JP2014504449A - 不活性金属接点に対する、溶液処理された遷移金属酸化物のための接着層 - Google Patents
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Abstract
Description
(2)アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、モリブデン、タングステンおよびバナジウムから選択される遷移金属を含む、(1)の使用;
(3)アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、テトラチオ−遷移金属錯体である、(1)または(2)の使用;
(4)アンモニウムテトラチオ−遷移金属錯体は、テトラチオモリブデン酸アンモニウムである、(3)の使用;
(5)遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、(1)〜(4)のいずれかの使用;
(6)遷移金属酸化物の前駆体が、溶液系プロセスによって不活性金属表面上に堆積する、(1)〜(5)のいずれかの使用;
(7)前駆体が、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸−遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸−遷移金属酸化物錯体の分散物または溶液である、(6)の使用;
(8)堆積する前記遷移金属酸化物がMoO3であり、前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウムまたはリンモリブデン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンモリブデン酸の分散物または溶液である、(7)の使用;
(9)堆積する前記遷移金属酸化物がWO3であり、前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンタングステン酸の分散物または溶液である、(7)の使用;
(10)堆積する前記遷移金属酸化物がV2O5であり、前駆体が、極性有機溶媒に溶解した酸化バナジウム(V)、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウム(V)オキシトリエトキシド、バナジウム(V)オキシトリエトキシド、バナジウム(V)オキシトリイソプロポキシドまたはバナジウム(V)オキシトリプロポキシド分散物または溶液である、(7)の使用;
(11)溶液系プロセスが、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷からなる、(6)〜(10)のいずれかの使用;
(12)不活性金属が、銀、金または銅である、(1)〜(11)のいずれかの使用;
(13)不活性金属が金である、(12)の使用;
(14)アンモニウムチオ−遷移金属錯体の上に固定された前記遷移金属酸化物層が、少なくとも140℃の温度まで安定である、(1)〜(13)のいずれかの使用。
(a)金属表面をアンモニウムチオ−遷移金属錯体で前処理することと;
(b)前処理した表面の上に、遷移金属酸化物前駆体を含む溶液を堆積させることと;
(c)堆積した溶液をアニーリングし、遷移金属酸化物層を作成することとを含む、プロセス。
(i)金属表面を洗浄し、有機汚染物質を除去することと;
(ii)金属表面上にアンモニウムチオ−遷移金属錯体を堆積させることと;
(iii)処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む、(15)のプロセス;
(17)金属表面をUV−オゾン処理または酸素プラズマ処理によって洗浄する、(16)のプロセス;
(18)溶液系堆積は、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷によって行なわれる、(15)〜(17)のいずれかのプロセス。
(21)アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、上(1)〜(4)のいずれかに定義されるとおりである、(19)または(20)の有機薄膜トランジスタ;
(22)遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、(19)から(21)のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
例えば、アンモニウムテトラチオモリブデン酸塩で前処理され、その上にモリブデン酸が堆積した金表面の仕事関数は、−オゾンによって洗浄し、前処理せず、その上にモリブデン酸が堆積した金表面の仕事関数と比較して、140℃までの温度では実質的に安定である。仕事関数の安定性は、アンモニウムチオ−遷移金属錯体を用いて固定された温度安定性の遷移金属酸化物層を用い、ソース電極および/またはドレイン電極と有機半導体層の間の界面をドーピングすることによって、これらの界面に抵抗接触を作成するような有機薄膜トランジスタデバイスでは、特に有利である。その結果、ソース電極および/またはドレイン電極とトランジスタチャネル中の有機半導体の間の界面での接触抵抗は最低限となり、金属から半導体への電荷注入の障壁を減らし、高性能有機薄膜トランジスタを得る。
(i)金属表面を洗浄することと;
(ii)金属表面上にアンモニウムチオ−遷移金属錯体を堆積させることと;
(iii)処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む。
図3および図4にプロットされたエネルギー準位値は、RK Instruments Inc.から入手可能なAC−2光電子分光計を用いて測定された。サンプル(典型的には、面積が数平方ミリメートルである)を検知することによって、空気中で測定を行ない、以下の工程を含んでいた。
(a)テトラチオモリブデン酸アンモニウムを塗布することによる、金供給源とドレインの接点の前処理
この実験の目的は、金供給源とドレインの接点の不活性表面にテトラチオモリブデン酸アンモニウムを塗布することによって前処理することであった。
金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV−オゾンで処理した。有機汚染物質を部分的に除去することに加え、UV−オゾン処理は、金接点の仕事関数を約5.6eVまで上げ、金表面を親水性にすることがわかった。表面の仕事関数の変化を図3にラベル(I)によって示す。
次いで、UV−オゾンで処理したOTFT基材を、テトラチオモリブデン酸アンモニウムの0.5%(w/w)水溶液にし、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。
次いで、前処理した金接点を空気中、125℃で5分間乾燥させ、次いで、空気中、175℃で10分間アニーリングした。この表面アニーリングによって、表面の仕事関数がまず4.95eVまで上がり、次いで5.1eVへと徐々に上昇した。これを図3にラベル(III)によって示す。
最後に、前処理した金接点を空気中、220℃で10分間アニーリングした。これにより、表面の仕事関数が4.8eVまで大きく低下した。これを図3にラベル(IV)によって示す。
次いで、テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理したOTFT基材を、モリブデン酸の2%(w/w)水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。
前処理した金接点にモリブデン酸溶液を堆積させた後、熱によるアニーリングによって、モリブデン酸を酸化モリブデン(IV)に変換した。第1に、表面を空気中、120℃で5分間乾燥させ、次いで、空気中、140℃で5分間アニーリングした。
(a)テトラチオモリブデン酸アンモニウム接着層を用いない場合
(I.A)UV−オゾン処理
金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV−オゾンで処理した。この前処理によって、接触表面の仕事関数が5.6eVまで増加した。これを図4にラベル(I.A)によって示す。
次いで、UV−オゾンで前処理した金表面を、モリブデン酸の2%(w/w)水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。モリブデン酸の堆積によって、表面の仕事関数が5.43eVまで低下した。これを図4にラベル(II.A)によって示す。
最後に、空気中でのアニーリングによって、モリブデン酸をMoO3に変換し、第1に、115℃で5分間乾燥させ、次いで、140℃で5分間アニーリングした。これにより、表面の仕事関数がまず5.3eVまで低下し、次いで5.2eVまで徐々に低下した。これを図4にラベル(III.A)によって示す。
(I.B)UV−オゾン処理
金供給源とドレインの接点を含むOTFT基材をガラス基材にのせ、UV−オゾンで前処理し、テトラチオモリブデン酸アンモニウムの0.5%(w/w)水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させ、次いで、空気中、220℃で10分間アニーリングした。得られたテトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理し、アニーリングした基材は、初期の仕事関数が4.8eVであった。これを図4にラベル(I.B)によって示す。
次いで、テトラチオモリブデン酸アンモニウムで前処理した金接点を、モリブデン酸の2%(w/w)水溶液に浸し、窒素銃を用いて送風して乾燥させた。モリブデン酸の堆積によって、表面の仕事関数が5.43eVまで増加した。これを図4にラベル(II.B)によって示す。
最後に、空気中でのアニーリングによって、モリブデン酸をMoO3に変換し、第1に、120℃で5分間乾燥させ、次いで、140℃でさらに5分間アニーリングした。アニーリングすると、表面の仕事関数は、120℃で5分後に5.43eV、140℃で5分後に5.4eVとかなり安定なままであった。これを図4に示す。
Claims (22)
- 温度安定性の遷移金属酸化物層を不活性金属表面上に固定するための接着促進剤としてのアンモニウムチオ−遷移金属錯体の使用。
- 前記アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、モリブデン、タングステンおよびバナジウムから選択される遷移金属を含む、請求項1に記載の使用。
- 前記アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、テトラチオ−遷移金属錯体である、請求項1または2に記載の使用。
- 前記アンモニウムテトラチオ−遷移金属錯体は、テトラチオモリブデン酸アンモニウムである、請求項3に記載の使用。
- 遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の使用。
- 遷移金属酸化物の前駆体が、溶液系プロセスによって不活性金属表面上に堆積する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の使用。
- 前記前駆体が、水中の遷移金属酸化物、遷移金属酸化物の水和物、酸性遷移金属酸化物の水和物のアンモニウム塩、またはリン酸−遷移金属酸化物錯体、または極性有機溶媒に溶解したリン酸−遷移金属酸化物錯体の分散物または溶液である、請求項6に記載の使用。
- 堆積する前記遷移金属酸化物がMoO3であり、前駆体が、水中の三酸化モリブデン、モリブデン酸、モリブデン酸アンモニウムまたはリンモリブデン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンモリブデン酸の分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。
- 堆積する前記遷移金属酸化物がWO3であり、前駆体が、水中の三酸化タングステン、タングステン酸、タングステン酸アンモニウムまたはリンタングステン酸、または極性有機溶媒に溶解したリンタングステン酸の分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。
- 堆積する前記遷移金属酸化物がV2O5であり、前駆体が、極性有機溶媒に溶解した酸化バナジウム(V)、メタバナジン酸アンモニウム、バナジウム(V)オキシトリエトキシド、バナジウム(V)オキシトリエトキシド、バナジウム(V)オキシトリイソプロポキシドまたはバナジウム(V)オキシトリプロポキシド分散物または溶液である、請求項7に記載の使用。
- 前記溶液系プロセスが、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷からなる、請求項6〜10のいずれか一項に記載の使用。
- 前記不活性金属が、銀、金または銅である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の使用。
- 前記不活性金属が金である、請求項12に記載の使用。
- アンモニウムチオ−遷移金属錯体の上に固定された前記遷移金属酸化物層が、少なくとも140℃の温度まで安定である、請求項1〜13のいずれか一項に記載の使用。
- 不活性金属表面の上に遷移金属酸化物を作成するためのプロセスであって、
(a)金属表面をアンモニウムチオ−遷移金属錯体で前処理することと;
(b)前処理した表面の上に、遷移金属酸化物前駆体を含む溶液を堆積させることと;
(c)堆積した溶液をアニーリングし、遷移金属酸化物層を作成することとを含む、プロセス。 - 工程(a)が、
(i)金属表面を洗浄し、有機汚染物質を除去することと;
(ii)金属表面上にアンモニウムチオ−遷移金属錯体を堆積させることと;
(iii)処理した表面を空気中でアニーリングすることとを含む、請求項15に記載のプロセス。 - 前記金属表面をUV−オゾン処理または酸素プラズマ処理によって洗浄する、請求項16に記載のプロセス。
- 前記溶液系堆積は、スピンコーティング、浸漬コーティングまたはインクジェット印刷によって行なわれる、請求項15〜17のいずれか一項に記載のプロセス。
- ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極および有機半導体層とを備え、ソース電極およびドレイン電極は、不活性金属を含み、その表面で、アンモニウムチオ−遷移金属錯体を接着促進剤として使用することによって、温度安定性の遷移金属酸化物層が固定される、有機薄膜トランジスタ。
- 前記遷移金属酸化物が、請求項15〜18のいずれか一項に定義されるプロセスにしたがって固定される、請求項19に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記アンモニウムチオ−遷移金属錯体が、請求項1〜4のいずれか一項に定義されるとおりである、請求項19または20に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記遷移金属酸化物が、MoO3、WO3またはV2O5である、請求項19〜21のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
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