CN105074949A

CN105074949A - 电荷传输性清漆

Info

Publication number: CN105074949A
Application number: CN201480013891.2A
Authority: CN
Inventors: 中家直树; 古贺春香
Original assignee: Nissan Chemical Corp
Current assignee: Nissan Chemical Corp
Priority date: 2013-03-11
Filing date: 2014-03-06
Publication date: 2015-11-18
Anticipated expiration: 2034-03-06
Also published as: KR20150127675A; WO2014141998A1; JPWO2014141998A1; KR102270150B1; TWI620731B; JP6135752B2; CN105074949B; TW201500333A

Abstract

包含含有式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂的电荷传输性清漆，能够在低于200℃的低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且具有高电荷传输性，应用于有机EL元件的情况下能够发挥优异的亮度特性。(式中，X¹表示-NY¹-等，Y¹和R¹～R⁶相互独立地表示氢原子等，m和n相互独立地表示0以上的整数，满足1≦m+n≦20。不过，m或n为0时，X¹表示-NY¹-)。

Description

电荷传输性清漆

技术领域

本发明涉及电荷传输性清漆，更详细地说，涉及包含含有指定的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机硅烷化合物的电荷传输性清漆。

背景技术

有机电致发光(以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用包含有机化合物的电荷传输性薄膜。

该电荷传输性薄膜的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法。如果将干法和湿法比较，湿法能够高效率地以大面积制造平坦性高的薄膜，因此在希望如有机EL元件等的薄膜的大面积化的领域中多采用湿法形成薄膜。

鉴于这点，本发明人进行了用于采用湿法制作能够应用于各种电子器件的电荷传输性薄膜的电荷传输性清漆的开发(参照专利文献1)。

但是，近年来的有机EL元件领域中，由于器件的轻质化、薄型化的潮流，逐渐替代玻璃基板而使用由有机化合物制成的基板，也需求能够在比以往低的温度下烧成、而且这种情况下也给予具有良好的电荷传输性的薄膜的清漆，对于现有的清漆，尚未能充分应对这些要求。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2002-151272号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供能够在低于200℃的低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且具有高电荷传输性，应用于有机EL元件的情况下能够发挥优异的亮度特性的电荷传输性清漆。

用于解决课题的手段

本发明人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现：通过使用包含含有指定的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、和有机硅烷化合物的电荷传输性清漆，从而能够在不到200℃的低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性和高电荷传输性，而且将该薄膜应用于空穴注入层的情况下，得到能够实现优异的亮度特性的有机EL元件，完成了本发明。

即，本发明提供：

1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含：含有式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂，

[化1]

(式(1)中，X¹表示-NY¹-、-O-、-S-、-(CR⁷R⁸)_l-或单键，Y¹相互独立地表示氢原子、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，R¹～R⁸相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基、-NHY²、-NY³Y⁴、-C(O)Y⁵、-OY⁶、-SY⁷、-SO₃Y⁸、-C(O)OY⁹、-OC(O)Y¹⁰、-C(O)NHY¹¹、或者-C(O)NY¹²Y¹³基，Y²～Y¹³相互独立地表示可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，Z¹表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，Z²表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基，Z³表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基，l表示1～20的整数，m和n相互独立地表示0以上的整数，满足1≦m+n≦20。不过，m或n为0时，X¹表示-NY¹-。)

2.1的电荷传输性清漆，其中，上述R¹～R⁴为氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、或者可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基，上述R⁵和R⁶为氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基、或者可被Z²取代的二苯基氨基，

3.1或2的电荷传输性清漆，其中，上述杂多酸包含磷钨酸，

4.1～3的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述掺杂剂物质的质量(W_D)与上述电荷传输性物质的质量(W_H)之比(W_D/W_H)满足1.0≦W_D/W_H≦11.0，

5.1～4的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述有机硅烷化合物为二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物，

6.使用1～5的任一项的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜，

7.电子器件，其具有6的电荷传输性薄膜，

8.有机电致发光元件，其具有6的电荷传输性薄膜，

9.8的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层，

10.电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将1～5的任一项的电荷传输性清漆在基材上涂布，烧成，

11.10的电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，在低于200℃下烧成，

12.有机电致发光元件的制造方法，其中，使用6的电荷传输性薄膜。

发明的效果

本发明的电荷传输性清漆，即使在不到200℃的低温下烧成的情况下得到的薄膜也具有高平坦性和高电荷传输性，将该薄膜应用于空穴注入层时得到能够实现优异的亮度特性的有机EL元件。因此，通过使用本发明的电荷传输性清漆，能够实现制造工艺条件的温和化产生的高收率化、低成本化、或者元件的轻质化、小型化等。

此外，本发明的电荷传输性清漆，即使在使用了旋涂法、狭缝涂布法等能够大面积地成膜的各种湿法的情况下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此也能够充分地应对近年来的有机EL元件的领域中的进展。

进而，由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜也能够作为抗静电膜、有机薄膜太阳能电池的阳极缓冲层等使用。

具体实施方式

以下对本发明更详细地说明。

本发明涉及的电荷传输性清漆包含：含有式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、含有杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂。

其中，所谓电荷传输性，与导电性同义，与空穴传输性同义。电荷传输性物质，可以是其自身具有电荷传输性，也可以是与电子接受性物质一起使用时具有电荷传输性。电荷传输性清漆，可以是其自身具有电荷传输性，也可以是由其得到的固形膜具有电荷传输性。

[化2]

式(1)中，X¹表示-NY¹-、-O-、-S-、-(CR⁷R⁸)_l-或单键，但m或n为0时表示-NY¹-。

Y¹相互独立地表示氢原子、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。

作为碳原子数1～20的烷基，可以是直链状、分支状、环状的任一种，可列举例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳原子数1～20的直链或分支状烷基；环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等碳原子数3～20的环状烷基等。

作为碳原子数2～20的烯基的具体例，可列举乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基、正-1-二十碳烯基等。

作为碳原子数2～20的炔基的具体例，可列举乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙炔基、正-1-丁炔基、正-2-丁炔基、正-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正-丁炔基、2-甲基-正-丁炔基、3-甲基-正-丁炔基、1，1-二甲基-正-丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五碳炔基、正-1-二十碳炔基等。

作为碳原子数6～20的芳基的具体例，可列举苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。

作为碳原子数2～20的杂芳基的具体例，可列举2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、3-异噁唑基、4-异噁唑基、5-异噁唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。

R⁷和R⁸相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基、-NHY²、-NY³Y⁴、-C(O)Y⁵、-OY⁶、-SY⁷、-SO₃Y⁸、-C(O)OY⁹、-OC(O)Y¹⁰、-C(O)NHY¹¹、或者-C(O)NY¹²Y¹³基，Y²～Y¹³相互独立地表示可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。

作为卤素原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

此外，作为R⁷～R⁸和Y²～Y¹³的烷基、烯基、炔基、芳基和杂芳基，可列举与上述同样的基团。

这些中，作为R⁷和R⁸，优选氢原子、或者可被Z¹取代的碳原子数1～20的烷基，更优选氢原子、或者可被Z¹取代的甲基，最优选都为氢原子。

l表示-(CR⁷R⁸)-所示的2价的亚烷基的重复单元数，为1～20的整数，优选1～10，更优选1～5，进一步优选1～2，最优选1。

再有，l为2以上的情况下，多个R⁷可彼此相同，也可不同，多个R⁸也可彼此相同，也可不同。

特别地，作为X¹，优选-NY¹-或单键。此外，作为Y¹，优选氢原子、或者可被Z¹取代的碳原子数1～20的烷基，更优选氢原子、或者可被Z¹取代的甲基，最优选氢原子。

R¹～R⁶相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基、-NHY²、-NY³Y⁴、-C(O)Y⁵、-OY⁶、-SY⁷、-SO₃Y⁸、-C(O)OY⁹、-OC(O)Y¹⁰、-C(O)NHY¹¹、或者-C(O)NY¹²Y¹³基(Y²～Y¹³表示与上述相同的含义。)，作为这些卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基和杂芳基，可列举与上述同样的基团。

特别地，式(1)中，作为R¹～R⁴，优选氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、或者可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基，更优选氢原子、氟原子、或者可被氟原子取代的碳原子数1～10的烷基，最优选全部为氢原子。

此外，作为R⁵和R⁶，优选氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基、或者可被Z²取代的二苯基氨基(Y³和Y⁴为可被Z²取代的苯基的-NY³Y⁴基)，更优选氢原子、氟原子、或者可被氟原子取代的二苯基氨基，进一步优选同时为氢原子或二苯基氨基。

而且，这些中，优选R¹～R⁴为氢原子、氟原子、可被氟原子取代的碳原子数1～10的烷基、R⁵和R⁶为氢原子、氟原子、可被氟原子取代的二苯基氨基、X¹为-NY¹-或单键、并且Y¹为氢原子或甲基的组合，更优选R¹～R⁴为氢原子、R⁵和R⁶同时为氢原子或二苯基氨基、X¹为-NH-或单键的组合。

式(1)中，m和n相互独立地表示0以上的整数，满足1≦m+n≦20，如果考虑得到的薄膜的电荷传输性和苯胺衍生物的溶解性的平衡，优选满足2≦m+n≦8，更优选满足2≦m+n≦6，进一步优选满足2≦m+n≦4。

再有，上述Y¹～Y¹³和R¹～R⁸的烷基、烯基和炔基可被作为卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基的Z¹取代，上述Y¹～Y¹³和R¹～R⁸的芳基和杂芳基可被作为卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基的Z²取代，这些基团可进一步被作为卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或羧酸基的Z³取代(作为卤素原子，可列举与上述同样的基团。)。

特别地，Y¹～Y¹³和R¹～R⁸中，取代基Z¹优选卤素原子、或者可被Z³取代的碳原子数6～20的芳基，更优选卤素原子、或者可被Z³取代的苯基，最优选不存在(即，为未取代)。

此外，取代基Z²优选卤素原子、或者可被Z³取代的碳原子数1～20的烷基，更优选卤素原子、或者可被Z³取代的碳原子数1～4的烷基，最优选不存在(即，为未取代)。

而且，Z³优选卤素原子，更优选氟，最优选不存在(即，为未取代)。

Y¹～Y¹³和R¹～R⁸中，烷基、烯基和炔基的碳原子数优选为10以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。

此外，芳基和杂芳基的碳原子数优选为14以下，更优选为10以下，进一步优选为6以下。

本发明中使用的苯胺衍生物的分子量通常为300～5000，从提高溶解性的方面出发，优选为4000以下，更优选为3000以下，进一步优选为2000以下。

应予说明，作为本发明中使用的苯胺衍生物的合成法，并无特别限定，可列举在ブレティン·オブ·ケミカル·ソサエティ·オブ·ジャパン(BulletinofChemicalSocietyofJapan)(1994年第67卷第1749-1752页)、シンセティック·メタルズ(SyntheticMetals)(1997年、第84卷、第119-120页)、ThinSolidFilms(2012年、520(24)7157-7163)、国际公开2008/032617号、国际公开2008-032616号、国际公开2008-129947号等中记载的方法。

以下在本发明中列举优选的苯胺衍生物，但并不限定于这些。

[化3]

[化4]

本发明的电荷传输性清漆包含杂多酸。

所谓杂多酸，是具有代表性地由式(A)所示的Keggin型或式(B)所示的Dawson型的化学结构表示的、杂原子位于分子的中心的结构，作为钒(V)、钼(Mo)、钨(W)等的含氧酸的同多酸与异种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这样的异种元素的含氧酸，主要可列举硅(Si)、磷(P)、砷(As)的含氧酸。

[化5]

作为杂多酸的具体例，可列举磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等，它们可单独使用，也可将2种以上组合使用。再有，本发明中使用的杂多酸可作为市售品得到，此外，也能够采用公知的方法合成。

特别地，掺杂剂物质由1种杂多酸单独组成的情况下，这1种杂多酸优选磷钨酸或磷钼酸，最优选磷钨酸。此外，掺杂剂物质由2种以上的杂多酸组成的情况下，这2种以上的杂多酸的1种优选磷钨酸或磷钼酸，更优选磷钨酸。

再有，杂多酸即使在元素分析等的定量分析中与通式所示的结构相比元素的数多或者少，只要其作为市售品获得或者按照公知的合成方法适当地合成，都能够在本发明中使用。

即，例如，一般地，磷钨酸用化学式H₃(PW₁₂O₄₀)·nH₂O表示，磷钼酸用化学式H₃(PMo₁₂O₄₀)·nH₂O表示，即使在定量分析中该式中的P(磷)、O(氧)或者W(钨)或Mo(钼)的数多或者少，只要是其作为市售品获得或者按照公知的合成方法适当地合成，都能够在本发明中使用。这种情况下，所谓本发明中规定的杂多酸的质量，不是合成物、市售品中的纯粹的磷钨酸的质量(磷钨酸含量)，而意指可作为市售品获得的形态和可采用公知的合成法分离的形态下包含水合水、其他的杂质等的状态下的总质量。

本发明中，通过使杂多酸、优选地磷钨酸以质量比计、相对于1的电荷传输性物质、为1.0～11.0左右、优选地1.5～10.0左右、更优选地2.0～9.5左右、进一步优选地2.5～9.0左右、进一步优选地3.0～8.5左右，从而能够再现性良好地得到在用于有机EL元件的情况下给予高亮度的电荷传输性薄膜。

即，这样的电荷传输性清漆中，杂多酸的质量(W_D)与电荷传输性物质的质量(W_H)之比满足1.0≦W_D/W_H≦11.0、优选地1.5≦W_D/W_H≦10.0、更优选地2.0≦W_D/W_H≦9.5、进一步优选地2.5≦W_D/W_H≦9.0、进一步优选地3.0≦W_D/W_H≦8.5。

本发明的电荷传输性清漆中，除了上述的苯胺衍生物、杂多酸以外，也能够使用公知的其他的电荷传输性物质、掺杂剂物质。

本发明的电荷传输性清漆包含有机硅烷化合物。

作为该有机硅烷化合物，可列举二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物，这些可单独使用，也可将2种以上组合使用。

特别地，作为有机硅烷化合物，优选二烷氧基硅烷化合物或三烷氧基硅烷化合物，更优选三烷氧基硅烷化合物。

作为四烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物和二烷氧基硅烷化合物，可列举例如式(2)～(4)所示的化合物。

Si(OR⁹)₄(2)

SiR¹⁰(OR⁹)₃(3)

Si(R¹⁰)₂(OR⁹)₂(4)

式中，R⁹相互独立地表示可被Z⁴取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z⁵取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，R¹⁰相互独立地表示可被Z⁶取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z⁷取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。

Z⁴表示卤素原子、或者可被Z⁸取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，Z⁵表示卤素原子、或者可被Z⁸取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基。

Z⁶表示卤素原子、可被Z⁸取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH₂)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY¹⁴基、或-NY¹⁵Y¹⁶基，Z⁷表示卤素原子、可被Z⁸取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基(-NHCONH₂)、硫醇基、异氰酸酯基(-NCO)、氨基、-NHY¹⁴基、或者-NY¹⁵Y¹⁶基，Y¹⁴～Y¹⁶相互独立地表示可被Z⁸取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基、或者碳原子数2～20的杂芳基。

Z⁸表示卤素原子、氨基、硝基、氰基、硫醇基。

作为式(2)～(4)中的、卤素原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基和碳原子数2～20的杂芳基，可列举与上述同样的基团。

R⁹和R¹⁰中，烷基、烯基和炔基的碳原子数优选为10以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。

作为R⁹，优选可被Z⁴取代的、碳原子数1～20的烷基或碳原子数2～20的烯基、或者可被Z⁵取代的碳原子数6～20的芳基，更优选可被Z⁴取代的、碳原子数1～6的烷基或碳原子数2～6的烯基、或者可被Z⁵取代的苯基，进一步优选可被Z⁴取代的碳原子数1～4的烷基、或者可被Z⁵取代的苯基，进一步优选可被Z⁴取代的、甲基或乙基。

此外，作为R¹⁰，优选可被Z⁶取代的碳原子数1～20的烷基、或者可被Z⁷取代的碳原子数6～20的芳基，更优选可被Z⁶取代的碳原子数1～10的烷基、或者可被Z⁷取代的碳原子数6～14的芳基，进一步优选可被Z⁶取代的碳原子数1～6的烷基、或者可被Z⁷取代的碳原子数6～10的芳基，进一步优选可被Z⁶取代的碳原子数1～4的烷基、或者可被Z⁷取代的苯基。

再有，多个R⁹可全部相同，也可不同，多个R¹⁰也可全部相同，也可不同。

作为Z⁴，优选卤素原子、或者可被Z⁸取代的碳原子数6～20的芳基，更优选氟原子、或者可被Z⁸取代的苯基，最优选不存在(即，为未取代)。

此外，作为Z⁵，优选卤素原子、或者可被Z⁸取代的碳原子数6～20的烷基，更优选氟原子、或者可被Z⁸取代的碳原子数1～10的烷基，最优选不存在(即，为未取代)。

另一方面，作为Z⁶，优选卤素原子、可被Z⁸取代的苯基、可被Z⁸取代的呋喃基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z⁸取代的苯基氨基、或者可被Z⁸取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一步优选氟原子、或者不存在(即，为未取代)。

此外，作为Z⁷，优选卤素原子、可被Z⁸取代的碳原子数1～20的烷基、可被Z⁸取代的呋喃基、环氧环己基、缩水甘油氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、脲基、硫醇基、异氰酸酯基、氨基、可被Z⁸取代的苯基氨基、或者可被Z⁸取代的二苯基氨基，更优选卤素原子，进一步优选氟原子、或者不存在(即，为未取代)。

而且，作为Z⁸，优选卤素原子，更优选氟原子或不存在(即，为未取代)。

以下列举本发明中能够使用的有机硅烷化合物的具体例，但并不限定于这些。

作为二烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基乙基二甲氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、甲基丙基二甲氧基硅烷、甲基丙基二乙氧基硅烷、二异丙基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、乙烯基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(3，4-环氧环己基)乙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷等。

作为三烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、丁基三乙氧基硅烷、戊基三甲氧基硅烷、戊基三乙氧基硅烷、庚基三甲氧基硅烷、庚基三乙氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、十六烷基三乙氧基硅烷、十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、十二烷基三乙氧基硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、(三乙氧基甲硅烷基)环己烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、三乙氧基氟硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷、3-(七氟异丙氧基)丙基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷、三乙氧基-2-噻吩基硅烷、3-(三乙氧基甲硅烷基)呋喃等。

作为四烷氧基硅烷化合物的具体例，可列举四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丙氧基硅烷等。

这些中，优选3，3，3-三氟丙基甲基二甲氧基硅烷、三乙氧基(4-(三氟甲基)苯基)硅烷、3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、五氟苯基三乙氧基硅烷。

本发明的电荷传输性清漆中的有机硅烷化合物的含量，如果考虑维持得到的薄膜的高电荷传输性的方面，相对于电荷传输性物质和杂多酸的总质量，通常为0.1～50质量％左右，优选为0.5～40质量％左右，更优选为0.8～30质量％左右，进一步优选为1～20质量％。

作为调制电荷传输性清漆时使用的溶剂，能够使用能够将电荷传输性物质和掺杂剂物质良好地溶解的高溶解性溶剂。作为这样的高溶解性溶剂，能够使用例如N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甘醇单甲基醚等有机溶剂。这些溶剂能够1种单独地使用，或者能够将2种以上混合使用，其使用量，相对于清漆中使用的溶剂全体，能够为5～100质量％。

应予说明，电荷传输性物质和掺杂剂物质优选都在上述溶剂中完全地溶解，或者成为了均一地分散的状态。

此外，本发明的电荷传输性清漆，为了提高对于基板的润湿性、对清漆的表面张力、粘度、沸点等调整等，优选包含其他的溶剂，通过加入这样的溶剂，根据使用的涂布方法、烧成温度等的清漆调制变得容易，能够再现性良好地得到具有高平坦性和高电荷传输性的薄膜。

作为这样的其他溶剂，并无特别限定，可列举例如环己醇、乙二醇、乙二醇二缩水甘油醚、1，3-辛二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇、1，4-丁二醇、丙二醇、己二醇、乙二醇单丁基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇单乙基醚乙酸酯、二甘醇单丁基醚乙酸酯、二丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、二甘醇单乙基醚、双丙酮醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、乙酸正己酯等。这些溶剂能够1种单独地使用，或者将2种以上混合使用，其使用量优选为固体不析出的范围内，相对于清漆中使用的溶剂全体，通常为1～95质量％，优选为5～90质量％。

本发明的清漆的粘度，根据制作的薄膜的厚度等、固形分浓度适宜地设定，通常在25℃下为1～50mPa·s。

此外，本发明中的电荷传输性清漆的固形分浓度，考虑清漆的粘度和表面张力等、制作的薄膜的厚度等，适宜地设定，通常为0.1～10.0质量％左右，如果考虑提高清漆的涂布性，优选为0.5～5.0质量％，更优选为1.0～3.0质量％。

通过将以上说明的电荷传输性清漆在基材上涂布、烧成，从而能够在基材上形成电荷传输性薄膜。

作为清漆的涂布方法，并无特别限定，可列举浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、毛刷涂布、喷墨法、喷涂法、狭缝涂布法等，优选根据涂布方法来调节清漆的粘度和表面张力。

此外，使用本发明的清漆的情况下，对烧成气氛也无特别限定，不仅是大气气氛，在非活性气体气氛下、真空下这样的不充分存在氧的条件下也能够得到具有均一的成膜面和高电荷传输性的薄膜。

烧成温度，考虑得到的薄膜的用途、对得到的薄膜赋予的电荷传输性的程度等，在大致100～260℃的范围内适宜地设定，在作为有机EL元件的空穴注入层使用的情况下，优选140～250℃左右，更优选150～230℃左右，对于本发明的清漆，能够进行不到200℃、特别地150～190℃的低温烧成。这种情况下，为了显现更高的均一成膜性，在基材上使反应进行，可给予2阶段以上的温度变化，加热可使用例如热板、烘箱等适当的设备进行。

对电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，在有机EL元件内作为空穴注入层使用的情况下，优选5～200nm。作为使膜厚变化的方法，有使清漆中的固形分浓度变化、使涂布时的基板上的溶液量变化等方法。

作为使用本发明的电荷传输性清漆制作OLED元件时的使用材料、制作方法，可列举下述的使用材料、制作方法，但并不限定于这些。

对于使用的电极基板，优选预先进行采用洗剂、醇、纯水等的液体洗净而净化，例如，对于阳极基板，优选在使用前即刻进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不过，阳极材料以有机物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。

具有包含由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜的空穴注入层的OLED元件的制作方法如下所述。

在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆，采用上述的方法进行烧成，在电极上制作空穴注入层。将其导入真空蒸镀装置内，依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极金属，制成OLED元件。为了控制发光区域，可在任意的层间设置载流子阻挡层。

作为阳极材料，可列举以铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)为代表的透明电极，优选进行了平坦化处理的产物。也能够使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物。

作为形成空穴传输层的材料，可列举(三苯基胺)二聚体衍生物(TPD)、N，N'-二(1-萘基)-N，N'-二苯基联苯胺(α-NPD)、[(三苯基胺)二聚体]螺二聚体(Spiro-TAD)等三芳基胺类、4，4'，4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4，4'，4”-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(1-TNATA)等星爆形胺类、5，5”-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基}-2，2'：5'，2”-三联噻吩(BMA-3T)等低聚噻吩类等。

作为形成发光层的材料，可列举三(8-羟基喹啉合)铝(III)(Alq₃)、双(8-羟基喹啉合)锌(II)(Znq₂)、双(2-甲基-8-羟基喹啉合)(对-苯基苯酚合)铝(III)(BAlq)和4，4'-双(2，2-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)等，可通过将电子传输材料或空穴传输材料与发光性掺杂剂共蒸镀而形成发光层。

作为电子传输材料，可列举Alq₃、BAlq、DPVBi、2-(4-联苯)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、三唑衍生物(TAZ)、浴铜灵(BCP)、噻咯(シロール)衍生物等。

作为发光性掺杂剂，可列举喹吖啶酮、红荧烯、香豆素540、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(对-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)₃)、(1，10-菲咯啉)-三(4，4，4-三氟-1-(2-噻吩基)-丁烷-1，3-二酮合)铕(III)(Eu(TTA)₃phen)等。

作为形成载流子阻挡层的材料，可列举PBD、TAZ、BCP等。

作为形成电子注入层的材料，可列举氧化锂(Li₂O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al₂O₃)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF₂)、氟化锶(SrF₂)、Liq、Li(acac)、醋酸锂、苯甲酸锂等。

作为阴极材料，可列举铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。

使用了本发明的电荷传输性清漆的PLED元件的制作方法，并无特别限定，可列举以下的方法。

上述OLED元件制作中，通过代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的真空蒸镀操作，而依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层，从而能够制作包含由本发明的电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PLED元件。

具体地，在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆，采用上述的方法制作空穴注入层，在其上依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层，进而蒸镀阴极电极，制成PLED元件。

作为使用的阴极和阳极材料，能够使用与上述OLED元件制作时同样的阴极和阳极材料，能够进行同样的洗净处理、表面处理。

作为空穴传输性高分子层和发光性高分子层的形成法，可列举如下方法：通过在空穴传输性高分子材料或发光性高分子材料、或者在它们中加入了掺杂剂物质的材料中加入溶剂而溶解，或者均匀地分散，在空穴注入层或空穴传输性高分子层上涂布后，分别通过溶剂的蒸发而成膜。

作为空穴传输性高分子材料，可列举聚[(9，9-二己基芴基-2，7-二基)-共-(N，N'-双{对-丁基苯基}-1，4-二氨基亚苯基)]、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(N，N'-双{对-丁基苯基}-1，1'-亚联苯基-4，4-二胺)]、聚[(9，9-双{1'-戊烯-5'-基}芴基-2，7-二基)-共-(N，N'-双{对-丁基苯基}-1，4-二氨基亚苯基)]、聚[N，N'-双(4-丁基苯基)-N，N'-双(苯基)-联苯胺]-用聚硅倍半氧烷封端、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-(4，4'-(N-(对-丁基苯基))二苯基胺)]等。

作为发光性高分子材料，可列举聚(9，9-二烷基芴)(PDAF)等聚芴衍生物、聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基)(MEH-PPV)等聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚(3-烷基噻吩)(PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。

作为溶剂，能够列举甲苯、二甲苯、氯仿等，作为溶解或均一分散法，可列举搅拌、加热搅拌、超声波分散等方法。

作为涂布方法，并无特别限定，可列举喷墨法、喷涂法、浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、毛刷涂布等。再有，涂布优选在氮、氩等非活性气体下进行。

作为烧成的方法，可列举在非活性气体下或真空中、用烘箱或热板加热的方法。

实施例

以下列举合成例、实施例和比较例，对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的实施例。应予说明，使用的装置如下所述。

(1)¹H-NMR测定：バリアン制高分辨力核磁共振装置

(2)基板洗净：长州产业(株)制造基板洗净装置(减压等离子体方式)

(3)清漆的涂布：ミカサ(株)制造旋涂器MS-A100

(4)膜厚测定：(株)小坂研究所制造微细形状测定机サーフコーダET-4000

(5)EL元件的制作：长州产业(株)制造多功能蒸镀装置系统C-E2L1G1-N

(6)EL元件的亮度等的测定：(有)テック·ワールド制造I-V-L测定系统

(7)EL元件的寿命测定：(株)イーエッチシー制造有机EL亮度寿命评价系统PEL-105S

[1]电荷传输性物质的合成

[合成例1]苯胺衍生物的合成

[化6]

在4，4’-二氨基二苯基胺10.00g(50.19mmol)、4-溴三苯基胺34.17g(105.40mmol)和二甲苯(100g)的混合悬浊液中加入四(三苯基膦)钯0.5799g(0.5018mmol)和叔丁氧基钠10.13g(105.40mmol)，在氮气下在130℃下搅拌14小时。

然后，将反应混合液过滤，在其滤液中加入饱和食盐水，进行了分液处理后，从有机层将溶剂馏除，将得到的固体使用1，4-二噁烷进行重结晶，得到了目标的苯胺衍生物(收量：22.37g、收率：65％)。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ7.83(S，2H)，7.68(S，1H)，7.26-7.20(m，8H)，7.01-6.89(m，28H).

[2]电荷传输性清漆的调制

[实施例1-1]

使合成例1中得到的苯胺衍生物0.206g和磷钨酸(关东化学(株)制造)0.412g在氮气氛下溶解于二甘醇单甲基醚4.0g。在得到的溶液中加入丙二醇单甲基醚16.0g，搅拌，向其中加入3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制造)0.021g和苯基三甲氧基硅烷(信越化学工业(株)制造)0.041g，进一步搅拌，调制电荷传输性清漆。

[实施例1-2～1-8]

除了使苯胺衍生物的使用量和磷钨酸的使用量分别为0.155g和0.464g、0.124g和0.495g、0.103g和0.515g、0.088g和0.530g、0.077g和0.541g、0.069g和0.550g、0.056g和0.562g以外，采用与实施例1-1同样的方法调制电荷传输性清漆。

[实施例1-9]

使合成例1中得到的苯胺衍生物0.309g和磷钨酸0.619g在氮气氛下溶解于二甘醇单甲基醚6.0g。在得到的溶液中加入丙二醇单甲基醚24.0g，搅拌，向其中加入五氟苯基三乙氧基硅烷(ScientificIndustrialAssociationLtd.制造)0.028g，进一步搅拌，调制电荷传输性清漆。

[实施例1-10～16]

除了使苯胺衍生物的使用量和磷钨酸的使用量分别为0.232g和0.696g、0.186g和0.742g、0.155g和0.773g、0.133g和0.795g、0.116g和0.812g、0.103g和0.825g、0.084g和0.843g以外，采用与实施例1-9同样的方法调制电荷传输性清漆。

[实施例1-17]

除了使五氟苯基三乙氧基硅烷的使用量为0.046g以外，采用与实施例1-11同样的方法调制电荷传输性清漆。

[实施例1-18]

使N，N’-二苯基联苯胺(东京化成工业(株)制造)0.148g和磷钨酸0.594g在氮气氛下溶解于1，3-二甲基-2-咪唑啉酮8.0g。在得到的溶液中加入环己醇12.0g和丙二醇4.0g，搅拌，向其中加入3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷0.025g和苯基三甲氧基硅烷0.049g，进一步搅拌，调制电荷传输性清漆。

应予说明，N，N’-二苯基联苯胺在使用1，4-二噁烷重结晶、然后在减压下充分干燥后使用。

[实施例1-19]

除了使N，N’-二苯基联苯胺的使用量和磷钨酸的使用量为0.124g和0.619g以外，采用与实施例1-18同样的方法调制电荷传输性清漆。

[比较例1]

除了没有加入3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷0.021g和苯基三甲氧基硅烷0.041g以外，采用与实施例1-1同样的方法调制电荷传输性清漆。

[3]有机EL元件的制造和特性评价

[实施例2-1]

将实施例1-1中得到的清漆使用旋涂器涂布于ITO基板后，在50℃下干燥5分钟，进而，在大气气氛下、160℃下烧成15分钟，在ITO基板上形成了30nm的均一的薄膜。作为ITO基板，使用将铟锡氧化物(ITO)在表面上以膜厚150nm图案化的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板，在使用前利用O₂等离子体洗净装置(150W、30秒)将表面上的杂质除去。

接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸镀装置(真空度1.0×10^-5Pa)将N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)、三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq₃)、氟化锂和铝的薄膜依次层叠，得到了有机EL元件。此时，关于蒸镀速率，对于α-NPD、Alq₃和铝，在0.2nm/秒的条件下，对于氟化锂，在0.02nm/秒的条件下分别进行，膜厚分别为30nm、40nm、0.5nm和120nm。

应予说明，为了防止空气中的氧、水等的影响导致的特性劣化，在将有机EL元件用密封基板密封后，对其特性评价。密封按照以下的顺序进行。

在氧浓度2ppm以下、露点-85℃以下的氮气氛中，将有机EL元件收到密封基板之间，将密封基板用粘接材料(ナガセケムテックス(株)制造，XNR5516Z-B1)贴合。此时，将捕水剂(ダイニック(株)制造，HD-071010W-40)与有机EL元件一起收入密封基板内。

对于贴合的密封基板，照射UV光(波长：365nm，照射量：6000mJ/cm²)后，在80℃下退火处理1小时，使粘接材料固化。

[实施例2-2～2-17和比较例2]

除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1～2～1-17、比较例1中得到的清漆以外，采用与实施例2-1同样的方法制作有机EL元件。

[实施例2-18～2-19]

除了代替实施例1-1中得到的清漆而分别使用了实施例1-18～1-19中得到的清漆，代替在160℃下烧成15分钟而在180℃下烧成15分钟以外，采用与实施例2-1同样的方法制作有机EL元件。

测定上述制作的有机EL元件的驱动电压5V下的电流密度和亮度。将结果示于表1。

此外，进行了实施例2-1～2-6中制作的有机EL元件的耐久性试验。将亮度的半衰期(初期亮度5000cd/m²)示于表2。

[表1]

如表1中所示，使用了除了指定的苯胺衍生物和杂多酸以外还包含有机硅烷化合物的本发明的电荷传输性清漆的情况下，即使在160～180℃这样的不到200℃的低温下烧成，也能够制造具有优异的亮度特性的EL元件，而使用了不含有机硅烷化合物的电荷传输性清漆(比较例2)的情况下，未能实现良好的亮度特性。

[表2]

	半衰期(h)
		实施例2-1	475
实施例2-2	456
		实施例2-3	434
实施例2-4	397
		实施例2-5	397
实施例2-6	488

如表2中所示，具备实施例中制作的电荷传输性薄膜的有机EL元件显示优异的耐久性。

Claims

1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含：包含由式(1)表示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、包含杂多酸的掺杂剂物质、有机硅烷化合物、和有机溶剂，

式(1)中，X¹表示-NY¹-、-O-、-S-、-(CR⁷R⁸)_l-或单键，

Y¹相互独立地表示氢原子、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，

R¹～R⁸相互独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基、-NHY²、-NY³Y⁴、-C(O)Y⁵、-OY⁶、-SY⁷、-SO₃Y⁸、-C(O)OY⁹、-OC(O)Y¹⁰、-C(O)NHY¹¹、或者-C(O)NY¹²Y¹³基，

Y²～Y¹³相互独立地表示可被Z¹取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基、或者可被Z²取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，

Z¹表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基，

Z²表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、羧酸基、或者可被Z³取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基，

Z³表示卤素原子、硝基、氰基、氨基、醛基、羟基、硫醇基、磺酸基、或者羧酸基，

l表示1～20的整数，m和n相互独立地表示0以上的整数，满足1≦m+n≦20，不过，m或n为0时，X¹表示-NY¹-。

2.权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中，上述R¹～R⁴为氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、或者可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基，上述R⁵和R⁶为氢原子、卤素原子、可被Z¹取代的碳原子数1～10的烷基、可被Z²取代的碳原子数6～14的芳基、或者可被Z²取代的二苯基氨基。

3.权利要求1或2所述的电荷传输性清漆，其中，上述杂多酸包含磷钨酸。

4.权利要求1～3的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述掺杂剂物质的质量(W_D)与上述电荷传输性物质的质量(W_H)之比(W_D/W_H)满足1.0≦W_D/W_H≦11.0。

5.权利要求1～4的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述有机硅烷化合物为二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物。

6.使用权利要求1～5的任一项所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。

7.电子器件，其具有权利要求6所述的电荷传输性薄膜。

8.有机电致发光元件，其具有权利要求6所述的电荷传输性薄膜。

9.权利要求8所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层。

10.电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，将权利要求1～5的任一项所述的电荷传输性清漆在基材上涂布，烧成。

11.权利要求10所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，在不到200℃下烧成。

12.有机电致发光元件的制造方法，其使用权利要求6所述的电荷传输性薄膜。