WO2010058776A1 - 電荷輸送性材料および電荷輸送性ワニス - Google Patents
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Abstract
Description
また、金属酸化物を真空蒸着させて薄膜を形成し、正孔注入層として用いることで駆動電圧の低下が可能となることが報告されている(非特許文献2:ジャーナル・オブ・フィジックス・ディー:アプライド・フィジックス(Journal of Physics D:Applied Physics)、英国、1996年、29巻、p.2750-2753)。
当該低分子オリゴマー化合物は、それ自体の粘度が低く、通常の有機溶媒を使用した場合、成膜操作におけるプロセスマージンが狭いため、スピンコート、インクジェット塗布、スプレー塗布等の種々の塗布方式や、種々の焼成条件を用いる場合、高い均一性を有する成膜を行うことは困難であった。
この点、各種添加溶媒を用いることで、粘度や、沸点および蒸気圧の調整が可能となり、種々の塗布方式に対応して高い均一性を有する成膜面を得ることが可能になってきている(特許文献4:国際公開第2004/043117号パンフレット、特許文献5:国際公開第2005/107335号パンフレット)。
一方で近年、金属酸化物を用いた正孔注入層が見直されており、正孔注入層を形成している金属酸化物が正孔輸送層との接触に際してその界面を酸化することで正孔輸送層にドーピング層を生成させ、駆動電圧を低下させうることが報告されている(非特許文献5:アプライド・フィジックス・レターズ(Applied Physics Letters)、米国、2007年、91巻、p.253504、非特許文献6:アプライド・フィジックス・レターズ(Applied Physics Letters)、米国、2008年、93巻、p.043308)が、正孔輸送材料に対して酸化性を有する塗布型材料は例がなく、新たな材料の開発が求められている。
なお、リンモリブデン酸等のヘテロポリ酸化合物は、代表的に化1で示されるKeggin型あるいは化2で示されるDawson型の化学構造、すなわちヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有している。
本発明者らは、このヘテロポリ酸化合物を、有機EL素子中、極薄膜で層を形成させることで有効な正孔注入層として機能することを見出した。
1. 電荷輸送性物質としてヘテロポリ酸化合物を含むことを特徴とする電荷輸送性材料、
2. 前記ヘテロポリ酸化合物が、リンモリブデン酸である1の電荷輸送性材料、
3. 1または2の電荷輸送性材料と、有機溶媒とを含み、前記ヘテロポリ酸化合物が、前記有機溶媒に均一に溶解していることを特徴とする電荷輸送性ワニス、
4. 前記有機溶媒が、少なくとも1種の良溶媒を含む混合溶媒である3の電荷輸送性ワニス、
5. 25℃での粘度が、10~200mPa・sの溶媒を含む3または4の電荷輸送性ワニス、
6. 1または2の電荷輸送性材料を含む電荷輸送性薄膜、
7. 3~5のいずれかの電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜、
8. 6または7の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子、
9. 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層を構成する8のエレクトロルミネッセンス素子
を提供する。
このような低極性有機溶媒系の電荷輸送性ワニスは、溶剤耐性が問題となるインクジェット塗布装置にて塗布することができるだけでなく、基板上に絶縁膜や隔壁などの耐溶剤性が問題となる構造物が存在する場合でも用いることができ、その結果、高平坦性を有する非晶質固体薄膜を問題なく作製することができる。
さらに、ヘテロポリ酸化合物はそれ単独で良好な電荷輸送性を発揮するため、電荷輸送性材料としてヘテロポリ酸化合物のみを用い、ドーパント物質やその他の電荷輸送性物質を用いなくとも得られた薄膜は良好な電荷輸送性を示す。この薄膜を、正孔注入層として使用することで、有機EL素子の駆動電圧を低下させるとともに、素子の長寿命化を実現することができる。
そして、ヘテロポリ酸化合物は一般に高屈折率であることから、有効な光学設計によって光取り出し効率の向上も期待できる。
また、この薄膜は、有機EL素子だけでなく、太陽電池のバッファ層または正孔輸送層、燃料電池用電極、コンデンサ電極保護膜、帯電防止膜へ応用することもできる。
本発明に係る電荷輸送性材料は、電荷輸送性物質としてヘテロポリ酸化合物を含むものである。
ここで、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性、電子輸送性、正孔および電子の両電荷輸送性のいずれかを意味する。
この場合、異種元素の酸素酸としては、主にケイ素(Si)、リン(P)、ヒ素(As)等の酸素酸が挙げられる。
なお、これらのヘテロポリ酸化合物は、市販品として入手可能であり、例えば、リンモリブデン酸(Phosphomolybdic acid hydrate 、または12 Molybdo(VI) phosphoric acid n-hydrate,示性式:H3(PMo12O40)・nH2O)は、関東化学(株)、和光純薬(株)、シグマアルドリッチジャパン(株)等から入手可能である。
なお、本発明の電荷輸送性材料であるヘテロポリ酸化合物に対して、塗布時やその後の焼成プロセスにおける膜の平坦性の向上、有機EL特性の向上および電荷輸送性ワニスの固体析出抑制をはじめとした保存安定性の向上のために、それぞれの目的に応じた固形材料を併用して用いても良い。
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、ヘテロポリ酸化合物の溶解能を有する良溶媒を用いることができる。
ここで、良溶媒とはヘテロポリ酸化合物を良く溶解することのできる溶媒を意味する。
ヘテロポリ酸化合物は高極性溶媒に対する溶解性が高いため、良溶媒は高極性であることが望ましい。また塗布後の焼成プロセスにて除去できる溶媒が好ましいため、常圧での沸点は50~300℃であることが好ましい。ただしヘテロポリ酸化合物を完全に溶解して均一溶液とすることができ、成膜プロセスにおいて除去可能な溶媒であれば特に限定されない。
高粘度溶媒とは、各種塗布装置における噴霧や塗布に適した粘性を付与して均一なウェット膜を形成し、焼成時にはウェット膜の凝集や凹凸の発生を抑制しながら溶媒揮発を生じさせ、高度な膜厚均一性を有する薄膜を形成し得る溶媒を意味する。
高粘度溶媒としては、25℃で10~200mPa・s、特に50~150mPa・sの粘度を有するものが挙げられ、具体的には、常圧で沸点50~300℃、特に150~250℃の高粘度溶媒であるシクロヘキサノール、エチレングリコール、1,3-オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、1,3-ブタンジオール、2,3-ブタンジオール、1,4-ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール等が好適である。
これらの高粘度溶媒を使用する場合、その使用割合は、ワニス中の溶媒全体に対して10~90質量%が好ましく、20~80質量%がより好ましい。
低表面張力溶媒とは、表面張力の低下、揮発性の付与等によって基板に対する塗れ性の向上や、各種塗布装置における噴霧あるいは塗布に適した物性を付与したり、塗布装置に対する腐食性の低下を可能にしたりする溶媒を意味する。
このような低表面張力溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、p-キシレン、o-キシレン、スチレン等の芳香族炭化水素類;n-ペンタン、n-ヘキサン、n-ヘプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン等の炭化水素類;酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸n-プロピル、酢酸i-ブチル、酢酸n-ブチル、酢酸n-アミル、酢酸n-ヘキシル、カプロン酸メチル、酢酸-2-メチルペンチル、乳酸n-エチル、乳酸n-ブチル等のエステル類;エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエステルまたはグリコールエーテル類;ジエチルエーテル、ジ-n-プロピルエーテル、ジ-i-プロピルエーテル、i-プロピルエーテル、1,4-ジオキサン、酢酸、γ-ブチルラクトン等のエーテルまたはカルボン酸類などが挙げられる。
低表面張力溶媒を使用する場合には、具体的に良溶媒と低表面張力溶媒との比率は、質量比で9:1~1:9程度が好ましく、1:1~1:4程度がより好ましい。
また、溶媒を2種以上混合して用いる場合には、良溶媒の沸点はその他の溶媒と同等またはそれ以上であることが望ましい。
このような手法を用いると、電荷輸送性ワニス中における低表面張力溶媒の割合を増加させることができる。
電荷輸送性ワニスの粘度は、特に限定されるものではないが、スピンコート法、インクジェット法あるいはスプレーコート法で0.1~200nmの薄膜を高い膜厚均一性で作製することを考慮すると、25℃で1~100mPa・sが好ましく、3~30mPa・sがより好ましく、5~20mPa・sがより一層好ましい。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられる。
溶媒の蒸発法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち、大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、40~250℃で行うことが好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、2段階以上の温度変化をつけてもよい。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にオゾン処理、酸素-プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
陽極基板上に当該正孔輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製して正孔注入層または正孔輸送層とする。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してOLED素子とする。ただし、必要に応じていずれかの一層または複数層を除いて素子を作製してもよい。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
本発明で用いるヘテロポリ酸化合物に対して還元性を有している正孔輸送材料は、有機EL素子特性における駆動電圧低下の観点において好ましい。特に、トリフェニルアミン、トリアリールアミン類あるいはスターバーストアミン類は、本発明で用いるヘテロポリ酸化合物によって酸化されやすいため、これらの化合物を含む層を、当該へテロポリ酸化合物を含有する正孔注入層に隣接する正孔輸送層として使用すると好適である。
電子輸送材料としては、Alq3、BAlq、DPVBi、(2-(4-ビフェニル)-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール)(PBD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、バソクプロイン(BCP)、シロール誘導体等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化マグネシウム(MgO)、アルミナ(Al2O3)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化ストロンチウム(SrF2)、Liq、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム-銀合金、アルミニウム-リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
陰極基板上に当該電子輸送性ワニスを塗布して電子輸送性薄膜を作製し、これを真空蒸着装置内に導入し、上記と同様の材料を用いて電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層を形成した後、陽極材料をスパッタリング等の方法により成膜してOLED素子とする。
上記OLED素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、発光性電荷輸送性高分子層を形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を含むPLED素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に、本発明の電荷輸送性ワニス(正孔輸送性ワニス)を塗布して上記の方法により正孔輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してPLED素子とする。発光効率向上および素子寿命向上のために、正孔輸送性薄膜と発光性高分子層の間にインターレイヤーを設けてもよい。
あるいは、陰極基板上に、本発明の電荷輸送性ワニス(電子輸送性ワニス)を塗布して上記の方法により電子輸送性薄膜を作製し、その上部に発光性電荷輸送性高分子層および正孔輸送層を順次形成し、さらにスパッタリング、蒸着、スピンコート等の方法により陽極電極を作製してPLED素子とする。発光効率向上および素子寿命向上のために、正孔輸送性薄膜と発光性高分子層の間にインターレイヤーを設けてもよい。
発光性電荷輸送性高分子層の形成法としては、発光性電荷輸送性高分子材料、またはこれに発光性ドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層を形成してある電極基板に塗布した後、溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
発光性電荷輸送性高分子材料としては、ポリ(9,9-ジアルキルフルオレン)(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、ポリ(2-メトキシ-5-(2’-エチルヘキソキシ)-1,4-フェニレンビニレン)(MEH-PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(3-アルキルチオフェン)(PAT)等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール(PVCz)などが挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、スリットコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが望ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
[実施例1]
リンモリブデン酸(関東化学(株)製、H3PMo12O40・n水和物)0.30gに対し、窒素雰囲気中で良溶媒であるDMI2.93gを加えて溶解した。この溶液に、プロピレングリコール1.47gおよび40℃まで加熱して融解させたシクロヘキサノール4.40gを加え、室温まで放冷して淡褐色透明溶液を得た。
得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、淡褐色透明の電荷輸送性ワニスを得た(固形分濃度3.3質量%、粘度11mPa・s,25℃)。
30分間オゾン洗浄を行ったITO基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上、大気中220℃で30分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。
リンタングステン酸(日本新金属(株)製、H3PW12O40・n水和物)0.30gに対し、窒素雰囲気中で良溶媒であるDMI2.93gを加えて溶解した。この溶液に、プロピレングリコール1.47gおよび40℃まで加熱して融解させたシクロヘキサノール4.40gを加え、室温まで放冷して淡褐色透明溶液を得た。
得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、淡褐色透明の電荷輸送性ワニスを得た(固形分濃度3.3質量%、粘度11mPa・s,25℃)。
30分間オゾン洗浄を行ったITO基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上、大気中220℃で30分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。
リンタングストモリブデン酸(日本新金属(株)製、H3PW6Mo6O40・n水和物)0.30gに対し、窒素雰囲気中で良溶媒であるDMI2.93gを加えて溶解した。この溶液に、プロピレングリコール1.47gおよび40℃まで加熱して融解させたシクロヘキサノール4.40gを加え、室温まで放冷して淡褐色透明溶液を得た。
得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、淡褐色透明の電荷輸送性ワニスを得た(固形分濃度3.3質量%、粘度11mPa・s,25℃)。
30分間オゾン洗浄を行ったITO基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上、大気中220℃で30分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。
導電率測定を行うために以下の実験を行った。溶媒による影響を避けるためにいずれも同一溶媒としてDMAcを用いた。なお導電率測定においてはサンプル薄膜自体の抵抗値が測定素子の抵抗を十分に上回る必要があり、厚膜を形成させる必要がある。そのため高濃度ワニスを調製した。
上記のリンモリブデン酸(H3PMo12O40・n水和物)、リンタングステン酸(H3PW12O40・n水和物)、リンタングストモリブデン酸(H3PW6Mo6O40・n水和物)およびケイタングステン酸(日本新金属(株)製、H4SiW12O40・n水和物)それぞれ1.00gに対し、窒素雰囲気下DMAc5.67gを加え、室温で撹拌してそれぞれのDMAc溶液を得た(固形分濃度15質量%)。いずれも透明溶液となった。
30分間オゾン洗浄を行ったITO基板上に、得られたそれぞれのワニスをスピンコート法により塗布し(1500rpm-20秒)、ホットプレート上、大気中220℃で30分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。
PEDOT/PSS(H.C.Starck社製、グレード名CH8000)をスピンコート法によりITO基板上に塗布し、ホットプレート上、大気中100℃で60分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。
酸化モリブデン(関東化学(株)製、MoO3)、モリブデン酸(関東化学(株)製、H2MoO4)、モリブデン酸アンモニウム(関東化学(株)製、(NH4)6Mo7O24)、酸化タングステン(関東化学(株)製、WO3)、酸化バナジウム(関東化学(株)製、V2O5)、酸化マンガン(関東化学(株)製、MnO2)に対し、電荷輸送性ワニスの調製を試みたが、上記良溶媒に対する十分な溶解性を有していないことから均一溶液は得られなかった。
酸化バナジウムアセチルアセトナート(関東化学(株)製、VO(acac)2)をクロロホルムに溶解して1質量%クロロホルム溶液を得た。
この溶液を用いて、上記実施例と同様にして薄膜を形成したが、膜面結晶化した。
酢酸マンガンをクロロホルムに溶解して1質量%クロロホルム溶液を得た。
この溶液を用いて、上記実施例と同様にして薄膜を試みたが、成膜時に凝集し、均一な薄膜は得られなかった。
上記実施例1~7および比較例1で得られた薄膜の物性値を表1に示す。
なお、イオン化ポテンシャルは、理研計器(株)製 光電子分光装置 AC-2を使用して測定した。膜厚は、(株)小坂研究所製 サーフコーダET-4000Aを使用して測定した。
また、実施例4~7および比較例1では、得られたそれぞれの基板を真空蒸着装置内に導入し、蒸着マスクによってAlを膜厚150nm蒸着したサンドイッチ型素子(ITO/sample/Al(150nm))を用いて導電率を測定した(電極面積0.2mm2、電流密度100mA/cm2時)。
また、本発明の化合物はいずれも導電率の電界依存性が小さく、わずかな電圧で良好な電荷輸送性を示し、正孔注入層材料として十分な高導電率を示した(一般に10-7S/cm以上が必要)。電極からの電界注入障壁が小さい材料では、Ip値は正孔輸送材料に近い値かより深い値、すなわち5.4eV程度かより深い値であることが望ましいが、Ip値はいずれも適正な範囲であった。
[実施例8]
実施例1と同様の方法を用い、スピン回転数を変化させてITO基板上に2種類の膜厚の正孔輸送性薄膜を形成した後、この基板を真空蒸着装置内に導入し、α-NPD、Alq3、LiF、Alを順次蒸着し、OLED素子を作製した。膜厚は、それぞれ40nm、60nm、0.8nm、150nmとし、それぞれ2×10-4Pa以下の圧力となってから蒸着操作を行った。蒸着レートは、α-NPDおよびAlq3では0.1~0.2nm/s、LiFでは0.01~0.02nm/s、Alでは0.2~0.4nm/sとした。蒸着操作間の移動操作は真空中で行った。
リンモリブデン酸を含む正孔輸送性薄膜を設けずに、正孔輸送層であるα-NPDの膜厚を70nmとした以外は、実施例8と同様の方法を用いてOLED素子を作製した。
正孔注入層としてPEDOT/PSS(H.C.Starck社製、グレード名AI4083)を用いた以外は、実施例8と同様の方法を用いてOLED素子を作製した。
実施例8および比較例5,6で得られた素子特性を表2に示す。
なお、OLED素子の特性は、有機EL発光効率測定装置(EL1003、プレサイスゲージ(株)製)を使用して測定した。
現在、正孔注入層に隣接して積層される正孔輸送層には、ほとんどトリフェニルアミン含有材料をはじめとしたトリアリールアミン含有材料が使用されている。本発明のヘテロポリ酸化合物のトリフェニルアミン含有化合物に対する酸化性について評価するため、以下の実験を行った。トリフェニルアミン含有化合物は正孔輸送層材料として使用されている他のトリアリールアミン含有化合物と物性が類似しているため、これによりトリアリールアミン系正孔輸送層材料全般に対する酸化性を評価できる。正孔輸送層材料に対して酸化性を有するということは、正孔輸送層の一部に静電的にキャリアを生成させることができることを意味しており、これにより有機EL素子における駆動電圧を低下させることが可能となる。
得られた溶液を孔径0.2μmのPTFE製フィルターを用いて濾過し、淡褐色透明の電荷輸送性ワニスを得た(固形分濃度6.0質量%)。
30分間オゾン洗浄を行った石英基板上に、得られたワニスをスピンコート法により塗布し、ホットプレート上、大気中150℃で30分間焼成して電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜は均一な非晶質固体であった。得られた薄膜のUV-VISスペクトルを測定した(測定装置:UV-3100、(株)島津製作所製)ところ、550nmおよび730nmにブロードの吸収ピークが発生した。
以上の結果より、リンモリブデン酸はトリフェニルアミン2量体に対する酸化性を有していることがわかる。
このことから、リンモリブデン酸を含む正孔注入層は、トリフェニルアミンあるいはその類縁骨格を含有する正孔輸送材料からなる正孔輸送層に対し、その接触界面を酸化してドーピング層を形成する可能性があり、それにより有機EL素子の駆動電圧低下に寄与する可能性が示唆される。
リンモリブデン酸(Aldrich製)をジノニルナフタレンジスルホン酸に変更した以外は同様にして電荷輸送性薄膜を形成した。得られた薄膜のUV-VISスペクトルを測定したところ、それぞれの単体膜で得られる吸収ピーク以外の新たな吸収ピークは発生しなかった。ジノニルナフタレンジスルホン酸はトリフェニルアミン2量体に対する酸化性を有していないことがわかる。
Claims (9)
- 電荷輸送性物質としてヘテロポリ酸化合物を含むことを特徴とする電荷輸送性材料。
- 前記ヘテロポリ酸化合物が、リンモリブデン酸である請求項1記載の電荷輸送性材料。
- 請求項1または2記載の電荷輸送性材料と、有機溶媒とを含み、
前記ヘテロポリ酸化合物が、前記有機溶媒に均一に溶解していることを特徴とする電荷輸送性ワニス。 - 前記有機溶媒が、少なくとも1種の良溶媒を含む混合溶媒である請求項3記載の電荷輸送性ワニス。
- 25℃での粘度が、10~200mPa・sの溶媒を含む請求項3または4記載の電荷輸送性ワニス。
- 請求項1または2記載の電荷輸送性材料を含む電荷輸送性薄膜。
- 請求項3~5のいずれか1項記載の電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜。
- 請求項6または7記載の電荷輸送性薄膜を備える有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層を構成する請求項8記載のエレクトロルミネッセンス素子。
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