ディッピング法が用いられる。
　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層の形成においては、スピンコート法、インクジェット法を用いることが好ましい。
　ここで、流動性材料とは、通常の液体、固体の材料を包括する材料であり、より具体的には、溶融物、溶液、分散液などの液状材料の単一材料又は混合材料、及び粉体、流体、微粒子又は凝集体などの粒状材料の単一材料又は混合材料を含むものである。
　本発明の流動性材料としては、溶媒に溶解したものが好ましく用いられ、水性媒体に溶解した水性溶液が好ましい。

　流動性材料を調製するため用いる溶媒としては、金属酸化物クラスターと、必要に応じて正孔輸送性材料などのその他成分とが良好に溶解又は分散すれば特に限定されないが、例えば、水、アルコール系媒体のような水性媒体、トルエン、キシレン、ドデシルベンゼン、シクロヘキサノン、シクロヘキサノール、テトラリン、メシチレン、アニソール、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジクロロエタン、クロロホルム、安息香酸エチル、安息香酸ブチルなどの有機溶媒、あるいは水性溶媒と有機溶媒の混合溶媒を使用することもできる。
　本発明では、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターは、溶媒に溶解する化学的に合成した金属酸化物クラスターを好適に用いることから、金属酸化物クラスターを含む流動性材料を調製するため用いる溶媒としては、環境に悪い影響を及ぼすことのない水又は／及びアルコール系媒体のような水性媒体を用いることが、特に好ましい。

　本発明の有機電子デバイスの製造方法においては、本発明の金属酸化物クラスターを含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層に添加されている正孔輸送性材料として、当該技術分野において通常に採用されている芳香族アミン系化合物を用いることができる。
　正孔注入・輸送材料として用いられる本発明の金属酸化物クラスターの優れた性質である水性媒体を含む溶媒への溶解性を活用し、かつ金属酸化物クラスターの正孔注入・輸送性を維持又は向上させるため、正孔輸送性材料として用いられる芳香族アミン系化合物は、水性媒体に溶解可能なもの又は水酸基、カルボキシル基といた官能基を修飾することにより水性媒体に溶解可能に変性したものなど、金属酸化物クラスターとともに溶媒に均一に溶解、あるいは均一に分散されることにより、均一な流動性材料が調製可能となり、簡易な層形成手段である塗布法を用いて本発明の金属酸化物クラスターを含有する均一な層を形成することを可能とした。
　また、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１つ以上の金属原子を含むポリオキソメタレートである金属酸化物クラスター及び水性媒体などの溶媒に金属酸化物クラスターとともに可溶な芳香族アミン系化合物を含有する正孔注入層及び／又は正孔輸送層とすることにより、隣接する有機機能層との密着性を保持し、適宜正孔注入・輸送性を改善させることも、膜強度を向上させることも可能である。

　有機電子デバイスの製造方法における、その他の工程については、従来公知の工程を適宜用いることができる。

　以下、金属酸化物クラスターとして、市販されている比較的低分子の金属酸化物クラスター及び入手できない下記合成例のような高分子量の金属酸化物クラスター、より具体的には、周期律表第VI属の遷移金属元素であるモリブデン元素、タングステン元素、第V属のバナジウム元素を含む金属酸化物クラスターを正孔注入層に用いた実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。これらの記載により本発明を制限するものではない。
　実施例及び比較例において作製した有機ＥＬ素子、有機ダイオードについて、膜厚、クラスターの粒径及び金属元素の価数、電流効率と駆動電圧特性、（交流－直流変換特性、）寿命特性、及びＩＲ分析の測定・評価を下記の方法により行った。

　[評価方法]
（１）膜厚の測定
　本発明の有機電子デバイスを構成する各層の膜厚は、実際に製造した有機電子デバイスを分解して実測したのではなく、特に記載がない限り、各有機電子デバイスを構成する各層を形成するために用いた薄膜形成条件と同じ条件で、洗浄済みのＩＴＯ付きガラス基板（三容真空社製）上へ各層を単独で形成し、作製した薄膜とＩＴＯ表面との段差を測定することによって有機電子デバイスの各構成層の膜厚とした。
　膜厚測定には、プローブ顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製、Nanopics 1000）を採用した。

（２）粒子径の測定
　本発明の金属酸化物クラスターの粒子径は、動的光散乱法により体積平均粒子径及び個数平均粒子径を測定した。測定には動的光散乱測定装置（日機装(株)製、ナノトラック粒度分布測定装置UPA－EX150）を用いた。測定試料として、酸化モリブデンクラスターを蒸留水に溶解させた溶液（濃度：４.６ｍｇ／ｍｌ）を用いた。試料は蒸留水に０.４重量％溶解させ、超音波で１時間溶解させた後に８０度水浴で１０分、さらに超音波で１時間溶解させ、０.２μｍフィルターでろ過した溶液を測定した。

（３）価数の測定
　金属錯体から合成された有機－無機複合酸化物中の金属の異なる酸化数の比率を調べるために、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定して比較した。測定には、Ｘ線光電子分光測定装置（Theta－Probe、サーモフィッシャーサイエンティフィック(株)）を用い、Ｘ線源：Monochromated Al Kα（単色化Ｘ線）、Ｘ線照射領域（＝測定領域）：４００μｍφ、Ｘ線出力：１００Ｗ、レンズモード：Standard、光電子取り込み角度：５３°（但し、試料法線を０°とした場合）、帯電中和：電子中和銃（＋６Ｖ、０.０５ｍＡ）、低加速Ａｒ⁺イオン照射条件で測定した。

（４）有機ＥＬ素子の電流効率と駆動電圧
　実施例において作製された有機ＥＬ素子の電流効率と駆動電圧を評価した。一定の電流密度１０ｍＡ／ｃｍ²で有機ＥＬ素子を駆動させたときの駆動電圧を測定し、発光時の輝度はトプコン社製分光放射計ＳＲ－２を用いて測定した。得られた結果をもとに、発光効率（ｃｄ／Ａ）を発光面積と電流密度と輝度から算出した。

（５）有機ＥＬ素子の寿命測定
　実施例において作製された有機ＥＬ素子の輝度半減時間を測定した。初期輝度２０，０００（ｃｄ／ｍ²）で駆動させた時の電流密度を一定に保持して輝度の減衰を記録し、輝度が半減する時間を測定した。

（６）ＩＲ分析方法
　金属酸化物クラスターが合成できていることについては、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲ法）とラマン分光法により確認した。
　ＦＴ－ＩＲ法による分析には、ＶＡＲＩＡＮ社製ＦＴ－ＩＲ装置（ＦＴＳ６０００）を用い、ＫＢｒ法で測定した。ＦＴ－ＩＲ法にて、各波長における強度分布を測定することにより金属酸化物クラスターを構成する元素の種類と結合状態（原子団；部分構造）及びその量を分析した。
　ラマン分光法には、ＨＯＲＩＢＡ社製レーザラマン分光装置ＬａｂＲＡＭ　ＨＲ－８００Ｌを用いた。５１４ｎｍレーザーを用い、グレーティングが１８００本、積算回数１０回の条件で測定し、吸収波数を観察し、構成する金属元素の種類、金属元素と酸素の結合を分析した。

（７）仕事関数の測定
　本発明の正孔注入層の仕事関数については、光電子分光装置ＡＣ－１を用いて光電子が放出されるエネルギー値を測定し、仕事関数を決定した。

合成例１
[水溶性Ｍｏ１５４クラスター１の合成方法]
　１００ｍＬナス型フラスコに磁気撹拌子を入れ、モリブデン（VI）酸二ナトリウム二水和物（３.０４ｇ）、蒸留水（２５ｍＬ）、３５％塩酸（２.４７ｍＬ）を加えた。ついで亜ジチオン酸ナトリウム（０.１５ｇ）を加え、室温で２４時間撹拌した。その後、５日間静置し、析出した濃青色の固体をろ過し、冷水で洗浄した。濃青色油状物をサンプル瓶に移し、デシケーター内で乾燥させ濃青色固体の水溶性のモリブデン酸化物クラスター（以下、簡略化して「Ｍｏクラスター１」という）（１.４６ｇ）を得た。
　Ｍｏクラスター１が合成できていることは、フーリエ変換赤外分光法（ＦＴ－ＩＲ法）とラマン分光法により確認した。
　ＦＴ－ＩＲ法には、ＶＡＲＩＡＮ社製ＦＴ－ＩＲ装置（ＦＴＳ６０００）を用い、ＫＢｒ法で測定した。ＦＴ－ＩＲ法にて、各波長における強度分布を測定することによりモリブデン酸化物クラスターを構成する元素の種類と結合状態（原子団；部分構造）及びその量を分析した。
　その結果、波数：νｃｍ^-1，１６１７、９７４、９１２、８２０、７４７、６３２、５５７に吸収が観測された。吸収のある波数の値は非特許文献１に示されている水溶性Ｍｏ１５４クラスターに特徴的な吸収波数と一致した。
　ラマン分光法には、ＨＯＲＩＢＡ社製レーザラマン分光装置ＬａｂＲＡＭ　ＨＲ－８００Ｌを用いた。５１４ｎｍレーザーを用い、グレーティングが１８００本、積算回数１０回の条件で測定した。
　その結果、下記の波数に吸収が観察され、モリブデンと酸素の結合があることが確認された。ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　Ｒａｍａｎ　ｂａｎｄｓ（ｓｏｌｉｄ；λｅ＝　５１４ｎｍ）：ν（ｃｍ^-1）＝９９７，８２４，６６６，４６５，３７９，３３９，２９０，２４２，２１６，１９９，１５４，１２９，１１９．

合成例２
[水溶性Ｍｏ１４６クラスター２の合成方法]
　１００ｍＬナス型フラスコに磁気撹拌子を入れ、モリブデン（VI）酸二ナトリウム二水和物（３.０４ｇ）、蒸留水（２５ｍＬ）、３５％塩酸（２.４７ｍＬ）、ギ酸（１ｍＬ）を加えた。ついで亜ジチオン酸ナトリウム（０.１５ｇ）を加え、室温で２４時間撹拌した。その後、５日間静置し、析出した濃青色の固体をろ過し、冷水で洗浄した。濃青色油状物をサンプル瓶に移し、デシケーター内で乾燥させ濃青色固体の水溶性のモリブデン酸化物クラスター（以下、簡略化して「Ｍｏクラスター２」という）（０.４３ｇ）を得た。吸収のある波数：νｃｍ^-1，１６１７、９７４、９１２、８２０、７４７、６３２、５５７。

比較合成例
［ＭｏＯ₃スラリーの作製］
　ＭｏＯ₃粉末０.３ｇをトルエン溶媒３０ｇと直径３ｍｍのジルコニアビーズ３０ｇを入れ、ペイントシェーカー（浅田鉄工社製）を用いて６時間物理的に粉砕し、ＭｏＯ₃の１次トルエン分散液を得た。次に、上澄みの分散液に直径０.３ｍｍのジルコニアビーズを加え２４時間分散させた。その後、上澄みの分散液を０.２μｍのフィルターでろ過してＭｏＯ₃スラリーを作製した。スラリー中に含まれるＭｏＯ₃粒子の粒子径について確認したところ、体積平均粒子径が５３.２ｎｍ、個数平均粒子径が２５.０ｎｍであった。

（正孔注入層のモリブデン酸化物の価数の測定）
　上記合成例において、モリブデン錯体から合成された有機－無機複合酸化物中のモリブデンの酸化数＋６と酸化数＋５の比率を調べるために、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で合成例１及び比較合成例の２つサンプルについて測定し、比較した。
　測定結果を表１に示す。表１においては、モリブデン６価とモリブデン５価のピークに対して、ピーク分離を行い、モリブデン６価を１００と規格化した場合のモリブデン５価のピーク強度を示した。
　Ｍｏクラスター１：上記合成法１により化学的に合成された水性のポリオキソメタレートであるNa₁₅[Mo^VI ₁₂₆Mo^V ₂₈O₄₆₂H₁₄(H₂O)₇₀]_0.5[Mo^VI ₁₂₄Mo^V ₂₈O₄₅₇H₁₄(H₂O)₆₈]_0.5・400H₂Oクラスター０.０５ｇを蒸留水５グラムに溶解させて正孔注入層形成用塗布溶液である塗布用インキを調製した。その塗布用インキを用いて洗浄されたガラス基板上に、乾燥後の正孔注入層の膜厚が４０ｎｍになるように塗布し、薄膜をカッターで削り、サンプル１の粉末とした。
　ＭｏＯ₃蒸着膜：抵抗加熱法により真空中で蒸着してガラス基板上に形成したＭｏＯ₃膜（１００ｎｍ）をカッターで削り、サンプル２の粉末とした。

（測定結果）
　Ｍｏクラスター１の薄膜（サンプル１）中のモリブデンの価数は、５価と６価が検出され、モリブデンの５価の比率は１７であり、一方、分子構造から期待されるモリブデン５価の比率は２２であった。２つの値に若干の違いがあり、測定誤差や結晶性などの膜質の影響を受けていると考えられるが、５価のモリブデンが大量に存在していることがわかる。
　一方、ＭｏＯ₃蒸着膜では、モリブデンの５価は検出限界以下で６価のみ検出された。
　また、光電子分光装置ＡＣ－１を用いて上記サンプル１とサンプル２の仕事関数を決定した。測定条件としては、モリブデンクラスターは５０ｎＷの光量で、ＭｏＯ₃は２００ｎＷの光量で、それぞれ０.０５ｅＶ刻みで測定を行った。
　その結果、合成例１のモリブデンクラスターの仕事関数は５.７５ｅＶであり、ＭｏＯ₃は５.６３ｅＶであった。ＭｏＯ₃の測定結果は、文献値と±０.０５ｅＶ以内の精度でほぼ一致した。

（合成した酸化モリブデンクラスターの粒子径）
　合成したＭｏクラスター１の平均粒子径を測定するためＭｏクラスター１（Ｍｏ１５４）を蒸留水に０.４重量％溶解させ、超音波で１時間溶解させた後に８０度水浴で１０分、さらに超音波で１時間溶解させ、０.２μｍフィルターでろ過した溶液を測定した。
　測定強度L.I. ０.０４５の時に、体積平均粒子径MV(Mean Volume Diameter)は１２３ｎｍ、個数平均粒子径MN(Mean Number Diameter)は４ｎｍであった。Ｍｏ１５４はドーナツ型をしていて直径が約４ｎｍといわれており、個数平均の４ｎｍの測定結果とほぼ一致している。

（式Ｉの合成スキーム）

［使用した試薬と構造決定］
　無水ジクロロメタン、トリエチルアミン、無水硫酸マグネシウム、無水キシレン、トリスｔ－ブチルホスフィン、酢酸パラジウム、ナトリウムｔ－ブトキシド、アニリン、ヘキサン、クロロホルム、４’－ブロモ－４－ヒドロキシビフェニル、塩化ｔ－ブチルジメチルシラン、フッ化テトラブチルアンモニウム１.０ＭＴＨＦ溶液などは市販品をそのまま使用した。
　合成した化合物の構造は、核磁気共鳴装置（日本電子(株)製　JNM-LA400WB）を用いて構造を確認した。

［中間体１の合成］
　反応容器にアルゴンガスを３０分流入させ反応系内を置換した後、無水ジクロロメタン(７０ｍＬ)、４’－ブロモ－４－ヒドロキシビフェニル(１０ｇ、４０ｍｍｏｌ)、トリエチルアミン (１１ｍＬ、８０ｍｍｏｌ)を入れ、反応系内を０℃に冷却し、塩化ｔ－ブチルジメチルシラン (６.６ｇ、４４ｍｍｏｌ)を３０分かけて加えた。室温にゆっくり戻し、１３時間攪拌した。得られた茶色懸濁の反応混合物にジクロロメタン (２００ｍＬ)を加え、水 (３００ｍＬ×１)、飽和食塩水 (３００ｍＬ×１)で洗浄し、無水硫酸マグムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、淡赤色固体の粗生成物を得た。この生成物をフラッシュカラムクロマトグラフィー（silica gel ２５０ｇ：溶出溶媒　ヘキサン/酢酸エチル＝９／１）に供し、無色固体の中間体１（１３ｇ、３６ｍｍｏｌ; ９０％ｙｉｅｌｄ）を得た。

［中間体２の合成］
　反応容器にアルゴンガスを３０分流入させ反応系内を置換した後、無水キシレン(１００ｍＬ)、トリスｔ－ブチルホスフィン (０.３７ｍＬ、１.６ｍｍｏｌ)、酢酸パラジウム (０.０９３ｇ、０.４１ｍｍｏｌ)、ナトリウムｔ－ブトキシド (１.９ｇ、２０ｍｍｏｌ)を入れ、室温で１０分間攪拌した後、中間体１(６ｇ、１６.５ｍｍｏｌ)を加え、１０分間攪拌した。その後、アニリン (０.９ｇ、９.７ｍｍｏｌ)を加え、６時間加熱還流し、室温に戻し、クロロホルム (１００ｍＬ)を加え、水 (２００ｍＬ×１)、飽和食塩水(２００ｍＬ×１)で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、淡赤色固体の粗生成物を得た。この生成物をフラッシュカラムクロマトグラフィー(silica gel、溶出溶媒　ヘキサン/クロロホルム＝１／１)に供し、無色固体の中間体２(３.３ｇ、５ｍｍｏｌ;６０％　ｙｉｅｌｄ)を得た。

　[式Ｉの合成]

　反応容器に中間体２(１.５ｇ、２.３ｍｍｏｌ)、無水ＴＨＦ(１０ｍＬ)を加え、フッ化テトラブチルアンモニウム１.０ＭＴＨＦ溶液 (５ｍＬ、５ｍｍｏｌ)を滴下し、室温で２時間攪拌した。酢酸エチル (３０ｍＬ)を加え、水 (３０ｍＬ×３)、飽和食塩水 (１００ｍＬ×１)で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、茶白色固体の粗生成物を得た。この生成物をフラッシュカラムクロマトグラフィー(silica gel、溶出溶媒　ヘキサン/クロロホルム＝１０／１)に供し、無色固体の式Ｉの化合物(０.９g、２.１ｍｍｏｌ; ９１％　ｙｉｅｌｄ)を得た。得られた化合物のＮＭＲチャート図によれば、₁H NMR (400 MHz, CDCl₃) δ 7.46 (m, 8H, ArH), 7.28 (m, 2H, ArH), 7.15 (m, 6H, ArH), 7.02 (t, 1H, ArH), 6.84 (d, 4H, ArH), 4.80 (brs, 2H, ArOH)にピークが表れ、式Ｉが生成できたことを確認した。

　本発明について、以下に有機ＥＬ素子の実施例を挙げて、さらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例の記載に限定されるものではない。

　本発明の有機ＥＬ素子は、透明陽極付ガラス基板の上に、正孔注入層及び／又は正孔輸送層として水性溶媒に溶解した水性のＭｏクラスターを含む塗布用インキを塗布して形成した塗膜を用いるものであって、陽極、正孔注入層、正孔輸送層又は正孔輸送層、正孔輸送層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、陰極の基本層構成を有するように製膜して積層し、封止して緑発光の有機ＥＬ素子として作製したものであって、その有機ＥＬ素子の特性を評価した。

［実施例１］
　基材として、ＩＴＯ付ガラス基板（三容真空社製、ＩＴＯ膜厚：１５０ｎｍ）のＩＴＯ陽極上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、エッチングを行い、ストリップ状にパターン形成し、パターン形成されたＩＴＯ基板を、中性洗剤、超純水の順番に超音波洗浄し、ＵＶオゾン処理を施した。
　次に、上記合成例１により化学的に合成された水性のポリオキソメタレートであるNa₁₅[Mo^VI ₁₂₆Mo^V ₂₈O₄₆₂H₁₄(H₂O)₇₀]_0.5[Mo^VI ₁₂₄Mo^V ₂₈O₄₅₇H₁₄(H₂O)₆₈]_0.5・400H₂Oクラスター（「Ｍｏ１５４クラスター」又は「Ｍｏクラスター１」ということがある）０．０４ｇを蒸留水１０ｇに溶解させて正孔注入層形成用塗布溶液である塗布用インキを調製した。その塗布用インキを用いて洗浄された陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、薄膜中の水分を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃で１０分間加熱乾燥した。なお、製造プロセスが容易な上、ショートが発生しにくいため製造上の歩留まりが高く、長寿命を達成する正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。
　上記正孔注入層の上に、正孔輸送性材料としてビス（Ｎ－（１－ナフチル－Ｎ－フェニル）ベンジジン（以下、「α－ＮＰＤ」という）を用い、真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で抵抗加熱法により蒸着速度が０.１ｎｍ／ｓｅｃ．となるように温度制御し、膜厚が１００ｎｍとなるように正孔輸送層を蒸着形成した。
　次に、上記正孔輸送層の上に、発光層を蒸着形成した。発光層は、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）₃）を発光性ドーパントとして含有し、４，４’－ビス（２、２－カルバゾル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）をホストとし、ホストとドーパントの体積比が２０：１で含有した状態で、合計膜厚が４０ｎｍになるように、真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で抵抗加熱法により共蒸着することで混合蒸着薄膜を形成した。
　上記発光層の上に、正孔ブロック層を蒸着形成した。正孔ブロック層はブロック形成材料にビス（２－メチル－８－キノリラト）(ｐ－フェニルフェノラート)アルミニウム錯体（ＢＡｌｑ）を用い、抵抗加熱法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）でＢＡｌｑ蒸着膜の膜厚が１５ｎｍになるように蒸着形成した。

　上記正孔ブロック層の上に、電子輸送層を蒸着形成した。電子輸送層は、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）を抵抗加熱法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）でＡｌｑ₃蒸着膜の膜厚が２０ｎｍになるように蒸着形成した。
　作製した透明陽極付きガラス基板／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層の電子輸送層上に、さらに、電子注入層及び陰極を順次蒸着形成した。電子注入層は、ＬｉＦ（厚み：０.５ｎｍ）を、陰極は、Ａｌ（厚み：１００ｎｍ）を順次抵抗加熱蒸着法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で蒸着膜を形成した。
　陰極形成後、低酸素、低湿度状態のグローブボックス内にて無アルカリガラスとＵＶ硬化型エポキシ接着剤を用いて封止し、幅ｍｍのライン状にパターニングされた陽極と、この陽極に直交するように幅ｍｍのライン状に形成された電子注入層、陰極を備える実施例１の有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２］
　実施例１において、正孔注入材料としてＭｏクラスター２を用いて下記のように正孔注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Na₂₂[Mo^VI ₁₁₈Mo^V ₂₈O₄₄₂H₁₄(H₂O)₅₈]・ca.250H₂O（Ｍｏクラスター２）０.０４ｇを蒸留水１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、そのインキを用いてスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように形成した。正孔注入層の塗膜を形成した後、塗膜中の水分を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。

［実施例３］
　実施例１において、正孔注入材料としてＭｏクラスター１とＮ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）の芳香族アミン化合物の混合物を用いて、下記のように正孔注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　正孔注入材料として化学合成したＭｏクラスター１とＮ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）の混合膜を形成するため、エチレングリコール中でＭｏクラスター１と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合させて、１５０℃、３時間加熱して溶解させ、その溶液とイソプロピルアルコールを重量比で１：１に混合させて塗布用インキを作製した。
　そのインキを用いてスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗膜を形成した。正孔注入層の塗膜を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を１００℃、１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜の乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。

［比較例１］
　実施例１において、正孔注入材料として三酸化モリブデンを用いて下記のように正孔注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　洗浄された陽極の上に、正孔注入層としてＭｏＯ₃薄膜を蒸着形成した。ＭｏＯ₃膜は、蒸着材料としてＭｏＯ₃を真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で抵抗加熱法により蒸着膜の膜厚が１０ｎｍになるように蒸着させて形成した。

［比較例２］
　実施例１において、正孔注入材料として三酸化モリブデンとα－ＮＰＤを用いて下記のように正孔注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　洗浄された陽極の上に、正孔注入層としてＭｏＯ₃と、α－ＮＰＤを含有した混合薄膜を蒸着形成した。混合薄膜は、蒸着材料として三酸化モリブデンとα－ＮＰＤの体積比が１：９の混合物を真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で抵抗加熱法により蒸着膜の合計膜厚が１０ｎｍになるように共蒸着で形成した。

［比較例３］
　実施例３において、正孔注入層を化学的に合成したＭｏクラスター１と式Ｉの芳香族アミン化合物の混合膜の代わりに、式Ｉの芳香族アミン化合物の薄膜としたもので、正孔注入材料として式Ｉの芳香族アミン化合物を用いて下記のように正孔注入層を形成した以外は、実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
　Ｎ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）をエチレングリコール中１５０℃、３時間加熱して溶解させ、その溶液とイソプロピルアルコールを重量比で１：１に混合させて塗布用インキを作製した。
　その塗布用インキを用いてスピンコート法により正孔注入層の乾燥後の膜厚が１０ｎｍになるように塗膜を形成した。正孔注入層の塗膜を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。

［実施例４］
　実施例１において、正孔注入層を形成する正孔注入材料として化学的に合成したＭｏクラスター１、正孔輸送層を形成する正孔輸送性材料として化学的に合成したＭｏクラスター１と式Ｉの芳香族アミン化合物を、それぞれ用いて下記のように正孔注入層と正孔輸送層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　正孔注入層として、合成法１の化学的に合成したＭｏクラスター０．０４ｇを蒸留水１０ｇに溶解させて塗布用インキを調製し、そのインキを用いてスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が５ｎｍになるように形成した。正孔注入層の塗膜を形成した後、塗膜中の水分を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃で１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。

（正孔輸送層の形成）
　形成した正孔注入層の上に実施例１と同様に正孔輸送層としてα－ＮＰＤ薄膜を蒸着形成した後、正孔輸送層の上に正孔輸送層として化学的に合成したＭｏクラスター１と：Ｎ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）の混合膜を形成するため、エチレングリコール中でＭｏクラスター１と式１の芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合させて、１５０℃で３時間加熱して溶解させ、その溶液とイソプロピルアルコールを重量比で１：１に混合させて塗布用インキを作製した。
　そのインキを用いてスピンコート法により乾燥後の正孔輸送層の膜厚が５ｎｍになるように塗膜を形成した。正孔輸送層の塗膜を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を１００℃で１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔輸送層の塗膜を形成する工程と形成した正孔輸送層を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。
　上記実施例及び比較例において作製した有機ＥＬ素子は、いずれも発光性ドーパントであるＩｒ（ｐｐｙ）₃に由来する緑色に発光した。これらの有機ＥＬ素子について、電流効率と駆動時の印加電圧及び寿命特性を、それぞれ、１０ｍＡ／ｃｍ²で有機ＥＬ素子を駆動した時の印加電圧及び発光時の輝度を測定し、得られた測定値を基に発光効率（ｃｄ／Ａ）を算出すること及び結果を表２に示す。
　また、有機ＥＬ素子の寿命特性は、定電流駆動で輝度が経時的に徐々に低下する様子を観察して評価した。ここでは初期輝度２００００（ｃｄ／ｍ²）で駆動させた時の電流密度を一定に保持して輝度の減衰を記録し、輝度が半減するまでの時間（ｈｒ．）を寿命（半減期時間）とした。

［結果のまとめ］
　実施例１と比較例１を比較すると、Ｍｏクラスター１の寿命がＭｏＯ₃膜（１０ｎｍ）よりも１.６倍長い。この結果はＭｏ^Vが膜中に安定に存在することにより駆動安定性が向上したものと考えられる。実施例２と比較例１を比較すると、Ｍｏクラスター２の寿命がＭｏＯ₃膜（１０ｎｍ）よりも１.５５倍長い。この結果はＭｏ^Vが膜中に安定に存在することにより駆動安定性が向上したものと考えられる。実施例３と比較例１及び実施例３と比較例３を比較すると、Ｍｏクラスター１と芳香族アミン化合物（式Ｉ）の混合膜を用いた素子の寿命がＭｏＯ₃膜（１０ｎｍ）よりも１.５倍長く、Ｍｏクラスター１と芳香族アミン化合物（式Ｉ）の混合膜を用いた素子の寿命がアミン化合物膜（１０ｎｍ）よりも２．５倍長い。この結果は、Ｍｏクラスター１と芳香族アミン化合物の混合膜にすることにより、製膜性が向上し、インキ物性（表面張力、粘度など）を制御できるという利点がある。つまり性能と製膜性を兼ね備えた正孔注入材料であることがわかる。また、有機物との混合膜中でもＭｏ^Vが膜中に安定に存在することにより駆動安定性が向上したものと考えられる。
　実施例４と比較例１を比較すると、Ｍｏクラスター１とアミン化合物の混合膜を正孔輸送層として挿入した素子がＭｏＯ₃膜（１０ｎｍ）よりも１.５倍長い。この結果は、Ｍｏクラスター１と芳香族アミン化合物の混合膜にすることにより、製膜性が向上し、インキ物性（表面張力、粘度など）を容易に調整できるという利点がある。有機電子デバイスにおける正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する材料として性能と製膜性を兼ね備えた正孔注入・輸送材料であることがわかった。また、Ｍｏ^Vが膜中に安定に存在することにより駆動安定性が向上したものと考えられる。
　実施例１と比較例２を比較することにより、寿命は１.２３倍長い。この結果はＭｏ^Vが膜中に安定に存在することにより、駆動安定性が向上したものと推察される。

［実施例５］
　実施例１において、正孔輸送層と発光層を、それぞれ、下記のように、正孔輸送性材料として、α－ＮＰＤに代えてポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）、発光層を形成する材料として、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃を発光性ドーパントとし、４，４’－ビス（２、２－カルバゾル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）をホストとすることに代えて、１－ｔｅｒｔ－ブチル―ペリレン（ＴＢＰ）を発光性ドーパントとし、２－メチル－９，１０ビス(ナフタレン－２－イル)アントラセン（ＭＡＤＮ）をホストとして用いて形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔輸送層の形成）
　正孔輸送層は、キシレンにポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）を０.７重量％の濃度で溶解させた溶液を、スピンコート法により乾燥後の正孔輸送層の膜厚が３０ｎｍになるように正孔注入層上に塗膜を形成した。正孔輸送層の塗膜を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて２００℃、３０分加熱乾燥させた。
（発光層の形成）
　次に、発光層は、トルエンに固形分として２－メチル－９，１０ビス（ナフタレン－２－イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）と１－ｔｅｒｔ－ブチル―ペリレン（ＴＢＰの重量比が２０：１になるように、１.０重量％の固形分濃度で溶解させた溶液を、スピンコート法により乾燥後の発光層の膜厚が４０ｎｍになるように正孔輸送層上に塗膜を形成した。発光層の塗膜を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて１００℃、１０分加熱乾燥させた。作製した素子は、ＴＢＰの発光を示す青に発光した。

［実施例６］
　実施例５において、正孔注入層として、下記のように、Ｍｏクラスター１に代えて、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＭｏクラスター１の混合物を用いて形成した以外は、実施例５と同様にして有機EL素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　正孔注入層は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含む薄膜であり、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとしてスタルク社製のＣＬＥＶＩＯＳ^TMＰ　ＡＩ４０８３インキ１ｇと０.００４ｇのＭｏクラスター１を蒸留水１ｇに溶解させた水溶液を混合して、２ｇ溶液を作製し、スピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が２０ｎｍになるように電極上に塗膜を形成した。正孔注入層を形成した後、塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて２００℃、１０分加熱乾燥させた。

［比較例４］
　実施例６において、正孔注入層として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳのみの薄膜（２０ｎｍ）を塗布形成した以外は、実施例６と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
　ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ薄膜はスタルク社製のＣＬＥＶＩＯＳ^TMＰ　ＡＩ４０８３インキ１ｇと蒸留水１ｇを混合して、２ｇ溶液を作製し、スピンコート法により塗布して製膜した。溶液の塗布後、溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて２００℃で１０分乾燥させた。

［比較例５］
　実施例５において、正孔注入層を比較合成例で作製したＭｏＯ₃スラリーを塗布形成した以外は、実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。比較合成例のスラリーの固形分は不明であるが、スピンコート法により塗布して製膜し、スラリーを塗布した後に膜厚を測定したところ約１０ｎｍ程度であった。塗膜中の溶剤を蒸発させるためにホットプレートを用いて１００℃、１０分加熱乾燥させたが少し白濁した。作製した素子は、ＴＢＰの発光を示す青に発光したが、ショートが多発した。

　上記実施例及び比較例において作製した有機ＥＬ素子は、いずれも、１－ｔｅｒｔ－ブチル－ペリレン（ＴＢＰ）を発光性ドーパントとし、２－メチル－９，１０ビス(ナフタレン－２－イル)アントラセン（ＭＡＤＮ）をホストとして用いており、発光性ドーパントであるＴＢＰに由来する青色に発光した。これらの有機ＥＬ素子について、電流効率と駆動時の印加電圧及び寿命特性を、それぞれ、１０ｍＡ／ｃｍ²で有機ＥＬ素子を駆動した時の印加電圧、及び発光時の輝度を測定し、得られた測定値を基に発光効率（ｃｄ／Ａ）を算出すること及び結果を表３に示す。
　また、有機ＥＬ素子の寿命特性は、定電流駆動で輝度が経時的に徐々に低下する様子を観察して評価した。ここでは初期輝度２００００（ｃｄ／ｍ²）で駆動させた時の電流密度を一定に保持して輝度の減衰を記録し、輝度が半減するまでの時間（ｈｒ．）を寿命（半減期時間）とした。

［結果のまとめ］
　実施例５と比較例４を比較すると、実施例５の寿命は非常に長寿命である。比較例４のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは有機ＥＬ用の塗布用の正孔注入材料として一般的に用いられている材料であり、本発明の正孔注入材料が非常に高性能であることがわかる。
　実施例６と比較例４を比較すると、実施例６の寿命は非常に長寿命である。一方、実施例５と実施例６を比較すると、実施例６は多少短いが、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとの混合膜にすることにより、製膜性が向上し、インキ物性（表面張力、粘度など）を制御できるという利点がある。つまり性能と製膜性を兼ね備えた正孔注入材料であることがわかる。
　本発明のＭｏクラスター１は水溶性であるため、混合膜を形成できた。またＰＥＤＯＴ／ＰＳＳに含まれるＮａイオンなどは寿命を劣化させると一般的には言われており、イオン成分を取り除くような発明が報告されているが、本発明はそのような常識に反し、あえてカチオンであるＮａをカウンターとしたアニオンのＭｏクラスターをＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと混合させることにより長寿命化を達成したという意味で、有機電子デバイスの性能向上のための材料の選択に新しい可能性を与えるものである。
　実施例５と比較例５を比較すると、実施例５の素子の方が低電圧で駆動し長寿命であった。この結果は、物理的に粉砕して作製したＭｏＯ₃スラリーと比較して、本発明のＭｏナノ粒子は粒子の大きさの均一性が高く、モリブデンの５価、６価が均一に膜中に分散していることが、何らかの低電圧化や長寿命化に寄与しているものと考えられる。また比較例５については、粒度分布測定では２５ｎｍ程度と細かく分散している様子が確認できたが、薄膜が白濁したことから膜形成の際に凝集しやすいかあるいはインキそれ自体の分散安定性が低いものと推察される。
　本発明の正孔注入層及び／又は正孔輸送層を用いると素子寿命が大きく向上した理由は、モリブデンの酸化数＋５の安定性や相互作用の強さとその割合の違いではないかと推察される。

［実施例７］
　基材として、ＩＴＯ付ガラス基板（三容真空社製、ＩＴＯ膜厚：１５０ｎｍ）のＩＴＯ陽極上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、エッチングを行い、ストリップ状にパターン形成し、パターン形成されたＩＴＯ基板を、中性洗剤、超純水の順番に超音波洗浄し、ＵＶオゾン処理を施した。
　次に、ＩＴＯ付ガラス基板の上に正孔注入層としてポリオキソメタレートであるリンモリブデン酸水和物：H₃[PMo₁₂O₄₀]・nH₂O[n≒30]（以下、「Ｍｏクラスター４」）とＮ，Ｎ－ビス－［４‘－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）の芳香族アミン化合物の混合物を用いて形成した。正孔注入層形成用塗布溶液である塗布用インキは、モリブデンクラスター４（日本無機化学製）の粉体試料０.０４ｇとＮ，Ｎ－ビス－［４‘－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミン（式Ｉ）の芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、混合膜を形成するためイソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて調製した。その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に洗浄された陽極の上にスピンコート法により、乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、薄膜中の水分を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥した。なお、正孔注入層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべて大気中で行った。
　上記正孔注入層の上に、正孔輸送材料としてポリビニルカルバゾール（以下、「ＰＶＫ」、分子量約６万）を用い、正孔輸送層を塗布形成した。正孔輸送層形成用塗布溶液である塗布用インキは、ＰＶＫ（高砂香料製）試料０.００５ｇを溶媒であるキシレン１ｇに溶解させて調製した。その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後、洗浄された陽極の上にスピンコート法により、乾燥後の正孔輸送層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔輸送層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を１５０℃、１０分間加熱乾燥させた。なお、正孔輸送層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべてグローブボックス中（酸素濃度＜１ｐｐｍ、水分濃度＜１ｐｐｍ）で行った。
　次に、上記正孔輸送層の上に、発光層を塗布形成した。発光層はホストとしてＣＢＰ、発光性ドーパントしてトリス［２－（ｐ－トリル）ピリジン］イリジウム（III）（以下、「Ｉｒ（ｍｐｐｙ）₃」）を含む混合塗布溶液を塗布用インキとし、発光層を塗布形成した。上記発光層形成用混合塗布溶液である塗布用インキは、０.０１ｇのＣＢＰ（新日鐵化学製）と０．００２ｇのＩｒ（ｍｐｐｙ）₃（Ｌｕｍｔｅｃ製商品名、グレード品番）を溶媒であるトルエン１ｇに溶解させて調製した。その塗布用インキを洗浄された陽極の上にスピンコート法により乾燥後の発光層の膜厚が４０ｎｍになるように塗布し、発光層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、薄膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を１００℃、１０分間加熱乾燥した。なお、発光層の塗膜を形成する工程と形成した塗膜を乾燥処理する工程はすべてグローブボックス中（酸素濃度＜１ｐｐｍ、水分濃度＜１ｐｐｍ）で行った。
　上記発光層の上に、正孔ブロック層を蒸着形成した。正孔ブロック層はブロック形成材料にビス（２－メチル－８－キノリラト）(ｐ－フェニルフェノラート)アルミニウム錯体（ＢＡｌｑ）を採用し、抵抗加熱法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）でＢＡｌｑ蒸着膜の膜厚が１０ｎｍになるように蒸着形成した。

　上記正孔ブロック層の上に、電子輸送層を蒸着形成した。電子輸送層は、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ₃）を抵抗加熱法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）でＡｌｑ₃蒸着膜の膜厚が２０ｎｍになるように蒸着形成した。
　作製した透明陽極付きガラス基板／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層の電子輸送層上に、さらに、電子注入層及び陰極を順次蒸着形成した。電子注入層は、ＬｉＦ（厚み：０.５ｎｍ）を、陰極は、Ａｌ（厚み：１００ｎｍ）を順次抵抗加熱蒸着法により真空中（圧力：１×１０^-4Ｐａ）で蒸着膜を形成した。
　陰極形成後、低酸素、低湿度状態のグローブボックス内にて無アルカリガラスとＵＶ硬化型エポキシ接着剤を用いて封止し、幅２ｍｍのライン状にパターニングされた陽極と、この陽極に直交するように幅２ｍｍのライン状に形成された電子注入層、陰極を備える実施例７の有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例８］
　実施例７において、正孔注入材料としてケイ素モリブデン酸水和物；H₄ [SiMo₁₂O₄₀]・nH₂O[n≒30]（以下、「Ｍｏクラスター５」）と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合した混合物を、イソプロピルアルコールに溶解させて塗布用インキとし、正孔注入層の塗膜を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Ｍｏクラスター５の粉末試料０.０４ｇと式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。

［実施例９］
　実施例７において、正孔注入材料としてリンバナジウムモリブデン酸水和物；H₄ [PVMo₁₁O₄₀]・nH₂O（以下、「Ｍｏクラスター６」）と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合した混合物を、イソプロピルアルコールに溶解させて塗布用インキとし、正孔注入層の塗膜を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Ｍｏクラスター６の粉末試料０.０４ｇと式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥させた。

［実施例１０］
　実施例７において、正孔注入材料としてリンタングステン酸水和物；H₃[PW₁₂O₄₀]・nH₂O[n≒7]（以下、「Ｗクラスター１」）と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合した混合物を、イソプロピルアルコールに溶解させて塗布用インキとし、正孔注入層の塗膜を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Ｗクラスター１の粉末試料０.０４ｇと式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥させた。

［実施例１１］
　実施例７において、正孔注入材料としてケイ素タングステン酸水和物；H₄ [SiW₁₂O₄₀]・nH₂O[n≒24]（以下、「Ｗクラスター２」）と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、イソプロピルアルコールに溶解させて塗布用インキとし、正孔注入層の塗膜を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Ｗクラスター２の粉末試料０.０４ｇと式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：１で混合した混合物を、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥させた。

［実施例１２］
　実施例７において、正孔注入材料としてリンバナジウムタングステン酸水和物；H₄ [PV₂W₁₀O₄₀]・nH₂O（以下、「Ｗクラスター３」）と式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合した混合物を、イソプロピルアルコールに溶解させて塗布用インキとし、正孔注入層の塗膜を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（正孔注入層の形成）
　Ｗクラスター３の粉末試料０.０４ｇと式Ｉの芳香族アミン化合物を重量比１：４で混合した混合物を、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解させて塗布用インキを作製し、その塗布用インキを０.２μｍのフィルターでろ過した後に陽極の上にスピンコート法により乾燥後の正孔注入層の膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、正孔注入層の塗膜を形成した。塗膜を形成した後、塗膜中の溶媒を蒸発させるためにホットプレートを用いて塗膜を２００℃、１０分間加熱乾燥させた。
[比較例６、７、８、９]
　比較例６、７、８、９の作製方法は、比較例１～３と全く同じ方法で正孔注入層を形成した後に、実施例７と同じ方法で形成した。

　上記実施例７～１２において作製した有機ＥＬ素子は、いずれも、発光層を形成する材料として、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）₃を発光性ドーパントとし、４，４’－ビス（２、２－カルバゾル－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）をホストとして用いて有機ＥＬ素子を作製した。発光ドーパントであるＩｒ（ｍｐｐｙ）₃に由来する緑色に発光した。これらの有機ＥＬ素子について、電流効率と駆動時の印加電圧及び寿命特性を、それぞれ、１０ｍＡ／ｃｍ²で有機ＥＬ素子を駆動した時の印加電圧、及び発光時の輝度を測定し、得られた測定値を基に発光効率（ｃｄ／Ａ）を算出すること及び結果を表４に示す。
　また、有機ＥＬ素子の寿命特性は、定電流駆動で輝度が経時的に徐々に低下する様子を観察して評価した。ここでは初期輝度２０００（ｃｄ／ｍ²）で駆動させた時の電流密度を一定に保持して輝度の減衰を記録し、輝度が半減するまでの時間（ｈｒ．）を寿命（半減期時間）とした。

［結果のまとめ］
　実施例７～９は、金属酸化物クラスターとしてポリオキソメタレートであって、Ｍｏクラスター系の低分子のクラスターを有機電子デバイスの正孔注入層に用いたもので、Ｍｏとリン（Ｐ）、Ｍｏとケイ素（Ｓｉ）及びＭｏとリン及びバナジウム（Ｖ）の複合金属酸化物のクラスターを用いたものである。同様に、タングステン系の低分子のクラスターを正孔注入層に用いたものについてもその有機電子デバイスの性能についても調べたものが実施例１０～１２である。
　本発明のポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを有機電子デバイスの正孔注入層に用いたところ、比較例６～９に挙げた従来知られていた有機電子デバイスにおける性能に比較して、モリブデン系のものでは同程度の印加電圧でありながら、全体として輝度も向上し、寿命は明らかに１.８倍以上長寿命であり、また、タングステン系のものでは、印加電圧の点でモリブデン系のスラリー、蒸着膜のものに比較して僅かに高い印加電圧、輝度の面で低くなっているものの、輝度半減時間の寿命の面では、従来のモリブデン蒸着膜、スラリー、及びアミン化合物単独を正孔注入層に用いたものに比較すると、タングステンクラスターとアミン化合物の混合膜が寿命の点で非常に優れている。
　さらに、アミン化合物の混合膜にすると、ヘテロポリ酸単体よりも塗布した膜が平坦で均質になり、塗布用インキの物性をコントロールできる。さらに混合膜にすることにより、混合原子価状態が安定化されて通常のＭｏ酸化物よりも駆動寿命が長くなるのではないかと推察される。
　本発明の低分子の金属酸化物クラスターを正孔注入層及び／又は正孔輸送層に用いた場合も素子寿命が大きく向上させることができる。

　有機物を用いた有機電子デバイスは、有機エレクトロルミネセンス素子、有機トランジスタ、有機太陽電池など、また、その他正孔注入輸送層を有する量子ドット発光素子、酸化物系化合物太陽電池等の広範な基本素子及び用途への展開が期待されている。

　１　　電極（陽極電極）
　２　　正孔注入層　又は　正孔注入輸送層
　３　　有機機能層
　４ａ　正孔輸送層（正孔輸送性材料のみ）
　４ｂ　正孔輸送層（Ｍｏクラスター含有）
　５　　発光層
　６　　電極（陰極電極）
　７　　基板
　８　　有機トランジスタ層
　９　　電極
１０　　絶縁層

Claims

　基板上に対向する２つ以上の電極と、電極間に配置された正孔注入層又は／及び正孔輸送層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスであって、
　少なくとも正孔注入層を含み、正孔注入層が、周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む金属酸化物クラスターを含有する層であり、前記金属酸化物クラスターがポリオキソメタレートであることを特徴とする、有機電子デバイス。
　金属酸化物クラスターが混合原子価ポリオキソメタレートであることを特徴とする、請求項１に記載の有機電子デバイス。
　２つの電極間に配置される層として、さらに正孔輸送層を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスターを含有する流動性材料を薄膜形成した金属酸化物クラスターを含有する層であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスターを含有する水性媒体からなる流動性材料を薄膜形成した金属酸化物クラスターを含有する層であることを特徴とする、請求項１～４のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスター及び正孔注入・輸送性材料を含有することを特徴とする、請求項１～５のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスターと正孔注入・輸送性材料として芳香族アミン系化合物を含有することを特徴とする、請求項１～６のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスターと正孔注入・輸送性材料として芳香族アミン系化合物又は／及びチオフェン化合物又は／及びアニリン化合物を含有することを特徴とする、請求項１～７のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、金属酸化物クラスターと正孔注入・輸送性材料として芳香族アミン系化合物を含む水又はアルコール系媒体からなる塗布用インキを薄膜形成した前記金属酸化物クラスターを含有する層であることを特徴とする、請求項１～８のいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
　金属酸化物クラスターが、化学的に合成されたアニオン分子であり、1分子の構造が10nm以下であることを特徴とする、請求項１～９のいずれか1項に記載の有機電子デバイス。
　金属酸化物クラスターが、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）又は鉄（Ｆ）から選択される少なくとも１種類の金属元素からなることを特徴とする、請求項１～１０いずれかに１項に記載の有機電子デバイス。
　金属酸化物クラスターが、少なくともＭｏを含む酸化物クラスターであり、｛Mo₁₃₂｝、｛Mo₁₄₂｝、｛Mo₁₄₆｝、｛Mo₁₅₄｝、｛Mo₁₇₆｝、｛Mo₂₄₈｝、｛Mo₃₆₈｝であることを特徴とする、請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
　少なくとも１つの正孔注入層又は／及び正孔輸送層が、正孔注入・輸送性材料として式Iで表される芳香族アミン化合物：Ｎ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミンを含有することを特徴とする、請求項１～１２のいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
　有機電子デバイスが、有機機能層として発光層を含む有機ＥＬ素子である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
　基板上に対向する２つ以上の電極と、電極間に配置され、正孔注入層又は／及び正孔輸送層を含む有機機能層を有する有機電子デバイスの製造方法であって、
　少なくとも正孔注入層を含み、正孔注入層が周期律表の第５族、第６族又は第８～１０族の中から選ばれる少なくとも１種類の金属元素を含む、ポリオキソメタレートである金属酸化物クラスターを含有する層であり、正孔注入層を形成する工程が、前記金属酸化物クラスターを含有する流動性材料を層状に形成する工程を含むことを特徴とする、有機電子デバイスの製造方法。
　金属酸化物クラスターが混合原子価ポリオキソメタレートであることを特徴とする、請求項１５に記載の有機電子デバイスの製造方法。
　正孔注入層又は／及び正孔輸送層を形成する工程が、塗布法により前記金属酸化物クラスターを含有する流動性材料を層状に形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１５又は１６に記載の有機電子デバイスの製造方法。
　正孔注入層又は／及び正孔輸送層を形成する工程が、スピンコート法、ディッピング法、インクジェット法又はグラビア印刷法のいずれかによることを特徴とする、請求項１５～１７に記載の有機電子デバイスの製造方法。
　流動性材料が、金属酸化物クラスターを含有する均一に溶解あるいは均一に分散又は混合したものであることを特徴とする、請求項１５～１８のいずれか１項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
　流動性材料が、金属酸化物クラスターを含有する水性媒体であることを特徴とする、請求項１５～１９に記載の有機電子デバイスの製造方法。
　流動性材料が、金属酸化物クラスター及び正孔注入・輸送性材料を含有することを特徴とする、請求項１５～２０のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
　流動性材料が、金属酸化物クラスターと正孔注入・輸送性材料として芳香族アミン系化合物を含有することを特徴とする、請求項１５～２１のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
　流動性材料が、金属酸化物クラスターと正孔注入・輸送性材料として芳香族アミン系化合物を含む水又はアルコール系媒体からなる塗布用インキであることを特徴とする、請求項１５～２２のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
　金属酸化物クラスターが、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）又は鉄（Ｆｅ）から選択される少なくとも１種類の金属元素からなることを特徴とする、請求項１２ないし１９のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
　金属酸化物クラスターが、少なくともMoを含む酸化物クラスターであり、｛Mo₁₃₂｝、｛Mo₁₄₂｝、｛Mo₁₄₆｝、｛Mo₁₅₄｝、｛Mo₁₇₆｝、｛Mo₂₄₈｝、｛Mo₃₆₈｝であることを特徴とする、請求項１５～２４のいずれか１項に記載の有機電子デバイス。
　流動性材料が、正孔注入・輸送性材料として式Iで表される芳香族アミン化合物：Ｎ，Ｎ－ビス－［４’－（ヒドロキシ）［１，１’－ビフェニル］－４－イル］－Ｎ－フェニルアミンを含有することを特徴とする、請求項１５又は２５のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。
　有機電子デバイスが、有機機能層として発光層を含む有機ＥＬ素子である、請求項１５～２６のいずれかに記載の有機電子デバイスの製造方法。