JP6182884B2 - 電荷輸送性ワニス - Google Patents
電荷輸送性ワニス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6182884B2 JP6182884B2 JP2013020224A JP2013020224A JP6182884B2 JP 6182884 B2 JP6182884 B2 JP 6182884B2 JP 2013020224 A JP2013020224 A JP 2013020224A JP 2013020224 A JP2013020224 A JP 2013020224A JP 6182884 B2 JP6182884 B2 JP 6182884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- substituted
- charge transporting
- varnish
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CC(C)c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1N(*)c1c(*)c(*)c(C(C)*)c(*)c1* Chemical compound CC(C)c(c(*)c1*)c(*)c(*)c1N(*)c1c(*)c(*)c(C(C)*)c(*)c1* 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
本発明は、電荷輸送性ワニスに関する。
有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）素子や、有機太陽電池といったデバイスには、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。
近年、製造プロセスの効率化等を目的として、このようなデバイスの製造プロセスにおいては、有機化合物を含むワニスを用いたウェットプロセスによって大面積薄膜を製造する手法が採用される。
よく知られる電荷輸送性を示す化合物としては、アニリン骨格、チオフェン骨格等の構造単位が連続した構造を持つ化合物や、半導体性低分子が挙げられる。これらは、高い電荷輸送性を発現させるため、通常、ドーパント物質と共に使用される（例えば、特許文献１等参照）。
近年、製造プロセスの効率化等を目的として、このようなデバイスの製造プロセスにおいては、有機化合物を含むワニスを用いたウェットプロセスによって大面積薄膜を製造する手法が採用される。
よく知られる電荷輸送性を示す化合物としては、アニリン骨格、チオフェン骨格等の構造単位が連続した構造を持つ化合物や、半導体性低分子が挙げられる。これらは、高い電荷輸送性を発現させるため、通常、ドーパント物質と共に使用される（例えば、特許文献１等参照）。
しかし、上述したような電荷輸送性を示す化合物とドーパント物質とを溶媒に溶解させてワニスを調製する場合、両者の組み合わせによっては電荷輸送性化合物とドーパント物質とからなる電荷輸送性材料の溶媒に対する溶解性が低下し、得られる膜厚の制御が困難となる場合や、採用し得る溶媒組成が限られる場合があり、その一方で、近年の電子機器の進展を背景に、それに用いる電荷輸送性薄膜については電荷輸送性能の更なる向上が求められており、既存のワニスでは、これらの要求に対応できないことがあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、電荷輸送性化合物および電子受容性物質（からなる電荷輸送性材料）の溶解性が改善され、かつ、高い平坦性および優れた電荷輸送性を有する薄膜を与え得る電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、２つ以上の所定の２価の有機基が連続した構造を分子内に有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と電子受容性物質と有機溶媒とを含む組成物に、所定の二級または三級アミン化合物を添加することで、ワニス中における電荷輸送性化合物および電子受容性物質（からなる電荷輸送性材料）の溶解性が改善され、当該ワニスより得られる薄膜が高い平坦性および優れた電荷輸送性を有し、当該薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層等として用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流効率を向上できることを見出すとともに、電荷輸送性化合物および電子受容性物質の溶解性の低下が問題とならない組成のワニスであっても、同様に所定のアミン化合物を加えて作製した薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層等として用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流効率を向上できることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、
１． 式（１）で表されるアミン化合物と、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と、電子受容性物質と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス、
〔式中、Ａ1は、水素原子、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基もしくは炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａ2およびＡ3は、それぞれ独立して、Ｚ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基（これらアルキル基およびアリール基は互いに結合していてもよい。）を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。〕
（式中、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、または単結合を表し、式（２）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ1は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘ2は、−ＮＹ2−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、式（３）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘ3は、−ＮＹ3−、または−ＣＲ13Ｒ14−を表し、式（４）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ3は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ1〜Ｙ3は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｒ1〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＮＨＹ4、−ＮＹ5Ｙ6、−Ｃ（Ｏ）Ｙ7、−ＯＹ8、−ＳＹ9、−ＳＯ3Ｙ10、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ11、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ12、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ13、または−Ｃ（Ｏ）ＮＹ14Ｙ15基を表し、Ｙ4〜Ｙ15は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ2は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｚ3は、前記と同じ意味を表す。）
２． 前記Ａ1が、水素原子またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であり、前記Ａ2およびＡ3が、Ｚ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基（これらアルキル基は互いに結合していてもよい。）である１の電荷輸送性ワニス、
３． 前記電荷輸送性化合物が、前記式（２）で表される２価の有機基が２つ連続した式（５）で表される構造を２つ以上有する１または２の電荷輸送性ワニス、
（式中、Ｒ1〜Ｒ4およびＹ1は、前記と同じ意味を示す。）
４． 前記電荷輸送性化合物が、式（６）で表される構造を分子内に含むことを特徴とする１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス、
（式中、Ｒ1〜Ｒ4およびＹ1は、前記と同じ意味を表し、Ｘ4は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ13Ｒ14）l−または単結合を表し、Ｒ13およびＲ14は、前記と同じ意味を表し、ｌは、１〜２０の整数であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≦１０を満たす。）
５． １〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
６． ５の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
７． ５の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
８． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である６の有機エレクトロルミネッセンス素子、
９． １〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させる電荷輸送性薄膜の製造方法、
１０． ５の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、
１１． 式（１）で表されるアミン化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度向上剤、
〔式中、Ａ1は、水素原子、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基もしくは炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａ2およびＡ3は、それぞれ独立して、Ｚ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基（これらアルキル基およびアリール基は互いに結合していてもよい。）を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。〕
１２． 有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度向上性をさらに有する１１の輝度向上剤
を提供する。
１． 式（１）で表されるアミン化合物と、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と、電子受容性物質と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス、
２． 前記Ａ1が、水素原子またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であり、前記Ａ2およびＡ3が、Ｚ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基（これらアルキル基は互いに結合していてもよい。）である１の電荷輸送性ワニス、
３． 前記電荷輸送性化合物が、前記式（２）で表される２価の有機基が２つ連続した式（５）で表される構造を２つ以上有する１または２の電荷輸送性ワニス、
４． 前記電荷輸送性化合物が、式（６）で表される構造を分子内に含むことを特徴とする１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス、
５． １〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
６． ５の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
７． ５の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
８． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層または正孔輸送層である６の有機エレクトロルミネッセンス素子、
９． １〜４のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させる電荷輸送性薄膜の製造方法、
１０． ５の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、
１１． 式（１）で表されるアミン化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度向上剤、
１２． 有機エレクトロルミネッセンス素子の電流密度向上性をさらに有する１１の輝度向上剤
を提供する。
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で示されるアミン化合物を含んでいるため、電荷輸送性化合物および電子受容性物質（からなる電荷輸送性材料）の有機溶媒に対する溶解性が向上する結果、このワニスを用いることで、高い平坦性および優れた電荷輸送性を有する薄膜を製造することができる。特に、この電荷輸送性薄膜は、有機ＥＬ素子の正孔注入層や正孔輸送性として用いた場合に優れた輝度特性や電流密度特性を実現できるため、有機ＥＬ素子の高性能化や小型化等に貢献し得る。
また、この薄膜は、優れた電荷輸送性を有するため、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等の用途への応用も期待される。
また、この薄膜は、優れた電荷輸送性を有するため、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等の用途への応用も期待される。
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアミン化合物と、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と、電子受容性物質と、有機溶媒とを含む。
ここで、同一の２価の有機基が２つ以上連続した構造とは、式（２）が２つ以上連続した構造、式（３）が２つ以上連続した構造、または式（４）が２つ以上連続した構造を意味するが、それぞれの場合において、複数存在するＸ1同士、Ｘ2同士、およびＸ3同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。一方、異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造とは、式（２）と式（３）とがそれぞれ任意の個数かつ任意の順序で連続した構造、式（２）と式（４）とがそれぞれ任意の個数かつ任意の順序で連続した構造、式（３）と式（４）とが任意の個数かつ任意の順序で連続した構造を意味し、この態様においても、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3が各構造単位中にそれぞれ複数存在する場合、Ｘ1同士、Ｘ2同士、およびＸ3同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
なお、本発明の電荷輸送性化合物は、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有している限り、式（２）〜（４）以外の構造単位を含んでいてもよい。
また、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性化合物とは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、電子受容性物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。また、電荷輸送性ワニスとは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるアミン化合物と、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と、電子受容性物質と、有機溶媒とを含む。
ここで、同一の２価の有機基が２つ以上連続した構造とは、式（２）が２つ以上連続した構造、式（３）が２つ以上連続した構造、または式（４）が２つ以上連続した構造を意味するが、それぞれの場合において、複数存在するＸ1同士、Ｘ2同士、およびＸ3同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。一方、異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造とは、式（２）と式（３）とがそれぞれ任意の個数かつ任意の順序で連続した構造、式（２）と式（４）とがそれぞれ任意の個数かつ任意の順序で連続した構造、式（３）と式（４）とが任意の個数かつ任意の順序で連続した構造を意味し、この態様においても、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3が各構造単位中にそれぞれ複数存在する場合、Ｘ1同士、Ｘ2同士、およびＸ3同士は、互いに同一でも異なっていてもよい。
なお、本発明の電荷輸送性化合物は、式（２）〜（４）から選ばれる同一または異種の２価の有機基が２つ以上連続した構造を有している限り、式（２）〜（４）以外の構造単位を含んでいてもよい。
また、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性化合物とは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、電子受容性物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。また、電荷輸送性ワニスとは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
上記式（１）において、Ａ1は、水素原子、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基もしくは炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａ2およびＡ3は、それぞれ独立して、Ｚ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基（これらアルキル基およびアリール基は互いに結合していてもよい。）を表し、Ｚ3は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。
また、Ａ2およびＡ3のアルキル基およびアリール基が互いに結合して形成される２価の基の具体例としては、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等の２〜４０のアルキレン基；ビフェニル−２，２’−ジイル基、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジイル基、１，１’−ビアントリル−２，２’−ジイル基、１，１’−ビフェナントリル−２，２’−ジイル基等の炭素数１２〜４０のアリーレン基；（１，２−フェニレン）メチレン基、（１，２−フェニレン）エチレン基、（１，２−フェニレン）トリメチレン基、（１，３−フェニレン）テトラメチレン基、（１，３−フェニレン）メチレン基、（１，３−フェニレン）エチレン基、（１，３−フェニレン）トリメチレン基、（１，３−フェニレン）テトラメチレン基等の炭素数７〜４０のアラルキレン基などが挙げられる。
Ａ1としては、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、または炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基がより一層好ましい。
Ａ2およびＡ3としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、または互いに結合してなる、炭素数２〜４０のアルキレン基、炭素数１２〜４０のアリーレン基もしくは炭素数７〜４０のアラルキレン基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、または互いに結合してなる炭素数２〜４０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、または互いに結合してなる炭素数４〜１０のアルキレン基がより一層好ましい。
Ａ1〜Ａ3において、Ｚ3としては、ハロゲン原子、特にフッ素原子が好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
Ａ2およびＡ3としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、または互いに結合してなる、炭素数２〜４０のアルキレン基、炭素数１２〜４０のアリーレン基もしくは炭素数７〜４０のアラルキレン基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、または互いに結合してなる炭素数２〜４０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、または互いに結合してなる炭素数４〜１０のアルキレン基がより一層好ましい。
Ａ1〜Ａ3において、Ｚ3としては、ハロゲン原子、特にフッ素原子が好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
式（１）で示されるアミン化合物の具体例としては、市販品として入手可能なまたは公知の方法で合成可能な、二級アミンまたは三級アミンが挙げられる。
二級アミンとしては、例えば、Ｎ−エチルメチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（Ｅｔ）〕、Ｎ−メチル−ｎ−プロピルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ−メチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−メチル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチル−ｔ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｔ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチルイソブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｉ−Ｂｕ）〕、ジエチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）2〕、Ｎ−エチル−ｎ−プロピルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ−エチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−エチル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−エチル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ−エチル−ｔ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｔ−Ｂｕ）〕、ジプロピルアミン〔ＨＮ（Ｐｒ）2〕、Ｎ−ｎ−プロピルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−ｎ−プロピル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−ｎ−ブロピル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｓ−Ｂｕ）〕、ジイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−ｎ−ブチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−ｔ−ブチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）（ｔ−Ｂｕ）〕、ジ（ｎ−ブチル）アミン〔ＨＮ（ｎ−Ｂｕ）2〕、ジ（ｓ−ブチル）アミン〔ＨＮ（ｓ−Ｂｕ）2〕、ジイソブチルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｂｕ）2〕、アジリジン（エチレンイミン）、２−メチルアジリジン（プロピレンイミン）、２，２−ジメチルアジリジン、アゼチジン（トリメチレンイミン）、２−メチルアゼチジン、ピロリジン、２−メチルピロリジン、３−メチルピロリジン、２，５−ジメチルピロリジン、ピペリジン、２，６−ジメチルピペリジン、３，５−ジメチルピペリジン，２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、オクタメチレンイミン等といったジアルキルアミン；ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、１，１’−ジナフチルアミン、２，２’−ジナフチルアミン、１，２’−ジナフチルアミン、カルバゾール、７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール、７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール、１３Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｉ］カルバゾール等といったジアリールアミン；Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−ｎ−プロピルアニリン、Ｎ−イソプロピルアニリン、Ｎ−ｎ−ブチルアニリン、Ｎ−ｓ−ブチルアニリン、Ｎ−イソブチルアニリン、Ｎ−メチル−１−ナフチルアミン、Ｎ−エチル−１−ナフチルアミン、Ｎ−ｎ−プロピル−１−ナフチルアミン、インドリン、イソインドリン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン等のアルキルアリールアミンなどが挙げられる。
三級アミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（Ｅｔ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−プロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソプロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｓ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｔ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｔ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｉ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジエチルメチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（Ｅｔ）2〕、Ｎ−メチルジ（ｎ−プロピル）アミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｎ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−メチルジイソプロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−メチルジ（ｎ−ブチル）アミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｎ−Ｂｕ）2〕、Ｎ−メチルジイソブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｉ−Ｂｕ）2〕、トリエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）3〕Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｎ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）2（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）エチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）（ｎ−Ｂｕ）2〕、トリ（ｎ−プロピル）アミン〔Ｎ（ｎ−Ｐｒ）3〕、トリ（ｉ−プロピル）アミン〔Ｎ（ｉ−Ｐｒ）3〕、トリ（ｎ−ブチル）アミン〔Ｎ（ｎ−Ｂｕ）3〕、トリ（ｉ−ブチル）アミン〔Ｎ（ｉ−Ｂｕ）3〕、１−メチルアセチジン、１−メチルピロリジン、１−メチルピペリジン等のトリアルキルアミン；トリフェニルアミン等のトリアリールアミン；Ｎ−メチルジフェニルアミン、Ｎ−エチルジフェニルアミン、９−メチルカルバゾール、９−エチルカルバゾール等のアルキルジアリールアミン；Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−プロピル）アニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｉ−プロピル）アニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）アニリン等のジアルキルアリールアミンなどが挙げられる。
二級アミンとしては、例えば、Ｎ−エチルメチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（Ｅｔ）〕、Ｎ−メチル−ｎ−プロピルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ−メチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−メチル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチル−ｔ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｔ−Ｂｕ）〕、Ｎ−メチルイソブチルアミン〔ＨＮ（Ｍｅ）（ｉ−Ｂｕ）〕、ジエチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）2〕、Ｎ−エチル−ｎ−プロピルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ−エチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−エチル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−エチル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ−エチル−ｔ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｔ−Ｂｕ）〕、ジプロピルアミン〔ＨＮ（Ｐｒ）2〕、Ｎ−ｎ−プロピルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ−ｎ−プロピル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−ｎ−ブロピル−ｓ−ブチルアミン〔ＨＮ（ｎ−Ｐｒ）（ｓ−Ｂｕ）〕、ジイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−ｎ−ブチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ−ｔ−ブチルイソプロピルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｐｒ）（ｔ−Ｂｕ）〕、ジ（ｎ−ブチル）アミン〔ＨＮ（ｎ−Ｂｕ）2〕、ジ（ｓ−ブチル）アミン〔ＨＮ（ｓ−Ｂｕ）2〕、ジイソブチルアミン〔ＨＮ（ｉ−Ｂｕ）2〕、アジリジン（エチレンイミン）、２−メチルアジリジン（プロピレンイミン）、２，２−ジメチルアジリジン、アゼチジン（トリメチレンイミン）、２−メチルアゼチジン、ピロリジン、２−メチルピロリジン、３−メチルピロリジン、２，５−ジメチルピロリジン、ピペリジン、２，６−ジメチルピペリジン、３，５−ジメチルピペリジン，２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、ヘキサメチレンイミン、ヘプタメチレンイミン、オクタメチレンイミン等といったジアルキルアミン；ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、１，１’−ジナフチルアミン、２，２’−ジナフチルアミン、１，２’−ジナフチルアミン、カルバゾール、７Ｈ−ベンゾ［ｃ］カルバゾール、１１Ｈ−ベンゾ［ａ］カルバゾール、７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール、１３Ｈ−ジベンゾ［ａ，ｉ］カルバゾール等といったジアリールアミン；Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−ｎ−プロピルアニリン、Ｎ−イソプロピルアニリン、Ｎ−ｎ−ブチルアニリン、Ｎ−ｓ−ブチルアニリン、Ｎ−イソブチルアニリン、Ｎ−メチル−１−ナフチルアミン、Ｎ−エチル−１−ナフチルアミン、Ｎ−ｎ−プロピル−１−ナフチルアミン、インドリン、イソインドリン、１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン等のアルキルアリールアミンなどが挙げられる。
三級アミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（Ｅｔ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−プロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｎ−Ｐｒ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソプロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｉ−Ｐｒ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｓ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｓ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｔ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｔ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）2（ｉ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジエチルメチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（Ｅｔ）2〕、Ｎ−メチルジ（ｎ−プロピル）アミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｎ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−メチルジイソプロピルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ−メチルジ（ｎ−ブチル）アミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｎ−Ｂｕ）2〕、Ｎ−メチルジイソブチルアミン〔Ｎ（Ｍｅ）（ｉ−Ｂｕ）2〕、トリエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）3〕Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｎ−ブチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）2（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）（ｉ−Ｐｒ）2〕、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）エチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）（ｎ−Ｂｕ）2〕、トリ（ｎ−プロピル）アミン〔Ｎ（ｎ−Ｐｒ）3〕、トリ（ｉ−プロピル）アミン〔Ｎ（ｉ−Ｐｒ）3〕、トリ（ｎ−ブチル）アミン〔Ｎ（ｎ−Ｂｕ）3〕、トリ（ｉ−ブチル）アミン〔Ｎ（ｉ−Ｂｕ）3〕、１−メチルアセチジン、１−メチルピロリジン、１−メチルピペリジン等のトリアルキルアミン；トリフェニルアミン等のトリアリールアミン；Ｎ−メチルジフェニルアミン、Ｎ−エチルジフェニルアミン、９−メチルカルバゾール、９−エチルカルバゾール等のアルキルジアリールアミン；Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−プロピル）アニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｉ−プロピル）アニリン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｎ−ブチル）アニリン等のジアルキルアリールアミンなどが挙げられる。
上記式（２）〜（４）において、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、または単結合を表すが、−ＮＹ1−、−Ｓ−、または単結合が好ましく、−ＮＹ1−がより好ましい。なお、電荷輸送性化合物中に、式（２）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ1は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ2は、−ＮＹ2−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表すが、−ＮＹ2−または−Ｓ−が好ましく、−ＮＹ2−がより好ましい。なお、電荷輸送性化合物中に、式（３）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ2は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ3は、−ＮＹ3−または−ＣＲ13Ｒ14−を表すが、−ＮＹ3−が好ましい。なお、電荷輸送性化合物中に、式（４）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ3は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ2は、−ＮＹ2−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表すが、−ＮＹ2−または−Ｓ−が好ましく、−ＮＹ2−がより好ましい。なお、電荷輸送性化合物中に、式（３）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ2は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｘ3は、−ＮＹ3−または−ＣＲ13Ｒ14−を表すが、−ＮＹ3−が好ましい。なお、電荷輸送性化合物中に、式（４）の有機基が２つ以上存在する場合、各Ｘ3は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙ1〜Ｙ3は、それぞれ独立して、水素原子、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。
炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル、３−チエニル、２−フラニル、３−フラニル、２−オキサゾリル，４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、３−イソオキサゾリル、４−イソオキサゾリル、５−イソオキサゾリル、２−チアゾリル，４−チアゾリル、５−チアゾリル、３−イソチアゾリル、４−イソチアゾリル、５−イソチアゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル基等が挙げられる。
その他、炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
その他、炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｙ1〜Ｙ3は、水素原子またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子またはメチル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
Ｒ1〜Ｒ14は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＮＨＹ4、−ＮＹ5Ｙ6、−Ｃ（Ｏ）Ｙ7、−ＯＹ8、−ＳＹ9、−ＳＯ3Ｙ10、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ11、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ12、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ13、または−Ｃ（Ｏ）ＮＹ14Ｙ15基を表し、Ｙ4〜Ｙ15は、それぞれ独立して、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ2で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
これらＲ1〜Ｒ14およびＹ4〜Ｙ15のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
これらＲ1〜Ｒ14およびＹ4〜Ｙ15のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
Ｒ1〜Ｒ14では、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。
これらの中でも、Ｒ1〜Ｒ14は、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基、またはＹ5およびＹ6がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基が好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ12は、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基、またはＹ5およびＹ6がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
また、Ｒ13およびＲ14は、水素原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、またはＺ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ12は、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基、またはＹ5およびＹ6がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
また、Ｒ13およびＲ14は、水素原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、またはＺ2で置換されてもよい炭素数６〜１２のアリール基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
本発明の電荷輸送性ワニスに用いる電荷輸送性化合物は、電荷輸送性をより高める観点から、上記式（２）で表される２価の有機基が２つ連続した式（５）で表される構造を２つ以上有することが好ましく、特に、式（６）で表される態様で、式（５）で表される構造を２つ以上有していることがより好ましい。
（式中、Ｒ1〜Ｒ4およびＹ1は、上記と同じ意味を示す。）
式（５）および式（６）において、Ｒ1〜Ｒ4としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基、またはＹ5およびＹ8がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基が好ましく、水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基がより好ましく、水素原子、またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
Ｙ1としては、水素原子、またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、またはメチル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、かつ、Ｙ1が、水素原子、またはメチル基の組み合わせが好適であり、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子またはジフェニルアミノ基、かつ、Ｙ1が水素原子の組み合わせがより好適である。
ｍおよびｎは、互いに独立して、１〜１０の整数であるが、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜３である。
Ｙ1としては、水素原子、またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、またはメチル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、かつ、Ｙ1が、水素原子、またはメチル基の組み合わせが好適であり、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子またはジフェニルアミノ基、かつ、Ｙ1が水素原子の組み合わせがより好適である。
ｍおよびｎは、互いに独立して、１〜１０の整数であるが、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜３である。
また、式（６）において、Ｘ4は、−ＮＹ1−または単結合が好ましい。
ｌは、−（ＣＲ13Ｒ14）−で表される２価のアルキレン基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であるが、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５、より一層好ましくは１または２である。
なお、ｌが２以上である場合、各Ｒ13は、互いに同一でも異なっていてもよく、各Ｒ14も、互いに同一でも異なっていてもよい。
ｌは、−（ＣＲ13Ｒ14）−で表される２価のアルキレン基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であるが、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５、より一層好ましくは１または２である。
なお、ｌが２以上である場合、各Ｒ13は、互いに同一でも異なっていてもよく、各Ｒ14も、互いに同一でも異なっていてもよい。
特に、本発明においては、式（７）で表されるオリゴアニリン誘導体を用いることが好ましい。
式（７）において、Ｒ1〜Ｒ4としては、水素原子、ハロゲン原子、またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
Ｒ15およびＲ16としては、水素原子、ハロゲン原子、またはＹ5およびＹ8がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基が好ましく、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基がより好ましく、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
Ｘ4としては、−ＮＹ1−または単結合が好ましい。
Ｙ1としては、水素原子、またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、またはメチル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ15およびＲ16が、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−または単結合、かつ、Ｙ1が、水素原子、またはメチル基の組み合わせが好ましく、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、Ｒ15およびＲ16が、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−、または単結合、Ｙ1が、水素原子の組み合わせがより一層好ましい。
Ｒ15およびＲ16としては、水素原子、ハロゲン原子、またはＹ5およびＹ8がＺ2で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ5Ｙ6基が好ましく、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基がより好ましく、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
Ｘ4としては、−ＮＹ1−または単結合が好ましい。
Ｙ1としては、水素原子、またはＺ1で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、またはメチル基がより好ましく、水素原子がより一層好ましい。
特に、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ15およびＲ16が、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されてもよい炭素数１２〜４０のジアリールアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−または単結合、かつ、Ｙ1が、水素原子、またはメチル基の組み合わせが好ましく、Ｒ1〜Ｒ4が、水素原子、Ｒ15およびＲ16が、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−、または単結合、Ｙ1が、水素原子の組み合わせがより一層好ましい。
なお、上記Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16のアルキル基、アルケニル基およびアルキニル基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基であるＺ1で置換されていてもよく、Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16のアリール基およびヘテロアリール基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基であるＺ2で置換されていてもよく、これらの基は、さらにハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基であるＺ3で置換されていてもよい（ハロゲン原子としては、上記と同様のものが挙げられる。）。
特に、Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16において、置換基Ｚ1は、ハロゲン原子、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フッ素原子、またはＺ3で置換されてもよいフェニル基が好ましく、存在しないこと（すなわち、Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16が非置換であること）がより一層好ましい。
また、置換基Ｚ2は、ハロゲン原子、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子、またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、存在しないこと（すなわち、Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16が非置換であること）がより一層好ましい。
そして、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、置換基Ｚ1およびＺ2が非置換であること）がより一層好ましい。
また、置換基Ｚ2は、ハロゲン原子、シアノ基、またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子、またはＺ3で置換されてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、存在しないこと（すなわち、Ｙ1〜Ｙ15およびＲ1〜Ｒ16が非置換であること）がより一層好ましい。
そして、Ｚ3は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、置換基Ｚ1およびＺ2が非置換であること）がより一層好ましい。
本発明の電荷輸送性化合物の分子量は、通常３００〜５０００であるが、溶解性を高める観点から、好ましくは４０００以下、より好ましくは３０００以下であり、より一層好ましくは２０００以下である。
なお、上記説明した電荷輸送性化合物の合成法としては、特に限定されるものではないが、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）（１９９４年 第６７巻 ｐ．１７４９−１７５２）、シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals）（１９９７年、第８４巻、ｐ．１１９−１２０）、国際公開第２００８／０３２６１７号、国際公開第２００８／０３２６１６号、国際公開第２００８／１２９９４７号などに記載の方法が挙げられる。
なお、上記説明した電荷輸送性化合物の合成法としては、特に限定されるものではないが、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）（１９９４年 第６７巻 ｐ．１７４９−１７５２）、シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals）（１９９７年、第８４巻、ｐ．１１９−１２０）、国際公開第２００８／０３２６１７号、国際公開第２００８／０３２６１６号、国際公開第２００８／１２９９４７号などに記載の方法が挙げられる。
なお、本発明の電荷輸送性ワニスには、上述した電荷輸送性化合物の他に、導電性高分子等の公知のその他の電荷輸送性化合物を用いることもできる。
一方、本発明の電荷輸送性ワニスに含まれる他の成分である電子受容性物質としては、特に限定されるものではなく、無機系の電子受容性物質、有機系の電子受容性物質のいずれも使用できる。
無機系の電子受容性物質としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ3）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ4）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ3・ＯＥｔ2）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ3）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ2）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ5）、五フッ化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＦ5）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ5）、五フッ化リン（ＰＦ5）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等の金属ハロゲン化物；Ｃｌ2、Ｂｒ2、Ｉ2、ＩＣｌ、ＩＣｌ3、ＩＢｒ、ＩＦ4等のハロゲン；リンモリブデン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸などが挙げられる。
有機系の電子受容性物質としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２，５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６，７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２，７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２，７−ジノニル−４，５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等の芳香族スルホン化合物；１０−カンファースルホン酸等の非芳香族スルホン化合物；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。
これら無機系および有機系の電子受容性物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。
これら無機系および有機系の電子受容性物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。
特に、電荷輸送性ワニスの保存安定性を向上させることを考慮すると、電子受容性物質は、芳香族スルホン酸化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、さらに、得られるワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、分子量が２０００以下の芳香族スルホン酸化合物を少なくとも１種類含むことが好ましい。
電荷輸送性化合物および電子受容性物質のワニス総質量に対する濃度は、両物質の合計で、通常０．５〜１０質量％、好ましくは１〜５質量％である。
また、電荷輸送性化合物と、電子受容性物質の物質量（ｍｏｌ）比は、通常、電荷輸送性化合物１に対し、０．１〜１０であるが、好ましくは０．５〜１．５である。
そして、電子受容性物質と式（１）で表されるアミン化合物の物質量（ｍｏｌ）比は、通常、電子受容性物質１に対し、アミン化合物０．１〜５程度である。
また、電荷輸送性化合物と、電子受容性物質の物質量（ｍｏｌ）比は、通常、電荷輸送性化合物１に対し、０．１〜１０であるが、好ましくは０．５〜１．５である。
そして、電子受容性物質と式（１）で表されるアミン化合物の物質量（ｍｏｌ）比は、通常、電子受容性物質１に対し、アミン化合物０．１〜５程度である。
以上説明した電荷輸送性化合物、特に式（５）もしくは（６）で表される構造を有する、または式（７）で表される電荷輸送性化合物は、電子受容性物質、特に芳香族スルホン酸化合物と組み合わせて用いた場合、高い電荷輸送性を実現できるものの、使用する有機溶媒の種類によっては、これら電荷輸送性化合物および電子受容性物質からなる電荷輸送性材料の溶解性が低下することがよくある。
本発明では、このような電荷輸送性材料とともに、式（１）で表されるアミン化合物を用いて電荷輸送性ワニスを調製することで、電荷輸送性材料の有機溶媒に対する溶解性を高め、用い得る有機溶媒の種類や量、用い得る電荷輸送性材料の量等の幅を広げることが可能となる。
本発明では、このような電荷輸送性材料とともに、式（１）で表されるアミン化合物を用いて電荷輸送性ワニスを調製することで、電荷輸送性材料の有機溶媒に対する溶解性を高め、用い得る有機溶媒の種類や量、用い得る電荷輸送性材料の量等の幅を広げることが可能となる。
また、このような溶解性の低下がワニス調製の際に問題とならない組成（溶媒の種類、電荷輸送性材料と電荷輸送性物質との組み合わせ、電荷輸送性材料の濃度）を採用する場合であっても、式（１）で表されるアミン化合物を用いて調製したワニスから得られる電荷輸送性薄膜によって、これを用いずに調製したワニスから得られる薄膜の場合と比較して、有機ＥＬ素子の輝度特性の向上を図ることができる。
本発明において、式（１）で表されるアミン化合物は、用い得る有機溶媒の種類や量、用い得る電荷輸送性材料の量等の幅を広げること、ワニスから得られる薄膜を有する有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上させることのいずれか一方または両方を目的としてワニスに加えられるが、結果として、当該ワニスから得られた薄膜を、有機ＥＬ素子の正孔注入層または正孔輸送層、特に正孔注入層用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上し得る。
本発明において、式（１）で表されるアミン化合物は、用い得る有機溶媒の種類や量、用い得る電荷輸送性材料の量等の幅を広げること、ワニスから得られる薄膜を有する有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上させることのいずれか一方または両方を目的としてワニスに加えられるが、結果として、当該ワニスから得られた薄膜を、有機ＥＬ素子の正孔注入層または正孔輸送層、特に正孔注入層用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上し得る。
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる溶媒としては、得られる薄膜を備えた有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を改善するという観点からは、電荷輸送性化合物および電子受容性物質をそれぞれ単独で溶解し得、かつ、これら２つを併用した場合に溶け残りが発生する溶媒、それぞれ単独でも溶解し得、かつ、併用した場合でも溶解し得る溶媒、それぞれ単独では溶け残りが発生するが、併用した場合には溶解し得る溶媒のいずれを用いることもできる。
ただし、上述のように、本発明において、電荷輸送性ワニスへのアミン添加の目的の１つは、電荷輸送性化合物および電子受容性物質を、それぞれ単独で溶解し得、かつ、これら２つを併用した場合に溶け残りが発生する溶媒を用いた場合における電荷輸送性化合物および電子受容性物質の溶解性の改善にある。
ただし、上述のように、本発明において、電荷輸送性ワニスへのアミン添加の目的の１つは、電荷輸送性化合物および電子受容性物質を、それぞれ単独で溶解し得、かつ、これら２つを併用した場合に溶け残りが発生する溶媒を用いた場合における電荷輸送性化合物および電子受容性物質の溶解性の改善にある。
ワニス調製に用い得る溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジアセトンアルコール、エチルラクテート、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、シクロへキサノン、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフルフリルアルコール等が挙げられる。
これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
また、本発明の電荷輸送性ワニスに、２０℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも一種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、平坦性の高い薄膜を再現性良く与える、用いる塗布方法に応じたワニス調整が容易になる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％であることが好ましい。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％であることが好ましい。
このような溶媒としては、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノフェニルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、トリプロピレングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。
以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることで基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられる。
溶媒の蒸発法としても特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０〜２５０℃が好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられる。
溶媒の蒸発法としても特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレートやオーブンを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で蒸発させればよい。これにより、均一な成膜面を有する薄膜を得ることが可能である。
焼成温度は、溶媒を蒸発させることができれば特に限定されないが、４０〜２５０℃が好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で電荷注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
本発明の電荷輸送性ワニスを正孔輸送性ワニスとしてＯＬＥＤ素子に使用する場合、以下の方法を挙げることができる。
陽極基板上に当該正孔輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
陽極基板上に当該正孔輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により蒸発、焼成を行い、電極上に正孔輸送性薄膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α−ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α−ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４’，４”−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５”−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２’：５’，２”−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。
発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。
キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を含むＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに電子注入層、陰極電極を順次蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を含むＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに電子注入層、陰極電極を順次蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
使用する電子注入層を形成する材料並びに陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，１’−ビフェニレン−４，４−ジアミン）］、ポリ［（９，９−ビス｛１’−ペンテン−５’−イル｝フルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］−エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９−ジジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（４，４’−（Ｎ−（ｐ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ溶媒の蒸発により成膜する方法が挙げられる。
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，１’−ビフェニレン−４，４−ジアミン）］、ポリ［（９，９−ビス｛１’−ペンテン−５’−イル｝フルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］−エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９−ジジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（４，４’−（Ｎ−（ｐ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
溶媒の蒸発法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
以下、合成例、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、実施例で使用した装置は以下のとおりである。
（１） 基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（２）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（３）膜厚測定：（株）小坂研究所製 微細形状測定機 サーフコーダＥＴ−４０００
（４）塗布性の評価：Ｌａｓｅｒｔｅｃ製共焦点レーザー顕微鏡 ＶＬ−２０００
（５）膜特性の評価：（株）島津製作所製 可視紫外線吸収スペクトル測定装置ＵＶ−３１００ＰＣ
（６）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（７）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製 Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム
（１） 基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（２）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（３）膜厚測定：（株）小坂研究所製 微細形状測定機 サーフコーダＥＴ−４０００
（４）塗布性の評価：Ｌａｓｅｒｔｅｃ製共焦点レーザー顕微鏡 ＶＬ−２０００
（５）膜特性の評価：（株）島津製作所製 可視紫外線吸収スペクトル測定装置ＵＶ−３１００ＰＣ
（６）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（７）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製 Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム
［１］化合物の合成
［合成例１］
実施例および比較例で使用する式（１０）で表されるアニリン誘導体（以下、アニリン誘導体Ａという）を、下記反応式に従い、次の方法により合成した。
［合成例１］
実施例および比較例で使用する式（１０）で表されるアニリン誘導体（以下、アニリン誘導体Ａという）を、下記反応式に従い、次の方法により合成した。
４，４’−ジアミノジフェニルアミン１０．００ｇ（５０．１９ｍｍｏｌ）、４−ブロモトリフェニルアミン３４．１７ｇ（１０５．４０ｍｍｏｌ）、およびキシレン（１００ｇ）の混合懸濁液に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５７９９ｇ（０．５０１８ｍｍｏｌ）およびターシャルブトキシナトリウム１０．１３ｇ（１０５．４０ｍｍｏｌ）を加え、窒素下１３０℃で１４時間撹拌した。
その後、反応混合液を濾過し、その濾液を飽和食塩水で分液処理をした後、得られた有機層から溶媒を留去した。次いで、得られた固体を１，４−ジオキサンを用いて再結晶し、アニリン誘導体Ａを得た（収量：２２ｇ，収率：６５％）。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、アニリン誘導体Ａの構造を確認した。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ：７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６−７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１−６．８９（ｍ，２８Ｈ）．
その後、反応混合液を濾過し、その濾液を飽和食塩水で分液処理をした後、得られた有機層から溶媒を留去した。次いで、得られた固体を１，４−ジオキサンを用いて再結晶し、アニリン誘導体Ａを得た（収量：２２ｇ，収率：６５％）。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定し、アニリン誘導体Ａの構造を確認した。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ：７．８３（Ｓ，２Ｈ），７．６８（Ｓ，１Ｈ），７．２６−７．２０（ｍ，８Ｈ），７．０１−６．８９（ｍ，２８Ｈ）．
［合成例２］
実施例および比較例で使用する式（１３）で表される芳香族スルホン酸化合物（以下、アリールスルホン酸Ｂという）を、国際公開第２００６／０２５３４２号の記載に基づき、下記反応式に従い合成した。
実施例および比較例で使用する式（１３）で表される芳香族スルホン酸化合物（以下、アリールスルホン酸Ｂという）を、国際公開第２００６／０２５３４２号の記載に基づき、下記反応式に従い合成した。
よく乾燥させた１−ナフトール−３，６−ジスルホン酸ナトリウム１１ｇ（３１．５９ｍｍｏｌ）に、窒素雰囲気下で、パーフルオロビフェニル４．７９７ｇ（１４．３６ｍｏｌ）、炭酸カリウム４．１６７ｇ（３０．１５ｍｏｌ）、およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍｌを順次加え、反応系を窒素置換した後、内温１００℃で６時間撹拌した。
室温まで放冷後、反応後に析出しているＮＳＯ−２を再溶解させるために、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドをさらに５００ｍｌ加え、室温で９０分間撹拌した。撹拌終了後、この溶液を濾過して炭酸カリウム残渣を除去し、減圧濃縮した。さらに、残存している不純物を除去するために、残渣にメタノール１００ｍｌを加え、室温で３０分間撹拌した。撹拌終了後、懸濁溶液を濾過し、濾物を濾取した。濾物に超純水３００ｍｌを加えて溶解し、陽イオン交換樹脂ダウエックス６５０Ｃ（ダウ・ケミカル社製、Ｈタイプ約２００ｍｌ、留出溶媒：超純水）を用いたカラムクロマトグラフィーによりイオン交換した。
ｐＨ１以下の分画を減圧下で濃縮乾固し、残渣を減圧下で乾固してアリールスルホン酸Ｂを得た（収量：１１ｇ，収率：８５％）。
室温まで放冷後、反応後に析出しているＮＳＯ−２を再溶解させるために、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドをさらに５００ｍｌ加え、室温で９０分間撹拌した。撹拌終了後、この溶液を濾過して炭酸カリウム残渣を除去し、減圧濃縮した。さらに、残存している不純物を除去するために、残渣にメタノール１００ｍｌを加え、室温で３０分間撹拌した。撹拌終了後、懸濁溶液を濾過し、濾物を濾取した。濾物に超純水３００ｍｌを加えて溶解し、陽イオン交換樹脂ダウエックス６５０Ｃ（ダウ・ケミカル社製、Ｈタイプ約２００ｍｌ、留出溶媒：超純水）を用いたカラムクロマトグラフィーによりイオン交換した。
ｐＨ１以下の分画を減圧下で濃縮乾固し、残渣を減圧下で乾固してアリールスルホン酸Ｂを得た（収量：１１ｇ，収率：８５％）。
［２］溶解性試験
アミン化合物を加えることによる溶解性向上効果の試験を以下の方法で行った。
アニリン誘導体Ａ０．０６９ｇ（０．１ｍｍｏｌ）、アリールスルホン酸Ｂ０．１３５ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、および表１に示される各種有機溶媒２０ｇを混合し、そこへトリブチルアミン０．０８８ｇ（０．４８ｍｍｏｌ）を加えた場合の、アミン添加前後のアニリン誘導体Ａおよびアリールスルホン酸Ｂの溶解性を確認し、溶け残りなしを「○」、溶け残りありを「×」として評価した。結果を表１に示す。
なお、本試験に先立って調製した、アニリン誘導体Ａのみを含む溶液は青色であり、アリールスルホン酸Ｂのみを含む溶液は無色であった（溶媒はジエチレングリコールモノエチルエーテル）。
アミン化合物を加えることによる溶解性向上効果の試験を以下の方法で行った。
アニリン誘導体Ａ０．０６９ｇ（０．１ｍｍｏｌ）、アリールスルホン酸Ｂ０．１３５ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、および表１に示される各種有機溶媒２０ｇを混合し、そこへトリブチルアミン０．０８８ｇ（０．４８ｍｍｏｌ）を加えた場合の、アミン添加前後のアニリン誘導体Ａおよびアリールスルホン酸Ｂの溶解性を確認し、溶け残りなしを「○」、溶け残りありを「×」として評価した。結果を表１に示す。
なお、本試験に先立って調製した、アニリン誘導体Ａのみを含む溶液は青色であり、アリールスルホン酸Ｂのみを含む溶液は無色であった（溶媒はジエチレングリコールモノエチルエーテル）。
アニリン誘導体Ａおよびアリールスルホン酸Ｂを組み合わせて用いた場合、これらはジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびテトラヒドロフルフリルアルコールには、アミンを加えなくても完全に溶解した。また、そこへアミンを加えても、溶液の色は緑から青へ変化したが、析出することはなかった。
一方、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、シクロヘキサノン、または安息香酸エチルを溶媒として用いた場合、アニリン誘導体Ａおよびアリールスルホン酸Ｂは完全には溶け切らなかった。しかし、そこへトリブチルアミンを加えると、溶液の色は緑から青へ変化し、溶け残った固形分は完全に溶解した。
溶解性試験における、色の変化を考慮すると、アニリン誘導体Ａ等の電荷輸送性化合物とアリールスルホン酸Ｂ等の電荷輸送性材料が溶液に共存する場合、相互作用によりこれらの溶解性が低下するが、アミン化合物を添加することで、その相互作用が切断されると考えられる。
以上の結果から、アミン化合物を加えることで、電荷輸送性物質と電子受容性物質とを組み合わせて用いた場合に起こり得る溶解性の低下を抑制できることがわかった。
一方、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、シクロヘキサノン、または安息香酸エチルを溶媒として用いた場合、アニリン誘導体Ａおよびアリールスルホン酸Ｂは完全には溶け切らなかった。しかし、そこへトリブチルアミンを加えると、溶液の色は緑から青へ変化し、溶け残った固形分は完全に溶解した。
溶解性試験における、色の変化を考慮すると、アニリン誘導体Ａ等の電荷輸送性化合物とアリールスルホン酸Ｂ等の電荷輸送性材料が溶液に共存する場合、相互作用によりこれらの溶解性が低下するが、アミン化合物を添加することで、その相互作用が切断されると考えられる。
以上の結果から、アミン化合物を加えることで、電荷輸送性物質と電子受容性物質とを組み合わせて用いた場合に起こり得る溶解性の低下を抑制できることがわかった。
［３］電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜の作製
［実施例１］
アニリン誘導体Ａ０．０８２ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）とアリールスルホン酸Ｂ０．１６３ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）とを、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン４ｇに完全に溶解させた。得られた溶液に、貧溶媒であるシクロヘキサノール１２ｇと２，３−ブタンジオール４ｇを加えて撹拌した。さらにこの溶液にピペリジン０．１９２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）を加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを作製した。
得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ電極基板に塗布した後、大気中５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ電極基板に膜厚３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。同様にして、得られたワニスを、スピンコーターを用いて石英基板に塗布した後、大気中５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、石英基板に膜厚３０ｎｍの薄膜を形成した。
なお、ＩＴＯ電極基板と石英基板は、プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて表面上の不純物を除却してから使用した。
［実施例１］
アニリン誘導体Ａ０．０８２ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）とアリールスルホン酸Ｂ０．１６３ｇ（０．１８ｍｍｏｌ）とを、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン４ｇに完全に溶解させた。得られた溶液に、貧溶媒であるシクロヘキサノール１２ｇと２，３−ブタンジオール４ｇを加えて撹拌した。さらにこの溶液にピペリジン０．１９２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）を加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスを作製した。
得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ電極基板に塗布した後、大気中５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ電極基板に膜厚３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。同様にして、得られたワニスを、スピンコーターを用いて石英基板に塗布した後、大気中５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、石英基板に膜厚３０ｎｍの薄膜を形成した。
なお、ＩＴＯ電極基板と石英基板は、プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて表面上の不純物を除却してから使用した。
［実施例２〜５］
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、Ｎ−ブチルエチルアミン０．２２４ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．２２７ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン０．２１３ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン０．２１９ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）をそれぞれ使用した以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、Ｎ−ブチルエチルアミン０．２２４ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．２２７ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリブチルアミン０．２１３ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルエチルアミン０．２１９ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）をそれぞれ使用した以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
［比較例１］
ピペリジン０．１９２ｇを加えなかった以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
ピペリジン０．１９２ｇを加えなかった以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
［比較例２〜９］
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、エチレンジアミン０．２１１ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ベンジルアミン０．１６８ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ｎ−オクチルアミン０．２１１ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、１，３−ジアミノペンタン０．１９２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン０．１８ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、２−メチルアミノエタノール０．１７６ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ピリジン０．１６９ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリブチルフォスフィン０．２０２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）をそれぞれ加えた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、エチレンジアミン０．２１１ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ベンジルアミン０．１６８ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ｎ−オクチルアミン０．２１１ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、１，３−ジアミノペンタン０．１９２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン０．１８ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、２−メチルアミノエタノール０．１７６ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、ピリジン０．１６９ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）、トリブチルフォスフィン０．２０２ｇ（１．４４ｍｍｏｌ）をそれぞれ加えた以外は、実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
［比較例１０］
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、０．１ＭＮａＯＨ水溶液を加えた以外は実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
なお、ＮａＯＨ水溶液は、徐々に加えて溶液の色が緑色から青色に変化した時点まで添加した。
ピペリジン０．１９２ｇの代わりに、０．１ＭＮａＯＨ水溶液を加えた以外は実施例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスおよび電荷輸送性薄膜を作製した。
なお、ＮａＯＨ水溶液は、徐々に加えて溶液の色が緑色から青色に変化した時点まで添加した。
ワニスの塗布性および薄膜の膜特性の評価を以下の方法で行った。結果を表２に示す。
薄膜の膜面を観察し、薄膜表面に塗布ムラある場合を「×」、塗布ムラがない場合を「○」として、塗布性の評価をした。
また、添加剤を加えていないワニスを用いて作製した膜（比較例１）を基準とし、紫外・可視光領域におけるスペクトルが大きく変化した場合を「×」、それ以外の場合を「○」として各薄膜の膜特性の評価をした。
薄膜の膜面を観察し、薄膜表面に塗布ムラある場合を「×」、塗布ムラがない場合を「○」として、塗布性の評価をした。
また、添加剤を加えていないワニスを用いて作製した膜（比較例１）を基準とし、紫外・可視光領域におけるスペクトルが大きく変化した場合を「×」、それ以外の場合を「○」として各薄膜の膜特性の評価をした。
表２に示されるように、式（１）で表されるアミン化合物を含むワニス（実施例１〜５）は、アミン化合物等を含まない電荷輸送性ワニス（比較例１）と同様の塗布性に良好な塗布性を示し、これ得られる薄膜のスペクトルも、比較例１で得られた薄膜のそれと比較して大きく差はなかった。
一方、それ以外のアミン（比較例２〜８）を含むワニスに関しては、その塗布性および膜特性の一方または両方が悪かった。また、式（１）のアミン化合物に構造上類似するトリブチルフォスフィンや、水酸化ナトリウム溶液を加えたワニスも、同様に、これらの特性が悪かった。
以上のことから、式（１）で表されるアミン化合物を用いることで初めて、ワニスの良好な膜特性と薄膜の膜特性を実現可能となり、その他のアミン化合物やフォスフィン化合物、水酸化ナトリウムいった無機アルカリ溶液を用いても、これら２つの特性を維持することは困難であることがわかった。
一方、それ以外のアミン（比較例２〜８）を含むワニスに関しては、その塗布性および膜特性の一方または両方が悪かった。また、式（１）のアミン化合物に構造上類似するトリブチルフォスフィンや、水酸化ナトリウム溶液を加えたワニスも、同様に、これらの特性が悪かった。
以上のことから、式（１）で表されるアミン化合物を用いることで初めて、ワニスの良好な膜特性と薄膜の膜特性を実現可能となり、その他のアミン化合物やフォスフィン化合物、水酸化ナトリウムいった無機アルカリ溶液を用いても、これら２つの特性を維持することは困難であることがわかった。
[４］有機ＥＬ素子の作製
［実施例６］
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ電極基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。薄膜を形成したＩＴＯ基板上に対し、蒸着装置を用いてα−ＮＰＤ３０ｎｍ、Ａｌｑ3４０ｎｍ、フッ化リチウム０．５ｎｍ、アルミニウム１２０ｎｍの各薄膜を順次積層させた。蒸着後、封止基板を用いて封止を行い、有機ＥＬ素子を作製した。この際、保水剤としてダイニック（株）製ＨＤ−０７１０１０Ｗ−４０を封止基板内に収めた。封止のための接着材としては、ナガセケムテックス（株）製ＸＮＲ５５１６Ｚ−Ｂ１を使用した。封止は、貼り合わせた基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させて行った。
［実施例６］
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ電極基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。薄膜を形成したＩＴＯ基板上に対し、蒸着装置を用いてα−ＮＰＤ３０ｎｍ、Ａｌｑ3４０ｎｍ、フッ化リチウム０．５ｎｍ、アルミニウム１２０ｎｍの各薄膜を順次積層させた。蒸着後、封止基板を用いて封止を行い、有機ＥＬ素子を作製した。この際、保水剤としてダイニック（株）製ＨＤ−０７１０１０Ｗ−４０を封止基板内に収めた。封止のための接着材としては、ナガセケムテックス（株）製ＸＮＲ５５１６Ｚ−Ｂ１を使用した。封止は、貼り合わせた基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させて行った。
［実施例７〜９］
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスの代わりに、実施例２，４，５で作製した電荷輸送性ワニスを用いた以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスの代わりに、実施例２，４，５で作製した電荷輸送性ワニスを用いた以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
［比較例１１］
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスの代わりに、比較例１で作製した電荷輸送性ワニスを用いた以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
実施例１で作製した電荷輸送性ワニスの代わりに、比較例１で作製した電荷輸送性ワニスを用いた以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。
ＯＬＥＤ素子の電気特性を評価した。駆動電圧５Ｖにおける電流密度、輝度および電流効率を以下表３に示す。
表３に示されるように、式（１）で表されるワニスから得られる薄膜を有する有機ＥＬ素子（実施例６〜９）は、これを含まないワニスから得られる薄膜を有する有機ＥＬ素子（比較例１１）と比較して、高い輝度および電流密度を示した。
以上のことから、式（１）で表されるアミン化合物を含む電荷輸送性ワニスを用いて作製した電荷輸送性薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上できることがわかった。
以上のことから、式（１）で表されるアミン化合物を含む電荷輸送性ワニスを用いて作製した電荷輸送性薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いることで、有機ＥＬ素子の輝度特性や電流密度特性を向上できることがわかった。
Claims (5)
- 式（１）で表されるアミン化合物と、式（５）で表される構造を２つ以上有する分子量３００〜５０００の電荷輸送性化合物と、電子受容性物質と、有機溶媒とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
（式中、Ａ １ は、水素原子、またはＺ ３ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基もしくは炭素数６〜２０のアリール基を表し、
Ａ ２ およびＡ ３ は、それぞれ独立して、Ｚ ３ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基（これらアルキル基およびアリール基は互いに結合していてもよい。）を表し、
Ｚ ３ は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表し、
Ｙ １ は、水素原子、Ｚ １ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ ２ で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｒ １ 〜Ｒ ４ は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ １ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ ２ で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＮＨＹ ４ 、−ＮＹ ５ Ｙ ６ 、−Ｃ（Ｏ）Ｙ ７ 、−ＯＹ ８ 、−ＳＹ ９ 、−ＳＯ ３ Ｙ １０ 、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ １１ 、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ １２ 、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ １３ 、または−Ｃ（Ｏ）ＮＹ １４ Ｙ １５ 基を表し、
Ｙ ４ 〜Ｙ １５ は、それぞれ独立して、Ｚ １ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ ２ で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ １ は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ ３ で置換されてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ ２ は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ ３ で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ ３ は、前記と同じ意味を表す。） - 前記電荷輸送性化合物が、式（６）で表される構造を分子内に含む請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
（式中、Ｒ１〜Ｒ４およびＹ１は、前記と同じ意味を表し、Ｘ４は、−ＮＹ１−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ１３Ｒ１４）ｌ−または単結合を表し、Ｒ１３およびＲ１４は、前記と同じ意味を表し、ｌは、１〜２０の整数であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≦１０を満たす。） - 前記アミン化合物がピペリジン、Ｎ−エチル−ｎ−ブチルアミン〔ＨＮ（Ｅｔ）（ｎ−Ｂｕ）〕、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）（ｉ−Ｐｒ）２〕、トリ（ｎ−ブチル）アミン〔Ｎ（ｎ−Ｂｕ）３〕、トリエチルアミン〔Ｎ（Ｅｔ）３〕から選ばれるいずれか１種である請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の電荷輸送性薄膜形成用ワニス。
- 請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
- 請求項４記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013020224A JP6182884B2 (ja) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | 電荷輸送性ワニス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013020224A JP6182884B2 (ja) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | 電荷輸送性ワニス |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017114829A Division JP2017208552A (ja) | 2017-06-12 | 2017-06-12 | 電荷輸送性ワニス |
| JP2017114828A Division JP6547792B2 (ja) | 2017-06-12 | 2017-06-12 | 電荷輸送性ワニス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014152185A JP2014152185A (ja) | 2014-08-25 |
| JP6182884B2 true JP6182884B2 (ja) | 2017-08-23 |
Family
ID=51574392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013020224A Active JP6182884B2 (ja) | 2013-02-05 | 2013-02-05 | 電荷輸送性ワニス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6182884B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9833972B2 (en) | 2009-07-31 | 2017-12-05 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Laminated steel plate |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3666086B2 (ja) * | 1995-12-11 | 2005-06-29 | 東洋インキ製造株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4258583B2 (ja) * | 1999-02-23 | 2009-04-30 | 淳二 城戸 | 電界発光素子 |
| JP3909552B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2007-04-25 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物および有機ｅｌ素子の絶縁膜 |
| JP2006128325A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明装置 |
| JP5261887B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2013-08-14 | 三菱化学株式会社 | モノアミン化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子 |
| US20070077451A1 (en) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Pierre-Marc Allemand | Neutralized anode buffer layers to improve processing and performances of organic electronic devices |
| JP2008021793A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器 |
| DE102007041039A1 (de) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | H.C. Starck Gmbh | Herstellung leitfähiger Beschichtungen mittels Tintenstrahldrucks |
| JP5196928B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子及び表示装置 |
| JP2009010415A (ja) * | 2008-08-29 | 2009-01-15 | Bando Chem Ind Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4715905B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置 |
| JP5507484B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2014-05-28 | 信越ポリマー株式会社 | 導電性高分子複合体およびその製造方法、ならびに導電性高分子溶液および帯電防止膜 |
-
2013
- 2013-02-05 JP JP2013020224A patent/JP6182884B2/ja active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9833972B2 (en) | 2009-07-31 | 2017-12-05 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation | Laminated steel plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014152185A (ja) | 2014-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10513491B2 (en) | Sulfonic acid ester compound and use therefor | |
| JP6004083B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| JP6350288B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| JP6048571B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| TWI620731B (zh) | Charge transport varnish | |
| CN106463636B (zh) | 电荷传输性清漆 | |
| JP7310609B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| JP2019135774A (ja) | 正孔注入層形成用電荷輸送性ワニス | |
| JP6947180B2 (ja) | 電荷輸送性薄膜形成用ワニス | |
| TWI620732B (zh) | Electrode transport varnish for metal anode and composite metal anode | |
| JP6424835B2 (ja) | アリールスルホン酸化合物及びその利用 | |
| JP6418234B2 (ja) | フルオレン誘導体及びその利用 | |
| EP3101003B1 (en) | Aryl sulfonic acid compound and use thereof | |
| JP6182884B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| JP6547792B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| WO2020203594A1 (ja) | フルオレン誘導体及びその利用 | |
| JP2017208552A (ja) | 電荷輸送性ワニス | |
| JP6558373B2 (ja) | 電荷輸送性ワニス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151019 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151020 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160831 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161021 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20161021 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161221 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170214 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170612 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170710 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6182884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |