WO2010137379A1 - 3端子コンデンサ及び3端子コンデンサ実装構造 - Google Patents

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崇 市村
貴博 東
研次郎 羽田野
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a three-terminal capacitor and a three-terminal capacitor mounting structure provided on a circuit board on which a BGA (Ball Grid Array) type IC (Integrated Circuit) is mounted.
  • BGA Bit Grid Array
  • IC Integrated Circuit
  • JP 2003-297963 A Japanese Patent Laid-Open No. 2004-006488
  • a power supply terminal connection via hole connected to the power supply terminal of the IC and a ground terminal connection via hole connected to the ground terminal are drawn to the back surface side of the circuit board, and between the pair of via holes.
  • a two-terminal capacitor for bypass is connected.
  • an IC has several tens of power supply terminals and ground terminals, and there are dozens of via holes connected to these power supply terminals and ground terminals. Therefore, in such a conventional technique, a bypass capacitor is provided for each of a very large number of via hole pairs. As a result, a large number of capacitors are required, and accordingly, the number of parts is increased, leading to an increase in the cost of the noise countermeasure structure.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a three-terminal capacitor and a three-terminal capacitor mounting structure that can achieve a highly accurate noise countermeasure structure at low cost.
  • the invention of claim 1 is directed to a chip body including one or more pairs of a signal electrode and a ground electrode opposed in the vertical direction, and both ends of the signal electrode formed on the outer surface of the chip body.
  • First and second external electrodes electrically connected to each of the parts, and third and fourth external electrodes formed on the outer surface of the chip body and electrically connected to both ends of the ground electrode The chip body is formed in a square shape in plan view, the length between both ends of the signal electrode and the length between both ends of the ground electrode are set substantially equal, and the signal electrode
  • the signal electrode and the ground electrode are arranged to face each other so that the straight line connecting both ends and the straight line connecting both ends of the ground electrode are orthogonal to each other at almost the center of each straight line, and is exposed to the outer surface of the chip body.
  • the three-terminal capacitor has a square shape, and the first to fourth external electrodes formed on the outer surface of the three-terminal capacitor are located at the apex portion of the square. For this reason, the first to fourth external electrodes are connected through a via hole or the like to a pair of power supply terminals and a pair of ground terminals arranged in the same shape as the square formed of the first to fourth external electrodes. can do.
  • the first and second external electrodes of the three-terminal capacitor are electrically connected to a pair of power supply terminals opposed diagonally, and the third and fourth external electrodes are opposed to each other diagonally. Can be connected to a pair of ground terminals.
  • the three-terminal capacitor functions as a bypass capacitor and absorbs voltage fluctuations.
  • both ends of the signal electrode are positioned at both corners facing each other on one diagonal line of the chip body, and both ends of the ground electrode are disposed at the other end.
  • the first and second external electrodes are positioned at opposite corners facing each other diagonally, and the first and second external electrodes are electrically connected to both ends of the signal electrode at one of the two corners of the chip body.
  • the electrode is configured to be electrically connected to both ends of the ground electrode at the other two corners of the chip body.
  • both ends of the signal electrode are positioned at the centers of the opposite side surfaces of the chip body, and both ends of the ground electrode are opposed to each other.
  • the first and second external electrodes are respectively located at the center of both side surfaces, and electrically connected to both ends of the signal electrode at the center of both side surfaces of the chip body, and the third and fourth external electrodes are connected to each other.
  • the chip body is configured to be electrically connected to both ends of the ground electrode at the center of the other side surfaces of the chip body.
  • the plurality of first additional electrodes are arranged either directly above or directly below one end of the signal electrode, or the like. While laminating at intervals, the ends of the first additional electrodes are connected to the first external electrode, and the plurality of first additional electrodes are connected to each other by one or more via holes, and A first additional electrode group configured by connecting one end portion of the via hole facing the signal electrode side to one end portion of the signal electrode, and a plurality of second additional electrodes are connected to the true end of the other end portion of the signal electrode.
  • the second additional electrodes are laminated at equal intervals on either or both of the upper and lower sides, and the ends of the second additional electrodes are connected to the second external electrode, and the plurality of second holes are connected by one or more via holes.
  • the additional electrodes are connected to each other and the via hole
  • a second additional electrode group configured by connecting one end portion facing the signal electrode side to the other end portion of the signal electrode and a plurality of third additional electrodes may be directly above one end portion of the ground electrode or Laminate at equal intervals directly below or both, connect the end of the third additional electrode to the third external electrode, and connect the plurality of third additional electrodes by one or more via holes.
  • a third additional electrode group configured by connecting the electrodes and connecting one end portion of the via hole facing the ground electrode side to one end portion of the ground electrode, and a plurality of fourth additional electrodes, Laminate at equal intervals directly above or both below the other end of the ground electrode, connect the end of the fourth additional electrode to the fourth external electrode, and one or more via holes To connect the plurality of fourth additional electrodes to each other.
  • the structure in which the fourth additional electrode group constituted by connecting the other end portion of the ground electrode can be connected to the power supply terminal and the ground terminal of the IC through via holes or the like.
  • the first additional electrode group (second additional electrode group) has a plurality of first additional electrodes (second additional electrodes) whose ends are connected to the first external electrode (second external electrode). Electrode) are connected by one or more via holes, the first additional electrode group (second additional electrode group) itself also has a parallel connection structure, and its inductance is small.
  • the direction of the intermittent current input to the first external electrode (second external electrode) and each first additional electrode (second additional electrode) of the first additional electrode group (second additional electrode group) If the direction of the intermittent current flowing through the first electrode is opposite, the path of the intermittent current input to the first external electrode (second external electrode) and each first additional electrode (second additional electrode) A negative mutual inductance is generated between them, and the inductance between the path of the intermittent current input to the first external electrode (second external electrode) and each first additional electrode (second additional electrode) decreases. .
  • the inductance between the path of the intermittent current input to each of the first external electrodes (second external electrodes) is reduced, so that noise radiation due to the intermittent current can be further suppressed.
  • the intermittent current input to the signal electrode reaches the ground electrode, a part of which is output to the third additional electrode group (fourth additional electrode group) through the via hole, and a plurality of third additional electrodes (second Output from the end of the four additional electrodes) to the third external electrode (fourth external electrode).
  • the remaining intermittent current is directly output from the ground electrode to the third external electrode (fourth external electrode).
  • the third additional electrode group (fourth additional electrode group) and the ground electrode are connected in parallel to the third external electrode (fourth external electrode).
  • the inductance of the path from the additional electrode group (fourth additional electrode group) and the ground electrode to the third external electrode (fourth external electrode) is small.
  • the third additional electrode group (fourth additional electrode group) has a plurality of third additional electrodes (fourth additional electrode) whose end portions are connected to the third external electrode (fourth external electrode). Since the electrodes are connected by one or more via holes, the third additional electrode group (fourth additional electrode group) itself has a parallel connection structure, and its inductance is small.
  • each third additional electrode (fourth additional electrode) of the third additional electrode group (fourth additional electrode group) and the third external electrode (fourth external electrode) When the direction of the intermittent current to be output is opposite, the path of the intermittent current output from each third additional electrode (fourth additional electrode) and the third external electrode (fourth external electrode) A negative mutual inductance is generated between them, and the inductance between each third additional electrode (fourth additional electrode) and the path of the intermittent current output from the third external electrode (fourth external electrode) decreases. .
  • the inductance of the output path from the ground electrode, the inductance of the third additional electrode group (fourth additional electrode group) itself, and each third additional electrode (fourth Since the inductance between the additional electrode) and the path of the intermittent current output from the third external electrode (fourth external electrode) is reduced, noise radiation due to the intermittent current can be further suppressed.
  • the other end portion of the via hole provided in the first additional electrode group is extended and located on the upper surface or the lower surface of the chip body.
  • the first external electrode and the first additional electrode group are connected in parallel
  • the other of the via holes provided in the second additional electrode group By extending the end portion and connecting to the upper end portion or the lower end portion of the second external electrode located on the upper surface or the lower surface of the chip body, the second external electrode and the second additional electrode group Are connected in parallel, and the other end portion of the via hole provided in the third additional electrode group is extended to the upper end portion or the lower end portion of the third external electrode located on the upper surface or the lower surface of the chip body.
  • the third external electrode and the third additional electrode group are arranged in parallel.
  • the other end of the via hole provided in the fourth additional electrode group is extended and connected to the upper end or lower end of the fourth external electrode located on the upper surface or the lower surface of the chip body.
  • the fourth external electrode and the fourth additional electrode group are connected in parallel.
  • the first additional electrode group (second additional electrode group) is changed to the first external electrode (second external electrode) through the end of each first additional electrode (second additional electrode).
  • the first external electrode (second external electrode group) and the first external electrode (second external electrode group) and the first external electrode (second external electrode) are connected to the first external electrode (second external electrode) by a via hole.
  • the second external electrode) is connected in parallel.
  • the inductance between the first additional electrode group (second additional electrode group) and the first external electrode (second external electrode) is reduced, and noise radiation due to the intermittent current is further suppressed. can do.
  • the third additional electrode group (fourth additional electrode group) is also connected to the third external electrode (fourth external electrode) through the end of each third additional electrode (fourth additional electrode).
  • the third additional electrode group (fourth additional electrode group) and the third external electrode (fourth external electrode group) are connected to the third external electrode (fourth external electrode) by via holes.
  • the external electrodes are also connected in parallel. Therefore, due to this parallel effect, the inductance between the third additional electrode group (fourth additional electrode group) and the third external electrode (fourth external electrode) is also reduced, and noise radiation due to the intermittent current is further suppressed. Is done.
  • a three-terminal capacitor mounting structure in which a capacitor is mounted on the back surface of the circuit board and substantially directly behind the IC, and at least one minimum square constituting the BGA type terminal has a pair of vertices on one diagonal line
  • Each power supply terminal is arranged, and a pair of ground terminals are arranged at the apexes on the other diagonal line, and the circuit board is vertically connected to the BGA type terminal and exposed to the back surface through the circuit board.
  • a plurality of via holes are provided, and the first and second external electrodes connected to both ends of the signal electrode of the three-terminal capacitor are connected to the first and second via holes connected to a pair of power supply terminals of the smallest square.
  • the third and fourth external electrodes connected to both ends of the ground electrode of the three-terminal capacitor are electrically connected to the third and fourth terminals connected to a pair of ground terminals of the smallest square.
  • Each via hole is electrically connected.
  • a pair of power supply terminals and a pair of ground terminals are arranged at vertices on the respective diagonals of the minimum square, and these terminals are
  • the circuit board is substantially exposed on the back surface of the circuit board through first to fourth via holes that form a minimum square vertically penetrating the circuit board.
  • four first to fourth external electrodes are formed on the outer surface of the square three-terminal capacitor, and the first to fourth external electrodes are defined. Is located at the apex part of the square.
  • the first and second external electrodes of the signal electrode of the three-terminal capacitor are electrically connected to the first and second via holes connected to the pair of power supply terminals, and the third and third ground electrodes are connected.
  • the fourth external electrode is electrically connected to the third and fourth via holes connected to the pair of ground terminals. Therefore, the intermittent current generated by the switching operation of the IC flows into the first and second via holes from the power supply terminal, and flows into the three-terminal capacitor through the first and second external electrodes. Thereafter, the current generates a voltage at the ground electrode opposite to the signal electrode having the first and second external electrodes at both ends, and the ground is passed through the third and fourth external electrodes at both ends of the ground electrode. It will flow out to the third and fourth via holes connected to the terminals.
  • the length of the path from the IC to the three-terminal capacitor is such that the three-terminal capacitor is mounted in the first to fourth via holes penetrating the circuit board to the back of the IC.
  • the inductance from the IC to the three-terminal capacitor becomes very small.
  • the intermittent current from the IC The back electromotive force generated by the product of the time change of the current and the inductance is also extremely low, and noise radiation is weakened.
  • one two-terminal capacitor is connected between one power supply terminal and one ground terminal. For this reason, when connecting to a pair of power supply terminals and a pair of ground terminals as described above, two two-terminal capacitors are required.
  • one three-terminal capacitor is sufficient. The number of parts can be reduced. As a result, the manufacturing cost of the three-terminal capacitor mounting structure can be reduced. Furthermore, the three-terminal capacitor mounting structure of the present invention has the following special effects.
  • the current from the pair of power supply terminals of the IC flows through the first and second via holes, reaches the first and second external electrodes, and reaches the first and second external electrodes. It flows out to the third and fourth via holes that go to the ground terminal of the IC through the four external electrodes.
  • the first to fourth via holes connected to the first to fourth external electrodes of the three-terminal capacitor are arranged in the smallest square, and the first and second via holes connected to the pair of power supply terminals are arranged.
  • the third and fourth via holes facing each other on one diagonal line and connected to a pair of ground terminals are facing each other on the other diagonal line.
  • the inductances of the first to fourth via holes are L1, L2, L3, and L4, respectively, and between the first and third via holes, between the first and fourth via holes, and between the second and third via holes.
  • the inductances of the first, third and fourth via holes, and the first, third and second The inductance of the via hole 4 is L1 + L3 + L4-2 ⁇ M13-2 ⁇ M14 and L2 + L3 + L4-2 ⁇ M23-2 ⁇ M24, respectively. Therefore, the total inductance of the first to fourth via holes when current flows through the three-terminal capacitor is L1 + L2 + L3 + L4-2 ⁇ (M13 + M14 + M23 + M24).
  • one two-terminal capacitor is connected to the first and third via holes and the second two-terminal capacitor is connected to the second and fourth via holes. Since the inductances of the first to fourth via holes are L1 + L3-2 ⁇ M13 and L2 + L4-2 ⁇ M24, the total inductance is L1 + L2 + L3 + L4-2 ⁇ (M13 + M24). For this reason, although it uses two capacitors, it becomes larger than the inductance value when one three-terminal capacitor is used. Therefore, in order to obtain an inductance equivalent to that when using a three-terminal capacitor using a two-terminal capacitor, four two-terminal capacitors are required, and there are problems in terms of the number of components and mounting area. In contrast, in the present invention, the inductance between the IC and the three-terminal capacitor can be made extremely small by using only one three-terminal capacitor having a low residual inductance, so that noise radiation can be further reduced. Can do.
  • a seventh aspect of the invention is the three-terminal capacitor mounting structure according to the sixth aspect, wherein the size of the three-terminal capacitor according to any one of the second, fourth, and fifth aspects is the minimum square size.
  • the first and second external electrodes of the three-terminal capacitor are connected to the first and second via holes connected to the pair of power supply terminals of the smallest square, respectively, and the third and fourth The external electrodes are connected to the third and fourth via holes connected to a pair of ground terminals of the smallest square.
  • the invention of claim 8 is the three-terminal capacitor mounting structure according to claim 6, wherein the size of the three-terminal capacitor according to claim 2, claim 4, or claim 5 is smaller than the size of the minimum square.
  • the first and second lands having a predetermined length are drawn out from the first and second via holes connected to the pair of power supply terminals of the smallest square on the back surface of the circuit board, respectively, and a pair of By pulling out the third and fourth lands having a predetermined length from the third and fourth via holes connected to the ground terminal, a square substantially equal to the size of the three-terminal capacitor is formed by these first to fourth lands.
  • the first and second external electrodes of the three-terminal capacitor are connected to the first and second lands, respectively, and the third and fourth external electrodes are connected to the third and fourth lands.
  • the size of the three-terminal capacitor according to any one of the third to fifth aspects is set larger than the size of the minimum square.
  • the first and second external electrodes of the three-terminal capacitor are respectively connected to the first and second via holes connected to the pair of power supply terminals having the smallest square, and the third and fourth external electrodes are connected to the first and second via holes.
  • the third and fourth via holes are connected to a pair of ground terminals in the smallest square.
  • each via hole of the first to fourth via holes is first to the first via hole on the back surface of the circuit board.
  • the fourth via hole is connected to a pair of via holes closest to each via hole through a pair of patterns extending separately in the side direction.
  • An eleventh aspect of the present invention is the three-terminal capacitor mounting structure according to the tenth aspect, wherein the size of the three-terminal capacitor according to any one of the third to fifth aspects is the same as that of the first to fourth sides.
  • the size is set so as to pass through a pair of via holes connected through a pair of patterns extending separately in the lateral direction of the via hole, and the pair of via holes are connected by a land formed on the back surface of the circuit board.
  • the first external electrode of the three-terminal capacitor is connected to a land connecting between the tip portions of a pair of patterns separately extending to the outside in the side direction of the first via hole, and the second external electrode is connected to the second external electrode.
  • Two via holes are connected separately on the land connecting the tip portions of the pair of patterns extending separately in the lateral direction, and the third external electrode is separately extended outward in the lateral direction of the third via hole.
  • the tip of a pair of patterns The fourth external electrode is connected to the land connecting the tip portions of the pair of patterns separately extending outward in the side direction of the fourth via hole.
  • the three terminals having a size such that the external electrode at the center of the side surface is connected to the land connecting between the tip portions of the pair of patterns separately extending to the outside in the side direction of the first to fourth via holes.
  • Capacitors can be used. For example, a three-terminal capacitor having an area about seven times the minimum square can be mounted. Further, since the three-terminal capacitor can be mounted on the land by soldering or the like, the three-terminal capacitor must be securely mounted by soldering or the like even if the first to fourth via holes are misaligned. Can do.
  • the first to fourth external electrodes of the three-terminal capacitor according to the fourth or fifth aspect are square on the back surface of the circuit board.
  • at least some of the plurality of via holes are arranged inside the square defined by the first to fourth lands, and the third land among the plurality of via holes connected to the power supply terminal.
  • a via hole located on the first land side is connected to the first land through the first pattern at a diagonal line connecting the first land and the fourth land, and located on the second land side.
  • the hole is connected to the second land through the second pattern, and the plurality of via holes connected to the ground are located on the third land side with the diagonal line connecting the first land and the second land as a boundary.
  • the via hole is connected to the third land through the third pattern, and the via hole located on the fourth land side is connected to the fourth land through the fourth pattern.
  • at least a part of the via holes connected to the power supply terminal is arranged inside the square defined by the first to fourth lands.
  • the intermittent current flowing through the via hole located on the side of the land (second land) from the via hole located immediately below the three-terminal capacitor is changed from the first pattern (second pattern) to the first external electrode (second Flows toward the external electrode). That is, the intermittent current from these via holes flows toward the outside of the three-terminal capacitor.
  • the intermittent current input to the first external electrode (second external electrode) is generated on each first additional electrode (second additional electrode) of the first additional electrode group (second additional electrode group). Flows toward the inside of the three-terminal capacitor.
  • the direction of the intermittent current flowing through the first pattern (second pattern) from the via hole inside the square and the direction of the intermittent current flowing through each first additional electrode (second additional electrode) are reversed.
  • a negative mutual inductance is generated between the first pattern (second pattern) and the first additional electrode (second additional electrode), and the first pattern (second pattern) and the first pattern
  • the total inductance with one additional electrode (second additional electrode) is reduced.
  • the intermittent current from the ground electrode flows through each third additional electrode (third additional electrode) of the third additional electrode group (fourth additional electrode group) to form a third external electrode (fourth electrode). External electrode).
  • the intermittent current flows through the third pattern (fourth pattern) through the third land (fourth land) to which the third external electrode (fourth external electrode) is connected, and through the via hole. , Feedback to the IC ground terminal.
  • the intermittent current from the ground electrode is directed toward the third external electrode (fourth external electrode) on each third additional electrode (third additional electrode), that is, outside the three-terminal capacitor. It flows toward.
  • the third external electrode (the fourth external electrode) The intermittent current flowing on the third pattern (fourth pattern) from the electrode) toward these via holes flows in the inner direction of the three-terminal capacitor.
  • the three-terminal capacitor according to the invention of claims 1 to 5 it functions as a high-performance bypass capacitor at a low cost, and can improve the stability of the IC power supply. There is an effect.
  • a high-performance noise countermeasure can be achieved with a small number of capacitors.
  • the low residual inductance characteristic peculiar to the three-terminal capacitor and the low inductance characteristic of the via hole utilizing the mutual inductance are excellent in that a higher noise countermeasure effect can be obtained with a smaller number of capacitors.
  • the inductance of the via hole between the IC and the three-terminal capacitor can be further reduced.
  • a three-terminal capacitor having an area approximately seven times that of a normal one can be mounted, and the capacity can be dramatically increased. Furthermore, even if the via hole is misaligned, the three-terminal capacitor can be mounted reliably, and the yield can be improved accordingly.
  • the noise countermeasure effect can be further enhanced.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a three-terminal capacitor mounting structure according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an IC rear view showing an IC terminal arrangement applied to the three-terminal capacitor mounting structure of FIG. 1. It is a board
  • FIG. 26 is an exploded perspective view of the three-terminal capacitor of FIG. 25.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 25.
  • FIG. 26 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 25.
  • It is a top view which shows arrangement
  • It is a schematic sectional drawing which shows a 3 terminal capacitor mounting structure. It is sectional drawing which shows the electric current input into a signal electrode. It is a partial expanded sectional view for demonstrating the effect at the time of the electric current input to a signal electrode.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a three-terminal capacitor mounting structure according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an IC back surface showing a terminal arrangement of an IC applied to the three-terminal capacitor mounting structure of FIG.
  • FIG. 3 is a backside view of the substrate showing the arrangement of via holes on the backside of the circuit board
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a three-terminal capacitor mounting structure.
  • the three-terminal capacitor mounting structure of this embodiment has a structure in which IC1 is mounted on the front surface 2a of the circuit board 2 and the three-terminal capacitor 3-1 is mounted on the back surface 2b of the circuit board 2.
  • a dashed box D a partial view clearly showing the mounting state of the three-terminal capacitor 3-1 with the back surface 2b of the circuit board 2 reversed is shown for easy understanding. .
  • the IC 1 is an integrated circuit having a BGA type terminal arrangement, and a plurality of terminals such as a power supply terminal, a ground terminal, and a signal terminal are arranged in a square lattice pattern on the back surface 1a.
  • the BGA terminal array has a shape in which a minimum square A is defined by four terminals and a plurality of minimum squares A are aligned.
  • the power supply terminals 11 and 12 are indicated by white circles
  • the ground terminals 13 and 14 are indicated by black circles.
  • each minimum square A a pair of power supply terminals 11 and 12 are arranged at the vertices on one diagonal of the minimum square A, and a pair of ground terminals 13 and 14 are arranged at the vertices on the other diagonal.
  • the minimum square A in which the power supply terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 are arranged diagonally in this way is at least one of the plurality of minimum squares A constituting the BGA terminal array.
  • the power terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 may be arranged at any vertex.
  • the IC 1 of the BGA terminal arrangement in which the power supply terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 are arranged diagonally in all the minimum squares A is applied.
  • the minimum square A and the following minimum square B are indicated by solid lines.
  • the minimum squares are terminals 11 to 14 and via holes 21 to 24. It is mentioned here that it is only defined in
  • the circuit board 2 has a number of via holes 21 to 24 corresponding to the power supply terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 of the IC 1.
  • the via holes 21 to 24 penetrate perpendicularly from the front surface 2a to the back surface 2b of the circuit board 2 in the same arrangement as the BGA terminal arrangement. And the part exposed to the surface 2a of the circuit board 2 is connected to the power supply terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 of IC1.
  • the via holes 21 and 22 shown in white are connected to the power supply terminals 11 and 12, respectively, and the via holes 23 and 24 shown in black are connected to the ground terminals 13 and 14, respectively. Therefore, as shown in FIG. 3, the minimum square B composed of the via holes 21 to 24 is also substantially the same shape as the minimum square A.
  • the three-terminal capacitor 3-1 is mounted on the back surface 2b of the circuit board 2 and at a position directly behind the IC 1.
  • FIG. 5 is a schematic perspective view showing the appearance of the three-terminal capacitor 3-1, the positional relationship between the terminals of the IC 1 and the via holes of the circuit board 2, and
  • FIG. 6 is a plan view of the three-terminal capacitor 3-1.
  • FIG. 7 is an exploded perspective view of the three-terminal capacitor 3-1.
  • the three-terminal capacitor 3-1 includes a chip body 30 and external electrodes 4-1 to 4-4 as first to fourth external electrodes.
  • the chip body 30 forms a square in plan view, and four corners 30a to 30d are rounded.
  • FIG. 5 is a schematic perspective view showing the appearance of the three-terminal capacitor 3-1, the positional relationship between the terminals of the IC 1 and the via holes of the circuit board 2
  • FIG. 6 is a plan view of the three-terminal capacitor 3-1.
  • FIG. 7 is an exploded
  • the size of the three-terminal capacitor 3-1 is set to be approximately equal to the size of the minimum square A described above.
  • the three-terminal capacitor 3-1 having such an appearance is a multilayer capacitor, and has a structure in which a signal electrode 31 and a ground electrode 32 are stacked with an insulating layer 33 interposed therebetween.
  • FIG. 8 is a plan view showing the signal electrode 31, and
  • FIG. 9 is a plan view showing the ground electrode 32.
  • the signal electrode 31 is formed on the diagonally downward diagonal line on the insulating layer 33, and both end portions 31 a and 31 b are located at both corner portions 30 a and 30 b of the insulating layer 33.
  • FIG. 8 is a plan view showing the signal electrode 31
  • FIG. 9 is a plan view showing the ground electrode 32.
  • the signal electrode 31 is formed on the diagonally downward diagonal line on the insulating layer 33, and both end portions 31 a and 31 b are located at both corner portions 30 a and 30 b of the insulating layer 33
  • the ground electrode 32 is formed on a diagonal line rising to the right on the insulating layer 33, and both end portions 32 a and 32 b are located at both corner portions 30 c and 30 d of the insulating layer 33. Therefore, the length m1 between the both end portions 31a and 31b of the signal electrode 31 is equal to the length m2 of the both end portions 32a and 32b of the ground electrode 32.
  • the pair of signal electrodes 31 and the ground electrode 32 face each other in the vertical direction of the chip body 30.
  • a straight line m1 (see FIG.
  • the chip body 30 is assembled with a plurality of pairs of signal electrodes 31 and ground electrodes 32 facing each other.
  • the external electrodes 4-1 to 4-4 are respectively formed on the outer surface of the chip body 30, and the exposed end portions 31a and 31b of the plurality of signal electrodes 31 (see FIG. 7). ) And the exposed end portions 32a and 32b (see the figure) of the plurality of ground electrodes 32. Specifically, as shown in FIG. 8, the external electrodes 4-1 and 4-2 are connected to both end portions 31 a and 31 b of each signal electrode 31. On the other hand, the external electrodes 4-3 and 4-4 are formed at the respective corner portions of the insulating layer 33 so as to be electrically connected to both end portions 32a and 32b of the ground electrode 32 as shown in FIG. 30c and 30d are formed.
  • the three-terminal capacitor 3-1 having such a configuration is mounted on the back surface 2b of the circuit board 2, and the external electrodes 4-1 and 4-2 are formed by the first and second via holes.
  • the external electrodes 4-3 and 4-4 are connected to via holes 23 and 24, which are third and fourth via holes.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 are electrically connected to the power supply terminals 11 and 12 of the IC 1 by being connected to the via holes 21 and 22, respectively.
  • the external electrodes 4-3 and 4-4 are electrically connected to the ground terminals 13 and 14 of the IC 1 by being connected to the via holes 23 and 24.
  • the signal electrode 31 having both end portions 31a and 31b connected to the external electrodes 4-1 and 4-2 is connected to the pair of power supply terminals 11 and 12 of the smallest square A of the IC 1 through the via holes 21 and 22.
  • the ground electrode 32 having both ends 32a and 32b connected to the external electrodes 4-3 and 4-4 is connected to the pair of ground terminals 13 and 14 of the minimum square A through the via holes 23 and 24.
  • the plurality of opposed signal electrodes 31 and ground electrodes 32 function as capacitors.
  • FIG. 10 is an electric circuit diagram schematically showing a three-terminal capacitor mounting structure.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 of the three-terminal capacitor 3-1 are connected to the power supply terminals 11 and 12 of the IC 1 through the via holes 21 and 22, respectively.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 are also connected to a power supply device 100 that supplies power to the power supply terminals 11 and 12 of the IC1.
  • the external electrodes 4-3 and 4-4 are connected to the ground terminals 13 and 14 through the via holes 23 and 24.
  • the external electrodes 4-3 and 4-4 are connected to the ground 110.
  • the linear via holes 21 to 24 are passed through and mounted on the three-terminal capacitor 3-1 directly behind IC1.
  • the length of the path from the IC 1 including the via holes 21 to 24 to the three-terminal capacitor 3-1 is the shortest.
  • a three-terminal capacitor 3-1 having a very small residual inductance is used as a bypass capacitor.
  • the inductance of the via holes 21 to 24 and the inductance of the bypass three-terminal capacitor 3-1 are very small.
  • the back electromotive force generated by the product of the temporal change of the intermittent current from the IC 1 and the inductance is extremely low, and noise radiation is reduced.
  • the three-terminal capacitor 3-1 is mounted, as shown in FIG. 4, one pair of the power supply terminal 11 and the ground terminal 13 and one pair of the power supply terminal 12 and the ground terminal 14 are provided. Can be processed with two capacitors.
  • FIG. 11 is a schematic perspective view for explaining the total inductance of the via hole when a two-terminal capacitor is connected.
  • the external electrodes 51, 5 of the first two-terminal capacitor 5 (5-1), 52 must be connected to the via holes 21 and 23 and the external electrodes 51 and 52 of the second two-terminal capacitor 5 (5-2) need to be connected to the via holes 22 and 24.
  • the current I1 in the via hole 21 flows out to the via hole 23 through the two-terminal capacitor 5 (5-1) as indicated by an arrow.
  • the inductance of the via holes 22 and 24 is L2 and L4, and the mutual inductance M24, the inductance of the via holes 22 and 24 is L2 + L4-2 ⁇ M24. Therefore, when the two two-terminal capacitors 5 (5-1, 5-2) are connected to the via holes 21 to 24, the total inductance of the via holes 21 to 24 is L1 + L2 + L3 + L4-2 ⁇ (M13 + M24).
  • FIG. 12 is a schematic perspective view for explaining the total inductance of the via hole when a three-terminal capacitor is connected.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 of the three-terminal capacitor 3-1 are connected to the via holes 21 and 22, and the external electrodes 4-3 and 4-4 are connected to the via holes 23. , 24.
  • the current I1 in the via hole 21 flows out to the via hole 23 and the via hole 24 through the three-terminal capacitor 3-1, as indicated by the solid line arrow.
  • the total inductance of the via holes 21 to 24 when using the two-terminal capacitor 5 (5-1, 5-2) is L1 + L2 + L3 + L4-2 ⁇ (M13 + M24).
  • the capacitor mounting structure by using one three-terminal capacitor, the inductance can be made smaller than when two two-terminal capacitors are used, and the number of parts can be reduced accordingly.
  • the 3-terminal capacitor 3-1 having a low residual inductance is used, the inductance can be further reduced as compared with the case where a 2-terminal capacitor is used.
  • FIG. 13 is a plan view showing the terminal arrangement of the IC 1 applied to the three-terminal capacitor mounting structure according to the second embodiment of the present invention
  • FIG. 14 is a plan view showing the via hole arrangement of the circuit board.
  • the terminal arrangement around the smallest square A of the IC 1 is different from that of the first embodiment.
  • the terminal arrangement of the IC 1 is an arrangement in which the minimum square A defined by the power supply terminals 11 and 12 and the ground terminals 13 and 14 is spread as shown in FIG. In this embodiment, as indicated by a box C in FIGS.
  • the power supply terminals 11, 11 () are provided outward from the power supply terminal 11 (12) at the apex of the minimum square A in the direction of the sides a, b (c, d). 12 and 12), respectively, and the ground terminals 13 and 13 (14 and 14) are arranged on the outer side in the sides b and c (a and d) from the ground terminal 13 (14) at the apex of the minimum square A, respectively. did. That is, at each vertex of the minimum square A, three terminals 11, 11, 11 (12, 12, 12 to 14, 14, 14) are arranged in an L shape.
  • Reference numeral 15 denotes a terminal other than the power supply terminal and the ground terminal, for example, a signal terminal.
  • the arrangement of the via holes 21 to 24 exposed on the back surface 2b of the circuit board 2 also corresponds to the arrangement of the terminals 11 to 14 of the IC 1, as shown in FIG. 14, but each via hole arranged in an L shape.
  • Groups 21, 21, 21 (22, 22, 22 to 24, 24, 24) are connected by a pattern. Specifically, as shown in a box C ′ in FIG. 14, the patterns 21 a and 21 b (22 a and 22 b) are moved outward from the via hole 21 (22) at the apex of the minimum square B in the sides a and b (c and d).
  • the via holes 21 and 21 (22 and 22) at the extension destinations were separately extended.
  • the patterns 23a and 23b are separately extended outward from the via hole 23 (24) at the apex of the minimum square B in the side b and c (a and d) directions, and the via hole 23 at the extension destination is provided. , 23 (24, 24).
  • the via hole denoted by reference numeral 25 is a via hole connected to the terminal 15.
  • the three via holes 21 (22 to 24) are connected in parallel by the patterns 21a and 21b (22a, 22b to 24a, and 24b).
  • the via holes connected to the terminals of the IC 1 are formed.
  • the cross-sectional area increases three times, and the inductance decreases accordingly. Since other configurations, operations, and effects are the same as those in the first embodiment, description thereof is omitted.
  • FIG. 15 is a partially enlarged plan view showing a main part of a three-terminal capacitor mounting structure according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 16 is a partially enlarged plan view showing a mounted state of the three-terminal capacitor.
  • This embodiment differs from the first and second embodiments in that it has a via hole structure that can mount even a small three-terminal capacitor.
  • the arrangement of the via holes 21 to 24 that define the minimum square B corresponding to the minimum square A is the same as in the first and second embodiments. However, in the case of the arrangement of this size, the three-terminal capacitor 3-1 smaller than the minimum square B (A) cannot be mounted.
  • the lands 21c and 22c as first and second lands having a predetermined length are drawn out from the via holes 21 and 22, respectively, and the predetermined length from the via holes 23 and 24 is obtained.
  • a square B 'smaller than the minimum square B was defined by these lands 21c to 24c. Then, as shown in FIG.
  • a small three-terminal capacitor 3-1 substantially equal to the square B ′ is placed on the lands 21c to 24c, the external electrodes 4-1 and 4-2 are connected to the lands 21c and 22c, and The external electrodes 4-3 and 4-4 were mounted by soldering to the lands 23c and 24c.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the first and second embodiments, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 17 is an external view of a three-terminal capacitor which is a main part of a three-terminal capacitor mounting structure according to a fourth embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a plan view of the three-terminal capacitor
  • FIG. It is a disassembled perspective view of a terminal capacitor.
  • the three-terminal capacitor 3-2 of this embodiment is that the external electrodes 4-1 to 4-4 are located at the center of the side surface of the chip body 30. -Different from the third embodiment. That is, as shown in FIG. 19, the three-terminal capacitor 3-2 is also a multilayer capacitor, and has a structure in which the signal electrode 31 and the ground electrode 32 are stacked via the insulating layer 33.
  • FIG. 20 is a plan view showing the signal electrode 31, and FIG. 21 is a plan view showing the ground electrode 32.
  • the signal electrode 31 is formed from the front side to the rear side of the insulating layer 33, and both end portions 31 a and 31 b are located at the front and rear central portions of the insulating layer 33, respectively.
  • the ground electrode 32 is formed across the left and right sides of the insulating layer 33, and its both end portions 32 a and 32 b are located at the right and left central portions of the insulating layer 33.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 are formed at the center of the front and rear side surfaces of the chip body 30, respectively, and are connected to the exposed end portions 31 a and 31 b of the plurality of signal electrodes 31.
  • the external electrodes 4-3 and 4-4 are formed at the center of the right and left side surfaces of the chip body 30, respectively, and are connected to both exposed end portions 32 a and 32 b of the plurality of ground electrodes 32.
  • FIG. 22 is a schematic plan view showing a state in which the three-terminal capacitor 3-2 of this embodiment is mounted.
  • the three-terminal capacitor 3-2 is configured as described above, so that the front and rear side external electrodes 4-1 and 4-2 are connected to the via holes 21 and 22, and the left and right side external electrodes are connected.
  • 4-3 and 4-4 to the via holes 23 and 24, it is possible to mount the three-terminal capacitor 3-2 having a size twice as large as the minimum square B (A). That is, according to the three-terminal capacitor mounting structure of this embodiment, it is possible to mount the three-terminal capacitor 3-2 having a capacity twice as large as that of the three-terminal capacitor 3-1 of the first to third embodiments. it can.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the first to third embodiments, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 23 is a plan view showing a via hole arrangement which is a main part of the three-terminal capacitor mounting structure according to the fifth embodiment of the present invention.
  • This embodiment differs from the first to fourth embodiments in that a larger three-terminal capacitor can be mounted by improving the arrangement of the via holes used in the second embodiment. .
  • FIG. 24 is a plan view for explaining a method of mounting a three-terminal capacitor.
  • the size of the three-terminal capacitor 3-2 shown in the fourth embodiment is set to a size connectable to the via hole shown in FIG.
  • the length of each side surface of the three-terminal capacitor 3-2 is set to a length passing through each land 21d to 24d, and the outside of the center of the front and rear side surfaces is set.
  • the electrodes 4-1 and 4-2 were placed on the lands 21d and 22d, and the outer electrodes 4-3 and 4-4 at the center of the left and right side surfaces were placed on the lands 23d and 24d. Then, the external electrodes 4-1 to 4-4 were connected to the lands 21d to 22d by the solder 120.
  • a large-capacity three-terminal capacitor 3-2 having an area approximately seven times the minimum square B (A) defined by the apex via holes 21 to 24 can be mounted. it can.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the second and fourth embodiments, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 25 is a perspective view showing a three-terminal capacitor applied to the three-terminal capacitor mounting structure according to the sixth embodiment of the present invention
  • FIG. 26 is an exploded perspective view of the three-terminal capacitor of FIG. 27 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 25
  • FIG. 28 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • This embodiment is different from the first to fifth embodiments in the structure of a three-terminal capacitor.
  • the three-terminal capacitor 3-3 applied to the three-terminal capacitor mounting structure of this embodiment includes an additional electrode group 6 as a first additional electrode group and a second additional electrode group. It has the additional electrode group 7, the additional electrode group 8 as a 3rd additional electrode group, and the additional electrode group 9 as a 4th additional electrode group.
  • the pair of additional electrode groups 6 are respectively disposed directly above and directly below the end portion 31 a of the signal electrode 31, and the pair of additional electrode groups 7 are formed of the signal electrode 31.
  • a pair of additional electrode groups 8 are respectively disposed directly above and directly below the end portion 31b of the ground electrode 32, and a pair of additional electrode groups 9 are disposed directly above and directly below the end portion 32a of the ground electrode 32.
  • the electrodes 32 are disposed directly above and directly below the end 32b of the electrode 32, respectively. More specifically, as shown in FIG. 27, in the additional electrode group 6 (7), additional electrodes 61 (71) as first additional electrodes (second additional electrodes) are stacked at equal intervals in the vertical direction. The end 61a (71a) of each additional electrode 61 (71) is connected to the external electrode 4-1 (4-2). The plurality of additional electrodes 61 (71) are skewered by the two via holes 62, 62 (72, 72), and end portions 62a, 62a (72a, 72a) of the via holes 62, 62 (72, 72). ) Is connected to the end 31 a (31 b) of the signal electrode 31.
  • an additional electrode 81 (91) as a third additional electrode (fourth additional electrode) is laminated at equal intervals in the vertical direction.
  • An end 81a (91a) of the electrode 81 (91) is connected to the external electrode 4-3 (4-4).
  • the plurality of additional electrodes 81 (91) are skewered by two via holes 82 and 82 (92 and 92), and end portions 82a and 82a (92a and 92a) of the via holes 82 and 82 (92 and 92) are inserted. ) Is connected to the end portion 32 a (32 b) of the ground electrode 32.
  • FIG. 29 is a plan view showing an arrangement of lands and via holes for mounting a three-terminal capacitor
  • FIG. 30 is a schematic cross-sectional view showing a three-terminal capacitor mounting structure.
  • the three-terminal capacitor 3-3 having the above structure is mounted on lands 41 to 44 as first to fourth lands.
  • These lands 41 to 44 are arranged in a square shape on the back surface 2b of the circuit board 2, but are not directly connected to the via holes connected to the power supply terminal and the ground terminal of the IC1.
  • the lands 41 to 44 are connected to the via holes 26 to 29 through the patterns 26a to 29a as the first to fourth patterns. Specifically, as shown in FIG.
  • the via hole 26 (27) is connected to the power supply terminal 16 of the IC 1, and as shown in FIG. 29, the inside of the square G defined by the lands 41 to 44. In addition, a plurality of them are arranged at positions on the land 41 (42) side with a diagonal line (not shown) connecting the lands 43 and 44 as a boundary.
  • Each via hole 26 (27) is connected to the land 41 (42) through the pattern 26a (27a).
  • the via hole 28 (29) is connected to the ground terminal 17 of the IC 1 as shown in FIG. 30, and is inside the square G and connects the lands 41 and 42 as shown in FIG.
  • a plurality of lines are arranged at positions on the land 43 (44) side with a diagonal line (not shown) as a boundary.
  • Each via hole 28 (29) is connected to a land 43 (44) through a pattern 28a (29a).
  • a three-terminal capacitor 3-3 is mounted on these lands 41 to 44, and external electrodes 4-1 to 4-24 are connected to the lands 41 to 44 by soldering or the like.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing a current input to the signal electrode
  • FIG. 32 is a partially enlarged cross-sectional view for explaining an effect when a current is input to the signal electrode.
  • the intermittent current I When the intermittent current I is generated at the power supply terminal 16 of the IC 1 shown in FIG. 30, the intermittent current I reaches the pattern 26a (27a) through the via hole 26 (27) as shown in FIG.
  • the intermittent current I flows on the pattern 26a (27a) toward the land 41 (42) and is input from the land 41 (42) to the external electrode 4-1 (4-2).
  • the intermittent current I is generated by the signal electrode 31 connected in parallel to the external electrode 4-1 (4-2) and the additional electrode 61 (71) positioned above and below the end 31a (31b) of the signal electrode 31.
  • the intermittent current I flowing through each additional electrode 61 (71) of the additional electrode 61 (71) merges with the signal electrode 31 through the via hole 62 (72).
  • the additional electrode group 6 (7) and the signal electrode 31 are connected in parallel to the external electrode 4-1 (4-2). Because of this structure, the inductance of the path from the external electrode 4-1 (4-2) to the signal electrode 31 with respect to the intermittent current I is reduced.
  • the additional electrode group 6 (7) also has a parallel connection structure in which a plurality of additional electrodes 61 (71) are connected in a skewered manner by one or more via holes 62 (72). 7) The inductance itself is small.
  • the intermittent current I from the power supply terminal 16 to the via hole 26 (27) flows toward the land 41 (42) on the pattern 26a (27a).
  • the via hole 26 (27) is located inside the square G defined by the lands 41 to 44, and the external electrode 4-1 (4- 2) is located on the land 41 (42).
  • the additional electrode 61 (71) of the additional electrode group 6 (7) faces the inner side of the three-terminal capacitor 3-3 in a state where the additional electrode 61 (71) is connected to the external electrode 4-1 (4-2). Therefore, as shown in FIG.
  • the direction of the intermittent current I flowing on the pattern 26a (27a) and the direction of the intermittent current I flowing on the additional electrode 61 (71) of the additional electrode group 6 (7) are reversed. It has become. Therefore, for example, when the inductance of the pattern 26a (27a) is L6, the inductance of the additional electrode 61 (71) is L7, and the mutual inductance is M67, the total inductance is L6 + 17 ⁇ 2 ⁇ M67, and 2 ⁇ M67. As a result, the inductance decreases.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing a current output from the ground electrode 32
  • FIG. 34 is a partially enlarged cross-sectional view for explaining an effect when a current is output from the ground electrode 32.
  • the additional electrode group 8 (9) and the ground electrode 32 are connected in parallel to the external electrode 4-3 (4-4), the additional electrode for the intermittent current I is provided.
  • the inductance of the path from the group 8 (9) and the ground electrode 32 to the external electrode 4-3 (4-4) is also small.
  • the additional electrode group 8 (9) has a parallel connection structure in which a plurality of additional electrodes 81 (91) are connected by one or more via holes 82 (92), the additional electrode group 8 (9) itself The inductance of is also small.
  • the intermittent current I output to the external electrode 4-3 (4-4) travels from the land 43 (44) onto the pattern 28a (29a) toward the via hole 28 (29).
  • the external electrode 4-3 (4-4) of the three-terminal capacitor 3-3 is located on the land 43 (44), and the via hole 28 (29) is formed on the lands 41 to 44.
  • the intermittent current I flowing through the additional electrode 81 (91) of the additional electrode group 8 (9) is directed to the outside of the three-terminal capacitor 3-3, as shown in FIG. The direction of the intermittent current I flowing on the pattern 28a (29a) is reversed.
  • FIG. 35 is a sectional view showing the signal electrode side of a three-terminal capacitor applied to the three-terminal capacitor mounting structure according to the seventh embodiment of the present invention
  • FIG. 36 is a sectional view showing the ground electrode side of the three-terminal capacitor.
  • FIG. This embodiment differs from the sixth embodiment in that the via hole of the additional electrode group is also connected to the external electrode.
  • the end 62b (72b) of the via hole 62 (72) provided in the additional electrode group 6 (7) of the three-terminal capacitor 3-4 is connected to the external electrode 4-1 ( It was extended to the 4-2 side.
  • the end 62b (72b) is connected to the upper end 4-1a (4-2a) and the lower end 4- of the external electrode 4-1 (4-2) positioned on the upper surface 30a and the lower surface 30b of the chip body 30, respectively.
  • the end 82b (92b) of the via hole 82 (92) is connected to the external electrode 4-3 (4-4) side.
  • the end 82b (92b) was connected to the upper end 4-3a (4-4a) and the lower end 4-3b (4-4b) of the external electrode 4-3 (4-4). That is, the external electrode 4-3 (4-4) and the additional electrode group 8 (9) were connected in parallel.
  • the additional electrode group 6 (7) and the external electrode 4-1 (4-2) are totally connected by the parallel connection effect of the external electrode 4-1 (4-2) and the additional electrode group 6 (7).
  • the inductance is reduced, and the additional electrode group 8 (9) and the external electrode 4-3 (4-4) are caused by the parallel connection effect of the external electrode 4-3 (4-4) and the additional electrode group 8 (9).
  • the total inductance decreases.
  • FIG. 37 is a diagram showing the results of simulation.
  • the three-terminal capacitors excluding the additional electrode groups 6 to 9 are mounted on the lands 41 to 44 shown in FIG. 29, and a current with a frequency of 100 MHz to 3 GHz is applied.
  • the impedance was input to the via holes 26 and 27 and the impedance of the via holes 26 and 27 was measured.
  • a curve S1 indicated by a one-dot chain line in FIG. 37 was obtained.
  • the three-terminal capacitor 3-3 of the sixth embodiment having the additional electrode groups 6 to 9 is mounted on the lands 41 to 44, and a current having a frequency of 100 MHz to 3 GHz is input to the via holes 26 and 27. , 27 impedance was measured. Then, a curve S2 indicated by a two-dot chain line in FIG. 37 was obtained. As is apparent from these curves S1 and S2, the impedance of the via holes 26 and 27 is lower when the three-terminal capacitor of the sixth embodiment having the additional electrode groups 6 to 9 is used, and the additional electrode groups 6 to 9 are used. It can be seen that there is a noise suppression effect as compared with the case of using a three-terminal capacitor without any.
  • the three-terminal capacitor 3-4 of the seventh embodiment having additional electrode groups 6 to 9 and via holes 62 to 92 connected to the external electrodes 4-1 to 4-4 is mounted on the lands 41 to 44.
  • a current with a frequency of 100 MHz to 3 GHz was input to the via holes 26 and 27, and the impedance of the via holes 26 and 27 was measured.
  • a curve S3 indicated by a solid line in FIG. 37 was obtained.
  • the impedance of the via holes 26 and 27 is the lowest, and the highest noise suppression effect can be obtained. It was.
  • Other configurations, operations, and effects are the same as those in the sixth embodiment, and thus description thereof is omitted.
  • FIG. 38 is a perspective view showing a three-terminal capacitor applied to the three-terminal capacitor mounting structure according to the eighth embodiment of the present invention
  • FIG. 39 shows a land for mounting the three-terminal capacitor and an external portion. It is a top view which shows the positional relationship with an electrode.
  • This embodiment differs from the sixth and seventh embodiments in the arrangement of external electrodes. That is, as shown in FIG. 38, in this three-terminal capacitor 3-5, the signal electrode 31 and the ground electrode 32 are arranged so as to face the center of the side surface of the chip body 30.
  • the external electrodes 4-1 and 4-2 are arranged and connected to the side surface portions corresponding to the end portions 31a and 31b of the signal electrode 31, respectively, and the external electrodes 4-3 and 4-3 are connected to the ground electrode 32.
  • the side portions corresponding to the end portions 32a and 32b are disposed and connected.
  • the additional electrode group 6 (7) is provided directly above and directly below the end 31a (31b) of the signal electrode 31, and the additional electrode group 8 (9) is directly above the end 32a (32b) of the ground electrode 32. And just below.
  • this invention is not limited to the said Example, A various deformation
  • the example in which the three-terminal capacitors 3-1 to 3-5 in which the signal electrode 31 and the ground electrode 32 pass through the corners and side central portions of the chip body 30 is described.
  • the structure of is not limited to this. That is, as shown in FIG.
  • the lengths of the signal electrode 31 and the ground electrode 32 facing each other in the vertical direction of the square chip body 30 are equal, and the straight line m1 connecting both ends 31a and 31b of the signal electrode 31 and the ground If the straight line m2 connecting both end portions 32a and 32b of the electrode 32 is orthogonal to each other at the center, the signal electrode 31 and the ground electrode 32 are shifted from the corners and the center of the chip body 30. Even a three-terminal capacitor is included in the scope of the present invention.
  • all of the plurality of via holes 26 (27) connected to the power supply terminal 16 and the plurality of via holes 28 (29) connected to the ground terminal 17 are used.
  • the present invention is not limited to this, and at least one of the via holes connected to the power supply terminal 16 is not limited to this.
  • the invention of a structure in which a part of the via holes and at least a part of the via holes connected to the ground terminal 17 are arranged inside the square G is also included in the scope of the present invention. Therefore, for example, as shown in FIG.
  • insulating layer 31a, 31b, 32a , 32b, 61a, 62a, 62b, 71a, 72a, 72b, 81a, 82a, 82b, 91a, 92a, 92b ... end, 61, 71, 81, 9 ...

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Abstract

 低コストで高精度のノイズ対策構造を達成することができる3端子コンデンサ及び3端子コンデンサ実装構造を提供する。 BGA型端子のIC1が実装された回路基板2の真裏に3端子コンデンサ3-1を実装した。BGA型端子では、電源端子11,12とグランド端子13,14とが最小正方形Aを成し、回路基板2を貫通したビアホール21~24の配列もこの最小正方形Aに対応している。3端子コンデンサ3-1は、チップ体30と外部電極4-1~4-4とを有し、平面視で正方形を成す。その大きさは最小正方形Aとほぼ等しく、対向する信号電極31,グランド電極32を内包する。信号電極31、グランド電極32は、外部電極4-1,4-2、外部電極4-3,4-4に接続され、外部電極4-1,4-2及び4-3,4-4はビアホール21,22及び23,24に接続されている。

Description

3端子コンデンサ及び3端子コンデンサ実装構造
 この発明は、BGA(Ball Grid Array)タイプのIC(Integrated Circuit)を搭載した回路基板に設けられる3端子コンデンサ及び3端子コンデンサ実装構造に関するものである。
 デジタルIC等では、電流や電圧のオン,オフ動作が繰り返されるため、急激な間歇電流がICの電源ラインに流れる。そして、この間歇電流が流れると、電源ライン及びグランドラインのインダクタンスや、ビアホールのインダクタンスによって、逆起電力が発生し、ICに供給される電源電圧が上昇,下降を繰り返して、ノイズが発生することとなる。
 このため、従来の技術では、バイパスコンデンサを、ICの電源端子とグランド端子との間に介在させ、間歇電流の変化をこのバイパスコンデンサによって吸収することで、ノイズの発生を抑制している(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。
特開2003-297963号公報 特開2004-006488号公報
 従来のノイズ対策技術では、ICの電源端子に接続された電源端子接続用ビアホールとグランド端子に接続されたグランド端子接続用ビアホールとを、回路基板の裏面側まで引き出し、これら1対のビアホールの間にバイパス用の2端子コンデンサを接続した構成をとっている。
 しかし、ICは、数十もの電源端子やグランド端子を有しており、これらの電源端子及びグランド端子に接続するビアホールも数十対にも及ぶ。したがって、このような従来の技術では、バイパス用のコンデンサを非常に多くのビアホール対毎に設けることとなり。この結果、多くのコンデンサが必要となり、その分、部品点数が増え、ノイズ対策構造のコストアップに繋がるという問題があった。
 この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、低コストで高精度のノイズ対策構造を達成することができる3端子コンデンサ及び3端子コンデンサ実装構造を提供することを目的とする。
 上記課題を解決するために、請求項1の発明は、上下方向で対向する信号電極とグランド電極とを1対以上を包含するチップ体と、このチップ体の外面に形成され且つ信号電極の両端部のそれぞれに電気的に接続される第1及び第2の外部電極と、チップ体の外面に形成され且つグランド電極の両端部のそれぞれに電気的に接続される第3及び第4の外部電極とを備える3端子コンデンサであって、チップ体を、平面視で正方形に形成すると共に、信号電極の両端部間の長さとグランド電極の両端部間の長さとをほぼ等しく設定し、信号電極の両端部を結ぶ直線とグランド電極の両端部を結ぶ直線とが、それぞれの直線のほぼ中心で直交するように、信号電極とグランド電極とを対向させて配設し、チップ体の外面に露出した信号電極の両端部に、第1及び第2の外部電極を接続させると共に、チップ体の外面に露出したグランド電極の両端部に、第3及び第4の外部電極を接続した構成とする。
 かかる構成により、3端子コンデンサが正方形をなし、当該3端子コンデンサの外面に形成されている第1~第4の外部電極が、正方形の頂点部分に位置する。このため、第1~第4の外部電極で成る正方形とほぼ同形の配列をした1対の電源端子と1対のグランド端子に対して、これら第1~第4の外部電極をビアホール等を通じて接続することができる。
 すなわち、3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を対角線上で対向する1対の電源端子に電気的に接続すると共に、第3及び第4の外部電極を他の対角線上で対向する1対のグランド端子に接続することができる。
 これにより、ICの電源端子やグランド端子に間歇電流が生じた場合には、3端子コンデンサがバイパスコンデンサとして機能し、電圧変動を吸収する。
 請求項2の発明は、請求項1に記載の3端子コンデンサにおいて、信号電極の両端部を、チップ体の一方の対角線上で向き合う両角部にそれぞれ位置させると共にグランド電極の両端部を、他方の対角線上で向き合う両角部にそれぞれ位置させ、第1及び第2の外部電極を、チップ体の一方の両角部において、信号電極の両端部に電気的に接続させと共に、第3及び第4の外部電極を、チップ体の他方の両角部において、グランド電極の両端部に電気的に接続させた構成とする。
 かかる構成により、3端子コンデンサの対角線上で対向する第1及び第2の外部電極を1対の電源端子に電気的に接続すると共に、他の対角線上で対向する第3及び第4の外部電極を1対のグランド端子に接続することができる。
 請求項3の発明は、請求項1に記載の3端子コンデンサにおいて、信号電極の両端部を、チップ体の対向する両側面の中央にそれぞれ位置させると共にグランド電極の両端部を、他の対向する両側面の中央にそれぞれ位置させ、第1及び第2の外部電極を、チップ体の両側面の中央で、信号電極の両端部に電気的に接続させと共に、第3及び第4の外部電極を、チップ体の他の両側面の中央で、グランド電極の両端部に電気的に接続させた構成とする。
 かかる構成により、3端子コンデンサの両側面で対向する第1及び第2の外部電極を1対の電源端子に電気的に接続すると共に、他の両側面で対向する第3及び第4の外部電極を1対のグランド端子に接続することができる。
 請求項4の発明は、請求項2又は請求項3に記載の3端子コンデンサにおいて、複数枚の第1の追加電極を、信号電極の一方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第1の追加電極の端部を、第1の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第1の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールの信号電極側を向く一方端部を、信号電極の一方端部に接続して構成した第1の追加電極群と、複数枚の第2の追加電極を、信号電極の他方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第2の追加電極の端部を、第2の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第2の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールの信号電極側を向く一方端部を、信号電極の他方端部に接続して構成した第2の追加電極群と、複数枚の第3の追加電極を、グランド電極の一方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第3の追加電極の端部を、第3の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第3の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールのグランド電極側を向く一方端部を、グランド電極の一方端部に接続して構成した第3の追加電極群と、複数枚の第4の追加電極を、グランド電極の他方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第4の追加電極の端部を、第4の外部電極に接続し、且つ1本以上のビアホールによって、これら複数の第4の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールのグランド電極側を向く一方端部を、グランド電極の他方端部に接続して構成した第4の追加電極群とを設けた構成とする。
 かかる構成により、第1~第4の外部電極を、ビアホール等を通じてICの電源端子とグランド端子に接続することができる。かかる状態で、間歇電流がICの電源端子で生じると、間歇電流の一部は、第1の外部電極(第2の外部電極)から複数枚の第1の追加電極の端部を通じて第1の追加電極群(第2の追加電極群)内に入力する。
 そして、第1の追加電極群(第2の追加電極群)に入力した間歇電流は、第1の追加電極群(第2の追加電極群)のビアホールを通じて信号電極に入力する。また、残りの間歇電流は、第1の外部電極(第2の外部電極)から直接信号電極に入力する。
 つまり、第1の追加電極群(第2の追加電極群)と信号電極とが、第1の外部電極(第2の外部電極)に対して並列に接続された構造になっているので、第1の外部電極(第2の外部電極)から信号電極に至る経路のインダクタンスが小さくなっている。
 しかも、第1の追加電極群(第2の追加電極群)が、端部が第1の外部電極(第2の外部電極)に接続された複数枚の第1の追加電極(第2の追加電極)同士を1本以上のビアホールで接続した構成になっているので、第1の追加電極群(第2の追加電極群)自体も並列接続構造を有しており、そのインダクタンスは小さい。
 さらに、第1の外部電極(第2の外部電極)に入力する間歇電流の向きと第1の追加電極群(第2の追加電極群)の各第1の追加電極(第2の追加電極)を流れる間歇電流の向きとが、逆の場合には、第1の外部電極(第2の外部電極)に入力する間歇電流の経路と各第1の追加電極(第2の追加電極)との間に負の相互インダクタンスが生じ、第1の外部電極(第2の外部電極)に入力する間歇電流の経路と各第1の追加電極(第2の追加電極)との間のインダクタンスが減少する。
 このように、この発明の3端子コンデンサでは、信号電極に至る経路のインダクタンス、第1の追加電極群(第2の追加電極群)自体のインダクタンス、及び第1の外部電極(第2の外部電極)に入力する間歇電流の経路と各第1の外部電極(第2の外部電極)との間のインダクタンスが小さくなるので、間歇電流によるノイズ輻射をさらに抑制することができる。
 そして、信号電極に入力した間歇電流は、グランド電極に至り、その一部がビアホールを通じて第3の追加電極群(第4の追加電極群)に出力し、複数枚の第3の追加電極(第4の追加電極)の端部から第3の外部電極(第4の外部電極)に出力する。
 また、残りの間歇電流は、グランド電極から第3の外部電極(第4の外部電極)に直接出力する。
  つまり、第3の追加電極群(第4の追加電極群)とグランド電極とが第3の外部電極(第4の外部電極)に対して並列に接続した構造になっているので、第3の追加電極群(第4の追加電極群)とグランド電極とから第3の外部電極(第4の外部電極)に至る経路のインダクタンスが小さくなっている。
 しかも、第3の追加電極群(第4の追加電極群)が、端部が第3の外部電極(第4の外部電極)に接続された複数枚の第3の追加電極(第4の追加電極)同士を1本以上のビアホールで接続した構成になっているので、第3の追加電極群(第4の追加電極群)自体も並列接続構造を有しており、そのインダクタンスは小さい。
 さらに、第3の追加電極群(第4の追加電極群)の各第3の追加電極(第4の追加電極)を流れる間歇電流の向きと第3の外部電極(第4の外部電極)から出力する間歇電流の向きとが、逆の場合には、各第3の追加電極(第4の追加電極)と第3の外部電極(第4の外部電極)から出力する間歇電流の経路との間に負の相互インダクタンスが生じ、各第3の追加電極(第4の追加電極)と第3の外部電極(第4の外部電極)から出力する間歇電流の経路との間のインダクタンスが減少する。
 このように、この発明の3端子コンデンサでは、グランド電極からの出力経路のインダクタンス、第3の追加電極群(第4の追加電極群)自体のインダクタンス、及び各第3の追加電極(第4の追加電極)と第3の外部電極(第4の外部電極)から出力する間歇電流の経路との間のインダクタンスが小さくなるので、間歇電流によるノイズ輻射をさらに抑制することができる。
 請求項5の発明は、請求項4に記載の3端子コンデンサにおいて、第1の追加電極群に設けられたビアホールの他方端部を、延出させて、チップ体の上面上又は下面に位置する第1の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第1の外部電極と第1の追加電極群とを並列に接続し、第2の追加電極群に設けられたビアホールの他方端部を、延出させて、チップ体の上面上又は下面に位置する第2の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第2の外部電極と第2の追加電極群とを並列に接続し、第3の追加電極群に設けられたビアホールの他方端部を、延出させて、チップ体の上面上又は下面に位置する第3の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第3の外部電極と第3の追加電極群とを並列に接続し、第4の追加電極群に設けられたビアホールの他方端部を、延出させて、チップ体の上面上又は下面に位置する第4の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第4の外部電極と第4の追加電極群とを並列に接続した構成とする。
 かかる構成により、第1の追加電極群(第2の追加電極群)は、各第1の追加電極(第2の追加電極)の端部を通じて第1の外部電極(第2の外部電極)に接続されるだけでなく、ビアホールによっても第1の外部電極(第2の外部電極)に接続されているので、第1の追加電極群(第2の追加電極群)と第1の外部電極(第2の外部電極)とが並列に接続した構造になっている。したがって、この並列効果により、第1の追加電極群(第2の追加電極群)と第1の外部電極(第2の外部電極)とのインダクタンスが減少し、間歇電流によるノイズ輻射をより一層抑制することができる。
 さらに、第3の追加電極群(第4の追加電極群)も、各第3の追加電極(第4の追加電極)の端部を通じて第3の外部電極(第4の外部電極)に接続されるだけでなく、ビアホールによっても第3の外部電極(第4の外部電極)に接続されているので、第3の追加電極群(第4の追加電極群)と第3の外部電極(第4の外部電極)も並列に接続した構造になっている。したがって、この並列効果により、第3の追加電極群(第4の追加電極群)と第3の外部電極(第4の外部電極)とのインダクタンスも減少し、間歇電流によるノイズ輻射がより一層抑制される。
 請求項6の発明は、回路基板の表面に、複数の端子が正方形の格子状に配列されたBGA型端子を有するICを実装し、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサを、回路基板の裏面で且つICのほぼ真裏の位置に実装した3端子コンデンサ実装構造であって、BGA型端子を構成する少なくとも1つの最小正方形において、一方の対角線上の頂点に1対の電源端子をそれぞれ配すると共に、他方の対角線上の頂点に1対のグランド端子をそれぞれ配し、回路基板に、BGA型端子と接続した状態で、回路基板を垂直に貫通して裏面に露出する複数のビアホールを設け、3端子コンデンサの信号電極の両端部に接続された第1及び第2の外部電極を、最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ電気的に接続すると共に、3端子コンデンサのグランド電極の両端部に接続された第3及び第4の外部電極を、最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ電気的に接続した構成とする。
 かかる構成では、ICのBGA型端子を構成する1つの最小正方形において、1対の電源端子と1対のグランド端子とが、当該最小正方形のそれぞれの対角線上の頂点に配され、これらの端子が、回路基板を垂直に貫通した最小正方形を成す第1~第4のビアホールを通じて回路基板裏面に実質的に露出した状態になっている。
 一方、請求項1~請求項3の3端子コンデンサでは、4つの第1~第4の外部電極が、正方形の3端子コンデンサの外面に形成され、これら第1~第4の外部電極が画成する正方形の頂点部分にそれぞれ位置している。
 そして、3端子コンデンサの信号電極の第1及び第2の外部電極が、上記1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールに電気的に接続すると共に、グランド電極の第3及び第4の外部電極が、1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールに電気的に接続している。
 したがって、ICのスイッチング動作等によって生じた間歇電流は、上記電源端子から第1及び第2のビアホールに流入し、第1及び第2の外部電極を通じて3端子コンデンサに流入する。しかる後、電流は、これら第1及び第2の外部電極を両端部に有する信号電極と対向するグランド電極とに電圧を発生させ、グランド電極の両端部の第3及び第4の外部電極を通じてグランド端子に繋がる第3及び第4のビアホールに流出されることとなる。
 このとき、第1~第4のビアホールのインダクタンスやコンデンサのインダクタンスが大きいと、間歇電流による逆起電力がこれらのインダクタンスの大きさに比例して大きくなり、多量のノイズ輻射が発生するおそれがある。
 しかしながら、この発明の3端子コンデンサ実装構造では、3端子コンデンサをICの真裏まで回路基板を貫通した第1~第4のビアホールに実装する構造にして、ICから3端子コンデンサまでの経路の長さを最短にすると共に、残留インダクタンスが2端子コンデンサに比べて極めて少ない3端子コンデンサを使用するようにしたので、ICから3端子コンデンサまでのインダクタンスが非常に小さくなり、その結果、ICからの間歇電流の時間的変化とインダクタンスとの積によって生じる逆起電力も極めて低くなり、ノイズ輻射が弱くなる。
 また、2端子コンデンサを実装する場合には、1本の電源端子と1本のグランド端子との間に1つの2端子コンデンサを接続する。このため、上記のように1対の電源端子と1対のグランド端子に接続する場合には、2つの2端子コンデンサが必要となるが、この発明では、1つの3端子コンデンサで済み、その分、部品点数の削減が可能となる。この結果、3端子コンデンサ実装構造の製造コストの低減化を図ることができる。
 さらに、この発明の3端子コンデンサ実装構造は、次のような特別な作用を奏する。
 つまり、上記したように、ICの上記1対の電源端子からの電流は、第1及び第2のビアホールを流れて、第1及び第2の外部電極に至り、3端子コンデンサの第3及び第4の外部電極を通じてICのグランド端子に向かう第3及び第4のビアホールに流出する。
 このとき、3端子コンデンサの第1~第4の外部電極に接続された第1~第4のビアホールが、最小正方形に並び、1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールが一方の対角線上で向かい合い、1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールが、他の対角線上で向かい合った状態になっている。このため、ICの1つの電源端子から3端子コンデンサの第1の外部電極(又は第2の外部電極)に繋がる第1のビアホール(又は第2のビアホール)に電流が流れると、これに対応した同電位の電流が、第3及び第4の外部電極からグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールを逆方向に流れることとなる。
 したがって、第1~第4のビアホールのインダクタンスをそれぞれL1,L2,L3及びL4とすると共に、第1及び第3のビアホール間、第1及び第4のビアホール間、第2及び第3のビアホール間、第2及び第4のビアホール間の電磁干渉によって生じる相互インダクタンスをそれぞれ、M13,M14,M23及びM24とすると、第1,第3及び第4のビアホールのインダクタンスと、第1,第3及び第4のビアホールのインダクタンスとは、それぞれ、L1+L3+L4-2×M13-2×M14と、L2+L3+L4-2×M23-2×M24とになる。
 したがって、3端子コンデンサを通じて電流が流れる際の第1~第4のビアホールの総インダクタンスは、L1+L2+L3+L4-2×(M13+M14+M23+M24)である。
 これに対して、従来では、1つの2端子コンデンサを第1,第3のビアホールに接続すると共に2つ目の2端子コンデンサを第2,第4のビアホールに接続するので、これらの場合の第1~第4のビアホールのインダクタンスは、L1+L3-2×M13とL2+L4-2×M24であるので、総インダクタンスは、L1+L2+L3+L4-2×(M13+M24)となる。このため、2つのコンデンサを使用しているにも拘わらず、1つの3端子コンデンサを使用している場合のインダクタンス値よりも大きくなってしまう。
 したがって、2端子コンデンサを使用して、3端子コンデンサ使用時のインダクタンスと同値のインダクタンスを得るには、4つの2端子コンデンサが必要となり、部品点数や実装面積の点で問題がある。
 これに対して、この発明では、低残留インダクタンスの3端子コンデンサを1つ用いるだけで、ICから3端子コンデンサ間のインダクタンスを非常に小さくすることができるので、ノイズ輻射のさらなる低減化を図ることができる。
 請求項7の発明は、請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、請求項2,請求項4又は請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、最小正方形の大きさとほぼ等しく設定し、当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ接続した構成とする。
 かかる構成により、ICのBGA型端子配列の最小正方形とほぼ同形の3端子コンデンサを回路基板裏面の第1~第4のビアホールに実装することができるので、3端子コンデンサを無駄なく実装することができる。
 請求項8の発明は、請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、請求項2,請求項4又は請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、最小正方形の大きさよりも小さく設定し、回路基板の裏面において、最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールから所定長さの第1及び第2のランドをそれぞれ引き出すと共に、1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールから所定長さの第3及び第4のランドをそれぞれ引き出すことにより、3端子コンデンサの大きさとほぼ等しい正方形をこれら第1~第4のランドで画成し、当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、第1及び第2のランドにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、第3及び第4のランドにそれぞれ接続した構成とする。
 かかる構成により、ICのBGA型端子配列の最小正方形よりも小さな3端子コンデンサをも、回路基板裏面の第1~第4のビアホールに実装することができる。
 請求項9の発明は、請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、請求項3ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、最小正方形の大きさよりも大きく設定し、当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ接続した構成とする。
 かかる構成により、3端子コンデンサの大きさを、最小正方形の大きさよりも大きく設定して実装することができるので、より大きな静電容量をもつ3端子コンデンサを使用できる。例えば、最小正方形の約2倍の面積をもつ3端子コンデンサを実装することができる。
 請求項10の発明は、請求項6ないし請求項9のいずれかに記載の3端子コンデンサ実装構造において、第1~第4のビアホールの各ビアホールは、回路基板裏面において、当該各ビアホールから第1~第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンを通じて当該各ビアホールに最も近い1対のビアホールにそれぞれ接続されている構成とした。
 かかる構成により、第1~第4のビアホールの各ビアホールに別体の1対のビアホールがそれぞれ接続され、ICの電源端子に接続されたビアホールが3本単位の並列接続構造を成し、グランド端子に接続されたビアホールも3本単位の並列接続構造を成すので、ビアホールの断面積が3倍に増大し、その分インダクタンスが小さくなる。
 請求項11の発明は、請求項10に記載の3端子コンデンサ実装構造において、請求項3ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、各側面が第1~第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンを通じて接続された1対のビアホールを通る大きさに設定すると共に、当該1対のビアホール間を回路基板裏面に形成したランドで連結し、3端子コンデンサの第1の外部電極を、第1のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、第2の外部電極を、第2のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、第3の外部電極を、第3のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、第4の外部電極を、第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続した構成とする。
 かかる構成により、側面中央の外部電極が第1~第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンの先端部間を連結するランド上に接続される大きさの、3端子コンデンサを使用することができる。例えば、最小正方形の約7倍の面積をもつ3端子コンデンサを実装することができる。さらに、3端子コンデンサをランド上に半田付け等で実装することができるので、第1~第4のビアホールの位置ずれ等が生じていても、3端子コンデンサを半田付け等で確実に実装することができる。
 請求項12の発明は、請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、請求項4又は請求項5に記載の3端子コンデンサの第1ないし第4の外部電極を、回路基板の裏面に正方形状に配設された第1ないし第4のランドにそれぞれ載せて接続し、複数の電源端子にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールと、複数のグランド端子にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールとを、第1ないし第4のランドで画成される正方形の内側に配し、電源端子に接続された複数のビアホールのうち、第3のランドと第4のランドを結ぶ対角線を境に、第1のランド側に位置するビアホールを第1のパターンを通じて第1のランドに接続させると共に、第2のランド側に位置するビアホールを第2のパターンを通じて第2のランドに接続させ、グランドに接続された複数のビアホールのうち、第1のランドと第2のランドを結ぶ対角線を境に、第3のランド側に位置するビアホールを第3のパターンを通じて第3のランドに接続させると共に、第4のランド側に位置するビアホールを第4のパターンを通じて第4のランドに接続させた構成とする。
 かかる構成により、ICの電源端子で生じた間歇電流は、ビアホールを通じて第1のパターン(第2のパターン)に至る。そして、間歇電流は、第1のパターン(第2のパターン)を流れて第1のランド(第2のランド)に至り、第1のランド(第2のランド)に接続された第1の外部電極(第2の外部電極)から第1の追加電極群(第2の追加電極群)や信号電極に入力する。
 このとき、電源端子に接続されたビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールが、第1ないし第4のランドで画成される正方形の内側に配されているので、これらのビアホールのうち、第1のランド(第2のランド)側に位置するビアホールを流れる間歇電流は、3端子コンデンサの真下に位置する当該ビアホールから第1のパターン(第2のパターン)を第1の外部電極(第2の外部電極)に向かって流れる。つまり、これらのビアホールからの間歇電流は、3端子コンデンサの外側方向に流れる。
 そして、第1の外部電極(第2の外部電極)に入力した間歇電流は、第1の追加電極群(第2の追加電極群)の各第1の追加電極(第2の追加電極)上を3端子コンデンサの内側に向かって流れる。
 したがって、正方形の内側のビアホールからの第1のパターン(第2のパターン)を流れる間歇電流の向きと各第1の追加電極(第2の追加電極)を流れる間歇電流の向きが逆になり、この結果、第1のパターン(第2のパターン)と第1の追加電極(第2の追加電極)との間に負の相互インダクタンスが発生し、第1のパターン(第2のパターン)と第1の追加電極(第2の追加電極)との総インダクタンスが減少することとなる。
 一方、グランド電極からの間歇電流は、第3の追加電極群(第4の追加電極群)の各第3の追加電極(第3の追加電極)を流れて、第3の外部電極(第4の外部電極)に至る。そして、この間歇電流は、第3の外部電極(第4の外部電極)が接続されている第3のランド(第4のランド)を通じて第3のパターン(第4のパターン)を流れ、ビアホールを通じて、ICのグランド端子に帰還される。
 このとき、グランド電極からの間歇電流は、各第3の追加電極(第3の追加電極)上を第3の外部電極(第4の外部電極)に向かって、つまり、3端子コンデンサの外側に向かって流れる。
 ところが、グランド端子に接続されたビアホールのういちの一部のビアホールが、第1ないし第4のランドで画成される正方形の内側に配されているので、第3の外部電極(第4の外部電極)からこれらのビアホールに向かって第3のパターン(第4のパターン)上を流れる間歇電流は、3端子コンデンサの内側方向に流れる。
 したがって、各第3の追加電極(第3の追加電極)上を流れる間歇電流の向きとこれら第3のパターン(第4のパターン)上を流れる間歇電流の向きが逆になり、この結果、第3の追加電極(第4の追加電極)と第3のパターン(第4のパターン)との間に負の相互インダクタンスが発生し、第3の追加電極(第4の追加電極)と第3のパターン(第4のパターン)との総インダクタンスが減少することとなる。
 以上詳しく説明したように、請求項1~請求項5の発明に係る3端子コンデンサによれば、低コストで高性能のバイパスコンデンサとして機能し、IC電源の安定化を向上させることができるという優れた効果がある。
 請求項4及び請求項5の発明に係る3端子コンデンサによれば、ノイズ対策効果をさらに向上させて、IC電源のさらなる安定化を図ることができる効果がある。
 また、請求項6~請求項11の発明に係る3端子コンデンサ実装構造によれば、少数のコンデンサで、高性能のノイズ対策を図ることができる。また、3端子コンデンサ特有の低残留インダクタンス性と相互インダクタンスを利用したビアホールの低インダクタンス性とにより、より少ないコンデンサでより高いノイズ対策効果を得ることができるという優れたこうかがある。
 特に、請求項7の発明によれば、3端子コンデンサを無駄なく実装することができるという効果がある。
 また、請求項8の発明によれば、微小な3端子コンデンサをも、実装することができる効果がある。
 また、請求項9の発明によれば、通常の約2倍の面積をもつ3端子コンデンサを実装することができ、その分、コンデンサの大容量化を図ることができる。
 また、請求項10の発明によれば、ICと3端子コンデンサとの間のビアホールのインダクタンスをさらに小さくすることができる。
 そして、請求項11の発明によれば、通常の約7倍の面積をもつ3端子コンデンサを実装することができ、飛躍的な大容量化が可能となる。さらに、ビアホールの位置ずれ等が生じていても、3端子コンデンサを確実に実装することができ、その分、歩留まりの向上を図ることができる。
 さらに、請求項12の発明によれば、ノイズ対策効果をさらに高めることができる。
この発明の第1実施例に係る3端子コンデンサ実装構造を示す分解斜視図である。 図1の3端子コンデンサ実装構造に適用されるICの端子配列を示すIC裏面図である。 回路基板裏面のビアホールの配列を示す基板裏面図である。 3端子コンデンサ実装構造を示す概略断面図である。 3端子コンデンサの外観とICの端子と回路基板のビアホールとの位置関係を示す概略斜視図である。 3端子コンデンサの平面図である。 3端子コンデンサの分解斜視図である。 信号電極を示す平面図である。 グランド電極を示す平面図である。 3端子コンデンサ実装構造を模式的に示す電気回路図である。 2端子コンデンサを接続した場合のビアホールの総インダクタンスを説明するための概略斜視図である。 3端子コンデンサを接続した場合のビアホールの総インダクタンスを説明するための概略斜視図である。 この発明の第2実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用されるICの端子配列を示す平面図である。 回路基板のビアホール配列を示す平面図である。 この発明の第3実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部を示す部分拡大平面図である。 3端子コンデンサの実装状態を示す部分拡大平面図である。 この発明の第4実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部である3端子コンデンサの外観図である。 3端子コンデンサの平面図である。 3端子コンデンサの分解斜視図である。 信号電極を示す平面図である。 グランド電極を示す平面図である。 3端子コンデンサを実装した状態を示す概略平面図である。 この発明の第5実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部であるビアホール配列を示す平面図である。 3端子コンデンサの実装方法を説明するための平面図である。 この発明の第6実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサを透過して示す斜視図である。 図25の3端子コンデンサの分解斜視図である。 図25の矢視A-A断面図である。 図25の矢視B-B断面図である。 3端子コンデンサを実装するためのランドとビアホールとの配置を示す平面図である。 3端子コンデンサ実装構造を示す概略断面図である。 信号電極に入力する電流を示す断面図である。 信号電極への電流入力時における効果を説明するための部分拡大断面図である。 グランド電極から出力する電流を示す断面図である。 グランド電極からの電流出力時における効果を説明するための部分拡大断面図である。 この発明の第7実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサの信号電極側を示す断面図である。 3端子コンデンサのグランド電極側を示す断面図である。 シミュレーションの結果を示す線図である。 この発明の第8実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサを透過して示す斜視図である。 3端子コンデンサを実装するためのランドと外部電極との位置関係を示す平面図である。 3端子コンデンサの一変形例を内部を透過して示す平面図である。 3端子コンデンサ実装構造の一変形例を平面図である。
 以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
 図1は、この発明の第1実施例に係る3端子コンデンサ実装構造を示す分解斜視図であり、図2は、図1の3端子コンデンサ実装構造に適用されるICの端子配列を示すIC裏面図であり、図3は、回路基板裏面のビアホールの配列を示す基板裏面図であり、図4は、3端子コンデンサ実装構造を示す概略断面図である。
 図1に示すように、この実施例の3端子コンデンサ実装構造は、IC1を回路基板2の表面2aに実装し、3端子コンデンサ3-1を回路基板2の裏面2bに実装した構造を成す。
 なお、図1においては、破線囲みDで示すように、理解を容易にするため、回路基板2の裏面2bを逆にして3端子コンデンサ3-1の実装状態を明示した部分図を並記した。
 IC1は、BGA型端子配列を有する集積回路であり、その裏面1aには、電源端子,グランド端子及び信号端子等の複数の端子が正方形の格子状に配列されている。
 具体的には、図2に示すように、BGA端子配列は、4つの端子で最小正方形Aを画成し、複数の最小正方形Aを整列させた形状をしている。図2において、電源端子11,12を白丸で示し、グランド端子13,14を黒丸で示した。各最小正方形Aにおいては、1対の電源端子11,12が、最小正方形Aの一方の対角線上の頂点に配され、1対のグランド端子13,14が他方の対角線上の頂点に配されている。
 なお、発明上は、電源端子11,12とグランド端子13,14がこのように対角線上に配された最小正方形Aが、BGA端子配列を構成する複数の最小正方形Aのうち、少なくとも1つあればよく、他の最小正方形Aにおいては、電源端子11,12やグランド端子13,14がいかなる頂点に配されていてもよい。しかし、この実施例では、理解を容易にするため、全ての最小正方形Aにおいて、電源端子11,12とグランド端子13,14が対角線上に配されているBGA端子配列のIC1を適用した。
 また、図面中において、最小正方形Aや下記の最小正方形Bを実線で示しているが、実際にこの実線に該当する部材が存在するのではなく、最小正方形が端子11~14やビアホール21~24で画成されているに過ぎないことを、ここで述べておく。
 図1に示すように、回路基板2は、IC1の電源端子11,12,グランド端子13,14と対応した数のビアホール21~24を有している。
 具体的には、図1及び図4に示すように、ビアホール21~24は、BGA端子配列と同配列の状態で、回路基板2の表面2aから裏面2bに垂直に貫通している。そして、回路基板2の表面2aに露出した部分が、IC1の電源端子11,12及びグランド端子13,14に接続されている。図中、白色で示すビアホール21,22は、電源端子11,12にそれぞれ接続され、黒色で示すビアホール23,24は、グランド端子13,14にそれぞれ接続されている。したがって、図3に示すように、これらのビアホール21~24で構成される最小正方形Bも上記最小正方形Aとほぼ同形である。
 3端子コンデンサ3-1は、回路基板2の裏面2bで且つIC1の真裏の位置に実装されている。
 図5は、3端子コンデンサ3-1の外観とIC1の端子と回路基板2のビアホールとの位置関係を示す概略斜視図であり、図6は、3端子コンデンサ3-1の平面図であり、図7は、3端子コンデンサ3-1の分解斜視図である。 
 図5に示すように、3端子コンデンサ3-1は、チップ体30と第1~第4の外部電極としての外部電極4-1~4-4とで構成されている。
 具体的には、図6に示すように、チップ体30は、平面視で正方形を成し、4つの角部30a~30dに丸めが施されている。そして、図5に示すように、3端子コンデンサ3-1の大きさは、上記した最小正方形Aの大きさとほぼ等しく設定されている。
 このような外観の3端子コンデンサ3-1は、図7に示すように、積層型のコンデンサであり、信号電極31とグランド電極32とを絶縁層33を介して積層した構造を成す。
 図8は、信号電極31を示す平面図であり、図9は、グランド電極32を示す平面図である。
 図8に示すように、信号電極31は、絶縁層33上の右下がり対角線上に形成され、その両端部31a,31bが絶縁層33の両角部30a,30bに位置している。一方、グランド電極32は、図9に示すように、絶縁層33上の右上がり対角線上に形成され、その両端部32a,32bが絶縁層33の両角部30c,30dに位置している。したがって、信号電極31の両端部31a,31b間の長さm1とグランド電極32の両端部32a,32bの長さm2とが等しい。また、図7に示すように、信号電極31とグランド電極32とを絶縁層33を介して積層した状態では、1対の信号電極31,グランド電極32が、チップ体30の上下方向で対向し、しかも、信号電極31の両端部31a,31bを結ぶ直線m1(図8参照)とグランド電極32の両端部32a,32bを結ぶ直線m2(図9参照)とが、それぞれの中心で直交する。
 このようにして、チップ体30には、対向する複数対の信号電極31,グランド電極32が組み付けられている。
 また、外部電極4-1~4-4は、図5及び図6に示すように、チップ体30の外面にそれぞれ形成され、複数の信号電極31の露出した両端部31a,31b(図7参照)と複数のグランド電極32の露出した両端部32a,32b(同図参照)とに接続されている。
 具体的には、図8に示すように、外部電極4-1,4-2は、各信号電極31の両端部31a,31bに電気的に接続するように、絶縁層33の両角部30a,30bにそれぞれ形成され、一方、外部電極4-3,4-4は、図9に示すように、グランド電極32の両端部32a,32bに電気的に接続するように、絶縁層33の両角部30c,30dにそれぞれ形成されている。
 かかる構成の3端子コンデンサ3-1は、図4及び図5に示すように、回路基板2の裏面2bの実装されており、外部電極4-1,4-2が第1及び第2のビアホールであるビアホール21,22に接続され、外部電極4-3,4-4が第3及び第4のビアホールであるビアホール23,24に接続されている。
 具体的には、図5に示すように、外部電極4-1,4-2は、ビアホール21,22に接続されることで、IC1の電源端子11,12に電気的に接続されている。そして、外部電極4-3,4-4は、ビアホール23,24に接続されることで、IC1のグランド端子13,14に電気的に接続されている。この結果、両端部31a,31bが外部電極4-1,4-2に接続された信号電極31がビアホール21,22を通じて、IC1の最小正方形Aの1対の電源端子11,12に接続されると共に、両端部32a,32bが外部電極4-3,4-4に接続されたグランド電極32がビアホール23,24を通じて、最小正方形Aの1対のグランド端子13,14に接続された状態になり、これら対向する複数対の信号電極31,グランド電極32がコンデンサとして機能する。
 次に、この実施例の3端子コンデンサ実装構造が示す作用及び効果について説明する。
 図10は、3端子コンデンサ実装構造を模式的に示す電気回路図である。
 図10に示すように、3端子コンデンサ3-1の外部電極4-1,4-2は、ビアホール21,22を通じてIC1の電源端子11,12に接続されている。また、この外部電極4-1,4-2は、IC1の電源端子11,12に電源を供給する電源装置100にも接続されている。
 一方、外部電極4-3,4-4は、ビアホール23,24を通じてグランド端子13,14に接続されている。また、この外部電極4-3,4-4は、グランド110に接続されている。
 電源を電源装置100からIC1に供給している際に、IC1のスイッチング動作等によって間歇電流が生じると、この電流は、電源端子11,12からビアホール21,22と外部電極4-1,4-2とを通じて、3端子コンデンサ3-1に流入する。この結果、信号電極31と対向するグランド電極32とに電圧が発生し、電流が、外部電極4-3,4-4とグランド端子13,14及びグランド110に繋がるビアホール23,24に流出され、3端子コンデンサ3-1がバイパスコンデンサとして機能する。
 このとき、ビアホール21~24のインダクタンスやバイパス用のコンデンサのインダクタンスが大きいと、間歇電流による逆起電力がこれらのインダクタンスの大きさに比例して大きくなり、多量のノイズ輻射が発生するおそれがある。
 しかし、この実施例の3端子コンデンサ実装構造では、図4等に示したように、直線状のビアホール21~24を貫通させて、IC1真裏の3端子コンデンサ3-1に実装する構造であるので、ビアホール21~24を含むIC1から3端子コンデンサ3-1迄の経路の長さが最短になっている。さらに、バイパス用のコンデンサとして残留インダクタンスが極めて少ない3端子コンデンサ3-1を使用している。したがって、ビアホール21~24のインダクタンスやバイパス用の3端子コンデンサ3-1のインダクタンスが非常に小さい。この結果、IC1からの間歇電流の時間的変化とインダクタンスとの積によって生じる逆起電力も極めて低くなり、ノイズ輻射が少なくなる。
 さらに、この実施例では、3端子コンデンサ3-1を実装しているので、図4に示したように、電源端子11とグランド端子13の対と、電源端子12とグランド端子14の対を1つのコンデンサで処理することができる。これに対して、上記した従来の技術では、電源端子11とグランド端子13の対に2端子コンデンサを接続すると共に、電源端子12とグランド端子14の対にも別の2端子コンデンサを接続する必要があり、部品点数が多くなってしまう。
 最後に、この実施例の特徴的な作用及び効果について説明する。
 図11は、2端子コンデンサを接続した場合のビアホールの総インダクタンスを説明するための概略斜視図である。
 2端子コンデンサをこの実施例のビアホール21~24に接続してバイパスコンデンサとして使用するためには、図11に示すように、1つ目の2端子コンデンサ5(5-1)の外部電極51,52をビアホール21,23に接続すると共に2つ目の2端子コンデンサ5(5-2)の外部電極51,52をビアホール22,24に接続する必要がある。
 このような接続構造においては、ビアホール21内の電流I1は、矢印で示すように、2端子コンデンサ5(5-1)を通じてビアホール23に流出する。したがって、ビアホール21,23間では、同電位の電流I1が逆方向に流れるので、ビアホール21,23間には、負の相互インダクタンスM13が生じる。このため、ビアホール21,23のインダクタンスをL1,L3とすると、電流が流れている際のビアホール21,23のインダクタンスは、L1+L3-2×M13となる。一方、ビアホール22内の電流I2は、2端子コンデンサ5(5-2)を通じてビアホール24に流出する。したがって、ビアホール22,24間では、同電位の電流I2が逆方向に流れるので、ビアホール22,24のインダクタンスをL2,L4とし、相互インダクタンスM24すると、ビアホール22,24のインダクタンスは、L2+L4-2×M24となる。
 したがって、2つの2端子コンデンサ5(5-1,5-2)をビアホール21~24に接続した場合における、ビアホール21~24の総インダクタンスは、L1+L2+L3+L4-2×(M13+M24)である。
 図12は、3端子コンデンサを接続した場合のビアホールの総インダクタンスを説明するための概略斜視図である。
 この実施例では、図12に示すように、3端子コンデンサ3-1の外部電極4-1,4-2がビアホール21,22に接続されると共に外部電極4-3,4-4がビアホール23,24に接続されている。
 このような接続構造においては、ビアホール21内の電流I1は、実線の矢印で示すように、3端子コンデンサ3-1を通じてビアホール23とビアホール24とに流出する。したがって、ビアホール21とビアホール23,24と間では、同電位の電流I1が逆方向に流れるので、ビアホール21,23間とビアホール21,24との間には、負の相互インダクタンスM13,M14がそれぞれ生じる。このため,電流が流れている際のビアホール21,23,24のインダクタンスは、L1+L3-2×M13-2×M14となる。一方、ビアホール22内の電流I2も、二点鎖線の矢印で示すように、3端子コンデンサ3-1を通じてビアホール23とビアホール24とに流出する。したがって、ビアホール22とビアホール23,24と間では、同電位の電流I2が逆方向に流れるので、ビアホール22,23間とビアホール22,24との間には、負の相互インダクタンスM23,M24がそれぞれ生じる。このため,電流が流れている際のビアホール22,23,24のインダクタンスは、L2+L3+-2×M13-2×M14となる。
 以上から、3端子コンデンサ3-1を通じて電流が流れる際のビアホール21~24のビアホールの総インダクタンスは、L1+L2+L3+L4-2×(M13+M14+M23+M24)である。
 これに対して、2端子コンデンサ5(5-1,5-2)を用いた場合のビアホール21~24の総インダクタンスが、L1+L2+L3+L4-2×(M13+M24)であったので、この実施例の3端子コンデンサ実装構造によれば、1つの3端子コンデンサを使用することにより、2つの2端子コンデンサを使用した場合のインダクタンスよりも小さくすることができ、その分部品点数の削減を図ることができる。しかも、低残留インダクタンスの3端子コンデンサ3-1を用いているので、2端子コンデンサを用いた場合に比べて、より一層のインダクタンスの低減化を図ることができる。
 次に、この発明の第2実施例について説明する。
 図13は、この発明の第2実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用されるIC1の端子配列を示す平面図であり、図14は、回路基板のビアホール配列を示す平面図である。
 この実施例は、IC1の最小正方形Aの周囲の端子配列が、上記第1実施例と異なる。
 上記第1実施例では、IC1の端子配列が、図2に示したように、電源端子11,12及びグランド端子13,14で画成される最小正方形Aを敷き詰めた配列になっていたが、この実施例では、図13及び図13の囲みCで示すように、最小正方形Aの頂点の電源端子11(12)から辺a,b(c,d)方向外側に、電源端子11,11(12,12)をそれぞれ配し、また、最小正方形Aの頂点のグランド端子13(14)から辺b,c(a,d)方向外側に、グランド端子13,13(14,14)をそれぞれ配した。すなわち、最小正方形Aの各頂点において、3つの端子11,11,11(12,12,12~14,14,14)がL字状に配設されている。なお、符号15は、電源端子やグランド端子以外の端子であり、例えば信号端子である。
 そして、回路基板2の裏面2bに露出するビアホール21~24の配列も、図14に示すように、IC1の端子11~14の配列に対応しているが、L字状に配された各ビアホール群21,21,21(22,22,22~24,24,24)がパターンによって接続されている。
 具体的には、図14の囲みC′に示すように、パターン21a,21b(22a,22b)を、最小正方形Bの頂点のビアホール21(22)から辺a,b(c,d)方向外側に、別々に延出させて、延出先にあるビアホール21,21(22,22)に接続した。また、パターン23a,23b(24a,24b)を、最小正方形Bの頂点のビアホール23(24)から辺b,c(a,d)方向外側に別々に延出させて、延出先にあるビアホール23,23(24,24)に接続した。なお、符号25のビアホールは、上記端子15に接続しているビアホールである。
 かかる構成により、3本のビアホール21(22~24)がパターン21a,21b(22a,22b~24a,24b)によって並列に接続された構造になり、この結果、IC1の端子に接続されるビアホールの断面積が3倍に増大し、その分インダクタンスが小さくなる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第3実施例について説明する。
 図15は、この発明の第3実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部を示す部分拡大平面図であり、図16は、3端子コンデンサの実装状態を示す部分拡大平面図である。
 この実施例は、小さな3端子コンデンサをも実装可能なビアホール構造を有する点が、上記第1及び第2実施例と異なる。
 図15に示すように、最小正方形Aに対応する最小正方形Bを画成するビアホール21~24の配列は、上記第1及び第2実施例と同じである。しかし、この大きさの配列の場合には、最小正方形B(A)より小さな3端子コンデンサ3-1を実装することができない。そこで、この実施例では、回路基板2の裏面2bにおいて、ビアホール21,22から所定長さの第1及び第2のランドとしてのランド21c,22cをそれぞれ引き出すと共に、ビアホール23,24から所定長さの第3及び第4のランドとしてのランド23c,24cをそれぞれ引き出すことにより、これらランド21c~24cによって、最小正方形Bよりも小さな正方形B′を画成した。
 そして、図16に示すように、上記正方形B′にほぼ等しい小さな3端子コンデンサ3-1をランド21c~24cに載せ、外部電極4-1,4-2をランド21c,22cに接続すると共に、外部電極4-3,4-4をランド23c,24cに半田付けすることで、実装した。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1及び第2実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第4実施例について説明する。
 図17は、この発明の第4実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部である3端子コンデンサの外観図であり、図18は、3端子コンデンサの平面図であり、図19は、3端子コンデンサの分解斜視図である。 
 図17及び図18に示すように、この実施例の3端子コンデンサ3-2は、外部電極4-1~4-4をチップ体30の側面の中央部に位置させた点が、上記第1~第3実施例と異なる。
 すなわち、図19に示すように、この3端子コンデンサ3-2も、積層型のコンデンサであり、信号電極31とグランド電極32とを絶縁層33を介して積層した構造を成す。
 図20は、信号電極31を示す平面図であり、図21は、グランド電極32を示す平面図である。
 図20に示すように、信号電極31は、絶縁層33の前側から後側にかけて形成され、その両端部31a,31bが絶縁層33の前側及び後側の中央部にそれぞれ位置している。一方、グランド電極32は、図21に示すように、絶縁層33の左右に渡って形成され、その両端部32a,32bが絶縁層33の右側及び左側の中央部に位置している。
 また、外部電極4-1,4-2は、チップ体30の前方及び後方の側面中央にそれぞれ形成され、複数の信号電極31の露出した両端部31a,31bに接続されている。そして、外部電極4-3,4-4は、チップ体30の右方及び左方の側面中央にそれぞれ形成され、複数のグランド電極32の露出した両端部32a,32bに接続されている。
 図22は、この実施例の3端子コンデンサ3-2を実装した状態を示す概略平面図である。
 3端子コンデンサ3-2が、上記のごとき構成をとることにより、図22に示すように、前後側面の外部電極4-1,4-2をビアホール21,22に接続し、左右側面の外部電極4-3,4-4をビアホール23,24に接続することで、最小正方形B(A)の2倍の大きさの3端子コンデンサ3-2を実装することができる。つまり、この実施例の3端子コンデンサ実装構造によれば、上記第1~第3実施例の3端子コンデンサ3-1の容量の2倍もの容量をもつ3端子コンデンサ3-2を実装することができる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第1~第3実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第5実施例について説明する。
 図23は、この発明の第5実施例に係る3端子コンデンサ実装構造の要部であるビアホール配列を示す平面図である。
 この実施例は、上記第2実施例に用いられたビアホールの配列に改良を加えて、より大型の3端子コンデンサを実装することができるようにした点が、上記第1~4実施例と異なる。
 具体的には、図23に示すように、最小正方形Bの頂点のビアホール21(22)から延出したパターン21a,21b(22a,22b)が接続されたビアホール21,21(22,22)間を、ランド21d(22d)で連結すると共に、ビアホール23(24)から延出したパターン23a,23b(24a,24b)が接続されたビアホール23,23(24,24)間を、ランド23d(24d)で連結した。
 図24は、3端子コンデンサの実装方法を説明するための平面図である。
 上記のようなビアホール21~24の配列パターンにおいて、第4実施例で示した3端子コンデンサ3-2の大きさを、図23に示したビアホールに接続可能な大きさに設定した。
 具体的には、図24の二点鎖線に示すように、3端子コンデンサ3-2の各側面の長さを、各ランド21d~24dを通る長さに設定して、前後の側面中央の外部電極4-1,4-2をランド21d,22dに載せると共に、左右の側面中央の外部電極4-3,4-4をランド23d,24dに載せた。そして、外部電極4-1~4-4を、半田120によってランド21d~22d上に接続した。
 この実施例のような構造をとることにより、頂点のビアホール21~24が画成する最小正方形B(A)の約7倍の面積をもつ大容量の3端子コンデンサ3-2を実装することができる。
 その他の構成、作用及び効果は、上記第2及び第4実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第6実施例について説明する。
 図25は、この発明の第6実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサを透過して示す斜視図であり、図26は、図25の3端子コンデンサの分解斜視図であり、図27は、図25の矢視A-A断面図であり、図28は、図25の矢視B-B断面図である。
 この実施例は、3端子コンデンサの構造が、上記第1ないし第5実施例と異なる。
 図25に示すように、この実施例の3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサ3-3は、第1の追加電極群としての追加電極群6と、第2の追加電極群としての追加電極群7と、第3の追加電極群としての追加電極群8と、第4の追加電極群としての追加電極群9とを有している。
 具体的には、図26に示すように、1対の追加電極群6が、信号電極31の端部31aの真上と真下にそれぞれ配置され、1対の追加電極群7が、信号電極31の端部31bの真上と真下にそれぞれ配置され、1対の追加電極群8が、グランド電極32の端部32aの真上と真下にそれぞれ配置され、1対の追加電極群9が、グランド電極32の端部32bの真上と真下にそれぞれ配置されている。
 さらに詳細には、図27に示すように、追加電極群6(7)では、第1の追加電極(第2の追加電極)としての追加電極61(71)が上下方向に等間隔で積層され、各追加電極61(71)の端部61a(71a)が外部電極4-1(4-2)に接続されている。そして、これら複数の追加電極61(71)が、2本のビアホール62,62(72,72)によって、串刺しにされ、ビアホール62,62(72,72)の端部62a,62a(72a,72a)が信号電極31の端部31a(31b)に接続されている。
 一方、追加電極群8(9)では、図28に示すように、第3の追加電極(第4の追加電極)としての追加電極81(91)が上下方向に等間隔で積層され、各追加電極81(91)の端部81a(91a)が外部電極4-3(4-4)に接続されている。そして、これら複数の追加電極81(91)が、2本のビアホール82,82(92,92)によって、串刺しにされ、ビアホール82,82(92,92)の端部82a,82a(92a,92a)がグランド電極32の端部32a(32b)に接続されている。
 図29は、3端子コンデンサを実装するためのランドとビアホールとの配置を示す平面図であり、図30は、3端子コンデンサ実装構造を示す概略断面図である。
 図29に示すように、上記構造の3端子コンデンサ3-3は、第1ないし第4のランドとしてのランド41~44に実装される。
 これらのランド41~44は、回路基板2の裏面2bに、正方形状に配設されているが、IC1の電源端子やグランド端子に接続されたビアホールには直接接続されていない。ランド41~44は、第1ないし第4のパターンとしてのパターン26a~29aを通じて、ビアホール26~29に接続されている。
 具体的には、図30に示すように、ビアホール26(27)は、IC1の電源端子16に接続されており、図29に示すように、ランド41~44で画成される正方形Gの内側であって、且つ、ランド43,44を結ぶ図示しない対角線を境にして、ランド41(42)側の位置に複数配されている。そして、各ビアホール26(27)は、パターン26a(27a)を通じてランド41(42)に接続されている。一方、ビアホール28(29)は、図30に示すように、IC1のグランド端子17に接続されており、図29に示すように、正方形Gの内側であって、且つ、ランド41,42を結ぶ図示しない対角線を境にして、ランド43(44)側の位置に複数配されている。そして、各ビアホール28(29)は、パターン28a(29a)を通じてランド43(44)に接続されている。
 3端子コンデンサ3-3は、これらのランド41~44に実装され、外部電極4-1~4-24がランド41~44にそれぞれ半田付け等によって接続されている。
 次に、この実施例の3端子コンデンサ実装構造が示す作用及び効果について説明する。
 図31は、信号電極に入力する電流を示す断面図であり、図32は、信号電極への電流入力時における効果を説明するための部分拡大断面図である。
 間歇電流Iが、図30に示したIC1の電源端子16で生じると、図31に示すように、間歇電流Iは、ビアホール26(27)を通じて、パターン26a(27a)に至る。そして、間歇電流Iは、パターン26a(27a)上をランド41(42)側に向かって流れ、ランド41(42)から外部電極4-1(4-2)に入力する。
 すると、間歇電流Iは、外部電極4-1(4-2)に並列に接続された信号電極31と、信号電極31の端部31a(31b)の上下に位置する追加電極61(71)とに入力し、3端子コンデンサ3-3の内側に向かって流れる。そして、追加電極61(71)の各追加電極61(71)を流れる間歇電流Iは、ビアホール62(72)を通じて信号電極31に合流する。
 ところで、上記したように、この実施例の3端子コンデンサ3-3では、追加電極群6(7)と信号電極31とが、外部電極4-1(4-2)に対して並列に接続された構造になっているので、間歇電流Iに対する外部電極4-1(4-2)から信号電極31に至る経路のインダクタンスが小さくなる。
 また、追加電極群6(7)も、複数枚の追加電極61(71)を1本以上のビアホール62(72)で串刺し状に接続した並列接続構造になっているので、追加電極群6(7)自体のインダクタンスも小さい。
 さらに、上記したように、電源端子16からビアホール26(27)に至った間歇電流Iは、パターン26a(27a)上をランド41(42)に向かって流れる。
 このとき、図29に示したように、ビアホール26(27)が、ランド41~44で画成される正方形Gの内側に位置し、3端子コンデンサ3-3の外部電極4-1(4-2)が、ランド41(42)上に位置している。そして、追加電極群6(7)の追加電極61(71)が外部電極4-1(4-2)に接続された状態で3端子コンデンサ3-3の内側を向いている。
 したがって、図32に示すように、パターン26a(27a)上を流れる間歇電流Iの向きと、追加電極群6(7)の追加電極61(71)上を流れる間歇電流Iの向きは、逆になっている。このため、例えば、パターン26a(27a)のインダクタンスをL6とし、追加電極61(71)のインダクタンスをL7とし、相互インダクタンスをM67とすると、その総インダクタンスは、L6+l7-2×M67となり、2×M67の分だけインダクタンスが減少することとなる。
 図33は、グランド電極32から出力する電流を示す断面図であり、図34は、グランド電極32からの電流出力時における効果を説明するための部分拡大断面図である。
 間歇電流Iが、信号電極31に流れ込むと、図33に示すように、グランド電極32に至り、この間歇電流Iが、グランド電極32の端部32a(32b)側に流れる。
 すると、間歇電流Iは、グランド電極32の端部32a(32b)から外部電極4-3(4-4)に直接出力すると共に、ビアホール82(92)を通じて追加電極群8(9)に入力した後、追加電極81(91)を通じて、外部電極4-3(4-4)に出力する。
 かかる状態においても、追加電極群8(9)とグランド電極32とが、外部電極4-3(4-4)に対して並列に接続された構造になっているので、間歇電流Iに対する追加電極群8(9)とグランド電極32から外部電極4-3(4-4)に至る経路のインダクタンスも小さくなっている。
 また、追加電極群8(9)も、複数枚の追加電極81(91)を1本以上のビアホール82(92)で接続した並列接続構造になっているので、追加電極群8(9)自体のインダクタンスも小さい。
 そして、外部電極4-3(4-4)に出力された間歇電流Iは、図34にも示すように、ランド43(44)からパターン28a(29a)上をビアホール28(29)に向かって流れるが、図29に示したように、3端子コンデンサ3-3の外部電極4-3(4-4)がランド43(44)上に位置し、ビアホール28(29)が、ランド41~44の正方形Gの内側に位置しているので、図34に示すように、追加電極群8(9)の追加電極81(91)を流れる間歇電流Iは、3端子コンデンサ3-3の外側に向かって流れ、パターン28a(29a)上を流れる間歇電流Iの向きとが逆になる。この結果、上記追加電極群6(7)とパターン26a(27a)の場合と同様に、追加電極群8(9)とパターン28a(29a)との間に、負の相互インダクタンスが発生し、その分インダクタンスが減少することとなる。
 そして、パターン28a(29a)を流れる間歇電流Iは、ビアホール28(29)に至ると、ビアホール28(29)を通じて、図30に示したIC1のグランド端子17に帰還する。
 その他の構成,作用及び効果については、上記第1ないし第5実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第7実施例について説明する。
 図35は、この発明の第7実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサの信号電極側を示す断面図であり、図36は、3端子コンデンサのグランド電極側を示す断面図である。
 この実施例は、追加電極群のビアホールが外部電極にも接続している点が、上記第6実施例と異なる。
 具体的には、図35に示すように、3端子コンデンサ3-4の追加電極群6(7)に設けられたビアホール62(72)の端部62b(72b)を、外部電極4-1(4-2)側に延出させた。そして、この端部62b(72b)を、チップ体30の上面30a,下面30bにそれぞれ位置する外部電極4-1(4-2)の上端部4-1a(4-2a),下端部4-1b(4-2b)に接続した。
 すなわち、外部電極4-1(4-2)と追加電極群6(7)とを並列に接続した。
 一方、3端子コンデンサ3-4の追加電極群8(9)では、図36に示すように、ビアホール82(92)の端部82b(92b)を、外部電極4-3(4-4)側に延出させ、この端部82b(92b)を、外部電極4-3(4-4)の上端部4-3a(4-4a),下端部4-3b(4-4b)に接続した。
 すなわち、外部電極4-3(4-4)と追加電極群8(9)とを並列に接続した。
 かかる構成により、外部電極4-1(4-2)と追加電極群6(7)との並列接続効果によって、追加電極群6(7)と外部電極4-1(4-2)との総インダクタンスが減少し、また、外部電極4-3(4-4)と追加電極群8(9)との並列接続効果によって、追加電極群8(9)と外部電極4-3(4-4)との総インダクタンスが減少する。
 発明者等は、かかる効果を確認すべく、次のようなシミュレーションを行った。
 図37は、シミュレーションの結果を示す線図である。
 まず、第6実施例で適用した3端子コンデンサ3-3において、追加電極群6~9を除いた3端子コンデンサを図29に示したランド41~44に実装し、周波数100MHz~3GHzの電流をビアホール26,27に入力して、ビアホール26,27のインピーダンスを測定した。すると、図37の一点鎖線で示す曲線S1を得た。
 次に、追加電極群6~9を有する第6実施例の3端子コンデンサ3-3を、ランド41~44に実装し、周波数100MHz~3GHzの電流をビアホール26,27に入力して、ビアホール26,27のインピーダンスを測定した。すると、図37の二点鎖線で示す曲線S2を得た。
 これらの曲線S1,S2から明らかなように、追加電極群6~9を有する第6実施例の3端子コンデンサを用いた方が、ビアホール26,27のインピーダンスが低くなり、追加電極群6~9がない3端子コンデンサを用いたときよりも、ノイズ抑制効果があることが判る。
 さらに、追加電極群6~9を有ししかもビアホール62~92が外部電極4-1~4-4に接続されている第7実施例の3端子コンデンサ3-4をランド41~44に実装し、周波数100MHz~3GHzの電流をビアホール26,27に入力して、ビアホール26,27のインピーダンスを測定した。すると、図37の実線で示す曲線S3を得た。
 この曲線S3から明らかなように、この実施例の3端子コンデンサ3-5を用いた場合に、ビアホール26,27のインピーダンスが最も低くなり、最も高いノイズ抑制効果を得ることができることがことが判った。
 その他の構成,作用及び効果については、上記第6実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 次に、この発明の第8実施例について説明する。
 図38は、この発明の第8実施例に係る3端子コンデンサ実装構造に適用される3端子コンデンサを透過して示す斜視図であり、図39は、3端子コンデンサを実装するためのランドと外部電極との位置関係を示す平面図である。
 この実施例は、外部電極の配置が、上記第6及び第7実施例と異なる。
 すなわち、図38に示すように、この3端子コンデンサ3-5では、信号電極31及びグランド電極32をチップ体30の側面中央部を向くように配した。そして、外部電極4-1,4-2を、信号電極31の端部31a,31bに対応する側面部にそれぞれ配設して接続し、外部電極4-3,4-3を、グランド電極32の端部32a,32bに対応する側面部にそれぞれ配設して接続した。また、追加電極群6(7)を、信号電極31の端部31a(31b)の真上と真下に設け、追加電極群8(9)をグランド電極32の端部32a(32b)の真上と真下に設けた。
 かかる構成により、図39に示すように、外部電極4-1~4-4を、ランド41~44に接続することで、3端子コンデンサ3-5をランド41~44に実装することができる。
 その他の構成,作用及び効果については、上記第第5及び6実施例と同様であるので、その記載は省略する。
 なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
 例えば、上記実施例では、信号電極31とグランド電極32とがチップ体30の角部や側面中央部を通る3端子コンデンサ3-1~3-5を実装した例について説明したが、3端子コンデンサの構造はこれに限るものではない。すなわち、図40に示すように、正方形のチップ体30の上下方向で対向する信号電極31,グランド電極32の長さを等しく、且つ、信号電極31の両端部31a,31bを結ぶ直線m1とグランド電極32の両端部32a,32bを結ぶ直線m2とを、それぞれの中心で直交させた構造であるならば、信号電極31,グランド電極32がチップ体30の角部や中央部からずれた構成の3端子コンデンサであっても、この発明の範囲に含まれる。
 また、上記第6実施例では、図29に示したように、電源端子16に接続された複数のビアホール26(27)と、グランド端子17に接続された複数のビアホール28(29)との全てのビアホールを、ランド41~44で画成される正方形Gの内側に配した例を示したが、これに限定されるものではなく、電源端子16にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールと、グランド端子17にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールとを、正方形Gの内側に配した構造の発明も、この発明の範囲内に含まれる。したがって、例えば、図41に示すように、電源端子16にそれぞれ接続された6つのビアホールのうちの2つのビアホール26,27と、グランド端子17にそれぞれ接続された6つのビアホールのうちの2つのビアホール28,29とを、正方形Gの内側に配し、ビアホール26をパターン26aを通じてランド41に接続し、ビアホール27をパターン27aを通じてランド42に接続し、ビアホール28をパターン28aを通じてランド43に接続し、ビアホール29をパターン29aを通じてランド44に接続した構造の発明も、この発明の3端子コンデンサ実装構造の範囲に含まれる。
 1…IC、 2…回路基板、 2a…表面、 2b…裏面、 3-1~3-5…3端子コンデンサ、 4-1~4-4…外部電極、 5…2端子コンデンサ、 6~9…追加電極群、 11,12,16…電源端子、 13,14,17…グランド端子、 21~24,26~29,62,72,82,92 …ビアホール、 21a~24a,21b~24b,26a~29a…パターン、 21c~24c,21d~24d,41~44d…ランド、 30…チップ体、 30a~30d…角部、 31…信号電極、 32…グランド電極、 33…絶縁層、 31a,31b,32a,32b,61a,62a,62b,71a,72a,72b,81a,82a,82b,91a,92a,92b…端部、 61,71,81,91…追加電極、 100…電源装置、 110…グランド、 120…半田、 A,B,B′…最小正方形、 a~d…辺。

Claims (12)

  1.  上下方向で対向する信号電極とグランド電極とを1対以上を包含するチップ体と、このチップ体の外面に形成され且つ上記信号電極の両端部のそれぞれに電気的に接続される第1及び第2の外部電極と、上記チップ体の外面に形成され且つ上記グランド電極の両端部のそれぞれに電気的に接続される第3及び第4の外部電極とを備える3端子コンデンサであって、
     上記チップ体を、平面視で正方形に形成すると共に、上記信号電極の両端部間の長さと上記グランド電極の両端部間の長さとをほぼ等しく設定し、
     上記信号電極の両端部を結ぶ直線と上記グランド電極の両端部を結ぶ直線とが、それぞれの直線のほぼ中心で直交するように、上記信号電極とグランド電極とを対向させて配設し、
     上記チップ体の外面に露出した信号電極の両端部に、上記第1及び第2の外部電極を接続させると共に、上記チップ体の外面に露出したグランド電極の両端部に、上記第3及び第4の外部電極を接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ。
  2.  請求項1に記載の3端子コンデンサにおいて、
     上記信号電極の両端部を、上記チップ体の一方の対角線上で向き合う両角部にそれぞれ位置させると共に 上記グランド電極の両端部を、他方の対角線上で向き合う両角部にそれぞれ位置させ、
     上記第1及び第2の外部電極を、チップ体の上記一方の両角部において、上記信号電極の両端部に電気的に接続させと共に、上記第3及び第4の外部電極を、チップ体の上記他方の両角部において、上記グランド電極の両端部に電気的に接続させた、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ。
  3.  請求項1に記載の3端子コンデンサにおいて、
     上記信号電極の両端部を、上記チップ体の対向する両側面の中央にそれぞれ位置させると共に 上記グランド電極の両端部を、他の対向する両側面の中央にそれぞれ位置させ、
     上記第1及び第2の外部電極を、チップ体の両側面の中央で、上記信号電極の両端部に電気的に接続させと共に、上記第3及び第4の外部電極を、チップ体の上記他の両側面の中央で、上記グランド電極の両端部に電気的に接続させた、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ。
  4.  請求項2又は請求項3に記載の3端子コンデンサにおいて、
     複数枚の第1の追加電極を、上記信号電極の一方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第1の追加電極の端部を、上記第1の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第1の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールの信号電極側を向く一方端部を、信号電極の上記一方端部に接続して構成した第1の追加電極群と、
     複数枚の第2の追加電極を、上記信号電極の他方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第2の追加電極の端部を、上記第2の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第2の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールの信号電極側を向く一方端部を、信号電極の上記他方端部に接続して構成した第2の追加電極群と、
     複数枚の第3の追加電極を、上記グランド電極の一方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第3の追加電極の端部を、上記第3の外部電極に接続し、且つ、1本以上のビアホールによって、これら複数の第3の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールのグランド電極側を向く一方端部を、グランド電極の上記一方端部に接続して構成した第3の追加電極群と、
     複数枚の第4の追加電極を、上記グランド電極の他方端部の真上又は真下のいずれか又は双方に等間隔で積層すると共に、これら第4の追加電極の端部を、上記第4の外部電極に接続し、且つ1本以上のビアホールによって、これら複数の第4の追加電極同士を接続すると共に、当該ビアホールのグランド電極側を向く一方端部を、グランド電極の上記他方端部に接続して構成した第4の追加電極群と
     を設けた、ことを特徴とする3端子コンデンサ。
  5.  請求項4に記載の3端子コンデンサにおいて、
     上記第1の追加電極群に設けられた上記ビアホールの他方端部を、延出させて、上記チップ体の上面上又は下面に位置する上記第1の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第1の外部電極と上記第1の追加電極群とを並列に接続し、
     上記第2の追加電極群に設けられた上記ビアホールの他方端部を、延出させて、上記チップ体の上面上又は下面に位置する上記第2の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第2の外部電極と上記第2の追加電極群とを並列に接続し、
     上記第3の追加電極群に設けられた上記ビアホールの他方端部を、延出させて、上記チップ体の上面上又は下面に位置する上記第3の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第3の外部電極と上記第3の追加電極群とを並列に接続し、
     上記第4の追加電極群に設けられた上記ビアホールの他方端部を、延出させて、上記チップ体の上面上又は下面に位置する上記第4の外部電極の上端部又は下端部に接続することにより、当該第4の外部電極と上記第4の追加電極群とを並列に接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ。
  6.  回路基板の表面に、複数の端子が正方形の格子状に配列されたBGA型端子を有するICを実装し、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサを、上記回路基板の裏面で且つ上記ICのほぼ真裏の位置に実装した3端子コンデンサ実装構造であって、
     上記BGA型端子を構成する少なくとも1つの最小正方形において、一方の対角線上の頂点に1対の電源端子をそれぞれ配すると共に、他方の対角線上の頂点に1対のグランド端子をそれぞれ配し、
     上記回路基板に、上記BGA型端子と接続した状態で、回路基板を垂直に貫通して裏面に露出する複数のビアホールを設け、
     上記3端子コンデンサの信号電極の両端部に接続された上記第1及び第2の外部電極を、上記最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ電気的に接続すると共に、3端子コンデンサのグランド電極の両端部に接続された上記第3及び第4の外部電極を、上記最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ電気的に接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  7.  請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     請求項2,請求項4又は請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、上記最小正方形の大きさとほぼ等しく設定し、
     当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、上記最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、上記最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  8.  請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     請求項2,請求項4又は請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、上記最小正方形の大きさよりも小さく設定し、
     回路基板の裏面において、上記最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールから所定長さの第1及び第2のランドをそれぞれ引き出すと共に、1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールから所定長さの第3及び第4のランドをそれぞれ引き出すことにより、上記3端子コンデンサの大きさとほぼ等しい正方形をこれら第1~第4のランドで画成し、
     当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、第1及び第2のランドにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、第3及び第4のランドにそれぞれ接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  9.  請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     請求項3ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、上記最小正方形の大きさよりも大きく設定し、
     当該3端子コンデンサの第1及び第2の外部電極を、上記最小正方形の1対の電源端子に接続された第1及び第2のビアホールにそれぞれ接続すると共に、第3及び第4の外部電極を、上記最小正方形の1対のグランド端子に接続された第3及び第4のビアホールにそれぞれ接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  10.  請求項6ないし請求項9のいずれかに記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     上記第1~第4のビアホールの各ビアホールは、回路基板裏面において、当該各ビアホールから第1~第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンを通じて当該各ビアホールに最も近い1対のビアホールにそれぞれ接続されている、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  11.  請求項10に記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     請求項3ないし請求項5のいずれかに記載の3端子コンデンサの大きさを、各側面が第1~第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した1対のパターンを通じて接続された上記1対のビアホールを通る大きさに設定すると共に、当該1対のビアホール間を回路基板裏面に形成したランドで連結し、
     上記3端子コンデンサの第1の外部電極を、第1のビアホールの辺方向外側に別々に延出した上記1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、
     上記第2の外部電極を、第2のビアホールの辺方向外側に別々に延出した上記1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、
     上記第3の外部電極を、第3のビアホールの辺方向外側に別々に延出した上記1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続し、
     上記第4の外部電極を、第4のビアホールの辺方向外側に別々に延出した上記1対のパターンの先端部間を連結したランド上に接続した、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
  12.  請求項6に記載の3端子コンデンサ実装構造において、
     請求項4又は請求項5に記載の3端子コンデンサの第1ないし第4の外部電極を、回路基板の裏面に正方形状に配設された第1ないし第4のランドにそれぞれ載せて接続し、
     上記複数の電源端子にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールと、上記複数のグランド端子にそれぞれ接続された複数のビアホールのうちの少なくとも一部のビアホールとを、上記第1ないし第4のランドで画成される正方形の内側に配し、
     電源端子に接続された上記複数のビアホールのうち、第3のランドと第4のランドを結ぶ対角線を境に、第1のランド側に位置するビアホールを第1のパターンを通じて上記第1のランドに接続させると共に、第2のランド側に位置するビアホールを第2のパターンを通じて上記第2のランドに接続させ、
     グランドに接続された上記複数のビアホールのうち、第1のランドと第2のランドを結ぶ対角線を境に、第3のランド側に位置するビアホールを第3のパターンを通じて上記第3のランドに接続させると共に、第4のランド側に位置するビアホールを第4のパターンを通じて上記第4のランドに接続させた、
     ことを特徴とする3端子コンデンサ実装構造。
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